專利名稱：一種光波導(dǎo)放大器的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光通信技術(shù)中有源光放大器技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種鉺釔硅酸鹽無機化合 物材料，用這種材料制備的光波導(dǎo)放大器可以獲得10dB/mm以上的凈增益。
背景技術(shù)：
目前，將光子技術(shù)和微電子技術(shù)集合起來，以實現(xiàn)硅基光電集成為目標的硅光子 學(xué)成為世界光電子學(xué)領(lǐng)域十分熱門的前沿科學(xué)。硅光子學(xué)元器件包括光源、光波導(dǎo)、光子 晶體、光開關(guān)、光放大器、光調(diào)制器和光探測器等。其中，光放大器能夠把衰減的光信號放 大，是光通訊領(lǐng)域的重要元器件之一。上世紀80年代末，基于稀土鉺(Er)離子摻雜的摻 鉺光纖放大器EDFA(Erbium-doped Fiber Amplifier)被研發(fā)出來，它的誕生是光纖通信 領(lǐng)域革命性的突破，它使長距離、大容量、高速率的光纖通信成為可能。這是因為Er離子 從第一激發(fā)態(tài)4I13/2躍遷到基態(tài)4I15/2時發(fā)射能量為0. 8eV的光子，相應(yīng)的波長為1. 53 m， 恰好是光纖通訊用石英玻璃光纖的最小光吸收窗口。為了解決EDFA無法和其他光子學(xué) 元器件平面集成的問題，人們又發(fā)明了摻鉺光波導(dǎo)放大器EDWA(Erbium-doped Waveguide Amplifier), EDWA是在一個制造成本較低的平面基體上完成的，EDWA中Er離子濃度比 EDFA中高出l-2個量級，可以獲得更高的光增益。目前報道的最好結(jié)果是韓國Shin教 授研究小組發(fā)表在Applied Physics Letters 79巻4568頁的關(guān)于摻Er富硅氧化硅 (Er doped silicon rich silicon oxide (SRSO))的結(jié)果《Optical gain at 1.54iim in erbium-doped silico皿anocluster sensitized waveguide》，它的Er離子最高慘雜濃度 達到1(Tions/cm 在lcm長的波導(dǎo)中獲得了 4dB的光增益，但這與硅光子學(xué)集成要求在mm 尺度下獲得10dB以上增益仍有不小差距。摻Er離子光波導(dǎo)放大器的光增益公式為G(dB)
:4.4;3X(OabsN2-OemN》rL，其中，。^為吸收截面，。 為受激發(fā)射截面，「為光限制因
子，L為光波導(dǎo)長度，K和N2分別為處于基態(tài)和激發(fā)態(tài)的Er離子數(shù)目。在足夠強的泵浦功 率下，發(fā)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，處于基態(tài)的Er離子(N)全部躍遷至激發(fā)態(tài)，同時根據(jù)Einstein的 受激發(fā)射理論，o abs和o em的值相同，公式可寫為G(dB) = 4. 43X ( o absN) r L，由式可知， 有效提高Er離子濃度可實現(xiàn)在小尺寸波導(dǎo)中獲得較高增益。日本木村忠正教授發(fā)現(xiàn)了 一種Er2Si0s化合物，發(fā)表在A卯lied Physics Letters 85巻4343頁《Self-assembled infrared—luminescent Er_Si_0 crystallites on silicon》，這禾中化合物結(jié)構(gòu)中Er離子 是化合物的陽離子，而不再是作為雜質(zhì)摻雜進去的。