專利名稱：用于支撐光學(xué)元件的設(shè)備和制造該設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻系統(tǒng)，并且更具體地，涉及在光刻系統(tǒng)中支撐光學(xué)元件。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底或襯底的一部分上的機(jī)器。例如，可以將 光刻設(shè)備用在平板顯示器、集成電路(IC)以及其他包含精細(xì)結(jié)構(gòu)的裝置的制造中。在傳統(tǒng) 的設(shè)備中，通常稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置可以用于生成與平板顯示器(或其他裝 置)的單層對(duì)應(yīng)的電路圖案。通過(guò)成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(例如，光致抗蝕 劑)的層可以將該圖案轉(zhuǎn)移到整個(gè)襯底(例如玻璃板)或襯底的部分上。一旦圖案形成裝置具有圖案化的輸入照射，通過(guò)一個(gè)或更多個(gè)透鏡可以將最終的 照射投影到襯底上。所述一個(gè)或更多個(gè)透鏡的位移和/或變形會(huì)引起圖案化襯底中的誤 差。例如，支撐透鏡的設(shè)備中的振動(dòng)或擺動(dòng)會(huì)引起它們位移，這導(dǎo)致將要被轉(zhuǎn)移到襯底上的 圖案中的漂移或其他誤差。而且，在光刻過(guò)程中產(chǎn)生的熱會(huì)導(dǎo)致透鏡的變形，這引起要被轉(zhuǎn) 移到襯底上的圖案的變形。

發(fā)明內(nèi)容
因此，期望一種支撐設(shè)備，其基本上減小透鏡的變形和位移以防止在印刷的圖案 中的誤差。在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，提供一種用于支撐光學(xué)元件的設(shè)備，其包括透鏡單元 和多個(gè)指狀物，多個(gè)指狀物耦合到所述透鏡單元。每個(gè)指狀物包括配置成在所述光學(xué)元件 被安裝到其中時(shí)耦合到所述光學(xué)元件的基部，在各自的第一端耦合至基部并且從所述基部 以大約75到165度之間的發(fā)散角延伸的第一和第二彎曲部，和配置成與所述第一和第二彎 曲部的各自的第二端耦合在一起的安裝部件。所述安裝部件由此耦合所述基部和所述透鏡 單元。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種形成用于支撐光學(xué)元件的設(shè)備的方法，包括形成透 鏡單元和形成多個(gè)指狀物。形成所述多個(gè)指狀物的步驟包括形成基部，所述基部配置成在 所述光學(xué)元件被安裝到其中時(shí)耦合到所述光學(xué)元件；形成第一和第二彎曲部，所述第一和 第二彎曲部在各自的第一端耦合至基部并且從所述基部以大約75到165度之間的發(fā)散角 延伸；和形成安裝部件，所述安裝部件配置成與所述第一和第二彎曲部的各自的第二端耦 合在一起。所述方法還包括將所述安裝部件耦合到所述透鏡單元。本發(fā)明更多的實(shí)施例、特征以及優(yōu)點(diǎn)，以及本發(fā)明的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作將 在下面參照附圖詳細(xì)地描述。


此處附圖并入說(shuō)明書并作為說(shuō)明書的一部分，示出本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施 例，并且與說(shuō)明書一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理，并且能夠讓本領(lǐng)域技術(shù)人員使用本發(fā)明。
圖1和2示出光刻設(shè)備。圖3示出將圖案轉(zhuǎn)移到襯底的模式。圖4示出示例性支撐設(shè)備。圖5示出示例性指狀物的俯視圖。圖6示出示例性激勵(lì)能量的功率譜密度。圖7示出示例性指狀物由于給定的基部加速帶來(lái)的峰(值)位移作為頻率的函數(shù) 的曲線。圖8A和8B示出示例性運(yùn)動(dòng)支撐結(jié)構(gòu)的三維示意圖。圖9示出切線薄片透鏡單元的示意平面圖。圖10示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于支撐透鏡的設(shè)備的局部圖。圖11示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于支撐透鏡的設(shè)備。圖12示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖。圖13示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的可以在圖12的流程期間執(zhí)行的示例步驟。圖14A-14C示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有示例性規(guī)格的兩腳架指狀物的 示例性實(shí)施方式。下面將參照附圖描述本發(fā)明。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或功能相似的 部件。此外，附圖標(biāo)記的最左邊的數(shù)字表示附圖標(biāo)記首先出現(xiàn)的附圖。
具體實(shí)施例方式本說(shuō)明書公開一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，其并入本發(fā)明的特征。所公開的實(shí)施例僅給 出本發(fā)明的示例。本發(fā)明的范圍不限于所公開的實(shí)施例。本發(fā)明通過(guò)未決的權(quán)利要求進(jìn)行 限定。所述的實(shí)施例和在說(shuō)明書提到的“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例，，等表 示所述的實(shí)施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個(gè)實(shí)施例不必必需包括所述特定 特征、結(jié)構(gòu)或特性。而且，這些段落不必指的是同一個(gè)實(shí)施例。此外，當(dāng)特定特征、結(jié)構(gòu)或特 性與實(shí)施例結(jié)合進(jìn)行描述時(shí)，應(yīng)該理解，無(wú)論是否明確描述，實(shí)現(xiàn)將這些特征、結(jié)構(gòu)或特性 與其他實(shí)施例的結(jié)合是在本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的知識(shí)范圍內(nèi)的。圖1示意地示出了一種光刻設(shè)備1。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)IL、圖案形成裝 置PD、襯底臺(tái)WT以及投影系統(tǒng)PS。照射系統(tǒng)(照射器)IL配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如， 紫外(UV)輻射)。在圖1中的光刻設(shè)備中可以采用用于支撐本發(fā)明的光學(xué)元件的設(shè)備。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，雖然本說(shuō)明書描述光刻技術(shù)，但是在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下， 圖案形成裝置PD可以在顯示系統(tǒng)中形成(例如，在液晶顯示器(LCD)電視或投影儀中)。 