專利名稱：背側(cè)相柵掩模及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻，更具體地，涉及一種背側(cè)相柵掩模及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為增加半導(dǎo)體器件集成度的方法，已經(jīng)提出了一種將諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)器件的半導(dǎo)體器件的單元結(jié)構(gòu)從8F2單元布局轉(zhuǎn)換成6F2單元布局的方法。在6F2 單元布局中，有源區(qū)在相對(duì)于彼此垂直的字線和位線的斜線方向延伸，因此允許在有限的 區(qū)域內(nèi)布置更多的晶體管。界定有源區(qū)的圖案是斜圖案，該斜圖案相對(duì)于字線或位線旋轉(zhuǎn) 預(yù)定的角度。 與字線或位線不同，斜圖案不是以直角坐標(biāo)系的形式被引入而是以沿在直角坐標(biāo) 系上旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度的方向延伸的形式被引入。因此，適于直角坐標(biāo)系的修正的照明系統(tǒng)對(duì) 斜圖案無(wú)效。盡管該修正的照明系統(tǒng)諸如雙極照明系統(tǒng)被引入以改善曝光光源的分辨率極 限，但當(dāng)轉(zhuǎn)移的圖案是沿XY直角坐標(biāo)系的X軸方向或者Y軸方向延伸的線和間隔圖案時(shí)， 其能夠獲得期望的效果。 修正的照明系統(tǒng)，諸如具有沿X軸布置的一對(duì)雙極的X軸雙極，改善了沿Y軸方向 延伸的線和間隔圖案的分辨率。然而，當(dāng)X軸雙極照明系統(tǒng)被用于圖案轉(zhuǎn)移相對(duì)于Y軸旋轉(zhuǎn) 預(yù)定角度的斜圖案的曝光工藝時(shí)，雙極的位置角度和斜圖案邊緣的位置角度彼此偏離。因 此，通過(guò)雙極照明來(lái)改善分辨率的效果會(huì)降低一半。而且，因?yàn)樾眻D案不能以沿設(shè)計(jì)方向延 伸的形式被圖案轉(zhuǎn)移而是其延伸方向因雙極照明而向Y軸方向偏移，所以導(dǎo)致圖案缺陷。 也就是說(shuō)，轉(zhuǎn)移到晶片上的斜圖案可以按更小的角度而不是相對(duì)于Y軸的設(shè)計(jì)角度轉(zhuǎn)移。
因此，需要開發(fā)改良的照明系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例旨在提供一種能夠圖案轉(zhuǎn)移斜圖案的掩模及其制造方法，該斜圖 案沿相對(duì)于直角坐標(biāo)系的軸向旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度的方向延伸。 在一個(gè)實(shí)施例中，掩模包括基板；掩模圖案，形成在基板的前側(cè)上，該掩模圖案與 斜圖案的布局相對(duì)應(yīng)，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸；以及 相柵，具有線性形狀且形成在基板的背側(cè)上，該相柵的延伸方向平行于掩模圖案的延伸方 向。 優(yōu)選地，斜圖案對(duì)應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布局。 優(yōu)選地，相柵包括第一相區(qū)和第二相區(qū)，第一相區(qū)和第二相區(qū)交替設(shè)置在基板的 背側(cè)上且之間具有180°的相差，以便導(dǎo)致阻擋入射到基板的曝光光的零級(jí)光且允許初級(jí) 光入射到掩模圖案的相干涉。 優(yōu)選地，第一相區(qū)包括溝槽，該溝槽到基板背側(cè)表面的深度提供180°的相差，并 且第二相區(qū)是基板背側(cè)的由溝槽界定的表面區(qū)域。 優(yōu)選地，包括第一相區(qū)的寬度和第二相區(qū)的寬度的柵節(jié)距大致是圖案節(jié)距的兩倍，該圖案節(jié)距包括每個(gè)掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案的間隔的寬度。 優(yōu)選地，相柵設(shè)置在相對(duì)于設(shè)置掩模圖案的區(qū)域的外側(cè)加寬800到1000 m的區(qū)域中。 