專利名稱：顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)，特別涉及一種用于薄膜晶體管液晶顯示面板的驅(qū)動結(jié) 構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示裝置具有輕、薄、占地小、耗電小、輻射小等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種 數(shù)據(jù)處理設(shè)備中，例如電視、筆記本電腦、移動電話、個人數(shù)字助理等。采用薄膜晶體管來 控制液晶顯示裝置中液晶分子排布的薄膜晶體管液晶顯示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)是最常見的一種液晶顯示面板。液晶顯示面板包括相對設(shè)置的陣列基板、彩膜基板以及液晶層，其中，陣列基板上 設(shè)置有掃描線、數(shù)據(jù)線以及由掃描線和數(shù)據(jù)線界定的像素單元，液晶顯示裝置的基板由大 量的像素單元構(gòu)成，同時設(shè)置有大量的掃描線和數(shù)據(jù)線，用于對所述像素單元提供驅(qū)動信 號。所述掃描線與薄膜晶體管的柵極相連，用于控制薄膜晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷；所述數(shù)據(jù)線 與薄膜晶體管的源極相連，用于給像素電極提供驅(qū)動電壓，用于控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度， 從而控制透過其的光強，產(chǎn)生不同的灰階。在已經(jīng)公開的申請?zhí)枮?00510080766.6的中國專利申請中公開了一種TFT顯示 裝置，主要使用移位寄存器來驅(qū)動掃描線和數(shù)據(jù)線，實現(xiàn)了 TFT顯示裝置的顯示過程，并通 過優(yōu)化移位寄存器輸入至掃描線的信號降低了顯示裝置的功耗。但上述方案中并沒有涉及 到掃描線和數(shù)據(jù)線的具體排布結(jié)構(gòu)，即掃描線和數(shù)據(jù)線的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，實際上，由于掃描線、 數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管都是不透光的，其面積過大會影響整個顯示面板的開口率(Aperture Ratio)。所述開口率指的是顯示面板中透光區(qū)域的面積與總面積的比例，開口率低會影響 顯示效果，而且會增大顯示面板的總體功耗。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的一種驅(qū)動結(jié)構(gòu)，包括數(shù)據(jù)線Sll至S16、掃描線 Gll至G13、以及排列成行和列的像素單元，以其中的一個像素單元100為例，所述像素單元 100包括晶體管1001和像素電極1002，所述晶體管1001的源極連接所述數(shù)據(jù)線，柵極連接 所述掃描線，漏極連接所述像素電極1002。圖1中的像素單元排布成3行6列，形成顯示 陣列。圖1僅是示意圖，在實際生產(chǎn)工藝中可以包括更多行和更多列的像素單元。如圖1 所示，第一行至第三行的像素單元中的晶體管的柵極分別連接至掃描線G11、G12和G13，第 一列至第六列的像素單元中的晶體管的源極分別連接數(shù)據(jù)線Sll至S16。圖2示出了本方 案的驅(qū)動結(jié)構(gòu)中掃描線的驅(qū)動信號，由于圖1中的晶體管類型為N型，因此高電平為有效信 號，所述掃描線Gll至G13依次輸入有效電平，先后選通第一行至第三行像素單元。在選通 過程中，所述數(shù)據(jù)線Sll至S16輸入相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號，對每一像素單元進行驅(qū)動，完成顯示 過程。因此，上述方案的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為每一行對應(yīng)一條獨立的掃描線，每一列對應(yīng)一條獨立的 數(shù)據(jù)線。圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的另外一種驅(qū)動結(jié)構(gòu)，通過共用數(shù)據(jù)線來提高開 口率。類似的，所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線S21至S23、掃描線G21至G26以及排列成行和列的像素單元。