因此，被投影的圖案化束可以投影到許多不同類型的物體上(例如襯底、顯示裝置等)。襯底臺(tái)WT構(gòu)造成用于支撐襯底(例如涂覆有抗蝕劑的襯底)W，并且與配置用于根 據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的定位裝置PW相連。投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS配置成用于將獨(dú)立可控元件陣列調(diào)制的 輻射束投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影 系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性 型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以 認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜 電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。圖案形成裝置PD (例如掩模版或掩?；颡?dú)立可控元件陣列)調(diào)制所述束。通常， 獨(dú)立可控元件陣列的位置相對(duì)于投影系統(tǒng)PS將是固定的。然而，其可以替代地連接到配置 成根據(jù)特定參數(shù)精確地定位獨(dú)立可控元件陣列的定位器。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”或“對(duì)比度裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能 夠用于調(diào)制輻射束的橫截面、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。所述裝置可 以是靜態(tài)圖案形成裝置(例如掩?；蜓谀０?或動(dòng)態(tài)(例如可編程元件陣列)圖案形成裝 置。為了簡(jiǎn)潔，本說(shuō)明書的大部分將描述動(dòng)態(tài)圖案形成裝置的情形；然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在不 脫離本發(fā)明的范圍的情況下，靜態(tài)圖案形成裝置也可以使用。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相 符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。類似地，最終形成在襯底上的圖案 可能不與獨(dú)立可控元件陣列上某一時(shí)刻的圖案相符。在下面的情形中也是這樣，其中，形成 在襯底的每一部分上的最終圖案是在一個(gè)給定的時(shí)間段上形成的或在給定次數(shù)的曝光中 形成的，在此期間，獨(dú)立可控元件陣列上的圖案和/或襯底的相對(duì)位置在變化。這種圖案形成裝置的示例包括掩模版、可編程反射鏡陣列、激光二極管陣列、發(fā)光 二極管陣列、光柵光閥以及液晶顯示(LCD)陣列。圖案形成裝置可以包括多個(gè)可編程元件(例如在前文中提到的除掩模版外的所 有裝置)，此處它們被統(tǒng)稱為“對(duì)比度裝置”。圖案形成裝置包括至少10個(gè)、至少100個(gè)、至 少1000個(gè)、至少10000個(gè)、至少100000個(gè)、至少1000000個(gè)、至少10000000個(gè)可編程元件。可編程反射鏡陣列可以包括具有粘彈性(viscoelastic)控制層和反射表面的可 矩陣尋址表面。這種裝置所依據(jù)的基本原理在于反射表面的被尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷涑?衍射光，而未被尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷涑煞茄苌涔?。使用適當(dāng)?shù)目臻g濾光片，從被反射的束 中能夠過(guò)濾掉所述非衍射光，僅留下衍射光到達(dá)襯底。以這種方式，輻射束根據(jù)所述可矩陣 尋址表面的所述尋址圖案被圖案化。將會(huì)認(rèn)識(shí)到，作為替換，濾光片可以濾除衍射光，留下非衍射光到達(dá)襯底。衍射光學(xué)MEMS裝置陣列(微電子機(jī)械系統(tǒng)裝置)也可以以相同的方式使用。在 一個(gè)示例中，衍射光學(xué)MEMS裝置由多個(gè)可以相對(duì)于彼此變形的反射帶構(gòu)成，以形成將入射 光反射成衍射光的光柵?？删幊谭瓷溏R陣列的另一替換的示例采用微反射鏡矩陣布置，通過(guò)應(yīng)用合適的局 部電場(chǎng)或通過(guò)使用壓電致動(dòng)裝置使得每個(gè)微反射鏡可以圍繞一軸線獨(dú)立地傾斜。再一次 地，反射鏡是可矩陣尋址的，使得被尋址反射鏡以與未被尋址的反射鏡不同的方向反射入 射輻射束；以這種方式，被反射的束可以根據(jù)可矩陣尋址的反射鏡的尋址圖案進(jìn)行圖案化。 所需的陣列尋址可以使用合適的電子裝置執(zhí)行。另一示例PD是可編程IXD陣列。光刻設(shè)備可以包括一個(gè)或更多個(gè)對(duì)比度裝置。例如，其可以具有多個(gè)獨(dú)立可控元 件陣列，每一個(gè)彼此獨(dú)立地被控制。在這種布置中，獨(dú)立可控元件陣列的部分或全部具有至少一個(gè)共同的照射系統(tǒng)(或照射系統(tǒng)的一部分)、共同的用于獨(dú)立可控元件陣列的支撐結(jié) 構(gòu)和/或共同的投影系統(tǒng)(或投影系統(tǒng)的一部分)。在一個(gè)示例中，例如在圖1中示出的實(shí)施例中，襯底W具有基本上圓形形狀，可選 地沿其外周的一部分具有凹口和/或平的邊緣。在另一個(gè)示例中，襯底具有多邊形形狀，例 如矩形形狀。襯底具有基本上圓形形狀的示例包括襯底具有至少25mm直徑、例如至少50mm直 徑、至少75mm、至少100mm、至少125mm、至少150mm、至少175mm、至少200mm、至少250mm或 至少300mm直徑的示例。可選地，襯底具有至多500mm直徑、至多400mm直徑、至多350mm 直徑、至多300mm直徑、至多250mm直徑、至多200mm直徑、至多150mm直徑、至多IOOmm直 徑、或至多75mm直徑。襯底是多邊形的示例，例如矩形，包括襯底的至少一個(gè)邊、至少兩個(gè)邊或至少3個(gè) 邊具有至少5cm、至少25cm、至少50cm、至少100cm、至少150cm、至少200cm或至少250cm的 長(zhǎng)度的示例。襯底的至少一個(gè)邊具有至多1000cm、至多750cm、至多500cm、至多350cm、至多 250cm、至多150cm、或至多75cm的長(zhǎng)度。在一個(gè)示例中，襯底W是晶片，例如半導(dǎo)體晶片。晶片材料可以選自由下列材料組 成的組Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP以及InAs。晶片可以是III/V化合物半導(dǎo)體 晶片、硅晶片、陶瓷襯底、玻璃襯底、或塑料襯底。襯底可以是透明的(對(duì)于人裸眼)、彩色的 或無(wú)色的。襯底的厚度是可變的并且在一定程度上是可以依賴于襯底的材料和/或襯底的 尺寸的。所述厚度是至少50 μ m，至少100 μ m、至少200 μ m、至少300 μ m、至少400 μ m、 至少500 μ m、或至少600 μ m。替換地，襯底的厚度可以是至多5000 μ m、至多3500 μ m、至 多 2500 μ m、至多 1750 μ m、至多 1250 μ m、至多 1000 μ m、至多 800 μ m、至多 600 μ m、至多 500 μ m、至多 400 μ m 或至多 300 μ m。