專利名稱：蒸鍍裝置及薄膜裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜的蒸鍍裝置，特別涉及具備離子槍和中和器的蒸鍍裝置、以及使 用該蒸鍍裝置的制造薄膜裝置的方法。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，所謂電氣懸浮是指與其它部件電絕緣的狀態(tài)。
背景技術(shù)：
以往，在真空容器內(nèi)向基板表面蒸發(fā)薄膜材料時(shí)，已知有通過(guò)向堆積在基板上的 蒸鍍層照射離子來(lái)進(jìn)行致密化的蒸鍍裝置(離子輔助蒸鍍裝置)。在這樣的蒸鍍裝置中，利 用離子槍向基板照射較低能量的氣體離子，同時(shí)利用中和器向基板照射中和電子(電子)， 由此可中和因氣體離子導(dǎo)致的基板上的電荷的偏移，同時(shí)利用氣體離子的動(dòng)能來(lái)制作致密 的膜(例如專利文獻(xiàn)1、2)。在專利文獻(xiàn)1、2中所示出的技術(shù)中，如圖4所示，高折射物質(zhì)和低折射物質(zhì)由多個(gè) 蒸發(fā)源134，136交替蒸發(fā)、進(jìn)行層積，可得到由多層膜構(gòu)成的防反射膜。在這樣的技術(shù)中， 在高折射物質(zhì)與低折射物質(zhì)的各自成膜時(shí)，利用從離子槍138中照射出的氬離子、氧離子 使附著在基板114上的蒸發(fā)物質(zhì)致密化，同時(shí)利用從中和器140中照射出的中和電子來(lái)防 止基板等帶電。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)H10-123301號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2007-248828號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，根據(jù)上述專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2所示的技術(shù)，如果欲將離子照射到整個(gè) 基板上，則不能避免從離子槍中照射出的離子的一部分與真空容器100的壁面相碰撞的現(xiàn) 象。因此，附著在真空容器100的壁面的物質(zhì)由于離子的碰撞而飛散，作為異物附著在成膜 中的基板上，產(chǎn)生成膜不良。另外，由于難于對(duì)從離子槍中照射出的離子的照射范圍進(jìn)行控制，因而會(huì)產(chǎn)生如 下現(xiàn)象從離子槍中照射出的離子的一部分在到達(dá)基板前與從中和器中照射出的電子發(fā)生 反應(yīng)而中和。因此不能對(duì)到達(dá)基板前被中和的離子或電子進(jìn)行有效利用，進(jìn)而對(duì)應(yīng)于被中 和的離子量消耗了額外的離子電流。鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種蒸鍍裝置，其能夠?qū)碾x子槍中照 射出的離子的照射范圍進(jìn)行控制，可制造出高潔凈度且高精度的光學(xué)過(guò)濾器。此外，本發(fā)明的其它目的在于提供一種蒸鍍裝置，其高效率應(yīng)用離子槍和中和器， 能夠謀求光學(xué)過(guò)濾器的制造成本的降低。對(duì)于上述課題，可通過(guò)方案1的蒸鍍裝置來(lái)解決，方案1的蒸鍍裝置具備接地的 真空容器、被支承在該真空容器內(nèi)的基板支架、能夠保持在該基板支架上的基板、離開(kāi)該基 板規(guī)定距離并與該基板相向的蒸鍍單元、用于對(duì)上述基板照射離子的離子槍、以及用于對(duì) 上述基板照射電子的中和器，其中，上述中和器以電子照射口朝向上述基板的方向的方式進(jìn)行配設(shè)，并且，上述離子槍按照離子照射口與上述基板相向的狀態(tài)配設(shè)在上述真空容器 內(nèi)部的與配設(shè)上述基板支架的一側(cè)相反方向的一側(cè)；在從上述離子槍的上述離子照射口朝 向上述基板支架的位置，按照使從上述離子照射口中照射出的上述離子的擴(kuò)散范圍縮小的 方式配設(shè)有用于限制離子的照射范圍的照射離子導(dǎo)向部件；上述照射離子導(dǎo)向部件相對(duì)于 上述真空容器電氣懸浮。由此，本發(fā)明的蒸鍍裝置具備用于限制從離子槍中照射出的離子的照射范圍的照 射離子導(dǎo)向部件，該照射離子導(dǎo)向部件相對(duì)于真空容器電氣懸浮。因此，對(duì)于照射離子導(dǎo)向 部件的離子通過(guò)側(cè)，伴隨著離子的照射而帶有與離子相同的電荷，將離子引導(dǎo)到與照射離 子導(dǎo)向部件相斥的方向。由此在限制離子的照射范圍的同時(shí)抑制照射范圍的變化，能夠減 少與真空容器內(nèi)側(cè)的壁面相碰撞的離子。因此，通過(guò)采用本發(fā)明的蒸鍍裝置，能夠減少附著 在基板上的異物，能夠制作高潔凈度且高精度的光學(xué)過(guò)濾器。更詳細(xì)地說(shuō)，在方案2中，優(yōu)選在從上述中和器的上述電子照射口朝向上述基板 支架的位置，按照使從上述電子照射口中照射出的上述電子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)有 用于限制電子的照射范圍的照射電子導(dǎo)向部件；上述照射電子導(dǎo)向部件相對(duì)于上述真空容 器電氣懸浮。如此，本發(fā)明所述的蒸鍍裝置進(jìn)一步具有用于限制從中和器中照射出的電子的照 射范圍的照射電子導(dǎo)向部件，該照射電子導(dǎo)向部件相對(duì)于真空容器電氣懸浮。因此可有效 限制從中和器中照射出的電子的照射范圍。因此，可抑制從離子槍中照射出的離子或照射 離子導(dǎo)向部件、與從中和器中照射出的電子發(fā)生反應(yīng)而中和，可抑制從離子槍中照射出的 離子及從中和器中照射出的電子的損失。此外，由于從離子槍中照射出的離子或照射離子 導(dǎo)向部件、與電子的反應(yīng)少，因而能夠防止真空容器內(nèi)電位結(jié)構(gòu)的偏移或離子的照射范圍 的偏移。因此能夠高效率利用離子槍和中和器，可謀求光學(xué)過(guò)濾器的制造成本的降低。進(jìn)一步具體地，在方案3中，進(jìn)一步優(yōu)選在從上述中和器的上述電子照射口朝向 上述基板支架的位置，按照使從上述電子照射口中照射出的上述電子的擴(kuò)散范圍縮小的方 式配設(shè)有用于限制電子的照射范圍的照射電子導(dǎo)向部件，并且，上述照射電子導(dǎo)向部件相 對(duì)于上述真空容器電氣懸??；上述照射離子導(dǎo)向部件和上述照射電子導(dǎo)向部件中的至少一 方形成為筒狀，且按照從上述離子槍中照射出的離子或從上述中和器中照射出的電子可插 通筒狀部分的內(nèi)側(cè)的方式配設(shè)。