與之前所述的方案不同的是，本方案的驅(qū)動結(jié)構(gòu)中，相鄰兩列的像素單元共用 同一數(shù)據(jù)線，且位于同一行的共用同一數(shù)據(jù)線的像素單元連接不同的掃描線，防止了連接 同一數(shù)據(jù)線的兩像素單元在一次選通過程中被同時驅(qū)動(誤驅(qū)動)。圖4示出了本方案的 驅(qū)動結(jié)構(gòu)中掃描線的驅(qū)動信號，結(jié)合圖3和圖4所示，掃描線G21至G^依次輸入有效電平 進行驅(qū)動，其中掃描線G21、G23、G25的有效電平分別選通第一、三、五列中的像素單元，通 過數(shù)據(jù)線S21至S23中的數(shù)據(jù)信號完成被選通像素單元的驅(qū)動過程，而掃描線G22、GM、G^5 的有效電平則選通第二、四、六列中的像素單元，通過數(shù)據(jù)線S21中的數(shù)據(jù)信號完成其驅(qū)動 過程。以第一行中第一列和第二列的兩個像素單元為例，由于連接于同一數(shù)據(jù)線S21的兩 像素單元分別通過掃描線G21和G22進行選通和驅(qū)動，因此不會產(chǎn)生誤驅(qū)動的問題。上述 方案的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為每一行對應(yīng)兩條掃描線，而相鄰的兩列共用同一條數(shù)據(jù)線，與之前所述 方案的驅(qū)動結(jié)構(gòu)相比，數(shù)據(jù)線的數(shù)量減少了一半，但是掃描線的數(shù)量卻增加了一倍，其開口 率并沒有明顯的改善。因此，需要一種新的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，改善顯示面板的開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，提高開口率。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，包括數(shù)據(jù)線、掃描線 以及排布成行和列的像素單元，所述像素單元包括晶體管和像素電極，所述晶體管的源極 連接所述數(shù)據(jù)線，柵極連接所述掃描線，漏極連接所述像素電極，同一行內(nèi)的像素單元中的 晶體管的柵極連接同一掃描線，相鄰兩列的像素單元中的晶體管類型相反，其一為P型晶 體管，另一為N型晶體管，且其源極連接同一數(shù)據(jù)線。可選的，所述晶體管包括P型晶體管和N型晶體管?？蛇x的，所述顯示面板為薄膜晶體管液晶顯示面板?？蛇x的，同一列內(nèi)的像素單元中的晶體管都為P型晶體管或都為N型晶體管?？蛇x的，所述晶體管為多晶硅薄膜晶體管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點上述技術(shù)方案中的顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，相鄰兩列的像素單元共用同一數(shù)據(jù)線， 且相鄰兩列的像素單元中的晶體管類型相反，通過同一掃描線對同一行內(nèi)共用同一數(shù)據(jù)線 的像素單元進行分別選通，減少了掃描線的數(shù)量，提高了開口率。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的一種驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中所示驅(qū)動結(jié)構(gòu)的掃描線的驅(qū)動信號；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的另一種驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3中所示驅(qū)動結(jié)構(gòu)的掃描線的驅(qū)動信號；圖5是本發(fā)明實施例的顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實施例的驅(qū)動結(jié)構(gòu)的掃描線的驅(qū)動信號。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不 同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類 似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制?，F(xiàn)有技術(shù)中，圖3所示的驅(qū)動結(jié)構(gòu)通過相鄰兩列的像素單元共用同一數(shù)據(jù)線，減 少了數(shù)據(jù)線的數(shù)量，但是需要不同的掃描線來對連接同一數(shù)據(jù)線的像素單元進行分別選通 來防止誤驅(qū)動，使得每一行像素單元需要兩條掃描線，影響了整個顯示面板的開口率。