專(zhuān)利名稱(chēng)：曝光裝置、曝光方法及元件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于透過(guò)液體^J4反曝光的曝光裝置、曝光方法及元件制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體元件或液晶顯示元件，是通過(guò)將形成于掩膜版上的圖案轉(zhuǎn)印于感光 性基板上、即所謂的光刻方法來(lái)制造。此光刻步驟所使用的曝光裝置，具有支 撐掩膜版的掩膜版載臺(tái)與支撐基板的基板載臺(tái)，使掩膜版載臺(tái)與基板載臺(tái) 一邊 逐次移動(dòng)一邊透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)將掩膜版的圖案轉(zhuǎn)印于基板。近年來(lái)，為對(duì)應(yīng) 元件圖案的更高集成化，而期待投影光學(xué)系統(tǒng)具有更高分辨率。投影光學(xué)系統(tǒng) 的分辨率，是所使用的曝光波長(zhǎng)越短、或投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑越大則會(huì)越 提高。因此，曝光裝置所使用的曝光波長(zhǎng)逐年變短，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑 則逐漸增大。又，目前主流的曝光波長(zhǎng)雖為KrF準(zhǔn)分子激光的248nm，但波長(zhǎng)更 短的ArF準(zhǔn)分子激光的193nm也逐漸實(shí)用化。又，進(jìn)行曝光時(shí)，焦深(D0F)也與 分辨率同樣重要。分辨率R及焦深5分別以下式表示。
R-k! 入/NA…(1)
5 = ±k2 入/M2…(2)
此處，人為曝光波長(zhǎng)，NA為投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，k" k2為處理系數(shù)。 從(1)式、(2)式可知，為了提高分辨率R,而縮短曝光波長(zhǎng)入、增大數(shù)值孔徑 NA時(shí)，即會(huì)使焦深5變窄。
若焦深5變得過(guò)窄，即難以使基板表面與投影光學(xué)系統(tǒng)的像面一致，有進(jìn)行曝光動(dòng)作時(shí)焦點(diǎn)裕度不足的顧慮。因此，作為實(shí)質(zhì)上縮短曝光波長(zhǎng)且擴(kuò)大焦
深的方法，例如已有提出一種國(guó)際公開(kāi)第99 /49504號(hào)/i^艮所揭示的液浸法。 此液浸法，是以水或有機(jī)溶劑等液體充滿投影光學(xué)系統(tǒng)下面與基板表面間來(lái)形 成液浸區(qū)域，利用液體中的曝光用光的實(shí)質(zhì)波長(zhǎng)為在空氣中的1/n倍(n為液體 折射率，通常為1.2-1.6左右)這點(diǎn)來(lái)提高分辨率，且能將焦深;改大至n倍。
此外，如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所揭示，是有一種一邊使掩膜版與基板同步移動(dòng) 于掃描方向、 一邊將形成于掩膜版的圖案曝光于基板的掃描型曝光裝置。掃描 型曝光裝置，以提高元件的生產(chǎn)性為目的等而被要求掃描速度更高速。然而， 在使掃描速度更高速時(shí)，即有可能難以將液浸區(qū)域的狀態(tài)維持于所欲狀態(tài)(大小 等)，進(jìn)而導(dǎo)致透過(guò)液體的曝光精度及測(cè)量精度劣化。因此，被要求即使在使掃 描速度更高速時(shí)，也能將液體的液浸區(qū)域維持于所欲狀態(tài)。
例如，當(dāng)無(wú)法將液浸區(qū)域維持于所欲狀態(tài)而在液體中產(chǎn)生氣泡或間隙 (Void)時(shí)，通過(guò)液體的曝光用光即因氣泡或間隙而無(wú)法良好地到達(dá)基板上， 使形成于基板上的圖案產(chǎn)生缺陷等不良情形。又，在一邊進(jìn)行液體的供應(yīng)及回 收、 一邊于基板上一部分局部地形成液浸區(qū)域時(shí)，有可能因掃描速度的高速化 而難以充分回收液浸區(qū)i或的液體。當(dāng)無(wú)法充分回收液體時(shí)，即會(huì)例如因殘留于 基板上的液體氣化而形成附著痕(即所謂水痕，下述中即使液體非水時(shí)也將液 體附著后的情形稱(chēng)為水痕)。水痕有可能會(huì)對(duì)基板上的光致抗蝕劑帶來(lái)影響， 并有可能因該影響導(dǎo)致所生產(chǎn)元件的性能劣化。又，也有可能隨著掃描速度的 更高速而難以將液浸區(qū)域維持于所欲大小。又，也有可能隨著掃描速度的更高 速而導(dǎo)致液浸區(qū)域的液體流出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有鑒于上述情形，其目的在于提供能將液浸區(qū)域維持于所欲狀態(tài)、 良好i也進(jìn)^f于曝光處理的曝光裝置、曝光方法及^f吏用該曝光裝置的元件制造方法。 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采用了對(duì)應(yīng)實(shí)施形態(tài)所示的圖1至圖33的下述構(gòu)成。不過(guò)，附加于M素的包舍括號(hào)的符號(hào)僅是該要素的例示，而并非限定各 要素。
根據(jù)本發(fā)明第1發(fā)明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過(guò)液體(LQ)將曝光用 光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，其特征在于，具備投影光學(xué)系統(tǒng) (PL);以及液浸機(jī)構(gòu)(11， 21等)，供應(yīng)液體(LQ)且回收液體(LQ);液浸機(jī)構(gòu)， 具有與基板(P)表面對(duì)向且相對(duì)基板表面呈傾斜的斜面(2)，液浸機(jī)構(gòu)的液體回 收口 (22)形成于斜面(2)。
根據(jù)本發(fā)明的第1發(fā)明，由于液浸機(jī)構(gòu)的液體回收口形成于與14l表面對(duì) 向的斜面，因此即使使形成于投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域與基板相對(duì)移 動(dòng)時(shí)，也能抑制液浸區(qū)域的液體與其外側(cè)空間的界面(氣液界面)的移動(dòng)量， 且抑制界面形狀的較大變化。因此，能將液浸區(qū)域的狀態(tài)(大小等)維持于所 欲狀態(tài)。又，能抑制液浸區(qū)域的擴(kuò)大。
根據(jù)本發(fā)明第2發(fā)明，提供一種曝光裝置(EX),是透過(guò)液體(LQ)將曝光用 光(EL)照射于基板(P)上，以使基板(P)曝光，其特征在于，具備投影光學(xué)系 統(tǒng)(PL);以及液浸枳i構(gòu)(11, 21等)，供應(yīng)液體(LQ)且回收液體(LQ);液浸機(jī)構(gòu)， 具有形成為與基板(P)表面對(duì)向、且與基板(P)表面大致成平行的平坦部(75); 液浸扭i構(gòu)的平坦部(75),在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)榷嗣?T1)與J4反(P)間配 置成包圍曝光用光(EL)所照射的投影區(qū)域(AR1);液浸機(jī)構(gòu)的液體供應(yīng)口 (12), 相對(duì)曝光用光(EL)所照射的投影區(qū)域(AR1)配置于平坦部(75)外側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的笫2發(fā)明，由于能將形成于基+樣面與平坦部間的小間隙形 成于投影區(qū)域附近、且形成為包圍投影區(qū)域，因此不但能維持覆蓋投影區(qū)域所 需的十分小的液浸區(qū)域，且由于在平坦部外側(cè)設(shè)置液體供應(yīng)口，因此能防止氣 體混入形成液浸區(qū)域的液體中，以液體持續(xù)充滿曝光用光的光路。
才艮據(jù)本發(fā)明第3發(fā)明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過(guò)液體(LQ)將曝光用 光(EL)照射于基板(P),以使基板(P)曝光，其特征在于，具備投影光學(xué)系統(tǒng) (PL);以及液浸機(jī)構(gòu)(11, 21等)，供應(yīng)液體(LQ)且回收液體(LQ);液浸機(jī)構(gòu)，
11具有液體供應(yīng)口(12)，設(shè)于膝光用光(EL)的光路空間外側(cè)的第1位置且供應(yīng) 液體(LQ)，以及導(dǎo)引構(gòu)件(172D),導(dǎo)引液體，使液體供應(yīng)口 (12)所供應(yīng)的液體 (LQ)透過(guò)光路空間流向與光路空間外側(cè)的第l位置相異的第2位置。
根據(jù)本發(fā)明第3發(fā)明，由于從設(shè)于曝光用光光路空間外側(cè)的第1位置的液 體供應(yīng)口所供應(yīng)的液體，是通過(guò)導(dǎo)引構(gòu)件流至與該光路空間外側(cè)的第1位置相 異的第2位置，因此能抑制氣體部分(氣泡)在充滿曝光用光的光路空間的液 體中形成氣體部分(氣泡)的不當(dāng)情形產(chǎn)生，將液體維持于所欲狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明第4發(fā)明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過(guò)液體(LQ)將曝光用 光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，其特征在于，具備光學(xué)系統(tǒng)(PL)， 具有與基板(P)對(duì)向的端面(T1),使照射于基板(P)的曝光用光(EL)通過(guò)；以及 液浸機(jī)構(gòu)(ll， 21等)，是供應(yīng)液體(LQ)且回收液體；該液浸裝置具有板構(gòu)件 (172D)，該板構(gòu)件具有以和基板(P)平行對(duì)向的方式配置于基〖反(P)與光學(xué)系統(tǒng) 端面(T1)之間、且配置成包圍曝光用光(EL)的光路的平坦面(75);從設(shè)于光學(xué) 系統(tǒng)端面(Tl)附近的供應(yīng)口 (12)將液體(LQ)供應(yīng)至光學(xué)系統(tǒng)端面(Tl)與板構(gòu)件 (172D)間的空間(G2)，且從回收口 (22)回收液體，該回收口 (22)是在較該板構(gòu) 件的平坦面(75)更離開(kāi)曝光用光(EL)光路的位置配置成與基板(P)對(duì)向。
根據(jù)本發(fā)明第4發(fā)明的曝光裝置，由于形成于板構(gòu)件的平坦面與基板間的 ;微小間隙形成為包圍曝光用光，且進(jìn)一步于該平坦面外側(cè)配置有液體回收口 ， 因此能在基板上維持所:欲狀態(tài)的穩(wěn)定液浸區(qū)域。又，由于將液體供應(yīng)至板構(gòu)件 與光學(xué)系統(tǒng)的端面間的空間，因此于形成在曝光用光的光路的液浸區(qū)域難以產(chǎn) 生氣泡或間隙(Void)。
又，根據(jù)本發(fā)明第5發(fā)明，提供一種曝光裝置(EX)，是透過(guò)液體(LQ)將曝 光用光(EL)照射于基板(P),以使基板(P)曝光，其特征在于，具備光學(xué)構(gòu)件 (LS1)，具有與液體(P)接觸的端面(T1),并使曝光用光(EL)通過(guò)；以及液浸機(jī) 構(gòu)(ll， 21等)，是供應(yīng)液體(LQ)且回收液體(LQ);該液浸裝置，具有配置成與 基板(P)平行對(duì)向、且包圍曝光用光(EL)的光路的平坦面(75);以及相對(duì)曝光用光(EL)的光路、于平坦面(75)外側(cè)相對(duì)該平坦面傾斜的斜面(2, 2，，)。
根據(jù)本發(fā)明第5發(fā)明的曝光裝置，由于形成于板構(gòu)件的平坦面與基板間的 微小間隙形成為包圍曝光用光，因此能在基板上維持所欲狀態(tài)的穩(wěn)定液浸區(qū)域。 又，由于于該平坦面的外側(cè)形成斜面，因此可抑制液體的擴(kuò)大，防止液體漏出等。
根據(jù)本發(fā)明第6發(fā)明，提供一種曝光方法,是透過(guò)光學(xué)構(gòu)件(LSI)與液體(LQ) 將曝光用光(EL)照射于基板(P),以4^f反(P)曝光，其特征在于是將141(P) 配置成與光學(xué)構(gòu)件(LSI)的端面(Tl)對(duì)向；將液體供應(yīng)至在光學(xué)構(gòu)件端面(Tl)與 基板(P)間配置成包圍曝光用光(EL)的光路的板構(gòu)件(172D)—面、與光學(xué)構(gòu)件端 面(T1)之間的空間(G2)，以液體充滿光學(xué)構(gòu)件端面(T1)與基敗(P)之間的空間、 以及該才反構(gòu)件的另一面與該基板之間；以和該液體的供應(yīng)并4亍的方式乂人配置成 與基板(P)對(duì)向的回收口 (22)回收液體(LQ)，以在基板(P)上的一部分形成液浸 區(qū)域(AR2);透過(guò)于基板上的一部分形成液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)，將曝光用 光照射于該基板，以使基板(P)曝光。
才艮據(jù)本發(fā)明第6發(fā)明的曝光方法，由于形成于板構(gòu)件的平坦面與基板間的 微小間隙形成為包圍曝光用光，因此能在J^反上維持所欲狀態(tài)的穩(wěn)定液浸區(qū)域。 又，由于將液體供應(yīng)至板構(gòu)件與光學(xué)系統(tǒng)的端面間的空間，因此于形成在曝光 用光的光路的液浸區(qū)械^難以產(chǎn)生氣泡或間隙。
根據(jù)本發(fā)明第7發(fā)明，是提供使用上述實(shí)施例的曝光裝置(EX)的元件制造 方法。
根據(jù)本發(fā)明第7發(fā)明，由于即使在使掃描速度高速化時(shí)，也能在將液體的 液浸區(qū)域維持于所欲狀態(tài)的狀態(tài)下，良好地進(jìn)行曝光處理，因此能以高生產(chǎn)效 率制造具有所欲性能的元件。


圖l是顯示本發(fā)明曝光裝置的第1實(shí)施形態(tài)的概略構(gòu)成圖。
13圖2是顯示第1實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的概略立體固。
圖3是從下側(cè)觀察第1實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的立體圖。
圖4是顯示第1實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的側(cè)視截面圖。
圖5是顯示液體回收機(jī)構(gòu)的一實(shí)施形態(tài)的概略構(gòu)成圖。
圖6是用來(lái)說(shuō)明液體回收才幾構(gòu)的液體回收動(dòng)作原理的示意圖。
圖7 (a)及(b)是用來(lái)說(shuō)明第1實(shí)施形態(tài)的液體回收動(dòng)作的示意圖。
圖8 (a)及(b)是顯示液體回收動(dòng)作的比較例的示意圖。
圖9是顯示第2實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的示意圖。
圖IO是顯示第3實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的示意圖。
圖11是顯示第4實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的示意圖。
圖12是/人下側(cè)觀察第5實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的立體圖。
圖13是顯示第6實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的概略立體圖。
圖14是/^下側(cè)觀察第6實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的立體圖。
圖15是顯示第6實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的側(cè)-見(jiàn)截面圖。
圖16是用來(lái)說(shuō)明第6實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件作用的圖。
圖17是從下側(cè)觀察第7實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的立體圖。
圖18是顯示第7實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的側(cè)^L截面圖。
圖19是顯示第8實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的概略立體圖。
圖20是從下側(cè)觀察第8實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件的立體圖。
圖21是顯示第8實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的側(cè)一見(jiàn)截面圖。
圖22是顯示第8實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的側(cè)一見(jiàn)截面圖。
圖23是顯示第8實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。
圖24是顯示第8實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件附近的側(cè)3見(jiàn)截面圖。
圖25是顯示第9實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。
圖26是顯示第10實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。
圖27是顯示第11實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。圖28是顯示第12實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。 圖29是顯示第13實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。 圖30是顯示第14實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯一見(jiàn)圖。 圖31是顯示第15實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。 圖32是顯示第16實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)引構(gòu)件的俯視圖。 圖33是顯示半導(dǎo)體元件一制造工藝?yán)牧鞒虉D。 主要元件符號(hào)說(shuō)明
1 液浸機(jī)構(gòu)
2 斜面
12 液體供應(yīng)口
22 液體回收口
25 多孔構(gòu)件
70， 70， ， 70" 嘴構(gòu)件
71D, 72D 底板部(板狀構(gòu)件)
73A, 74， 74， 開(kāi)口部
75 平坦面(平坦部)
76 壁部 130A 排氣口
135 吸引裝置(吸氣系統(tǒng))
14 OA 液體供應(yīng)口
172D 底板部(構(gòu)件，導(dǎo)引構(gòu)件)
181 第l導(dǎo)引部 181F, 182F 流路
182 第2導(dǎo)引部 AR1 才更影區(qū)域AR2 液浸區(qū)域
AX 光軸
EL 曝光用光
EX 曝光裝置
G2 間隙(空間)
LQ 液體
P 勤反
PL 投影光學(xué)系統(tǒng)
Tl 端面
具體實(shí)施例方式
以下雖然參照?qǐng)D式說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)，但本發(fā)明并不限于此。第1實(shí)施形態(tài)
圖1為顯示本實(shí)施形態(tài)的啄光裝置的概略構(gòu)成圖。圖1中，曝光裝置EX,具有掩膜版載臺(tái)MST,能保持掩膜版M并移動(dòng)；基板載臺(tái)PST，能保持^i^反P并移動(dòng)；照明光學(xué)系統(tǒng)IL，以曝光用光EL照明保持于掩膜版載臺(tái)MST的掩膜版M;投影光學(xué)系統(tǒng)PL,將以曝光用光EL照明的掩膜版M的圖案像投影于保持在基板載臺(tái)PST的基板P;以及控制裝置C0NT，統(tǒng)籌控制曝光裝置EX整體的動(dòng)作。
本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX為一適用液浸法的液浸曝光裝置，其用以在實(shí)質(zhì)上縮短曝光波長(zhǎng)來(lái)提高分辨率且在實(shí)質(zhì)上放大焦深，其具備供應(yīng)液體LQ且回收液體LQ的液浸才;U勾1。液漫機(jī)構(gòu)1,具備將液體LQ供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后w供應(yīng)機(jī)構(gòu)10、以及將液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10所供應(yīng)的液體LQ回收的液體回收積4勾20。曝光裝置EX，至少在將掩膜版M的圖案影像轉(zhuǎn)印于1^反P上的期間，在包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1 (通過(guò)液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10所供應(yīng)的液體LQ所形成)的基板P上一部分，局部地形成較投影區(qū)域AR1大且豐U41 P小的液浸區(qū)域AR2。具體而言，曝光裝置EX，采用一種局部液浸方式，其于投
16影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)元件LSI與配置于該像面?zhèn)鹊幕錚表面間充滿液體LQ，通過(guò)使曝光用光EL透過(guò)此投影光學(xué)系統(tǒng)PL與差4！ P間的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL、并通過(guò)掩膜版M而照射于^i^反P，來(lái)使掩膜版M的圖案影像投影曝光于基板P。控制裝置C0NT，是使用液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)IO供應(yīng)既定量的液體LQ至^i^反P上，且使用液體回收積i構(gòu)20將J^反P上的液體LQ回收既定量，據(jù)此在基板P上局部形成液體LQ的液浸區(qū)域AR2。
于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)雀浇⒕唧w而言是投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)榷瞬康墓鈱W(xué)元件LS1附近，配置有詳述于后的嘴構(gòu)件70。嘴構(gòu)件70為一環(huán)狀構(gòu)件，其在基4反P漆板載臺(tái)PST)上方設(shè)置成包圍投影光學(xué)元件LS1周?chē)１緦?shí)施形態(tài)中，嘴構(gòu)件70為構(gòu)成液浸機(jī)構(gòu)1的一部分。