在另一個(gè)實(shí)施例中，掩模包括基板；第一區(qū)域，具有形成在基板的前側(cè)上的第一掩 模圖案，第一掩模圖案與斜圖案的布局相對(duì)應(yīng)，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝預(yù)定方向 旋轉(zhuǎn)的方向延伸；第二區(qū)域，具有沿直角坐標(biāo)系的軸向延伸的第二掩模圖案；以及相柵，具 有線性形狀且選擇性地形成在基板的背側(cè)區(qū)域上，其中相柵區(qū)域與第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)且相柵 區(qū)域的延伸方向平行于第一掩模圖案的延伸方向。 在再一個(gè)實(shí)施例中，制造掩模的方法包括在基板的前側(cè)上形成掩模圖案，該掩模 圖案與斜圖案的布局相對(duì)應(yīng)，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸； 以及在基板的背側(cè)上形成具有線性形狀的相柵，該相柵的延伸方向與掩模圖案的延伸方向 平行。 優(yōu)選地，相柵的形成包括在基板的背側(cè)上形成光致抗蝕劑圖案；以及通過(guò)對(duì)基板 的由光致抗蝕劑圖案暴露的背側(cè)實(shí)施選擇性刻蝕而形成溝槽，該溝槽具有提供180°相差 的到基板的背側(cè)表面的深度。 優(yōu)選地，光致抗蝕劑圖案的形成包括在基板背側(cè)上形成抗反射涂層(ARC);在ARC 上涂敷光致抗蝕劑層；制造具有相柵的圖案布局的母掩模；以及利用母掩模選擇性曝光和 顯影光致抗蝕劑層的 一部分。 根據(jù)本發(fā)明，提供一種掩模以及制造這種掩模的方法，所提供的掩模的背側(cè)設(shè)置 有相柵圖案，該相柵圖案提供適于形成在基板的前側(cè)上的掩模圖案的修正照明。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的6F2單元布置中的斜圖案布局； 圖2示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相柵布局； 圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模的結(jié)構(gòu)； 圖4A和4B示出模擬結(jié)果，用于示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模的分辨率改善效 果； 圖5和6示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模結(jié)構(gòu)的第一修改； 圖7示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模結(jié)構(gòu)的第二修改； 圖8到圖12示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模的制造工藝步驟。
具體實(shí)施例方式
為了在6^單元布置結(jié)構(gòu)中圖案轉(zhuǎn)移沿對(duì)XY直角坐標(biāo)系的軸向旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度的 方向延伸的斜圖案，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩模，該掩模設(shè)置有形成在掩模前側(cè)上的多 個(gè)掩模圖案以及形成在掩模背側(cè)上的多個(gè)相柵圖案。相柵圖案引起相移且其延伸方向平行 于斜圖案的延伸方向。 相柵圖案會(huì)引起曝光工藝期間入射到掩模的光離軸入射而超過(guò)曝光裝置的離軸 入射限制，并導(dǎo)致孔徑的最外區(qū)域在曝光中被使用。根據(jù)在掩模前側(cè)上的形成為光屏蔽圖 案的掩模圖案的布局，相柵圖案沿平行于掩模圖案延伸方向的方向延伸形成以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)形式的修正照明，諸如雙極照明。 相柵圖案帶來(lái)這樣的效果雙極的一極的軸沿垂直于掩模圖案延伸方向的方向布 置，從而可以帶來(lái)初級(jí)光(primary light)(或者負(fù)初級(jí)光)入射到掩模圖案邊緣的效果。 因此，對(duì)于斜圖案可以有效地實(shí)現(xiàn)分辨率改善效應(yīng)，從而改善曝光工藝的工藝余量，該分辨 率改善效應(yīng)等效于在直角坐標(biāo)系中沿垂直于線和間隔圖案的X軸布置的雙極的該極的軸 所帶來(lái)的效應(yīng)，該線和間隔圖案沿Y軸延伸。因此，甚至在未引入單獨(dú)的修正照明而是引入 常規(guī)照明的曝光工藝中，也可以精確地圖案轉(zhuǎn)移斜圖案。因此，可以減少開發(fā)適用于斜圖案 的單獨(dú)的修正照明系統(tǒng)的時(shí)間及成本，從而增加半導(dǎo)體制造工藝的生產(chǎn)率。