與以前摻雜方法相比，成功將Er離子 濃度提高了 2個數(shù)量級，達到2 X 1022ions/cm3，而且由于Er離子是固溶在化合物中的，減少 了Er離子之間的團聚現(xiàn)象，獲得了較強室溫光致發(fā)光。盡管E^Si05得到了較強的室溫發(fā) 光，但Er離子濃度高達2X 1022ionS/cm3， Er離子之間的距離比較近，合作上轉(zhuǎn)換很容易發(fā) 生，導(dǎo)致熒光的猝滅。因此采用一種有效的陽離子固溶到Er2Si05材料中，在保證高Er離子 濃度的情況下，又使Er離子充分分散，從而制備出毫米甚至微米尺度下10dB以上的凈增益 的光波導(dǎo)放大器成為當前需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是要提供一種合適的光波導(dǎo)材料，在保證高的鉺離子濃度的情況 下又使鉺有充分的分散，進而制備出毫米甚至微米尺度下10dB以上的凈增益的光波導(dǎo)放 大器。本發(fā)明的基本構(gòu)思是Y離子半徑和Er離子半徑比較接近，Y :0. 9 A， Er :0. 88 A，
Y2Si05和Er2Si05晶體結(jié)構(gòu)也類似。因此，采用Y離子共同加入可以使Er離子得到均勻的 分散。采用溶膠_凝膠法制備ErxY2—xSi05化合物，通過優(yōu)化Er離子和Y離子的濃度，使 1. 53 m的發(fā)光效率達到最大。采用優(yōu)化鉺釔硅酸鹽無機化合物材料制備的光波導(dǎo)放大器 獲得10dB/mm以上的凈增益。 為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種光波導(dǎo)放大器的制備方法，所述光波導(dǎo)放大
器由鉺釔硅酸鹽無機化合物制成，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟 A.鉺釔硅氧溶膠的制備稀土鉺和釔鹽在醇溶劑的環(huán)境下60-7(TC攪拌l-3h，然
后溶液被自然冷卻到室溫；加入一定化學(xué)劑量配比的正硅酸乙酯繼續(xù)攪拌卜3h ;接下來加
入HN03或HCl溶液，調(diào)整pH值為2-4 ;最后在60-7(TC繼續(xù)攪拌4_10h，直至有透明溶膠形
成； B.在Si02/Si基片上制備鉺釔硅酸鹽無機化合物薄膜采用旋轉(zhuǎn)涂敷法把鉺釔硅 氧溶膠涂敷在Si02/Si基體上；分別在100-14(TC空氣中干燥，500-60(TC Ar氣中預(yù)退火獲 得鉺釔硅氧非晶薄膜；最后在1100-120(TC高溫退火獲得結(jié)晶的鉺釔硅酸鹽化合物薄膜；
C.刻蝕鉺釔硅酸鹽無機化合物光波導(dǎo)旋涂光刻膠于基片上，旋涂1-3分鐘后烘 烤2-5分鐘，得到均勻的3-7 m光刻膠；在電子束曝光機直寫系統(tǒng)下，選擇合適的曝光時間 和曝光劑量，利用電子束照射需要曝光的圖形，將曝光后的基片顯影、定影、清洗；然后將基 片放在反應(yīng)離子刻蝕機中，選用反應(yīng)氣體刻蝕鉺釔硅酸鹽化合物薄膜，去掉剩余的光刻膠； 用旋涂法在刻蝕后的樣品上涂敷500-2000nm的Si02薄膜，最后采用聚焦離子束刻蝕機修 飾波導(dǎo)的側(cè)面；之后，對所述修飾后的光波導(dǎo)性能進行檢測，泵浦源采用兩種輸出波長的半 導(dǎo)體激光器，信號源采用半導(dǎo)體發(fā)光二極管；泵浦光和信號光經(jīng)由波分復(fù)用器合路后由一 根單模光纖輸出。 其中，所述步驟A中釔和鉺鹽采用硝酸鹽、氯酸鹽和醋酸鹽中的一種，鉺和釔鹽摩 爾比為1/20-2。 其中，所述步驟A中醇溶劑采用乙醇和異丙醇中的一種，鉺和釔鹽的摩爾和與醇 的摩爾比為1/60-1/5。 其中，所述步驟A中鉺和釔鹽的摩爾和與正硅酸乙酯的摩爾比為2 : 1。 其中，所述步驟B中Si02/Si基體中Si(^厚度為1-3 iim。其中，所述步驟C中曝光時間為10-60mins，曝光劑量為100-500 y c/cm2。 其中，所述步驟C中反應(yīng)氣體為Cl2， Ar， CF4， SF6， 02中的一種。其中，所述步驟C中波導(dǎo)截面尺寸為(300-600)nmX (300-600)nm，波導(dǎo)長度為
