專利名稱：晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片制造領(lǐng)域，特別是涉及一種獨(dú)特的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo) 記，可以用來(lái)決定半導(dǎo)體晶片上的兩圖案層間的疊對(duì)精準(zhǔn)度。
背景技術(shù)：
如本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所知，光刻工藝已是半導(dǎo)體集成電路元件制作過(guò)程中不可 或缺的重要步驟，其決定半導(dǎo)體集成電路元件的臨界尺寸(criticaldimension，⑶)。一 般而言，電路圖案是在光刻工藝中從光掩模轉(zhuǎn)移至光致抗蝕劑圖案層中，然后在后續(xù)的蝕 刻工藝中，將電路圖案從光致抗蝕劑圖案層轉(zhuǎn)移到其下方的材料層中，例如，介電層或金屬層。為了提升工藝良率，在晶片上通常會(huì)在不同階段分別產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及疊對(duì)標(biāo)記。 舉例來(lái)說(shuō)，在晶片正式進(jìn)行量產(chǎn)前，通常會(huì)先使用少量的晶片先測(cè)試，利用在晶片上設(shè)置 的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)，在曝光之前，將晶片在曝光機(jī)臺(tái)中的放置位置，利用前層 (pre-layer)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。前層是指在前次曝光工藝中已處理的材料層，而當(dāng)層 是指本次曝光工藝中所將處理的材料層。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常是形成在晶片的邊緣處或是切割道 上，其形狀可能為多個(gè)條狀凹槽結(jié)構(gòu)，設(shè)置在晶片上的材料層中。在進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí)，曝光機(jī)臺(tái) 會(huì)以激光光偵測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，從對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記得到的反射信號(hào)來(lái)調(diào)整晶片的位置。當(dāng)對(duì)準(zhǔn)完成之 后，即可進(jìn)行曝光。曝光結(jié)束后，將晶片送入顯影機(jī)臺(tái)顯影，顯影完成后，必須確定在材料層各層之間 電路圖案有準(zhǔn)確的相對(duì)位置，否則可能會(huì)發(fā)生后續(xù)形成的電路圖案無(wú)法與前層圖案連貫的 情況，進(jìn)而造成電路失效的問(wèn)題。于是，顯影完成后，將測(cè)試的晶片送入疊對(duì)機(jī)臺(tái)(overlay tool)中，由于在每一層材料層皆設(shè)有疊對(duì)標(biāo)記(overlay mark)，作為相對(duì)位置的記號(hào)，因 此疊對(duì)機(jī)臺(tái)即可利用前層和當(dāng)層的疊對(duì)標(biāo)記，計(jì)算誤差而后重新調(diào)整曝光和顯影的參數(shù)。 通常疊對(duì)標(biāo)記可為凹陷于當(dāng)層材料層的凹槽結(jié)構(gòu)，或?yàn)橥钩鲇谇皩硬牧蠈颖砻娴耐钩鼋Y(jié) 構(gòu)。然而，上述現(xiàn)有技術(shù)仍有缺點(diǎn)尚待改進(jìn)。由于上述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及疊對(duì)標(biāo)記是在 兩種不同的機(jī)臺(tái)中進(jìn)行(曝光機(jī)臺(tái)和疊對(duì)機(jī)臺(tái))量測(cè)，然而，個(gè)別的機(jī)臺(tái)所使用的晶片載 臺(tái)、偵測(cè)器等本身就存在有誤差值，若使用兩臺(tái)不同的機(jī)臺(tái)，會(huì)使得量測(cè)的誤差值復(fù)雜化， 并且會(huì)增加整體的量測(cè)誤差。此外，過(guò)去的疊對(duì)標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別位于晶片上的不同區(qū) 域，因此占據(jù)較多的芯片面積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，能夠消除不同量測(cè)機(jī)臺(tái) 之間所產(chǎn)生的量測(cè)偏差。本發(fā)明的另一目的在提供相對(duì)較不占據(jù)芯片面積的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，并 且具有進(jìn)一步微縮的能力。
為達(dá)前述目的，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，包含有前 層圖案，用于曝光機(jī)臺(tái)中作為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；及當(dāng)層圖案，其結(jié)合該前層圖案而構(gòu) 成疊對(duì)標(biāo)記，用來(lái)決定半導(dǎo)體晶片上的兩層圖案間的對(duì)準(zhǔn)精度。本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例提供一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，包含有半導(dǎo)體晶片， 其上設(shè)有前層材料膜以及當(dāng)層材料膜；對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，定義于該前層材料膜中，用于曝光機(jī)臺(tái)中 作為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)；及疊對(duì)標(biāo)記，結(jié)合該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與定義于該當(dāng)層材料膜上的光致抗 蝕劑層中的當(dāng)層圖案而成。