專(zhuān)利名稱(chēng)：輻射系統(tǒng)、輻射收集器、輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)、用于輻射系統(tǒng)的光譜純度濾光片以及用于形成 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輻射系統(tǒng)、輻射收集器、輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)、用于輻射系統(tǒng)的光譜純度濾 光片以及用于形成光譜純度濾光片的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情形中，可以將可選地稱(chēng)為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案 轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行 的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已廣泛地承認(rèn)光刻術(shù)是IC和其它的器件和/或結(jié)構(gòu)制造中的關(guān)鍵步驟之一。然 而，隨著使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸不斷變小，光刻術(shù)成為了使微型的IC或其它器件和 /或結(jié)構(gòu)能夠制造的更為關(guān)鍵的因素。通過(guò)如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利準(zhǔn)則來(lái)給出圖案印刷的極限的理論估 計(jì)
權(quán)利要求
1.一種光譜純度濾光片，被配置以在第一方向上反射具有第一波長(zhǎng)的輻射和在與所述 第一方向不同的第二方向上反射具有第二波長(zhǎng)的輻射，所述光譜純度濾光片包括基襯底；在所述基襯底上的多層堆疊，所述多層堆疊包括多個(gè)交替層；和在所述多層堆疊的頂側(cè)中的多個(gè)凹陷，所述凹陷被配置以允許具有所述第一波長(zhǎng)的輻 射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波長(zhǎng)的輻射；其中，所述凹陷被配置成使得它們的橫截面是對(duì)稱(chēng)性的輪廓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜純度濾光片，其中所述凹陷的深度為約所述第二波長(zhǎng)的 五分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光譜純度濾光片，其中所述第一波長(zhǎng)為約13.5nm，所述 第二波長(zhǎng)為約10 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的光譜純度濾光片，其中所述基襯底包括拋光的反射鏡。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，還包括在所述多層堆疊的頂側(cè) 上的涂層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光譜純度濾光片，其中所述涂層包括從由Ru，Pd，Ptjh，Ro， Ti，Au，Mo，Zr，Cu，F(xiàn)e，Cr，Ni，Zn和Ag構(gòu)成的組中選出的金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光譜純度濾光片，其中所述金屬是從由Ru，Pd，Ptjh，Ro，Ti 和Au構(gòu)成的組中選出的。
8.根據(jù)權(quán)利要求5、6或7所述的光譜純度濾光片，其中所述涂層具有約0.2nm至約Inm 的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，其中所述拋光的反射鏡被配 置成光刻設(shè)備的輻射系統(tǒng)的收集器的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，其中所述拋光的反射鏡被配 置成光刻設(shè)備的照射系統(tǒng)的一部分。
11.一種輻射系統(tǒng)，被配置以產(chǎn)生輻射束，所述輻射系統(tǒng)包括腔，所述腔包括輻射源，被配置以產(chǎn)生輻射；輻射束發(fā)射孔闌；和輻射收集器，被配置以收集由所述源產(chǎn)生的輻射，和將所收集的輻射傳遞至所述輻射 束發(fā)射孔闌，所述輻射收集器包括根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片；其中，所述光譜純度濾光片被配置以增強(qiáng)經(jīng)由所述孔闌發(fā)射的所述輻射的光譜純度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射源被配置以產(chǎn)生極紫外輻射，且 經(jīng)由所述孔闌發(fā)射的輻射是所述極紫外輻射。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的輻射系統(tǒng)，其中所述光譜純度濾光片被配置成在所述第一 方向上朝向所述孔闌反射所述極紫外輻射且在不同于所述第一方向的第二方向上反射除 所述極紫外輻射之外的輻射。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的輻射系統(tǒng)，其中所述除所述極紫外輻射之外的輻射包括紅 外輻射和/或深紫外輻射。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的輻射系統(tǒng)，其中所述凹陷的深度為約2μ m, 且所述在所述第二方向上被反射的輻射的波長(zhǎng)是約10 μ m。