本實(shí)施形態(tài)是以^使用掃描型曝光裝置(即掃描步進(jìn)機(jī))作為曝光裝置EX的情形為例來(lái)說(shuō)明，該掃描型曝光裝置，是一邊使掩膜版M與MP往掃描方向的彼此互異的方向(反方向)同步移動(dòng)，一邊將形成于掩膜版M的圖案啄光于基—反P。以下說(shuō)明中，將與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX —致的方向設(shè)為Z軸方向、將在垂直于Z軸方向的平面內(nèi)掩膜版M與基板P同步移動(dòng)的方向(掃描方向)設(shè)為X軸方向、將垂直于Z軸方向及X軸方向的方向(非掃描方向)設(shè)為Y軸方向。又，
將繞x軸、Y軸及z軸周?chē)男D(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為ex、 6Y以及ez方向。
曝光裝置EX,具備設(shè)于地面上的底座BP、以及設(shè)于該底座BP上的主柱架9。于主柱架9形成有向內(nèi)側(cè)突出的上側(cè)段部7及下側(cè)段部8。照明光學(xué)系統(tǒng)IL，是以曝光用光EL照明被掩膜版栽臺(tái)MST支撐的掩膜版M，其由固定于主柱架9上部的框架3支撐。
照明光學(xué)系統(tǒng)IL，具有曝光用光源、使)人曝光用光源射出的曝光用光EL的照度均一化的光學(xué)積分器、使來(lái)自光學(xué)積分器的曝光用光EL聚光的聚光透鏡、中繼透鏡系統(tǒng)、將曝光用光EL所形成的掩膜版M上的照明區(qū)域設(shè)定成狹縫狀的可變視野光柵等。掩膜版M上的既定照明區(qū)域，是通過(guò)照明光學(xué)系統(tǒng)IL以均一照度分布的曝光用光EL來(lái)照明。作為從照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL，例如使用從 K銀燈射出的亮線(g線、h線、i線)及KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)，或ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)及&激光(波長(zhǎng)157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實(shí)施形態(tài)是使用ArF準(zhǔn)分子激光。
本實(shí)施形態(tài)中，使用純水來(lái)作為液體。純水不但能使ArF準(zhǔn)分子激光也能透射，例如也能使從水銀燈射出的亮線(g線、h線、i線)及KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)透射。
掩膜版載臺(tái)MST，能保持掩膜版M并移動(dòng)。掩膜版載臺(tái)MST，通過(guò)例如真空吸附(或靜電吸附)方式來(lái)保持掩膜版M。于掩膜版載臺(tái)MST下面，設(shè)有多個(gè)非接觸軸承的空氣軸承(air bearing) 85。掩膜版載臺(tái)MST,通過(guò)空氣軸承85以非接觸方式支撐于掩膜版臺(tái)4上面(導(dǎo)引面)。于掩膜版載臺(tái)MST及掩膜版臺(tái)4的中央部，分別形成有使掩膜版M的圖案像通過(guò)的開(kāi)口部MK1, MK2。掩膜版臺(tái)4透過(guò)防振裝置86支撐于主柱架9的上側(cè)段部7。也即，4^膜版載臺(tái)MST透過(guò)防振裝置86及掩膜版臺(tái)4而支撐于主柱架9 (上側(cè)段部7)。又，通過(guò)防振裝置86,來(lái)將掩膜版臺(tái)4與主柱架9在振動(dòng)上分離，能使主柱架9的振動(dòng)不會(huì)傳達(dá)至支撐掩膜版載臺(tái)MST的掩膜版臺(tái)4。
掩膜版載臺(tái)MST,通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制裝置CONT所控制的包含線性馬達(dá)等的掩膜版載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD,而能在保持掩膜版M的狀態(tài)下，在掩膜版臺(tái)4上與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX垂直的平面內(nèi)、也即XY平面內(nèi)，進(jìn)行2維移動(dòng)及孩乏幅;5走轉(zhuǎn)于6Z方向。掩膜版載臺(tái)MST,能以指定的掃描速度移動(dòng)于X軸方向，并具有掩膜版M全面至少能橫越投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的X軸方向移動(dòng)行程。
于掩膜版載臺(tái)MST上，設(shè)有與掩膜版載臺(tái)MST —起移動(dòng)的移動(dòng)鏡81。又，在與移動(dòng)鏡81對(duì)向的位置設(shè)置激光干涉儀82。掩膜版栽臺(tái)MST上的掩膜版M的
2維方向位置及ez方向的旋轉(zhuǎn)角(視情形不同有時(shí)也包含ex、 e y方向的旋轉(zhuǎn)
角)，是通過(guò)激光干涉儀82以實(shí)時(shí)方式測(cè)量。激光干涉儀82的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT,即根據(jù)激光干涉儀82的測(cè)量結(jié)果來(lái)驅(qū)動(dòng)掩膜版載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD，據(jù)此進(jìn)行保持于掩膜版載臺(tái)MST的掩膜版M的位置控制。
18投影光學(xué)系統(tǒng)PL，以既定的投影倍率P將掩膜版M的圖案投影曝光于1^反P，由多個(gè)光學(xué)元件(包含設(shè)于基々反P側(cè)前端部的光學(xué)元件LS1)構(gòu)成，這些光學(xué)元件以鏡筒PK支撐。本實(shí)施形態(tài)中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL,為投影倍率I3例如為1/4、 1/5或1/8的縮小系統(tǒng)。此外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL也可為等倍系統(tǒng)^i欠大系統(tǒng)的任一者。又，投影光學(xué)系統(tǒng)PL，也可為包含折射元件與^^射元件的反射折射系統(tǒng)、不包含反射元件的折射系統(tǒng)、不包含折射元件的反射系統(tǒng)的任一者。又，本實(shí)施形態(tài)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端部的光學(xué)元件LSI是從鏡筒PK露出，液浸區(qū)域AR2的液體LQ即接觸于該光學(xué)元件LS1。
于保持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒PK外周設(shè)有突緣PF，投影光學(xué)系統(tǒng)PL透過(guò)此突緣PF支撐于鏡筒臺(tái)5。鏡筒臺(tái)5透過(guò)防振裝置87而支撐于主柱架9的下側(cè)段部8。也即，投影光學(xué)系統(tǒng)PL透過(guò)防振裝置87及鏡筒臺(tái)5而支撐于主柱架9 (下側(cè)段部8)。又，通過(guò)防振裝置87，來(lái)將鏡筒臺(tái)5在振動(dòng)上與主柱架9分離，能使主柱架9的振動(dòng)不會(huì)傳達(dá)至支撐投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒臺(tái)5。
基板載臺(tái)PST,能支撐保持基板P的J41保持具PH并移動(dòng)，通過(guò)例如真空吸附方式等來(lái)保持基板P。于基板載臺(tái)PST下面，設(shè)有多個(gè)非接觸軸承的空氣軸承88?；逶耘_(tái)PST，通過(guò)空氣軸承88以非接觸方式支撐于差^反臺(tái)6上面(導(dǎo)引面)。基板臺(tái)6透過(guò)防振裝置89支撐于底座BP上。又，通過(guò)防振裝置89,來(lái)將基板臺(tái)6在振動(dòng)上與主柱架9 M座BP (地板面)分離，能使底座BP (地板面)或主柱架9的振動(dòng)不會(huì)傳達(dá)至支撐基4反載臺(tái)PST的基;^反臺(tái)6。
基板載臺(tái)PST，通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制裝置CONT所控制的包含線性馬達(dá)等的基j反載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD,而能在透過(guò)基板保持具PH在保持基板P的狀態(tài)下，在基板臺(tái)6上的XY平面內(nèi)進(jìn)行2維移動(dòng)及樣i幅旋轉(zhuǎn)于6 Z方向。進(jìn)一步地，基板載臺(tái)PST也可移動(dòng)于Z軸方向、6X方向以及6Y方向。
在J^反載臺(tái)PST上，設(shè)有與14l載臺(tái)PST—起相對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL移動(dòng)的移動(dòng)鏡83。又，在與移動(dòng)鏡83對(duì)向的位置設(shè)有激光干涉儀84。基板載臺(tái)PST上的;i41 P在2維方向的位置及-走轉(zhuǎn)角，是通過(guò)激光干涉儀84以實(shí)時(shí)方式測(cè)量。又，雖然未圖示，但曝光裝置EX具備焦點(diǎn)、調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)，其用以檢測(cè)支撐于基板載臺(tái)PST的基板P的表面位置信息。作為焦點(diǎn)、調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)，可采用從斜方向?qū)z測(cè)光照射于M P表面的斜入射方式、也可采用靜電容量型傳感器的方式等。焦點(diǎn)、調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)，是透過(guò)液體LQ、或在不透過(guò)液體LQ的狀態(tài)下，檢測(cè)出141P表面的Z軸方向的位置信息、以及_&^反P的6 X及6 Y方向的傾斜信息。當(dāng)是在不透過(guò)液體LQ的狀態(tài)下檢測(cè)基板P表面的面信息的聚焦調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)時(shí)，也可是在離開(kāi)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的位置檢測(cè)基板P表面的面信息。在離開(kāi)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的位置檢測(cè)基板P表面的面信息的曝光裝置，例如揭示于美國(guó)專(zhuān)利第6,674,510號(hào)，在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容"J午的范圍內(nèi)，援用該文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本文記載的一部分。
激光干涉儀84的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置CONT。焦點(diǎn)、調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)結(jié)果也輸出至控制裝置CONT。控制裝置C0NT，根據(jù)焦點(diǎn)、調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)結(jié)果驅(qū)動(dòng)J^反載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD，通過(guò)控制_1^反P的焦點(diǎn)位置及傾斜角來(lái)使基板P表面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面一致，且根據(jù)激光干涉儀84的測(cè)量結(jié)果，進(jìn)行基板P的X軸方向及Y軸方向的位置控制。
于J4l載臺(tái)PST上設(shè)有凹部90，用以保持a P的1^反保持具PH即配置于凹部90。又，基板栽臺(tái)PST中除了凹部90以外的上面91,是一與保持于J4！保持具PH的基板P表面大致相同高度(同一面高)的平坦面(平坦部)。又，本實(shí)施形態(tài)中，移動(dòng)鏡83的上面也"^殳置成與差4反載臺(tái)PST的上面91為大致同一面高。
由于將與基板P表面大致同一面高的上面91設(shè)于1^反P周?chē)?，因此即使是?duì)基板P的邊緣區(qū)域進(jìn)行液浸曝光時(shí)，由于在基板P的邊緣部^f立外側(cè)幾乎沒(méi)有段差，因此能將液體LQ保持于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，良好地形成液浸區(qū)域AR1。又，在基板P的邊緣部與設(shè)于該基板P周?chē)钠教姑?上面)91間雖有0. 1 ~ 2mm左右的間隙，但通過(guò)液體LQ的表面張力而使液體LQ幾乎不會(huì)流入該間隙，即使對(duì)基板P的周緣附近進(jìn)行曝光時(shí)，也可通過(guò)上面91將液體LQ保持于投影光學(xué)系統(tǒng)PL下。
液浸機(jī)構(gòu)1的液體供應(yīng);tM勾10,用以將液體LQ供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，其具備能送出液體LQ的液體供應(yīng)部11、以及其一端部連接于液體供應(yīng)部11的供應(yīng)管13。供應(yīng)管13的另一端部連接于嘴構(gòu)件70。本實(shí)施形態(tài)中，液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)IO是供應(yīng)純水，液體供應(yīng)部11具備純水制造裝置、以及調(diào)整所供應(yīng)的液體(純水)LQ溫度的調(diào)溫裝置等。此外，只要能滿足既定水質(zhì)條件，也可不將純水制造裝置設(shè)于曝光裝置EX，而是使用配置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的純水制造裝置(施力裝置)。又，也可不將調(diào)整液體(純水)LQ溫度的調(diào)溫裝置設(shè)于曝光裝置EX，而使用工廠內(nèi)的設(shè)備來(lái)替代。液體供應(yīng)才兒構(gòu)10 (液體供應(yīng)部11)的動(dòng)作是由控制裝置CONT控制。為將液浸區(qū)域AR2形成于基板P上，液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10,是在控制裝置CONT的控制下，將既定量液體LQ供應(yīng)至配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面?zhèn)鹊幕鵡反P上。
又，于供應(yīng)管13途中設(shè)有稱(chēng)為質(zhì)量流量控制器的流量控制器16,其用以控制從液體供應(yīng)部11送至投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面?zhèn)鹊拿恳粏挝粫r(shí)間的液體量。流量控制器16的液體供應(yīng)量的控制，是根據(jù)控制裝置CONT的指令訊號(hào)所進(jìn)行。
液浸機(jī)構(gòu)1的液體回收機(jī)構(gòu)20,用以回收投影光學(xué)系統(tǒng)PL的1象面?zhèn)鹊?、液體LQ，其具備能回收液體LQ的液體回收部21、以及其一端部連接于液體回收部21的回收管23。回收管23的另一端部則連接于嘴構(gòu)件70。液體回收部21，例如具備真空泵等真空系統(tǒng)(吸引裝置)、以及將所回收的液體LQ與氣體分離的氣液分離器、用以收容所回收的液體LQ的槽等。此外，也可不將真空系統(tǒng)、氣液分離器、槽等全部設(shè)于曝光裝置EX，而使用配置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的設(shè)備來(lái)替代其至少一部分。液體回收機(jī)構(gòu)20(液體回收部21)的動(dòng)作是由控制裝置CONT控制。為將液浸區(qū)域AR2形成于基板P上，液體回收機(jī)構(gòu)20，是在控制裝置CONT的控制下，將液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10所供應(yīng)的基板P上的液體LQ回收既定量。
嘴構(gòu)件70是被噴嘴保持具92保持，該噴嘴保持具92連接于主柱架9的下側(cè)段部8。透過(guò)噴嘴保持具92保持嘴構(gòu)件70的主柱架9、與透過(guò)突緣PF支撐
21投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒PK的鏡筒臺(tái)5,透過(guò)防振裝置87在振動(dòng)上分離。據(jù)此， 可防止在嘴構(gòu)件70產(chǎn)生的振動(dòng)傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL。又，透過(guò)噴嘴^f呆持具 92支撐嘴構(gòu)件70的主柱架9、與支撐基板載臺(tái)PST的1^反臺(tái)6，透過(guò)防振裝置 89在振動(dòng)上分離。據(jù)此，可防止在嘴構(gòu)件70產(chǎn)生的振動(dòng)透過(guò)主柱架9及底座 BP而傳達(dá)至基板載臺(tái)PST。又，透過(guò)噴嘴保持具92支撐嘴構(gòu)件70的主柱架9、 與支撐掩膜版載臺(tái)MST的掩膜版臺(tái)4,透過(guò)防振裝置86在振動(dòng)上分離。據(jù)此， 可防止嘴構(gòu)件70產(chǎn)生的振動(dòng)透過(guò)主柱架9傳達(dá)至掩膜版載臺(tái)MST。
其次，參照?qǐng)D2、 3及4說(shuō)明液浸機(jī)構(gòu)1及構(gòu)成該液浸機(jī)構(gòu)1 一部分的嘴構(gòu) 件70。圖2為顯示嘴構(gòu)件70附近的概略立體圖的部分截?cái)鄨D、圖3為從下側(cè)觀 察嘴構(gòu)件70的立體圖、圖4為側(cè)視截面圖。
嘴構(gòu)件70,配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)惹岸瞬康墓鈱W(xué)元件LSI附近， 為一于基板P (J^反載臺(tái)PST)上方配置成包圍投影光學(xué)系統(tǒng)PL周閨的環(huán)狀構(gòu)件。 于嘴構(gòu)件70中央部具有能配置投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件LSI)的孔部70H。在 嘴構(gòu)件70的孔部70H的內(nèi)側(cè)面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元"f牛LSI的側(cè)面間i殳 有間隙。此間隙，是為了在振動(dòng)上分離投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件LS1與嘴構(gòu) 件70所設(shè)置。據(jù)此，可防止在嘴構(gòu)件70產(chǎn)生的振動(dòng)直接傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng) PL (光學(xué)元件LSl)。
此外，嘴構(gòu)件70的孔部70H內(nèi)側(cè)面，對(duì)液體LQ具有撥液性(撥水性)，可 抑制液體滲入投影光學(xué)系統(tǒng)PL側(cè)面與嘴構(gòu)件70內(nèi)側(cè)面的間隙。
于嘴構(gòu)件70下面，形成有用以供應(yīng)液體LQ的液體供應(yīng)口 12、以及用以回 收液體LQ的液體回收口 22。又，于嘴構(gòu)件70內(nèi)部，形成有連接于液體供應(yīng)口 12的供應(yīng)流路14以及連接液體回收口 22的回收流路24。又，于供應(yīng)流路14 連接供應(yīng)管13另一端，于回收流路24連接回收管23另一端。液體供應(yīng)口 12、 供應(yīng)流路14以及供應(yīng)管13是構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的一部分'液體回收口 22、 回收流路24以及回收管23，是構(gòu)成液體回收機(jī)構(gòu)20的一部分。
液體供應(yīng)口 12，是在凈tt板載臺(tái)PST支撐的基板P上方，設(shè)置成與該_1^反P表面對(duì)向。液體供應(yīng)口 12與基板P表面隔著既定距離。液體供應(yīng)口 12,配置 成包圍曝光用光EL所照射的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1。本實(shí)施形態(tài)中， 液體供應(yīng)口12,于嘴構(gòu)件70下面形成為包圍投影區(qū)域AR1的環(huán)形狹縫狀。又， 本實(shí)施形態(tài)中，投影區(qū)域AR1，為設(shè)定成以Y軸方向(非掃描方向)為長(zhǎng)邊方向的矩形。
供應(yīng)流路14，具備其一部分連接于供應(yīng)管13的另一端的緩沖流路部14H; 以及其上端部連接于緩沖流路部14H、下端部連接于液體供應(yīng)口 12的傾斜流路 部14S。傾斜流路部14S具有對(duì)應(yīng)液體供應(yīng)口 12的形狀，其沿XY平面的截面形 成為包圍光學(xué)元件LS1的環(huán)形狹縫狀。傾斜流路部14S,具有與配置于其內(nèi)側(cè)的 光學(xué)元件LSI側(cè)面對(duì)應(yīng)的傾斜角度，從側(cè)視截面視之，形成為當(dāng)其與投影光學(xué) 系統(tǒng)PL的光軸AX的距離越長(zhǎng)則與J4！ P表面的間隔越大。
緩沖流路部14H，以包圍傾斜流路部14S上端部的方式設(shè)置于其外側(cè)，為一 形成為沿XY方向(水平方向)擴(kuò)張的空間部。緩沖流路部14H內(nèi)側(cè)(光軸AX側(cè)) 與傾斜流路部14S上端部連接，其連接部為一彎曲角部17。又，在其連接部(彎 曲角)17附近，具體而言是緩沖流路部14H的內(nèi)側(cè)(光軸AX側(cè))區(qū)域，設(shè)置有形 成為包圍傾斜流路部14S上端部的堤防部15。堤防部15,設(shè)置成從緩沖流路部 14H底面往+ Z方向突出。通過(guò)提防部15，形成較緩沖流路部14H窄的狹窄流路 部14N。
本實(shí)施形態(tài)中，嘴構(gòu)件70，是將第1構(gòu)件71與第2構(gòu)件72組合而形成。 第1、 2構(gòu)件71、 72,例如可通過(guò)鋁、鈦、不銹鋼、杜拉鋁(duralumin)、或至 少含上述中的二者的合金來(lái)形成。
