專利名稱：大尺寸硼酸鉀鍶非線性光學晶體及其制備方法和用途的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及從優(yōu)化的復合助熔劑中生長出大尺寸非線性光學晶體硼酸 鉀鍶，以及硼酸鉀鍶晶體生長工藝流程和作為非線性光學器件的用途。
背景技術：
近十年來，由于以通信和信息為基礎的社會變革的不斷深入，使得作 為重要的信息材料之一的非線性光學晶體材料(其中包括激光變頻材料、 電光材料和光折變材料)得到了快速的發(fā)展，并在高科技領域中起到了越 來越重要的作用。如利用晶體的倍頻效應，可以使激光的頻率發(fā)生改變， 拓寬了激光光源的波長范圍，從而獲得新的激光光源，使激光器得到廣泛 的應用。全固態(tài)激光系統(tǒng)就是利用了非線性光學晶體的倍頻性質制作的， 它具有體積小，光源穩(wěn)定，成本低等優(yōu)點，有著廣闊的應用前景。
目前已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了許多非線性光學晶體，并有一些得到了實際應用，如
KDP、 BBO、 LBO、 CLBO等，它們具有非線性光學系數(shù)大和抗光損傷閾 值高等優(yōu)點。但是，由于其透光譜的紫外截至吸收邊或相位匹配等因素的 限制，尚未得到各波段均適用的各種非線性光學晶體，因此各國科學家仍 舊在極力關注著各類新型非線性光學晶體的探索和研究。
L. Wu等在/wo^am'c Oze柳'w^雜志(Vol 45， 3042-3047(2006))上首先 報道了硼酸鉀鍶KSr4B309化合物的存在，并通過多晶粉末得到了 KSr4B309 的結構數(shù)據(jù)。a-11.03843(8)A; b=l 1.98974(9) A; c= 6.88446(5) A; V=911.14(2) A3; Z=4。但是要測試一種晶體的基本物理性能(也包括非線性光學性能) 需要該晶體的尺寸達數(shù)毫米甚至厘米級的單晶，至今尚未有關制備大小足
以供物性測試用的KSf4B309單晶的報道，更無法在市場上購買到該晶體，
本發(fā)明旨在制備大尺寸KSr4B309單晶，并測試其基本物理性能。 發(fā)明內容本發(fā)明的目的是為了彌補各類激光器發(fā)射激光波長的空白光譜區(qū)，從 而提供一種激光損傷閾值較大、不潮解且在紫外、深紫外區(qū)域具有較寬的 透光范圍的、具有厘米級大尺寸透明的非線性光學晶體硼酸鉀鍶。
本發(fā)明的另一目的是提供一種使用助熔劑，操作簡便，生長周期短的 制備大尺寸非線性光學晶體硼酸鉀鍶的方法。
本發(fā)明的又一目的是提供用KSr4B309單晶制作的非線性光學器件的用途。
本發(fā)明所述的一種大尺寸硼酸鉀鍶非線性光學晶體，該晶體分子式為 KSr4B309，屬于正交晶系，分子量為566.01，單胞參數(shù)為a=10.986(2)A; b=11.929(2)A; c= 6.8831(14) A,空間群為Ama2。其非線性光學效應約等 同于同條件下測試的KDP的非線性光學效應，透光波段從220nm至 3000nm。在空氣中不潮解，生長周期短，無包裹體，易于加工和保存，適 合于制作非線性光學器件。
所述的大尺寸硼酸鉀鍶非線性光學晶體的制備方法，采用助熔劑法生 長晶體，具體操作按下列步驟進行-
a、 將用高溫固相法制得的硼酸鉀鍶多晶粉末與助熔劑NaF和H3B03 或KF和H3B03按摩爾比1:1-4:1-4混勻放入坩堝，以l-30°C/h的升溫速率 將其加熱至880-1100°C ，得到含KSr4B309與助熔劑的混合熔液，恒溫20-100 小時，再快速冷卻到836—865"C;
b、 將裝在籽晶桿上的硼酸鉀鍶籽晶放入步驟a中的KSr3309與助熔劑 的混合熔液中，同時以0-100轉/分的旋轉速率旋轉籽晶桿，再以0.1-5°C/ 天的速率緩慢降溫；
c、 待單晶生長到接近坩堝內徑尺度后，將晶體提離液面，以5-50°C/ 小時的速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可得到大尺寸硼酸鉀鍶 非線性光學晶體。