如此，通過(guò)使照射離子導(dǎo)向部件和照射電子導(dǎo)向部件中的至少一方形成為筒狀、 并按照照射出的離子或電子可插通筒狀部分的內(nèi)側(cè)的方式配設(shè)，離子或電子可被從照射離 子導(dǎo)向部件和照射電子導(dǎo)向部件一端的開(kāi)口部朝向照射方向精確地放出，同時(shí)可提高照射 出的離子或電子的密度，因而可減少附著在基板上的異物。還同時(shí)可更有效地抑制離子的 照射范圍的變化，并能夠制作更為致密的光學(xué)過(guò)濾器。另外，在方案4中，優(yōu)選上述照射離子導(dǎo)向部件形成為板狀，并被配設(shè)在能遮蔽 從上述離子槍中照射出的離子的一部分的位置。如此，通過(guò)使照射離子導(dǎo)向部件形成為板狀、并配設(shè)在能遮蔽從上述離子槍中照 射出的離子的一部分的位置，盡管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但也能夠提高照射出的離子的密度，能夠制作 更為致密的光學(xué)過(guò)濾器。進(jìn)一步地，在方案5中，優(yōu)選在從上述中和器的上述電子照射口朝向上述基板支架的位置，按照使從上述電子照射口中照射出的上述電子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)有用 于限制電子的照射范圍的照射電子導(dǎo)向部件，并且，上述照射電子導(dǎo)向部件相對(duì)于上述真 空容器電氣懸??；上述照射離子導(dǎo)向部件和上述照射電子導(dǎo)向部件中的至少一方具有由內(nèi) 側(cè)部件和外側(cè)部件構(gòu)成的二重結(jié)構(gòu)；上述內(nèi)側(cè)部件和上述外側(cè)部件按照具有間隙的方式并 行設(shè)置，且相對(duì)于彼此電氣懸浮。如此，照射離子導(dǎo)向部件和照射電子導(dǎo)向部件中的至少一方具有由內(nèi)側(cè)部件和外 側(cè)部件構(gòu)成的二重結(jié)構(gòu)；內(nèi)側(cè)部件和外側(cè)部件按照具有間隙的方式并行設(shè)置，并相對(duì)于彼 此電氣懸浮。因而，靠近從離子槍或中和器中照射出的離子或電子的內(nèi)側(cè)部件帶電，外側(cè)部 件在與內(nèi)側(cè)部件相反一側(cè)帶電。即，內(nèi)側(cè)部件與外側(cè)部件帶有相反的電荷，照射離子導(dǎo)向部 件或照射電子導(dǎo)向部件可以蓄積更多的電荷。因此電位結(jié)構(gòu)不易發(fā)生變化，能夠使離子或 電子的照射范圍更穩(wěn)定。因而能夠高效率利用離子槍和中和器，并能夠謀求光學(xué)過(guò)濾器的 制造成本的降低。具體地說(shuō)，在方案6中，優(yōu)選上述真空容器具備與上述真空容器電氣懸浮的內(nèi)壁。如此，對(duì)于本發(fā)明所述的真空容器，由于其具備與真空容器電氣懸浮的內(nèi)壁，因而 在成膜時(shí)即使由于成膜物質(zhì)附著在真空容器的內(nèi)壁而使得內(nèi)壁的狀態(tài)發(fā)生經(jīng)時(shí)變化，也能 夠抑制電位結(jié)構(gòu)的變化。因此能夠防止電位結(jié)構(gòu)的經(jīng)時(shí)變化，即能夠防止成膜條件的經(jīng)時(shí)變化。此外，在方案7中，優(yōu)選上述中和器被配設(shè)在離開(kāi)上述離子槍的位置。如此，本發(fā)明所述的中和器被配設(shè)在離開(kāi)離子槍的位置。由此可以抑制從離子槍 中照射出的離子和從中和器中照射出的電子在到達(dá)基板之前發(fā)生反應(yīng)而中和，因而能夠抑 制從離子槍中照射出的離子及從中和器中照射出的電子的損失，不會(huì)發(fā)生真空容器內(nèi)的電 位結(jié)構(gòu)的偏移或離子的照射范圍的偏移。因而可以抑制成膜條件的經(jīng)時(shí)變化，能夠提供無(wú) 需進(jìn)行預(yù)成膜處理的生產(chǎn)率高的蒸鍍裝置。上述課題可通過(guò)使用方案8的薄膜裝置的制造方法而得到解決，在方案8的薄膜 裝置的制造方法中使用蒸鍍裝置，所述蒸鍍裝置具備接地的真空容器，被支承在該真空容 器內(nèi)的基板支架，能夠保持在該基板支架上的基板，離開(kāi)該基板規(guī)定距離并與該基板相向 的蒸鍍單元，用于對(duì)所述基板照射離子的、按照離子照射口與所述基板相向的狀態(tài)配設(shè)在 所述真空容器內(nèi)部的與配設(shè)所述基板支架的一側(cè)相反方向的一側(cè)的離子槍，用于對(duì)所述基 板照射電子的、配設(shè)于所述真空容器的側(cè)面?zhèn)鹊闹泻推鳎苑謩e緊靠所述蒸鍍單元的蒸鍍 物質(zhì)照射口和所述離子槍的離子照射口的方式被配設(shè)的遮板，按照使從所述離子照射口中 照射出的所述離子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)在從所述離子槍的所述離子照射口朝向所 述基板支架的位置的照射離子導(dǎo)向部件，以及按照使從所述電子照射口中照射出的所述電 子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)在從所述中和器的所述電子照射口朝向所述基板支架的位 置的照射電子導(dǎo)向部件；在所述制造方法中進(jìn)行如下工序?qū)⑺龌迮湓O(shè)于所述基板支 架的配設(shè)工序，使所述基板支架以規(guī)定轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)、將所述真空容器內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定值、 將所述基板溫度加熱到規(guī)定值的設(shè)定工序，使所述離子槍和所述蒸鍍單元處于空轉(zhuǎn)狀態(tài)的 準(zhǔn)備工序，以及通過(guò)開(kāi)放所述遮板使所述蒸鍍物質(zhì)照射到所述基板的蒸鍍工序；其中，在所 述蒸鍍工序中，由所述離子槍朝向所述基板照射通過(guò)了所述照射離子導(dǎo)向部件的離子，同 時(shí)，由所述中和器朝向所述基板照射通過(guò)了所述照射電子導(dǎo)向部件的電子，所述中和器靠近所述基板支架進(jìn)行配設(shè)并離開(kāi)所述離子槍規(guī)定距離進(jìn)行配設(shè)。如此，利用本發(fā)明所述的蒸鍍裝置，并根據(jù)本制造方法制作出的薄膜裝置盡管制 造成本較為低廉，但具有優(yōu)異的特性。通過(guò)使用方案1所述的蒸鍍裝置，可以朝向照射方向精確地照射離子，因而能夠 減少附著在基板上的異物，同時(shí)能夠更為有效地抑制離子的照射范圍的變化等。