專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，尤其涉及液晶顯示裝置的像素陣列。
背景技術(shù)：
請參閱圖1至圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)提供了一種液晶顯示裝置的像素陣列，該像素 陣列包括多個以陣列方式排列的子像素陣列1，各個子像素陣列1包括四個像素電極11A、 IlBUlC和11D、四個薄膜晶體管12A、12B、12C和12D、一條數(shù)據(jù)線Sll和依序排列的四條 掃描線Gll至G14組成的兩行兩列的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，每一薄膜晶體管的漏極與一像素電 極連接，每一行的像素電極通過薄膜晶體管的柵極分別連接兩條掃描線而形成雙掃描線結(jié) 構(gòu)(dual gate)，具體的，像素電極IlA和IlB分別通過薄膜晶體管12A、12B連接于掃描線 Gll和G12，像素電極IlC和IlD分別通過薄膜晶體管12CU2D連接于掃描線G14和G13，四 個薄膜晶體管的源極共用一條數(shù)據(jù)線，具體的，第一列的像素電極IlA和IlD通過薄膜晶體 管12A和12D的源極與數(shù)據(jù)線Sll連接且位于數(shù)據(jù)線Sll的左側(cè)，第二列像素電極IlB和 IlC通過薄膜晶體管12B、12C與數(shù)據(jù)線Sll連接且位于數(shù)據(jù)線Sll的右側(cè)。圖1僅僅是示 意圖，表示出了由六個子像素陣列1組成的4行6列的像素陣列，在實際生產(chǎn)工藝中，液晶 顯示裝置的像素陣列是由多個子像素陣列1組成。請參閱圖1、圖2和圖3，以Vcom(公共電極)直流，“two dot inersion"(兩點 一組，極性反轉(zhuǎn))的情況為例，對上述子像素陣列1組成的像素陣列的顯示過程如下首先 打開掃描線Gl 1，掃描線Gll打開連接于掃描線Gll的第一行第一列、第三列和第五列的薄 膜晶體管對像素電極IlA充電，充電完成后，數(shù)據(jù)線Sll、S12和S13的數(shù)據(jù)輸入像素電極 IlA ；接著，關(guān)閉掃描線G11，掃描線G12打開薄膜晶體管而對第一行第二列、第四列和第六 列的像素電極IlB充電，在對像素電極IlB充電的過程中，第一列和第二列之間因為有數(shù)據(jù) 線S11，兩列的距離做得較大，寄生電容(圖中未示)的影響較小，可以忽略，而在第二列和 第三列之間因為沒有數(shù)據(jù)線，為了提高開口率，將兩列的距離做得較小，寄生電容12影響 較大，因此，第一行第二列、第四列的像素電極IlB的電壓會影響第一行第三列、第五列的 像素電極IlA上的電壓使得像素電極IlA的電壓發(fā)生變化(比如減小)，從而，第一行第三 列、第五列的像素電極IlA的灰階升高，第一行的像素電極IlB充電完成后，數(shù)據(jù)線S 11、 S12和S 13的數(shù)據(jù)輸入像素電極11B，然后關(guān)閉掃描線G12，打開掃描線G13，掃描線G13通 過薄膜晶體管對第二行第一列、第三列和第五列的像素電極IlD充電，數(shù)據(jù)線Sll的數(shù)據(jù)輸 入像素電極11D，然后打開掃描線G14對第二行的第二列、第四列和第六列的像素電極IlC 充電，同樣的，在對第二行的第二列、第四列和第六列的像素電極IlC充電的過程中，第二 列、第四列和第六列的像素電極IlC通過寄生電容而影響第二行第三列和第五列的像素電 極IlD的電壓使得像素電極IlD的灰階升高。從上述分析中，發(fā)生灰階變化的像素電極為第一行第三列和第五列的像素電極 IlA和第二行的第三列和第五列的像素電極11D，而第一行的第二列和第四列以及第二行 的第二列和第四列不發(fā)生灰階變化，以此類推，在整個像素陣列中，總是奇數(shù)列上的像素電極的電壓變化而使得灰階發(fā)生變化，而偶數(shù)列上灰階不發(fā)生變化，因此，發(fā)生灰階變化的像 素集中在一列上，從宏觀上看，在液晶顯示裝置中的顯示屏上會因為周期性灰階不均而出 現(xiàn)豎條。