16.根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射源是激光產(chǎn)生等離 子體源，所述激光產(chǎn)生等離子體源包括輻射源，所述輻射源被配置以將具有預(yù)定波長(zhǎng)的相 干輻射束聚焦到燃料上，其中所述光譜純度濾光片被配置成從由所述源產(chǎn)生的輻射濾除具 有所述相干輻射的預(yù)定波長(zhǎng)的輻射的至少一部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的輻射系統(tǒng)，其中所述預(yù)定的波長(zhǎng)是約10.6 μ m。
18.一種輻射收集器，被配置以收集由被配置產(chǎn)生極紫外輻射的輻射源產(chǎn)生的輻射和 將所收集的輻射發(fā)送至輻射系統(tǒng)的中間焦點(diǎn)，所述輻射收集器包括根據(jù)權(quán)利要求1-8中任 一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片；其中所述光譜純度濾光片被配置成增強(qiáng)所述極紫外輻射的光譜純度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的輻射收集器，其中所述光譜純度濾光片被配置成在所述第 一方向上朝向所述中間焦點(diǎn)反射所述極紫外輻射且在遠(yuǎn)離所述中間焦點(diǎn)的第二方向上反 射除所述極紫外輻射之外的輻射。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的輻射收集器，其中所述凹陷的深度為在遠(yuǎn)離所述中間焦點(diǎn) 的方向上被反射的輻射的波長(zhǎng)的約五分之一。
21.根據(jù)權(quán)利要求18、19或20所述的輻射收集器，其中所述凹陷的深度為約2μ m。
22.—種輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，被配置用于調(diào)節(jié)光刻設(shè)備中的輻射束，所述輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng) 包括第一和第二反射器陣列；其中所述第一反射器陣列中的每一反射器被配置成將來(lái)自所述輻射束的中間焦點(diǎn)的 輻射引導(dǎo)到所述第二反射器陣列中的反射器中的一個(gè)上；所述第二反射器陣列中的反射器被配置以將輻射投影到由所述輻射束調(diào)節(jié)裝置提供 的被調(diào)節(jié)的輻射束中；和所述第一和第二反射器中的至少一個(gè)反射器設(shè)置有光譜純度濾光片，所述光譜純度濾 光片被配置以在第一方向上反射具有第一波長(zhǎng)的輻射和在不同于所述第一方向的第二方 向上反射具有第二波長(zhǎng)的輻射，所述光譜純度濾光片包括基襯底；在所述基襯底上的多層堆疊，所述多層堆疊包括多個(gè)交替層；和在所述多層堆疊的頂側(cè)上的多個(gè)凹陷，所述凹陷被配置以允許具有所述第一波長(zhǎng)的輻 射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波長(zhǎng)的輻射。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述第一反射器陣列中的反射器每 一個(gè)設(shè)置有所述光譜純度濾光片；所述第一反射器陣列中的每一個(gè)反射器被配置成，使得具有所述第一波長(zhǎng)的入射到所 述第一反射器陣列中的反射器上的輻射被反射至與所述第一反射器陣列中的反射器相關(guān) 聯(lián)的所述第二反射器陣列中的第一反射器，具有所述第二波長(zhǎng)的入射到所述反射器上的輻 射被反射至與所述第一反射器陣列中的所述反射器相關(guān)聯(lián)的所述第二反射器陣列中的第 二反射器。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中與所述第一反射器陣列中的每一反 射器相關(guān)聯(lián)的所述第二反射器陣列中的反射器被配置成，使得具有所述第一波長(zhǎng)的輻射被 與所述第一反射器陣列中的每一反射器相關(guān)聯(lián)的所述第二反射器陣列中的所述第一反射 器反射，使得所述第一波長(zhǎng)的輻射被包含在由所述輻射束調(diào)節(jié)裝置提供的所述被調(diào)節(jié)的輻射束中；和具有所述第二波長(zhǎng)的輻射被與所述第一反射器陣列中的每一反射器相關(guān)聯(lián)的所述第 二反射器陣列中的所述第二反射器反射至輻射吸收器，所述輻射吸收器被配置成吸收具有 所述第二波長(zhǎng)的輻射。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述第一反射器陣列中的反射器每 個(gè)設(shè)置有所述光譜純度濾光片；和所述第一反射器陣列中的每一個(gè)反射器被配置成使得具有所述第一波長(zhǎng)的輻射被反 射至所述第二反射器陣列中的反射器，且具有所述第二波長(zhǎng)的輻射被反射至所述第二反射 器陣列中的兩個(gè)反射器之間的空間。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述第二反射器陣列中的所述反射 器被配置成反射具有所述第一波長(zhǎng)的輻射，使得它被包含在由輻射束調(diào)節(jié)裝置提供的被調(diào) 節(jié)的輻射束中。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或沈所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，還包括輻射吸收器，所述輻射吸收 器被配置成吸收具有所述第二波長(zhǎng)的輻射，所述具有所述第二波長(zhǎng)的輻射被所述第一反射 器陣列中的反射器反射至所述第二反射器陣列中的兩個(gè)反射器之間的空間。