第1構(gòu)件71,具有側(cè)板部71A、其外側(cè)端部連接于側(cè)板部71A上部的既 定位置的頂板部71B、其上端部連接于頂板部7B內(nèi)側(cè)端部的傾神牛板部71C、以 及連接于傾斜板部71C下端部的底板部71D(參照?qǐng)D3),上述各板部彼此4^成 一體。第2構(gòu)件72，具有其外側(cè)端部連接于第1構(gòu)件71上端部的頂板部72B、 其上端部連接于頂板部72B內(nèi)側(cè)端部的傾斜板部72C、以及連接于傾斜板部72C下端部的底板部72D，上述各板部彼此接合成一體。又，以第1構(gòu)件71的頂板 部71B形成緩沖流路部14H的底面、以第2構(gòu)件72的頂板部72B下面形成緩沖 流路部14H的頂面。又，以第1構(gòu)件71的傾斜板部71C上面(朝向光學(xué)元件LSI 的面)形成傾斜流路部14S的底面、以第2構(gòu)件72的傾^f"板部72C下面(與光學(xué) 元件1相反側(cè)的面)形成傾斜流路部14S的頂面。第1構(gòu)件71的傾斜板部71C 及第2構(gòu)件72的傾斜板部72C分別形成為研缽狀。通過(guò)組合上述第1、第2構(gòu) 件71、 72來(lái)形成狹縫狀供應(yīng)流路14。又，緩沖流路部14H外側(cè)，是被第l構(gòu)件 71的側(cè)板部71A上部區(qū)域封閉，第2構(gòu)件72的傾斜板部72C上面是與光學(xué)元件 LSI的側(cè)面^f向。
液體回收口 22，是在支撐于基板載臺(tái)PST的基板P上方，設(shè)置成與該J^ P表面對(duì)向。液體回收口 22與差^反P表面隔著既定距離。液體回收口 22是相對(duì) 投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1，以從液體供應(yīng)口 12離開(kāi)的方式設(shè)置于液體供 應(yīng)口 12外側(cè)，并形成為包圍液體供應(yīng)口 12及投影區(qū)域AR1。具體而言，通過(guò)第 1構(gòu)^牛71的側(cè)板71A、頂板部71B、以及傾刮，板部71C,來(lái)形成向下開(kāi)口的空間 部24,通過(guò)空間部24的前述開(kāi)口部來(lái)形成液體回收口 22，并通過(guò)前述空間部 24形成回收流路24。又，于回收流路(空間部)24的一部分連接有回收管23的 另一端。
于'液體回收口 22配置有覆蓋該液體回收口 22的具多個(gè)孔的多孔構(gòu)件25。 多孔構(gòu)件25是由具多個(gè)孔的網(wǎng)狀(mesh)構(gòu)件構(gòu)成。作為多孔構(gòu)件25，例如能通 過(guò)形成蜂巢形圖案(由大致六角形的多個(gè)孔所構(gòu)成)的網(wǎng)狀構(gòu)件來(lái)構(gòu)成。多孔構(gòu) 件25形成為薄板狀，例如為具有l(wèi)OOjnm左右的厚度。
多孔構(gòu)件25,能通過(guò)對(duì)構(gòu)成多孔構(gòu)件的基材(由不銹鋼(例如SUS316)等構(gòu) 成)的板構(gòu)件施以鑿孔加工來(lái)形成。又，也能于液體回收口 22重疊配置多個(gè)薄 板狀多孔構(gòu)件25。又，也可對(duì)多孔構(gòu)件"施以用來(lái)抑制雜質(zhì)溶于液體LQ的表 面處理、或施以用來(lái)提高親液性的表面處理。作為此種表面處理，是有使氧化 ^洛附著于多孔構(gòu)件25的處理，例如神鋼環(huán)境對(duì)策股4分有限公司的「G0LDEP」處理、或「G0LDEP WHITE」處理。通過(guò)施以此種表面處理，而能防止多孔構(gòu)件25 的雜質(zhì)溶于液體LQ等不良情形產(chǎn)生。又，也可對(duì)嘴構(gòu)件70(第1、第2構(gòu)件71、 72)施以上述表面處理。此外，也可使用雜質(zhì)較不會(huì)溶于液體LQ的材料(鈥等) 來(lái)形成多孔構(gòu)件25。
嘴構(gòu)件70為俯i見(jiàn)四角形狀。如圖3所示，液體回收口 22，是于嘴構(gòu)件70 下面形成為包圍投影區(qū)域A1R及液體供應(yīng)口 12的俯4見(jiàn)才匡狀(r 口 J字形)。又， 于該回收口 22配置有薄+反狀的多孔構(gòu)件25。又，在液體回收口 22 (多孔構(gòu)件25) 與液體供應(yīng)口 12之間，配置有第1構(gòu)件71的底板部71D。液體供應(yīng)口 12，是 在第1構(gòu)件71的底板部71D與第2構(gòu)件72的底板部72D間形成為俯視環(huán)狀的 狹縫。
嘴構(gòu)件70中，底板部71D、 72D的各與基板P對(duì)向的面(下面)，為平行于 XY平面的平坦面。也即，嘴構(gòu)件70所具備的底板部71D、 72D，是具有形成為 與基板載臺(tái)PST所支撐的基片反P表面(XY平面)對(duì)向、且與基板P表面大致平行 的下面。又，本實(shí)施形態(tài)中，底寺反部71D下面與底板部72D下面為大致同一面 高，且與配置于^載臺(tái)PST的MP表面間的間隙為最小的部分。據(jù)此，能 將液體LQ良好地保持在底板部71D、 72D下面與基板P之間，以形成液浸區(qū)域 AR1。以下說(shuō)明中，將形成為與基41P表面對(duì)向、且與差d反P表面(XY平面)大致 平^f亍的底板部71D、 72D下面(平坦部)，適當(dāng)并稱(chēng)為r平坦面75J 。
平坦面75,是配置于嘴構(gòu)件70中最接近基板載臺(tái)PST所支撐的基板P位置 的面。且本實(shí)施形態(tài)中，由于底板部71D下面與底板部72D下面為大致同一面 高，因此雖然將底板部71D下面及底板部72D下面一起當(dāng)作平坦面75，但也可 于配置底板部71D的部分配置多孔構(gòu)件25來(lái)作為液體回收口，此時(shí)，僅有底板 部72D的下面為平坦面75。
多孔構(gòu)件25，具有與支撐于基板載臺(tái)PST的基板P對(duì)向的下面2。又，多 孔構(gòu)件25，是以其下面2對(duì)支撐于基板載臺(tái)PST的基板P表面(也即XY平面) 呈傾4斗的方式i殳于液體回收口 22。也即，設(shè)于液體回收口 22的多孔構(gòu)件25，
25具有與支撐于基板載臺(tái)PST的基板P表面對(duì)向的斜面(下面)2。液體LQ，透過(guò)配 置于液體回收口 22的多孔構(gòu)件25的斜面2而被回收。因此'液體回收口 22形 成于斜面2。換言之，本實(shí)施形態(tài)中，斜面整體發(fā)揮液體回收口 22的功能。又， 液體回收口 22,由于是形成為包圍曝光用光EL所照射的投影區(qū)域ARl,因此配 置于該液體回收口 22的多孔構(gòu)件25的斜面2，形成為包圍投影區(qū)域AR1。
與;S^反P對(duì)向的多孔構(gòu)件25的斜面2形成為，當(dāng)其與投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光 學(xué)元件LSI)的光軸AX的距離越長(zhǎng)則與基板P表面的間隔越大。如圖3所示，本 實(shí)施形態(tài)中，液體回收口 22形成俯^L呈r 口」字形，并組合4枚多孔構(gòu)件25A ~ 25D配置于該液體回收口 22。其中，相對(duì)投影區(qū)域AR1的X軸方向(掃描方向) 分別配置于兩側(cè)的多孔構(gòu)件25A、 25C,配置成其表面與XZ平面正交、且與光軸 AX的距離越長(zhǎng)則與基板P表面的間隔越大。又，相對(duì)投影區(qū)域AR1分別配置于 Y軸方向兩側(cè)的多孔構(gòu)件25B、 25D,配置成其表面與YZ平面正交、且與光軸AX 的距離越長(zhǎng)則與141 P表面的間隔越大。
相對(duì)XY平面的多孔構(gòu)件25的下面2的傾斜角，是在考慮液體LQ的教性或 J^反P表面的液體LQ接觸角等后設(shè)定于3~20度間。此外，本實(shí)施形態(tài)中，該 傾斜角設(shè)定于7度。
連接于第1構(gòu)件71的傾斜板部71C下端部的底板部71D下面與側(cè)板部71A 下端部，設(shè)置成于Z軸方向大致相同位置(高度)。又，多孔構(gòu)件25,是以其斜 面2的內(nèi)緣部與底板部71D下面(平坦面75)為大致同高的方式、且以斜面2的 內(nèi)緣部與底板部71D下面(平坦面75)連續(xù)的方式，安裝于嘴構(gòu)件70的液體回收 口 22。也即，平坦面75是與多孔構(gòu)件25的斜面2連續(xù)地形成。又，多孔構(gòu)件 25配置成，當(dāng)其與光軸AX的距離越長(zhǎng)則與基板P表面的間隔越大。又，于斜面 2 (多孔構(gòu)件25)的外緣部外側(cè)，設(shè)有由側(cè)+反部71A下部的一部分區(qū)域所形成的壁 部76。壁部76是以包圍多孔構(gòu)件25 (斜面2)的方式設(shè)置于其周緣，其相對(duì)投影 區(qū)域AR1設(shè)于液體回收口 22外側(cè)，用以抑制液體LQ的漏出。
形成平坦面75的底板部72D的一部分，是在Z軸方向配置于投影光學(xué)系統(tǒng)
26PL的光學(xué)元件LS1的像面?zhèn)榷嗣鎀l與基板P之間。也即，平坦面75的一部分， 潛入投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件LS1的下面(端面)T1之下。又，在形成平坦面 75的底板部72D的中央部，形成有使曝光用光EL通過(guò)的開(kāi)口部74。開(kāi)口部74, 具有對(duì)應(yīng)投影區(qū)域AR1的形狀,在本實(shí)施形態(tài)中形成為以Y軸方向(非掃描方向) 為長(zhǎng)邊方向的橢圓狀。開(kāi)口部74形成為較投影區(qū)域AR1大，據(jù)此使通過(guò)投影光 學(xué)系統(tǒng)PL的曝光用光EL不會(huì)被底板部72D遮蔽，而能到達(dá)基板P上。也即， 平坦面75的至少一部分，是在不妨礙啄光用光EL的光路的位置，配置成包圍 曝光用光EL的光路、且潛入投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面T1之下。換言之，平坦面 75的至少一部分，是在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的^f象面?zhèn)鹊亩嗣鎀l與基々反P之間配置 成包圍投影區(qū)域AR1。又，底板部72D，是以其下面為平坦面75配置成與基板P 表面對(duì)向，并設(shè)置成不與光學(xué)元件LS1的下面Tl A^P接觸。此外，開(kāi)口部 74的邊緣部74E可是直角狀，或形成為銳角或圓弧狀皆可。
又，平坦面75，配置于投影區(qū)域AR1和配置于液體回收口 22的多3L構(gòu)件 25的斜面2間。液體回收口 22是相對(duì)投影區(qū)域AR1在平坦面75外側(cè)、且配置 成包圍著平坦面75。也即，液體回收口 22，是在較平坦面75更離開(kāi)曝光用光 光路的位置配置成包圍平坦面。又，液體供應(yīng)口 12，也相對(duì)投影區(qū)域AIU配置 于平坦面75外側(cè)。液體供應(yīng)口 12,設(shè)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AM與液 體回收口 22間，用以形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ，是透過(guò)液體供應(yīng)口 12凈皮供 應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1與液體回收口 22間。此外，液體供應(yīng)口 12與液體回收口 22的數(shù)目、位置及形狀，并不限于本實(shí)施形態(tài)所述，只要是能 將液浸區(qū)域AR2維持于所欲狀態(tài)的構(gòu)成即可。例如，液體回收口22也能配置成 不包圍平坦面75。此時(shí)，也能將液體回收口 22,僅設(shè)于嘴構(gòu)件70的下面中相 對(duì)投影區(qū)域AR1的掃描方向(X方向)兩側(cè)的既定區(qū)域、或僅設(shè)于相對(duì)投影區(qū)域 AR1的非掃描方向(Y方向)兩側(cè)的既定區(qū)域。也即，光學(xué)元件LS1的下面Tl，是形成于較平坦面75高的位置(相對(duì)^i^反P為 較遠(yuǎn))。本實(shí)施形態(tài)中，光學(xué)元件LS1的下面Tl與基板P的距離為3腿左右， 而平坦面75與J^反P的距離為l腿左右。又，平坦面75接觸于液浸區(qū)域AR2 的液體LQ，光學(xué)元件LSI的下面Tl也接觸于液浸區(qū)域AR2的液體LQ。也即， 平坦面75及下面Tl，為與液浸區(qū)域AR2的液體LQ接觸的液體接觸面。
投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件LSI的液體接觸面Tl具有親液性(親水性)。 本實(shí)施形態(tài)中，是對(duì)液體接觸面Tl施以親液化處理，通過(guò)該親液化處理使光學(xué) 元件LSI的液體接觸面Tl具親液性。又，也對(duì)平坦面75施以親液化處理而具 有親液性。此外，也可對(duì)平坦面75—部分(例如，底板部71D下面)施以撥液化 處理而使其具有撥液性。當(dāng)然，如上所述，也能以親液性材料形成第1構(gòu)件71 及第2構(gòu)件，來(lái)使平坦面75具親液性。
作為用以使光學(xué)元件LSI的液體接觸面Tl等既定構(gòu)件具親液性的親液化處 理，例如能列舉使MgF2、 A1203、 Si02等親液性材料附著的處理?；蛘?，由于本實(shí) 施形態(tài)的液體LQ是極性較大的水，因此作為親液化處理(親水化處理)，例如能 以酒精等具有OH基的極性較大的分子結(jié)構(gòu)物質(zhì)來(lái)形成薄膜，以賦予親液性(親 水性)。又，通過(guò)以荄石或石英來(lái)形成光學(xué)元件LSI,由于這些螢石或石英與水 的親和性高，因此即使未施以親液化處理，也能得到良好的親液性，而能使液 體LQ與光學(xué)元件LSI的液體4妾觸面Tl大致全面緊貼。
又，作為使平坦面75—部分具有撥液性的撥液化處理，例如可列舉將聚四 氟化乙烯(鐵氟龍(登記商標(biāo)))等氟系列樹(shù)脂材料、丙烯酸系列樹(shù)脂才才料、或硅 系列樹(shù)脂材料等撥液性材料附著等的處理。又，通過(guò)^J4反載臺(tái)PST的上面91 具有撥液性，而能抑制液體LQ在液浸曝光中流出基板P外側(cè)(上面91外側(cè))， 且在液浸曝光后也能圓滑地回收液體LQ，防止有液體LQ殘留于上面91的不良 情形。
為將液體LQ供應(yīng)至基板P上，控制裝置CONT，驅(qū)動(dòng)液體供應(yīng)部11將液體 LQ從液體供應(yīng)部11送出。從液體供應(yīng)部11送出的液體LQ，在流經(jīng)供應(yīng)管13后，即流入嘴構(gòu)件70的供應(yīng)流路14中的緩沖流路部14H。緩沖流路部14H是沿 水平方向擴(kuò)張的空間部，使流入緩沖流路部14H的液體LQ以沿水平方向擴(kuò)張的 方式流動(dòng)。由于在緩沖流路部14H的流路下流側(cè)的內(nèi)側(cè)(光軸AX側(cè))區(qū)域形成有 堤防部15,因此液體LQ會(huì)在擴(kuò)張于緩沖流路部14全區(qū)后，暫時(shí)被儲(chǔ)存于此。 接著，當(dāng)液體LQ在緩沖流路部14H儲(chǔ)存至既定量以上后(液體LQ的液面高于:t是 防部15的高度后)，即透過(guò)狹窄流路部14N流入傾斜流路部14S。流入傾4牛流路 部14S的液體LQ ，即沿傾斜流路部14S流向下方，并透過(guò)液體供應(yīng)口 12供應(yīng)至 配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面?zhèn)鹊幕挤碢上。液體供應(yīng)口 12從基板P上方將液 體LQ供應(yīng)至基板P上。
如此，通過(guò)設(shè)置堤防部15，使從緩沖流路部14H流出的液體LQ,從液體供 應(yīng)口 12 (以包圍投影區(qū)域AR1的方式形成為環(huán)狀)全區(qū)大致均一地供應(yīng)至差^反P 上。也即，若未形成堤防部15(狹窄流路部14N)，流動(dòng)于傾斜流路部14S的液 體LQ的流量，在供應(yīng)管13與緩沖流路部14H的連接部附近的區(qū)域會(huì)較其它的 區(qū)域多，因此在形成為環(huán)狀的液體供應(yīng)口 12各位置，對(duì)基板P上的液體供應(yīng)量 即會(huì)不均一。不過(guò)，由于設(shè)置狹窄流路部14N來(lái)形成緩沖流路部14H，當(dāng)于該緩 沖流路部14H儲(chǔ)存至既定量以上的液體LQ后，才開(kāi)始將液體供應(yīng)至液體供應(yīng)口 12,因此能在使液體供應(yīng)口 12各位置的流量分布或流速分布均一的狀態(tài)下，將 液體LQ供應(yīng)至基板P上。此處，雖然在供應(yīng)流路14的彎曲角部17附近容易在 例如開(kāi)始供應(yīng)時(shí)等殘存氣泡，但通過(guò)縮小此彎曲角部17附近的供應(yīng)流路14來(lái) 形成狹窄流路部14N,而能使流動(dòng)于狹窄流路部14N的液體LQ的流速更高速， 通過(guò)該高速的液體LQ的流動(dòng)，能將氣泡透過(guò)液體供應(yīng)口 12排出至供應(yīng)流路14 外部。接著，通過(guò)在排出氣泡后執(zhí)行液浸曝光動(dòng)作，而能在無(wú)氣泡的狀態(tài)下于 液浸區(qū)域AR2進(jìn)行曝光處理。此外，堤防部15，也可設(shè)置成從緩沖流路部14H 的頂面往-Z方向突出。其重點(diǎn)，是只要將較緩沖流路部14H狹窄的狹窄流路部 14N設(shè)于緩沖流路部14H的流路下游側(cè)即可。
此外，也可將部分:t是防部15作成較低(較高)。通過(guò)預(yù)先于堤防部15設(shè)置
29部分高度相異的區(qū)域，而能防止在開(kāi)始供應(yīng)液體LQ時(shí)氣體(氣泡)殘留于形成液 浸區(qū)域AR2的液體中。又，也能將緩沖流路部14H分割成多條流路，來(lái)對(duì)應(yīng)狹 縫狀液體供應(yīng)口 12的位置供應(yīng)相異量的液體LQ。
又，為回4fcS^反P上的液體LQ,控制裝置C0NT驅(qū)動(dòng)液體回收部21。通過(guò) 驅(qū)動(dòng)具有真空系統(tǒng)的液體回收部21，基板P上的液體LQ,即透過(guò)配置有多孔構(gòu) 件25的液體回收口 22流入回收流路24。當(dāng)回收液浸區(qū)域AR2的液體LQ時(shí)，該 液體LQ接觸于多孔構(gòu)件25的下面(斜面)2。由于液體回收口 22(多孔構(gòu)件25) 是于基板P上方設(shè)置成與141 P對(duì)向，因此是從上方回收141 P上的液體LQ。 流入回收流路24的液體LQ,在流經(jīng)回收管23后被回收至液體回收部21 。
圖5是顯示液體回收部21—例的圖。圖5中，液體回收部21,具備回收 槽26，連接于回收管23的一端部；真空泵(真空系統(tǒng))27，透過(guò)配管27K連接 于回收槽26;排液泵(排水泵)29,透過(guò)配管29K連接于回收槽26;以及液位 傳感器(水位傳感器)28,設(shè)于回收槽26內(nèi)側(cè)?；厥展?3 —端部連接于回收 槽26上部。又，其一端部連接于真空泵27的配管27K的另一端部，連接于回 收槽26上部。又，其一端部連接于排液泵29的配管29K的另一端部，連^妄于 回收槽26下部。通過(guò)驅(qū)動(dòng)真空泵27,而透過(guò)嘴構(gòu)件70的液體回收口 22將液體 LQ回收并收容于回收槽26。通過(guò)驅(qū)動(dòng)排液泵29,來(lái)將收容于回收槽26的液體 LQ透過(guò)配管29K排出至外部。真空泵26及排液泵29的動(dòng)作是被控制裝置C0NT 控制。液位傳感器28測(cè)量收容于回收槽26的液體LQ的液位(水位)，將其計(jì) 測(cè)結(jié)果輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置C0NT,根據(jù)液體傳感器28的輸出，將 排液泵29的吸引力(排水力)調(diào)整成收容于回收槽26的液體LQ的液位(水位) 大致為一定?？刂蒲b置C0NT，由于能將收容于回收槽26的液體LQ的液位(水 位)維持于大致一定，因此能使回收槽26內(nèi)的壓力穩(wěn)定。據(jù)此，能4吏透過(guò)液體 回收口 22的液體LQ回收力(吸引力)穩(wěn)定。此外，于圖5所示的實(shí)施形態(tài)中， 也可設(shè)置排液閥來(lái)替代排液泵29，并根據(jù)液位傳感器28的輸出進(jìn)行排液閥的開(kāi) 閉調(diào)整或排出口的口徑調(diào)整等，以將回收槽26內(nèi)的液體LQ的液位維持于大致一定。
接著，說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的液體回收機(jī)構(gòu)20的回收方法一例。此外，本實(shí)施 形態(tài)是將此回收方法稱(chēng)為起泡點(diǎn)法。液體回收機(jī)構(gòu)20是使用此起泡點(diǎn)法僅從回 收口 22回收液體LQ,據(jù)此能抑制因液體回收引起的振動(dòng)產(chǎn)生。
以下，參照?qǐng)D6的示意圖說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的液體回收機(jī)構(gòu)20的液體回收動(dòng) 作原理。于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收口 22配置有多孔構(gòu)件25。作為多孔構(gòu)件， 例如能使用形成有多數(shù)個(gè)孔的薄板狀網(wǎng)狀構(gòu)件。起泡點(diǎn)法，是在多孔構(gòu)件25濕 潤(rùn)的狀態(tài)下，將多孔構(gòu)件25的上面與下面的壓力差控制成滿足后述既定條件， 據(jù)此來(lái)從多孔構(gòu)件25的孔僅回收液體LQ。作為起泡點(diǎn)法的條件的參數(shù)，可列舉 多孔構(gòu)件25的孔徑、多孔構(gòu)件25與液體LQ的接觸角(親和性)、以及液體回收 部21的吸引力(多孔構(gòu)件25上面的壓力)等。
圖6，是多孔構(gòu)件25的部分截面放大圖，是顯示透過(guò)多孔構(gòu)件25進(jìn)行的液 體回收的具體例。于多孔構(gòu)件25之下配置有基^反P，于多孔構(gòu)件25與基板P間 形成有氣體空間及液體空間。更具體而言，于多孔構(gòu)件25的第1孔25Ha與基 板P間形成有氣體空間，于多孔構(gòu)件25的第2孑L25Hb與基板P間則形成有液 體空間。此種狀況，例如是在液浸區(qū)域AR2的端部產(chǎn)生?；蛘?，于液浸區(qū)域AR2 的液體LQ中形成液體的間隙時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生此種狀況。又，于多孔構(gòu)件25上形 成有形成回收流路24 —部分的流路空間。
圖6中，將多孔構(gòu)件25的第1孔25Ha與基才反P間的空間的壓力(在多孔構(gòu) 件25H下面的壓力)設(shè)為Pa、將多孔構(gòu)件25上的流路空間的壓力(在多孔構(gòu)件 25上面的壓力)設(shè)為Pb、將孔25Ha、25Hb的孔徑(直徑)設(shè)為d、將多孔構(gòu)件25 (孔 25H內(nèi)側(cè))與液體LQ的接觸角設(shè)為6、將液體LQ的表面張力設(shè)為y ，而符合
(4 x Y x cos 6 ) / (Pa - Pb) ...... (1A)