另外，為了降低寄生電容的影響而產(chǎn)生豎條的現(xiàn)象，目前，會加大相鄰兩列像素之 間的距離，以減小寄生電容的影響，但是，這樣，會降低開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是液晶顯示裝置的周期性灰階不均引起豎條現(xiàn)象以及加 大兩列像素之間的距離而影響開口率的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括由多個以陣列方式排列的 子像素陣列構(gòu)成的像素陣列，各個子像素陣列包括四個像素電極、四個薄膜晶體管、一條數(shù) 據(jù)線和依序排列的四條掃描線組成的兩行兩列像素的結(jié)構(gòu)，所述四個薄膜晶體管的源極共 用所述數(shù)據(jù)線，每一薄膜晶體管的漏極連接一像素電極，其中一列的兩個薄膜晶體管的柵 極分別與中間的兩條掃描線連接，另外一列的兩個薄膜晶體管的柵極與另外兩條掃描線連 接，所述液晶顯示裝置驅(qū)動時，依次掃描所述四條掃描線?？蛇x地，所述各個子像素陣列結(jié)構(gòu)相同。可選地，與中間的兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣列的奇數(shù)列，與 另外兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣列的偶數(shù)列?？蛇x地，與中間的兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣列的偶數(shù)列，與 另外兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣列的奇數(shù)列。 可選地，所述像素陣列中，相鄰四個排列成一行的子像素陣列中，各個子像素陣列 的結(jié)構(gòu)不完全相同?？蛇x地，所述像素陣列中，相鄰四個排列成田字形的子像素陣列中，各個子像素陣 列的結(jié)構(gòu)不完全相同?？蛇x地，所述四個子像素陣列中有三個子像素陣列結(jié)構(gòu)相同?？蛇x地，所述四個子像素陣列中有兩個子像素陣列的結(jié)構(gòu)相同。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明由于與數(shù)據(jù)線連接的兩列薄膜晶體管中，其中一列薄膜 晶體管分別與中間的兩條掃描線相連接，另外一列的薄膜晶體管與另外兩條掃描線連接， 且所述液晶顯示裝置驅(qū)動時，依次掃描所述四條掃描線。因此，在一個子像素陣列中，在同 一列的兩個像素電極中一個影響行相鄰的另一子像素陣列的像素電極的電壓而發(fā)生灰階 變化，而另一像素電極的像素電壓則受到其行相鄰的另一子像素陣列的像素電極的影響而 發(fā)生灰階變化，因此，在整個像素陣列中，發(fā)生灰階變化的像素電極被分散至不同的列上， 而不像現(xiàn)有技術(shù)那樣，總集中在一列上，因此，本發(fā)明通過調(diào)整像素電極的薄膜晶體管的柵 極與掃描線之間的連接方式而避免了周期性灰階不均引起的豎條現(xiàn)象，并且，不用增大兩 相鄰像素之間的距離就可以達到目的，保證了的開口率。


圖1是現(xiàn)有的液晶顯示裝置的像素陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中第N幀圖像時的示意圖3是圖1中第N+1幀圖像時的示意圖；圖4是本發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第六實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第七實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是本發(fā)明液晶顯示裝置的像素陣列第八實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的發(fā)明人在制造液晶顯示裝置的過程中，發(fā)現(xiàn)因為寄生電容的影響而使得 發(fā)生灰階變化的像素電極存在于同一列上而引起豎條現(xiàn)象。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動，調(diào)整各個像素電極的薄膜晶體管的柵極 與掃描線之間的連接方式使得發(fā)生灰階變化的像素電極分布在不同的列，從而，避免了灰 階變化的像素電極集中在一列而引起的豎條現(xiàn)象，而且，不用增大兩相鄰列像素的距離，保 證了開口率。為使本發(fā)明的上述目的、特征與優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實施方式