所述步驟a所述硼酸鉀鍶多晶粉末由同當量比的含鉀、含鍶和含硼化 合物的混合物制成。
含鉀的化合物優(yōu)選為K20、 KOH、 KCl、 K2C03、 KAc或KN03，含鍶的化合物優(yōu)選為SrO、 SrCl2、 SrC03 Sr(Ac)2或Sr(N03)2，含硼的化合物優(yōu)
選為H3B03或B203。
步驟a所述助熔劑中H3B03優(yōu)選為H3B03或B203。 步驟b中的籽晶為任意方向固定在籽晶桿上。
步驟b中的籽晶固定在籽晶桿上的旋轉方向為單向旋轉或逆向旋轉。 所述可逆旋轉中的每個單方向旋轉時間為1-10分鐘，其時間間隔為 0.1-1分鐘。
所述的大尺寸非線性光學晶體硼酸鉀鍶可以作為制備紫外倍頻發(fā)生 器、上或下頻率轉換器或光參量振蕩器的用途。
作為制備上或下頻率轉換器、倍頻發(fā)生器或光參量振蕩器包含至少一 束入射電磁輻射通過至少一塊非線性光學晶體后產(chǎn)生至少一束頻率不同 于入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。
本發(fā)明采用一般化學合成方法都可以制備硼酸鉀鍶多晶粉末，再將制 備的多晶粉末與助熔劑混合(或采用硼酸鉀鍶起始原料按摩爾比直接混 合)，即可得到大尺寸硼酸鉀鍶非線性光學晶體。本發(fā)明制備多晶粉末優(yōu)選 固相反應法，S卩將含K、 Sr和B摩爾比為1 : 4 : 3的化合物原料混合均勻 后，加熱進行固相反應，可得到化學式為KSr4B309的化合物。
制備KSr4B309多晶化合物的化學反應式
(1) K20+ H3B03+ SrO— KSr4B309+恥卞；
(2) K2C03+ B203+ SrO ~> KSr4B309+ C02T;
(3) KOH+ H3B03+ Sr(N03)2~> KSr4B309+ H20個+^02個；
(4) KN03+ H3B03+ Sr(N03)2 — KSr4B309+ N。2個；
(5) KN03+ H3B03+ SrC03-> KSr4B309+ C02T+ H20個；
(6) K2C03+ H3B03+ SrC03 4 KSr4B309+ C02T+ H20個；
(7) KC1+ H3B03+ SrCl2— KSr4B309+ C12T+ H20個；
(8) KAc+ H3B03+ SrC03 — KSr4B309+ C02T+ H20個；
(9) K2C03+ H3B03+ Sr(Ac) 24 KSr4B309+ C02T+ H20個；
本發(fā)明中含鉀、含鍶和含硼化合物以及助熔劑可采用市售的試劑及原
6料。
根據(jù)該大尺寸硼酸鉀鍶非線性光學晶體的結晶學數(shù)據(jù)，將晶體毛坯定
向；沿相位匹配方向按所需厚度和截面尺寸切割晶體；將晶體通光面拋 光，加工好的硼酸鉀鍶晶體即可作為非線性光學器件使用。
本發(fā)明所提供的晶體對光學加工精度無特殊要求。


。
圖1是KSr4B309的X-射線衍射圖譜；
圖2為本發(fā)明大尺寸硼酸鉀鍶晶體制作的非線性光學器件的工作原理 圖，其中(1)為激光器，(2)為全聚透鏡，(3)為大尺寸硼酸鉀鍶非線 性光學晶體，(4)為分光棱鏡，(5)為濾波片。
具體實施例方式
以下結合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細說明 實施例l:
以反應式(i)為例但不局限于反應式a)
K20+ H3B03+ SrO— KSr4B309+ &0個合成KSr4B309化合物，具體操作 步驟如下
將&0、 H3B03、 SrO以化學計量比放入研缽中，混合并仔細研磨，然 后裝入0)200mmx200mm的開口剛玉坩堝中，將其壓緊，放入馬弗爐中， 緩慢升溫至45(TC，恒溫5小時，盡量將氣體趕出，待冷卻后取出坩堝，把 樣品研磨均勻，再置于坩堝中，在馬弗爐內于88(TC再恒溫5小時，等其溫 度降至室溫后取出，仔細研磨，再次在880'C恒溫24小時，冷卻后放入研
缽中，輕微研磨便得到燒結完全的硼酸鉀鍶KSf4B309化合物，再對該產(chǎn)物
進行X射線分析，所得X射線譜圖與文獻報道完全一致；
