專利名稱：監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法。
背景技術(shù)：
光刻工藝是一種用來去掉晶圓表面層上所規(guī)定的特定區(qū)域的基本操作。該工藝是 半導(dǎo)體工藝過程中非常重要的一道工序，它是用來在不同的器件和電路表面上建立圖形的 工藝過程。該工藝過程的目標(biāo)有兩個(gè)首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則所要求 尺寸的圖形；第二個(gè)目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個(gè)電路圖形必須被正確地定位于 晶圓表面，電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對位置也必須是正確的。半導(dǎo)體器件最終 的圖形是由多個(gè)掩膜版按照特定的順序在晶圓表面一層一層疊加建立起來的。在光刻工藝之前，首先要在掩膜版上形成所需的圖形，之后通過光刻工藝把所需 要的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面的每一層。圖形轉(zhuǎn)移是通過兩步來完成的。首先，圖形被轉(zhuǎn)移到 光刻膠膜。光刻膠是一種感光物質(zhì)，在曝光后會導(dǎo)致其自身性質(zhì)和結(jié)構(gòu)的變化。被曝光的 部分由非溶性物質(zhì)變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)(正膠)或者由可溶性物質(zhì)變?yōu)榉侨苄晕镔|(zhì)(負(fù)膠)。 通過顯影劑可以把可溶性物質(zhì)去掉，從而在光刻膠膜留下所需要的圖形。第二次圖形轉(zhuǎn)移 是從光刻膠膜到晶圓表面層的轉(zhuǎn)移。當(dāng)通過刻蝕方法將晶圓表面層沒有被光刻膠覆蓋的部 分去掉的時(shí)候，圖形轉(zhuǎn)移就發(fā)生了。由于圖形轉(zhuǎn)移必須通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)，因此光刻工藝是所有半導(dǎo)體制造基本工藝 中最關(guān)鍵的工藝步驟，其決定了器件制造工藝中所有工藝步驟所能達(dá)到的最小尺寸，即關(guān) 鍵尺寸，例如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件中的柵寬。一般的光刻工藝要經(jīng)歷在晶圓表面涂底膠、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)、曝光、后烘、 顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。其中旋涂光刻膠的目的是在晶圓表面建立薄、均勻并且沒有 缺陷的光刻膠膜。曝光是通過曝光燈或者其它輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠膜上。除了光刻 工藝所包括的上述各個(gè)工序會影響關(guān)鍵尺寸之外，光刻中用于實(shí)現(xiàn)各個(gè)工藝步驟的設(shè)備參 數(shù)也會影響整個(gè)工藝的關(guān)鍵尺寸。例如，用于曝光的曝光機(jī)的聚焦情況和曝光能量不同，所 能獲得的圖形的關(guān)鍵尺寸也會不同。通常曝光機(jī)的最佳焦平面會由于振動或其它原因而發(fā)生偏移，使得半導(dǎo)體器件的 關(guān)鍵尺寸發(fā)生變化。為了穩(wěn)定器件的關(guān)鍵尺寸，需要定期對曝光機(jī)的聚焦情況進(jìn)行監(jiān)測，并 根據(jù)監(jiān)測的結(jié)果進(jìn)行調(diào)整。雖然某些光刻設(shè)備配備有用于對曝光機(jī)進(jìn)行聚焦的裝置，例如ASML的曝光機(jī)具 有利用對準(zhǔn)來進(jìn)行聚焦校準(zhǔn)的裝置。但是，由于該裝置需要占用曝光機(jī)3小時(shí)左右的時(shí)間， 即每次校準(zhǔn)需要占用3小時(shí)生產(chǎn)線的時(shí)間，嚴(yán)重影響了生產(chǎn)線的產(chǎn)量，從而增加了半導(dǎo)體 器件的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，減少曝光機(jī)聚焦監(jiān)測所需的時(shí)間。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，包括對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理、打底膠，并形成光 刻膠膜；利用固定的曝光能量和漸變的曝光機(jī)焦平面偏移值對所述光刻膠膜進(jìn)行曝光，然 后進(jìn)行后烘并顯影，形成圖案；測量所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸，得到關(guān)鍵尺寸與所述曝光機(jī) 焦平面偏移值之間的對應(yīng)關(guān)系；計(jì)算得到所述曝光機(jī)的第一最佳焦平面；重復(fù)以上步驟， 得到所述曝光機(jī)的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，則確定 所述曝光機(jī)的聚焦發(fā)生偏移。