參考圖1，在DRAM器件的6^單元布置中暴露有源區(qū)域的斜圖案100的布局被設(shè)計(jì) 成線性圖案或者矩形圖案，該線性圖案或者矩形圖案沿相對(duì)于彼此垂直的字線和位線旋轉(zhuǎn) 預(yù)定角度的斜線方向延伸。因?yàn)樽志€和位線平行于XY直角坐標(biāo)系的軸向，所以斜圖案100 沿相對(duì)于X軸或者Y軸傾斜預(yù)定角度的方向延伸。當(dāng)利用曝光裝置圖案轉(zhuǎn)移斜圖案100時(shí)， 在修正的照明系統(tǒng)諸如雙極照明系統(tǒng)中，利用初級(jí)光改善分辨率的效果被降低一半。這是 因?yàn)樾拚恼彰飨到y(tǒng)設(shè)置有沿Y軸方向(或者X軸方向)布置的成對(duì)的極，但是斜圖案IOO 的邊緣不沿X軸方向(或者Y軸方向)延伸，該X軸方向(或者該Y軸方向)垂直于成對(duì) 的極的方向。 為了改善修正的照明系統(tǒng)的分辨率，沿斜線方向延伸的線性形狀的相柵200被設(shè) 計(jì)為如圖2所示。設(shè)置相柵200使得第一相區(qū)201和第二相區(qū)203交替布置。第一相區(qū) 201和第二相區(qū)203被設(shè)置為沿與斜圖案100的方向同向延伸的線性形狀。而且，第一相區(qū) 和第二相區(qū)被設(shè)置為具有180°相差的0°相區(qū)或者180°相區(qū)，使得透過(guò)第一相區(qū)201和 第二相區(qū)203的光產(chǎn)生彼此相干涉以阻擋0級(jí)光且允許初級(jí)光或者負(fù)初級(jí)光從其透過(guò)。
如圖3所示，圖1的斜圖案100的布局和圖2的相柵200的布局分別設(shè)置在諸如 石英的透明基板300的前側(cè)和背側(cè)上。掩模圖案310以鉻(Cr)的光屏蔽圖案或者鉬(Mo) 合金的相移圖案形成在基板300的前側(cè)上。掩模圖案310對(duì)應(yīng)于圖1的斜圖案100的布局 形成。第一相區(qū)321設(shè)置在基板300的背側(cè)上，包括設(shè)置為溝槽的第二相區(qū)323的相柵圖 案320對(duì)應(yīng)于圖2的相柵200的布局形成，該溝槽設(shè)定第一相區(qū)321。 柵節(jié)距Pe包括第一相區(qū)321和第二相區(qū)323的寬度且是圖案節(jié)距&的兩倍，圖案 節(jié)距Pc包括掩模圖案310的寬度和相鄰掩模圖案310的間隔的寬度。盡管這個(gè)節(jié)距倍數(shù) 可以根據(jù)基板300的厚度而改變，但是考慮到曝光所得到的圖像對(duì)比度，將節(jié)距倍數(shù)設(shè)置 為兩倍仍是有效的。形成相柵圖案320的第一相區(qū)321和第二相區(qū)323形成為具有180° 的相差而用于相干涉。從而，形成為溝槽的第二相區(qū)323形成到距表面的深度為導(dǎo)致180° 相差的深度。 此掩模可以通過(guò)設(shè)置在其背側(cè)上的相柵圖案320而為掩模圖案310提供修正的照 明。當(dāng)入射到相柵圖案320的曝光光是常規(guī)照明時(shí)，通過(guò)相柵圖案320的入射光產(chǎn)生相干 涉，從而零級(jí)光被該干涉阻擋而正初級(jí)光或者負(fù)初級(jí)光透過(guò)到達(dá)基板300的內(nèi)部。因此，掩 模圖案310經(jīng)受初級(jí)光(或者負(fù)初級(jí)光)基本向其入射的效應(yīng)。這個(gè)效應(yīng)與引入修正的照 明系統(tǒng)的離軸照明(OAI)的效應(yīng)基本相同。 對(duì)于利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模的曝光工藝，盡管未引入單獨(dú)的修正的照明系 統(tǒng)且僅采用常規(guī)照明但仍可以獲得利用修正照明的改善圖案轉(zhuǎn)移分辨率的效果。從而，因?yàn)榭梢允÷蚤_發(fā)適用于斜圖案(圖1的100)的帶有單獨(dú)孔徑的修正的照明系統(tǒng)的過(guò)程以 及將其安裝到曝光裝置的過(guò)程，所以可以更精確地將各種形式的斜圖案100圖案轉(zhuǎn)移到晶片上。 參考圖4A，利用各種修正的照明系統(tǒng)對(duì)線和間隔圖案進(jìn)行曝光模擬的結(jié)果顯示引 入根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相柵圖案320可以給出與雙極照明系統(tǒng)相似的效果。曝光模擬的第 一結(jié)果401顯示對(duì)比度隨著離焦的增加而急劇降低，其中采用具有位于0. 