本發(fā)明提供了一種驅(qū)動結(jié)構(gòu)，相鄰兩列的像素單元中的晶體管類型相反，使其導(dǎo) 通的有效電平相反，因此可以共用數(shù)據(jù)線且用同一掃描線來先后驅(qū)動連接于同一數(shù)據(jù)線的 像素單元，避免誤驅(qū)動問題。由于每一行像素單元僅對應(yīng)一條掃描線，相鄰兩列共用同一數(shù) 據(jù)線，因此減少了掃描線和數(shù)據(jù)線的數(shù)量，提高了開口率。圖5給出了本發(fā)明實施例的顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，所述驅(qū)動 結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線S31、S32、S33，掃描線G31、G32、G33，以及排列成行和列的像素單元，圖5 中的像素單元排布形成3行6列的陣列。以其中的一個像素單元200為例，所述像素單元 200包括晶體管2001和像素電極2002，所述晶體管2001的源極連接所述數(shù)據(jù)線，柵極連接 所述掃描線，漏極連接所述像素電極2002。圖5僅是一個示意圖，在實際生產(chǎn)中，根據(jù)實際 需求，所述顯示面板可以包括更多行和更多列的像素單元。本實施例中所述顯示面板為TFT-LCD。所述晶體管為薄膜晶體管，優(yōu)選為多晶硅薄 膜晶體管，與非晶硅薄膜晶體管相比，其響應(yīng)速度更快，使得顯示質(zhì)量更好。所述像素電極 為氧化銦錫(ITO)。仍然以所述像素單元200為例，所述晶體管2001連接的掃描線G31輸 入有效信號時，晶體管2001為導(dǎo)通狀態(tài)，使得對應(yīng)的數(shù)據(jù)線中的數(shù)據(jù)信號輸入至所述像素 電極2002，驅(qū)動液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度，從而控制透過該像素單元的光強，產(chǎn)生不同的灰階。仍然參考圖5，所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)的每一行內(nèi)的像素單元連接同一掃描線，具體為第一 行像素單元連接掃描線G31，第二行像素單元連接掃描線G32，第三行像素單元連接掃描線 G33。所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)的相鄰兩列像素單元中的晶體管類型相反，本實施例中一列為P型多 晶硅薄膜晶體管，另一列為N型多晶硅薄膜晶體管，且相鄰兩列內(nèi)的像素單元共用同一掃 描線。本實施例中第一、三、五列內(nèi)的像素單元的晶體管都為N型多晶硅薄膜晶體管，第二、 四、六列內(nèi)的像素單元的晶體管都為P型多晶硅薄膜晶體管。第一至第六列像素單元兩兩 一組，共用同一數(shù)據(jù)線，具體為第一列和第二列像素單元共用數(shù)據(jù)線S31，第三列和第四列 像素單元共用數(shù)據(jù)線S32，第五列和第六列像素單元共用數(shù)據(jù)線S33。由于相鄰的兩列像素 單元中的多晶硅薄膜晶體管類型相反，其導(dǎo)通的有效信號的電平相應(yīng)的也相反，因此對于 同一行中的像素單元，可以使用同一掃描線對該行內(nèi)的P型多晶硅薄膜晶體管和N型多晶 硅薄膜晶體管分別進行選通，從而不會造成共用同一數(shù)據(jù)線和同一掃描線的兩個像素單元 的誤驅(qū)動問題。本實施例的驅(qū)動結(jié)構(gòu)與背景技術(shù)中的第一種驅(qū)動結(jié)構(gòu)相比，數(shù)據(jù)線的數(shù)量減少一 半；與背景技術(shù)中的第二種驅(qū)動結(jié)構(gòu)相比，掃描線的數(shù)量減少一半，從而減少了掃描線和數(shù) 據(jù)線在顯示面板中占的面積，提高了開口率。同時由于掃描線和數(shù)據(jù)線的數(shù)量有所減少，也降低了顯示面板的制造成本。圖6給出了圖5所示的驅(qū)動結(jié)構(gòu)對應(yīng)的掃描線的驅(qū)動信號。結(jié)合圖5和圖6，圖 6中掃描線G31首先輸入正電平的有效信號，使得圖5中第一行中的N型多晶硅薄膜晶體 管導(dǎo)通而P型多晶硅薄膜晶體管仍為關(guān)斷狀態(tài)，即第一行中第一、三、五列的像素單元被選 通，使用數(shù)據(jù)線S31至S33中的數(shù)據(jù)信號完成驅(qū)動過程，此時第二、四、六列的像素單元中 的多晶硅薄膜晶體管為關(guān)斷狀態(tài)，因此數(shù)據(jù)線S31至S33中的數(shù)據(jù)信號不會對其中的像素 電極造成誤驅(qū)動。