此外，通過(guò)使用方案2所述的蒸鍍裝置，能夠高效率利用離子槍和中和器，可謀求 光學(xué)過(guò)濾器的制造成本的降低。通過(guò)使用方案3所述的蒸鍍裝置，能夠減少附著在基板上的異物，同時(shí)能夠更為 有效地抑制離子的照射范圍的變化，因此能夠制作出更為致密的光學(xué)過(guò)濾器。通過(guò)使用方案4所述的蒸鍍裝置，能夠制作出更為致密的光學(xué)過(guò)濾器。通過(guò)使用方案5所述的蒸鍍裝置，能夠使離子或電子的照射范圍更為穩(wěn)定，能夠 高效率利用離子槍和中和器、謀求光學(xué)過(guò)濾器的制造成本的降低。通過(guò)使用方案6所述的蒸鍍裝置，能夠減少?gòu)碾x子槍中照射出的離子及從中和器 中照射出的電子的損失，能夠抑制成膜條件的經(jīng)時(shí)變化，并且能夠降低制造成本。通過(guò)使用方案7所述的蒸鍍裝置，能夠防止從離子槍中照射出的離子及從中和器 中照射出的電子的損失，謀求低成本化。通過(guò)使用方案8所述的薄膜裝置的制造方法，可獲得具有優(yōu)異特性的薄膜裝置。


圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的蒸鍍裝置的示意圖。
圖2是示出實(shí)施例1和比較例1的光學(xué)過(guò)濾器的透過(guò)率的曲線圖。
圖3是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的蒸鍍裝置的示意圖。
圖4是現(xiàn)有的蒸鍍裝置的示意圖。
符號(hào)說(shuō)明
1、2蒸鍍裝置
10、100真空容器
12基板支架
14、114基板
18水晶監(jiān)控器
19膜厚檢測(cè)部
30內(nèi)壁
34、36、134、136 蒸發(fā)源
34a>36a>38a 遮板
38、138離子槍
40、140中和器
50照射離子導(dǎo)向部件
52照射電子導(dǎo)向部件
T透過(guò)率
λ波長(zhǎng)
具體實(shí)施例方式下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，下面說(shuō)明的部件、配置等 是使發(fā)明具體化的一例，并不用于限定本發(fā)明，可以根據(jù)本發(fā)明的宗旨進(jìn)行各種改變，這自 不必說(shuō)。(第1實(shí)施方式)利用圖1對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式的蒸鍍裝置1的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖1是第1實(shí)施方式的蒸鍍裝置1的示意圖。本實(shí)施方式的蒸鍍裝置1以真空容器10、基板支架12、蒸發(fā)源34，36、離子槍38、 中和器40、照射離子導(dǎo)向部件50、照射電子導(dǎo)向部件52為主要構(gòu)成來(lái)形成。本實(shí)施方式的真空容器10為公知的成膜裝置中通常使用的縱置圓筒狀的不銹鋼 制容器，其接地呈接地電位。另外，該真空容器10的內(nèi)側(cè)按照利用未圖示的排氣單元進(jìn)行排氣直到規(guī)定的壓 力(例如3X 10_2 的程度)的方式來(lái)構(gòu)成。本實(shí)施方式中的基板支架12是形成為圓頂狀(大致半球面狀)的不銹鋼制的部 件，其被可沿垂直軸系旋轉(zhuǎn)地保持在真空容器10內(nèi)的上側(cè)。該基板支架12與未圖示的馬達(dá)的輸出軸以同軸狀連接。另外，在基板支架12的下表面，多個(gè)基板14按照成膜面向下的方式固定著。進(jìn)一步地，基板支架12通過(guò)絕緣子等未圖示的絕緣物質(zhì)被支承在未圖示的馬達(dá) (固定于真空容器10的外側(cè))的輸出軸上，其相對(duì)于真空容器10電氣懸浮。此外，在設(shè)于基板支架12的中心的孔部配設(shè)有膜厚檢測(cè)裝置。在本實(shí)施方式中， 設(shè)有公知的水晶監(jiān)控器18作為膜厚檢測(cè)裝置。對(duì)于水晶監(jiān)控器18，由于在其表面附著薄膜 而使共振頻率發(fā)生變化，根據(jù)該共振頻率的變化在膜厚檢測(cè)部19檢測(cè)出物理膜厚。當(dāng)然， 也可以形成同時(shí)設(shè)置水晶監(jiān)控器18和公知的光學(xué)監(jiān)視器來(lái)作為膜厚檢測(cè)裝置進(jìn)行膜厚測(cè) 定的構(gòu)成。安裝在該基板支架12上的基板14由具有透光性的材料形成，在其表面通過(guò)成膜 而附著介電膜或吸收膜。在本實(shí)施方式中，作為基板14使用圓板狀的物質(zhì)，但其形狀并不 限于此，只要能夠在表面形成薄膜，可以為例如透鏡形狀、圓筒狀、圓環(huán)狀等其它形狀。本實(shí)施方式中的蒸發(fā)源34，36為用于通過(guò)電子束加熱方式對(duì)高折射率物質(zhì)及低 折射率物質(zhì)進(jìn)行加熱以使其蒸發(fā)的裝置，其配設(shè)在真空容器10內(nèi)的下側(cè)。在本實(shí)施方式中，蒸發(fā)源34作為高折射率物質(zhì)的蒸發(fā)單元來(lái)構(gòu)成，同時(shí)蒸發(fā)源36 作為低折射率物質(zhì)的蒸發(fā)單元來(lái)構(gòu)成。此外，在蒸發(fā)源34，36及后述的離子槍38的上方安裝有可開(kāi)閉操作的遮板34a， 36a, 38a。這些遮板34a，36a, 38a通過(guò)未圖示的控制器被控制適時(shí)開(kāi)閉。另外，本實(shí)施方式中的經(jīng)成膜的光學(xué)過(guò)濾器是通過(guò)交替層積高折射率物質(zhì)和低折 射率物質(zhì)來(lái)進(jìn)行成膜的，即使對(duì)于由一種或多種蒸發(fā)物質(zhì)構(gòu)成的光學(xué)過(guò)濾器的成膜，本發(fā) 明也是能夠適用的，這種情況下可適當(dāng)變更蒸發(fā)源的數(shù)目或配置。進(jìn)一步地，作為本實(shí)施方式中制作的光學(xué)過(guò)濾器的具體例，可以舉出短波長(zhǎng)帶通 濾波器(SWPF)，此外對(duì)于長(zhǎng)波長(zhǎng)帶通濾波器、帶通過(guò)濾器、ND過(guò)濾器等薄膜裝置也能夠適用。本實(shí)施方式中的離子槍38為朝向基板14放出離子(ion)的裝置，由反應(yīng)氣體(例 如O2)或稀有氣體(例如Ar)的等離子體誘導(dǎo)出帶電的離子(02+、Ar+)，通過(guò)加速電壓加速 射出。另外，本實(shí)施方式中的中和器40為朝向基板14放出電子(e_)的裝置，由Ar等稀 有氣體的等離子體誘導(dǎo)出電子，利用加速電壓進(jìn)行加速，放出電子。