專利名稱：用于液晶顯示器件的陣列基板、其制造方法、以及具有其的液晶顯示器件的制作方法
技術領域：
本申請公開的內(nèi)容涉及一種液晶顯示器件，并且尤其是涉及一種用于液晶顯示器 件的陣列基板、其制造方法、以及具有所述陳列基板的液晶顯示器件，所述陣列基板的制造 方法是一種適于通過使光漏電流最小化來提高圖像質(zhì)量的制造方法。
背景技術：
通常，液晶顯示器件通過利用電場來對液晶的透光率進行控制，從而顯示圖像。為 此，液晶顯示器件包括像素區(qū)域排列成矩陣形狀的液晶顯示面板、用于驅(qū)動液晶顯示面板 的驅(qū)動電路、以及用于向液晶顯示面板提供指定量的光的背光單元。 在液晶顯示面板中，多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉設置，并且像素區(qū)域位于由柵線 與數(shù)據(jù)線的垂直交叉點所限定的區(qū)域中。在液晶顯示面板中形成有用于將電場施加到每個 像素區(qū)域上的像素電極和公共電極。每個像素電極通過薄膜晶體管(即開關器件)的源極 端和漏極端而與數(shù)據(jù)線相連。通過施加到柵線上的掃描脈沖導通薄膜晶體管以使數(shù)據(jù)線的 數(shù)據(jù)信號在像素電極中充電。 液晶顯示面板包括兩個基板(上下基板)以及形成于這兩個基板之間的液晶 層。在這兩個基板中的上基板上形成有濾色器和黑矩陣，而在下基板中形成有薄膜晶體管 (TFT)以對應于所述的黑矩陣。 通過形成液晶層的液晶單元、黑矩陣、液晶顯示面板上基板的濾色器將從背光單 元的光源射出的光反射，由此來影響薄膜晶體管的溝道層。因此，這將影響在像素電極中充 電的像素電壓并由此在像素電極中充電的像素電極與提供給數(shù)據(jù)線的實際數(shù)據(jù)信號之間 產(chǎn)生差別，從而產(chǎn)生例如顯示不想要的圖像這樣的圖像質(zhì)量劣化問題。 薄膜晶體管的溝道層會受到光的影B向，因此如果上基板的液晶單元、黑矩陣、以及 濾色器所反射的光進入到薄膜晶體管的溝道層，那么就會在溝道層中產(chǎn)生漏電流。由此，這 會影響在像素電極中充電的像素電壓，從而產(chǎn)生圖像質(zhì)量劣化，例如產(chǎn)生不想要的圖案。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的實施方案涉及可基本上消除由于現(xiàn)有技術的限制和缺陷所導致的 一個或多個問題的液晶顯示器件。 本申請公開的實施方案的發(fā)明目的是提供一種液晶顯示器件的陣列基板、其制造 方法、以及具有所述陣列基板的液晶顯示器件，所述制造方法適于通過在鈍化層上形成與 薄膜晶體管的溝道層相對應的屏蔽薄膜以便攔截由液晶單元、黑矩陣、以及濾色器所反射 的光從而使薄膜晶體管的溝道層的漏電流所引起的圖像質(zhì)量劣化達到最小化。
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本申請公開的實施方案的另一發(fā)明目的是提供一種液晶顯示器件的陣列基板、適
于提高圖像質(zhì)量的所述陣列基板的制造方法、以及具有所述陣列基板的液晶顯示器件。 在隨后的描述中闡述了這些實施方案的附加特點和優(yōu)點，并且在某種程度上從該
描述中可顯而易見地得知，或者可從該實施方案的實施中學習到。這些實施方案的優(yōu)點是
通過尤其在文字描述及其權利要求書以及附圖中所指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得的。
在本發(fā)明實施方案的一個總的方面中，用于液晶顯示器件的陣列基板包括基板；
柵電極，該柵電極形成在所述的基板上；柵絕緣薄膜，該柵絕緣薄膜形成在形成有柵電極的
基板上；半導體層，該半導體層形成在形成有柵絕緣薄膜的基板上以便與柵電極相對應；