的條件時(shí)，即如圖6所示，即使在多孔構(gòu)件25的第l孔25Ha下側(cè)(J4!P 側(cè))形成有氣體空間，也能防止多孔構(gòu)件2 5下側(cè)空間的氣體透過(guò)孔2 5Ha移動(dòng)(滲 入)至多孔構(gòu)件25的上側(cè)空間。也即，以滿足上述式(1A)的條件的方式，佳j妾觸角6、孔徑d、液體LQ的表面張力Y、以及壓力Pa, Pb達(dá)到最佳化，據(jù)此能 將液體LQ與氣體的界面維持在多孔構(gòu)件25的孔25Ha內(nèi)，抑制氣體從第1孔25Ha 滲入。另一方面，由于在多孔構(gòu)件25的第2孑L 25Hb下側(cè)漆板P側(cè))形成有液 體空間，因此能透過(guò)第2孔25Hb僅回收液體LQ。
此外，上述式(1A)的條件中，為簡(jiǎn)化說(shuō)明而并未考慮多孔構(gòu)件25上的液體 LQ的靜水壓。
又，本實(shí)施形態(tài)中，液體回收機(jī)構(gòu)20，是將多孔構(gòu)件25下的空間的壓力 Pa、孔25H的直徑d、多孔構(gòu)件25(孔25H的內(nèi)側(cè)面)與液體LQ的接觸角6、以 及液體(純水)LQ的表面張力Y設(shè)為一定，來(lái)控制液體回收部21的吸引力，將多 孔構(gòu)件25上的流路空間的壓力調(diào)整成滿足上述式(1A)。不過(guò)，于上述式(1A)中， 由于當(dāng)(Pb-Pb)越大、也即((4x y xcose)/d)越大，越容易將壓力Pb控制 成滿足上述式(U),因此孔25Ha, 25Hb的直徑d、以及多孔構(gòu)件25與液體LQ 的接觸角6最好是盡可能較小。
其次，說(shuō)明使用具上述構(gòu)成的啄光裝置EX來(lái)將掩膜版M的圖案像曝光于基 板P的方法。
控制裝置C0NT,通過(guò)以具有液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10及液體回收機(jī)構(gòu)20的液浸機(jī) 構(gòu)1將既定量的液體LQ供應(yīng)至J^反P上，且將既定量的J4反P上的液體LQ回 收，而在基〖反P上形成液體LQ的液浸區(qū)域AR2。液浸機(jī)構(gòu)1所供應(yīng)的液體LQ, 是于含有投影區(qū)域AR1的基板P上一部分局部形成較投影區(qū)域AR1大且較基板P 小的液浸區(qū)域AR2。
又，控制裝置C0NT,是與液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)IO對(duì)基板P上的液體LQ供應(yīng)并行， 以液體回收片幾構(gòu)20進(jìn)行對(duì)基板P上的液體LQ的回收，且一邊使支撐1^反P的 M載臺(tái)PST移動(dòng)于X軸方向(掃描方向)， 一邊透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基才反 P間的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL將掩膜版M的圖案影像投影曝光于基板P上。
本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX,是使掩膜版M與基斧反P —邊沿X軸方向(掃描方 向)移動(dòng)一邊將掩膜版M的圖案像投影曝光于基4反P,在進(jìn)行掃描曝光時(shí)，是將
32掩膜版M的一部份圖案像透過(guò)液浸區(qū)域AR2的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL而投 影在投影區(qū)域AR1內(nèi)，并4tJ^反P與掩膜版M以速度V沿-X方向(或+ X方向) 的移動(dòng)同步，而相對(duì)投影區(qū)域AR1以速度(3 .V((3為投影倍率)沿+X方向(或-X方向)移動(dòng)。于基板P上設(shè)定有多個(gè)照射區(qū)域，在對(duì)一個(gè)照射區(qū)域的曝光結(jié)束 后，通it^板P的步進(jìn)移動(dòng)使次一照射區(qū)域移動(dòng)至掃描開(kāi)始位置，之后，即以 步進(jìn)掃描方式一邊移動(dòng)基板P —邊依序?qū)Ω髡丈鋮^(qū)域進(jìn)行掃描啄光處理。
本實(shí)施形態(tài)中，多孔構(gòu)件25相對(duì)基板P表面呈傾斜，是一透過(guò)配置于液體 回收口 22的多孔構(gòu)件25的斜面2來(lái)回收液體LQ的構(gòu)成，而液體LQ是透過(guò)包 含斜面2的液體回收口 22被回收。又，平坦面75 (底面部71D的下面)與斜面2 是連續(xù)形成。此時(shí)，當(dāng)從圖7(a)所示的初期狀態(tài)(在平坦面75與基壽反P間形成 有液體LQ的液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)Mt^41 P以既定速度相對(duì)液浸區(qū)域AR2往+ X 方向掃描移動(dòng)既定距離時(shí)，即成為如圖7(b)所示的狀態(tài)。在圖7(b)所示的掃描 移動(dòng)后的既定狀態(tài)中，于液浸區(qū)域AR2的液體LQ即產(chǎn)生沿斜面2而往斜上方移 動(dòng)的成分F1、以及沿水平方向移動(dòng)的成分F2。此時(shí)，液浸區(qū)i或AR2的液體LQ 與其外側(cè)空間的界面(氣液界面)LG形狀是被維持。又，即使基板P相對(duì)液浸區(qū) 域AR2高速移動(dòng)，也能抑制界面LG的形狀大幅變化。
又，斜面2與基板P間的距離大于平坦面75與基板P間的距離。也即，斜 面2與基板P間的空間較平坦面75與差^反P間的空間大。據(jù)此，能縮短在移動(dòng) !^反P后、圖7(a)所示的初期狀態(tài)的界面LG，與圖7(b)所示的在掃描移動(dòng)后的 既定狀態(tài)的界面LG間的距離L。據(jù)此，能抑制液浸區(qū)域AR2的擴(kuò)張，縮小液浸 區(qū)i或AR2的大小。
例j口，如圖8(a)所示，當(dāng)連續(xù)形成平坦面75與配置于液體回^l欠口 22的多 孔構(gòu)件25的下面2'、使多孔構(gòu)件25的下面2'并非相對(duì)基板P呈傾斜而是與基 板P表面呈大致平行時(shí)，換言之，即使包含下面2'的液體回收口 22并無(wú)傾斜的 情形下，佳i板P相對(duì)液浸區(qū)域AR2移動(dòng)時(shí)，仍可維持界面LG的形狀。不過(guò)， 由于下面2'并無(wú)傾斜，因此于液體LQ僅產(chǎn)生沿水平方向移動(dòng)的成分F2,而幾乎未產(chǎn)生往上方移動(dòng)的成分(F1)。此時(shí)，由于界面LG移動(dòng)與基^反P的移動(dòng)量大 致相同的距離，因此在初期狀態(tài)的界面LG'與在掃描移動(dòng)后的既定狀態(tài)的界面 LG間的距離L即成為較大的值，使液浸區(qū)域AR2也隨之增大。如此一來(lái)，為對(duì) 應(yīng)該較大的液浸區(qū)域AR2也必須將嘴構(gòu)件70作得較大，又，為對(duì)應(yīng)液浸區(qū)域AR2 的大小，也須將J4反載臺(tái)PST本身的大小或M載臺(tái)PST的移動(dòng)行程增大，導(dǎo) 致曝光裝置EX整體的巨大化。又，液浸區(qū)域AR2的大型化，是隨著基板P對(duì)液 浸區(qū)域AR2的掃描速度越高速而越為顯著。
又，如圖8(b)所示，在平坦面75與液體回收口 22(多孔構(gòu)件25的下面20 間設(shè)置段差，據(jù)此當(dāng)要將下面2'與^jRP間的距離作成大于平坦面75與J4反P 間的距離時(shí)，換言之，也即要將下面2'與MP間的空間作成大于平坦面75與 J41P間的空間時(shí)，由于在液體LQ產(chǎn)生往上方移動(dòng)的成分F1'，因此能將距離 L設(shè)成較小的值，而可抑制液浸區(qū)域AR2的大型化。此外，由于在平坦面75與 下面2'間設(shè)有段差，且平坦面75與下面2'并未連續(xù)形成，因此界面LG的形狀 較容易潰散。當(dāng)界面LG的形狀潰散時(shí)，即很有可能使氣體進(jìn)入液浸區(qū)域AR2的 液體LQ中而在液體LQ中產(chǎn)生氣泡等不良情形。又，當(dāng)例如在佳基板P沿+ X方 向高速掃描時(shí)有段差存在的話，除了會(huì)使界面LG的形狀潰散以外，也會(huì)使往上 方移動(dòng)的成分Fr變大，使液浸區(qū)域AR2的最靠+ X側(cè)區(qū)域的液體LQ膜厚變薄， 而在該狀態(tài)下佳J^反P移動(dòng)于-X方向(逆向掃描)時(shí)，即很有可能產(chǎn)生液體LQ 散開(kāi)的現(xiàn)象。當(dāng)該散開(kāi)的液體(參照?qǐng)D8(b)中的符號(hào)LQO例如殘存于基板P上 時(shí)，即產(chǎn)生因該液體LQ'氣化而在;l^反P上形成附著痕(所謂水痕)等不良情形。 又，液體LQ很有可能流出至基板P外側(cè)，而產(chǎn)生周邊構(gòu)件及機(jī)器生銹或漏電等 不良情形。又，產(chǎn)生前述不良情形的可能性，會(huì)隨著J41P對(duì)液浸區(qū)域AR2的 掃描速度的高速化而提高。
本實(shí)施形態(tài)中，由于與平坦面75(底板部71D的下面)連續(xù)地形成斜面2, 并將液浸機(jī)構(gòu)1 (液體回收機(jī)構(gòu)20)的回收口 22，形成于與基板P在本國(guó)際申請(qǐng) 案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用該文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本文記栽的一部分表面對(duì)向的斜面2,因此即使是使形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面 側(cè)的液浸區(qū)域AR2與基^反P相對(duì)移動(dòng)時(shí)，也能抑制液浸區(qū)域AR2的液體LQ與其 外側(cè)空間的界面LG的移動(dòng)距離，而維持液浸區(qū)域AR2的形狀(縮小界面LG的形 狀變化)，能將液浸區(qū)域AR2的大小或形狀維持于所欲狀態(tài)。據(jù)此，可防止如在 液體LQ中產(chǎn)生氣泡、未能完全回收液體、或有液體流出等不良情形。據(jù)此，也 寸謀求曝光裝置EX整體的小型化。
又，在高速掃描基板P時(shí)，雖然4艮有可能使液浸區(qū)域AR2的液體LQ流出至 外側(cè)、或液浸區(qū)域AR2的液體LQ飛散至周?chē)瑉f旦由于將壁部76設(shè)于斜面2周 緣，因此可抑制液體LQ的漏出。也即，通過(guò)將壁部76設(shè)于多孔構(gòu)件25周緣， 而可在壁部76內(nèi)側(cè)形成緩沖空間，因此即^f吏是液體LQ到達(dá)壁部76的內(nèi)側(cè)面， 形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ由于會(huì)在壁部76內(nèi)側(cè)的緩沖空間內(nèi)擴(kuò)張，因此能 更確實(shí)地防止液體LQ漏出至壁部76外側(cè)。
又，由于平坦面75的一部分(底板部72D下面)是以包圍投影區(qū)域AR1的方 式配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面Tl下，因此形成于平坦面75 —部分(底板部 72D下面)與基^反P表面間的小間隙，是于投影區(qū)域附近形成為包圍投影區(qū)域。 據(jù)此，即使高速移動(dòng)(掃描)基板P時(shí)，也能抑制氣體混入液浸區(qū)域AR2液體LQ 中或液體LQ流出等不良情形，且能謀求曝光裝置EX整體的小型化。又，由于 將液體供應(yīng)口 12配置于平坦面75的一部分腺板部72D下面)外側(cè)，因此可防 止氣體(氣泡)混入用以形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ中，即使欲^i^反P高速移 動(dòng)時(shí)，也能持續(xù)以液體充滿曝光用光EL的光路。
第2實(shí)施形態(tài)
其次，參照?qǐng)D9說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)。此處，以下說(shuō)明中，對(duì)與上 述實(shí)施形態(tài)相同或相等的構(gòu)成部分賦予相同符號(hào)，筒化或省略其說(shuō)明。上述第1 實(shí)施形態(tài)中，雖通過(guò)將薄板狀多孔構(gòu)件25相對(duì)基板P傾斜安裝而形成斜面2, 但也可如圖9所示，于嘴構(gòu)件70下面設(shè)置與B暴光用光EL的光軸AX的距離越長(zhǎng) 則與基片反P表面間的間隔越大的斜面2"，再將液體回收口 22形成于該斜面2"
35的一部分的既定位置(既定區(qū)域)。又，也可將多孔構(gòu)件25設(shè)于此液體回收口 22。此時(shí)，嘴構(gòu)件70的斜面2"與多孔構(gòu)件25的下面2連續(xù)，且斜面2"與下 面2大致同一面高。通過(guò)上述方式，例如在斜面2"與基d反P間形成液體LQ的 界面LG時(shí)，能維持該界面LG的形狀，防止氣泡于液浸區(qū)域AR2的液體LQ中產(chǎn) 生等不良情形。又，也可縮小液浸區(qū)域AR2的大小。 第3實(shí)施形態(tài)
圖IO為顯示本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的圖。如圖IO所示，可形成為多孔構(gòu) 件25的下面2中、接近光軸AX的第1區(qū)域2A相對(duì)基板P的傾斜角度，大于其 外側(cè)的第2區(qū)域2B相對(duì)基板P的傾斜角度。
第4實(shí)施形態(tài)
圖11為顯示本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的圖。如圖11所示，可形成為多孔構(gòu) 件25的下面2中、接近光軸AX的第1區(qū)域2A相對(duì)基板P的傾斜角度，小于其 外側(cè)的第2區(qū)域2B相對(duì)J41 P的傾斜角度。也即，多孔構(gòu)件25的下面2并不 須為平坦面，也可將多孔構(gòu)件25的下面2設(shè)置成，當(dāng)其與曝光用光EL的光軸 AX的距離越長(zhǎng)則與基板P表面的間隔越大。
第5實(shí)施形態(tài)
圖12是顯示本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的圖。如圖12所示，也可在形成于嘴 構(gòu)件70下面的斜面(多孔構(gòu)件25下面)形成多個(gè)翼片構(gòu)件150。翼片構(gòu)件150 為側(cè)^L呈大致三角形，于圖12的側(cè)-見(jiàn)截面圖中，配置在形成于多孔構(gòu)件25的 下面2與壁部76內(nèi)側(cè)的緩沖空間。又，翼片構(gòu)件150，以其長(zhǎng)邊方向往外側(cè)的 方式呈力文射狀安裝在壁部76內(nèi)側(cè)面。此處，多個(gè)翼片構(gòu)件150彼此離開(kāi)，而在 各翼片構(gòu)件150間形成空間部。如此，通過(guò)以此方式配置多個(gè)翼片構(gòu)件150，由 于能增加在形成于嘴構(gòu)件70下面的斜面(多孔構(gòu)件25下面)的液體接觸面積， 因此可提升嘴構(gòu)件70下面的液體LQ的保持性能。此外，多個(gè)翼片構(gòu)件150也 能以等間隔設(shè)置，或也能以不等間隔設(shè)置。例如，將相對(duì)投影區(qū)域AR1配置于X 軸方向兩側(cè)的翼片構(gòu)件150的間隔，設(shè)定成小于相對(duì)投影區(qū)域AR1配置于Y軸方向兩側(cè)的翼片構(gòu)件150的間隔。此外，翼片構(gòu)件150表面最好是對(duì)液體LQ具 有親液性。又，翼片構(gòu)件150也可通過(guò)對(duì)不銹鋼(例如SUS316)施以「 GOLDEP J 處理或「GOLDEP WHITE」處理來(lái)形成，也可以玻璃(石英)等來(lái)形成。 第6實(shí)施形態(tài)
其次，參照?qǐng)D13、 14、 15及圖16說(shuō)明本發(fā)明的第6實(shí)施形態(tài)。此外，對(duì) 與上述各實(shí)施形態(tài)相同或類(lèi)似的機(jī)構(gòu)及構(gòu)件賦予共通符號(hào)，簡(jiǎn)化或省略其說(shuō)明。 圖13是顯示嘴構(gòu)件70，附近的概略立體圖的部分截面圖、圖14是從下側(cè)觀察 嘴構(gòu)件70'的立體圖、圖15是與YZ平面平行的側(cè)^L截面圖，圖16是與XZ平
面平《亍的側(cè):枧截面圖。
本實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件70',是組合第1構(gòu)件171與第2構(gòu)件172所構(gòu)成， 整體形成為俯—見(jiàn)大致呈圓形。第1構(gòu)件171，具有側(cè)板部171A及4^的傾斜板 部171C,側(cè)板部171A上端部與傾斜板部171C上端部連接。另一方面，第2構(gòu) 件172，具有傾斜板部172C與連接于傾斜板部172C下端部的底板部172D。第1 構(gòu)件171的傾斜板部171C、以及第2構(gòu)件172的傾斜板部172C分別形成研缽狀， 第2構(gòu)件172的傾斜板部172C,配置于第1構(gòu)件171的傾斜板部171C內(nèi)側(cè)。又， 第1構(gòu)件171及第2構(gòu)件172,是被未圖示的支撐機(jī)構(gòu)支撐成第1構(gòu)件171的傾 斜板部171C的內(nèi)側(cè)面171T與第2構(gòu)件172的傾斜板部172C的外側(cè)面172S呈 稍微分離狀態(tài)。又，在第1構(gòu)件171的傾斜板部171C的內(nèi)側(cè)面171T與第2構(gòu) 件172的傾斜板部172C的外側(cè)面172S間，設(shè)有俯視呈圓環(huán)狀的狹縫狀槽部73。 本實(shí)施形態(tài)中，槽部73的狹縫寬度Gl設(shè)定成3咖左右。又，本實(shí)施形態(tài)中， 槽部73形成為相對(duì)XY平面(MP表面)具約45度的傾斜。
光學(xué)元件LSI配置于以第2構(gòu)件172的傾斜板部IMC形成的孔部70H內(nèi)側(cè)， 配置于該孔部70H的光學(xué)元件LSI側(cè)面與第2構(gòu)件172的傾斜板部172C的內(nèi)側(cè) 面172T是對(duì)向。又，該傾斜板部172C的內(nèi)側(cè)面172T對(duì)液體LQ具撥液性(撥 水性)，能抑制液體LQ滲入投影光學(xué)系統(tǒng)PL側(cè)面與傾斜板部172C(嘴構(gòu)件70，) 的內(nèi)煩'J面172T間的間隙。
37第1構(gòu)件171的傾斜板部171C中與gP相對(duì)的下面171R，是一與XY平 面平行的平坦面。又，第2構(gòu)件172的底板部172D中與141P對(duì)向的下面172R， 也是一與XY平面平行的平坦面。又，第1構(gòu)件171的傾斜^反部171C的下面171R、 與第2構(gòu)件172的傾斜板部172C的下面172R為大致同一面高，由這些傾?！?部171C的下面171R、以及底板部172D的下面172R來(lái)形成平坦面75,該平坦 面75與嘴構(gòu)件70，中支撐于基d反載臺(tái)PST的基^反P表面(M載臺(tái)PST上面) 對(duì)向，且是一最接近此基板P表面(基板載臺(tái)PST上面)的面。又，在形成平 坦面75的底板部172D中央部形成有使曝光用光EL通過(guò)的開(kāi)口部74。也即，平 坦面75,形成為包圍投影區(qū)域AR1。
如圖15所示，形成平坦面75的底板部172D的一部分，是在Z軸方向配置 于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件LSI下面Tl與基板P (基板載臺(tái))間。底板部172D， 設(shè)置成不與光學(xué)元件LS1的下面Tl及J^反P(基板載臺(tái)PST)接觸。底板部172D 的上面配置成與光學(xué)元件LS1的下面T1對(duì)向、且大致平行于光學(xué)元件LS1下面， 于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面Tl與底板部172D上面間形成有既定間隙(空間)G2。
于第l構(gòu)件171形成有向下開(kāi)口的空間部24,與上述第1實(shí)施形態(tài)同樣地， 于空間部24的開(kāi)口部形成有液體回收口 22,而使空間部24發(fā)揮回收流路的功 能。又，回收管23的另一端部連4妄于回收流路(空間部)24的一部分。于液體 回收口 22,配置有具有覆蓋此液體回收口 22的多孔的多孔構(gòu)件25。多孔構(gòu)件 25，具有與支撐于差d反載臺(tái)PST的基板P相對(duì)的下面2。與上述第l實(shí)施形態(tài)同 樣地，多孔構(gòu)件25，是以其下面2相對(duì)支撐于基板載臺(tái)PST的基板P表面(也 即XY平面)傾斜的方式設(shè)于液體回收口 22。多孔構(gòu)件25的斜面2形成為，當(dāng) 其與投影光學(xué)系統(tǒng)PL (光學(xué)元件LS1)的光軸AX的距離越長(zhǎng)則與J^反P表面間 的間隔越大。又，如圖15所示，多孔構(gòu)件25,是以其斜面2的內(nèi)緣部與第l構(gòu) 件171的下面171R(平坦面75)為大致同高的方式、且以斜面2內(nèi)緣部與下面 171R(平坦面75)連續(xù)的方式，安裝于嘴構(gòu)件70'的液體回收口 22。
又，如圖14所示，于嘴構(gòu)件70'下面，液體回收口 22,形成為包圍開(kāi)口部74 (投影區(qū)域AR1)、槽部73、以及平坦面75的俯視呈圓環(huán)狀。平坦面75, 配置于使曝光用光EL通過(guò)的開(kāi)口部74 (投影區(qū)域AR1)與配置在液體回收口 22 的多孔構(gòu)件25的斜面2間。液體回收口 22，是相對(duì)開(kāi)口部74 (投影區(qū)域AR1 ) 在平坦面75外側(cè)、且配置成包圍平坦面75。
如第5實(shí)施形態(tài)中所說(shuō)明，于斜面(多孔構(gòu)件25的下面)2呈》文射狀i殳有 多個(gè)翼片構(gòu)件150。翼片構(gòu)件150呈側(cè)一見(jiàn)大致三角形，配置于形成在多孔構(gòu)件 25的下面2及壁部76內(nèi)側(cè)的援沖空間。本實(shí)施形態(tài)中，各翼片構(gòu)件150厚度約 為O.lmm左右，以2度的間隔沿周方向配置多數(shù)個(gè)。
如圖13所示，于第2構(gòu)件172的傾斜板部172C的內(nèi)側(cè)面172T中，相對(duì)招: 影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1的Y軸方向兩側(cè)分別形成有凹部14A。凹部14A 是沿傾斜板部172C的傾斜方向形成，其在與光學(xué)元件LSI的側(cè)面間形成既定間 隙G3 (參照?qǐng)D15 )。又，通過(guò)形成于凹部14A與光學(xué)元4牛LSI間的間隙G3，而 于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬捎靡怨?yīng)液體LQ的供應(yīng)流路14。供應(yīng)流路14 的上端部透過(guò)未圖示的供應(yīng)管(供應(yīng)流路)連接于液體供應(yīng)部11,下端部則連 接于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面T1與底板部172D間的間隙(空間)G2，于其下端 形成有將液體LQ供應(yīng)至間隙G2的液體供應(yīng)口 l2。又，液浸機(jī)構(gòu)1，透過(guò)設(shè)于 流路14下端部的液體供應(yīng)口 12，將從液體供應(yīng)部11送出的液體LQ供應(yīng)至投影 光學(xué)系統(tǒng)PL與底板部17 2D間的間隙G2 。本實(shí)施形態(tài)中，供應(yīng)流路14形成為相 對(duì)XY平面(基板P表面)具有約45度的傾斜。