優(yōu)選地，所述圖案是圓形的圖案。并且，所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸是所述曝光機(jī)的 一個(gè)曝光場中多個(gè)圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸，或者是多個(gè)曝光場中圓形圖案的平均關(guān)鍵尺 寸優(yōu)選地，將所述曝光機(jī)的數(shù)值孔徑調(diào)到最大。該方法可以進(jìn)一步包括根據(jù)第二最佳焦平面與第一最佳焦平面之差調(diào)節(jié)所述曝 光機(jī)的聚焦。優(yōu)選地，在形成光刻膠膜之前，該方法可以進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體晶圓上形成 底部抗反射涂層，并烘焙。優(yōu)選地，在形成光刻膠膜之后，該方法可以進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體晶圓上形成 頂部抗反射涂層，并烘焙。在所述曝光機(jī)是浸沒式曝光機(jī)的情況下，該方法在形成光刻膠膜之后進(jìn)一步包 括，在所述光刻膜之上形成頂部涂層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，首先對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理、打底 膠，并形成光刻膠膜；利用固定的曝光能量和漸變的曝光機(jī)焦平面偏移值對所述光刻膠膜 進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行后烘并顯影，形成圖案；測量所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸，得到關(guān)鍵尺寸 與所述曝光機(jī)焦平面偏移值之間的對應(yīng)關(guān)系；計(jì)算得到所述曝光機(jī)的第一最佳焦平面；重 復(fù)以上步驟，得到所述曝光機(jī)的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦 平面，則確定所述曝光機(jī)的聚焦發(fā)生偏移。該方案只需占用曝光機(jī)幾分鐘的時(shí)間對半導(dǎo)體 晶圓進(jìn)行曝光，不需要像曝光機(jī)本身配置的聚焦設(shè)備那樣占用幾小時(shí)的生產(chǎn)線時(shí)間，從而 減少了曝光機(jī)聚焦監(jiān)測所需的時(shí)間，避免了需要對曝光機(jī)進(jìn)行聚焦檢測而減小生產(chǎn)線的產(chǎn) 量。在光刻膠膜上形成圓形圖案，避免了由于條形圖案的線條邊緣粗糙度和線條寬度 粗糙度較大而造成關(guān)鍵尺寸的測量不準(zhǔn)確。測量的關(guān)鍵尺寸是曝光機(jī)的一個(gè)曝光場中多個(gè)圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸，或者多 個(gè)曝光場中的多個(gè)圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸，進(jìn)一步提高了關(guān)鍵尺寸測量的準(zhǔn)確度。對曝光機(jī)的聚焦進(jìn)行監(jiān)測時(shí)，首先將曝光機(jī)的數(shù)值孔徑調(diào)整到最大值，減小了焦 深，從而更進(jìn)一步地提高了曝光機(jī)聚焦監(jiān)測的精確度。


圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法流程圖；圖2為利用本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法得到的焦平面偏移值與 關(guān)鍵尺寸的曲線關(guān)系。具體實(shí)施例方式通常將使得關(guān)鍵尺寸的偏移處于士 10%之內(nèi)的光刻參數(shù)稱為光刻工藝的工藝窗 口。確定曝光機(jī)聚焦情況和曝光能量對工藝的影響的方式之一是確定聚焦能量矩陣(FEM， Focus Energy Matrices) 0 FEM是使用不同的曝光機(jī)焦平面和曝光能量將相同的圖形特征 多次轉(zhuǎn)移到晶圓表面上光刻膠膜的不同位置。具體來說，曝光時(shí)曝光機(jī)焦平面和曝光能量 以曝光場為單元分別沿晶圓的χ和y軸逐漸變化，例如從左到右曝光能量逐漸變小，從上到 下焦平面與預(yù)先設(shè)定的最佳焦平面之間的偏移值逐漸由負(fù)變正。