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗 蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具 中。在一個(gè)示例中，抗蝕劑層被施加在襯底上。投影系統(tǒng)可以成像獨(dú)立可控元件陣列上的圖案，使得該圖案相干地形成在襯底 上。替換地，投影系統(tǒng)可以成像二次源，對(duì)于所述二次源獨(dú)立可控元件陣列的元件用作遮蔽 件。在這種情形中，投影系統(tǒng)可以包括例如微透鏡陣列(已知為MLA)或菲涅耳透鏡陣列等 聚焦元件陣列，以形成二次源并將點(diǎn)成像到襯底上。聚焦元件的陣列(例如MLA)包括至少 10個(gè)聚焦元件、至少100個(gè)聚焦元件、至少1000個(gè)聚焦元件、至少10000個(gè)聚焦元件、至少 100000個(gè)聚焦元件、或至少1000000個(gè)聚焦元件。圖案形成裝置中的獨(dú)立可控元件的數(shù)目等于或大于在聚焦元件陣列中的聚焦元 件的數(shù)目。聚焦元件陣列中的聚焦元件的一個(gè)或更多個(gè)(例如1000或更多、主要部分或每 一個(gè))可以與獨(dú)立可控元件陣列中的獨(dú)立可控元件的一個(gè)或更多個(gè)光學(xué)相關(guān)，例如與獨(dú)立 可控元件陣列中的獨(dú)立可控元件的2個(gè)或更多個(gè)、3個(gè)或更多個(gè)、5個(gè)或更多個(gè)、10個(gè)或更多 個(gè)、20個(gè)或更多個(gè)、25個(gè)或更多個(gè)、35個(gè)或更多個(gè)、或者50個(gè)或更多個(gè)相關(guān)。MLA至少沿朝向和離開襯底的方向是可移動(dòng)(例如在使用一個(gè)或更多個(gè)致動(dòng)器的情況下)。能夠移動(dòng)MLA到襯底和離開襯底允許例如在不必移動(dòng)襯底的情況下進(jìn)行焦距調(diào) 節(jié)。正如這里在圖1和2中示出的，設(shè)備是反射類型的(例如采用獨(dú)立可控元件反射 陣列)。替換地，設(shè)備可以是透射類型的(例如采用獨(dú)立可控元件透射陣列)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多個(gè)襯底臺(tái)的類型。在這種“多臺(tái)”的機(jī) 器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè) 或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。光刻設(shè)備也可以是以下類型的，其中襯底的至少一部分被具有相對(duì)高折射率的 “浸沒液體”(例如水)所覆蓋，以填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體也可以施加 到光刻設(shè)備中的其它空間，例如施加到圖案形成裝置和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)可用于增 加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域是公知的。本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒”并不意味著諸如 襯底等結(jié)構(gòu)必須浸沒在液體中，而僅僅意味著在曝光期間液體處于投影系統(tǒng)和襯底之間。再參照?qǐng)D1，照射器IL接收來(lái)自輻射源SO的輻射束。輻射源提供具有波長(zhǎng)為至少 5nm、至少 10nm、至少 ll_13nm、至少 50nm、至少 lOOnm、至少 150nm、至少 175nm、至少 200nm、 至少250nm、至少275nm、至少300nm、至少325nm、至少350nm或至少360nm的輻射。可選 地，由輻射源SO提供的輻射具有至多450納米、至多425nm、至多375nm、至多360nm、至多 325nm、至多275nm、至多250nm、至多225nm、至多200nm或至多175nm的波長(zhǎng)。輻射具有包 括 436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm 和 / 或 126nm 的波長(zhǎng)。源與光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況 下，不會(huì)將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/ 或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它 情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈?SO和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。照射器IL可以包括調(diào)整器AD，用于調(diào)整輻射束的角度強(qiáng)度分布。通常，可以對(duì)所 述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為 σ-外部和σ-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器 IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻 性和強(qiáng)度分布。照射器IL或附加的與其相關(guān)的部件還可以布置成將輻射束分成例如能夠 每一個(gè)與獨(dú)立可控元件陣列的一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立可控元件相關(guān)的多個(gè)子束。二維衍射光柵可 以例如被用于將輻射束分成子束。在本說(shuō)明書中，術(shù)語(yǔ)“輻射的束”和“輻射束”包括但不 限于束由多個(gè)這種子輻射束構(gòu)成的情況。輻射束B入射到圖案形成裝置PD (例如獨(dú)立可控元件陣列)上并且通過(guò)圖案形成 裝置進(jìn)行調(diào)制。已經(jīng)被圖案形成裝置PD反射之后，所述輻射束B通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述PS 將束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉 儀器件、線性編碼器、電容傳感器或類似裝置)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例 如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。在使用的情形中，用于獨(dú)立可 控元件陣列的定位裝置可以用于例如在掃描期間精確地校正圖案形成裝置PD相對(duì)于束B 的路徑的位置。在一個(gè)示例中，可以通過(guò)圖1中未明確示出的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模
8塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)襯底臺(tái)MT的移動(dòng)。在另一示例中，短行程臺(tái)可以不存在。類 似的系統(tǒng)還可以用于定位獨(dú)立可控元件陣列。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，束B可以替換地/附加地是可 移動(dòng)的，同時(shí)物體臺(tái)和/或獨(dú)立可控元件陣列可以具有固定的位置以便提供所需的相對(duì)移 動(dòng)。這種布置可以有助于限制設(shè)備的尺寸。作為另一可以例如應(yīng)用于制造平板顯示器的替 換方案，襯底臺(tái)WT的位置和投影系統(tǒng)PS可以是固定的并且襯底W可以布置成相對(duì)于襯底 臺(tái)WT移動(dòng)。例如，襯底臺(tái)WT可以設(shè)置有用于以基本上恒定速度經(jīng)過(guò)襯底掃描襯底W的系 統(tǒng)。如圖1所示，通過(guò)配置使得輻射開始由分束器反射并被弓丨導(dǎo)到圖案形成裝置PD的 分束器BS，可以引導(dǎo)輻射束B到圖案形成裝置PD。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，輻射束B還可以在不使用分 束器的情況下被引導(dǎo)到圖案形成裝置。輻射束以0到90°之間、5到85°之間、15到75° 之間、25到65°之間或35到55°之間的角度被引導(dǎo)到圖案形成裝置(圖1中示出的實(shí)施 例是90°角度)。圖案形成裝置PD調(diào)制輻射束B并將其反射回到分束器BS，分束器將調(diào)制 的束傳遞到投影系統(tǒng)PS。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，替換的布置可以被用于引導(dǎo)輻射束B到圖案形 成裝置PD并隨后引導(dǎo)到投影系統(tǒng)PS。具體地，如果使用透射型圖案形成裝置，可以不需要 例如在圖1中示出的布置?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將獨(dú)立可控元件陣列和襯底W保持為基本靜止的同時(shí)，將賦 予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯 底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng) 的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)獨(dú)立可控元件陣列和襯底W同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦 予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底W相對(duì)于獨(dú)立可控 元件陣列的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確 定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非 掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在脈沖模式中，將獨(dú)立可控元件陣列保持為基本靜止，并且采用脈沖輻射源將 整個(gè)圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C上。襯底臺(tái)WT以基本上恒定的速度移動(dòng)，使得束B被 驅(qū)使掃描跨過(guò)襯底W的線。在輻射系統(tǒng)的脈沖之間根據(jù)需要更新所述獨(dú)立可控元件陣列上 的圖案，并且脈沖被定時(shí)使得在襯底W上的所需位置處曝光連續(xù)的目標(biāo)部分C。因此，束B 可以掃描經(jīng)過(guò)襯底W以曝光襯底的帶的整個(gè)圖案。重復(fù)這種工藝，直到整個(gè)襯底W已經(jīng)一 條線接著一條線地被曝光。4.連續(xù)掃描模式與脈沖模式基本上相同，除了相對(duì)于調(diào)制的輻射束B以基本上恒 定的速度掃描襯底W和在束B掃描經(jīng)過(guò)襯底W并曝光襯底時(shí)更新獨(dú)立可控元件陣列上的圖 案?？梢允褂没旧虾愣ǖ妮椛湓椿蚺c獨(dú)立可控元件陣列上的圖案的更新同步的脈沖輻射 源。5.在可以使用圖2中的光刻設(shè)備執(zhí)行的像素柵格成像模式中，形成在襯底W上的 圖案通過(guò)被引導(dǎo)到圖案形成裝置PD上的由點(diǎn)產(chǎn)生裝置形成的點(diǎn)的順序的曝光來(lái)實(shí)現(xiàn)。被 曝光點(diǎn)具有基本上相同的形狀。在襯底W上，點(diǎn)被印刷在基本上一個(gè)柵格中。在一個(gè)示例 中，點(diǎn)的尺寸大于印刷的像素柵格的節(jié)距，但是遠(yuǎn)小于曝光點(diǎn)柵格。通過(guò)改變印刷的點(diǎn)的強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)圖案。在曝光閃光之間點(diǎn)上的強(qiáng)度分布被改變。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。在光刻技術(shù)中，圖案被曝光到襯底上的抗蝕劑層上。然后顯影抗蝕劑。隨后，在襯 底上執(zhí)行附加的加工或處理步驟。這些隨后的加工或處理步驟對(duì)襯底每個(gè)部分的影響依賴 于抗蝕劑的曝光。具體地，這些處理被調(diào)整使得接收給定劑量閾值以上的輻射劑量的襯底 部分不同地響應(yīng)于接收劑量閾值以下的輻射劑量的襯底部分。例如，在蝕刻工藝中，接收閾 值以上輻射劑量的襯底區(qū)域通過(guò)顯影的抗蝕劑層被防止被蝕刻。然而，在曝光后顯影中，接 收低于閾值的輻射劑量的抗蝕劑部分被去除并且因此這些區(qū)域不會(huì)被防止被蝕刻。因此， 可以蝕刻想要的圖案。具體地，圖案形成裝置中的獨(dú)立可控元件被設(shè)定使得被傳遞給襯底 上圖案特征內(nèi)的一區(qū)域的輻射具有比在曝光期間該區(qū)域接收的高于劑量閾值的輻射劑量 充分高的強(qiáng)度。通過(guò)設(shè)定相應(yīng)的獨(dú)立可控元件以提供零或顯著低的輻射強(qiáng)度，襯底上的剩 余區(qū)域接收低于劑量閾值的輻射劑量。在實(shí)際應(yīng)用中，即使獨(dú)立可控元件被設(shè)定成在特征邊界的一邊提供最大輻射強(qiáng)度 并在另一邊提供最小輻射強(qiáng)度，在圖案特征的邊緣處的輻射劑量也不會(huì)突然從給定最大劑 量變成零劑量。相反，由于衍射效應(yīng)，輻射劑量水平跨過(guò)過(guò)渡區(qū)域逐漸下降。最終由顯影的 抗蝕劑形成的圖案特征的邊界的位置由所接收的劑量下降到輻射劑量閾值以下的位置確 定?？梢酝ㄟ^(guò)設(shè)置獨(dú)立可控元件使其提供輻射到襯底上的位于圖案特征邊界處或其附近的 點(diǎn)，來(lái)更加精確地控制輻射劑量經(jīng)過(guò)過(guò)渡區(qū)域下降的廓線以及由此的圖案特征邊界的精確 位置。這些不僅可以針對(duì)最大或最小強(qiáng)度水平，而且可以針對(duì)在最大和最小強(qiáng)度水平之間 的強(qiáng)度水平。這就是通常所謂的“灰度標(biāo)度(grayscaling)”?；叶葮?biāo)度比通過(guò)給定的獨(dú)立可控元件提供給襯底的輻射強(qiáng)度僅可以設(shè)置成兩個(gè) 值(例如僅最大值和最小值)的光刻系統(tǒng)提供對(duì)圖案特征邊界的位置的更好的控制。