專利名稱：移相掩膜板的制造方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造方法技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種移相掩膜板的制造方法及
其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)伴隨集成電路制造方法的不斷進(jìn)步，線寬的不斷縮小，半導(dǎo)體器件的面 積正變得越來越小，半導(dǎo)體的布局已經(jīng)從普通的單一功能分離器件，演變成整合高密度多 功能的集成電路；由最初的IC(集成電路)隨后到LSI (大規(guī)模集成電路)，VLSI (超大規(guī)模 集成電路)，直至今天的ULSI (特大規(guī)模集成電路)，器件的面積進(jìn)一步縮小，功能更為全面 強(qiáng)大?？紤]到工藝研發(fā)的復(fù)雜性，長期性和高昂的成本等等不利因素的制約，如何在現(xiàn)有技 術(shù)水平的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高器件的集成密度，縮小芯片的面積，在同一枚硅片上盡可能多 的得到有效的芯片數(shù)，從而提高整體利益，將越來越受到芯片設(shè)計(jì)者，制造商的重視。其中 光刻工藝就擔(dān)負(fù)著關(guān)鍵的作用，對(duì)于光刻技術(shù)而言光刻設(shè)備、工藝及掩模板技術(shù)即是其中 的重中之重。 對(duì)于掩模板而言，移相掩模技術(shù)是提高光刻分辨率最實(shí)用的技術(shù)之一，這項(xiàng)技術(shù) 的原理是通過將相鄰區(qū)域的相位進(jìn)行180°反轉(zhuǎn)，使干涉效應(yīng)互相抵消，進(jìn)而抵消由于線寬 不斷縮小而導(dǎo)致版圖上相鄰特征區(qū)域的光刻質(zhì)量受光學(xué)臨近效應(yīng)的影響越來越大的負(fù)面 影響。這項(xiàng)技術(shù)的關(guān)鍵點(diǎn)在于移相層能夠精確的控制掩模板圖形的相位，由于在制造過程 中，移相層會(huì)經(jīng)受刻蝕、清洗等多重?fù)p傷，而且隨著技術(shù)的進(jìn)步，線寬越小，對(duì)掩模板缺陷的 要求也不斷提高，為保證掩模板清潔，需要在出廠前后以及生產(chǎn)過程中進(jìn)行清潔處理，但是 過多的處理會(huì)降低掩模板品質(zhì)，從而也降低產(chǎn)品質(zhì)量及合格率表現(xiàn)。請(qǐng)參考圖1至圖4，圖 1至圖4是現(xiàn)有技術(shù)移相掩膜板制造方法的流程圖，圖1中，移相消光層11位于基板10上， 鉻層13位于移相消光層11上；圖2中，在鉻層13相應(yīng)位置涂布光刻膠，對(duì)鉻層13進(jìn)行刻 蝕；圖3中，在剩余的鉻層13以及移相消光層11相應(yīng)的位置涂布光刻膠14 ;圖4中，對(duì)移 相消光層11進(jìn)行刻蝕，并去除光刻膠14，最后進(jìn)行清洗，完成移相掩膜板的制造方法，其中 所涉及的刻蝕工藝均為干法刻蝕。干法刻蝕按照常規(guī)理論，會(huì)形成陡峭的壁，而從圖4可以 看出，移相消光層11中所含有的側(cè)壁并不陡峭，這是因?yàn)樵诟煞涛g過程會(huì)對(duì)移相消光層 ll造成相對(duì)較大的損傷，而清洗的過程中，則會(huì)將遭受損傷的部分清洗掉，所以，造成了移 相消光層11被過度刻蝕，當(dāng)線寬很小時(shí)，這種誤差會(huì)降低掩膜板的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的刻蝕過程中移相消光層被過度刻蝕的問題，本發(fā)明提 供一種保護(hù)移相消光層，避免被過度刻蝕的方法。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種移相掩膜板的制造方法，包括以下步驟在襯 底上依次生長移相消光層、刻蝕保護(hù)層和金屬層；在所述金屬層上涂布第一光刻膠，刻蝕所 述金屬層；在所述刻蝕保護(hù)層上涂布第二光刻膠，刻蝕所述刻蝕保護(hù)層和所述移相消光層；