由此處射出的電子對(duì)附 著于基板14表面的離子進(jìn)行中和。本實(shí)施方式中的蒸鍍裝置1中，中和器40配設(shè)在真空容器10的側(cè)面?zhèn)龋挥谂c離 子槍38間隔開(kāi)規(guī)定距離的位置。另外，與以往的這種裝置相比，本實(shí)施方式中的中和器40被配置在與離子槍38間 隔開(kāi)規(guī)定距離且接近于基板支架12的位置。本實(shí)施方式中的照射離子導(dǎo)向部件50為配設(shè)在離子槍38的離子照射口附近的形 成為大致筒狀、更具體地說(shuō)為喇叭狀的不銹鋼制的部件，離開(kāi)離子槍38的一側(cè)的端部的開(kāi) 口寬度形成得較大。照射離子導(dǎo)向部件50借助安裝夾具和絕緣子而被安裝在真空容器10 的下面?zhèn)?，相?duì)于真空容器10電氣懸浮。并且，照射離子導(dǎo)向部件50按照從離子槍38中 照射出的離子插通照射離子導(dǎo)向部件50的筒狀部分的方式進(jìn)行配設(shè)。本實(shí)施方式中的照射電子導(dǎo)向部件52為配設(shè)在中和器40的電子照射口附近的大 致為筒狀的不銹鋼制部件，其具有與上述照射離子導(dǎo)向部件50近似的形狀。并且，照射電 子導(dǎo)向部件52按照從中和器40中照射出的電子插通照射電子導(dǎo)向部件52的筒狀部分的 方式進(jìn)行配設(shè)。照射電子導(dǎo)向部件52借助安裝夾具和絕緣子而被安裝在真空容器10上， 相對(duì)于真空容器10電氣懸浮。此處，對(duì)照射離子導(dǎo)向部件50的效果進(jìn)行說(shuō)明。若從離子槍38中照射出離子、離子通過(guò)照射離子導(dǎo)向部件50的內(nèi)側(cè)，則其內(nèi)面?zhèn)?對(duì)應(yīng)于離子的電荷帶電。在本實(shí)施方式中，由于使用O2+作為離子，因而照射離子導(dǎo)向部件 50的內(nèi)側(cè)帶正電。因此，從離子槍38中照射出的O2+與帶正電側(cè)的照射離子導(dǎo)向部件50的內(nèi)側(cè)面相 斥，被引導(dǎo)至照射離子導(dǎo)向部件50的開(kāi)口方向。如此，向目標(biāo)方向放出的離子增加，另一方面，偏離目標(biāo)而與真空容器10的內(nèi)壁 面等壁面碰撞的離子減少。因此，可以抑制附著在壁面的附著物由于離子的碰撞而飛散并 作為異物附著在基板14上。另外，照射離子導(dǎo)向部件50具有提高從離子槍38中照射出的離子的密度的效果。這是由于，在通過(guò)懸浮(7 α—〒4 > 7 )處理而帶電的部件上離子發(fā)生反射，被 引導(dǎo)至照射離子導(dǎo)向部件50的開(kāi)口部。即，由于可將以往的不具備照射離子導(dǎo)向部件50 的蒸鍍裝置中的照射到周邊方向而散逸的離子向目標(biāo)方向放出，因而可相應(yīng)地提高照射出 的離子的密度。如此，由于通過(guò)了照射離子導(dǎo)向部件50所照射出的離子的密度變高，因而能夠效 率良好地進(jìn)行附著在基板14上的蒸鍍物質(zhì)的致密化。因此，利用具備照射離子導(dǎo)向部件50的蒸鍍裝置1制作的光學(xué)過(guò)濾器變得致密， 光學(xué)特性得到提高。具體地說(shuō)，能夠制作出入射到光學(xué)過(guò)濾器中的可見(jiàn)光線的吸收率降低、透過(guò)率得到提高的高精度的光學(xué)過(guò)濾器。當(dāng)然也能夠謀求處理時(shí)間的縮短，這種情況下，可謀求生產(chǎn)率提高及低成本化。接下來(lái)，對(duì)照射電子導(dǎo)向部件52的效果進(jìn)行說(shuō)明。若從中和器40中照射出的電子通過(guò)筒狀的照射電子導(dǎo)向部件52的內(nèi)側(cè)，則其內(nèi) 面?zhèn)葞ж?fù)電。因此，從中和器40中照射出的電子與帶有和電子相同的負(fù)電的一側(cè)的照射電 子導(dǎo)向部件52的內(nèi)側(cè)面相斥，被引導(dǎo)至照射電子導(dǎo)向部件52的開(kāi)口方向。如此，向目標(biāo)方向放出的電子增加，另一方面，偏離照射方向而散逸的電子減少， 因而能夠抑制因中和從離子槍38中照射出的朝向基板14的離子而消耗電子、能夠抑制因 中和照射離子導(dǎo)向部件50所帶的電荷而消耗電子。即，由于具備照射電子導(dǎo)向部件52，因 而可更有效地使用離子槍38及照射離子導(dǎo)向部件50。對(duì)于上述蒸鍍裝置1，通過(guò)具備照射離子導(dǎo)向部件50和照射電子導(dǎo)向部件52，附 著在基板14上的蒸鍍物質(zhì)發(fā)生致密化，能夠制作出透過(guò)率高的光學(xué)過(guò)濾器，同時(shí)能夠防止 由于離子的照射而從室壁面飛散出異物，能夠降低成膜不良。此外，通過(guò)具備照射電子導(dǎo)向 部件52，能夠防止從離子槍38中照射出的朝向基板14的離子的不必要的中和、以及照射離 子導(dǎo)向部件50所帶的電荷等的不必要的中和，因而能夠更有效地使用離子槍38及照射離 子導(dǎo)向部件50。下面對(duì)本實(shí)施方式中的蒸鍍裝置1的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。首先，在真空容器10內(nèi)的基板支架12上安放基板14，對(duì)真空容器10內(nèi)進(jìn)行排氣 直至達(dá)到規(guī)定壓力。并且，使基板支架12以規(guī)定轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)，同時(shí)利用未圖示的電加熱器將基板14的溫 度加熱到規(guī)定溫度。接下來(lái)，使離子槍38的離子源成為可立即照射離子的空轉(zhuǎn)狀態(tài)。同時(shí)，使蒸發(fā)源 34，36成為可立即放出蒸發(fā)粒子的狀態(tài)(即，成為可通過(guò)進(jìn)行遮板34a，36a的開(kāi)動(dòng)作而立即 放出蒸發(fā)粒子的狀態(tài))。進(jìn)行這樣的操作，在確認(rèn)基板支架12的轉(zhuǎn)數(shù)和基板14的溫度達(dá)到規(guī)定的條件以 后，實(shí)行蒸鍍工序。在蒸鍍工序中，對(duì)放出高折射率物質(zhì)(例如T 05、TiO2)的蒸發(fā)源34以及放出低 折射率物質(zhì)(例如SiO2)的蒸發(fā)源36的遮板的開(kāi)閉進(jìn)行控制，使高折射率物質(zhì)和低折射率 物質(zhì)交替地朝向基板14放出。在放出這樣的蒸鍍物質(zhì)的期間，進(jìn)行離子槍38的遮板38a 的開(kāi)動(dòng)作而放出的離子(例如O2+)與基板14發(fā)生碰撞，從而使附著在基板14上的蒸鍍物 質(zhì)致密化。