做詳細的說明。請參閱圖4，圖4表示該發(fā)明的第一實施例，在該實施例中，液晶顯示裝置的像素 陣列包括多個以陣列方式排列的第一子像素陣列2，各個第一子像素陣列2的結(jié)構(gòu)相同。以 其中一個第一子像素陣列2為例，該第一子像素陣列2包括四個像素電極21A、21B、21C和 21D、四個薄膜晶體管22A、22B、22C和22D、一條數(shù)據(jù)線S21和依序排列的四條掃描線G21、 G22、G23和GM組成的兩行兩列的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，每一行的像素電極分別通過薄膜晶 體管的柵極連接兩條掃描線而形成雙掃描線結(jié)構(gòu)(dual gate)，具體的，第一行的像素電極 21A和21B分別通過薄膜晶體管22A、22B連接于掃描線G21和G22，第二行的像素電極21C 和21D分別通過薄膜晶體管22C、22D連接于掃描線G23和G24 ；兩列薄膜晶體管的源極共 用一條數(shù)據(jù)線，具體的，第一列的薄膜晶體管22A和22D的源極與數(shù)據(jù)線S21連接且位于數(shù) 據(jù)線S21的左側(cè)，第二列薄膜晶體管22B和22C的源極與數(shù)據(jù)線S21連接且位于數(shù)據(jù)線S21 的右側(cè)。在與數(shù)據(jù)線S21連接的兩列薄膜晶體管中，其中一列薄膜晶體管22B和22C分別與 中間的兩條掃描線G22和G23相連接，另外一列的薄膜晶體管22A、22D與另外兩條掃描線 G21和GM連接，以此類推至整個像素陣列，在與數(shù)據(jù)線連接的任意相鄰兩列四個薄膜晶體 管分別與依次排列的四條掃描線連接，其中一列薄膜晶體管的柵極分別與該四條掃描線中 位于中間的兩條掃描線相連接，另外一列的薄膜晶體管的柵極與另外兩條掃描線連接。圖 4顯示了由6個第一子像素陣列2組成的4行6列像素陣列結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中，共有三條數(shù)據(jù) 線S2US22和S23，八條掃描線G21、G22、G23、G24、G25、G26、G27和G28以及若干位于掃描 線和數(shù)據(jù)線相交處的像素電極和薄膜晶體管。在所示的4行6列像素陣列結(jié)構(gòu)中，與中間 的兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于該結(jié)構(gòu)的為第二列、第四列和第六列，與另外兩條掃 描線連接的薄膜晶體管位于該結(jié)構(gòu)的第一列、第三列和第五列，以此類推至整個像素陣列，與中間的兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣列的偶數(shù)列，與另外兩條掃描線連 接的薄膜晶體管于整個像素陣列的奇數(shù)列。請繼續(xù)參閱圖4，該實施例的顯示過程如下，首先，向掃描線G21輸入掃描信號使 得掃描線G21打開。掃描線G21打開后，第一行的第一列、第三列和第五列的像素電極21A 被充電；接著，關(guān)閉掃描線G21，與像素電極21A連接的薄膜晶體管22A關(guān)斷，像素電極21A 進入電壓保持狀態(tài)，打開掃描線G22，第一行的第二列、第四列和第六列的像素電極21B被 充電，由于相鄰兩列的像素電極21A、21B之間存在寄生電容(比如，第二列的像素電極21B 與第三列的像素電極21A之間存在寄生電容)，以下就以第一行第二列和第三列的像素電 極21B和21A以及第二行第二列和第三列的像素電極21C和21D為例來說明本實施例，在 第一行第二列的像素電極21B被充電的過程中，第一行第二列的像素電極21B上的電壓通 過寄生電容使得第一行第三列的像素電極21A的電壓發(fā)生變化，比如，第一行第三列的像 素電極21A上的電壓變小，對于扭曲向列相常白模式，該第一行第三列的像素電極21A的灰 階升高；再接著，關(guān)閉掃描線G22，打開掃描線G23，與掃描線G23連接的第二行第二列的像 素電極21C被充電(當(dāng)然，此時，第二行的第四列和第六列的像素電極21C也會被充電)，關(guān) 斷掃描線G23后，第二行第二列的像素電極21C進入電壓保持狀態(tài)，接著，打開掃描線G24， 與掃描線以4連接的像素電極21D被充電(當(dāng)然，此時，第二行第三列和第五列的像素電 極21D也會被充電)，第二行第三列的像素電極21D在充電的過程中，同樣，由于存在寄生 電容，第二行第三列的像素電極21D的電壓影響第二行第二列的像素電極21C上的電壓，從 而，像素電極21C的灰階變高。