3去除所述第一光刻膠和所述第二光刻膠。 可選的，所述刻蝕保護(hù)層的材料為石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。 可選的，所述刻蝕保護(hù)層的厚度范圍為10埃至500微米。 可選的，所述刻蝕保護(hù)層的厚度為1微米。 可選的，所述金屬層中的金屬為鉻。 可選的，刻蝕所述金屬層采用干法刻蝕。 可選的，刻蝕所述移相消光層采用干法刻蝕。 可選的，在刻蝕所述金屬層后，對(duì)剩余的所述金屬層進(jìn)行清洗。 可選的，在刻蝕所述移相消光層后，對(duì)剩余的所述移相消光層進(jìn)行清洗。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提出一種移相掩膜板結(jié)構(gòu)，包括襯底移相消光
層，位于所述襯底上；金屬層，位于所述移相消光層上；在所述移相消光層和所述金屬層之
間，存在一刻蝕保護(hù)層。 可選的，所述刻蝕保護(hù)層的材料為石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。
可選的，所述刻蝕保護(hù)層的厚度范圍為10埃至500微米。
可選的，所述刻蝕保護(hù)層的厚度為1微米。 本發(fā)明一種移相掩膜板的制造方法的有益技術(shù)效果為本發(fā)明在移相消光層上增加一層刻蝕保護(hù)層，使得移相消光層在刻蝕和清洗過程中避免損傷，從而提高掩膜板的可靠性和使用壽命。


圖1至圖4為現(xiàn)有技術(shù)移相掩膜板的制造方法示意 圖5為本發(fā)明移相掩膜板的制造方法的流程示意 圖6至圖9為本發(fā)明移相掩膜板的制造方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面，結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。 首先，請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明移相掩膜板的制造方法的流程示意圖，從圖上可以看出，本發(fā)明一種移相掩膜板的制造方法包括以下步驟 步驟31 :在襯底上依次生長移相消光層、刻蝕保護(hù)層和金屬層，其中刻蝕保護(hù)層材料可以為石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃，本實(shí)施例中采用的為石英，刻蝕保護(hù)層的厚度范圍為10埃至500微米，本實(shí)施例中的刻蝕保護(hù)層厚度為1微米，本實(shí)施例中的金屬層中的金屬為鉻，在移相消光層上生長一層刻蝕保護(hù)層的目的保護(hù)移相消光層，避免在后續(xù)工藝刻蝕和清洗過程中造成損傷； 步驟32 :在所述金屬層上涂布第一光刻膠，刻蝕所述金屬層，這一步驟比較關(guān)鍵，第一光刻膠可以為負(fù)膠和正膠，本實(shí)施例中選擇正膠，涂布第一光刻膠后進(jìn)行曝光，曝光的光刻膠被顯影液溶解掉，而未曝光的光刻膠沒有被溶解掉也沒有吸收任何顯影液，作為刻蝕工序中的掩體，刻蝕所述金屬層采用干法刻蝕，干法刻蝕的主要優(yōu)點(diǎn)為刻蝕方向?yàn)楦飨虍愋?，方向上可以有選擇地進(jìn)行刻蝕，即可以刻蝕出陡峭的側(cè)壁，主要缺點(diǎn)是容易產(chǎn)生較大的損傷，在刻蝕工藝結(jié)束后，要對(duì)刻蝕后的 屬層進(jìn)行清洗；
步驟33 :在所述刻蝕保護(hù)層上涂布第二光刻膠，刻蝕所述刻蝕保護(hù)層和所述移相
消光層，涂布第二光刻膠后進(jìn)行曝光，曝光的光刻膠被顯影液溶解掉，而未曝光的光刻膠沒
有被溶解掉也沒有吸收任何顯影液，作為刻蝕工序中的掩體，存在于剩余金屬層上的第一
光刻膠也同樣作為掩體，保護(hù)金屬層在此步驟的刻蝕中免受損傷，刻蝕所述刻蝕保護(hù)層和
所述移相消光層也采用干法刻蝕，刻蝕完成后進(jìn)行清洗，上節(jié)提到，干法刻蝕的缺點(diǎn)是容易
產(chǎn)生較大的損傷，產(chǎn)生的損傷會(huì)在清洗過程中被清洗掉，在移相消光層上生長一層刻蝕保
護(hù)層，保護(hù)了移相消光層，從而提高掩膜板的可靠性和使用壽命； 步驟34 :去除所述第一光刻膠和所述第二光刻膠。 本發(fā)明還提出一種移相掩膜板結(jié)構(gòu)，包括襯底；移相消光層，位于所述襯底上； 金屬層，位于所述移相消光層上；在所述移相消光層和所述金屬層之間，存在一刻蝕保護(hù) 層，所述刻蝕保護(hù)層的材料為石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。所述刻蝕保護(hù)層的厚度范圍為10 埃至500微米。所述刻蝕保護(hù)層的厚度為1微米。 