至少 3個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少4個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少8個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少16個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少 32個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少64個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少128個(gè)輻射強(qiáng)度值、或至少256個(gè)不同的輻射 強(qiáng)度值可以被投影到襯底上。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，灰度標(biāo)度可以被用于上述用途以外的其他用途或替換的用途。例如， 在曝光之后襯底的處理能夠被調(diào)整，使得有多于兩個(gè)的襯底區(qū)域的潛在響應(yīng)，依賴于所接 收的輻射劑量水平。例如，襯底接收低于第一閾值的輻射劑量的部分以第一種方式響應(yīng)；襯 底接收高于第一閾值但低于第二閾值的輻射劑量的部分以第二種方式響應(yīng)；而襯底接收高 于第二閾值的輻射劑量的部分以第三種方式響應(yīng)。由此，灰度標(biāo)度可以被用于提供經(jīng)過(guò)襯 底具有多于兩個(gè)所需劑量水平的輻射劑量廓線。輻射劑量廓線具有至少2個(gè)想要的劑量水 平、至少3個(gè)想要的輻射劑量水平、至少4個(gè)想要的輻射劑量水平、至少6個(gè)想要的輻射劑 量水平、或至少8個(gè)想要的輻射劑量水平。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)的是，由通過(guò)如上所述的僅控制襯底上每個(gè)點(diǎn)處接收的輻射強(qiáng)度的方 法以外的其他方法可以控制輻射劑量廓線。例如，通過(guò)控制點(diǎn)的曝光持續(xù)時(shí)間可以替換地 或附加地控制襯底上每個(gè)點(diǎn)處接收的輻射劑量。作為另一示例，襯底上的每個(gè)點(diǎn)可以潛在 地接收在多次連續(xù)的曝光中的輻射。因此，通過(guò)使用多次連續(xù)曝光的選定的子集曝光所述 點(diǎn)可以替換地或附加地控制由每個(gè)點(diǎn)所接收的輻射劑量。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的布置，其可以用于諸如平板顯示器的制造中。與圖
101中示出的部件相對(duì)應(yīng)的部件用相同的附圖標(biāo)記示出。此外，上述不同實(shí)施方式的描述，例 如襯底、對(duì)比度裝置、MLA、輻射束等的不同結(jié)構(gòu)仍然是可應(yīng)用的。如圖2所示，投影系統(tǒng)PS包括擴(kuò)束器，其包括兩個(gè)透鏡L1、L2。第一透鏡Ll布置 成接收調(diào)制的輻射束B并通過(guò)孔徑光闌AS中的孔徑將其聚焦。另一透鏡AL可以位于孔徑 內(nèi)。然后輻射束B發(fā)散并通過(guò)第二透鏡L2 (例如場(chǎng)透鏡)聚焦。投影系統(tǒng)PS還包括布置成接收被擴(kuò)展的調(diào)制的輻射B的透鏡MLA陣列。調(diào)制的 輻射束B與圖案形成裝置PD中的獨(dú)立可控元件中的一個(gè)或更多個(gè)相對(duì)應(yīng)的不同部分通過(guò) 透鏡陣列MLA中的各個(gè)不同的透鏡ML。每個(gè)透鏡將調(diào)制的輻射束B的各個(gè)部分聚焦到位于 襯底W上的點(diǎn)上。以這種方式，輻射點(diǎn)S的陣列被曝光到襯底W上。將會(huì)認(rèn)識(shí)到，雖然僅示 出所示的透鏡14陣列中的八個(gè)透鏡，透鏡的陣列可以包括幾千個(gè)透鏡(對(duì)于用作圖案形成 裝置PD的獨(dú)立可控元件陣列也是這樣)。圖3示意地示出如何使用根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖2中的系統(tǒng)在襯底W上產(chǎn)生 圖案。實(shí)心的圓圈表示通過(guò)投影系統(tǒng)PS中的透鏡陣列MLA投影到襯底W上的點(diǎn)S的陣列。 當(dāng)一系列的曝光被曝光到襯底W上時(shí)，相對(duì)于投影系統(tǒng)PS沿Y方向移動(dòng)襯底W?？招牡膱A 圈表示之前已經(jīng)曝光到襯底W上的點(diǎn)曝光SE。如圖所示，通過(guò)投影系統(tǒng)PS內(nèi)的透鏡陣列投 影到襯底上的每個(gè)點(diǎn)曝光襯底W上的點(diǎn)曝光行R。通過(guò)全部的由每個(gè)點(diǎn)S曝光的點(diǎn)曝光SE 行R的總和形成襯底的整個(gè)圖案。這種布置通常被稱為“像素柵格成像”，如上面討論的?？梢钥吹?，輻射點(diǎn)S的陣列相對(duì)于襯底W(襯底的邊緣平行于X和Y方向)以角度 θ進(jìn)行布置。實(shí)現(xiàn)這種布置使得當(dāng)襯底沿掃描方向(Y方向)移動(dòng)時(shí)，每個(gè)輻射點(diǎn)將通過(guò)襯 底的不同區(qū)域上面，由此允許整個(gè)襯底被輻射點(diǎn)15的陣列覆蓋。角度θ是至多20°、至多 10°、至多5°、至多3°、至多1°、至多0.5°、至多0.25°、至多0. 10°、至多0. 05°、或 者至多0.01°?？蛇x地，角度θ是至少0.001°。示例性光學(xué)支撐系統(tǒng)圖4示出示例性支撐結(jié)構(gòu)設(shè)備400。支撐結(jié)構(gòu)設(shè)備400包括透鏡單元402和包括 指狀物404a的多個(gè)指狀物404。設(shè)備400用于支撐透鏡406。在一個(gè)實(shí)施例中，透鏡406 和設(shè)備400可以包含在類似于上面所述的投影系統(tǒng)PS的投影系統(tǒng)內(nèi)。圖5示出指狀物404a的俯視圖。指狀物404a包括連接部502和基部504。連接 部502可以配置成將指狀物404a耦合到透鏡單元402?；?04包括耦合至透鏡406的透 鏡接收部506。圖5還示出此處用于描述各種標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)方向。例如，可以相對(duì)于由透鏡406的光 學(xué)軸線限定的軸向方向、從透鏡406的中心光軸延伸的徑向方向以及沿透鏡406的外邊緣 測(cè)量的切線方向來(lái)描述透鏡406。此外，可以參照X-Y平面和Z方向描述指狀物404a。基 于此處的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到，軸向方向和Z方向一致，因而本文將可以互換 地使用。透鏡406的位移或變形會(huì)引起形成在襯底上的圖案的誤差。透鏡406的位移可以 通過(guò)將襯底上的相同目標(biāo)區(qū)域曝光多次進(jìn)行補(bǔ)償，使得最終的圖案是多次曝光的平均。如 果透鏡406的位移具有零的時(shí)間平均，多次曝光會(huì)導(dǎo)致所需圖案被形成在襯底上。然而，在 替換的系統(tǒng)中，單次曝光被用于形成所需的圖案。因而，甚至在時(shí)間上的平均為零的投影 406的位移都會(huì)導(dǎo)致誤差。