8倍透鏡半徑位 置處的圓形透光部的圓形照明系統(tǒng)。相比較，曝光模擬的第二結(jié)果403和曝光模擬的第三 結(jié)果405具有相似的形狀且顯示了比第一結(jié)果401更高的對(duì)比度，在第二結(jié)果403中，相柵 圖案320被引入且采用常規(guī)照明系統(tǒng)，在第三結(jié)果405中，成對(duì)的透光部分以極的形式設(shè)置 在從0. 6倍透鏡半徑到0. 8倍透鏡半徑的位置處。 如圖4B所示，這些結(jié)果顯示當(dāng)斜圖案100不是沿XY直角坐標(biāo)系的軸向延伸而是 沿斜線方向411延伸時(shí)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩?？梢杂行У靥峁┡c引入斜線雙極照明系 統(tǒng)410的效果相同的效果，在斜線雙極照明系統(tǒng)410中極412沿垂直于斜圖案100邊緣的 方向設(shè)置。 圖3中示出的掩?？梢栽O(shè)置為具有圖5所示的矩形板形狀的掩模530。參考圖5 和圖6，芯片區(qū)或者相柵區(qū)520被設(shè)定為寬于掩模區(qū)510且在掩模區(qū)510的外部延伸，掩模 圖案(圖3的310)設(shè)置在在芯片區(qū)中，相柵圖案(圖3的320)設(shè)置在相柵區(qū)520中。當(dāng) 從掩模區(qū)510的外部進(jìn)入到掩模區(qū)510的內(nèi)部的雜散光560包括零級(jí)光時(shí)，利用提供自相 柵區(qū)520的初級(jí)光的改善圖案分辨率的效果會(huì)降低一半。也就是說(shuō)，掩模區(qū)510的邊界處 的掩模圖案310的圖案轉(zhuǎn)移分辨率會(huì)因雜散光560而退化。通過(guò)在寬于掩模區(qū)510的區(qū)域 中布置相柵區(qū)520，由雜散光造成的分辨率的部分降低被避免?？紤]到產(chǎn)生能夠靠近掩模區(qū) 510的外部的雜散光的位置以及掩模530的厚度，相柵區(qū)520布置為具有相對(duì)于掩模區(qū)510 加寬800到1000iim的寬度。 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相柵圖案(圖3的320)可以選擇性地設(shè)置在掩模圖案310 隨斜圖案(圖2的200)定位的區(qū)域中。參考圖7，包括對(duì)應(yīng)于斜圖案200的第一掩模圖案 711的第一區(qū)域721和第二區(qū)域723可以設(shè)置成一個(gè)掩模700，第二區(qū)域723具有沿直角坐 標(biāo)系的軸向延伸的為垂直圖案的第二掩模圖案712。相柵圖案721選擇性地設(shè)置在第一區(qū) 域721中。因此，利用修正照明為與斜圖案200相對(duì)應(yīng)的第一掩模圖案711帶來(lái)分辨率改 善。然而，由相柵圖案721帶來(lái)的修正照明的效果被排除在具有第二掩模圖案712的第二 區(qū)域723之外，在第二掩模圖案712中利用修正照明獲得的此效應(yīng)可以使分辨率降低一半 或者引起圖案移動(dòng)。第二掩模圖案712可以包括垂直圖案、水平圖案或者孔圖案。
如圖8所示，為了制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的掩模，掩模圖案810形成在基板 800的前側(cè)上。掩模圖案810的形成包括掩模層沉積、電子束曝光以及選擇刻蝕工藝以與圖 1的斜圖案IOO相對(duì)應(yīng)。 參考圖9，底部抗反射涂層(ARC)形成在形成有掩模圖案810的基板810的背側(cè) 上。ARC 830是可溶解的底部ARC，底部ARC可以被顯影且與光致抗蝕劑840 —起被去除。
由于引入ARC 830，所以改善了與隨后將被涂敷的光致抗蝕劑層的界面性質(zhì)且因 此增強(qiáng)了附著性。當(dāng)光致抗蝕劑840直接涂敷在石英基板800的表面上時(shí)，因?yàn)槭⒑凸庵?抗蝕劑之間的差的界面附著性而會(huì)引起諸如光致抗蝕劑840的部分分離的缺陷。ARC 830可以改善這種界面缺陷。而且，因?yàn)槠毓夤庵驴刮g劑層840時(shí)對(duì)擴(kuò)散反射的抑制，可以實(shí)現(xiàn) 圖案分辨率的改善。 參考圖10，實(shí)施曝光光致抗蝕劑層840的工藝?？梢詫?duì)光致抗蝕劑層實(shí)施利用相 柵(圖2的200)的布局的電子束曝光工藝。然而，這會(huì)花費(fèi)較多的時(shí)間和成本來(lái)實(shí)施在制 造每個(gè)掩模時(shí)的電子束曝光工藝。