本發(fā)明又另一優(yōu)選實(shí)施例提供一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，包含有半導(dǎo)體晶 片，其上設(shè)有前層材料膜以及當(dāng)層材料膜；對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，定義于該前層材料膜上，用于曝光機(jī) 臺(tái)中作為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)；及疊對(duì)標(biāo)記，結(jié)合該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與定義于該當(dāng)層材料膜上的光 致抗蝕劑層中的當(dāng)層圖案而成。為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施方式，并配 合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。然而如下的優(yōu)選實(shí)施方式與附圖僅供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì) 本發(fā)明加以限制。


圖1為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體晶片的切割道的部分放大俯視圖。圖2繪示的是圖1中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記沿著切線1-1’的剖面示意圖。圖3為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所繪示的結(jié)合第1圖中矩形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的疊對(duì)標(biāo)記俯 視示意圖。圖4繪示的是圖3中晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記沿著切線1-1’的剖面示意圖。圖5例示本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例利用本發(fā)明晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記制作半導(dǎo) 體元件的流程示意圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明又另一優(yōu)選實(shí)施例所繪示的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記的俯視 示意圖。圖7是依據(jù)本發(fā)明又另一優(yōu)選實(shí)施例所繪示的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記的剖面 示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1 切割道區(qū)域2:主動(dòng)芯片電路區(qū)域10、10，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記IOa:晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記10a，疊對(duì)標(biāo)記12 第一組狹縫圖案12a、12b、12c 狹縫12’ 第一組條狀結(jié)構(gòu)12a，、12b，、12c，條狀結(jié)構(gòu)13 第三組狹縫圖案13a、13b、13c 狹縫
14:第二組狹縫圖案14a、14b、1 4c 狹縫14’ 第二組條狀結(jié)構(gòu)14a，、14b，、14c，條狀結(jié)構(gòu)15:第四組狹縫圖案15a、15b、15c 狹縫20 激光光點(diǎn)范圍20a 入射的激光光束20b 反射的激光光束30:當(dāng)層圖案60:前層圖案60a:晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記62 第一組狹縫圖案62a,62b 狹縫64 第二組狹縫圖案64a、64b 狹縫70:當(dāng)層圖案100 半導(dǎo)體晶片102 前層材料膜104:當(dāng)層材料膜
具體實(shí)施例方式以下，即通過(guò)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，其中以相同元件代表相同的區(qū)域及元件。除 非另有定義，在說(shuō)明書中的“對(duì)準(zhǔn)” 一詞是用來(lái)表示晶片在曝光機(jī)臺(tái)中的光掩模對(duì)晶片的對(duì) 準(zhǔn)，而“疊對(duì)”一詞是用來(lái)表示曝光后(或顯影后)的光致抗蝕劑曝光精準(zhǔn)度的量測(cè)。另外， 在說(shuō)明書中的“前層”是指在前一次的光刻步驟中處理過(guò)的材料層，而“當(dāng)層”是指即將在 本次光刻步驟中將處理的材料層。圖1為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體晶片的切割道的部分放大俯視 圖。如圖1所示，在半導(dǎo)體晶片100的切割道區(qū)域1內(nèi)提供有矩形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10，當(dāng)晶片 位于曝光機(jī)臺(tái)中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10可以用來(lái)確保光掩模與晶片之間的對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu) 選實(shí)施例，前述矩形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10的尺寸大小約為40 μ mX40 μ m,并且可以縮小至大約 10 μ mX 10 μ m,或者更小，端視設(shè)計(jì)需求及所使用的偵測(cè)方法而決定。