通過(guò)反復(fù)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的該操作而形成多層膜。通常，通過(guò)離子的照射，在基板支架12上發(fā)生電荷的偏移。然而，在本蒸鍍裝置1 中，該基板支架12的電荷的偏移通過(guò)由中和器40朝向基板支架12照射電子而得以中和。此時(shí)，基于照射離子導(dǎo)向部件50及照射電子導(dǎo)向部件52的效果，能夠使從離子槍 38中放出的離子及從中和器40中放出的電子精確地朝向基板支架12照射。因此，能夠?qū)⒁酝c真空容器10的壁面發(fā)生碰撞而損失的離子及電子確實(shí)地照 射至基板14，從而有效地進(jìn)行利用。其結(jié)果，能夠防止由于離子的照射而從室壁面飛散出異 物，能夠降低成膜不良。進(jìn)一步地，若向離子槍38施加與以往的裝置中的成膜條件相同的 功率進(jìn)行成膜，則在基板14上能夠達(dá)到更高的離子電流密度，與以往相比，能夠在較短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行成膜。另外，即使功率低于以往的成膜條件，也能夠在基板14上達(dá)到與以往同等的離子 電流密度，能夠制作相比于以往為低應(yīng)力的膜。另外，通過(guò)將中和器40配設(shè)在靠近基板支架12的位置，可以向基板支架12的附 著從離子槍38中照射出的離子的區(qū)域精確地照射電子。進(jìn)一步地，由于中和器40配設(shè)在離開(kāi)離子槍38的位置，因而來(lái)自離子槍38的朝 向基板14的移動(dòng)中的離子與由中和器40放出的電子直接發(fā)生反應(yīng)的情況少，能夠有效地 中和基板支架12的電荷。在上述第1實(shí)施方式中，照射離子導(dǎo)向部件50形成為大致筒狀，但其也可以形成 為其它形狀，可以為中空的棱柱狀、或環(huán)狀。此外，也可以構(gòu)成為將離子槍38的上部進(jìn)行部 分遮蔽的板狀(遮板狀)部件(遮蔽部件)。例如，若使用電氣懸浮的板狀的遮蔽部件將離子槍38的照射口遮蔽規(guī)定的比例， 則離子不會(huì)與通過(guò)懸浮處理而帶電的遮蔽部件發(fā)生碰撞，而從未遮蔽的開(kāi)口部放出。因此， 與第2實(shí)施方式的照射離子導(dǎo)向部件50同樣地，能夠提高從離子槍38中照射出的離子的 密度。即，從被懸浮的遮蔽部件部分遮蔽的離子槍38的照射口放出的離子與基板14發(fā)生 碰撞，由此可效率良好地進(jìn)行附著在基板14上的蒸鍍物質(zhì)的致密化。另外，對(duì)離子槍38的 照射口進(jìn)行遮蔽的比例可以為10 70%，特別優(yōu)選為30%左右。此外，在上述蒸鍍裝置1中，若使照射離子導(dǎo)向部件50及照射電子導(dǎo)向部件52構(gòu) 成為不銹鋼制的2重結(jié)構(gòu)，則更為有效。例如，可使照射離子導(dǎo)向部件50由安裝在內(nèi)側(cè)的內(nèi)側(cè)部件和安裝在外側(cè)以覆蓋 該內(nèi)側(cè)部件的外側(cè)部件來(lái)構(gòu)成，使該內(nèi)側(cè)部件和外側(cè)部件按照具有微小間隙的方式進(jìn)行并 行設(shè)置，同時(shí)使其相對(duì)于彼此電氣懸浮。此時(shí)，內(nèi)側(cè)部件和外側(cè)部件借助絕緣子等絕緣部件 進(jìn)行安裝而懸浮即可。若如此來(lái)構(gòu)成照射離子導(dǎo)向部件50，則使內(nèi)側(cè)部件和外側(cè)部件中具有作為電容器 的特性。即，靠近從離子槍38中照射出的離子的內(nèi)側(cè)部件在離子電荷側(cè)帶電，外側(cè)部件在 與內(nèi)側(cè)部件相反一側(cè)帶電。如此，內(nèi)側(cè)部件和外側(cè)部件在帶電方面帶極板(對(duì)極)電荷，從 而照射離子導(dǎo)向部件50能夠蓄積更多的電荷，因而即使照射電子也不易發(fā)生電位結(jié)構(gòu)的 變化，可使離子的照射范圍更為穩(wěn)定。當(dāng)然通過(guò)使照射電子導(dǎo)向部件52也具有同樣的結(jié)構(gòu)，也能夠使照射電子導(dǎo)向部 件52的電位結(jié)構(gòu)更為穩(wěn)定。與利用以往的蒸鍍裝置(參照?qǐng)D4)進(jìn)行成膜的比較例1及比較例2相比較，對(duì)使 用圖1所示的蒸鍍裝置1來(lái)進(jìn)行成膜的實(shí)施例1進(jìn)行說(shuō)明。此處，以往的裝置為不具備本實(shí)施方式中的蒸鍍裝置1的照射離子導(dǎo)向部件50及 照射電子導(dǎo)向部件52、并將中和器140配設(shè)在離子槍138的附近的裝置(參照?qǐng)D4)。在實(shí)施例1及比較例1、比較例2中制作的多層膜中，使用Ta2O5作為高折射率物 質(zhì)、使用SW2作為低折射率物質(zhì)。此外，在實(shí)施例1及比較例1、比較例2中，均將由37層 構(gòu)成的短波長(zhǎng)帶通濾波器(Short Wave Pass Filter =SffPF)的多層膜(總膜厚3300nm) 成膜為真空室保養(yǎng)后的第1批次。制作出的SWPF多層膜的光學(xué)特性的測(cè)定結(jié)果如圖2所示。另外對(duì)在成膜中附著于基板14上的異物的密度進(jìn)行了比較。(實(shí)施例1)首先對(duì)實(shí)施例1進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例1的成膜條件如下所示?；錌K7(折射率η = 1. 52)基板溫度150°C膜材料=Ta2O5 (高折射率膜)，SiO2 (低折射率膜)Tei2O5 的成膜速度0. 7nm/secSiO2 的成膜速度1. Onm/secTa2O5蒸發(fā)時(shí)的離子槍條件導(dǎo)入氣體氧60sccm離子加速電壓1000V離子電流1000mASiO2蒸發(fā)時(shí)的離子槍條件導(dǎo)入氣體氧60sccm離子加速電壓1000V離子電流1000mA中和器的條件加速電壓30V中和器電流2000mA放電氣體氬IOsccm針對(duì)附著在上述實(shí)施例1中制作的SWPF多層膜上的異物進(jìn)行顯微鏡觀察。顯微鏡觀察針對(duì)安裝在基板支架12的外周側(cè)的基板14進(jìn)行。這是由于，基于照 射的離子而飛散的異物易于從壁面附著到基板支架12的外周側(cè)。根據(jù)顯微鏡觀察的結(jié)果， 在實(shí)施例1所制作的SWPF多層膜中，異物以2個(gè)/cm2的密度附著。(比較例1)比較例1的成膜條件如下所示。與實(shí)施例1相比，離子電流值有所不同。另外，在比較例1所制作的SWPF多層膜中，異物以15個(gè)/cm2的密度附著?；錌K7(折射率 η = 1. 52)基板溫度150°C膜材料Ta205(高折射率膜)，SiO2(低折射率膜)Ta2O5 的成膜速度0. 7nm/secSiO2 的成膜速度1. Onm/secTa2O5蒸發(fā)時(shí)的離子槍條件導(dǎo)入氣體氧60sccm離子加速電壓1000V離子電流1200mASiO2蒸發(fā)時(shí)的離子槍條件導(dǎo)入氣體氧60sccm