因此，曝光光致抗蝕劑840的工藝可以作為用于引入母 掩模850的光學(xué)曝光工藝被實(shí)施，在母掩模850中相柵圖案(圖5的320)被設(shè)置為透光區(qū) 域851和光屏蔽區(qū)域852。在掩模制造工藝中制造母掩模850之后，利用安置在步進(jìn)光刻機(jī) 或者曝光裝置中的母掩模850進(jìn)行曝光工藝。這種光學(xué)曝光工藝可以減少制造掩模所需的 時(shí)間和成本。 參考圖ll，被曝光的光致抗蝕劑層(圖10的840)被顯影以形成光致抗蝕劑圖案 841。因?yàn)锳RC是可溶性底部ARC，所以ARC(圖10的830)的因顯影光致抗蝕劑圖案841所 暴露的部分可以通過(guò)顯影液被溶解而被去除。因此，ARC圖案831的顯影和圖案化可以與 光致抗蝕劑圖案841的顯影一起進(jìn)行。 參考圖12，基板800的被光致抗蝕劑圖案841暴露的背側(cè)部分被選擇性刻蝕以形 成溝槽821。溝槽821可以用作第二相區(qū)(圖2的203)，且基板800的由溝槽821界定的 背側(cè)的表面區(qū)域823可以用作第一相區(qū)(圖2的201)。 從以上描述可以顯見，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模設(shè)置有對(duì)該掩模提供修正照明的 相柵圖案(圖3的320)，因此為斜圖案的掩模圖案(圖3的310)提供諸如雙極照明的修正 的照明。因此，可以排除開發(fā)用于單獨(dú)的修正照明的孔徑的工藝且增加光刻工藝的生產(chǎn)率。
盡管針對(duì)特定的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯見的 是，可以在不脫離由所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍的前提下進(jìn)行各種改變和 修改。本發(fā)明要求2008年12月26提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?0-2008-0134826的優(yōu)先權(quán)，
并以參考方式將其整體合并在此。
權(quán)利要求
一種掩模，包括基板；掩模圖案，形成在所述基板的前側(cè)上，所述掩模圖案與斜圖案的布局相對(duì)應(yīng)，所述斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸；以及相柵，具有線性形狀且形成在所述基板的背側(cè)上，所述相柵的延伸方向平行于所述掩模圖案的延伸方向。
2. 如權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述斜圖案對(duì)應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布局。
3. 如權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述相柵包括交替設(shè)置在所述基板的背側(cè)上的第一 相區(qū)和第二相區(qū)，所述第一相區(qū)與所述第二相區(qū)之間具有180°的相差，其中所述第一相區(qū) 和所述第二相區(qū)導(dǎo)致相干涉，所述相干涉阻擋入射到所述基板的曝光光的零級(jí)光且允許初 級(jí)光入射到所述掩模圖案。
4. 如權(quán)利要求3所述的掩模，其中所述第一相區(qū)包括溝槽，所述溝槽到所述基板的背 側(cè)表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相區(qū)是所述基板的背側(cè)的由所述溝槽 界定的表面區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求3所述的掩模，其中包括所述第一相區(qū)的寬度和所述第二相區(qū)的寬度的 柵節(jié)距大致是圖案節(jié)距的兩倍，所述圖案節(jié)距包括每個(gè)掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案的 間隔的寬度。
6. 如權(quán)利要求3所述的掩模，其中所述相柵設(shè)置在相對(duì)于設(shè)置所述掩模圖案的區(qū)域的 外側(cè)加寬800到1000 ii m的區(qū)域中。
7. —種掩模，包括 基板；第一區(qū)域，具有形成在所述基板的前側(cè)上的第一掩模圖案，所述第一掩模圖案與斜圖 案的布局相對(duì)應(yīng)，所述斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸； 第二區(qū)域，具有沿所述直角坐標(biāo)系的軸向延伸的第二掩模圖案；以及 相柵，具有線性形狀且選擇性地形成在所述基板的背側(cè)區(qū)域上，其中所述相柵與所述 第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)且所述相柵的延伸方向平行于所述第一掩模圖案的延伸方向。