綜上，第一次發(fā)生灰階變化的第一行第三列的像素電極是21A，第二次發(fā)生灰階變 化的第二行第二列的像素電極是21C，像素電極21A和像素電極21C不在同一列上，以此類 推至整個像素陣列，發(fā)生灰階變化的像素電極就不在同一列，與現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生灰階變化 的像素電極在同一列的情況相比，該實施列避免了周期性灰階不均引起豎條的情況，而且 還不用增大相鄰兩列之間的距離(第二列和第三列之間)，保證了開口率。請參閱圖5，圖5是本發(fā)明的第二實施例，該實施例中，所述液晶顯示裝置的像素 陣列也包括多個以陣列方式排列的第二子像素陣列3，各個第二子像素陣列3的結(jié)構(gòu)相同。 以其中一個第二子像素陣列3為例，第二子像素陣列3包括四個像素電極31A、31B、31C和 31D、四個薄膜晶體管32A、32B、32C和32D、一條數(shù)據(jù)線S31和依序排列的四條掃描線G31、 G32、G33和G34組成的兩行兩列的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，每一行的像素電極分別通過薄膜晶 體管的柵極連接兩條掃描線而形成雙掃描線結(jié)構(gòu)(dual gate)，具體的，第一行的像素電極 31A和31B分別通過薄膜晶體管32A、32B連接于掃描線G32和G31，第二行的像素電極31C 和31D分別通過薄膜晶體管32C、32D連接于掃描線G34和G33 ；兩列薄膜晶體管的源極共 用一條數(shù)據(jù)線，具體的，第一列的薄膜晶體管32A和32D的源極與數(shù)據(jù)線S31連接且位于數(shù) 據(jù)線S31的左側(cè)，第二列薄膜晶體管32B和32C的源極與數(shù)據(jù)線S31連接且位于數(shù)據(jù)線S31 的右側(cè)。在與數(shù)據(jù)線S31連接的兩列薄膜晶體管中，其中一列薄膜晶體管32A、32D的柵極 與掃描線G32和G33相連接，另外一列薄膜晶體管32B、32C的柵極與另外兩條掃描線G31 和G34連接。以此類推至整個像素整列，以此類推至整個像素陣列，在與數(shù)據(jù)線連接的任意 相鄰兩列四個薄膜晶體管分別與依次排列的四條掃描線連接，其中一列薄膜晶體管的柵極 分別與該四條掃描線中位于中間的兩條掃描線相連接，另外一列的薄膜晶體管的柵極與另外兩條掃描線連接。圖5顯示了由6個第二子像素陣列3組成的4行6列的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu) 中，共有三條數(shù)據(jù)線S31、S32和S33，八條掃描線G31、G32、G33、G34、G35、G36、G37和G38 以及若干位于掃描線和數(shù)據(jù)線相交處的像素電極和薄膜晶體管。在所示的4行6列的像素 陣列中，與中間的兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于該結(jié)構(gòu)的為第一列、第三列和第五列， 與另外兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于該結(jié)構(gòu)的第二列、第四列和第六列，以此類推至 整個像素陣列，中間的兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣列的奇數(shù)列，與另外 兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣列的偶數(shù)列。請繼續(xù)參閱圖5，由于該實施例中，掃描線和數(shù)據(jù)線的工作過程相同，因此，在此不 再贅述。