離子加速電壓1000V離子電流1200mA中和器的條件加速電壓30V中和器電流2000mA放電氣體氬IOsccm(比較例2)比較例2的成膜條件如下所示。使用以往的裝置，在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn) 行成膜。另外，與比較例1相比離子電流值有所不同。此外，在比較例2所制作的SWPF多層膜中，異物以13個(gè)/cm2的密度附著?；錌K7(折射率 η = 1. 52)基板溫度150°C膜材料Τ 05(高折射率膜)，SiO2 (低折射率膜)Tei2O5 的成膜速度0. 7nm/secSiO2 的成膜速度1. Onm/secTa2O5蒸發(fā)時(shí)的離子槍條件導(dǎo)入氣體氧60sccm離子加速電壓1000V離子電流1000mASiO2蒸發(fā)時(shí)的離子槍條件導(dǎo)入氣體氧60sccm離子加速電壓1000V離子電流1000mA中和器的條件加速電壓30V中和器電流2000mA放電氣體氬IOsccm表1列出上述實(shí)施例1以及比較例1和比較例2中制作的SWPF多層膜的離子照 射條件和基板上的異物密度。另外，在表1中，僅列出了離子照射條件中的在實(shí)施例1與比 較例1及比較例2中條件不同的離子電流。[表1]
照射離子/電子導(dǎo)向部件離子電流基板上的異物實(shí)施例1有IOOOmA2 個(gè)/cm2比較例1無(wú)1200mA15 個(gè)/cm2比較例2無(wú)IOOOmA13 個(gè)/cm2首先，基于圖2對(duì)光學(xué)特性進(jìn)行比較。在圖2中，對(duì)制作出的SWPF多層膜照射400 800nm的可見(jiàn)光區(qū)域的波長(zhǎng)λ，將 其透過(guò)率T相對(duì)于波長(zhǎng)λ進(jìn)行作圖。
根據(jù)圖2，對(duì)于實(shí)施例1中制作出的多層膜及比較例1中的多層膜，在進(jìn)行透過(guò)率 T測(cè)定的波長(zhǎng)λ的全部范圍Goo SOOnm)中均顯示出了與設(shè)計(jì)值大致相同的透過(guò)率Τ。另一方面，對(duì)于比較例2中制作出的SWPF多層膜，在波長(zhǎng)λ為400 500nm的范 圍內(nèi)，與實(shí)施例1中的多層膜相比顯示出了透過(guò)率T較低的值。具體地說(shuō)，若對(duì)波長(zhǎng)λ = 400nm的透過(guò)率T進(jìn)行比較，則相對(duì)于設(shè)計(jì)值95. 1 %， 實(shí)施例1中的SWPF多層膜的透過(guò)率T為93. 5%、比較例1中的SWPF多層膜的透過(guò)率T為 93.6%、比較例2中的SWPF多層膜的透過(guò)率T為86.6%。若對(duì)波長(zhǎng)λ = 500nm的透過(guò)率T進(jìn)行比較，則相對(duì)于設(shè)計(jì)值94. 8 %，實(shí)施例1中 的SWPF多層膜的透過(guò)率T為93. 9%、比較例1中的SWPF多層膜的透過(guò)率T為94. 0%、比 較例2中的SWPF多層膜的透過(guò)率T為89. 6%。此外，在波長(zhǎng)λ為520 780nm的范圍內(nèi)，實(shí)施例1及比較例1、比較例2中的 SffPF多層膜的透過(guò)率均大致為零。對(duì)于實(shí)施例1的SWPF多層膜，盡管與比較例1的SWPF多層膜相比其離子電流值 設(shè)定為較低值，但其在透過(guò)率T方面仍具有良好的光學(xué)特性。據(jù)認(rèn)為，這是由于，基于照射 離子導(dǎo)向部件50的效果，抑制了照射的離子的密度的降低。另外，實(shí)施例1與比較例1的 SWPF多層膜的透過(guò)率T具有大致相同的光學(xué)特性。S卩，比較例1中的離子電流值為1200mA， 相對(duì)于此，實(shí)施例1中的離子電流值為1000mA，因而可以認(rèn)為，通過(guò)具備照射離子導(dǎo)向部件 50和照射電子導(dǎo)向部件52，可將離子電流值降低15 20 %。另外發(fā)現(xiàn)，在與比較例1相比離子電流值設(shè)定為較低值的比較例2中，透過(guò)率T降 低。據(jù)認(rèn)為，這是由于，通過(guò)將離子電流值設(shè)定為較低值，照射的離子的密度降低，使層積在 基板14上的蒸鍍物質(zhì)致密化的效果降低。接下來(lái)，若對(duì)附著在成膜的SWPF多層膜(基板14)上的異物的密度進(jìn)行比較，則 實(shí)施例1中為2個(gè)/cm2，相對(duì)于此，比較例1中為15個(gè)/cm2、比較例2中為13個(gè)/cm2。在比較例1中，確認(rèn)到基板14上的異物多。這是由于，真空容器10的壁面上被照 射了從離子槍38中照射出的離子。另外，在比較例2中，由于相比于比較例1離子電流值設(shè)定為較低值，因而盡管附 著在基板14上的異物的數(shù)目稍有減少，但依然確認(rèn)到較多的異物。這是由于，從離子槍38 中照射出的離子的照射范圍與比較例1相比并無(wú)變化。與上述比較例1及比較例2相比，在實(shí)施例1中，基板14上確認(rèn)到的異物顯著減 少。這是由于，基于照射離子導(dǎo)向部件50的效果，照射的離子的照射范圍受到了限制，因而 照射到真空容器10的壁面上的離子減少。(第2實(shí)施方式)圖3為本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的蒸鍍裝置2的示意圖。另外，在以下的各實(shí)施形態(tài)中，與第1實(shí)施方式同樣的部件、配置等采用同一符 號(hào)，省略其詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)施方式中的蒸鍍裝置2采用在第1實(shí)施方式的蒸鍍裝置1的真空容器10的 內(nèi)側(cè)安裝有內(nèi)壁30的構(gòu)成。另外，在蒸鍍裝置2中，中和器40配置在設(shè)于內(nèi)壁30的開(kāi)口 部的內(nèi)側(cè)，并且直接安裝在真空容器10的側(cè)面，呈與內(nèi)壁30不直接接觸的構(gòu)成。該真空容器10的內(nèi)側(cè)所具備的內(nèi)壁30為沿著真空容器10的內(nèi)側(cè)的側(cè)面和上表面配設(shè)的大致為圓筒狀的部件，其相對(duì)于真空容器10電氣懸浮。