專利名稱：陣列基板及其制造方法和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及液晶顯示器結(jié)構(gòu)技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和 液晶顯示器。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay，簡稱 TFT-LCD)是當(dāng)前主流的平板顯示器，其基本結(jié)構(gòu)包括由兩塊基板對盒而成的液晶面板，基 板之間填充液晶層。通過基板在液晶層兩側(cè)施加電場，控制液晶分子的狀態(tài)，從而控制液晶 面板外背光源產(chǎn)生的光線能否通過液晶分子，穿過液晶層的光線呈現(xiàn)出不同的灰度，且透 過彩色濾光片的各色阻之后就可以在顯示屏上呈現(xiàn)彩色圖案效果。液晶面板的兩基板一般為陣列基板和彩膜基板。陣列基板又可稱為TFT基板，其 典型的結(jié)構(gòu)是包括橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，圍設(shè)形成多個像素單元，像素單元中設(shè)有像 素電極。像素電極連接TFT開關(guān)中的漏電極，再通過TFT開關(guān)中的源電極連接數(shù)據(jù)線，且通 過TFT開關(guān)中的柵電極連接?xùn)啪€。陣列基板上諸如數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)和像素電極等導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)均相互間隔或通過絕緣層保持絕緣。驅(qū)動電路向柵線輸入掃描驅(qū)動信號，向數(shù)據(jù)線 輸入圖像信號，從而分別向各個像素電極施加電壓，驅(qū)動液晶分子扭轉(zhuǎn)。在陣列基板上，像素單元所構(gòu)成的像素區(qū)域之外是可以稱為襯墊(PAD)區(qū)域的外 圍區(qū)域。在外圍區(qū)域中不設(shè)置像素電極，而是將各條數(shù)據(jù)線和柵線延伸至外圍區(qū)域中，以備 連接驅(qū)動電路?；谏鲜霈F(xiàn)有技術(shù)的陣列基板，在外圍區(qū)域中的數(shù)據(jù)線和柵線是與像素區(qū)域中的 數(shù)據(jù)線和柵線同步形成的。典型的陣列基板制造步驟包括在襯底基板上形成柵線；在形 成柵線的襯底基板上覆蓋第一絕緣層；在第一絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和TFT開關(guān)；而后覆蓋 上第二絕緣層；再形成像素電極，通過漏電極過孔與TFT開關(guān)的漏電極相連。對于外圍區(qū)域，數(shù)據(jù)線上僅覆蓋有第二絕緣層。在陣列基板制造完成后進(jìn)行諸如 切割、對盒等后續(xù)操作時(shí)，極易劃破較薄的第二絕緣層而損傷數(shù)據(jù)線。對柵線、數(shù)據(jù)線等信 號線的短路、斷路修復(fù)，現(xiàn)有技術(shù)一般使用激光切割和激光焊接相結(jié)合的方法，若損傷概率 高則會增加陣列基板的修復(fù)成本和產(chǎn)品不良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，以降低陣列基板外圍區(qū)域 中結(jié)構(gòu)的損壞概率，降低修復(fù)成本和產(chǎn)品不良率。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有像素 區(qū)域和外圍區(qū)域，所述外圍區(qū)域中形成有信號線，其中所述外圍區(qū)域的表面上還覆蓋有像素電極材料層和/或取向材料層。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板制造方法，包括在襯底基板上的像素區(qū)域和 外圍區(qū)域中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣層的流程，所述外圍區(qū)域中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括信號線，其中在所述像素區(qū)域中形成像素電極的圖案時(shí)，還在所述外圍區(qū)域的表面上保留制備 所述像素電極的像素電極材料；和/或在所述像素區(qū)域中形成取向膜層時(shí)，還在所述外圍區(qū)域的表面上保留制備所述取 向膜層的取向材料。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示器，包括液晶面板，其中所述液晶面板包括 彩膜基板和本發(fā)明提供的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有液晶層。