透鏡406會(huì)由于振動(dòng)、聲音、熱或其他能量(這里統(tǒng)稱為激勵(lì)指狀物404和透鏡 406之間的界面的激勵(lì)能量)而沿X、Y和/或Z方向位移。在一個(gè)實(shí)施例中，沿X和Y方向 的穩(wěn)定要求比沿Z方向更加嚴(yán)格。例如，可以要求支撐結(jié)構(gòu)設(shè)備提供穩(wěn)定度，使得沿X和Y 方向的位移的均方根(RMS)值小于0. 75nm，而沿Z方向的位移的均方根(RMS)值小于80nm。圖6示出示例性激勵(lì)能量的功率譜密度(power spectral density (PSD)) 600。如 圖6所示，在每個(gè)頻率上呈現(xiàn)的激勵(lì)能量通常隨頻率增大而減小。具體地，能量?jī)A向于緩慢 下降或基本上在頻率接近IOOOHz(IO3Hz)時(shí)下降。指狀物404可以具有一個(gè)或更多個(gè)共振頻率模。處于指狀物404的共振頻率模的 幾乎所有激勵(lì)能量可以引起指狀物404中的振動(dòng)。這些振動(dòng)通常僅由指狀物404的固有阻 尼限定。因?yàn)橹笭钗?04通常由具有低固有阻尼的材料形成，例如諸如不銹鋼等金屬，由于 處于共振頻率模的激勵(lì)能量引起的振動(dòng)會(huì)變得顯著。在一個(gè)實(shí)施例中，指狀物404在X-Y平面內(nèi)的第一共振模范圍在大約400Hz到 800Hz之間，例如798Hz。如圖6所示，激勵(lì)能量可以包括在這個(gè)頻率范圍內(nèi)的相當(dāng)多的能 量。因此，指狀物404可以基本上在X-Y平面內(nèi)被激勵(lì)，這導(dǎo)致指狀物404在X-Y平面內(nèi)的 顯著的振動(dòng)。指狀物404可以具有沿Z方向的超過(guò)1000Hz的第一共振模，使得它們?cè)赯方 向上基本上不會(huì)受到激勵(lì)能量的激勵(lì)。然而，如上面所述，在X和Y方向上的穩(wěn)定要求比Z 方向更加嚴(yán)格，使得X-Y平面內(nèi)的振動(dòng)基本上都會(huì)引起光刻系統(tǒng)的性能的顯著下降。圖7示出當(dāng)在每個(gè)頻率的加速保持恒定時(shí)，示例性的指狀物的峰(值)位移(單 位米(m))作為頻率的函數(shù)的曲線700。如圖7所示，峰(值)位移隨頻率增大而下降。考 慮圖6和7，當(dāng)?shù)谝还舱衲５念l率增大，由于激勵(lì)能量帶來(lái)的指狀物404的位移減小，因?yàn)樵?該頻率的總能量的分量減小，如圖6所示，并且該能量可以引起的最大的可能位移也減小， 如圖7所示。因此，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過(guò)增大指狀物404的第一 X-Y共振模的頻率使其超過(guò) IOOOHz，可以基本上減小X和Y方向上的位移。透鏡406(例如由于光刻系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生的熱)的變形也會(huì)導(dǎo)致性能弱化。因?yàn)橛糜?形成指狀物404的金屬作為溫度的函數(shù)比透鏡406膨脹得快，當(dāng)溫度升高時(shí)指狀物404傾 向拉透鏡406。尤其地，指狀物404傾向沿透鏡406的徑向方向向透鏡406施加力。例如， 在大約50°C的操作溫度下，每個(gè)指狀物404可以施加大約2. 07N的力到透鏡406上。在操 作溫度整個(gè)范圍上在徑向方向有柔量(compliant)的指狀物可以施加較小的力到透鏡上， 因此減小透鏡的變形。由于指狀物404的制造和安裝中的變化，指狀物404中的所有的指狀物可能不對(duì) 齊到相同的高度上。這種不一致會(huì)導(dǎo)致指狀物404中的指狀物與透鏡406存在不同的接 觸。為了確保指狀物404的每個(gè)指狀物盡可能與透鏡406均勻地接觸，指狀物404可以配置 成具有自由的Z柔量(compliance)。例如，指狀物404能夠沿Z方向位移達(dá)到大約30 μ m。 在一個(gè)實(shí)施例中，指狀物404的制造和安裝可以以足夠嚴(yán)格的公差來(lái)完成，使得沿Z方向的 30 μ m的柔量足夠確保多個(gè)指狀物404將透鏡406基本上均勻地支撐。因此，可以從下面幾個(gè)方面描述指狀物404 (1)在整個(gè)操作溫度范圍上的徑向柔 量，例如防止熱誘發(fā)的透鏡變形的能力，(2)第一 X-Y和Z共振模，例如防止透鏡位移的能 力，以及(3)自由的Z柔量，例如補(bǔ)償制造公差的能力。上面描述的這些標(biāo)準(zhǔn)是用于形成指 狀物404的材料和指狀物404的幾何結(jié)構(gòu)的函數(shù)。
其他光學(xué)支撐系統(tǒng)圖8A和8B分別示出運(yùn)動(dòng)支撐結(jié)構(gòu)800A和800B的空間示例性視圖。運(yùn)動(dòng)支撐 結(jié)構(gòu)800A和800B可以用于在六個(gè)自由度上限制例如透鏡、反射鏡等光學(xué)元件。運(yùn)動(dòng)支 撐結(jié)構(gòu)800A包括基部組件802、有效負(fù)載組件804以及六個(gè)單腳架(monopod)連接元件 806A-806F。運(yùn)動(dòng)支撐結(jié)構(gòu)800B包括基部組件802、有效負(fù)載組件804以及兩腳架(bipod) 連接元件808A-808C。有效負(fù)載組件804保持或?qū)?zhǔn)光學(xué)元件。更多的有關(guān)運(yùn)動(dòng)支撐結(jié)構(gòu) 的信息可以參考Calvert等人的美國(guó)專利第6674585號(hào)，這里通過(guò)參考全文并入。圖9示意地示出切線薄片透鏡單元900的平面圖。透鏡單元900包括通過(guò)切入到 圓環(huán)908的內(nèi)圓周906的狹縫904形成的指狀物902。透鏡(未示出)可以設(shè)置在指狀物 902的頂部上。指狀物902可以徑向地扭轉(zhuǎn)(twist)和移動(dòng)，以便吸收?qǐng)A環(huán)908的變形。更 多有關(guān)切線薄片透鏡單元900的信息，請(qǐng)參考Briming等人的美國(guó)專利第5428482號(hào)，這里 通過(guò)參考全文并入。在圖8和9中示出的支撐結(jié)構(gòu)設(shè)備還會(huì)遭受所支撐的透鏡的位移和/或變形的麻 煩和/或不均勻支撐透鏡的不穩(wěn)定的麻煩。兩腳架指狀物實(shí)施方式在這里所述的實(shí)施例中，提供一種用于支撐透鏡的設(shè)備，其防止或阻止透鏡的變 形和位移，并且提供足夠的柔量以確保透鏡被基本上均勻地支撐。圖10示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于支撐透鏡的設(shè)備1000的局部視圖。設(shè) 備1000包括完整的兩腳架指狀物1002、相鄰的部分兩腳架指狀物1000’和1000”，以及透 鏡單元1003。在一個(gè)實(shí)施例中，透鏡單元1003與參照?qǐng)D4描述的透鏡單元402基本上是相 同的。兩腳架指狀物1002包括基部1004、第一和第二彎曲部1006a和1006b，以及安裝 部件1008?；?004可選地包括凹陷的墊部1010和斜面1012。凹陷的墊部1010可以配 置成容納接合材料。具體地，凹陷的墊部1010可以提供用于連接透鏡和基部1004的例如 環(huán)氧樹脂等接合材料的空間。斜面1012是可選的多余材料的去除。正如圖10所示，斜面 1012從基部1004的一部分去除不需要的材料，使得基部1004更輕。在一個(gè)實(shí)施例中，兩腳 架指狀物1002的質(zhì)量接近0. 427kg。如圖10所示，基部1004耦合到第一和第二彎曲部1006a和1006b。在一個(gè)實(shí)施例 中，第一和第二彎曲部1006a和1006b可以與基部1004 —體形成?？蛇x地，第一和第二彎 曲部1006a和1006b可以與基部1004分開形成并且在兩腳架指狀物1002形成時(shí)物理地耦 合到基部1004。第一和第二彎曲部1006a和1006b可以以發(fā)散角識(shí)延伸離開基部1004。在 一個(gè)實(shí)施例中，識(shí)可以是在大約75度到大約165度的范圍內(nèi)。例如，爐可以是大約120度。第一和第二彎曲部1006a和1006b的每個(gè)端部耦合到安裝部件1008。安裝部件 1008可以用于將兩腳架指狀物1002耦合到透鏡單元1003。