之后掃描線G31輸入負電平的有效信號，使得第一行中的P型多晶硅薄 膜晶體管導(dǎo)通而N型多晶硅薄膜晶體管關(guān)斷，即第一行中第二、四、六列中的像素單元被選 通，使用數(shù)據(jù)線S31至S33中的數(shù)據(jù)信號完成驅(qū)動過程，由于此時第一、三、五列像素單元中 的多晶硅薄膜晶體管為關(guān)斷狀態(tài)，因此不會對其造成誤驅(qū)動。至此，完成了第一行像素單元 的驅(qū)動過程。類似的，之后再分別使用掃描線G32和G33分別對第二行和第三行的像素單 元進行選通和驅(qū)動，完成整個驅(qū)動過程。本技術(shù)方案在沒有增加掃描線的基礎(chǔ)上減少了一半數(shù)據(jù)線，提高了顯示面板的開 口率，降低了顯示面板的驅(qū)動電路和背光單元的成本；由于減少了數(shù)據(jù)線，可在單位面積內(nèi) 獲得更高的分辨率，使得圖像顯示更加清晰細膩，提高了圖像顯示質(zhì)量。需要說明的是，本實施例中同一列像素單元中的多晶硅薄膜晶體管類型相同，都 為P型多晶硅薄膜晶體管或都為N型多晶硅薄膜晶體管，使得制造過程相對簡單。在本發(fā) 明的其他實施例中，同一列像素單元中的多晶硅薄膜晶體管類型可以不同，只要保證同一 行內(nèi)相鄰的共用同一數(shù)據(jù)線的兩像素單元中的多晶硅薄膜晶體管類型相反即可。綜上所述，本發(fā)明提供了一種顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，相鄰兩列的像素單元共用同 一數(shù)據(jù)線，且同一行內(nèi)共用同一數(shù)據(jù)線的兩像素單元中的晶體管類型相反，其一為P型晶 體管，另一為N型晶體管，使得同一行的像素單元僅需要一條掃描線，減少了掃描線的數(shù) 量，提高了開口率，降低了成本。本發(fā)明的實施例是以TFT-LCD為例，在實際生產(chǎn)應(yīng)用中，本技術(shù)方案的驅(qū)動結(jié)構(gòu) 還可用于平板顯示領(lǐng)域中的其他陣列顯示結(jié)構(gòu)，如主動矩陣有機發(fā)光二極管面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā) 明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明 的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案 的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，包括數(shù)據(jù)線、掃描線以及排布成行和列的像素單元，所述 像素單元包括晶體管和像素電極，所述晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，柵極連接所述掃描 線，漏極連接所述像素電極，其特征在于，同一行內(nèi)的像素單元中的晶體管的柵極連接同一掃描線，相鄰兩列的像素單元中的晶 體管類型相反，其一為P型晶體管，另一為N型晶體管，且其源極連接同一數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶體管包括P型晶體 管和N型晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述顯示面板為薄膜晶 體管液晶顯示面板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，其特征在于，同一列內(nèi)的像素單元中 的晶體管都為P型晶體管或都為N型晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶體管 為多晶硅薄膜晶體管。
全文摘要
一種顯示面板的驅(qū)動結(jié)構(gòu)，包括數(shù)據(jù)線、掃描線以及排布成行和列的像素單元，所述像素單元包括晶體管和像素電極，所述晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，柵極連接所述掃描線，漏極連接所述像素電極，同一行內(nèi)的像素單元中的晶體管的柵極連接同一掃描線，相鄰兩列的像素單元中的晶體管類型相反，其一為P型晶體管，另一為N型晶體管，且其源極連接同一數(shù)據(jù)線。本發(fā)明提高了開口率，降低了成本。
文檔編號G02F1/133GK102117602SQ200910248079
公開日2011年7月6日 申請日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者沈嶺 申請人:上海天馬微電子有限公司