源電極和漏電極，該源電極和漏電極在形成有半導體層的基板上彼此相隔；鈍化層，該鈍化
層形成在形成有源電極和漏電極的基板的整個表面中；屏蔽薄膜(shielding film)，該屏
蔽薄膜位于鈍化層上以與柵電極相對應；像素電極，該像素電極形成在鈍化層之上以與屏
蔽薄膜相隔并且通過接觸孔與漏電極電連接。 在本發(fā)明實施方案的另一方面中，液晶顯示器件的陣列基板的制造方法包括制 備基板的步驟；在基板上形成柵電極的第一掩模工藝步驟；在形成有柵電極的基板上形成 柵絕緣薄膜的步驟；在形成有柵絕緣薄膜的基板上形成與柵電極相對應的有源層，在有源 層上形成彼此相隔的源電極和漏電極，并且在源電極和漏電極與有源層之間形成歐姆接觸 層的第二掩模工藝步驟；在形成有源電極和漏電極以及歐姆接觸層的基板上形成鈍化層的 步驟；在鈍化層上形成接觸孔以使一部分漏電極曝露的第三掩模工藝步驟；以及在鈍化層 上形成通過接觸孔與漏電極相連的像素電極，和與像素電極同時形成且位于與柵電極相對 應的位置的屏蔽薄膜的第四掩模工藝步驟。 在本發(fā)明實施方案的另一方面中，液晶顯示器件包括液晶顯示面板；以及用于 將光照射到液晶顯示面板的光源，并且其中液晶顯示面板包括具有薄膜晶體管的第一基 板，所述薄膜晶體管包括柵電極、形成在柵電極上的柵絕緣薄膜、形成于柵絕緣薄膜上的與 柵電極相對應的半導體層、半導體層上的彼此相隔的源電極和漏電極、形成在源電極和漏 電極上的鈍化層、通過接觸孔與鈍化層上的漏電極電連接的像素電極、以及與像素電極同 時形成且位于與鈍化層上的柵電極相對應的位置的屏蔽薄膜；第二基板，該第二基板與第 一基板相面對并且包括濾色器和黑矩陣；以及形成在第一和第二基板上的有源層，并且其 中屏蔽薄膜攔截從光源射出的光以便防止光通過在第二基板的液晶層、黑矩陣、以及濾色 器中反射而進入到半導體層的溝道部分。 本領域普通技術人員在審閱了附圖和詳細描述后可顯而易見地得知本發(fā)明可以 有多種其它的系統(tǒng)、方法、特征、以及優(yōu)點。所有這些其它的系統(tǒng)、方法、特征、以及優(yōu)點也都 包含在本文的描述之中、且落在本申請公開內(nèi)容的范圍之內(nèi)、并且受到隨后所附權利要求 的保護。不應認為這部分是對那些權利要求書要求保護范圍所做出的限制。下面結(jié)合各實 施方案對本發(fā)明的其它各方面和優(yōu)點進行討論。應該了解的是對本申請公開的先前概述及 其后詳細描述都是示例性和說明性的，且意欲對權利要求書所要求保護的發(fā)明提供進一步 的說明。 附圖的簡要描述 用于對本發(fā)明的實施方案提供進一步理解，和結(jié)合在申請中且構(gòu)成了本申請一部 分的本申請所附的附圖對本發(fā)明公開的實施方案進行了說明，并且與本申請說明書一起用
5于對本發(fā)明的公開進行解釋。在附圖中

圖1是用于對根據(jù)本申請公開的實施方案的液晶顯示器件的陣列基板的一部分 進行說明的示意圖； 圖2是沿著線I-I'截取的圖1薄膜晶體管(TFT)的剖面圖； 圖3至8是用于按順序地說明圖1薄膜晶體管的制造方法的示意圖；以及 圖9是用于對現(xiàn)有技術薄膜晶體管的漏電流與根據(jù)本發(fā)明公開的薄膜晶體管的
漏電流進行比較的曲線圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細參見本發(fā)明公開的實施方案，在本申請的附圖中對該公開的實施方案的 實施例進行了說明。 提供下文中介紹的這些實施方案是為了以示例的方式向本領域普通技術人員傳 達這些實施方案的精神。因此，這些實施方案可具體體現(xiàn)為不同方式，本發(fā)明并不局限于在 此所描述的這些實施方案。此外，在附圖中為了方便起見夸大地示出了所述器件的大小和 厚度。