例如，安裝部件1008可以釬焊 到透鏡1003。安裝部件1008可以與第一和第二彎曲部1006a和1006b —體形成。替換地， 安裝部件1008可以分離地形成并且在兩腳架指狀物1002形成時(shí)耦合到第一和第二彎曲部 1006a 和 1006b。替換地，兩腳架指狀物1002可以不包括安裝部件1008。在這種實(shí)施方式中，第一 和第二彎曲部1006a和1006b可以直接地耦合到透鏡單元1003。例如，彎曲部1006a和1006b可以直接地釬焊到透鏡單元1003。在一個(gè)實(shí)施例中，透鏡單元1003和/或兩腳架指狀物1002可以由金屬材料形成。 例如，透鏡單元1003和/或兩腳架指狀物1002可以由例如15-5不銹鋼等不銹鋼形成。兩腳架指狀物1002的幾何形狀會(huì)導(dǎo)致支撐結(jié)構(gòu)設(shè)備1000具有特定的有益性質(zhì)。 例如，兩腳架指狀物1002可以具有隨操作溫度升高而增大的徑向柔量。例如，由兩腳架指 狀物1002施加到透鏡上的徑向力在50°C時(shí)可以是0. 427N，而相對(duì)比，圖4中示出的傳統(tǒng)的 指狀物為2.07N。而且，兩腳架指狀物1002具有高于1000Hz的第一共振X-Y模。例如，兩 腳架指狀物1002的第一 X-Y共振模是大約1325Hz ；相對(duì)比地，圖4中示出的傳統(tǒng)的指狀物 為 798Hz ο除了有利的徑向柔量和X-Y共振性質(zhì)外，兩腳架指狀物1002還可以保持和/或改 善圖4中示出的傳統(tǒng)的指狀物的有益性質(zhì)。例如，兩腳架指狀物1002可以具有大約30 μ m 的自由的柔量，與傳統(tǒng)的指狀物相同，以容許不均勻的透鏡表面。而且，兩腳架指狀物1002 還可以具有高于1000Hz的第一 Z共振模。例如，兩腳架指狀物1002可以具有1567Hz的第 一 Z共振模，相對(duì)比地，圖4中示出的傳統(tǒng)的指狀物為1269Hz。因此，兩腳架指狀物1002的幾何結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其在整個(gè)操作溫度范圍上具有增大的 徑向柔量、超過(guò)1000Hz的第一共振X-Y和Z模以及對(duì)制造公差足夠的自由柔量。圖11示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于支撐透鏡1106的設(shè)備1100。設(shè)備1100 包括透鏡單元1102以及兩腳架指狀物1104。透鏡單元1102和兩腳架指狀物1104可以與 參照?qǐng)D10描述的透鏡單元1103和兩腳架指狀物1102分別基本上相同。在一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)備1100可以是冗余結(jié)構(gòu)，其基本上限制透鏡1106的移動(dòng)。在 這種實(shí)施例中，多個(gè)指狀物1104可以包括至少7個(gè)兩腳架指狀物。例如，多個(gè)指狀物1104 可以包括大約7到大約32個(gè)之間的兩腳架指狀物。通過(guò)包括至少7個(gè)兩腳架指狀物，透鏡 1106沿X-Y平面和Z方向的位移被基本上限制。示例性方法實(shí)施例圖12示出用于形成支撐透鏡的設(shè)備的提供示例方框的流程圖1200。基于下面的 討論，其他的結(jié)構(gòu)和操作實(shí)施例對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。圖12中示出的方框不 必如所示的次序?qū)嵤?。下面詳?xì)地描述圖12的方框。在方框1202中，形成透鏡單元。例如，可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方法由 不銹鋼形成透鏡單元1202。在方框1204中，形成多個(gè)指狀物。在一個(gè)實(shí)施例中，方框1204可以通過(guò)圖13中 示出的方框1302-1306來(lái)完成。在方框1302中，形成配置成在安裝到設(shè)備時(shí)耦合到透鏡的基部。在一個(gè)實(shí)施例 中，方框1302還包括形成配置成容納接合材料的凹陷。在方框1304中，形成第一和第二彎曲部。例如，第一和第二彎曲部1006a和1006b 可以由不銹鋼形成。在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二彎曲部的特征可以通過(guò)金屬線放電加工 (EDM)形成。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到的，基于本文的描述，金屬線放電加工是將保持具 有電勢(shì)的電極插入到導(dǎo)電材料的工藝。電極和導(dǎo)電材料之間的瞬態(tài)放電在導(dǎo)電材料中形成 (碗狀)凹陷。這種工藝可以用于形成第一和第二彎曲部的精細(xì)特征。在另一實(shí)施例中，形成第一和第二彎曲部可以包括形成第一和第二彎曲部使得它
14們之間的發(fā)散角為大約75度和165度之間。在另一實(shí)施例中，發(fā)散角可以是大約120度。在方框1306中，形成安裝部件。安裝部件、基部以及第一和第二彎曲部或它們的 任何子組合可以是整體的兩腳架指狀物的部件或構(gòu)成部件。替換地，安裝部件、基部以及第 一和第二彎曲部可以分開地形成并且耦合在一起以形成兩腳架指狀物。正如上面所述，所形成的指狀物在頻率超過(guò)1000Hz時(shí)在基部和透鏡之間可以具 有第一 X-Y共振模，并且在整個(gè)操作溫度范圍上是有徑向柔量的?；氐綀D12，在另一實(shí)施例中，方框1204可以包括形成至少7個(gè)指狀物。在方框1206中，多個(gè)指狀物中的每一個(gè)指狀物耦合到透鏡單元。例如，多個(gè)指狀 物可以通過(guò)將其對(duì)應(yīng)的安裝部件釬焊至透鏡單元而耦合到透鏡單元。在替換的實(shí)施例中，指狀物可以形成為透鏡單元的整體部件。例如，透鏡單元和指 狀物可以由同一金屬件形成。因此，在這種實(shí)施方式中，將不需要完成方框1206。上面已經(jīng)參照支撐透鏡的實(shí)施方式描述了上面所述的支撐結(jié)構(gòu)設(shè)備。然而，正如 本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到的，基于本文所述的內(nèi)容，上面所述的支撐結(jié)構(gòu)設(shè)備還可以用于支 撐其他類型的光學(xué)元件，例如反射鏡等。示例性兩腳架指狀物實(shí)施方式圖14A-14C示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有示例性規(guī)格(單位毫米)的兩腳 架指狀物的示例實(shí)施例。圖14A示出耦合到透鏡1402的兩腳架指狀物1400的側(cè)視圖。在 一個(gè)實(shí)施例中，透鏡1402具有124mm的直徑。兩腳架指狀物1400包括安裝件1404、彎曲部 1406以及基部1408。正如圖14A所示，安裝件1404具有大約1.5mm的高度。彎曲部1406 具有大約6. 5mm的豎直高度和大約0. 5mm的厚度?；?408包括凹陷的墊部1410和1412 以及斜面1414?；?408具有大約8. 25mm的總厚度和大約4. 5mm的總豎直高度。墊部 1410和1412每個(gè)具有大約2mm的長(zhǎng)度。斜面1414具有大約2. 5mm的高度和長(zhǎng)度。圖14B示出兩腳架指狀物1400的后視圖。正如圖14B所示，安裝件1404具有大 約26mm的寬度。彎曲部1406a和1406b每一個(gè)具有大約3mm的寬度并且從基部1408以大 約120度的發(fā)散角延伸。彎曲部1406a和1406b與安裝件1404和基部1408結(jié)合的區(qū)域具 有大約0. 5mm的曲率半徑。圖14C示出兩腳架指狀物1400的俯視圖。正如圖14C所示，基部1408掃過(guò)或掠 過(guò)從由兩腳架指狀物1400支撐的透鏡1402的中心(圖14C中未示出)測(cè)量的大約5度的 角度。在一個(gè)實(shí)施例中，兩腳架指狀物1400由15-5不銹鋼形成。結(jié)論雖然上面描述了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，上面描述的內(nèi)容是例證性 的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的 情況下，可以對(duì)上述本發(fā)明進(jìn)行細(xì)節(jié)和形式上的更改。因而，本發(fā)明的寬度和范圍應(yīng)該不受 到上面所述示例性的實(shí)施例的任一個(gè)的限制，而應(yīng)該由權(quán)利要求及等價(jià)物限定。應(yīng)該知道，是具體實(shí)施方式