此外，也可于底板部172D上面設(shè)置凹凸，來(lái)控制在底板部172D上面的液 體流向或液體流速。例如，為決定從液體供應(yīng)口 12供應(yīng)至底板部172D的上面 172A的液體LQ流向，也可將翼片狀構(gòu)件配置于液體供應(yīng)口 12,或于底板部172D 的上面172A設(shè)置翼片狀突起部。此時(shí)，為了能在不殘留氣體部分的狀態(tài)下以液 體連續(xù)充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊墓饴房臻g，最好是根據(jù)實(shí)驗(yàn)或模擬的結(jié) 果來(lái)使液體LQ流向及液體LQ的流速達(dá)到最佳化。又，在從投影光學(xué)系統(tǒng)PL的 i象面?zhèn)瓤臻g大致全部回收液體LQ、而形成非液浸狀態(tài)時(shí)，為了不使液體LQ殘留于光學(xué)元件LSI的端面Tl等，最好是根據(jù)實(shí)驗(yàn)或模擬的結(jié)果來(lái)使液體LQ流向 及液體LQ的流速達(dá)到最佳化?；蛘?，為了不使含有vyvi^反P (感光性樹(shù)脂等) 溶出的物質(zhì)的液體滯留最好是根據(jù)實(shí)驗(yàn)或模擬的結(jié)果來(lái)《吏液體LQ流向及液體LQ 的流速達(dá)到最佳化。
再者，于第2構(gòu)件172中相對(duì)投影區(qū)域AR1的X軸方向兩側(cè)，分別形成有 沿傾斜方向貫通第2構(gòu)件172的傾斜板部172C內(nèi)部的狹縫狀貫通孔130。形成 于貫通孔130的下端部130A的開(kāi)口 ，連接于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面Tl與底板 部172D間的間隙(空間)G2，上端部130B則向開(kāi)放至大氣。能/人下端部130A 的開(kāi)口沿底板部172D的上面172A、也即沿平行于tt的方向送出液體。
第1構(gòu)件171與第2構(gòu)件172間的槽部73,配置于曝光用光EL所照射的投 影區(qū)域AR1與液體回收口 22的斜面2間，形成為包圍開(kāi)口部74(凈殳影區(qū)域AR1 )。 進(jìn)一步地，槽部73也形成為包圍構(gòu)成平坦面75—部分的下面172R。換言之， 于構(gòu)成平坦面75 —部分的下面172R外側(cè)配置有槽部73。該槽部73，具有配置 成與^I4反載臺(tái)PST上面(支撐于^S^反載臺(tái)PST的J41P)對(duì)向的開(kāi)口部73A。也 即，槽部73是向下側(cè)開(kāi)口。開(kāi)口部73A設(shè)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面附近，槽 部73,于其內(nèi)部透過(guò)開(kāi)口部73A與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面周?chē)臍怏w流通。
又，槽部73，除了與基板P (基板載臺(tái)PST)對(duì)向的開(kāi)口部73A外，也具有 用來(lái)向大氣開(kāi)放的開(kāi)口部73B。本實(shí)施形態(tài)中，槽部73,于其上端部具有用來(lái) 向大氣開(kāi)放的開(kāi)口部73B。此外，雖然開(kāi)口部73B沿槽部73上端部形成為俯一見(jiàn) 呈圓環(huán)形，但也可僅形成于槽部73上端部的一部分。又，用來(lái)使槽部73的內(nèi) 部與外部流通的流通路并不限于槽部73的上端部，也可設(shè)于任意位置。例如， 可于第1構(gòu)件171—部分形成用來(lái)使槽部73內(nèi)部的Z軸方向中間位置(既定位 置)與槽部73外部流通的流路，透過(guò)該流路使槽部73向大氣開(kāi)放。
如此，由于形成具有與基板P (基板載臺(tái)PST)對(duì)向的開(kāi)口部73A及用來(lái)向 大氣開(kāi)it的開(kāi)口部73B的槽部73，因此嘴構(gòu)件70，與基板P (基^反載臺(tái)PST) 間的液體LQ —部分即可出入于槽部73內(nèi)部。據(jù)此，即使嘴構(gòu)件70，的大小(直
40徑)較小，仍能抑制液體LQ向液體回收口 22外側(cè)流出。
又，如圖15所示，于第1構(gòu)件171 —部分形成有用來(lái)使槽部73的內(nèi)部與 外部流通的流通路131,于該流通路131連4姿有包含真空系統(tǒng)的吸引裝置132。 流通路131及吸引裝置132，是使用于在完全回收嘴構(gòu)件70，與14^P(^i^反載 臺(tái)PST)間的液體LQ、也即完全回收形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ時(shí)，透過(guò)槽部 73來(lái)回收該液體LQ。
其次，說(shuō)明設(shè)有具上述構(gòu)造的嘴構(gòu)件70，的液浸機(jī)構(gòu)l動(dòng)作。為將液體LQ 供應(yīng)至基f反P上，控制裝置CONT,即驅(qū)動(dòng)液體供應(yīng)部11來(lái)從液體供應(yīng)部11送 出液體LQ。從液體供應(yīng)部11送出的液體LQ在流經(jīng)供應(yīng)管后，即流入嘴構(gòu)^f牛70， 的供應(yīng)流路14上端部。流入供應(yīng)流路14上端部的液體LQ ，即沿傾斜板部17 2 C 的傾斜方向流向下方，而從液體供應(yīng)口 12供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面Tl與 底板部172D間的空間G2。此處，在將液體LQ供應(yīng)至空間G2前存在于空間G2 的氣體部分，是透過(guò)貫通孔130或開(kāi)口部74排出至外部。據(jù)此，能防止在開(kāi)始 對(duì)空間G2供應(yīng)液體LQ時(shí)氣體會(huì)留在空間G2的不良情形，并防止氣體部分(氣 泡)產(chǎn)生于液體LQ中的不良情形。
供應(yīng)至空間G2的液體LQ在充滿空間G2后，即透過(guò)開(kāi)口部74流入平i旦面 75與差^反P (差d反栽臺(tái)PST)間的空間。此時(shí)，由于液體回收機(jī)構(gòu)20以每一單 位時(shí)間將基板P上的液體LQ回收既定量，因此由透過(guò)開(kāi)口部74流入平坦面75 與基板P (基板載臺(tái)PST)間的空間的液體LQ,而于基板P上形成所欲大小的液 浸區(qū)i或AR2。
此外，本實(shí)施形態(tài)中，由于縮小膝光用光EL通過(guò)的開(kāi)口部74而使平坦面 75的大小較大，因此能在基板P (基板載臺(tái)PST)與嘴構(gòu)件70，間良好地J呆持 液體LQ。
在對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光期間等形成液浸區(qū)域AR2的期間內(nèi)，連接于槽部 73的流通路131關(guān)閉且停止吸引裝置132的驅(qū)動(dòng)。據(jù)此，即使在僅^^反(基斧反 載臺(tái)PST)相對(duì)液浸區(qū)域AR2(形成為包覆投影區(qū)域AR1)進(jìn)行移動(dòng)時(shí)，液浸區(qū)域AR2的液體LQ —部分仍能出入于向大氣開(kāi)放的槽部7 3,而能防止液浸區(qū)域AR2 擴(kuò)大、或液浸區(qū)域AR2的液體LQ流出等不良情形。也即，例如圖16所示，通 過(guò)^^1 P往+ X方向移動(dòng)，而使液浸區(qū)域AR2的液體LQ也隨基板P的移動(dòng)而 往+ X方向移動(dòng)。此時(shí)，有可能會(huì)因液體LQ往+ X方向移動(dòng)而使液浸區(qū)域AR2 往+ X方向擴(kuò)大或液浸區(qū)域AR2的液體LQ流出液體回收口 22外側(cè)。然而，由于 該往+ X方向移動(dòng)的液體LQ的一部分進(jìn)入+ X側(cè)的槽部73(參照?qǐng)D16中的箭頭 F3)，因此可抑制液浸區(qū)域AR2擴(kuò)大或液體LQ流出等。
又，當(dāng)在基板P的液浸曝光結(jié)束時(shí)等將嘴構(gòu)件70'與基板P(基板載臺(tái)PST) 間的液體LQ完全回收時(shí)，控制裝置CONT除了停止液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng) 動(dòng)作、并透過(guò)液體回收機(jī)構(gòu)20的液體回收口 22進(jìn)行液體回收動(dòng)作以外，且同 時(shí)開(kāi)啟連接于槽部73的流通路131，驅(qū)動(dòng)吸引裝置132使槽部73的內(nèi)部空間成 為負(fù)壓，而進(jìn)行透過(guò)槽部73的開(kāi)口部73A的液體回收動(dòng)作。如此，通過(guò)也^f吏用 最接近^i^反P (基板載臺(tái)PST)的開(kāi)口部73A，而能以更短時(shí)間確實(shí)地回收嘴構(gòu) 件70，與基d反P (_14反載臺(tái)PST)間的液體LQ。此時(shí)，由于用來(lái)向大氣開(kāi)力文的 開(kāi)口部73B較發(fā)揮液體LQ回收口功能的開(kāi)口部73A的尺寸小，因此可使槽部73 達(dá)到足夠的負(fù)壓來(lái)回收液體LQ。
又，在透過(guò)槽部73回收液體LQ時(shí)，雖然有可能因槽部73的氣體與液體LQ 一起流入流通路131而在嘴構(gòu)件70'產(chǎn)生振動(dòng)，但由于透過(guò)槽部73進(jìn)行的液體 LQ的回收，不是在進(jìn)行須要求基板P的曝光動(dòng)作等精度時(shí)執(zhí)行，因此不會(huì)產(chǎn)生 問(wèn)題。
此外，本實(shí)施形態(tài)中，雖然用以形成供應(yīng)流路14的凹部14A，是相對(duì)投影 區(qū)域AR1于Y軸方向兩側(cè)分別各設(shè)一個(gè)(合計(jì)二個(gè))，但也能在任意多數(shù)處設(shè) 置成包圍曝光用光EL所照射的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1。又，也可于凹 部14A上端部附近設(shè)置如第1實(shí)施形態(tài)中說(shuō)明的堤防部15 (緩沖流路部14H )。
第7實(shí)施形態(tài)
其次，參照?qǐng)D17及18說(shuō)明本發(fā)明的第7實(shí)施形態(tài)。此外，本實(shí)施形態(tài)中，與上述各實(shí)施形態(tài)同樣或類(lèi)似的機(jī)構(gòu)及構(gòu)件賦予共通符號(hào)，省略詳細(xì)說(shuō)明。圖
17是從下側(cè)觀察嘴構(gòu)件70，的立體圖，圖18是側(cè)-見(jiàn)截面圖。于圖17及18中 異于上述第6實(shí)施形態(tài)之處，是第2構(gòu)件172的底板部172D的大小較小，且底 板部172D大部分并未配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面Tl與基板P(基板載臺(tái)PST ) 間。也即，形成于底板部172D的開(kāi)口部74，是大致與投影光學(xué)系統(tǒng)PL (光學(xué) 元件LS1)的下面T1相同大小、且形成為大投影區(qū)域AR1很多的大致圓形。又， 光學(xué)元件LS1的下面Tl大部分是以與基板P (基長(zhǎng)載臺(tái)PST)對(duì)向的方式露出。 乂人液體供應(yīng)部11送出的液體LQ,透過(guò)形成于光學(xué)元件LSI側(cè)面與凹部14A間的 供應(yīng)流路14,供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面Tl與基板P (J^反載臺(tái)PST )間的 空間。本實(shí)施形態(tài)中，雖然平坦面75的面積變得較小，但與第6實(shí)施形態(tài)相較， 由于第2構(gòu)件172與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件LS1間幾乎毫無(wú)空間，使易滯 留氣體的部分變得較少，因此可更確實(shí)地防止在開(kāi)始供應(yīng)液體LQ開(kāi)始時(shí)，氣體 部分(氣泡)產(chǎn)生在形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ中的不良情形。
此外，上述第6實(shí)施形態(tài)及第7實(shí)施形態(tài)中，雖為簡(jiǎn)化說(shuō)明，而敘述嘴構(gòu) 件70，是以第1構(gòu)件171及第2構(gòu)件172的組合所構(gòu)成，但實(shí)際上尚組合有其 它數(shù)個(gè)構(gòu)件所構(gòu)成。當(dāng)然，也可以一個(gè)構(gòu)件來(lái)構(gòu)成嘴構(gòu)4牛70，。
又，上述第6實(shí)施形態(tài)及第7實(shí)施形態(tài)中，雖在開(kāi)始供應(yīng)液體LQ時(shí)是使用 貫通孔130排出空間G2的氣體，但也可將貫通孔130連接于吸引裝置(真空系 統(tǒng))，在開(kāi)始供應(yīng)液體LQ時(shí)強(qiáng)制排出空間G2的氣體。
又，上述第6實(shí)施形態(tài)及第7實(shí)施形態(tài)中，底板部172D的開(kāi)口部74，并不 限于圖U或圖17所示的形狀，也可設(shè)定成在氣體不殘留的狀態(tài)下，即使基板P (基板載臺(tái)PST )移動(dòng)仍可以液體LQ連續(xù)充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊墓饴?空間。
又，上述笫6實(shí)施形態(tài)及第7實(shí)施形態(tài)中，在完全回收嘴構(gòu)件70，與基+反 P (基板載臺(tái)PST)間(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊墓饴房臻g)的液體LQ時(shí)， 除了進(jìn)^f亍使用了液體回收口 22或開(kāi)口部73A的液體回收動(dòng)作外，也可加上從液體供應(yīng)口 12吹出氣體的動(dòng)作。由于從液體供應(yīng)口 12吹出的氣體是吹于投影光 學(xué)系統(tǒng)PL前端部的光學(xué)元件LSI的下面Tl,因此可除去附著(殘留)于光學(xué)元 件LSI的下面Tl的液體LQ。從液體供應(yīng)口 12吹出的氣體，能沿下面Tl流動(dòng)， 使附著于光學(xué)元件LSl的下面Tl中曝光用光EL所通過(guò)區(qū)域(也即與光學(xué)元件LSl 的下面Tl的投影區(qū)域AR1對(duì)應(yīng)的區(qū)iiO的液體(液滴)往該區(qū)域外側(cè)移動(dòng)(后 退)。據(jù)此，除去附著于光學(xué)元件LS1的下面Tl中曝光用光EL所通過(guò)區(qū)域的 液體LQ。此外，也可通過(guò)以所噴吹的氣體使附著于光學(xué)元件LS1的下面Tl的液 體LQ氣化(干燥)來(lái)加以除去。從液體供應(yīng)口 12透過(guò)包含化學(xué)過(guò)濾器、粒子 除去過(guò)濾器的過(guò)濾裝置(未圖示)吹出清凈氣體。又，使用大致與收容有曝光 裝置EX的室內(nèi)部的氣體大致相同的氣體、例如空氣(干燥空氣)來(lái)作為氣體。 此外，也可使用氮?dú)?千燥氮?dú)?來(lái)作為吹出的氣體。
又，在完全回收液體LQ時(shí)，也可在用以將存在于空間G2的氣體排出至外 部的貫通孔13G等連接真空系統(tǒng)，并從形成于貫通孔130的下端部130A的開(kāi)口 吸引并回收液體LQ。
又，也可在用以將存在于空間G2的氣體排出至外部的貫通孔130等連接氣 體供應(yīng)系統(tǒng)，并透過(guò)該貫通孔130吹出氣體。
此外，第6實(shí)施形態(tài)及第7實(shí)施形態(tài)中，也可將液體供應(yīng)口 12相對(duì)投影區(qū) 域AR1分別配置于X軸方向兩側(cè)，并從掃描方向兩側(cè)供應(yīng)液體LQ。此時(shí)，貫通 孔130的下端部130A，例如是設(shè)在相對(duì)投影區(qū)域AR1在Y軸方向兩側(cè)等、與液 體供應(yīng)口 12不同的位置。
又，第6及第7實(shí)施形態(tài)中，雖通過(guò)傾斜板部172C的凹部14A與光學(xué)元件 LS1側(cè)面間的間隙G3來(lái)形成供應(yīng)流路14 ，而使該供應(yīng)流路14下端部發(fā)揮液體 供應(yīng)口 12的功能，但也可連接貫通孔130的上端部130B與液體供應(yīng)部11而使 貫通孔130發(fā)揮供應(yīng)流路的功能，且使貫通孔130的下端部130A發(fā)揮液體供應(yīng) 口的功能。連才秦貫通孔130的上端部130B與液體供應(yīng)部11并透過(guò)貫通孔130 來(lái)供應(yīng)液體LQ時(shí)，傾斜板部17 2C的凹部14A與光學(xué)元件LS 1側(cè)面間的間隙G 3
44不與液體供應(yīng)部11連接(空間G3并未發(fā)揮供應(yīng)流路的功能)，而使液體LQ3 上端部向大氣開(kāi)放。接著，在從貫通孔130對(duì)空間G2供應(yīng)液體LQ前，存在于 空間G2的氣體即透過(guò)間隙G3排出至外部。如此，即使透過(guò)貫通孔130來(lái)供應(yīng) 液體LQ時(shí)，也可防止在開(kāi)始對(duì)空間G2供應(yīng)液體LQ時(shí)氣體留在空間G2的不良 情形，防止于液體LQ中產(chǎn)生氣體部分(氣泡)。又，在此情形下，也可連4妄空 間G3上端部與吸引裝置(真空系統(tǒng))，在開(kāi)始供應(yīng)液體LQ時(shí)強(qiáng)制排出空間G2 的氣體。
又，透過(guò)貫通孔130來(lái)供應(yīng)液體LQ時(shí)，能將發(fā)揮液體供應(yīng)口功能的貫通孔 130的下端部130A相對(duì)投影區(qū)域AR1分別配置于Y軸方向兩側(cè)，再?gòu)姆菕呙璺?向的兩側(cè)供應(yīng)液體LQ。
第8實(shí)施形態(tài)
其次，參照?qǐng)D19、 20、 21及22說(shuō)明本發(fā)明的第8實(shí)施形態(tài)。圖19是顯示 嘴構(gòu)件70"附近的概略立體圖的部分剖斷圖，圖20是從下側(cè)觀察嘴構(gòu)件70" 的立體圖，圖21是與YZ平面平行的側(cè)視截面圖，圖22是與XZ平面平行的側(cè) 視截面圖。以下說(shuō)明中，對(duì)與上述實(shí)施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分賦與同一符 號(hào)，簡(jiǎn)略或省略其說(shuō)明。
嘴構(gòu)件70"是組合第1構(gòu)件171、第2構(gòu)件172以及第3構(gòu)件173所構(gòu)成， 整體形成為俯視大致呈圓形。第1構(gòu)件171,具有側(cè)板部171A及較厚的傾斜板 部171C。第2構(gòu)件172，具有傾斜^反部172C與連接于傾斜板部172C下端部的 底板部172D。第3構(gòu)件173連接于第1構(gòu)件171及第2構(gòu)件172的上端部，于 第3構(gòu)件173中央部形成有用來(lái)配置光學(xué)元件LS1的孔部173H。光學(xué)元件LSl, 配置于以第3構(gòu)件173的孔部173H及第2構(gòu)件172的傾斜板部172C形成的孔 部70H內(nèi)側(cè)，配置于孔部70H內(nèi)側(cè)的光學(xué)元件側(cè)面與第2構(gòu)件172的傾斜+反部 172C的內(nèi)側(cè)面172T對(duì)向。又，在第l構(gòu)件171的傾斜板部171C的內(nèi)側(cè)面171T 與第2構(gòu)件172的傾斜板部172C的外側(cè)面172S間，設(shè)有俯視呈圓環(huán)形的狹縫 狀槽部73。槽部73形成為相對(duì)XY平面(基板P表面)具有約45度的傾斜。又，通過(guò)第1構(gòu)件171的傾斜板部171C的下面171R與第2構(gòu)件172的底 板部172D的下面172R來(lái)形成平坦面75,該平坦面是一在嘴構(gòu)件70"中與支撐 于^i^反栽臺(tái)PST的_&^反P表面(基板載臺(tái)PST上面)對(duì)向、最接近該J^反P表 面(基仗載臺(tái)PST的上面)的面。平坦面75形成包圍投影區(qū)域AR1。
形成平坦面75的底板部172D的一部分，是在Z軸方向配置于投影光學(xué)系 統(tǒng)PL的光學(xué)元件LS1像面?zhèn)鹊南旅鎀l與J41P(基板載臺(tái)PST)間。底板部172D, 設(shè)置成不與光學(xué)元件LS1的下面Tl及基板P(基板載臺(tái)PST)接觸。底板部172D 上面配置成與光學(xué)元件LS1的下面T1對(duì)向、且大致與光學(xué)元件LS1下面平4亍， 于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面Tl與底板部172D的上面間形成有既定間隙(空間) G2。
于第1構(gòu)件171形成有發(fā)揮回收流路功能的空間部24,于空間部24的開(kāi)口 部形成有液體回收口 22。液體回收口 22，是以包圍開(kāi)口部74 (投影區(qū)域AR1 )、 槽部73、以及平坦面75的方式形成為俯一見(jiàn)呈圓環(huán)狀。于回收流路(空間部)24 一部分連接有回收管23的另一端部。于液體回收口 22配置有多孔構(gòu)件25 (具有 與支撐于基板載臺(tái)PST的基^反P對(duì)向的斜面2)。多孔構(gòu)件25，是以其斜面2的 內(nèi)緣部與第1構(gòu)件171的下面171R(平坦面75)為大致同高的方式、且以斜面2 內(nèi)緣部與下面171R(平坦面75)連續(xù)的方式，安裝于液體回收口 22。于斜面2， 呈放射狀設(shè)有多個(gè)翼片構(gòu)件150。
于第2構(gòu)件172中相對(duì)投影區(qū)域AR1的Y軸方向兩側(cè)，分別形成有沿傾斜 方向貫通第2構(gòu)件172的傾斜板部172C內(nèi)部的狹縫狀貫通孔130。又，貫通孔 140的上端部140B,是透過(guò)未圖示供應(yīng)管(供應(yīng)流路)連接于液體供應(yīng)部11, 下端部140A，即連接于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面Tl與底^反部172D間的間隙(空 間)G2。也即，貫通孔140發(fā)揮供應(yīng)流路的功能，形成于該貫通孔140的下端 部140A的開(kāi)口 ，發(fā)揮將液體LQ供應(yīng)至間隙G2的液體供應(yīng)口的功能。又，液體 供應(yīng)口 140A分別設(shè)于曝光用光EL所照射的投影區(qū)域AR1的Y軸方向兩側(cè)，且 設(shè)于曝光用光EL的光路空間外側(cè)中曝光用光EL的光路空間兩側(cè)的既定位置(笫
461位置)。
液浸機(jī)構(gòu)1，透過(guò)供應(yīng)流路(貫通孔)140，將從液體供應(yīng)部11送出的液體 LQ自液體供應(yīng)口 (下端部)140A供應(yīng)至內(nèi)部空間(包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL與底板部 172D間的間隙(空間)G2)。供應(yīng)it^140，形成為相對(duì)XY平面(差^反P表面) 具有約45度的傾斜。此外，為決定從液體供應(yīng)口 140A供應(yīng)至底板部172D上面 的液體LQ的流向，也可在液體供應(yīng)口 140A配置翼片狀構(gòu)件、或在底;f反部172D 上面設(shè)置翼片狀突起部。