以下將焦平面與預(yù)先設(shè)定 的最佳焦平面之間的偏移值簡稱為焦平面偏移值。假設(shè)，焦平面在該最佳焦平面之上時(shí)，焦 平面偏移值為正值，而焦平面在該最佳焦平面之下時(shí)，焦平面偏移值為負(fù)值。這樣整個(gè)晶圓 的曝光條件就是一個(gè)能量與焦平面偏移值的矩陣。然后對晶圓進(jìn)行顯影并硬烘，最后使用 掃描電子顯微鏡(SEM)測量所形成圖形的關(guān)鍵尺寸，從而得到曝光機(jī)聚焦情況、曝光能量 與關(guān)鍵尺寸之間的對應(yīng)關(guān)系。FEM數(shù)據(jù)通常采用多條泊松曲線表示，這些曲線示出所實(shí)現(xiàn)的 關(guān)鍵尺寸值與聚焦情況及曝光能量的函數(shù)。通過對FEM曲線進(jìn)行分析而得到光刻工藝的工 藝窗口。本發(fā)明提供的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，利用FEM實(shí)現(xiàn)。首先，對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù) 處理、打底膠，并形成光刻膠膜；利用固定的曝光能量和漸變的曝光機(jī)焦平面偏移值對所述 光刻膠膜進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行后烘并顯影，形成圖案；測量所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸，得到 關(guān)鍵尺寸與所述曝光機(jī)焦平面偏移值之間的對應(yīng)關(guān)系；計(jì)算得到所述曝光機(jī)的第一最佳焦 平面；重復(fù)以上步驟，得到所述曝光機(jī)的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第 一最佳焦平面，則確定所述曝光機(jī)的聚焦發(fā)生偏移。該方案只需占用曝光機(jī)幾分鐘的時(shí)間 對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行曝光，不需要像曝光機(jī)本身配置的聚焦設(shè)備那樣占用幾小時(shí)的生產(chǎn)線時(shí) 間，從而減少了曝光機(jī)聚焦監(jiān)測所需的時(shí)間，避免了需要對曝光機(jī)進(jìn)行聚焦檢測而減小生 產(chǎn)線的產(chǎn)量。在利用FEM技術(shù)收集數(shù)據(jù)時(shí)，通常在半導(dǎo)體晶圓上形成條形的圖案。測量關(guān)鍵尺 寸時(shí)，測量的是線條的寬度。但是本發(fā)明的發(fā)明人通過多次測量和實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)在曝光機(jī)聚焦 情況不佳時(shí)，線條圖案的線條邊緣粗糙度(LER，Line Edge Roughness)很大，從而直接導(dǎo)致 線條圖案的線條寬度粗糙度(LWR，Line Width Roughness)也很大。這樣，在曝光機(jī)聚焦情 況不佳時(shí)，測量得到的關(guān)鍵尺寸不準(zhǔn)確，使得通過FEM技術(shù)獲得的關(guān)鍵尺寸與曝光機(jī)焦平 面偏移值之間的對應(yīng)關(guān)系不準(zhǔn)確，由此而計(jì)算得到的最佳焦平面也就不準(zhǔn)確，從而影響了 曝光機(jī)聚焦監(jiān)測的精確度。為此，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，光刻膠膜上形成的圖案是圓形圖案。為了進(jìn) 一步提高關(guān)鍵尺寸測量的準(zhǔn)確性，測量的關(guān)鍵尺寸是曝光機(jī)的一個(gè)曝光場中多個(gè)圓形圖案 的平均關(guān)鍵尺寸，或者多個(gè)曝光場中的多個(gè)圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸，其中每個(gè)曝光場中 可以取多個(gè)圓形圖案。為了減小焦深，以便更進(jìn)一步地提高曝光機(jī)聚焦監(jiān)測的精確度，在本發(fā)明的一個(gè) 優(yōu)選實(shí)施例中，對曝光機(jī)的聚焦進(jìn)行監(jiān)測時(shí)，首先將曝光機(jī)的數(shù)值孔徑調(diào)整到最大值。進(jìn)一步地，在檢測到曝光機(jī)的聚焦存在偏移時(shí)，根據(jù)第二最佳焦平面與第一最佳 焦平面之差來調(diào)節(jié)曝光機(jī)的聚焦。