0. 2-lmm。其中，所述步驟C中兩種半導(dǎo)體激光器波長分別為0.65iim和1.48ym。 其中，所述步驟C中半導(dǎo)體發(fā)光二極管輸出中心波長為1.53iim。 上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點與已有的光波導(dǎo)放大器相比，鉺離子濃度提高1-2個數(shù)量級，尺寸減少1-2個數(shù)量級，增益提高1-2個數(shù)量級，滿足硅基光電子集成器件毫米 尺寸10dB以上增益的要求，對于發(fā)展下一代光通信集成系統(tǒng)具有重要意義。


圖1是本發(fā)明制備的鉺釔硅酸鹽無機化合物的近紅外(1. 53 m)熒光發(fā)射譜；
圖2是本發(fā)明中ErxY2—xSi05波導(dǎo)放大器增益示意圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施 例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。 圖1是本發(fā)明制備的鉺釔硅酸鹽無機化合物的近紅外(1. 53 m)熒光發(fā)射譜。
圖中橫坐標為光致發(fā)光的波長，單位取nm，縱坐標為光致發(fā)光強度，單位取任意單 位(a. u.)，其中曲線1為采用本發(fā)明的溶膠-凝膠法制備Er2Si05光波導(dǎo)薄膜樣品，曲線2 為本發(fā)明的溶膠-凝膠法制備Er^2—xSi05(x = 0. 1)光波導(dǎo)薄膜樣品，兩條曲線均是在相同 360nm薄膜總厚度下作出來的，曲線1由于強度較低，所以在原來基礎(chǔ)上放大了 IO倍。由圖 可見，曲線2采用本發(fā)明的溶膠-凝膠法制備Er^—xSi05(x = 0. 1)光波導(dǎo)薄膜樣品的光致 發(fā)光峰值強度，較曲線1采用本發(fā)明的溶膠_凝膠法制備Er2Si05光波導(dǎo)薄膜樣品的光致發(fā) 光峰值強度增加30倍。 圖2是本發(fā)明中ErxY2—xSi05波導(dǎo)放大器的增益示意圖。 采用理論模型，計算了 ErxY2—xSi05波導(dǎo)放大器的增益與Er離子濃度、波導(dǎo)長度、 波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、泵浦功率和信號功率等參數(shù)的關(guān)系，如圖所示。在Ei^Si05中固溶部分Y離子， 當Er"濃度為1X10"ions/cm 光波導(dǎo)截面為500 X 500nm2，泵浦功率為70mW，信號功率為 lmW時，lmm長的波導(dǎo)中可實現(xiàn)14dB的凈光增益，為滿足硅光子學(xué)集成用10dB/mm光增益的 ErxY2—xSi05光波導(dǎo)放大器的實現(xiàn)提供了理論依據(jù)。
實施例1 某光通訊器件生產(chǎn)單位要求在Si02/Si基片上，制備波導(dǎo)長度為lmm的14dB增益 的光波導(dǎo)放大器，采用本發(fā)明鉺釔硅酸鹽無機化合物光波導(dǎo)放大器的制備方法，其步驟如 下 第一步，鉺釔硅氧溶膠的制備。 稀土鉺和釔鹽在醇溶劑(鉺鹽、釔鹽和醇的摩爾比為0.2 : 1.8 : 40)的環(huán)境 下7(TC攪拌lh，然后溶液被自然冷卻到室溫，加入一定化學(xué)劑量配比的正硅酸乙酯(TEOS) (鉺鹽、釔鹽和正硅酸乙酯的摩爾比為0. 2 : 1.8 : 1)繼續(xù)攪拌lh，接下來加入HN03或HCl 溶液，調(diào)整pH值為3，最后在7(TC繼續(xù)攪拌6h，直到有透明的溶膠形成。