籽晶優(yōu)化將合成的KSr4B309化合物與助熔劑NaF和H3B03，按摩爾 比KSr4B309: NaF: H3B03=1:3:1進行混配，裝入080mmx80mm的開口鉑 坩堝中，升溫至110(TC，恒溫30小時后降溫至86(TC，按rC/小時降溫至 S35。C，將籽晶桿放入到熔液中，有晶體聚集在籽晶桿表面，再按2"C/天降 溫，待聚集在籽晶桿上的晶體直徑有30mm時，按3(TC/小時速率降至室溫，
7取出籽晶桿，選取質量好的晶體做為籽晶，再次放入到熔體中生長，進行
籽晶優(yōu)化；
將合成的KSr4B309化合物與助熔劑NaF和H3B03，按摩爾比KSr4B309: NaF: H3B03=1:3:1進行混配，裝入<E>80mmx80mm的開口銷坩堝中，升溫 至1050°C ，恒溫30小時后降溫至836°C ，將沿a軸切割的優(yōu)化好的KSr4B309 籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導入坩堝，浸入液面 下，籽晶以100轉/分的速率旋轉，恒溫0.5小時，快速降溫至845。C，然后 以2'C沃的速率降溫，單方向旋轉時間為5分鐘，其時間間隔為0. 12分鐘， 待晶體生長結束后，使晶體脫離液面，以5(TC/小時速率降至室溫，然后緩 慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為20mmxl0mmxl0mm的透明KSr4B309 晶體。
原料中的K20可以用相應的K0H、 KC1、 K2C03、 KAc或KN03替換； H3B03可用相應量的B203替換，亦可獲得KSr4B309單晶。
實施例2:
以反應式(2)為例但不局限于反應式(2)
K2C03+ B203+ SrO — KSr4B309+ C(Vr合成KSr4B309化合物，具體操 作步驟依據(jù)實施例1進行；
將合成的KSr4B309化合物與助熔劑KF: H3B03 =1:1.5:1.5進行混配， 裝入OlOOmmxioOmm的開口鉑坩堝中，升溫至1100°C，恒溫100小時后 降溫至865°C，將沿b軸切割的(實施例1中籽晶優(yōu)化)優(yōu)化好的KSr4B309 籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導入坩堝，使之與液 面接觸，籽晶以50轉/分的速率旋轉，單方向旋轉時間為l分鐘，其時間間 隔為0. 1分鐘，恒溫1小時，快速降溫至850°C，然后以5'C/天的速率降溫， 待晶體生長結束后，使晶體脫離液面，以30'C/小時速率降至室溫，然后緩 慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為60mmx60mmx20mm的透明KSr4B309 晶體；
按實施2所述方法，原料中的K2C03可以用相應的K20、 KOH、 KC1、 KAc或KN03替換。B203可用相應量的H3B03替換，亦可獲得KSr4B309單晶。
實施例3:
以反應式(4)為例但不局限于(4)
KN03+ H3B03+ Sr(N03)2 4 KSr4B309+ N(VT合成KSr4B309化合物，具
體操作步驟依據(jù)實施例1進行；
將合成的KSr4B309化合物與助熔劑NaF: &803按摩爾比l:3:2進行 混配，裝入O110mmxll0mm的開口鉑坩堝中，升溫至1000°C，恒溫50小 時后降溫至865°C，將沿a軸切割的(實施例1中籽晶優(yōu)化)優(yōu)化好的 KSr4B309籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導入坩堝，
使之與液面接觸，恒溫i小時，快速降溫至845r，然后以rc/天的速率降
溫，待晶體生長結束后，使晶體脫離液面，以25"C/小時速率降至室溫，然 后緩慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為20mmx20mmxl0mm的透明 KSr4B309晶體。