于第2構(gòu)件172中相對(duì)投影區(qū)域AR1的X軸方向兩側(cè)，分別形成有沿傾斜 方向貫通第2構(gòu)件172的傾斜板部172C內(nèi)部的狹縫狀貫通孔130。于第2構(gòu)件 172的上面中、貫通孔130的上端部130B的既定區(qū)域與第3構(gòu)件173間形成有 間隙。又，貫通孔130的上端部130B向大氣開(kāi)》欠，貫通孔130的下端部130A 連接于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面Tl與底板部172D間的間隙(空間)G2。據(jù)此， 間隙G2的氣體，即可透過(guò)貫通孔130的上端部130B向外部空間排出(排氣)。 也即，形成于貫通孔130的下端部130A的開(kāi)口，發(fā)揮排出間隙G2的氣體的排 氣口功能，貫通孔130即發(fā)揮排氣流路的功能。又，排氣口 (下端部)130A， 與間隙G2的氣體、也即投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面周?chē)臍怏w連接。又，排氣口 130A，分別設(shè)于曝光用光EL所照射的投影區(qū)域AR1的X軸方向兩側(cè)，且設(shè)在曝 光用光EL的光路空間外側(cè)中曝光用光EL的光路空間兩側(cè)的既定位置(第2位 置)。
如上所述，液體供應(yīng)口 140A，設(shè)于曝光用光EL的光路空間外側(cè)的既定位置 (第1位置)。又，底板部172D,也發(fā)揮導(dǎo)引從液體供應(yīng)口 140A供應(yīng)的液體 LQ流動(dòng)的導(dǎo)引構(gòu)件功能。底板部(導(dǎo)引構(gòu)件)172D,配置成能防止氣體留在曝 光用光EL的光路空間的液體LQ中。也即，底板部172D,配置成使從液體供應(yīng) 口 140A (設(shè)于曝光用光EL的光路空間外側(cè)的第1位置)供應(yīng)的液體LQ會(huì)透過(guò)曝 光用光EL的光路空間流向與該光路空間外側(cè)的第1位置相異的第2位置。此外， 底板部172D,具有與基板P對(duì)向的平坦面(平坦部)75,與上述實(shí)施形態(tài)同樣地，也具有使液體LQ穩(wěn)定地充滿曝光用光EL的光路的功能。
圖23 M板部(導(dǎo)引構(gòu)件)172D的俯3見(jiàn)圖。本實(shí)施形態(tài)中，于曝光用光 EL的光路空間外側(cè)的第2位置設(shè)有排氣口 130A，底板部172D，配置成使從液體 供應(yīng)口 140A供應(yīng)的液體LQ流向設(shè)有排氣口 130A的第2位置。導(dǎo)引構(gòu)件172D 是使液體LQ以在曝光用光EL的光路空間內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生渦流的方式流動(dòng)。也即， 底板部172D具有開(kāi)口 74，，該開(kāi)口 74，形成為使第l位置(配置有液體供應(yīng)口 140A) 所供應(yīng)的液體LQ會(huì)流向設(shè)有排氣口 130A的第2位置，以防止于曝光用光EL的 光路空間內(nèi)產(chǎn)生渦流。
底板部172D,具有第1導(dǎo)引部181，形成從設(shè)有液體供應(yīng)口 140A的第1 位置往曝光用光EL的光路空間(投影區(qū)域AR1)的流動(dòng)方向；以及第2導(dǎo)引部 182,是形成從啄光用光EL的光路空間往設(shè)有排氣口 130A的第2位置的流動(dòng)方 向。也即，通過(guò)第1導(dǎo)引部181,形成使液體LQ從液體供應(yīng)口 140A流向曝光用 光EL的光路空間的流路181F，通過(guò)第2導(dǎo)引部182，形成使液體LQ從曝光用 光EL的光路空間流向第2位置(排氣口 130A)的流路182F。
以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F與以笫2導(dǎo)引部182形成的流路182F 交叉。以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F是使液體LQ大致沿Y軸方向流動(dòng)， 以第2導(dǎo)引部182形成的流路182F是;j吏液體LQ大致沿X軸方向流動(dòng)。又，通 過(guò)第1導(dǎo)引部181與第2導(dǎo)引部182形成俯視大致呈十字形的開(kāi)口部74'。開(kāi) 口部74，配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，其設(shè)置成使曝光用光EL通過(guò)形成 為大致十字形的開(kāi)口部74，的大致中央部。也即，曝光用光EL的光路空間，是 設(shè)定于以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F與以第2導(dǎo)引部182形成的流路182F 的交叉部。
本實(shí)施形態(tài)中，以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F與以第2導(dǎo)引部182形 成的;克路182F為大致正交。又，以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F的寬度Dl 與以第2導(dǎo)引部182形成的流路182F的寬度D2為大致相同。又，本實(shí)施形態(tài) 中，第1導(dǎo)引部181與第2導(dǎo)引部182的連接部190形成為曲線狀(圓弧狀)。
48液體供應(yīng)口 140A，是將液體LQ供應(yīng)至內(nèi)部空間(包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下 面Tl與底板部172D間的間隙(空間)G2)。從液體供應(yīng)口 140A供應(yīng)至間隙G2 的液體LQ,是被第1導(dǎo)引部181導(dǎo)引而流向曝光用光EL的光路空間、并通過(guò)曝 光用光EL的光路空間后，即被第2導(dǎo)引部182導(dǎo)引流向曝光用光EL的光路空 間外側(cè)。也即，液體LQ的流路，是在第1導(dǎo)引部181與笫2導(dǎo)引部182的交叉 位置或其附近彎曲?；蛘撸后wLQ的流路是在光路空間或其附近彎曲。液浸機(jī) 構(gòu)1，通過(guò)以底板部172D的第1、第2導(dǎo)引部181， 182導(dǎo)引液體LQ且使其流 動(dòng)，來(lái)抑制在曝光用光EL的光路空間內(nèi)產(chǎn)生渦流。據(jù)此，即使于曝光用光EL 的光路空間中有氣體(氣泡)，也能通過(guò)液體LQ的流動(dòng)將氣體(氣泡)排出至 曝光用光EL的光路空間外側(cè)的第2位置，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL 的光路空間。
如圖19、 21等所示，第1構(gòu)件171與第2構(gòu)件172間的槽部73，形成為圍 繞包含曝光用光EL的光路空間的開(kāi)口部74'。進(jìn)一步地，槽部73形成為也包 圍構(gòu)成平坦面75 —部分的下面172R。于槽部73下端部形成有配置成與Hl P (基板載臺(tái)PST的上面)對(duì)向的開(kāi)口部73A。開(kāi)口部73A形成為俯視大致呈圓環(huán) 狀。另一方面，于槽部73上端部也形成有俯S見(jiàn)大致呈圓環(huán)狀的開(kāi)口部73B。又， 于第1構(gòu)件171的傾斜板部171C上端部中、與第2構(gòu)件172對(duì)向的部分形成有 缺口部171K，通過(guò)該缺口部171K而在槽部73上端部形成寬廣部。接著，于該 寬廣部與第3構(gòu)件173間形成空間73W。槽部73上端部的開(kāi)口部73B配置于空 間73W內(nèi)側(cè)，設(shè)于槽部73下端部(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)雀浇?的開(kāi)口部 73A與空間73W透過(guò)槽部73相連接。也即，空間73W,是透過(guò)槽部73(開(kāi)口部 73A)與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面周?chē)臍怏w流通。
又，如圖21所示，于第3構(gòu)件173的一部分形成有與空間73W連接的流通 路131，，該流通路131，與含有真空系統(tǒng)的吸引裝置132透過(guò)配管133相連接。 流通路131'及吸引裝置132,是使用于在完全回收嘴構(gòu)件70"與基j反P(基板 栽臺(tái)PST )間的液體LQ時(shí)，透過(guò)槽部7 3來(lái)回收該液體LQ。又，于第3構(gòu)件173中與流通路131'不同的位置形成有4吏空間73W內(nèi)部與 外部流通的孔部134?？撞?34的直徑(大小)較流通路131，的直徑(大小) 小，且遠(yuǎn)較開(kāi)口部73A小。本實(shí)施形態(tài)中，孑L部134的直徑約為lmm。通過(guò)孔部 134使空間73W向大氣開(kāi)放，據(jù)此，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面周?chē)臍怏w(間隙 G2)也透過(guò)開(kāi)口部73A、槽部73及空間73W向大氣開(kāi)放。據(jù)此，嘴構(gòu)件70"與 !^反P (141載臺(tái)PST)間的液體LQ—部分即可出入于槽部73內(nèi)部。據(jù)此，即 使嘴構(gòu)件70"的大小(直徑)較小，也可抑制液體LQ向液體回收口 22外側(cè)流 出。
其次，說(shuō)明設(shè)有具上述構(gòu)造的嘴構(gòu)件70"的液浸機(jī)構(gòu)l動(dòng)作。為將液體LQ 供應(yīng)至基板P上，控制裝置CONT,即驅(qū)動(dòng)液體供應(yīng)部11來(lái)乂人液體供應(yīng)部11送 出液體LQ。 乂人液體供應(yīng)部11送出的液體LQ在流經(jīng)供應(yīng)管后，即流入嘴構(gòu)件70" 的供應(yīng)流路14的上端部140B。流入供應(yīng)流路14的上端部140B的液體LQ，即 流動(dòng)于供應(yīng)流路140,而從液體供應(yīng)口 14OA供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面Tl 與底板部172D間的空間G2。此處，在將液體LQ供應(yīng)至空間G2前存在于空間 G2的氣體部分，是透過(guò)貫通孔130或開(kāi)口部74，排出至外部。據(jù)此，能防止在 開(kāi)始對(duì)空間G2供應(yīng)液體LQ時(shí)氣體會(huì)留在空間G2的不良情形，并防止氣體部分 (氣泡)產(chǎn)生于液體LQ中的不良情形。又，由于從液體供應(yīng)部11送出的液體 LQ流動(dòng)于槽部(供應(yīng)流路)140內(nèi)側(cè)，因此是在不會(huì)對(duì)光學(xué)元件LSI側(cè)面等施 加力量的狀態(tài)下供應(yīng)至空間G2。又，由于液體LQ不連接于光學(xué)元件LS1側(cè)面， 因此即使于光學(xué)元件LSI側(cè)面涂布有例如既定功能材料時(shí)，也能抑制對(duì)功能材 料帶來(lái)影響。
供應(yīng)至空間G2的液體LQ在充滿空間G2后，即透過(guò)開(kāi)口部74，流入平坦面 75與基板P (差d反載臺(tái)PST)間的空間。此時(shí)，由于液體回收機(jī)構(gòu)20是以每一 單位時(shí)間將基板P上的液體LQ回收既定量，因此由透過(guò)開(kāi)口部74，流入平坦面 75與基板P (基板載臺(tái)PST)間的空間的液體LQ，而于M P上形成所欲大小 的液f曼區(qū)i或由于從液體供應(yīng)口 140A供應(yīng)制空間G2的液體LQ,是在被第1導(dǎo)件181導(dǎo) 引而流向曝光用光EL的光路空間(投影區(qū)域AR1)后，即被第2導(dǎo)件182導(dǎo)引 而流向曝光用光EL的光路空間外側(cè)，因此即使于液體LQ中產(chǎn)生氣體部分(氣 泡)，也可通過(guò)液體LQ的流動(dòng)，將該氣泡排出至曝光用光EL的光路空間外側(cè)， 又，由于底板部172D是使液體LQ以不會(huì)在曝光用光EL的光路空間中產(chǎn)生渦流 的方式流動(dòng)，因此可防止氣泡留在曝光用光EL的光路空間。又，由于底板部172D 使液體LQ朝向排氣口 130A流動(dòng)，因此存在于液體LQ中的氣體部分(氣泡)， 即透過(guò)排氣口 130A圓滑地排出至外部。又，即使于平坦面75與基板P (M載 臺(tái)PST)間的空間的液體LQ中有氣體部分(氣泡)存在，平坦面75與基板P(基 板載臺(tái)PST)間的空間的液體LQ,仍透過(guò)回收口 22而與氣體部分(氣泡) 一起 #皮回收。
在對(duì)基板P進(jìn)^f亍液浸曝光期間等形成液浸區(qū)域AR2的期間內(nèi)，連接于槽部 73的流通路131'關(guān)閉且停止吸引裝置132的驅(qū)動(dòng)。據(jù)此，即使在^J^板(基 板載臺(tái)PST )相對(duì)液浸區(qū)域AR2 (形成為包覆投影區(qū)域AR1)進(jìn)行移動(dòng)時(shí)，液浸區(qū) 域AR2的液體LQ —部分仍能出入于透過(guò)孔部134而向大氣開(kāi)i文的槽部73(參照 圖22中的箭頭F3)，而能防止液浸區(qū)域AR2的液體LQ流出等不良情形。
又，當(dāng)在基板P的液浸曝光結(jié)束時(shí)等將嘴構(gòu)件70"與基板P(基板載臺(tái)PST) 間的液體LQ完全回收時(shí)，控制裝置CONT除了透過(guò)液體回收才幾構(gòu)20的液體回收 口 22進(jìn)行液體回收動(dòng)作以外，且同時(shí)開(kāi)啟連接于槽部73的流通路131，，驅(qū)動(dòng) 吸引裝置132使槽部73的內(nèi)部空間成為負(fù)壓，進(jìn)行透過(guò)槽部73的開(kāi)口部73A 的液體回收動(dòng)作。如此，通過(guò)也使用最接近基板P(基板載臺(tái)PST)的開(kāi)口部73A， 而能以更短時(shí)間確實(shí)地回收嘴構(gòu)件70"與差^反P (差^反載臺(tái)PST)間的液體LQ。 此時(shí)，由于用來(lái)向大氣開(kāi);^文的孔部134豐H揮液體LQ回收口功能的開(kāi)口部73A 的尺寸小，因此可使槽部73達(dá)到足夠的負(fù)壓來(lái)回收液體LQ。
又，當(dāng)完全回收嘴構(gòu)件70"與&^反P (J^反載臺(tái)PST)間的液體LQ時(shí)，除 了《吏用液體回收口 22或開(kāi)口部73A的液體回收動(dòng)作外，也可加上從液體供應(yīng)口140吹出氣體的動(dòng)作。
此外，當(dāng)對(duì)_1^反P進(jìn)行液浸曝光期間等形成液浸區(qū)域AR2期間內(nèi)，只要是 能維持液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)(形狀等)的程度，也可開(kāi)啟連接于槽部73的流通 路131'并驅(qū)動(dòng)吸引裝置132。通過(guò)此方式，而可透過(guò)槽部73回收液體LQ中的 氣泡。
又，如圖24所示，也可連接貫通孔130的上端部130B與吸引裝置(吸氣 系統(tǒng))135,并透過(guò)貫通孔130連接排氣口 130A與吸引裝置135。又，也可在例 如開(kāi)始供應(yīng)用來(lái)形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ時(shí)，驅(qū)動(dòng)吸引裝置135使貫通孔130 內(nèi)側(cè)成為負(fù)壓，來(lái)強(qiáng)制排出空間G2的氣體。通過(guò)此方式，也可防止氣體留在空 間G2的不良情形產(chǎn)生，并防止于液體LQ產(chǎn)生氣體部分(氣泡)的不良情形產(chǎn) 生。又，也可在驅(qū)動(dòng)吸引裝置135的同時(shí)對(duì)基才反P進(jìn)行液浸曝光，或于J^ P 的液浸曝光中停止吸引裝置135的驅(qū)動(dòng)。
此外，嘴構(gòu)件70"雖是以第1、第2、第3構(gòu)件171、 172、 173三構(gòu)件構(gòu)成， 但也可由一構(gòu)件構(gòu)成，或由三個(gè)以外的多個(gè)構(gòu)件構(gòu)成。
第9實(shí)施形態(tài)
圖25是顯示第9實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特征部分在于，以第2導(dǎo)引 部182形成的流路182F的寬度D2較以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F的寬度 Dl小。據(jù)此，可相對(duì)流動(dòng)于以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F的液體LQ流速， 提高流動(dòng)于以第2導(dǎo)引部182形成的流路182F的液體LQ流速。據(jù)此，能通過(guò) 高速化的液體LQ，將膝光用光EL的光路空間的氣體(氣泡)迅速且圓滑地排出至 曝光用光EL的光路空間外側(cè)。
第10實(shí)施形態(tài)
圖26是顯示笫10實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特征部分在于，以第2導(dǎo) 引部182形成的流路182F的寬度D2，形成為從曝光用光EL的光路空間(投影 區(qū)域AR1或第2導(dǎo)引部182的上游側(cè))向設(shè)有排氣口 130A的第2位置(或第2 導(dǎo)引部182的下游側(cè))逐漸變窄。即使是此種構(gòu)成，也能相對(duì)流動(dòng)于以第1導(dǎo)
52引部181形成的流路181F的液體LQ流速，提高流動(dòng)于以第2導(dǎo)引部182形成 的流路18 2F的液體LQ流速，而將氣體(氣泡)迅速且圓滑地排出至曝光用光EL 的光路空間外側(cè)。 第11實(shí)施形態(tài)
圖27是顯示第11實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特征部分在于，第1導(dǎo)引 部181與第2導(dǎo)引部182的連接部190形成為直線狀，于第1導(dǎo)引部181與第2 導(dǎo)引部182間形成有角部。即使是此種構(gòu)成，也可抑制渦流的產(chǎn)生，防止氣體 (氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ,并能將氣體(氣泡)排出至曝 光用光EL的光路空間外側(cè)。 第12實(shí)施形態(tài)
圖28是顯示第12實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特征部分在于，以第1導(dǎo) 引部181形成的流路181F中、液體供應(yīng)口 140A附近的既定區(qū)域(的流路寬度)， 形成為從液體供應(yīng)口 140A向曝光用光EL的光路空間(投影區(qū)域AR1)逐漸變窄 (從上游至下游)，以第2導(dǎo)引部182形成的流路182F中、排氣口 130A附近的 既定區(qū)域(的流路寬度)，形成為從排氣口 130A向曝光用光EL的光路空間(投 影區(qū)域AR1)逐漸變窄(從上游至下游)。又，本實(shí)施形態(tài)中，第1導(dǎo)引部181與 第2導(dǎo)引部182大致成直角交叉。即^吏是此種構(gòu)成，也可抑制渦流的產(chǎn)生，防 止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ,并能將氣體(氣泡)排 出至曝光用光EL的光路空間外側(cè)。
第13實(shí)施形態(tài)
圖29是顯示第13實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特征部分在于，液體供應(yīng) 口 140A^又設(shè)置一個(gè)。又，以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F與以第2導(dǎo)引部 182形成的流路182F為大致正交，開(kāi)口部74'形成為俯視大致呈T字形。即使 是此種構(gòu)成，也可抑制渦流的產(chǎn)生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路 空間的液體LQ,并能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側(cè)。
第14實(shí)施形態(tài)圖30是顯示第14實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特4正部分在于，以第1導(dǎo) 引部181形成的流路181F與以第2導(dǎo)引部182形成的流路182F并未正交，而 是以90度以外的既定角度交叉。又，液體供應(yīng)口 140A (第l位置)，設(shè)于曝光 用光EL的光路空間(投影區(qū)域AR1)的外側(cè)區(qū)域中、從與投影區(qū)域AR1在Y軸 方向并排的位置偏向6Z方向的位置，排氣口 130A (第2位置)也設(shè)于從與投 影區(qū)域AR1在X軸方向并排的位置偏向6 Z方向的位置。即佳^:此種構(gòu)成，也可 抑制渦流的產(chǎn)生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ，并 能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側(cè)。
第15實(shí)施形態(tài)
圖31是顯示第15實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特征部分在于，各液體供 應(yīng)口 140A及排氣口 130A，分別設(shè)于曝光用光EL的光路空間外側(cè)區(qū)域中的三個(gè) 既定位置。本實(shí)施形態(tài)中，液體供應(yīng)口 140A及排氣口 130A,是在曝光用光EL 的光路空間(投影區(qū)域AR1)外側(cè)區(qū)域中，以大致等間隔交互配置成包圍投影光學(xué) 系統(tǒng)PL的光軸AX。又，以第1導(dǎo)引部181形成的多條流路181F及以第2導(dǎo)引 部182形成的多條流路182F是以既定角度交叉。即使是此種構(gòu)成，也可抑制渦 流的產(chǎn)生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ,并能將氣 體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側(cè)。
第16實(shí)施形態(tài)