8. 如權(quán)利要求7所述的掩模，其中所述斜圖案對(duì)應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布局。
9. 如權(quán)利要求8所述的掩模，其中所述相柵包括交替設(shè)置在所述基板的背側(cè)上的第一 相區(qū)和第二相區(qū)，所述第一相區(qū)和所述第二相區(qū)之間具有180°的相差，其中所述第一相區(qū) 和所述第二相區(qū)導(dǎo)致相干涉，所述相干涉阻擋入射到所述基板的曝光光的零級(jí)光且允許初 級(jí)光入射到所述掩模圖案。
10. 如權(quán)利要求9所述的掩模，其中所述第一相區(qū)包括溝槽，所述溝槽到所述基板的背 側(cè)表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相區(qū)是所述基板的背側(cè)的由所述溝槽 界定的表面區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求9所述的掩模，其中包括所述第一相區(qū)的寬度和所述第二相區(qū)的寬度 的柵節(jié)距大致是圖案節(jié)距的兩倍，所述圖案節(jié)距包括每個(gè)掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案 的間隔的寬度。
12. 如權(quán)利要求9所述的掩模，其中所述相柵設(shè)置在相對(duì)于設(shè)置所述掩模圖案的區(qū)域 的外側(cè)加寬800到1000 ii m的區(qū)域中。
13. —種制造掩模的方法，包括在基板的前側(cè)上形成掩模圖案，所述掩模圖案與斜圖案的布局相對(duì)應(yīng)，所述斜圖案沿 從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸；以及在所述基板的背側(cè)上形成具有線性形狀的相柵，所述相柵的延伸方向與所述掩模圖案 的延伸方向平行。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述相柵的形成包括 在所述基板的背側(cè)上形成光致抗蝕劑圖案；以及通過(guò)對(duì)所述基板的由所述光致抗蝕劑圖案暴露的背側(cè)實(shí)施選擇性刻蝕而形成溝槽，所 述溝槽具有提供180°相差的到所述基板的背側(cè)表面的深度。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述溝槽形成為具有大致是圖案節(jié)距兩倍的節(jié) 距，所述圖案節(jié)距包括每個(gè)掩模圖案的寬度和相鄰掩模圖案的間隔的寬度。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述光致抗蝕劑圖案的形成包括 在所述基板的背側(cè)上形成抗反射涂層； 在所述抗反射涂層上涂敷光致抗蝕劑層； 制造具有所述相柵的圖案布局的母掩模；以及 利用所述母掩模選擇性曝光和顯影所述光致抗蝕劑層的一部分。
17. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述斜圖案對(duì)應(yīng)于6F2單元布置中的有源區(qū)的布
全文摘要
本發(fā)明提供一種背側(cè)相柵掩模及其制造方法。該掩模包括形成在基板前側(cè)上的掩模圖案以及形成在基板背側(cè)上的相柵。掩模圖案對(duì)應(yīng)于斜圖案的布局，該斜圖案沿從直角坐標(biāo)系的軸朝向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的方向延伸。相柵的延伸方向平行于所述掩模圖案的延伸方向。相柵包括交替設(shè)置在基板背側(cè)上的第一相區(qū)和第二相區(qū)，第一相區(qū)和第二相區(qū)之間具有180°的相差。第一相區(qū)和第二相區(qū)導(dǎo)致阻擋入射到基板的曝光光的零級(jí)光且允許初級(jí)光入射到掩模圖案的相干涉。
文檔編號(hào)G03F1/68GK101770162SQ20091016023
公開日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月26日
發(fā)明者南炳虎, 吳宬賢 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司