按實施3所述方法，原料中的KN03可以用相應的K2C03、K20、 KOH、 KAc、 KC1替換，H3B03可用相應量的B203替換，亦可獲得1^1"48309單晶。
實施例4:
以反應式(6)為例但不局限于(6)
K2C03+ H3B03+ SrC03 ~> KSr4B309+ C02T+ H20個合成&81"48309化合
物，具體操作步驟依據(jù)實施例1進行； '
將合成的KSr4B309化合物與助熔劑KF: H3B03按摩爾比1:3.5:1進行 混配，裝入①100mmxl00mm的開口鉑坩堝中，升溫至950。C，恒溫48小 時后降溫至852°C，將沿a軸切割的(實施例1中籽晶優(yōu)化)優(yōu)化好的 KSr4B309籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導入坩堝， 使之與液面接觸，籽晶以60轉/分的速率旋轉，單方向旋轉時間為6分鐘， 其時間間隔為0.8分鐘，恒溫2小時，快速降溫至845'C，然后以1.5X:/天 的速率降溫，待晶體生長結束后，使晶體脫離液面，以12。C/小時速率降至 室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為20mmxl5mmxl5mm的透 明KSr4B309晶體。
9按實施4所述方法，原料中的K2C03可以用相應的KN03、K20、 KOH、 KC1替換，H3B03可用相應量的B203替換，亦可獲得KSr4B309單晶。 實施例5:
采用硼酸鉀鍶起始原料按摩爾比直接混合；
制備KSr4B309的混合物，將KOH、 H3B03、 Sr(N03)2和NaF按摩爾比 1:4:4:1同時進行配制，均勻混合后，裝入010Ommx8Omm的開口鉑坩堝中， 升溫至880°C，恒溫20小時后降溫至848°C，將沿b軸切割的(實施例1 中籽晶優(yōu)化)優(yōu)化好的KSr4B309籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部 小孔將籽晶導入坩堝，使之與液面接觸，籽晶以15轉/分的速率旋轉，單方 向旋轉時間為4分鐘，其時間間隔為0.1分鐘，恒溫1小時，快速降溫至 845'C，然后以0.5"C/天的速率降溫，待晶體生長結束后，使晶體脫離液面， 以4(TC/小時速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為 20mmx20mmxl5mm的透明&81"48309晶體。
按實施例5所述方法，原料中的KOH可以用相應的K20 、KN03、KAc、
K2C03、 KC1替換，H3B03可用相應量的B203替換，亦可獲得KSr4B309單 曰
曰曰o
實施例6:
采用硼酸鉀鍶起始原料按摩爾比直接混合；
制備KSr4B309的混合物，將K2C03、 H3B03、 Sr(N03)2和KF按摩爾比 1:2.5:2:1同時進行配制，均勻混合后，裝入0>100mmx80mm的開口鉑坩堝 中，升溫至106(TC，恒溫30小時后降溫至85rC，將沿a軸切割的(實施 例1中籽晶優(yōu)化)優(yōu)化好的KSr4B309籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐 頂部小孔將籽晶導入坩堝，使之與液面接觸，籽晶以25轉/分的速率旋轉， 可逆旋轉時間為10分鐘，其時間間隔為l分鐘，恒溫3小時，快速降溫至 S45'C，然后以lr沃的速率降溫，待晶體生長結束后，使晶體脫離液面， 以8"C/小時速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為 25mmx25mmxl0mm的透明&81"48309晶體。
按實施例6所述方法，原料中的K2C03可以用相應的KOH、K20 、KAc、KN03、KC1替換，硼酸可用相應量的氧化硼替換，亦可獲得KSr4B309單晶。 實施例7:
采用硼酸鉀鍶起始原料按摩爾比直接混合；
