專(zhuān)利名稱(chēng)：光致抗蝕劑剝離組合物及使用所述組合物剝離光致抗蝕劑的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光致抗蝕劑剝離組合物，和使用所述組合物剝離光致抗蝕劑的方法。本申請(qǐng)要求2008年4月7日向韓國(guó)專(zhuān)利局(KIPO)提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案號(hào) 10-2008-0032149的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用納入本文。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路或液晶顯示器的精細(xì)電路的制備方法包括均勻地將光致抗蝕劑 涂布于形成于基板上的導(dǎo)電金屬膜或絕緣膜上，其中，所述導(dǎo)電金屬膜例如有鋁、鋁合金、 銅、銅合金等，而所述絕緣膜例如有氧化硅膜、氮化硅膜等；選擇性地對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝 光和顯影，以形成光致抗蝕劑圖案；以圖案化光致耐蝕膜作為掩模，對(duì)導(dǎo)電金屬膜或絕緣膜 進(jìn)行濕式蝕刻或干式蝕刻，進(jìn)而于光致抗蝕劑下層轉(zhuǎn)印出精細(xì)電路圖案；使用剝離劑(剝 離液)除去不必要的光致抗蝕劑層。近來(lái)，隨著液晶顯示器設(shè)備大型化，使用剝離劑處理的光致抗蝕劑的濃度也在 增加。因此，為提高剝離劑相對(duì)較低的剝離能力，已使用對(duì)于光致抗蝕劑具有大溶解度 的二甲基乙酰胺(dimethylacetamide，DMAc)代替一般用于剝離劑中的二醇，如二甘 醇單丁醚(diethyleneglycol monobutylether)、二 甘醇單乙醚(diethyleneglycol monoethylether)等。然而，與已知二醇相比，所述DMAc具有相對(duì)較低的沸點(diǎn)和較高的揮發(fā)性，因此不 可應(yīng)用已知使用剝離劑時(shí)的70°C工藝條件，而應(yīng)使用溫度范圍在50至60°C的新工藝條件。 就液晶顯示器制備方法的穩(wěn)定性而言，低溫的工藝條件較為有利，但剝離劑的剝離力可能 會(huì)下降，且由于剝離力下降，產(chǎn)量可能隨著總處理時(shí)間的增加而降低。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題為了克服相關(guān)領(lǐng)域中的上述問(wèn)題，必須開(kāi)發(fā)出這樣一種光致抗蝕劑剝離組合物， 其具有出色的光致抗蝕劑剝離力，且即使其以相對(duì)少量使用，仍能夠剝離大量光致抗蝕劑， 并可適用于高溫工藝條件，不會(huì)降低產(chǎn)率，不會(huì)與組合物中的其它組分反應(yīng)，且不會(huì)產(chǎn)生不 需要的副產(chǎn)物。技術(shù)方案本發(fā)明提供一種光致抗蝕劑剝離組合物，其包括1)具有光致抗蝕劑剝離力的化 合物；和2)溶劑，其包括如下式1所示的乳酰胺類(lèi)化合物[式1]
權(quán)利要求
一種光致抗蝕劑剝離組合物，包含1)具有光致抗蝕劑剝離力的化合物；和2)溶劑，其包含如下式1所示的乳酰胺類(lèi)化合物[式1]其中，R1為氫或具有1至3個(gè)碳原子的烷基，且R2和R3互為相同或不同，且各自獨(dú)立為氫或具有1至3個(gè)碳原子的烷基。FPA00001232687200011.tif
2.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述1)具有光致抗蝕劑剝離力的 化合物為有機(jī)胺類(lèi)化合物。
3.權(quán)利要求2的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述有機(jī)胺類(lèi)化合物包括一種或 多種選自伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物、和叔氨基醇化合物的化合物。
4.權(quán)利要求2的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述有機(jī)胺類(lèi)化合物包括一種或 多種選自如下的化合物單乙醇胺(MEA)、1-氨基異丙醇(AIP)、2_氨基-1-丙醇、N-甲基 氨基乙醇(N-MAE)、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1_乙醇(AEE)、 2-(2-氨基乙基氨基)-1_乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、和羥基乙基哌嗪(HEP)。
5.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計(jì)，所述1)具有光致抗蝕劑剝離力的化合物含量在1至75重量％范圍以?xún)?nèi)。
6.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述2)乳酰胺類(lèi)化合物為二甲 基乳酰胺(dimethyl lactamide，DML)、二甲基羥基丁酰胺(dimethyl hydroxybutylamide, DMHB)、或二甲基羥基乙酰胺(dimethyl glycolamide)。
7.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計(jì)，所述2)溶劑的含量在25至99重量％范圍以?xún)?nèi)。
8.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述2)溶劑還包含一種或多種 選自如下的化合物N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)、二甲亞砜 (DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、四亞甲基砜、丁 基二甘醇(butyl diglycol，BDG)、乙基二甘醇(ethyl diglycol，EDG)、甲基二甘醇(methyl diglycol, MDG)、三甘醇(triethylene glycol, TEG)、二甘醇單乙醚(diethyleneglycol monoethylether,DEM)、二甘醇單丁醚(diethyleneglycol monobutylether)、及其混合物。
9.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述光致抗蝕劑剝離組合物還包 含抗腐蝕劑。
10.權(quán)利要求9的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述抗腐蝕劑包括一種或多種 選自下式2、式3和式4所示的化合物[式2]
11.權(quán)利要求9的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計(jì)，所述 抗腐蝕劑的含量在0. 01至5重量％范圍以?xún)?nèi)。
12.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述光致抗蝕劑剝離組合物還 包含表面活性劑。
13.權(quán)利要求12的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述表面活性劑為如下式5所 示的表面活性劑[式5]
14.權(quán)利要求12的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計(jì)，所 述表面活性劑的含量在0. 01至1重量％范圍以?xún)?nèi)。
15.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述光致抗蝕劑剝離組合物適 用于60°C以上的工藝條件。
16.一種剝離光致抗蝕劑的方法，該方法包括以下步驟1)將一種光致抗蝕劑涂覆在形成于基板上的導(dǎo)電金屬膜或絕緣膜上；2)在所述基板上形成光致抗蝕劑圖案；3)將所述光致抗蝕劑圖案作為掩模，對(duì)所述導(dǎo)電金屬膜或絕緣膜進(jìn)行蝕刻；以及4)使用權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)的光致抗蝕劑剝離組合物剝離所述光致抗蝕劑。
17.—種剝離光致抗蝕劑的方法，該方法包括以下步驟1)將一種光致抗蝕劑涂覆在基板的整體表面上；2)在所述基板上形成光致抗蝕劑圖案；3)在形成有所述光致抗蝕劑圖案的基板上，形成導(dǎo)電金屬膜或絕緣膜；以及4)使用權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)的光致抗蝕劑剝離組合物剝離所述光致抗蝕劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑剝離組合物。具體而言，本發(fā)明涉及這樣一種光致抗蝕劑剝離組合物，其具有出色的光致抗蝕劑剝離力，且即使其以相對(duì)少量使用，仍可剝離大量光致抗蝕劑，并可適用于高溫工藝條件，不會(huì)與組合物中的其它組分反應(yīng)，且不會(huì)產(chǎn)生不需要的副產(chǎn)物。本發(fā)明還涉及使用該組合物剝離光致抗蝕劑的方法。
文檔編號(hào)G03F7/42GK101981511SQ200980111558
公開(kāi)日2011年2月23日 申請(qǐng)日期2009年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者樸珉春, 權(quán)赫俊, 金璟晙, 閔盛晙, 韓 熙 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Lg化學(xué)