為了減小曝光時(shí)由于光刻膠的頂面或底面反射而產(chǎn)生切口效應(yīng)和駐波效應(yīng)，本發(fā) 明所使用的抗蝕劑層除光刻膠膜之外還可以進(jìn)一步包括底部抗反射涂層(BARC)和/或頂 部抗反射涂層(TARC)。在曝光機(jī)是浸沒式曝光機(jī)的情況下，為了防止對曝光機(jī)的透鏡產(chǎn)生 玷污，本發(fā)明的抗蝕劑層還可以包括頂部涂層(TC)。以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。以下實(shí)施例中，最佳焦平面的位置 均相對于預(yù)先設(shè)定的最佳焦平面而言，即最佳焦平面的偏移值是指曝光機(jī)當(dāng)前的最佳焦平 面與預(yù)先設(shè)定的最佳焦平面之間的距離。圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法流程圖。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例 中，監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法包括以下步驟首先，需要對檢測所用的控片進(jìn)行光刻工藝處理。本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，形成控處 的光刻工藝可以包括晶圓預(yù)處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、關(guān)鍵尺寸測量等工序。步驟100，為了獲得平坦而均勻的光刻膠膜并且使光刻膠與晶圓之間有良好的粘 附性，通常在涂膠之前對晶圓進(jìn)行預(yù)處理。預(yù)處理的第一步通常是一次脫水烘烤，在真空或 干燥氮?dú)獾臍夥罩?，以一定的高溫對晶圓進(jìn)行烘烤。該步的目的是除去晶圓表面吸附的水 分。在較高的溫度下，晶圓表面大概保留一下單分子層的水。緊接在烘烤之后的通常是旋涂底膠。在以真空方式吸附到吸盤上的晶圓表面涂布 底膠。旋涂底膠的目的是為了增強(qiáng)光刻膠在晶圓表面的附著力。通常所使用的底膠是六甲 基乙硅烷(HMDS)。具體來說，使用底膠器在經(jīng)清洗的晶圓表面噴灑底膠，接著以一定的轉(zhuǎn)速 旋轉(zhuǎn)晶圓，使底膠均勻地鋪展在整個(gè)晶圓表面，然后提高晶圓的轉(zhuǎn)速以便使底膠干燥。在旋涂底膠之后，接著對晶圓進(jìn)行涂膠。首先用真空吸盤將晶圓固定，吸盤是一個(gè) 平的、與真空管線相連的空心金屬盤。吸盤表面有許多小孔，當(dāng)晶圓放在上面時(shí)，真空的吸 力使晶圓與吸盤緊密接觸。接著，將預(yù)先確定的膠量噴灑在晶圓表面，之后，吸盤上施加的 轉(zhuǎn)矩使其按一個(gè)受控的速率迅速上升到最大旋轉(zhuǎn)速度。當(dāng)晶圓以最大旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)一預(yù)定 時(shí)間段之后，以受控的方式減速至停止。旋涂光刻膠之后，晶圓需要經(jīng)歷一次軟烘，或稱前烘。軟烘是一種以蒸發(fā)光刻膠中 的一部分溶劑為目的的加熱過程。蒸發(fā)溶劑有兩個(gè)原因。溶劑的主要作用是能夠讓光刻膠 在晶圓表面涂一薄層，在這個(gè)作用完成后，溶劑的存在會干擾后續(xù)工藝過程。一方面，光刻 膠里的溶劑會吸收光，進(jìn)而干擾光敏感聚合物中正常的化學(xué)變化。另一方面，光刻膠的烘干 會幫助光刻膠與晶圓表面更好的黏結(jié)。時(shí)間和溫度是軟烘的參數(shù)。步驟110，經(jīng)過軟烘的光刻膠膜被曝光。曝光的第一步是將所需圖形在晶圓表面上 定位或?qū)?zhǔn)，第二步是通過曝光燈或其它輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠膜上。通常，一次只能 曝光晶圓的一小部分，稱為曝光場。然后通過光刻設(shè)備的步進(jìn)機(jī)移動到下一個(gè)曝光目標(biāo)部 分，繼續(xù)對晶圓的另一部分進(jìn)行曝光。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，以固定的曝光能量和漸變的曝光機(jī)焦平面偏移值對晶圓 進(jìn)行曝光，并且曝光機(jī)焦平面偏移值在經(jīng)歷至少三個(gè)曝光場之后改變一次。曝光時(shí)所使用 的是具有圓形圖案的掩膜版。進(jìn)一步地，如前所述，光刻工藝是要把掩膜上的圖案轉(zhuǎn)移到涂布在晶圓上涂布的 光刻膠膜上，而光刻膠膜是具備一定厚度的，為了使圖案的轉(zhuǎn)移能夠完全且精確，曝光機(jī)投 射在光刻膠上的圖案應(yīng)該具備一定的焦深(DOF，Depth of Focus)，以便使整個(gè)光刻膠膜，無論是光刻膠的上表面還是下表面，都能有相同的聚焦效果。因此，為了使光刻膠膜較厚的 情況下也能夠?qū)D案完全且精確地轉(zhuǎn)移到整個(gè)光刻膠膜，曝光機(jī)的焦深通常情況下都會比 較大。這樣，通過FEM得到的關(guān)鍵尺寸值與曝光機(jī)聚焦及曝光能量的曲線關(guān)系中，聚焦的變 化范圍也較大。在使用FEM監(jiān)測曝光機(jī)的聚焦時(shí)，由于聚焦的變化范圍大，因此曝光機(jī)聚焦的監(jiān) 測精度小。也就是說，在通過關(guān)鍵尺寸的變化確定曝光機(jī)聚焦有較小偏移的情況下，無法準(zhǔn) 確地確定曝光機(jī)聚焦的偏移量，因而無法精確地調(diào)整曝光機(jī)的聚焦。因此，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，在曝光時(shí)將曝光機(jī)的數(shù)值孔徑調(diào)到最大。焦深與數(shù) 值孔徑及曝光波長的關(guān)系如以下公式所示