只要可能，在包括附圖的本發(fā)明的公開中盡量使用相同的參考標記指代相同或相似 的部件。 圖1是用于對根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案的液晶顯示器件的陣列基板的一部分 進行說明的示意圖。 如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案的液晶顯示器件的陣列基板包括在玻璃 基板201上的柵線GL和數(shù)據(jù)線DL，所述柵線在其端部具有柵極焊盤214，所述數(shù)據(jù)線DL與 所述柵線GL相交以限定像素區(qū)域P并且在所述數(shù)據(jù)線DL的一端具有數(shù)據(jù)焊盤218。
柵極焊盤電極216和數(shù)據(jù)焊盤電極220的每一個都分別位于柵極焊盤214和數(shù)據(jù) 焊盤218的上部并分別與柵極焊盤214和數(shù)據(jù)焊盤218接觸。 在柵線GL與數(shù)據(jù)線DL的交叉區(qū)域上形成了包括柵極202、包含歐姆接觸層的半導 體層204、源極206、漏極208、以及屏蔽圖案212的薄膜晶體管TFT。 在所述像素區(qū)域P中形成了與薄膜晶體管TFT的漏電極208電連接的像素電極 210。 薄膜晶體管TFT的柵極202是與柵線GL同時形成的并且與柵線GL電連接。源極 206是與數(shù)據(jù)線DL同時形成的并且與數(shù)據(jù)線DL電連接。 如圖1所示，薄膜晶體管(TFT)可以成諸如"U"形或者島形這樣的各種形狀。
薄膜晶體管TFT的屏蔽圖案212與像素電極210同時形成，并且可以由與像素電 極210相同的材料來形成。當光從背光照射到包括用于液晶顯示器件的陣列基板的液晶顯 示面板時，屏蔽圖案212起到了屏蔽從液晶單元、濾色器、以及形成在與液晶顯示器件的陣 列基板相面對的濾色器基板上的黑矩陣反射的且施加到薄膜晶體管TFT上的光這樣的作 用。 圖2是沿著線I-I'截取的圖1的薄膜晶體管TFT的剖面圖。
如圖2所示，薄膜晶體管TFT包括從柵線GL延伸出的柵電極202、在形成有柵電極 202的基板201上形成的柵絕緣薄膜203、在柵絕緣薄膜203上形成的與柵電極202相對應 的半導體層204、在半導體層204上形成的彼此相隔的源電極和漏電極206，208、在形成有源電極和漏電極206， 208的基板201上形成的鈍化層205、以及在鈍化層205上形成的與柵 電極202相對應的屏蔽圖案212。 另一方面，漏電極208通過鈍化層205上的接觸孔與像素電極210電連接。
半導體層204包括有源層204a和歐姆接觸層204b。 屏蔽圖案212形成于鈍化層205上以與柵電極202相對應并且由相同于像素電 極210材料的銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)形成。屏蔽圖案212可以由鉬鈦合金 (MoTi)、銅(Cu)、鉬合金(MoNb)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、以及鋁(AINd)中的任何一種來形成。
當光從背光照射到包括具有薄膜晶體管TFT的用于液晶顯示器件的陣列基板的 液晶顯示面板時，屏蔽圖案212起到了屏蔽由形成在與液晶顯示器件的陣列基板相面對的 濾色器陣列基板中的液晶單元、濾色器、以及黑矩陣反射到薄膜晶體管TFT的光這樣的作 用。 如果從背光所照射的光被濾色器陣列基板的液晶單元、濾色器、以及黑矩陣反射 以進入到薄膜晶體管TFT的半導體層204的溝道層時，則漏電流就會在薄膜晶體管TFT的 溝道層中流動。因此，在鈍化層205上形成屏蔽圖案212，就可以防止由濾色器陣列基板的 液晶單元、濾色器、以及黑矩陣所反射的光流入到薄膜晶體管TFT的溝道層中，從而可以使 漏電流達到最小化。 屏蔽圖案212可以以各種形狀來形成，該所述的屏蔽圖案212的形狀能夠通過形