另外，內(nèi)壁30以包圍后述 的基板支架12的上側(cè)與圓周方向的側(cè)面的方式設(shè)置。此外，該內(nèi)壁30與處于接地電位的真空容器10的內(nèi)側(cè)面通過(guò)絕緣子等未圖示的 絕緣部件固定在一起。如此，通過(guò)與真空容器10絕緣，完成內(nèi)壁30的懸浮處理。另外，對(duì)于內(nèi)壁30，與真空容器10同樣地由不銹鋼制的部件形成，在內(nèi)側(cè)面貼附 有被覆了二氧化硅等陶瓷的未圖示的陶瓷片。如此，通過(guò)使內(nèi)壁30相對(duì)于真空容器10電氣懸浮，成膜條件發(fā)生經(jīng)時(shí)變化的現(xiàn)象 得以解決。特別具有如下效果防止在進(jìn)行真空容器10內(nèi)的清掃等真空室保養(yǎng)后的成膜條 件的經(jīng)時(shí)變化。進(jìn)一步地，由于內(nèi)壁30按照包圍基板支架12的上側(cè)與側(cè)面?zhèn)鹊姆绞竭M(jìn)行配設(shè)，因 而能夠防止遍及內(nèi)側(cè)全面的電位結(jié)構(gòu)的變化。另外，通過(guò)在內(nèi)壁30的內(nèi)側(cè)貼上陶瓷片，可以期待如下效果提高內(nèi)壁30的絕緣 性、進(jìn)一步減小具有絕緣性的蒸鍍物質(zhì)部分附著的情況下的內(nèi)壁30及真空容器10內(nèi)的電 位狀態(tài)的變動(dòng)。另外，也可以為不具有陶瓷片的構(gòu)成。即使在這種情況下，由于內(nèi)壁30經(jīng)懸浮處 理，因而也能夠?qū)⒄翦兾镔|(zhì)向內(nèi)壁30附著所致的電位結(jié)構(gòu)的變化控制在很小的范圍。此處，針對(duì)內(nèi)壁30的懸浮化對(duì)成膜工序的影響進(jìn)行研究。在以往的蒸鍍裝置(參照?qǐng)D4)中，若通過(guò)進(jìn)行成膜裝置的保養(yǎng)(真空室保養(yǎng))而 將附著在真空容器100的內(nèi)表面(室內(nèi)壁)的絕緣性的蒸鍍物質(zhì)去除，則在真空室保養(yǎng)后， 室內(nèi)壁與室本體導(dǎo)通，為接地電位。因此，在保養(yǎng)后的成膜中，電子會(huì)被室內(nèi)壁吸收。另一方面，為了使高折射率膜及低折射率膜等介電膜完全氧化，不僅需要充分供 給氧離子(02+)，電子(e_)也需要充分供給。在室內(nèi)壁處于與室本體通電的狀態(tài)時(shí)，基板上 的介電膜不能接受充分的電子，達(dá)不到完全氧化。另外，由于通過(guò)進(jìn)行成膜而在室內(nèi)壁附著絕緣性的蒸發(fā)物質(zhì)，因而真空容器內(nèi)的 電位結(jié)構(gòu)緩緩發(fā)生變化。如本實(shí)施方式中的蒸鍍裝置2 (參照?qǐng)D2)那樣，通過(guò)使真空容器10的內(nèi)側(cè)為2重 結(jié)構(gòu)、使其內(nèi)壁30懸浮化，即使在真空室保養(yǎng)后，內(nèi)壁30也不會(huì)達(dá)到與真空容器10通電的 狀態(tài)。因此，真空容器10內(nèi)的電位結(jié)構(gòu)不會(huì)緩緩發(fā)生變化，在真空室保養(yǎng)后立即形成穩(wěn)定 的成膜。因而，無(wú)需實(shí)施以往在利用離子輔助蒸鍍法的成膜中所進(jìn)行的測(cè)試批次(在實(shí)施 真空室保養(yǎng)后，進(jìn)行成膜直到室內(nèi)壁的電位狀態(tài)達(dá)到穩(wěn)定)。若對(duì)利用上述蒸鍍裝置2制作的光學(xué)過(guò)濾器的光學(xué)特性進(jìn)行測(cè)定，則與利用不具 有懸浮的內(nèi)壁30的蒸鍍裝置制作的光學(xué)過(guò)濾器相比，確認(rèn)到透過(guò)率T的提高。據(jù)研究，通過(guò)使內(nèi)壁30電氣懸浮而提高了透過(guò)率T基于以下理由。由于配設(shè)在真空容器10中的內(nèi)壁30的懸浮化，在保養(yǎng)后由內(nèi)壁30吸收的電子量 變少。因此，可向基板14表面供給充分的電子、將高折射率膜及低折射率膜等介電膜完全 氧化，從而提高成膜的組織的均一性。如此，膜組織具有良好的均一性，從而能夠得到折射 率的變動(dòng)小、光吸收系數(shù)為一定值以下的穩(wěn)定的膜。
此外，以往同時(shí)設(shè)置水晶監(jiān)控器18和公知的光學(xué)監(jiān)視器作為膜厚檢測(cè)裝置，進(jìn)行 膜厚的測(cè)定。然而，通過(guò)使用本實(shí)施方式的蒸鍍裝置2，即使在真空室保養(yǎng)后真空容器10內(nèi) 的電位結(jié)構(gòu)也沒(méi)有變化，不會(huì)發(fā)生成膜條件的經(jīng)時(shí)變化，特別是不會(huì)發(fā)生從離子槍38中照 射出的離子的照射范圍的變化，因而成膜速度也很穩(wěn)定，即使僅用水晶監(jiān)控器18進(jìn)行膜厚 測(cè)定也能夠高精度地進(jìn)行膜厚測(cè)定。另外，即使基板支架12以未電氣懸浮的狀態(tài)進(jìn)行配設(shè)，在真空室保養(yǎng)后的第1批 次中成膜的SWPF多層膜的光學(xué)特性也為與利用電氣懸浮了基板支架12的裝置制作出的 SWPF多層膜大致相同的結(jié)果。據(jù)認(rèn)為，這是由于，與基板支架12的懸浮化相比，內(nèi)壁30的懸浮化對(duì)成膜條件的 影響更大。當(dāng)然，對(duì)于蒸鍍裝置2，與蒸鍍裝置1同樣地，由于設(shè)有照射離子導(dǎo)向部件50及照 射電子導(dǎo)向部件52，因而一并具有第1實(shí)施方式中的蒸鍍裝置1所具有的效果。此外，在上述實(shí)施方式中，內(nèi)壁30形成為圍著基板支架12的周圍的大致圓筒狀， 但只要為可以覆蓋從離子槍38中照射出的離子發(fā)生碰撞的范圍的形狀，也可以為其它形 狀。例如，也可以以配置在基板支架12的周邊的多個(gè)板狀部件的形式構(gòu)成。內(nèi)壁30及照射離子導(dǎo)向部件50或照射電子導(dǎo)向部件52為不銹鋼制，但也可以由 其它材料構(gòu)成。例如，可以為鋁合金制、陶瓷制等。在上述第1實(shí)施方式及第2實(shí)施方式中，照射離子導(dǎo)向部件50形成為大致筒狀， 但其也可以形成為其它形狀，可以為中空的棱柱狀、或環(huán)狀。