權(quán)利要求
1.一種監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，包括對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理、打底膠，并形成光刻膠膜；利用固定的曝光能量和漸變的曝光機(jī)焦平面偏移值對所述光刻膠膜進(jìn)行曝光，然后進(jìn) 行后烘并顯影，形成圖案；測量所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸，得到關(guān)鍵尺寸與所述曝光機(jī)焦平面偏移值之間的對應(yīng) 關(guān)系；計(jì)算得到所述曝光機(jī)的第一最佳焦平面；重復(fù)以上步驟，得到所述曝光機(jī)的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，則確定所述曝光機(jī)的聚焦發(fā)生偏移。
2.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所述圖案是圓形的圖案。
3.如權(quán)利要求2所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所形成的圖案的關(guān)鍵尺 寸是所述曝光機(jī)的一個(gè)曝光場中多個(gè)圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸。
4.如權(quán)利要求2所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所形成的圖案的關(guān)鍵尺 寸是所述曝光機(jī)的多個(gè)曝光場中圓形圖案的平均關(guān)鍵尺寸
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，將所述曝光 機(jī)的數(shù)值孔徑調(diào)到最大。
6.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括根據(jù)第二最佳焦平面與第一最佳焦平面之差調(diào)節(jié)所述曝光機(jī)的聚焦。
7.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，在形成光刻膠膜之前進(jìn) 一步包括在所述半導(dǎo)體晶圓上形成底部抗反射涂層，并烘焙。
8.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，在形成光刻膠膜之后進(jìn) 一步包括在所述半導(dǎo)體晶圓上形成頂部抗反射涂層，并烘焙。
9.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，其特征在于，所述曝光機(jī)是浸沒式曝 光機(jī)；在形成光刻膠膜之后進(jìn)一步包括，在所述光刻膜之上形成頂部涂層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種監(jiān)測曝光機(jī)聚焦的方法，包括對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理、打底膠，并形成光刻膠膜；利用固定的曝光能量和漸變的曝光機(jī)焦平面偏移值對光刻膠膜進(jìn)行曝光，然后后烘并顯影，形成圖案；測量所形成的圖案的關(guān)鍵尺寸，得到關(guān)鍵尺寸與曝光機(jī)焦平面偏移值之間的對應(yīng)關(guān)系；計(jì)算得到曝光機(jī)的第一最佳焦平面；重復(fù)以上步驟，得到曝光機(jī)的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，則確定曝光機(jī)的聚焦發(fā)生偏移。該方案只需占用曝光機(jī)幾分鐘的時(shí)間對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行曝光，減少了曝光機(jī)聚焦監(jiān)測所需的時(shí)間。
文檔編號G03F7/207GK102053506SQ200910198488
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月5日
發(fā)明者安輝 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司