成在濾色器陣列基板中的結(jié)構(gòu)而防止光進入到薄膜晶體管TFT的溝道層。 圖3至8是順序地說明圖1的薄膜晶體管的制造方法的示意圖。 如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案的薄膜晶體管的第一掩模工藝選擇包括
鋁Al、鋁合金AlNd、鴇W、鉻Cr、鉬Mo等的導電金屬組中的任何一種導電金屬將該所述導電
金屬沉積在基板201上，并將其構(gòu)圖以形成柵電極202。 如圖4所示，在形成有柵電極202的基板201的整個表面形成柵絕緣薄膜203。通 過選擇包括氮化硅SiNx、氧化硅a-Si:H等的無機絕緣材料組中的任何一種無機絕緣材料， 將該無機絕緣材料沉積在基板201上來形成柵極絕緣薄膜203。依照情況需要，通過沉積包 括苯并環(huán)丁烷BCB、丙烯酸樹脂等的有機絕緣材料中的任何一種有機絕緣材料來形成柵絕 緣薄膜203。 使非晶硅a-Si:H 204A沉積以形成在已形成有柵絕緣薄膜203的基板201上，和 將摻雜的非晶硅n+a-Si:H 204B沉積以形成在非晶硅204A上。使導電金屬薄膜207沉積 以形成在形成有非晶硅204A和摻雜的非晶硅204B的基板201上。 導電金屬薄膜207由包括鋁Al、鋁合金AlNd、鴇W、鉻Cr、鉬Mo等的導電金屬組中 的任何一種導電金屬來形成。 如圖5所示，通過第二掩模工藝來構(gòu)圖非晶硅204A、摻雜的非晶硅204B、以及導電 金屬薄膜207。 具體地說，在形成有非晶硅204A、摻雜的非晶硅204B、以及金屬圖案207的基板 201上形成光敏膜(未示出)(photosensitive)。如果包括透光部分、半透光部分、以及光 屏蔽部分的掩模(未示出)位于形成有光敏膜的基板201上，那么使光照射到掩模的上部， 使下部的光敏膜曝光并顯影，此后根據(jù)掩模的透光部分、半透光部分、以及屏蔽部分所處的 區(qū)域而在基板201上構(gòu)圖光敏膜。
形成有圖案化光敏膜的基板201按順序地經(jīng)歷灰化處理和蝕刻處理。通過該處 理，使導電金屬薄膜形成為彼此相隔的源電極和漏電極206， 208，使摻雜的非晶硅204B形 成為能使源電極和漏電極206， 208相隔一距離的歐姆接觸層204B。使非晶硅204B的一部 分曝露于外部以成為有源層204a。 如圖6所示，在形成有源電極和漏電極206，208的基板201上形成鈍化層205。鈍 化層205起到了保護源電極和漏電極206，208、有源層204a、以及歐姆接觸層204b使之免 于遭受來自外部的雜質(zhì)的影響這樣的作用。通過使漏電極208的一部分在形成有鈍化層 205的基板201上曝露的第三掩模工藝來形成接觸孔。 接觸孔形成在鈍化層205上以使漏電極208的一部分曝露于外部。 如圖7所示，在形成有包括接觸孔的鈍化層205的基板201上形成透明金屬薄膜
209。透明金屬薄膜209形成在基板201的整個表面上以與部分曝露的漏電極208相連。透
明金屬薄膜209是由從包括銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導電金屬組中選