制備KSf4B309的混合物，將KN03、 B203、 Sr(N03)2和NaF按摩爾比 1:3:1:1同時進行配制，均勻混合后，裝入①100mmx80mm的開口鉑坩堝中， 升溫至HO(TC，恒溫20小時后降溫至853'C，將沿b軸切割的(實施例1 中籽晶優(yōu)化)優(yōu)化好的KSr4B309籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部 小孔將籽晶導入坩堝，使之與液面接觸，籽晶以80轉/分的速率旋轉，單方 向旋轉時間為8分鐘，其時間間隔為0.5分鐘，恒溫2小時，快速降溫至 S45'C，然后以0.5'C/天的速率降溫，待晶體生長結束后，使晶體脫離液面， 以5(TC/小時速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為 20mmx20mmxl0mm的透明KSr4B309晶體；
按實施例7所述方法，原料中的KN03可以用相應的K2C03、 KOH、 KAc、 K20、 KC1替換，B203可用相應量的H3B03替換，亦可獲得KSr4B309 單晶。
實施例8:
采用硼酸鉀鍶起始原料按摩爾比直接混合；
制備KSr4B309的混合物，將K2C03、 H3B03、 SrC03和NaF按摩爾比 1:2:2:1同時進行配制，均勻混合后，裝入①100mmxl00mm的開口鉑坩堝 中，升溫至108(TC，恒溫80小時后降溫至847。C，將沿a軸切割的(實施 例1中籽晶優(yōu)化)優(yōu)化好的KSr4B309籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐 頂部小孔將籽晶導入坩堝，使之與液面接觸，籽晶以5轉/分的速率旋轉， 可逆旋轉時間為2分鐘，其時間間隔為0.3分鐘，恒溫1.5小時，快速降溫 至845。C，然后以1.2°0/天的速率降溫，待晶體生長結束后，使晶體脫離液 面，以30'C/小時速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可獲得尺寸為 25mmx25mmxl5mm的透明^^1"48309晶體；
按實施例8所述方法，原料中的K2C03可以用相應的KOH、K20、KAc、 KN03、KC1替換，硼酸可用相應量氧化硼的替換，亦可獲得KSf4B309單晶。實施例9:
將實施例1-8所得的KSr4B309晶體按相匹配方向加工一塊尺寸 5mmx5mmxl0mm的倍頻器件，按附圖2所示安置在3的位置上，在室溫 下，用調QNd:YAG激光器的1064nm輸出作光源，觀察到明顯的532nm 倍頻綠光輸出，輸出強度約為同等條件KDP的倍頻效應相當；
圖4所示為，由調Q Nd:YAG激光器1發(fā)出波長為1064nm的紅外光 束經(jīng)全聚透鏡2射入KSr4B309單晶體3，產(chǎn)生波長為532nrn的綠色倍頻光， 出射光束4含有波長為1064nm的紅外光和532nm的綠光，經(jīng)濾波片5濾 去后得到波長為532nm的倍頻光。
實施例10:
將實施例1-8所得的KSr4B309晶體按相匹配方向加工一塊尺寸5mmX 5mmX10mm的光參量振蕩器件，按附圖2所示裝置在3的位置，在室溫 下，用532nm激光泵浦，得到參量振蕩調諧輸出。
1權利要求
1、一種大尺寸非線性光學晶體硼酸鉀鍶，該晶體分子式為KSr4B3O9，屬于正交晶系，分子量為566.01，單胞參數(shù)為a＝10.986(2) id="icf0001" file="A2009101132430002C1.tif" wi="5" he="4" top= "36" left = "142" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>b＝11.929(2) id="icf0002" file="A2009101132430002C2.tif" wi="5" he="4" top= "37" left = "177" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>c＝6.8831(14) id="icf0003" file="A2009101132430002C3.tif" wi="5" he="4" top= "46" left = "51" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>