下面僅對受影響的像素電極為例進行描述，在該實施例中，第一行的第三列的像素 電極31A影響第一行第二列的像素電極31B而使得像素電極31B的灰階發(fā)生變化，第二行 第二列的像素電極31C影響第二行第三列的像素電極31D而使得像素電極31D的灰階發(fā)生 變化，在該實施例中，灰階發(fā)生變化的像素31B和32D不在同一列上，以此類推至整個液晶 顯示裝置的像素陣列，發(fā)生灰階變化的像素電極就不在同一列，從而，避免了灰階變換的像 素電極集中在一列而引起的豎條現(xiàn)象，而且，不用增大兩相鄰列像素之間的距離，保證了開 口率。圖4和圖5所示的像素陣列中，各個子像素陣列的結(jié)構(gòu)相同，當(dāng)然，像素陣列中的 各個子像素陣列的結(jié)構(gòu)也可以不相同，下面以圖6至圖10為例，對子像素陣列結(jié)構(gòu)不同的 像素陣列的結(jié)構(gòu)說明如下請參閱圖6，圖6是本發(fā)明的第三實施例，在該實施例中，相鄰四個子像素陣列中 排成田字形，在該四個像素陣列中，有三個子像素陣列的結(jié)構(gòu)相同，具體的，包括三個第二 子像素陣列3和一個第一子像素陣列2，所述第一子像素陣列2位于田字形的右下角，在該 實施例中，都是在掃描線G41、G42、G43、G44、G45、G46、G47和G48依次獲得相應(yīng)的掃描信號 后打開與像素電極連接的的薄膜晶體管，然后相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號通過數(shù)據(jù)線S41和S42輸入， 在此不再贅述信號的輸入。在圖6中，第一行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管被 掃描線G41同時打開、第二行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G44 打開，因此，寄生電容不會影響像素電極的灰階，當(dāng)?shù)谌械诙械南袼仉姌O41B的薄膜晶 體管在獲取G45的掃描信號被打開而進入電壓保持狀態(tài)的時候，掃描線G46向第三行第三 列的像素電極41A充電的時候，該像素電極41A會影響第三行第二列的像素電極41B使得 像素電極41B的灰階發(fā)生變化，同樣的道理，在第四行第三列的像素電極41D的薄膜晶體管 獲取掃描線G47的信號而進入電壓保持狀態(tài)的時，第四行第二列的像素電極41C會影響第 四行第三列的像素電極41D的電壓而使得像素電極41D的灰階發(fā)生變化，在該實施例中，發(fā) 生灰階變化的像素電極41B和41D不在同一列，以此道理類推至整個像素陣列，發(fā)生灰階變 化的像素電極不在同一列上，因此，該實施例的像素電極陣列同樣不會出現(xiàn)灰階不均引起 豎條的現(xiàn)象。請參閱圖7，圖7是本發(fā)明的第四實施例，在該實施例中，相鄰四個子像素陣列排 列成田字形，在該四個子像素陣列中，有兩個子像素陣列的結(jié)構(gòu)相同，具體的，包括二個第 二子像素陣列3和二個第一子像素陣列2，二個第二子像素陣列3排成一列，二個第一子像 素陣列2排成一列，在該實施例中，當(dāng)對掃描線逐行進行掃描時，第一行第二列和第三列同 時被掃描線G51打開、第二行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G54
7打開，第三行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G55打開，第四行第 二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G58打開，因此，寄生電容不會影響 像素電極的灰階，因此，該實施例的像素電極陣列同樣不會出現(xiàn)灰階不均引起豎條的現(xiàn)象。