采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，在外圍區(qū)域的表面上進(jìn)一步形成了像素電極材料 層和/或取向材料層，能夠?qū)ν鈬鷧^(qū)域中的柵線和數(shù)據(jù)線等信號線進(jìn)行保護(hù)，降低其損壞 概率，從而降低修復(fù)成本和產(chǎn)品不良率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的俯視局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中沿A-A向的側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是 本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的俯視局部結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中沿 A-A向的側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1通常為玻璃基板。 該襯底基板1上形成有像素區(qū)域100和外圍區(qū)域200 (圖中由虛線區(qū)分的區(qū)域)。外圍區(qū) 域200中形成有柵線2、數(shù)據(jù)線4和絕緣層。圖1和圖2中所示的陣列基板為一種典型的結(jié) 構(gòu)，在像素區(qū)域100中，包括橫向設(shè)置的多條柵線2，縱向設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線4，柵線2和數(shù) 據(jù)線4橫縱交叉而圍設(shè)形成多個像素單元，每個像素單元中都設(shè)置有像素電極9和TFT開 關(guān)。TFT開關(guān)具體包括柵電極3、有源層7、源電極5和漏電極6。柵電極3與柵線2—體形 成，其上覆蓋第一絕緣層10。第一絕緣層10上形成有源層7，又稱硅島，其對應(yīng)于柵電極3 的上方。源電極5和漏電極6與數(shù)據(jù)線4同層形成，其中源電極5與數(shù)據(jù)線4相連，源電極 5和漏電極6相對的端部設(shè)置在有源層7的上方。在數(shù)據(jù)線4、有源層7、源電極5和漏電極 6上還覆蓋有第二絕緣層11，像素電極9形成在第二絕緣層11上，通過第二絕緣層11中對 應(yīng)漏電極6上方的漏電極過孔8與漏電極6相連。為了在填充液晶分子后進(jìn)行取向，一般 還在像素區(qū)域100的表面鋪設(shè)取向膜層(第一絕緣層10、第二絕緣層11和取向膜層等絕緣 材料層在俯視圖1中未示出，其位置可參見側(cè)視剖面圖2)。外圍區(qū)域200中的結(jié)構(gòu)是與像素區(qū)域100中的結(jié)構(gòu)同步形成的，包括柵線2，柵線 2上覆蓋的第一絕緣層10，第一絕緣層10上形成的數(shù)據(jù)線4，數(shù)據(jù)線4上覆蓋的第二絕緣層 11。數(shù)據(jù)線4和柵線2是作為輸出(Fanout)的信號線。在本實(shí)施例中，還進(jìn)一步在外圍區(qū)域200的表面上覆蓋像素電極材料層13和/或取向材料層12。如圖2所示為同時(shí)包括像 素電極材料層13和取向材料層12的結(jié)構(gòu)示意圖，實(shí)際應(yīng)用中，也可以獨(dú)立增加像素電極材 料層13或取向材料層12。像素電極材料層13的厚度優(yōu)選為1150 1550埃米(A )，取向 材料層12的厚度優(yōu)選為600 1000埃米。具體制備像素電極材料層13和取向材料層12 時(shí)，應(yīng)結(jié)合像素電極9的構(gòu)圖工藝，通過刻蝕使像素區(qū)域100的像素電極9與外圍區(qū)域200 中的像素電極材料層13斷開，不相連接。類似的，可通過涂覆工藝使像素區(qū)域100的取向 膜層與外圍區(qū)域200中的取向材料層12斷開，不相連接。采用上述技術(shù)方案，可以利用已有工序中的像素電極材料和取向材料，布設(shè)在外 圍區(qū)域中形成保護(hù)層，以便對外圍區(qū)域中的柵線和數(shù)據(jù)線構(gòu)成保護(hù)，尤其是對數(shù)據(jù)線進(jìn)行 保護(hù)，數(shù)據(jù)線上若只有第二絕緣層時(shí)很容易被劃破損壞。優(yōu)選的是不僅利用已有材料，而且像素電極材料層13與像素區(qū)域100中的像素電 極9同層形成。取向材料層12也優(yōu)選的是與像素區(qū)域100中的取向膜層同層形成。采用 上述技術(shù)方案，既不增加已有制造流程的工序，又可以為外圍區(qū)域200的數(shù)據(jù)線4和柵線2 提供保護(hù)層，防止損壞，有效降低了修復(fù)成本和產(chǎn)品不良率。在本實(shí)施例中，第一絕緣層和第二絕緣層的材料可以為氮化硅，一般采用鈍化層 (PVX)即可，像素電極材料一般為透明導(dǎo)電材料，通常為銦錫氧化物andium Tin Oxides, 簡稱ΙΤ0)。本實(shí)施例圖1和圖2中所示出的陣列基板上的各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣層的相對位置關(guān) 系只是一種典型的陣列基板結(jié)構(gòu)，具體應(yīng)用中，能夠?qū)崿F(xiàn)相應(yīng)功能的陣列基板結(jié)構(gòu)并不限 于此。只要外圍區(qū)域中形成有柵線、數(shù)據(jù)線等信號線，且信號線上額外增設(shè)保護(hù)層即在本 發(fā)明的保護(hù)范圍之外，額外增設(shè)的保護(hù)層優(yōu)選是像素區(qū)域在形成數(shù)據(jù)線后又布設(shè)的層次結(jié) 構(gòu)，可以是導(dǎo)電材料層，也可以是絕緣材料層。