第二步，在Si02/Si基片上制備鉺釔硅酸鹽無機化合物薄膜。 采用旋轉(zhuǎn)涂敷法把鉺釔硅氧溶膠涂敷在熱氧化獲得的Si02/Si基體上，基體中 Si02的厚度為lym，分別在14(TC空氣中干燥，60(TC Ar氣中預(yù)退火獲得鉺釔硅氧非晶薄 膜，最后在120(TC高溫退火獲得500nm厚結(jié)晶的鉺釔硅酸鹽化合物薄膜。
第三步，刻蝕出鉺釔硅酸鹽無機化合物光波導(dǎo)。 旋涂光刻膠(PMMA)于基片上，旋涂2分鐘后烘烤3分鐘，得到均勻的5ym左右的
5光刻膠。在EBL直寫系統(tǒng)下，曝光時間30分鐘，曝光劑量為300 ii c/cm2，利用電子束照射需 要曝光的圖形，線寬為0.5ym。將曝光后的基片顯影、定影、清洗。將樣品放在RIE反應(yīng)離 子刻蝕機中，采用Ar氣體刻蝕鉺釔硅酸鹽化合物薄膜，刻蝕深度為O. 5ym。然后，去掉剩余 的光刻膠，用旋涂法在刻蝕后的樣品上涂敷1000nm左右的Si02薄膜。最后，采用FIB聚焦 離子束刻蝕機修飾波導(dǎo)的側(cè)面。 之后，對上述修飾后的光波導(dǎo)性能進行檢測，泵浦源采用輸出波長1. 48iim的半 導(dǎo)體激光器LD。信號源采用半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)，輸出中心波長為1.53iim。泵浦光和 信號光經(jīng)由波分復(fù)用器(W匿)合路后由一根單模光纖輸出。經(jīng)檢測，鉺釔硅酸鹽無機化合 物光波導(dǎo)光增益為14±0. 5dB/mm。
實施例2 某光通訊器件生產(chǎn)單位要求在Si02/Si基片上，制備波導(dǎo)長度為0. 3mm的10dB增 益的光波導(dǎo)放大器，采用本發(fā)明的方法，其步驟如下
第一步，鉺釔硅氧溶膠的制備。 稀土鉺和釔鹽在醇溶劑(鉺鹽、釔鹽和醇的摩爾比為0.5 : 1.5 : 40)的環(huán)境 下7(TC攪拌lh，然后溶液被自然冷卻到室溫，加入一定化學(xué)劑量配比的正硅酸乙酯(TEOS)
(鉺鹽、釔鹽和正硅酸乙酯的摩爾比為o.5 : 1.5 : i)繼續(xù)攪拌ih，接下來加入一定比例
的HN03或HC1溶液，調(diào)整pH值為3，最后在7(TC繼續(xù)攪拌4h。直到有透明的溶膠形成。
第二步，在Si02/Si基片上制備鉺釔硅酸鹽無機化合物薄膜。 采用旋轉(zhuǎn)涂敷法把鉺釔硅氧溶膠涂敷在熱氧化獲得的Si02/Si基體上，基體中 Si02的厚度為3ym，分別在14(TC空氣中干燥，60(TC Ar氣中預(yù)退火獲得鉺釔硅氧非晶薄 膜，最后在120(TC高溫退火獲得500nm厚結(jié)晶的鉺釔硅酸鹽化合物薄膜。
第三步，刻蝕出鉺釔硅酸鹽無機化合物光波導(dǎo)。 旋涂光刻膠(PMMA)于基片上，旋涂2分鐘后烘烤3分鐘，得到均勻的5ym左右的 光刻膠。在EBL直寫系統(tǒng)下，曝光時間30分鐘，曝光劑量為300 ii c/cm2，利用電子束照射需 要曝光的圖形，線寬為0.4ym。將曝光后的基片顯影、定影、清洗。將樣品放在RIE反應(yīng)離 子刻蝕機中，采用Ar氣體刻蝕鉺釔硅酸鹽化合物薄膜，刻蝕深度為O. 3ym。然后，去掉剩余 的光刻膠，用旋涂法在刻蝕后的樣品上涂敷1000nm左右的Si02薄膜。最后，采用FIB聚焦 離子束刻蝕機修飾波導(dǎo)的側(cè)面。 之后，對上述修飾后的光波導(dǎo)性能進行檢測，泵浦源采用輸出波長1. 48iim的半 導(dǎo)體激光器LD。信號源采用半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)，輸出中心波長為1.53iim。泵浦光和 信號光經(jīng)由波分復(fù)用器(W匿)合路后由一根單模光纖輸出。經(jīng)檢測鉺釔硅酸鹽無機化合物 光波導(dǎo)光增益為10 ±0. 5dB/mm。