接著，請(qǐng)參考圖6至圖9，圖6至圖9為本發(fā)明移相掩膜板的制造方法示意圖，圖6 中，在襯底IO上依次生長移相消光層11、刻蝕保護(hù)層12和金屬層13，金屬層13中的金屬 為鉻；圖7中，金屬層13被刻蝕完成，金屬層13上的是第一光刻膠21 ;圖8中，刻蝕保護(hù)層 上的是第二光刻膠14 ;圖9中，刻蝕保護(hù)層12和移相消光層11被刻蝕完成，同時(shí)第一光刻 膠21和第二光刻膠14被去除，整個(gè)制作工藝完成。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所述技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾。因 此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種移相掩膜板的制造方法，其特征在于包括以下步驟在襯底上依次生長移相消光層、刻蝕保護(hù)層和金屬層；在所述金屬層上涂布第一光刻膠，刻蝕所述金屬層；在所述刻蝕保護(hù)層上涂布第二光刻膠，刻蝕所述刻蝕保護(hù)層和所述移相消光層；去除所述第一光刻膠和所述第二光刻膠。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述刻蝕保護(hù)層的材料 為石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述刻蝕保護(hù)層的 厚度范圍為10埃至500微米。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述刻蝕保護(hù)層的厚度 為1微米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述金屬層中的金屬為鉻。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于刻蝕所述金屬層采用干 法刻蝕。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于刻蝕所述移相消光層采 用于法刻蝕。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于在刻蝕所述金屬層后， 對(duì)剩余的所述金屬層進(jìn)行清洗。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于在刻蝕所述移相消光層 后，對(duì)剩余的所述移相消光層進(jìn)行清洗。
10. —種移相掩膜板結(jié)構(gòu)，包括襯底移相消光層，位于所述襯底上； 金屬層，位于所述移相消光層上；其特征在于在所述移相消光層和所述金屬層之間，存在一刻蝕保護(hù)層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相掩膜板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述刻蝕保護(hù)層的材料為石 英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的移相掩膜板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述刻蝕保護(hù)層的厚度 范圍為10埃至500微米。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的移相掩膜板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述刻蝕保護(hù)層的厚度為1 微米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種移相掩膜板的制造方法及其結(jié)構(gòu)，所述方法包括以下步驟在襯底上依次生長移相消光層、刻蝕保護(hù)層和金屬層；在所述金屬層上涂布第一光刻膠，刻蝕所述金屬層；在所述刻蝕保護(hù)層上涂布第二光刻膠，刻蝕所述刻蝕保護(hù)層和所述移相消光層；去除所述第一光刻膠和所述第二光刻膠，并清洗所述移相消光層，本發(fā)明所提供的工藝能夠有效的減少移相掩膜板制造方法中對(duì)移相消光層產(chǎn)生的損傷，提高移相掩膜板的可靠性和使用壽命。
文檔編號(hào)G03F1/26GK101770161SQ20091024787
公開日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者朱駿 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司