擇出來的任何一個種形成。 如圖8所示，通過第四掩模工藝構(gòu)圖所述形成在基板201的整個表面上的透明金 屬薄膜209。 具體地說，在形成有透明金屬薄膜209的基板201的上部上形成光敏膜(未示 出)，包括透光部分和光屏蔽部分的掩模(未示出)位于光敏膜的上部。此后，如果光照射 到掩模的上部以曝光并且顯影下部的光敏膜，那么根據(jù)掩模的透光部分和光屏蔽部分所處 的區(qū)域來構(gòu)圖光敏膜。 分別在漏電極208所處的部分以及柵電極202所處的部分上形成構(gòu)圖后圖案化的 光敏膜。如果在除去了曝露于圖案化的光敏膜之間的透明金屬薄膜209之后移除了圖案化 的光敏膜，那么就在形成有鈍化膜205的基板201上在對應于柵電極202的位置上形成了 屏蔽圖案212。 如上所述，該屏蔽圖案212可以由與像素電極210相同材料的銦錫氧化物(ITO) 或銦鋅氧化物(IZO)來形成。此外，屏蔽圖案212可以是由鉬鈦MoTi、銅Cu、鉬合金MoNb、 鉬Mo、鉻Cr、以及鋁合金AlNd中的任何一種材料來形成。 當光從背光照射到包括有用于液晶顯示器件的陣列基板的液晶顯示面板時，所述 液晶顯示器件具有包括有屏蔽圖案212的薄膜晶體管TFT，屏蔽圖案212起到的作用是屏蔽 由形成在與液晶顯示器件的一陣列基板相面對的濾色器陣列基板中的液晶單元、濾色器、 以及黑矩陣反射到薄膜晶體管TFT的光。 如果從背光所照射的光被濾色器陣列基板的液晶單元、濾色器、以及黑矩陣反射 并且進入到薄膜晶體管TFT的半導體層204的溝道層時，漏電流就會在薄膜晶體管TFT的 溝道層中流動。因此，在鈍化層205上形成屏蔽圖案212，這樣就可以防止由濾色器陣列基 板的液晶單元、濾色器、以及黑矩陣反射的光進入到薄膜晶體管TFT的溝道層中，從而使漏 電流達到最小化。 由于使薄膜晶體管TFT的漏電流達到了最小化，因此在與薄膜晶體管TFT相連的
像素電極中充電的像素電壓就不會受到影響，從而可以提高圖像質(zhì)量。 圖9是對現(xiàn)有技術的薄膜晶體管的漏電流與根據(jù)本發(fā)明公開的薄膜晶體管的漏
電流進行比較的曲線圖。
如圖9所示，該曲線圖的橫軸是施加到薄膜晶體管的柵極端的柵電壓Vg，并且該 曲線圖的縱軸是薄膜晶體管的漏電流loff。 當施加了-5V的柵電壓Vg時，現(xiàn)有技術薄膜晶體管的漏電流是692pA，而根據(jù)本發(fā) 明公開的包括屏蔽圖案212的薄膜晶體管的漏電流是166pA。因此，可以觀察到當與現(xiàn)有技 術薄膜晶體管的漏電流相比時根據(jù)本發(fā)明公開的包括屏蔽圖案212的薄膜晶體管的漏電 流降低了 70%。圖9所示的曲線圖是一實驗數(shù)據(jù)，但是其可以表明與現(xiàn)有技術薄膜晶體管 的漏電流相比根據(jù)本發(fā)明公開的包括屏蔽圖案212的薄膜晶體管的漏電流降低了很多。
因此，如本發(fā)明的公開內(nèi)容所述，屏蔽圖案包含在鈍化層中，因此通過防止從背光 照射的光通過濾色器陣列基板進入到薄膜晶體管的溝道層從而使漏電流達到最小化。由于 使薄膜晶體管的漏電流達到了最小化，因此在與薄膜晶體管TFT相連的像素電極中充電的 像素電壓就不會受到影響，這樣就可以提高圖像質(zhì)量，顯示所期望的圖像。
如上所述，本發(fā)明在鈍化層上形成屏蔽薄膜以對應于薄膜晶體管的溝道層以此攔 截由在上基板中所形成的液晶單元、黑矩陣、以及濾色器反射的光，并使溝道層的漏電流達 到最小化，從而提高了圖像質(zhì)量。 雖然通過上述實施方案已對本發(fā)明進行了說明，但是本領域普通技術人員應該理 解的是本發(fā)明并不局限于這些實施方案，而是在不脫離本發(fā)明精神的情況下可做出各種改 變或修改。因此，本發(fā)明的范圍僅僅是由所附的權利要求及其等同物來確定。
權利要求
一種液晶顯示器件的陣列基板包括基板；柵電極，該柵電極形成在所述基板上；柵絕緣薄膜，該柵絕緣薄膜形成在形成有柵電極的基板上；半導體層，該半導體層形成在形成有柵絕緣薄膜的基板上以便與柵電極相對應；源電極和漏電極，該源電極和漏電極在形成有半導體層的基板上彼此相隔；鈍化層，該鈍化層形成在形成有源電極和漏電極的基板的整個表面；屏蔽薄膜，該屏蔽薄膜位于鈍化層上與柵電極相對應；像素電極，該像素電極形成在鈍化層之上以與屏蔽薄膜相隔并且通過接觸孔與漏電極電連接。