此外，根據(jù)另一實(shí)施 例，前述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10還可以被設(shè)置在鄰近切割道區(qū)域1的主動(dòng)芯片電路區(qū)域2內(nèi)，如此 形成晶方內(nèi)對(duì)JIi^H (in—die alignment mark configuration) 前述矩形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10包含有多組狹縫圖案12、13、14及15，當(dāng)然，其也可以是凸 出的條狀結(jié)構(gòu)，其中，第一組狹縫圖案12包括三條沿著參考χ軸方向平行排列的狹縫12a、 12b及12c，第二組狹縫圖案14包括三條平行排列的狹縫14a、14b及14c。為了獲得足夠 偵測(cè)信號(hào)強(qiáng)度，建議至少內(nèi)側(cè)的狹縫12a、14a與位于中間的狹縫12b、14b要位于激光光點(diǎn) 范圍20內(nèi)，如圖中虛線所示。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，前述的激光可以是KrF(193nm)激光，但不限于此。以下，將每一狹縫的線寬以“L”表示，而相鄰兩狹縫的間距則以“S”表示。 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，狹縫圖案12、13、14及15的線寬對(duì)間距比(L S)約為1 3， 優(yōu)選介于1 3至1 5。另外，第三組狹縫圖案13包括三條沿著參考y軸方向平行排列 的狹縫13a、13b及13c，第四組狹縫圖案15包括三條平行排列的狹縫15a、15b及15c。而 為了獲得足夠偵測(cè)信號(hào)強(qiáng)度，建議至少內(nèi)側(cè)的狹縫13a、15a與位于中間的狹縫13b、15b要 位于激光光點(diǎn)范圍20內(nèi)，如圖中虛線所示。前述矩形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10為前層圖案，是用在曝光機(jī)臺(tái)中的光掩模對(duì)晶片的對(duì)準(zhǔn)， 其剖面結(jié)構(gòu)如圖2所例示，在半導(dǎo)體晶片100上設(shè)有前層材料膜102，例如，介電層，矩形的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10形成在前層材料膜102中。為簡(jiǎn)化說(shuō)明，圖中僅顯示第一組狹縫圖案12包括 狹縫12a、12b及12c，及第二組狹縫圖案14包括狹縫14a、14b及14c。此外，圖中亦繪示出 入射的激光光束20a及反射的激光光束20b。 圖3為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所繪示的結(jié)合圖1中矩形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的疊對(duì)標(biāo)記俯視 示意圖。如圖3所示，在矩形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10的中央?yún)^(qū)域形成有當(dāng)層圖案30，如此即構(gòu)成一盒 包盒(box-in-box)的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記10a。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，前述的當(dāng)層 圖案30為經(jīng)過(guò)曝光顯影的光致抗蝕劑圖案，用來(lái)定義后續(xù)即將形成于當(dāng)層材料膜中的線 路圖案。圖4繪示的是圖3中晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記IOa沿著切線1_1’的剖面示意圖。 如圖4所示，在矩形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10形成有當(dāng)層材料膜104，而前述的當(dāng)層圖案30則是形成在 當(dāng)層材料膜104上，前述的當(dāng)層圖案30可以是經(jīng)過(guò)曝光顯影的光致抗蝕劑圖案，用來(lái)將預(yù) 定電路圖案轉(zhuǎn)移至下方的當(dāng)層材料膜104。由于晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記IOa結(jié)合應(yīng)用在 曝光機(jī)臺(tái)中的矩形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10，因此可以消除過(guò)去分別以曝光機(jī)臺(tái)進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)量測(cè)以及 利用疊對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行疊對(duì)精度量測(cè)所產(chǎn)生的偏差。此外，結(jié)合矩形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10而成的晶片對(duì) 準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記IOa可以節(jié)省芯片面積或切割道面積。圖5例示本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例利用本發(fā)明晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記制作半導(dǎo) 體元件的流程示意圖。如圖5所示，制作流程50包括以下步驟步驟51 在半導(dǎo)體基材或晶片上形成當(dāng)層材料膜104后，在曝光機(jī)臺(tái)中利用對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記10進(jìn)行光掩模對(duì)晶片的對(duì)準(zhǔn)。