2、 根據(jù)權利要求1所述的大尺寸非線性光學晶體硼酸鉀鍶的制備方法，其特征在于采用助熔劑法生長晶體，具體操作按下列步驟進行a、 將用高溫固相法制得的硼酸鉀鍶多晶粉末與助熔劑NaF和H3B03 或KF和H3B03按摩爾比1:1-4:1-4混勻放入坩堝，以l-30°C/h的升溫速率 將其加熱至880-1100°C ，得到含KSr4B309與助熔劑的混合熔液，恒溫20-100 小時，再快速冷卻到溫度836 —865°C;b、 將裝在籽晶桿上的硼酸鉀鍶籽晶放入步驟a中的KSr4B309與助熔劑 的混合熔液中，同時以0-100轉/分的旋轉速率旋轉籽晶桿，再以0.1-5°C/ 天的速率緩慢降溫；c、 待單晶生長到接近坩堝內徑尺度后，將晶體提離液面，以5-50°C/ 小時的速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可得到大尺寸硼酸鉀鍶 非線性光學晶體。
3、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于所述步驟a所述硼酸鉀鍶 多晶粉末由同當量比的含鉀、含鍶和含硼化合物的混合物制成。
4、 根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于含鉀的化合物優(yōu)選為K20、 KOH、 KCl、 K2C03、 KAc或KN03，含鍶的化合物優(yōu)選為SrO、 SrCl2、 SrC03 Sr(Ac)2或Sr(N03)2，含硼的化合物優(yōu)選為H3B03或B203 。
5、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于步驟a所述助熔劑中H3B03優(yōu)選為H3B03或B203。
6、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于步驟b中的籽晶為任意方 向固定在籽晶桿上。
7、 根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于步驟b中的籽晶固定在籽 晶桿上的旋轉方向為單向旋轉或可逆旋轉。
8、 根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于所述可逆旋轉中的每個單 方向旋轉時間為1-10分鐘，其時間間隔為0.1-1分鐘。
9、 根據(jù)權利要求1所述的大尺寸非線性光學晶體硼酸鉀鍶作為制備 紫外倍頻發(fā)生器、上或下頻率轉換器或光參量振蕩器的用途。
10、 根據(jù)權利要求9作為制備上或下頻率轉換器、倍頻發(fā)生器或光參 量振蕩器包含至少一束入射電磁輻射通過至少一塊非線性光學晶體后產(chǎn) 生至少一束頻率不同于入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種大尺寸硼酸鉀鍶非線性光學晶體及制備方法和用途，該晶體分子式為KSr₄B₃O₉，屬于正交晶系，分子量為566.01，晶體尺寸為10-60mm×10-60mm×10-60mm，采用將硼酸鉀鍶化合物與助熔劑混勻，加熱，恒溫，再冷卻到飽和溫度得到混合熔液，將籽晶放入混合熔液中，降溫至飽和溫度，得到所需晶體，將晶體提離液面，降至室溫，即可得到大尺寸硼酸鉀鍶非線性光學晶體。該晶體非線性光學效應為約等同于KDP，透光波段220nm至3000nm。該晶體具有操作簡單，成本低，所制晶體尺寸大，生長周期短，包裹體少，激光損傷閾值高，機械性能好，不易碎裂，物化性質穩(wěn)定，不潮解，易加工、保存等優(yōu)點。本發(fā)明的非線性光學晶體在倍頻轉換、光參量振蕩器等非線性光學器件中可以得到廣泛應用。
文檔編號G02F1/35GK101514492SQ20091011324
公開日2009年8月26日 申請日期2009年3月3日 優(yōu)先權日2009年3月3日
發(fā)明者潘世烈, 王永疆 申請人:中國科學院新疆理化技術研究所