2. 根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中屏蔽薄膜攔截進入到半導體層的溝道部分中 的光。
3. 根據(jù)權利要求l所述的陣列基板，其中屏蔽薄膜是由銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物 (IZO)、鉬鈦(MoTi)、銅(Cu)、鉬合金(MoNb)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、以及鋁合金(AlNd)中的任何 一種材料來形成。
4. 一種液晶顯示器件的陣列基板的制造方法，包括 制備基板的步驟；在基板上形成柵電極的第一掩模工藝步驟； 在形成有柵電極的基板上形成柵絕緣薄膜的步驟；在形成有柵絕緣薄膜的所述基板上形成與柵電極相對應的有源層、在有源層上形成彼 此相隔的源電極和漏電極、以及在源電極和漏電極與有源層之間形成歐姆接觸層的第二掩 模工藝步驟；在形成有源電極和漏電極以及歐姆接觸層的基板上形成鈍化層的步驟； 在鈍化層上形成接觸孔以使漏電極的一部分曝露的第三掩模工藝步驟；以及 在鈍化層上形成通過接觸孔與漏電極相連的像素電極以及與像素電極同時形成且位 于與柵電極相對應的位置的屏蔽薄膜的第四掩模工藝步驟。
5. 根據(jù)權利要求4所述的制造方法，其中屏蔽薄膜是由銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物 (IZO)、鉬鈦(MoTi)、銅(Cu)、鉬合金(MoNb)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、以及鋁合金(AlNd)中的任何 一種材料來形成。
6. 根據(jù)權利要求4所述的制造方法，其中屏蔽薄膜攔截進入到有源層的光。
7. —種液晶顯示器件，包括 液晶顯示面板；以及 用于將光照射到液晶顯示面板的光源， 其中所述的液晶顯示面板包括具有薄膜晶體管的第一基板，所述薄膜晶體管包括柵電極、形成在柵電極上的柵絕緣 薄膜、形成在柵絕緣薄膜上的與柵電極相對應的半導體層、半導體層上的彼此相隔的源電 極和漏電極、形成在源電極和漏電極上的鈍化層、通過接觸孔與鈍化層上的漏電極電連接 的像素電極、以及與像素電極同時形成且位于與鈍化層上的柵電極相對應的位置的屏蔽薄 膜；第二基板，該第二基板與第一基板相面對并且包括濾色器和黑矩陣；以及 形成在第一和第二基板上的有源層，其中屏蔽薄膜攔截從光源射出的光以便防止光通過在第二基板的液晶層、黑矩陣、以 及濾色器中反射而進入到半導體層的溝道部分。
8.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示器件，其中屏蔽薄膜是由銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧 化物(IZ0)、鉬鈦(MoTi)、銅(Cu)、鉬合金(MoNb)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、以及鋁合金(AlNd)中 的任何一種材料來形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件的陣列基板、其制造方法、以及具有該陣列基板的液晶顯示器件。本發(fā)明公開的液晶顯示器件的陣列基板、其制造方法、以及具有其的液晶顯示器件通過使用可降低光漏電流以使光漏損耗最小化的屏蔽薄膜可消除光損耗，由此可提高圖像質(zhì)量。
文檔編號G02F1/133GK101726947SQ200910171778
公開日2010年6月9日 申請日期2009年9月8日 優(yōu)先權日2008年10月10日
發(fā)明者崔勛, 文教浩, 樸相武, 李哲九, 鄭勝宇, 金偵演, 金智淑, 韓相國 申請人:樂金顯示有限公司