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法包括在襯底基板上的像素區(qū)域和外 圍區(qū)域中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣層的流程，外圍區(qū)域中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括信號線。參照圖 1和2所示，信號線典型地包括數(shù)據(jù)線4和柵線2。像素區(qū)域100的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)則主要包括數(shù) 據(jù)線4、柵線2、TFT開關(guān)和像素電極9等。絕緣層可以是第一絕緣層10、第二絕緣層11和 取向膜層等。并且，在像素區(qū)域100中形成像素電極9的圖案時(shí)，還在外圍區(qū)域200的表面 上保留制備像素電極9的像素電極9材料作為像素電極材料層13 ；和/或在像素區(qū)域100 中形成取向膜層時(shí)，還在外圍區(qū)域200的表面上保留制備取向膜層的取向材料作為取向材 料層12。本實(shí)施例的技術(shù)方案可以用于制備本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板，在外圍區(qū)域 200中保留像素電極材料層13和/或取向材料層12，從而對外圍區(qū)域200的柵線2和數(shù)據(jù) 線4形成保護(hù)層，避免被劃傷而斷線。隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)產(chǎn)生了多種不同結(jié)構(gòu)的陣列基板，且制造方法也 有很多種，所以本發(fā)明的制造方法并不限于制備上述結(jié)構(gòu)的陣列基板。只要陣列基板的外 圍區(qū)域中形成有能夠?qū)щ姷男盘柧€，且在制備像素區(qū)域的像素電極和/或取向膜層時(shí)，在 外圍區(qū)域也保留像素電極材料層和/或取向材料層即在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)然，作 為信號線保護(hù)層的還可以是像素區(qū)域形成信號線之后的其他膜層。
為清楚描述起見，本實(shí)施例以一種典型的陣列基板制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明，如圖3 所示，在襯底基板上的像素區(qū)域和外圍區(qū)域中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣層的流程具體包括如下 步驟步驟310、在襯底基板上形成柵金屬材料層，并通過構(gòu)圖工藝，在像素區(qū)域形成 包括柵線和柵電極的圖案，且在外圍區(qū)域形成包括柵線的圖案，外圍區(qū)域的信號線包括柵 線.一入 ，步驟320、在形成上述圖案的襯底基板上形成第一絕緣層；步驟330、在第一絕緣層上形成有源材料層和數(shù)據(jù)線金屬材料層，并通過構(gòu)圖工 藝，在像素區(qū)域形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和有源層的圖案，且在外圍區(qū)域形成包括 數(shù)據(jù)線的圖案，外圍區(qū)域的信號線還包括數(shù)據(jù)線；步驟340、在形成上述圖案的襯底基板上形成第二絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝，在第 二絕緣層中形成漏電極過孔；步驟350、在第二絕緣層上形成像素電極材料層，并通過構(gòu)圖工藝，在像素區(qū)域形 成包括像素電極的圖案，同時(shí)在外圍區(qū)域保留像素電極材料層；步驟360、在形成上述圖案的襯底基板上形成取向材料層，并通過取向工藝形成取 向膜層，同時(shí)在外圍區(qū)域保留取向材料層。上述制備過程中，像素電極材料層的厚度優(yōu)選為1150 1550埃米，取向材料層的 厚度優(yōu)選為600 1000埃米。所制造的陣列基板可參見圖1和圖2所示。對于制造完成的陣列基板，可以通過對盒工藝(CELL)形成TFT-IXD的液晶面板。本發(fā)明基于陣列基板制備的已有工序?qū)ν鈬鷧^(qū)域形成保護(hù)層，工藝步驟簡單，成 本低廉，提高了產(chǎn)品的良率。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示器，包括液晶面板等主要部件，該液晶面板包 括彩膜基板和本發(fā)明任意實(shí)施例提供的陣列基板，該彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有液晶層。本發(fā)明通過保留外圍區(qū)域電路絕緣層上的像素電極材料層做保護(hù)層，以及對外圍 區(qū)域電路的像素電極材料層涂覆取向材料層的工藝設(shè)計(jì)，可以改變外圍區(qū)域電路容易產(chǎn)生 劃傷的缺陷，提高了液晶顯示器的良率。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有像素區(qū)域和外圍區(qū)域，所述外 圍區(qū)域中形成有信號線，其特征在于所述外圍區(qū)域的表面上還覆蓋有像素電極材料層和/或取向材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述像素電極材料層與所述像素區(qū) 域中的像素電極同層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述取向材料層與所述像素區(qū)域中 的取向膜層同層形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述像素電極材料層的厚度為 1150 1550埃米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述取向材料層的厚度為600 1000埃米。