步驟52 在完成晶片對(duì)準(zhǔn)之后，在當(dāng)層材料膜104上涂布光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行 曝光及顯影工藝，在當(dāng)層材料膜104上形成光致抗蝕劑圖案，同時(shí)，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10上方形成 當(dāng)層圖案30，如此于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10切割道內(nèi)構(gòu)成晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記10a。步驟53 在完成曝光與顯影后，利用晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記IOa做為疊對(duì)標(biāo)記， 在疊對(duì)機(jī)臺(tái)中進(jìn)行疊對(duì)精度量測(cè)，以決定形成在半導(dǎo)體晶片上的前層圖案與當(dāng)層圖案間的 對(duì)準(zhǔn)精度。步驟54 若是前述量測(cè)到的疊對(duì)精度不符合規(guī)格，則進(jìn)行步驟55，并且將疊對(duì)數(shù) 據(jù)反饋至步驟51 ；若前述量測(cè)到的疊對(duì)精度符合規(guī)格，則進(jìn)行步驟56。步驟55 光致抗蝕劑重做。步驟56 下一階段工藝，例如干式或濕式蝕刻。圖6是依據(jù)本發(fā)明又另一優(yōu)選實(shí)施例所繪示的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記的俯視 示意圖。如圖6所示，晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記60a基本上是條包條(bar-in-bar)組態(tài)的疊對(duì)標(biāo)記，其包含有前層圖案60，用于曝光機(jī)臺(tái)中作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以及當(dāng)層圖案70，其中，前層圖案60包含有兩組狹縫圖案62、64，當(dāng)然，其也可以是凸出的條狀結(jié)構(gòu)，其中，位于左 邊的第一組狹縫圖案62包括至少兩條平行排列的狹縫62a、62b，位于右邊的第二組狹縫圖 案64包括至少兩條平行排列的狹縫64a、64b。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，當(dāng)層圖案70為經(jīng)過(guò)曝光 顯影的光致抗蝕劑圖案，用來(lái)定義后續(xù)即將形成于當(dāng)層材料膜(未顯示于圖6)中的線路圖 案。圖7是依據(jù)本發(fā)明又另一優(yōu)選實(shí)施例所繪示的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記的剖面 示意圖。如圖7所示，晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，包含有半導(dǎo)體晶片100，其上設(shè)有前層材 料膜102以及當(dāng)層材料膜104 ；對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10’，定義于前層材料膜102上，用于曝光機(jī)臺(tái)中作 為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)；及疊對(duì)標(biāo)記10a’，其為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10’與定義于當(dāng)層材料膜104上的 當(dāng)層光致抗蝕劑圖案30結(jié)合而成。前述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記10’包含有多組凸出的條狀結(jié)構(gòu)12’、 14’，例如金屬條狀結(jié)構(gòu)，其中，第一組條狀結(jié)構(gòu)12’包括平行排列的條狀結(jié)構(gòu)12a’、12b’及 12c’，第二組條狀結(jié)構(gòu)14’包括三條平行排列的條狀結(jié)構(gòu)14a’、14b’及14c’。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于包含有前層圖案，用于曝光機(jī)臺(tái)中作為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；及當(dāng)層圖案，其結(jié)合該前層圖案而構(gòu)成疊對(duì)標(biāo)記，用來(lái)決定半導(dǎo)體晶片上的兩層圖案間的對(duì)準(zhǔn)精度。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該前層圖案以及該當(dāng)層 圖案均位于切割道區(qū)域內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該前層圖案以及該當(dāng)層 圖案均位于主動(dòng)芯片電路區(qū)域內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該前層圖案包含有多組 狹縫圖案。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該多組狹縫圖案排列成 盒狀，構(gòu)成矩形前層圖案。
6.如權(quán)利要求4所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于各該狹縫圖案具有線寬 L及間距S，而L S約為1 3。
7.如權(quán)利要求1所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該當(dāng)層圖案設(shè)于該前層 圖案的中央?yún)^(qū)域。
8.如權(quán)利要求1所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合 標(biāo)記的尺寸為40 μ mX40 μ m或小于40 μ mX 40 μ m。
9.如權(quán)利要求1所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該前層圖案形成在半導(dǎo) 體晶片上的前層材料膜中。