實施例3 某光通訊器件生產(chǎn)單位要求在Si02/Si基片上，制備波導(dǎo)長度為0. 5mm的10dB增 益的光波導(dǎo)放大器，采用本發(fā)明的方法，其步驟如下
第一步，鉺釔硅氧溶膠的制備。 稀土鉺和釔鹽在醇溶劑(鉺鹽、釔鹽和醇的摩爾比為1 : 1 : 40)的環(huán)境下7(TC 攪拌lh，然后溶液被自然冷卻到室溫，加入一定化學(xué)劑量配比的正硅酸乙酯(TEOS)(鉺鹽、
釔鹽和正硅酸乙酯的摩爾比為i : i : i)繼續(xù)攪拌ih，接下來加入一定比例的HN03或HCi
6溶液，調(diào)整pH值為3，最后在7(TC繼續(xù)攪拌6h，直到有透明的溶膠形成。
第二步，在Si02/Si基片上制備鉺釔硅酸鹽無機化合物薄膜。 采用旋轉(zhuǎn)涂敷法把鉺釔硅氧溶膠涂敷在熱氧化獲得的Si02/Si基體上，基體中 Si02的厚度為2ym，分別在10(TC空氣中干燥，50(TC Ar氣中預(yù)退火獲得鉺釔硅氧非晶薄 膜，最后在120(TC高溫退火獲得500nm厚結(jié)晶的鉺釔硅酸鹽化合物薄膜。
第三步，刻蝕出鉺釔硅酸鹽無機化合物光波導(dǎo)。 旋涂光刻膠(PMMA)于基片上，旋涂2分鐘后烘烤3分鐘，得到均勻的5ym左右的 光刻膠。在EBL直寫系統(tǒng)下，曝光時間30分鐘，曝光劑量為300 ii c/cm2，利用電子束照射需 要曝光的圖形，線寬為0.5ym。將曝光后的基片顯影、定影、清洗。將樣品放在RIE反應(yīng)離 子刻蝕機中，采用Ar氣體刻蝕鉺釔硅酸鹽化合物薄膜，刻蝕深度為0. 4 ii m。然后，去掉剩余 的光刻膠，用旋涂法在刻蝕后的樣品上涂敷1000nm左右的Si02薄膜。最后，采用FIB聚焦 離子束刻蝕機修飾波導(dǎo)的側(cè)面。 之后，對上述修飾后的光波導(dǎo)性能進行檢測，泵浦源采用輸出波長0. 65 ii m的半 導(dǎo)體激光器LD。信號源采用半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)，輸出中心波長為1.53iim。泵浦光和 信號光經(jīng)由波分復(fù)用器(W匿)合路后由一根單模光纖輸出。經(jīng)檢測鉺釔硅酸鹽無機化合物 光波導(dǎo)光增益為10 ±0. 5dB/mm。 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換 也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
一種光波導(dǎo)放大器的制備方法，所述光波導(dǎo)放大器由鉺釔硅酸鹽無機化合物制成，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟A.鉺釔硅氧溶膠的制備稀土鉺和釔鹽在醇溶劑的環(huán)境下60-70℃攪拌1-3h，然后溶液被自然冷卻到室溫；加入一定化學(xué)劑量配比的正硅酸乙酯繼續(xù)攪拌1-3h；接下來加入HNO3或HCl溶液，調(diào)整pH值為2-4；最后在60-70℃繼續(xù)攪拌4-10h，直至有透明溶膠形成；B.在SiO2/Si基片上制備鉺釔硅酸鹽無機化合物薄膜采用旋轉(zhuǎn)涂敷法把鉺釔硅氧溶膠涂敷在SiO2/Si基體上；分別在100-140℃空氣中干燥，500-600℃Ar氣中預(yù)退火獲得鉺釔硅氧非晶薄膜；最后在1100-1200℃高溫退火獲得結(jié)晶的鉺釔硅酸鹽化合物薄膜；C.