請參閱圖8，圖8是本發(fā)明的第五實施例，在該實施例中，相鄰四個子像素陣列排 成田字形中，在該四個子像素陣列中，處于交叉位置的兩個子像素陣列的結(jié)構(gòu)相同，具體 的，包括二個第二子像素陣列3和二個第一子像素陣列2，兩個子像素陣列2位于對角線上、 兩個子像素陣列3位于對角線上，在該實施例中，當(dāng)對掃描線逐行進行掃描時，第一行第二 列和第三列同時被掃描線G62打開、第二行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時 被掃描線G63打開，第三行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G65打 開，第四行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G68打開，因此，寄生電 容不會影響像素電極的灰階，因此，該實施例的像素陣列同樣不會出現(xiàn)灰階不均引起豎條 的現(xiàn)象。請參閱圖9，圖9是本發(fā)明的第六實施例，在該實施例中，相鄰四個子像素陣列排 成田字形，在該四個子像素陣列中，有三個子像素陣列的結(jié)構(gòu)相同，具體的，包括三個第一 子像素陣列2和一個第二子像素陣列3，第二子像素陣列3位于田字形的左下角，在該實施 例中，當(dāng)對掃描線逐行進行掃描時，第一行第二列和第三列被掃描線G71同時打開、第二行 第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G74打開，因此，寄生電容不會影 響像素電極的灰階，當(dāng)?shù)谌械诙械南袼仉姌O71B的薄膜晶體管在獲取G76的掃描信號 被打開而進入電壓保持狀態(tài)的時候，掃描線G76向第三行第二列的像素電極71B充電的時 候，該像素電極71B會影響第三行第三列的像素電極7IA使得像素電極7IA的灰階發(fā)生變 化，同樣的道理，在第四行第二列的像素電極71C的薄膜晶體管獲取掃描線G77的信號而進 入電壓保持狀態(tài)的時，第四行第三列的像素電極71D會影響第四行第二列的像素電極71C 的電壓而使得像素電極71C的灰階發(fā)生變化，在該實施例中，發(fā)生灰階變化的像素電極71A 和71C不在同一列，以此道理類推至整個像素陣列，發(fā)生灰階變化的像素電極不在同一列 上，因此，該實施例的像素陣列同樣不會出現(xiàn)灰階不均引起豎條的現(xiàn)象。請參閱圖10，圖10是本發(fā)明的第七實施例，在該實施例中，相鄰四個子像素陣列 排列成田字形，在該四個子像素陣列中，有三個子像素陣列的結(jié)構(gòu)相同，具體的，包括三個 第一子像素陣列2和一個第二子像素陣列3，所述第二子像素陣列3位于田字形的右下角， 在該實施例中，當(dāng)對掃描線逐行進行掃描時，第一行第二列和第三列被掃描線G82同時打 開、第二行第二列和第三列的像素電極的薄膜晶體管同時被掃描線G83打開，因此，寄生電 容不會影響像素電極的灰階，當(dāng)?shù)谌械谌械南袼仉姌O81A的薄膜晶體管在獲取掃描線 G85的掃描信號被打開使得像素電極81A進入電壓保持狀態(tài)的時候，掃描線G86向第三行第 二列的像素電極81B充電的時候，該像素電極81B會影響第三行第三列的像素電極81A使 得像素電極81A的灰階發(fā)生變化，同樣的道理，在第四行第二列的像素電極81C的薄膜晶體 管獲取掃描線G87的信號而進入電壓保持狀態(tài)的時，第四行第三列的像素電極81D會影響 第四行第二列的像素電極81C的電壓而使得像素電極81C的灰階發(fā)生變化，在該實施例中， 發(fā)生灰階變化的像素電極81A和81C不在同一列，以此道理類推至整個像素陣列，發(fā)生灰階 變化的像素電極不在同一列上，因此，該實施例的像素陣列同樣不會出現(xiàn)灰階不均引起豎 條的現(xiàn)象。
上述第三實施例至第七實施例均對相鄰四個排列成田字形的子像素陣列中，各個 子像素陣列的結(jié)構(gòu)不完全相同的情況，但是，可以預(yù)見的是，當(dāng)四個子像素陣列排列成一行 或者一列時，所述液晶顯示裝置同樣不會出現(xiàn)灰階不均引起豎條的現(xiàn)象，請參閱圖11，圖11是本發(fā)明的第八實施例，在該實施例中，相鄰四個子像素陣列 排成一行，在該實施例中，包括三個第二子像素陣列3和一個第一子像素陣列2，所述三個 第二子像素陣列3相鄰，在該實施例中，所述四個像素陣列排成二行八列的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu) 中，第一行第二列的像素電極91B1和第三列的像素電極91A被掃描線G92同時充電，因此， 不會出現(xiàn)灰階不均的現(xiàn)象，同樣，第二行第二列的像素電極91C1和第三列的像素電極91D 被掃描線G93同時充電，也不會出現(xiàn)灰階不均的現(xiàn)象；第一行第四列的像素電極91B被第一 行第五列的像素電極91A影響而灰階發(fā)生變化，第二行第五列的像素電極91D被第二行第 四列的像素電極91C影響而灰階發(fā)生變化，從而，發(fā)生灰階變化的像素電極91D和91B不在 同一列上，從而，可以避免灰階不均的現(xiàn)象，同樣的道理，發(fā)生灰階變化的第一行第六列的 91B和第二行第七列的91D不在同一列，因此，相鄰四個子像素陣列排成一行的情況中，也 不會出現(xiàn)豎條現(xiàn)象。