圖32是顯示第16實(shí)施形態(tài)的圖。本實(shí)施形態(tài)的特征部分在于，液體供應(yīng) 口 140A (第1位置)是設(shè)在曝光用光EL的光路空間(投影區(qū)域AR1 )外側(cè)區(qū)域 中與投影區(qū)域AR1在Y軸方向并排的位置，排氣口 130A (第2位置)是設(shè)在從 與投影區(qū)域AR1在Y軸方向并排的位置偏向6Z方向的位置。本實(shí)施形態(tài)中，排 氣口 130A (第2位置)是設(shè)在從曝光用光EL的光路空間(投影區(qū)域AR1)外側(cè) 區(qū)域中、從與投影區(qū)域AR1在Y軸方向并排的位置向6Z方向離開(kāi)約45度的位 置。又，底板部172D，具有第1導(dǎo)引部181,形成從液體供應(yīng)口 140A往曝光 用光EL的光路空間的流動(dòng)方向；以及第2導(dǎo)引部82，形成從曝光用光EL的光路空間往排氣口 130A的流動(dòng)方向。以第1導(dǎo)引部181形成的流路181F,使液體 LQ大致沿Y軸方向流動(dòng)。另一方面，以第2導(dǎo)引部182形成的流路182F，具有 與流路181F正交而使液體LQ大致沿X軸方向流動(dòng)的第1區(qū)域182Fa、以及使流 經(jīng)第1區(qū)域182Fa的液體LQ向排氣口 130A流動(dòng)的第2區(qū)域182Fb。通過(guò)流路 181F與流路182F的第1區(qū)域182Fa，形成俯碎見(jiàn)大致呈十字形的開(kāi)口部74，。才艮 據(jù)此種構(gòu)造，即使在設(shè)置液體供應(yīng)口 140A或排氣口 130A的位置有限制，也可 抑制渦流的產(chǎn)生，防止氣體(氣泡)留在曝光用光EL的光路空間的液體LQ，并 能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路空間外側(cè)。
此外，若能抑制渦流產(chǎn)生，并能將氣體(氣泡)排出至曝光用光EL的光路 空間外側(cè)的話，液體供應(yīng)口 140A及排氣口 130A的數(shù)目及配置、以及對(duì)應(yīng)該液 體供應(yīng)口 140A及排氣口 130A的流路181F， 182F的形狀等即可任意設(shè)定。例如， 也可i殳置四個(gè)以上的多個(gè)液體供應(yīng)口 140A及排氣口 130A，或也可^f吏液體供應(yīng)口 14OA及排氣口 130A的數(shù)目彼此不同，或也能以不相等的間隔配置液體供應(yīng)口 140A及排氣口 130A。液體供應(yīng)口 140A及排氣口 130A的凄t目及配置、以及對(duì)應(yīng) 該液體供應(yīng)口 140A及排氣口 130A的流路181F, 182F的形狀等，最好是+艮據(jù)實(shí) 驗(yàn)或才莫擬結(jié)果使其達(dá)最佳化，能抑制渦流的產(chǎn)生、并能將氣體(氣泡)排出至 曝光用光EL的光路空間外側(cè)。
此外，上述第8至16實(shí)施形態(tài)中，雖然液浸機(jī)構(gòu)l，雖通過(guò)底板部(導(dǎo)引 構(gòu)件)172D，使設(shè)于第1位置的液體供應(yīng)口 140A所供應(yīng)的液體LQ流向設(shè)于第2 位置的排氣口 130A，但也可不將排氣口 130A設(shè)于第2位置。即使無(wú)排氣口 130A， 也可通過(guò)液體LQ的流動(dòng)，將在曝光用光EL的光路空間的氣體部分(氣泡)排 出至曝光用光EL的光路空間外側(cè)，防止氣體留在曝光用光EL的光路空間的液 體LQ中。另一方面，通過(guò)設(shè)置排氣口 130A于第2位置，而能從曝光用光EL的 光路空間圓滑地排出氣體。
又，上述第8至第16實(shí)施形態(tài)中，雖液浸機(jī)構(gòu)1沿Y軸方向?qū)ν队皡^(qū)域AR1 供應(yīng)液體LQ，但也可例如將液體供應(yīng)口 140A相對(duì)投影區(qū)域AR1分別設(shè)于X軸方
55向兩側(cè)，再沿X軸方向?qū)ν队皡^(qū)域AR1供應(yīng)液體LQ。
此外，上述第1至第16實(shí)施形態(tài)中，形成于嘴構(gòu)件70下面的斜面(多孔 構(gòu)件下面)也可為曲面。又，參照?qǐng)D9至圖11所說(shuō)明的上述第2至第4實(shí)施形 態(tài)中，也可將壁部76設(shè)于多孔構(gòu)件25的下面2周緣。
此外，上述第1至第16實(shí)施形態(tài)中，雖然于液體回收口 22配置有多孔構(gòu) 件25，但也可不配置多孔構(gòu)件25。即使此時(shí)，例如于嘴構(gòu)件70下面設(shè)置與曝 光用光EL的光軸AX的距離越長(zhǎng)則與基板P表面間的間隔越大的斜面，并將液 體回收口設(shè)于此斜面的既定位置，據(jù)此也可維持界面LG的形狀，防止氣泡產(chǎn)生 于液浸區(qū)域AR2的液體LQ中等不良情形。又，也可縮小液浸區(qū)域AR2的大小。
又，于上述第1至第16實(shí)施形態(tài)中，雖于嘴構(gòu)件70下面的斜面(多孔構(gòu) 件下面)設(shè)置液體回收口 ，但只要能將液體LQ的液浸區(qū)域AR2維持于所欲狀態(tài)， 也可不將斜面形成于嘴構(gòu)件70下面，而在與平坦面75大致平行(同一面高) 的面上設(shè)置液體回收口。也即，當(dāng)液體LQ對(duì)J^反P的接觸角較大時(shí)，或從液體 回收口 22回收液體LQ的回收能力較高時(shí)等，即使增加_^4反P的移動(dòng)速度也能 在不使液體LQ漏出的狀態(tài)下加以回收的話，也可將液體回收口設(shè)于與平坦面75 平行(同一面高)的面。
又，于上述第1至第16實(shí)施形態(tài)中，雖在形成于嘴構(gòu)件70下面的斜面(多 孔構(gòu)件下面)周?chē)O(shè)置壁部76,但若能抑制液體LQ的漏出時(shí)，也可省略壁部76 的設(shè)置。
又，于上述第1至第16實(shí)施形態(tài)中，雖將具有與基玲反P的開(kāi)口 73A對(duì)向的 槽部73設(shè)于嘴構(gòu)件，但也可省略此槽部73。此時(shí)，為使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像 面?zhèn)鹊目臻g成為非液浸狀態(tài)，可使用液體回收口 22將所有^:影光學(xué)系統(tǒng)PL的 像面?zhèn)鹊囊后wLQ回收。此時(shí)，如第6至第16實(shí)施形態(tài)，在形成有連4妻于底板 部72D上面與光學(xué)元件LS1間的空間G2的開(kāi)口時(shí)，也可與'液體回收口 22的'液 體回收動(dòng)作并4于來(lái)乂人該開(kāi)口回收液體LQ。
又，上述第1至第16實(shí)施形態(tài)的嘴構(gòu)件嘴構(gòu)件70,雖是將平坦面(平坦部)75的一部分形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P之間，并在其外側(cè)形成斜面(多孔構(gòu) 件下面)，但也可不將平坦面的一部分配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL下，而是相對(duì)投 影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面T1外側(cè)(周?chē)?。此時(shí)，平 坦面75也可與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的端面Tl大致同一面高，或也可"f吏平坦面75 的Z軸方向位置，位于相對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL端面Tl往+ Z方向或-Z方向離開(kāi) 之處。
又，于上述第1至第5實(shí)施形態(tài)中，雖然液體供應(yīng)口 12是以包圍投影區(qū)域 AR1的方式形成為環(huán)形狹縫狀，但也可設(shè)置彼此分離的多個(gè)供應(yīng)口。此時(shí)，雖供 應(yīng)口的位置并無(wú)特別限定，但可在投影區(qū)域AR1兩側(cè)(X軸方向兩側(cè)或Y軸方向 兩側(cè))各設(shè)一個(gè)供應(yīng)口 ，也可在投影區(qū)域AR1的X軸及Y軸方向兩側(cè)各設(shè)一個(gè)(共 計(jì)四個(gè))供應(yīng)口。又，只要是能形成所欲的液浸區(qū)域AR2,也可在相對(duì)投影區(qū)域 AR1往定方向離開(kāi)的位置僅設(shè)置一個(gè)供應(yīng)口 。又，從多個(gè)供應(yīng)口供應(yīng)液體LQ時(shí)， 也可調(diào)整從^#應(yīng)口供應(yīng)的液體LQ的量，來(lái)從^#應(yīng)口供應(yīng)不同量的液體。
又，于上述第1至第16實(shí)施形態(tài)中，雖投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件LSI 是具有折射力的透鏡元件，但也可使用無(wú)折射力的平行平面板作為光學(xué)元件 LSl。
又，于上述第1至第16實(shí)施形態(tài)中，雖然是以液體LQ充滿投影光學(xué)系統(tǒng) PL的光學(xué)元件LSI像面?zhèn)?下面?zhèn)?的光路空間，但也可采用如國(guó)際公開(kāi)第2004 / 019128號(hào)說(shuō)明書(shū)所揭示般，以液體LQ充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件LSI 上面?zhèn)燃跋旅鎮(zhèn)榷?cè)的光路空間的構(gòu)造。
如上所述，本實(shí)施形態(tài)的液體LQ是使用純水。純水的優(yōu)點(diǎn)為能容易地在半 導(dǎo)體制造工廠等處大量取得，且對(duì)基板P上的光致抗蝕劑或光學(xué)元件(透鏡)等 無(wú)不良影響。又，純水除了對(duì)環(huán)境無(wú)不良影響外，由于雜質(zhì)的含有量極低，因 此也能期待有洗凈光學(xué)元件(設(shè)于基板P的表面、以及投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端面) 的作用。又，從工廠等所供應(yīng)的純水純度較低時(shí)，也可^:曝光裝置具備超純水 制造器。
57又，純水(水)對(duì)波長(zhǎng)為193nm左右的曝光用光EL的折射率n是大致1. 44 左右，若使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)來(lái)作為曝光用光EL的光源時(shí)，在基 板P上則將波長(zhǎng)縮短為l/n、也即大約134nm左右，即可獲得高分辨率。再者， 由于焦深與在空氣中相較放大約n倍、也即約l. 44倍左右，因此只要是能確保 與在空氣中使用時(shí)相同程度的焦深時(shí)，即能更增加投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑， 從此點(diǎn)來(lái)看也能提高分辨率。
此外，使用如上所述的液浸法時(shí)，有時(shí)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA會(huì) 成為O. 9-1. 3。如此，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA變大時(shí)，由于現(xiàn)有用作 為膝光用光的任意偏極光有時(shí)會(huì)因偏光效杲不同而使成像性能惡化，因此最好 是使用偏光照明。此時(shí)，最好是進(jìn)行配合掩膜版(標(biāo)線片)的線/空間(line and space)圖案的線圖案長(zhǎng)邊方向的直線偏光照明，而/人掩膜版(標(biāo)線片)的圖案射 出較多S偏光成分(TE偏光成分)、也即沿線圖案長(zhǎng)邊方向的偏光方向成分的繞 射光。在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光致抗蝕劑間充滿液體時(shí)，與 在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光致抗蝕劑間充滿空氣(氣體)的情形 相較，由于有助于提高對(duì)比的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光的光致抗蝕劑 表面透射率會(huì)變高，因此即使投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA超過(guò)1. 0時(shí)，也能得 到高成^象性能。又，若適當(dāng)組合相移掩膜版或如特開(kāi)平6 - 188169號(hào)公報(bào)所揭 示的配合線圖案長(zhǎng)邊方向的斜入射照明法(特別是偶極(dipole)照明法)等，則 更具效果。特別是，直線偏光照明法與偶極照明法的組合，當(dāng)線/空間圖案的 周期方向限于既定一方向時(shí)、或孔圖案沿既定一方向密集形成時(shí)相當(dāng)有效。例 如，并用直線偏光照明法及偶極照明法，來(lái)照明透射率6%的半透光(half-tone) 型相移掩膜版(半間距45nm左右的圖案)時(shí)，將照明系統(tǒng)的瞳面中形成偶極的二 光束的外接圓所規(guī)定的照明a設(shè)為0. 95、將其瞳孔平面的各光束半徑設(shè)為0. 125 a、將投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑設(shè)為NA=1.2時(shí)，即能較使用任意偏極光將 焦深(DOF)增加150nm左右。
又，例如以ArF準(zhǔn)分子激光為曝光用光，使用1/4左右的縮小倍率的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，將微細(xì)的線/空間圖案(例如25 ~ 50咖左右的線/空間)曝光于基 板P上時(shí)，依掩膜版M構(gòu)造(例如圖案的細(xì)微度或鉻的厚度)的不同，通過(guò)波導(dǎo) 效杲(Wave guide)使掩膜版M發(fā)揮偏光板的作用，而使從掩膜版M射出S偏光 成分(TE偏光成分)的繞射光多于使對(duì)比下降的P偏光成分(TM偏光成分)的繞射 光。此時(shí)，雖最好是使用上述直線偏光照明，但即使以任意偏極光來(lái)照明掩膜 版M，而投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA如為0. 9 ~ 1. 3般較大的情形時(shí)，也能
得到高解析性能。
又，當(dāng)將掩膜版M上的極微細(xì)線/空間圖案曝光于基板P上時(shí)，通過(guò)線柵 (Wire Grid)效果雖然也有可能使P偏光成分(TM偏光成分)大于S偏光成分(TE 偏光成分)，^f旦例如以ArF準(zhǔn)分子激光為曝光用光，并使用1/4左右的縮小倍 率的投影光學(xué)系統(tǒng)PL將較25nm大的線/空間圖案曝光于基板P上時(shí)，由于從 掩膜版M射出S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光多于P偏光成分(TM偏光成分) 的繞射光，因此即4吏投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA如為0. 9 ~ 1. 3般^^大的情 形時(shí)，也能得到高解析性能。
再者，除了與掩膜版(標(biāo)線片)的線圖案長(zhǎng)邊方向配合的直線偏光照明(S偏 光照明)以外，如特開(kāi)平6 - 53120號(hào)公報(bào)所揭示，將以光軸為中心的圓接線(周) 方向直線偏光的偏光照明法與斜入射照明法組合也具有效果。特別是，除了掩 膜版(標(biāo)線片)的圖案沿既定一方向延伸的線圖案以外，在沿多個(gè)相異方向延伸 的線圖案混合(周期方向相異的線/空間圖案混合)的情形下，同樣如特開(kāi)平6 -53120號(hào)^^凈艮所揭示，通過(guò)并用偏光照明法(沿以光軸為中心的圓的"t妾線方向 直線偏光)與環(huán)帶照明法，即使才殳影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA較大時(shí)，也能得 到高成像性能。例如，在并用偏光照明法(沿以光軸為中心的圓的接線方向直線 偏光)與環(huán)帶照明法(環(huán)帶比3 / 4)，來(lái)照明透射率6%的半透光型相移掩膜版(半 間距63nm左右的圖案)的情形下，將照明a設(shè)為0.95、將投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù) 值孔徑設(shè)為NA-l. 00時(shí)，較使用任意偏極光的情形能使焦深(DOF)增加250nm左 右，當(dāng)半間距為55nm左右的圖案且投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑為NA=1. 2時(shí)，能《吏焦深增加10Onm左右。
本實(shí)施形態(tài)中，將光學(xué)元件LS2安裝于投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端，通過(guò)此透鏡 能進(jìn)行投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性的調(diào)整，例如像差(球面像差、慧形像差等)。 此外，作為安裝于投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端的光學(xué)元件，也可是使用于調(diào)整投影光 學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性的光學(xué)板?；蛞部墒悄苁蛊毓庥霉釫L透射的平行平面板。
此外，因液體LQ流動(dòng)所產(chǎn)生的投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端的光學(xué)元件與差4！ P 間的壓力較大時(shí)，也可不將該光學(xué)元件作成能交換的構(gòu)造，而是將光學(xué)元件堅(jiān) 固地固定成不會(huì)因其壓力而移動(dòng)。
又，本實(shí)施形態(tài)中，雖然是以液體LQ充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL與1^反P間的 構(gòu)成，但也可是例如在將平行平面板所構(gòu)成的蓋玻片安裝于基板P表面的狀態(tài) 下來(lái)充滿液體LQ的構(gòu)成。
又，使用圖l至圖32說(shuō)明的實(shí)施形態(tài)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL,雖然是以液體充 滿前端的光學(xué)元件的像面?zhèn)鹊墓饴房臻g，但也可采用如國(guó)際公開(kāi)第2004 / 019128號(hào)公報(bào)所揭示般，也以液體充滿光學(xué)元件LS1的掩膜版M側(cè)的光路空間 的投影光學(xué)系統(tǒng)。
此外，本實(shí)施形態(tài)的液體雖然是水，4旦也可是水以外的液體。例如，曝光
用光的光源為F2激光時(shí)，由于此F2激光無(wú)法透射水，因此也可使用能使F2激光
透射的液體來(lái)作為第1、第2液體LQ1, LQ2,例如過(guò)氟聚醚(PFPE, perf luoro-polyether)或氟系列油等氟系列流體也可。此時(shí)，例如以包舍氟的 極性小的分子構(gòu)造物質(zhì)來(lái)形成薄膜，據(jù)此對(duì)與第l、第2液體LQ1， LQ2接觸的 部分進(jìn)行親液化處理。又，作為第1、第2液體LQl, LQ2,其它也能使用對(duì)曝 光用光EL具透射性且折射率盡可能較高、并對(duì)涂布于投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P 表面的光致抗蝕劑4交穩(wěn)定的液體(例如杉木油(cedar oil))。此時(shí)，表面處理也 根據(jù)所使用的第l、第2液體LQ1， LQ2的極性來(lái)進(jìn)行。又，也能使用具有所欲折 射率的各種流體來(lái)替代液體LQl, LQ2的純水，例如超臨界流體或高折射率氣體。 又，于使用圖1、 4、 15、 16、 18、 21、 22及24的說(shuō)明中，雖是在《錄板P與光學(xué)元件LSI的下面Tl對(duì)向的狀態(tài)下，以液體LQ充滿光學(xué)元件LSI的下面Tl與基板P間的空間，但即使是投影光學(xué)系統(tǒng)PL與其它構(gòu)件(例如J41載臺(tái)的上面91等)對(duì)向時(shí)，也能以液體充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL與其它構(gòu)件間。
又，作為上述各實(shí)施形態(tài)的基^反P,除了半導(dǎo)體元件制造用的半導(dǎo)體晶片以外，也能適用于顯示器元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或在曝光裝置所使用的掩膜版或標(biāo)線片的原版(合成石英、硅晶片)等。
此外，上述實(shí)施形態(tài)中，雖使用于具光透射性的基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性掩膜版(標(biāo)線片)，但也可^(吏用例如美國(guó)專(zhuān)利第6,778,257號(hào)公報(bào)所揭示的電子掩膜版來(lái)代替此標(biāo)線片，該電子掩膜版根據(jù)待曝光圖案的電子資料來(lái)形成透射圖案、反射圖案或發(fā)光圖案。
又，本發(fā)明也能適用于，如國(guó)際公開(kāi)第2001 / 035168號(hào)說(shuō)明書(shū)所揭示，通過(guò)將干涉紋形成于晶片W上、而在晶片W上形成線/空間圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。
曝光裝置EX，除了能適用于使掩膜版M與基板P同步移動(dòng)來(lái)對(duì)掩膜版M的圖案進(jìn)^f亍掃描啄光的步進(jìn)掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進(jìn)才幾)以外，也能適用于步進(jìn)重復(fù)方式的投影曝光裝置(步進(jìn)器)，其是在使掩膜版M與基板P靜止的狀態(tài)下，使掩膜版M的圖案一次曝光，并^J^反P依序步進(jìn)移動(dòng)。
又，作為曝光裝置EX,也能適用下述曝光裝置，即在使第1圖案與基j反P大致靜止的狀態(tài)下，使用投影光學(xué)系統(tǒng)(例如1/8縮小倍率且不含反射元件的折射型投影光學(xué)系統(tǒng))將第1圖案的縮小像一次曝光于基板P的方式的曝光裝置。此時(shí)，進(jìn)一步于其后，也能適用于接合方式的一次曝光裝置，其是在^f吏第2圖案與^i^反P大致靜止的狀態(tài)下，使用該投影光學(xué)系統(tǒng)使第2圖案的縮小像與第1圖案部分重疊而一次曝光于基》反P。又，作為接合方式的曝光裝置，也能適用于步ii接合方式的曝光裝置，其是在J^反P上將至少2個(gè)圖案部分重疊而轉(zhuǎn)印，并依序移動(dòng)差^反P。
又，本發(fā)明也能適用于具4^呆持141的二個(gè)J^反載臺(tái)的雙載臺(tái)型曝光裝置。
61雙栽臺(tái)型曝光裝置的構(gòu)造及曝光動(dòng)作，例如揭示于特開(kāi)平10 - 163099號(hào)及特開(kāi)平10 - 214783號(hào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專(zhuān)利6,341,007 、 6,400,441 、 6,549, 69及6，590，634),特表2000 - 505958號(hào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專(zhuān)利5, 969， 441)或美國(guó)專(zhuān)利6,208, 407，在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用上述文獻(xiàn)的揭示作為本文記栽的一部分。