10.如權(quán)利要求9所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于在該前層材料膜上形 成有當(dāng)層材料膜，且該當(dāng)層圖案形成在該當(dāng)層材料膜上的光致抗蝕劑層中。
11.一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于包含有半導(dǎo)體晶片，其上設(shè)有前層材料膜以及當(dāng)層材料膜；對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，定義于該前層材料膜中，用于曝光機(jī)臺(tái)中作為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)；及疊對(duì)標(biāo)記，結(jié)合該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與定義于該當(dāng)層材料膜上的光致抗蝕劑層中的當(dāng)層圖案而成。
12.如權(quán)利要求11所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整 合標(biāo)記設(shè)于切割道區(qū)域內(nèi)。
13.如權(quán)利要求11所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整 合標(biāo)記設(shè)于主動(dòng)芯片電路區(qū)域內(nèi)。
14.如權(quán)利要求11所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包含有多 組狹縫圖案。
15.如權(quán)利要求14所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該多組狹縫圖案排列 成盒狀。
16.如權(quán)利要求14所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于各該狹縫圖案具有線 寬L及間距S，而L S約為1 3。
17.如權(quán)利要求11所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該當(dāng)層圖案設(shè)于該對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記的中央?yún)^(qū)域。
18.如權(quán)利要求11所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整 合標(biāo)記的尺寸為40 μ mX40 μ m或小于40 μ mX 40 μ m。
19.一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于包含有 半導(dǎo)體晶片，其上設(shè)有前層材料膜以及當(dāng)層材料膜；對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，定義于該前層材料膜上，用于曝光機(jī)臺(tái)中作為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)；及 疊對(duì)標(biāo)記，結(jié)合該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與定義于該當(dāng)層材料膜上的光致抗蝕劑層中的當(dāng)層圖案而成。
20.如權(quán)利要求19所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整 合標(biāo)記設(shè)于切割道區(qū)域內(nèi)。
21.如權(quán)利要求19所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整 合標(biāo)記設(shè)于主動(dòng)芯片電路區(qū)域內(nèi)。
22.如權(quán)利要求19所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包含有多 組凸出的條狀結(jié)構(gòu)。
23.如權(quán)利要求22所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該多組凸出的條狀結(jié) 構(gòu)排列成盒狀。
24.如權(quán)利要求22所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于各該凸出的條狀結(jié)構(gòu) 具有線寬L及間距S，而L S約為1 3。
25.如權(quán)利要求19所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該當(dāng)層圖案設(shè)于該對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記的中央?yún)^(qū)域。
26.如權(quán)利要求19所述的晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其特征在于該晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整 合標(biāo)記的尺寸為40 μ mX 40 μ m或小于40 μ mX 40 μ m。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片對(duì)準(zhǔn)及疊對(duì)整合標(biāo)記，其包含有前層圖案，用于曝光機(jī)臺(tái)中作為光掩模對(duì)晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；及當(dāng)層圖案，其結(jié)合該前層圖案而構(gòu)成疊對(duì)標(biāo)記，用來(lái)決定半導(dǎo)體晶片上的兩層圖案間的對(duì)準(zhǔn)精度。根據(jù)本發(fā)明，能夠消除不同量測(cè)機(jī)臺(tái)之間所產(chǎn)生的量測(cè)偏差。
文檔編號(hào)G03F9/00GK101957566SQ20091017435
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月14日
發(fā)明者邱垂福 申請(qǐng)人:南亞科技股份有限公司