而不是發(fā)明內(nèi)容和摘要部分用來(lái)說(shuō)明和解釋權(quán)利要 求。發(fā)明內(nèi)容和摘要部分可以給出一個(gè)或更多個(gè)、但不是本發(fā)明想要說(shuō)明的本發(fā)明的全部 示例性實(shí)施例，因而不能以任何方式限制本發(fā)明和未決的權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種用于支撐光學(xué)元件的設(shè)備，包括 透鏡單元；和多個(gè)指狀物，耦合到所述透鏡單元，其中每個(gè)指狀物包括 基部，配置成在所述光學(xué)元件被安裝到其中時(shí)耦合到所述光學(xué)元件， 第一和第二彎曲部，其在各自的第一端耦合至基部并且從所述基部以大約75到165度 之間的發(fā)散角延伸，和安裝部件，配置成將所述第一和第二彎曲部的各自的第二端耦合在一起，其中所述安 裝部件由此耦合所述基部至所述透鏡單元。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，每個(gè)指狀物配置成當(dāng)把光學(xué)元件安裝到其中時(shí)在 整個(gè)操作溫度范圍上相對(duì)于所述光學(xué)元件沿徑向方向是有柔量的。
3.如權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中，所述光學(xué)元件是透鏡，并且其中每個(gè)指狀物配 置成使得當(dāng)把所述光學(xué)元件安裝到其中時(shí)所述基部和所述光學(xué)元件之間的第一 X-Y共振 模在高于大約IOOOHz的頻率處。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)指狀物包括至少7個(gè)指狀物。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述發(fā)散角是大約120度。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述基部包括凹陷的墊部，所述墊部配 置成容納接合材料。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，每個(gè)指狀物包括金屬，例如不銹鋼。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述第一和第二彎曲部與所述基部和 所述安裝件形成一體。
9.一種形成用于支撐光學(xué)元件的設(shè)備的方法，包括步驟 形成透鏡單元；形成多個(gè)指狀物，包括形成基部，所述基部配置成在所述光學(xué)元件安裝到其中時(shí)耦合到所述光學(xué)元件， 形成第一和第二彎曲部，所述第一和第二彎曲部在各自的第一端耦合至基部并且從所 述基部以大約75到165度之間的發(fā)散角延伸，和形成安裝部件，所述安裝部件配置成將所述第一和第二彎曲部的各自的第二端耦合在 一起；和將所述安裝部件耦合到所述透鏡單元。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述第一和第二彎曲部的步驟包括形成大 約120度的發(fā)散角。
11.如權(quán)利要求9或10所述的方法，其中，將所述指狀物耦合至所述透鏡單元的步驟包 括將所述安裝部件釬焊至所述透鏡單元。
12.如權(quán)利要求9、10或11所述的方法，其中，形成所述多個(gè)指狀物的步驟包括形成所述多個(gè)指狀物，使得所述多個(gè)指狀物中的每個(gè)指狀物在把光學(xué)元件安裝到其中 時(shí)在整個(gè)操作溫度范圍上沿所述光學(xué)元件的徑向方向是有柔量的。
13.如權(quán)利要求9-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述光學(xué)元件是透鏡，并且形成所述 多個(gè)指狀物的步驟包括形成所述多個(gè)指狀物，使得在把所述光學(xué)元件安裝到其中時(shí)，在高于大約1000Hz的頻率處，所述多個(gè)指狀物中的每個(gè)指狀物具有在所述基部和所述光學(xué)元件之間的第一 X-Y共 振模。
14.如權(quán)利要求9-13中任一項(xiàng)所述的方法，其中，形成所述多個(gè)指狀物的步驟包括 形成至少7個(gè)指狀物。
15.如權(quán)利要求9-14中任一項(xiàng)所述的方法，其中，形成所述多個(gè)指狀物的步驟包括 使用導(dǎo)線放電加工工藝去除材料。
16.如權(quán)利要求9-15中任一項(xiàng)所述的方法，其中，形成所述多個(gè)指狀物的步驟包括 形成凹陷的墊部，所述凹陷的墊部配置成容納接合材料。
17.一種用于將圖像投影到襯底上的光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué) 系統(tǒng)包括根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的用于支撐光學(xué)元件的設(shè)備。
18.如權(quán)利要求17所述的光刻設(shè)備，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)是布置成將圖案形成裝置的 圖像投影到所述襯底上的投影光學(xué)系統(tǒng)。
19.如權(quán)利要求17所述的光刻設(shè)備，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)是布置成調(diào)節(jié)并引導(dǎo)輻射束 到圖案形成裝置上的照射光學(xué)系統(tǒng)。
全文摘要
提供一種用于支撐光學(xué)元件的設(shè)備。該設(shè)備包括透鏡單元(1003)和耦合至透鏡單元的多個(gè)指狀物(1000)。每個(gè)指狀物包括配置成在所述光學(xué)元件安裝到其中時(shí)耦合到所述光學(xué)元件的基部(1012)，在各自的第一端耦合至基部并且從所述基部以大約75到165度之間的發(fā)散角延伸的第一(1006a)和第二彎曲部(1006b)，和配置成與所述第一和第二彎曲部的各自的第二端耦合在一起的安裝部件(1008)。所述安裝部件由此耦合所述基部(1012)和所述透鏡單元(1003)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102007453SQ200980113206
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月15日
發(fā)明者S·斯瑪尼, W·L·法恩斯沃思 申請(qǐng)人:Asml控股股份有限公司