再者，本發(fā)明也可適用于如特開(kāi)平11 - 135400號(hào)7>報(bào)所揭示的曝光裝置，該曝光裝置具備保持基板P的g載臺(tái)、以及裝載形成有基準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)構(gòu)件或各種光電傳感器的計(jì)測(cè)栽臺(tái)。
作為曝光裝置EX的種類(lèi)，并不限于用以將半導(dǎo)體元件圖案曝光于^i^反P的半導(dǎo)體元件制造用曝光裝置，而也能廣泛適用于液晶顯示元件制造用或顯示器制造用的曝光裝置、或用以制造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標(biāo)線片以及掩膜版等的曝光裝置等。
當(dāng)于^i4l載臺(tái)PST或掩膜版載臺(tái)MST使用線性馬達(dá)時(shí)，也可采用^f吏用了空氣軸承的氣浮型及使用了勞倫茲(Lorentz)力或電抗的磁浮型中的任一型。又，各栽臺(tái)PST、 MST，也可是沿導(dǎo)件移動(dòng)的類(lèi)型，或也可是不設(shè)導(dǎo)件的無(wú)導(dǎo)件類(lèi)型。于載臺(tái)使用線性馬達(dá)之例，是揭示于美國(guó)專(zhuān)利5,623, 853及5, 528,118,分別在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用此等文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本文記載的一部分。
作為各載臺(tái)PST、 MST的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)也可使用平面馬達(dá)，其是使二維配置有》茲鐵的;茲鐵單元與二維配置有線圏的電樞單元對(duì)向，通過(guò)電^茲力來(lái)驅(qū)動(dòng)各載臺(tái)PST、 MST。此時(shí)，只要將i茲鐵單元與電樞單元中的任一方連接于載臺(tái)PST、 MST、并將》茲4失單元與電樞單元中的另一方設(shè)置于載臺(tái)PST、 MST移動(dòng)側(cè)即可。
因基板載臺(tái)PST的移動(dòng)所產(chǎn)生的反作用力，也可使用框構(gòu)件以機(jī)械方式釋放至地面(接地)，使其不傳至投影光學(xué)系統(tǒng)PL。此反作用力的處理方法，例如，美國(guó)專(zhuān)利5, 528， 118 (特開(kāi)平8 - 166475號(hào)公4艮)所詳細(xì)揭示的內(nèi)容，在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用該文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本文記載的一部分。
因基板載臺(tái)mst的移動(dòng)所產(chǎn)生的反作用力，也可使用框構(gòu)件以才;^成方式釋
放至地面(接地)，使其不傳至投影光學(xué)系統(tǒng)pl。此反作用力的處理方法，例如，美國(guó)專(zhuān)利5， 874, 820 (特開(kāi)平8 - 330224號(hào)^>才艮)所詳細(xì)揭示的內(nèi)容，在本國(guó)際申請(qǐng)案的指定或選擇的國(guó)家法令所容許的范圍內(nèi)，援用該文獻(xiàn)的記載內(nèi)容作為本文記載的一部分。
如上所述，本申請(qǐng)案的實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX，通過(guò)組裝各種次系統(tǒng)(包含本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)中所列舉的各構(gòu)成要素)，以能保持既定的機(jī)械精度、電氣精度、光學(xué)精度的方式所制造。為確保這些各種精度，于組裝前后，進(jìn)4亍對(duì)各種光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成光學(xué)精度的調(diào)整、對(duì)各種機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成機(jī)械精度的調(diào)整、對(duì)各種電氣系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成電氣精度的調(diào)整。從各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝制程，包含機(jī)械連接、電路的配線連接、氣壓回路的配管連接等。當(dāng)然，從各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝制程前，有各次系統(tǒng)個(gè)別的組裝制程。當(dāng)各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝制程結(jié)束后，即進(jìn)行綜合調(diào)整，以確保曝光裝置整體的各種精度。此外，曝光裝置的制造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理的潔凈室進(jìn)行。
半導(dǎo)體元件的《毀元件，如圖33所示，是經(jīng)由下述步驟所制造，即進(jìn)行蕃t元件的功能、性能設(shè)計(jì)的步驟201、根據(jù)此設(shè)計(jì)步驟制作掩膜版(標(biāo)線片)的步驟202、制造構(gòu)成元件基材的基板的步驟203、通過(guò)前述實(shí)施形態(tài)的曝光裝置ex將掩膜版圖案曝光于a的曝光處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等。
根據(jù)本發(fā)明，由于即使在4吏掃描速度高速化時(shí)，也可將液體的液浸區(qū)域維持于所欲狀態(tài)，因此能以良好效率良好地進(jìn)行曝光處理。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，是透過(guò)液體將曝光用光照射于基板，以使該基板曝光，其特征在于，具備光學(xué)系統(tǒng)，具有與基板對(duì)向的端面，使照射于基板的曝光用光通過(guò)；以及液浸機(jī)構(gòu)，供應(yīng)該液體且回收該液體；該液浸裝置具有板構(gòu)件，該板構(gòu)件具有以和該基板平行對(duì)向的方式配置于該基板與該光學(xué)系統(tǒng)端面之間、且配置成包圍曝光用光的光路的平坦面；從設(shè)于該光學(xué)系統(tǒng)端面附近的供應(yīng)口將液體供應(yīng)至該光學(xué)系統(tǒng)端面與該板構(gòu)件間的空間，且從回收口回收液體，該回收口是在較該板構(gòu)件的平坦面更離開(kāi)該曝光用光光路的位置配置成與基板對(duì)向。
2. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該4反構(gòu)件，具有與該光 學(xué)系統(tǒng)端面對(duì)向的第1面以及與該差4l^t向的第2面。
3. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該供應(yīng)口配置于該曝光 用光的光路兩側(cè)。
4. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，能從該供應(yīng)口將氣體供 應(yīng)至該光學(xué)系統(tǒng)端面與該》反構(gòu)件間的空間。
5. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸裝置具備不同于 該供應(yīng)口 、連接于該光學(xué)系統(tǒng)端面與該板構(gòu)件間的空間的開(kāi)口 。
6. 如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，透過(guò)該開(kāi)口排出該光學(xué) 系統(tǒng)端面與該板構(gòu)件間的空間內(nèi)的液體。
7. 如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，透過(guò)該開(kāi)口回收該光學(xué) 系統(tǒng)端面與該板構(gòu)件間的空間內(nèi)的液體。
8. 如權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于，為^f吏該曝光用光的光路 空間成為非液浸狀態(tài)，而從該開(kāi)口進(jìn)行液體的回收。
9. 如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，該開(kāi)口連接于吸引機(jī)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，該開(kāi)口能將氣體供應(yīng)至該光學(xué)系統(tǒng)端面與該板構(gòu)件間的空間。
11. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該板構(gòu)件，對(duì)應(yīng)該曝 光用光的照射區(qū)域的形狀，而具有該曝光用光通過(guò)的既定形狀的開(kāi)口 。
12. 如權(quán)利要求11所述的膝光裝置，其特征在于，該板構(gòu)件具有該曝光 用光通過(guò)的開(kāi)口；供應(yīng)至該板構(gòu)件的一面與該光學(xué)系統(tǒng)端面間的空間的液體，能透過(guò)該開(kāi) 口流入該板構(gòu)件的另 一 面與該差^反間的空間。
13. 如權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其特征在于，該供應(yīng)口配置于該板 構(gòu)件的平坦面上方。
14. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該供應(yīng)口朝向與基板 平《亍的方向送出液體。
15. 如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，于該基板的曝光中， 持續(xù)從該供應(yīng)口供應(yīng)液體與從該回收口回收液體，而以液體充滿該光學(xué)系統(tǒng) 的端面與該基&間。
16. 如權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸 機(jī)構(gòu)，相對(duì)該曝光用光的光路，在該板構(gòu)件的平坦面外側(cè)具有對(duì)此平坦面傾 在斗的4斗面。
17. 如權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于，該回收口形成于該斜面。
18. 如權(quán)利要求16所迷的曝光裝置，其特征在于，該回收口相對(duì)該曝光 用光的光路形成于該斜面外側(cè)。
19. 如權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)，能在該 斜面與該基板之間形成液浸區(qū)域的界面，該液浸區(qū)域的界面是形成于該基板 上一部分。
20. 如權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于，該斜面相對(duì)該平坦面 以3~20度的角度傾4斗。
21. —種曝光裝置，是透過(guò)液體將曝光用光照射于基板，以使該基板曝 光，其特征在于，具備投影光學(xué)系統(tǒng)；以及液浸機(jī)構(gòu)，供應(yīng)該液體且回收該液體；該液浸機(jī)構(gòu)，具有形成為與該14l表面對(duì)向、且與該J4l^面成平4亍的 平坦部；該液浸機(jī)構(gòu)的平坦部，在該投影光學(xué)系統(tǒng)的《象面?zhèn)榷嗣媾c該基^反間配置 成包圍該曝光用光所照射的投影區(qū)域；該液浸機(jī)構(gòu)的液體供應(yīng)口 ，相對(duì)該曝光用光所照射的投影區(qū)域配置于該 平坦部外側(cè)。
22. 如權(quán)利要求21所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)的液體回 收口，配置成相對(duì)該投影區(qū)域位于該平坦部外側(cè)、且包圍該平坦部。
23. 如權(quán)利要求21所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)的液體回 收口 ，配置成相對(duì)該投影區(qū)i或位于該液體供應(yīng)口外側(cè)、且包圍該平坦部。
24. 如權(quán)利要求22所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)具有形成 為與i亥14^面^f向的斜面，該液浸積4勾的液體回)]丈口形成于該凍牛面。
25. 如權(quán)利要求24所述的曝光裝置，其特征在于，該斜面形成為，當(dāng)其 與該曝光用光的光軸的距離越長(zhǎng)則與該基板間的間隔越大。
26. 如權(quán)利要求24所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)，于該斜 面周^彖具有用來(lái)抑制該液體漏出的壁部。
27. 如權(quán)利要求22所述的曝光裝置，其特征在于，于該液體回收口配置 有多孔構(gòu)件。
28. 如權(quán)利要求21所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)具備形成 有使該曝光用光通過(guò)的開(kāi)口部的板狀構(gòu)件，以該板狀構(gòu)件的一面為該平坦 部，將該板狀構(gòu)件配置成與該基板表面對(duì)向。
29. 如權(quán)利要求21至28中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)，于該a的曝光中持續(xù)該液體的供應(yīng)與回收。
30. —種曝光裝置，是透過(guò)液體將曝光用光照射于基板，以使該基板曝 光，其特征在于，具備投影光學(xué)系統(tǒng)；以及液浸一幾構(gòu)，供應(yīng)該液體且回收該液體；該液浸W勾，具有液體供應(yīng)口 ，設(shè)于該曝光用光的光路空間外側(cè)的第1位置、且供應(yīng)液體；以及導(dǎo)引構(gòu)件，導(dǎo)引液體，使該液體供應(yīng)口所供應(yīng)的液體透過(guò)該光路空間流 向與該光路空間外側(cè)的該第1位置相異的第2位置。
31. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，該導(dǎo)引構(gòu)件，是用以 防止氣體殘留于該曝光用光的光路空間的液體中。
32. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，該導(dǎo)引構(gòu)件是使液體 流動(dòng)，能使渦流不會(huì)產(chǎn)生于該光路空間內(nèi)。
33. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，該導(dǎo)引構(gòu)件，具有配 置于該投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)?、使該曝光用光通過(guò)的開(kāi)口部。
34. 如權(quán)利要求33所述的曝光裝置，其特征在于，該開(kāi)口部呈十字形。
35. 如權(quán)利要求33所述的曝光裝置，其特征在于，該液體供應(yīng)口，是將 液體供應(yīng)至包含該投影光學(xué)系統(tǒng)與該導(dǎo)引構(gòu)件間的空間的內(nèi)部空間。
36. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，該導(dǎo)引構(gòu)件具有配置 成與該1^反對(duì)向的平坦部。
37. 如權(quán)利要求36所述的曝光裝置，其特征在于，該平坦部配置成包圍 該曝光用光；該液浸裝置，在相對(duì)該曝光用光的光皿該平坦部更外側(cè)處，具備配置 成與該基d反對(duì)向的液體回收口 。
38. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，該液體供應(yīng)口包含分別i殳于該光路空間兩側(cè)的^f^應(yīng)口 。
39. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，于該第2位置或其附 近配置有排氣口。
40. 如權(quán)利要求39所述的曝光裝置，其特征在于，該排氣口，與該投影 光學(xué)系統(tǒng)的像面周?chē)臍怏w連接。
41. 如權(quán)利要求39所述的曝光裝置，其特征在于，該排氣口連"l妻于吸氣 系統(tǒng)。
42. 如權(quán)利要求39所述的曝光裝置，其特征在于，該排氣口包含分別設(shè) 于該光路空間兩側(cè)的供應(yīng)口 。
43. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，該導(dǎo)引構(gòu)件，具有用 以形成/人該第l位置朝向該光路空間的流路的第l導(dǎo)引部、以及用以形成從 該光路空間朝向該第2位置的流路的第2導(dǎo)引部，以該第1導(dǎo)引部形成的流 路和以該第2導(dǎo)引部形成的流路交叉。
44. 如權(quán)利要求43所述的曝光裝置，其特征在于，以該第l導(dǎo)引部與該 第2導(dǎo)引部來(lái)形成呈十字形的開(kāi)口部。
45. 如權(quán)利要求44所述的曝光裝置，其特征在于，該曝光用光通過(guò)該十 字形開(kāi)口部的中央部。
46. 如權(quán)利要求43所述的曝光裝置，其特征在于，以該第l導(dǎo)引部形成 的流路寬度、以和該第2導(dǎo)引部形成的流路寬度相同。
47. 如權(quán)利要求43所述的曝光裝置，其特征在于，以該第2導(dǎo)引部形成的流路寬度小于以該第1導(dǎo)引部形成的流路寬度。
48. 如權(quán)利要求30所述的曝光裝置，其特征在于，vt人第l位置透過(guò)該光 路空間流向第2位置的液體流路彎曲。
49. 如權(quán)利要求48所述的曝光裝置，其特征在于，該液體流路是在該光 路空間或其附近彎曲。
50. —種曝光裝置，是透過(guò)液體將曝光用光照射于基板，以使該基板曝光，其特征在于，具備光學(xué)構(gòu)件，具有與該液體接觸的端面，并使該曝光用光通過(guò)；以及 液浸才幾構(gòu)，供應(yīng)該液體且回收該液體；該液浸裝置，具有配置成與該基板平行對(duì)向、且包圍該曝光用光的光路 的平i旦面，以及相對(duì)該曝光用光的光路、于該平坦面外側(cè)相對(duì)該平i旦面傾斜 的斜面。
51. 如權(quán)利要求50所述的曝光裝置，其特征在于，該平坦面及該斜面是 連續(xù)形成。
52. 如權(quán)利要求50所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸才幾構(gòu)，能在該 斜面與該差^反之間形成液浸區(qū)域的界面，該液浸區(qū)域的界面是形成于該基4反 上一部分。
53. 如權(quán)利要求50所述的曝光裝置，其特征在于，該斜面相對(duì)該平坦面 以3~20度的角度傾斜。
54. 如權(quán)利要求50所述的曝光裝置，其特征在于，該液浸機(jī)構(gòu)，具有配 置成與該基板對(duì)向的回收口 。
55. 如權(quán)利要求54所述的曝光裝置，其特征在于，該回收口相對(duì)該曝光 用光的光路形成于該斜面外側(cè)。
56. 如權(quán)利要求1或54所述的曝光裝置，其特征在于，于該回收口配置有多孔構(gòu)件。
57. 如權(quán)利要求56所述的曝光裝置，其特征在于，該回收口，能在不伴 隨氣體的狀態(tài)下僅回收液體。
58. —種元件制造方法，其特征在于 是使用權(quán)利要求1至57中任一項(xiàng)所述的曝光裝置。
59. —種曝光方法，是透過(guò)光學(xué)構(gòu)件與液體將曝光用光照射于基板，以 使該基板曝光，其特征在于將基板配置成與該光學(xué)構(gòu)件的端面對(duì)向；將液體供應(yīng)至在該光學(xué)構(gòu)件端面與該基板間配置成包圍該曝光用光的 光路的板構(gòu)件一面、與該光學(xué)構(gòu)件端面之間的空間，以液體充滿該光學(xué)構(gòu)件端面與該差^反之間的空間、以及該寺反構(gòu)件的另 一面與該基^反之間；以和該液體的供應(yīng)并4于的方式/人配置成與該基纟反對(duì)向的回收口回收液體，以在該基板上的一部分形成液浸區(qū)域；透過(guò)于該基板上的一部分形成液浸區(qū)域的液體，將曝光用光照射于該基板，以使該基板曝光。
60. 如權(quán)利要求59所述的曝光方法，其特征在于，該板構(gòu)件的另一面，包含與該J4l表面平行且與該基板對(duì)向的平坦面。
61. 如權(quán)利要求60所述的曝光方法，其特征在于，該回收口，相對(duì)該曝 光用光的光路配置于該平坦面外側(cè)。
62. 如權(quán)利要求59所述的曝光方法，其特征在于，該4反構(gòu)件具有^f吏該曝 光用光通過(guò)的開(kāi)口；供應(yīng)至該板構(gòu)件的一面與該光學(xué)構(gòu)件端面間的空間的液體，能透過(guò)該開(kāi) 口流入該;敗構(gòu)件的另一面與該差^反之間的空間。
全文摘要
一種曝光裝置(EX)，是透過(guò)液體(LQ)將曝光用光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，具備光學(xué)系統(tǒng)(PL)，具有與基板(P)對(duì)向的端面(T1)，使照射于基板(P)的曝光用光(EL)通過(guò)；以及液浸機(jī)構(gòu)(11，21等)，是供應(yīng)液體(LQ)且回收液體；該液浸裝置具有板構(gòu)件(172D)，該板構(gòu)件具有以和基板(P)平行對(duì)向的方式配置于基板(P)與光學(xué)系統(tǒng)端面(T1)之間、且配置成包圍曝光用光(EL)的光路的平坦面(75)；從設(shè)于光學(xué)系統(tǒng)端面(T1)附近的供應(yīng)口(12)將液體(LQ)供應(yīng)至光學(xué)系統(tǒng)端面(T1)與板構(gòu)件(172D)間的空間(G2)，且從回收口(22)回收液體，該回收口(22)是在較該板構(gòu)件的平坦面(75)更離開(kāi)曝光用光(EL)光路的位置配置成與基板(P)對(duì)向。本發(fā)明還公開(kāi)了一種曝光方法及元件制造方法。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101639631SQ20091016369
公開(kāi)日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2005年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月10日
發(fā)明者奧山猛, 長(zhǎng)坂博之 申請(qǐng)人:尼康股份有限公司;尼康工程股份有限公司