刻蝕鉺釔硅酸鹽無機化合物光波導(dǎo)旋涂光刻膠于基片上，旋涂1-3分鐘后烘烤2-5分鐘，得到均勻的3-7μm光刻膠；在電子束曝光機直寫系統(tǒng)下，選擇合適的曝光時間和曝光劑量，利用電子束照射需要曝光的圖形，將曝光后的基片顯影、定影、清洗；然后將基片放在反應(yīng)離子刻蝕機中，選用反應(yīng)氣體刻蝕鉺釔硅酸鹽化合物薄膜，去掉剩余的光刻膠；用旋涂法在刻蝕后的樣品上涂敷500-2000nm的SiO2薄膜，最后采用聚焦離子束刻蝕機修飾波導(dǎo)的側(cè)面；之后，對所述修飾后的光波導(dǎo)性能進行檢測，泵浦源采用兩種輸出波長的半導(dǎo)體激光器，信號源采用半導(dǎo)體發(fā)光二極管；泵浦光和信號光經(jīng)由波分復(fù)用器合路后由一根單模光纖輸出。
2 . 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟A中鉺和釔鹽 采用硝酸鹽、氯酸鹽和醋酸鹽中的一種，鉺和釔鹽摩爾比為1/20-2。
3. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟A中醇溶劑采 用乙醇和異丙醇中的一種，鉺和釔鹽的摩爾和與醇的摩爾比為1/60-1/5。
4. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟A中鉺和釔鹽 的摩爾和與正硅酸乙酯的摩爾比為2 : 1。
5. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟B中Si02/Si 基體中Si02厚度為l-3iim。
6. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟C中曝光時間 為10-60mins，曝光劑量為100-500 ii c/cm2。
7. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟C中反應(yīng)氣體 為Cl2， Ar， CF4， SF6， 02中的一種。
8. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟C中波導(dǎo)截面 尺寸為(300-600)nmX (300-600)nm，波導(dǎo)長度為0. 2-lmm。
9. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟C中兩種半導(dǎo) 體激光器波長分別為0. 65 ii m和1. 48 y m。
10. 如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)放大器的制備方法，其特征在于，所述步驟C中半導(dǎo)體 發(fā)光二極管輸出中心波長為1.53iim。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光波導(dǎo)放大器的制備方法，所述光波導(dǎo)放大器由鉺釔硅酸鹽無機化合物制成，所述制備方法包括以下步驟A.鉺釔硅氧溶膠的制備；B.在SiO2/Si基片上制備鉺釔硅酸鹽無機化合物薄膜；C.刻蝕鉺釔硅酸鹽無機化合物光波導(dǎo)及其性能的檢測。使用本發(fā)明方法所制備的光波導(dǎo)放大器與已有的光波導(dǎo)放大器相比，鉺離子濃度提高1-2個數(shù)量級，尺寸減少1-2個數(shù)量級，增益提高1-2個數(shù)量級，滿足硅基光電子集成器件毫米尺寸10dB以上增益的要求，對于發(fā)展下一代光通信集成系統(tǒng)具有重要意義。
文檔編號G02F1/39GK101710223SQ20091023730
公開日2010年5月19日 申請日期2009年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者周治平, 王興軍, 王磊, 郭瑞民 申請人:北京大學(xué)