28.根據(jù)權(quán)利要求22至27中任一項(xiàng)所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述凹陷的深度為所 述第二波長(zhǎng)的約五分之一。
29.根據(jù)權(quán)利要求22至觀中任一項(xiàng)所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述第一波長(zhǎng)為約 13. 5nm,所述第二波長(zhǎng)為約10 μ m。
30.根據(jù)權(quán)利要求22至四中任一項(xiàng)所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述基襯底包括拋光 的反射鏡。
31.根據(jù)權(quán)利要求22至30中任一項(xiàng)所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，還包括在所述多層堆疊的 頂側(cè)上的涂層。
32.根據(jù)權(quán)利要求22至31中任一項(xiàng)所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述涂層包括從由 Ru，Pd，Pt，Rh，Ro, Ti，Au，Mo，Zr，Cu，F(xiàn)e，Cr，Ni，Zn 和 Ag 構(gòu)成的組中選出的金屬。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述金屬是從由Ru，Pd，Pt，Rh,Ro, Ti和Au構(gòu)成的組中選出的。
34.根據(jù)權(quán)利要求31至33中任一項(xiàng)所述的輻射束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述涂層的厚度為約 0. 2nm 至約 lnm。
35.一種形成光譜純度濾光片的方法，所述方法包括步驟在襯底上設(shè)置包括多個(gè)交替層的多層堆疊，所述多層堆疊被配置成對(duì)極紫外輻射是反 射性的；在所述多層堆疊上形成輻射敏感材料層；在所述輻射敏感材料上曝光輻射的干涉圖案；顯影所述輻射敏感材料，以在所述多層堆疊上形成圖案化的掩模；和蝕刻所述多層堆疊的表面，所述掩模形成在所述多層堆疊的所述表面上，用以形成紋理表面。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的形成光譜純度濾光片的方法，還包括在所述多層堆疊上形 成涂層的步驟。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的形成光譜純度濾光片的方法，其中所述涂層包括從由Ru， Pd，Pt，Rh，Ro, Ti，Au，Mo，Zr，Cu，F(xiàn)e，Cr，Ni，Zn 和 Ag 構(gòu)成的組中選出的金屬。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的形成光譜純度濾光片的方法，其中所述金屬是從由Ru，Pd， Pt，Rh, Ro, Ti和Au構(gòu)成的組中選出的。
39.根據(jù)權(quán)利要求36至38中任一項(xiàng)所述的形成光譜純度濾光片的方法，其中所述涂層 的厚度為約0. 2nm至約lnm。
40.根據(jù)權(quán)利要求35至39中任一項(xiàng)所述的形成光譜純度濾光片的方法，其中所述干涉 圖案由紫外輻射的窄帶源形成。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的形成光譜純度濾光片的方法，其中所述干涉圖案通過(guò)使用 標(biāo)準(zhǔn)具來(lái)形成。
全文摘要
一種輻射系統(tǒng)被配置以產(chǎn)生輻射束。所述輻射系統(tǒng)包括腔，所述腔包括輻射源，被配置以產(chǎn)生輻射；輻射束發(fā)射孔闌；和輻射收集器，被配置以收集由所述源產(chǎn)生的輻射，且將所收集的輻射傳遞至所述輻射束發(fā)射孔闌。所述輻射收集器包括被配置以改善經(jīng)由所述孔闌被發(fā)射的所述輻射的光譜純度的光譜純度濾光片。所述光譜純度濾光片包括基襯底；在所述基襯底上的多層堆疊，所述多層堆疊包括多個(gè)交替層和在所述多層堆疊的頂側(cè)中的多個(gè)凹陷，所述凹陷被配置以允許具有所述第一波長(zhǎng)的輻射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波長(zhǎng)的輻射；其中，所述凹陷被配置成使得它們的橫截面具有對(duì)稱(chēng)性的輪廓。
文檔編號(hào)G02B5/18GK102047151SQ200980120016
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者A·范帝杰賽歐東克, G·斯溫克爾斯, J·范斯庫(kù)特, J·魯普斯特拉, V·巴尼內(nèi), W·德勃伊 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司