6.一種陣列基板制造方法，包括在襯底基板上的像素區(qū)域和外圍區(qū)域中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 和絕緣層的流程，所述外圍區(qū)域中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括信號線，其特征在于在所述像素區(qū)域中形成像素電極的圖案時(shí)，還在所述外圍區(qū)域的表面上保留制備所述 像素電極的像素電極材料；和/或在所述像素區(qū)域中形成取向膜層時(shí)，還在所述外圍區(qū)域的表面上保留制備所述取向膜 層的取向材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制造方法，其特征在于，在襯底基板上的像素區(qū)域 和外圍區(qū)域中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣層的流程包括在所述襯底基板上形成柵金屬材料層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述像素區(qū)域形成包括柵 線和柵電極的圖案，且在所述外圍區(qū)域形成包括柵線的圖案，所述信號線包括所述柵線；在形成上述圖案的襯底基板上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成有源材料層和數(shù)據(jù)線金屬材料層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述 像素區(qū)域形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和有源層的圖案，且在所述外圍區(qū)域形成包括數(shù) 據(jù)線的圖案，所述信號線包括所述數(shù)據(jù)線；在形成上述圖案的襯底基板上形成第二絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述第二絕緣層 中形成漏電極過孔；在所述第二絕緣層上形成像素電極材料層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述像素區(qū)域形成包 括像素電極的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成取向材料層，并通過取向工藝形成取向膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制造方法，其特征在于所述像素電極材料的層厚 度為1150 1550埃米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制造方法，其特征在于所述取向材料的層厚度為 600 1000埃米。
10.一種液晶顯示器，包括液晶面板，其特征在于所述液晶面板包括彩膜基板和權(quán)利 要求1 5任一所述的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有液晶層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。該陣列基板包括襯底基板，襯底基板上形成有像素區(qū)域和外圍區(qū)域，外圍區(qū)域中形成有信號線，其中外圍區(qū)域的表面上還覆蓋有像素電極材料層和/或取向材料層。該制造方法包括在襯底基板上的像素區(qū)域和外圍區(qū)域中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣層的流程，外圍區(qū)域中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括信號線，其中，在像素區(qū)域中形成像素電極的圖案時(shí)，還在外圍區(qū)域的表面上保留制備像素電極的像素電極材料；和/或在像素區(qū)域中形成取向膜層時(shí)，還在外圍區(qū)域的表面上保留制備取向膜層的取向材料。本發(fā)明能夠?qū)ν鈬鷧^(qū)域中的柵線和數(shù)據(jù)線等信號線進(jìn)行保護(hù)，降低其損壞概率，從而降低修復(fù)成本和產(chǎn)品不良率。
文檔編號G02F1/1362GK102043295SQ200910243918
公開日2011年5月4日 申請日期2009年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月25日
發(fā)明者干林杰, 樸承翊, 楊玉清 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司