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置具備接地的真空容器、被支承在該真空容器內(nèi)的基板 支架、能夠保持在該基板支架上的基板、離開(kāi)該基板規(guī)定距離并與該基板相向的蒸鍍單元、 用于對(duì)所述基板照射離子的離子槍、以及用于對(duì)所述基板照射電子的中和器，該蒸鍍裝置 的特征在于所述中和器按照使電子照射口朝向所述基板的方向的方式進(jìn)行配設(shè)，并且，所述離子 槍按照離子照射口與所述基板相向的狀態(tài)配設(shè)在所述真空容器內(nèi)部的與配設(shè)所述基板支 架的一側(cè)相反方向的一側(cè)；在從所述離子槍的所述離子照射口朝向所述基板支架的位置，按照使從所述離子照射 口中照射出的所述離子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)有用于限制離子的照射范圍的照射離 子導(dǎo)向部件；所述照射離子導(dǎo)向部件相對(duì)于所述真空容器電氣懸浮。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于在從所述中和器的所述電子照射口朝向所述基板支架的位置，按照使從所述電子照射 口中照射出的所述電子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)有用于限制電子的照射范圍的照射電 子導(dǎo)向部件；所述照射電子導(dǎo)向部件相對(duì)于所述真空容器電氣懸浮。
3.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于在從所述中和器的所述電子照射口朝向所述基板支架的位置，按照使從所述電子照射 口中照射出的所述電子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)有用于限制電子的照射范圍的照射電 子導(dǎo)向部件，并且，所述照射電子導(dǎo)向部件相對(duì)于所述真空容器電氣懸?。凰稣丈潆x子導(dǎo)向部件和所述照射電子導(dǎo)向部件中的至少一方形成為筒狀，且按照從 所述離子槍中照射出的離子或從所述中和器中照射出的電子能插通筒狀部分的內(nèi)側(cè)的方 式配設(shè)。
4.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述照射離子導(dǎo)向部件形成為板狀，且 被配設(shè)在能遮蔽從所述離子槍中照射出的離子的一部分的位置。
5.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，在從所述中和器的所述電子照射口朝 向所述基板支架的位置，按照使從所述電子照射口中照射出的所述電子的擴(kuò)散范圍縮小的 方式配設(shè)有用于限制電子的照射范圍的照射電子導(dǎo)向部件，并且，所述照射電子導(dǎo)向部件 相對(duì)于所述真空容器電氣懸浮；所述照射離子導(dǎo)向部件和所述照射電子導(dǎo)向部件中的至少一方具有由內(nèi)側(cè)部件和外 側(cè)部件構(gòu)成的二重結(jié)構(gòu)；所述內(nèi)側(cè)部件和所述外側(cè)部件按照具有間隙的方式并行設(shè)置，且相對(duì)于彼此電氣懸浮。
6.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述真空容器具備相對(duì)于所述真空容 器電氣懸浮的內(nèi)壁。
7.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述中和器被配設(shè)在離開(kāi)所述離子槍 的位置。
8.一種薄膜裝置的制造方法，該制造方法的特征在于在該方法中使用蒸鍍裝置，所述蒸鍍裝置具備接地的真空容器，被支承在該真空容器內(nèi)的基板支架，能夠保持在該基板支架上的基板，離開(kāi)該基板規(guī)定距離并與該基板相向的蒸鍍單元，用于對(duì)所述基板照射離子的離子槍，該離子槍按照離子照射口與所述基板相向的狀態(tài) 配設(shè)在所述真空容器內(nèi)部的與配設(shè)所述基板支架的一側(cè)相反方向的一側(cè)，用于對(duì)所述基板照射電子的中和器，該中和器配設(shè)于所述真空容器的側(cè)面?zhèn)龋?遮板，該遮板以分別緊靠所述蒸鍍單元的蒸鍍物質(zhì)照射口和所述離子槍的離子照射口 的方式配設(shè)，照射離子導(dǎo)向部件，該照射離子導(dǎo)向部件按照使從所述離子照射口中照射出的所述離 子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)在從所述離子槍的所述離子照射口朝向所述基板支架的位 置，以及照射電子導(dǎo)向部件，該照射電子導(dǎo)向部件按照使從所述電子照射口中照射出的所述電 子的擴(kuò)散范圍縮小的方式配設(shè)在從所述中和器的所述電子照射口朝向所述基板支架的位 置；在所述制造方法中進(jìn)行如下工序 將所述基板配設(shè)于所述基板支架的配設(shè)工序，使所述基板支架以規(guī)定轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)、將所述真空容器內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定值、將所述基 板溫度加熱到規(guī)定值的設(shè)定工序，使所述離子槍和所述蒸鍍單元處于空轉(zhuǎn)狀態(tài)的準(zhǔn)備工序，以及 通過(guò)開(kāi)放所述遮板使所述蒸鍍物質(zhì)照射到所述基板的蒸鍍工序； 其中，在所述蒸鍍工序中，由所述離子槍朝向所述基板照射通過(guò)了所述照射離子導(dǎo)向 部件的離子，同時(shí)，由所述中和器朝向所述基板照射通過(guò)了所述照射電子導(dǎo)向部件的電子， 所述中和器靠近所述基板支架進(jìn)行配設(shè)并離開(kāi)所述離子槍規(guī)定距離進(jìn)行配設(shè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制成膜條件的經(jīng)時(shí)變化的蒸鍍裝置(1)。所述蒸鍍裝置(1)具備被支承在接地的真空容器(10)內(nèi)的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、離開(kāi)基板(14)并與基板(14)相向的蒸發(fā)源(34，36)、對(duì)基板(14)照射離子的離子槍(38)、以及對(duì)基板(14)照射電子的中和器(40)，其中，離子槍(38)及中和器(40)分別安裝有照射離子導(dǎo)向部件(50)及照射電子導(dǎo)向部件(52)。
文檔編號(hào)G02B5/28GK102076879SQ20098012462
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2009年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月30日
發(fā)明者塩野一郎, 姜友松, 本多博光, 村田尊則 申請(qǐng)人:株式會(huì)社新柯隆