以此類推，所述三個第二子像素陣列3和第一子像素陣列2按照其他 方式排成一排，也能避免出現(xiàn)豎條的現(xiàn)象。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的 保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括由多個以陣列方式排列的子像素陣列構(gòu)成的像素陣列，各 個子像素陣列包括四個像素電極、四個薄膜晶體管、一條數(shù)據(jù)線和依序排列的四條掃描線 組成的兩行兩列像素的結(jié)構(gòu)，所述四個薄膜晶體管的源極共用所述數(shù)據(jù)線，每一薄膜晶體 管的漏極連接一像素電極，其特征在于，其中一列的兩個薄膜晶體管的柵極分別與中間的 兩條掃描線連接，另外一列的兩個薄膜晶體管的柵極與另外兩條掃描線連接，所述液晶顯 示裝置驅(qū)動時，依次掃描所述四條掃描線。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述各個子像素陣列結(jié)構(gòu)相同。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，與中間的兩條掃描線連接的薄膜 晶體管位于整個像素陣列的奇數(shù)列，與另外兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣 列的偶數(shù)列。
4.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，與中間的兩條掃描線連接的薄膜 晶體管位于整個像素陣列的偶數(shù)列，與另外兩條掃描線連接的薄膜晶體管位于整個像素陣 列的奇數(shù)列。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素陣列中，相鄰四個排列成 一行的子像素陣列中，各個子像素陣列的結(jié)構(gòu)不完全相同。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素陣列中，相鄰四個排列成 田字形的子像素陣列中，各個子像素陣列的結(jié)構(gòu)不完全相同。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述四個子像素陣列中有三個子 像素陣列結(jié)構(gòu)相同。
8.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述四個子像素陣列中有兩個子 像素陣列的結(jié)構(gòu)相同。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，包括由多個以陣列方式排列的子像素陣列構(gòu)成的像素陣列，各個子像素陣列包括四個像素電極、四個薄膜晶體管、一條數(shù)據(jù)線和依序排列的四條掃描線組成的兩行兩列像素的結(jié)構(gòu)，所述四個薄膜晶體管的源極共用所述數(shù)據(jù)線，每一薄膜晶體管的漏極連接一像素電極，其中一列的兩個薄膜晶體管的柵極分別與中間的兩條掃描線連接，另外一列的兩個薄膜晶體管的柵極與另外兩條掃描線連接，所述液晶顯示裝置驅(qū)動時，依次掃描所述四條掃描線。本發(fā)明由于發(fā)生灰階變化的像素電極至不同的列上，避免了周期性灰階不均引起的豎條現(xiàn)象，并且，保證了開口率。
文檔編號G02F1/1368GK102116979SQ200910248078
公開日2011年7月6日 申請日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者李峻, 李治福, 蔣順, 趙劍 申請人:上海天馬微電子有限公司