專利名稱：光刻設備、可編程圖案形成裝置和光刻方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光刻設備、可編程圖案形成裝置和器件制造方法。
背景技術：
光刻設備是施加期望的圖案到襯底或一部分襯底上的機器。光刻設備可以用于例如集成電路(IC)、平板顯示器以及具有精細特征的其它裝置或結構的制造中。在傳統(tǒng)的光刻設備中，可以將稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于產(chǎn)生對應于IC、平板顯示器或其它裝置的單層的電路圖案。可以將這一圖案轉移到襯底(例如硅晶片或玻璃板)(的一部分)上，例如經(jīng)由成像將所述圖案轉移到在所述襯底上設置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。除了電路圖案，圖案形成裝置可以用于產(chǎn)生其它圖案，例如濾色片圖案或點的矩陣。替代傳統(tǒng)的掩模，圖案形成裝置可以包括圖案形成陣列，該圖案形成陣列包括產(chǎn)生電路或其它可應用圖案的獨立可控元件的陣列。與傳統(tǒng)的基于掩模的系統(tǒng)相比，這樣的“無掩?！毕到y(tǒng)的優(yōu)點是，可以更加快速地設置和/或更換圖案，且成本較小。因此，無掩模系統(tǒng)包括可編程圖案形成裝置(例如空間光調制器、對比裝置等)。 使用獨立可控元件的陣列對可編程圖案形成裝置進行(例如電子或光學地)編程，用于形成期望的圖案化的束。可編程圖案形成裝置的類型包括微反射鏡陣列、液晶顯示器(LCD) 陣列、光柵光閥陣列等。

發(fā)明內(nèi)容
例如期望提供一種靈活的、低成本的光刻設備，該光刻設備包括可編程圖案形成裝置。


并入本文中且形成說明書的一部分的附圖顯示了本發(fā)明的實施例，且另外與所述描述一起用于說明本發(fā)明的原理并使得相關領域的技術人員能夠進行和使用本發(fā)明。圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意側視圖。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂部視圖。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂部視圖。
圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂部視圖。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂部視圖。圖6(A)_(D)顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的一部分的示意頂視圖和側視圖。圖7(A)_(0)顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的一部分的示意頂視圖和側視圖。圖7(P)顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的獨立可尋址元件的功率/正向電流圖。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意側視圖。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意側視圖。圖10顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意側視圖。圖11顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于光刻設備的獨立可控元件的陣列的示意頂視圖。圖12顯示使用本發(fā)明的實施例將圖案轉移到襯底的模式。圖13顯示光學引擎的示意性布置。圖14㈧和⑶顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的一部分的示意側視圖。圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂視圖。圖16(A)顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的一部分的示意側視圖。圖16(B)顯示相對于襯底的傳感器的檢測區(qū)域的示意位置。圖17顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂視圖。圖18顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意橫截面?zhèn)纫晥D。圖19顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意頂部視圖的布局。圖20顯示圖19中的光刻設備的一部分的示意三維視圖。圖21顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖的布局，且顯示出相對于獨立可控元件設定的光學元件242的三個不同的旋轉位置。圖22顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖的布局，且顯示出相對于獨立可控元件設定的光學元件M2的三個不同的旋轉位置。圖23顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖的布局，且顯示出相對于獨立可控元件設定的光學元件M2的五個不同的旋轉位置。圖M顯示如果使用直徑為5. 6mm的標準激光二極管用于獲得橫過襯底的寬度的全部覆蓋時的獨立可控元件102的一部分的示意性布局。圖25顯示圖M的細節(jié)的示意布局。圖沈顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖的布局。圖27顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖的布局。
圖觀顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖的布局，且顯示出相對于獨立可控元件設定的光學元件M2的五個不同的旋轉位置。圖四顯示圖28的光刻設備的一部分的示意三維視圖。圖30示意性顯示通過圖28和四中設定的單個可移動光學元件M2同時寫出的 8條線的布置。圖31顯示用于控制焦點的示意性布置，其中具有圖28和四的布置中的移動屋頂 (rooftop)ο圖32顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面內(nèi)基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的、根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意橫截面?zhèn)纫晥D?，F(xiàn)在將參考附圖對本發(fā)明的一個或更多的實施例進行描述。在附圖中類似的參考標記可以表示一致的或功能類似的元件。
具體實施例方式在此處描述了無掩模光刻設備、無掩模光刻方法、可編程圖案形成裝置和其它設備、物件的制造方法的一個或更多的實施例。在一實施例中，提供了低成本和/或靈活的無掩模光刻設備。由于它是無掩模的，不需要傳統(tǒng)的掩模用于曝光例如IC或平板顯示器。類似地，不需要用于封裝應用的一個或更多個環(huán)；可編程圖案形成裝置可以為封裝應用提供數(shù)字邊緣處理“環(huán)”，用于避免邊緣投影。無掩模(數(shù)字圖案化)可以能夠使用柔性的襯底。在一實施例中，光刻設備能夠用于特別不關鍵的應用。在一實施例中，光刻設備能夠具有> 0. Iym的分辨率，例如> 0. 5 μ m的分辨率或> 1 μ m的分辨率。在一實施例中，光刻設備能夠具有< 20 μ m的分辨率、例如< 10 μ m的分辨率或< 5 μ m的分辨率。在一實施例中，光刻設備能夠具有 0. 1-10 μ m的分辨率。在一實施例中，光刻設備能夠具有> 50nm 的重疊，例如彡IOOnm的重疊、彡200nm的重疊或彡300nm的重疊。在一實施例中，光刻設備能夠具有< 500nm的重疊，例如< 400nm的重疊、< 300nm的重疊或< 200nm的重疊。這些重疊和分辨率值可以與襯底尺寸和材料無關。在一實施例中，光刻設備具有很高的靈活性。在一實施例中，光刻設備可擴展至不同尺寸、類型和特性的襯底。在一實施例中，光刻設備具有實際上無限的場尺寸。因此，光刻設備可以用單個光刻設備或用使用大的公共的光刻設備平臺的多個光刻設備進行多個應用(例如，IC、平板顯示器、封裝等)。在一實施例中，光刻設備允許產(chǎn)生自動化作業(yè)，用于提供靈活的制造。在一個實施例中，光刻設備提供3D集成。在一實施例中，光刻設備是低成本的。在一實施例中，僅使用公共的現(xiàn)成的部件 (例如，輻射發(fā)射二極管、簡單的可移動的襯底保持器以及透鏡陣列)。在一個實施例中，像素-柵格成像用于使得簡單的投影光學裝置進行操作。在一實施例中，使用具有單個掃描方向的襯底保持器來降低成本和/或減小復雜性。圖1示意性地顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻投影設備100。設備100包括圖案形成裝置104、物體保持器106(例如物體臺，例如襯底臺)以及投影系統(tǒng)108。在一實施例中，圖案形成裝置104包括用于調制輻射的多個獨立可控元件102，用于施加圖案至束110。在一實施例中，可以相對于投影系統(tǒng)108固定多個獨立可控元件102的位置。然而，在可替代的實施例中，多個獨立可控元件102可以連接至定位裝置(未顯示)，用于根據(jù)特定的參數(shù)(例如相對于投影系統(tǒng)108)精確地定位它們中的一個或更多個。在一實施例中，圖案形成裝置104是自發(fā)射式對比裝置。這樣的圖案形成裝置 104消除了對輻射系統(tǒng)的需要，其可以例如減小光刻設備的成本和尺寸。例如，每一獨立可控元件102是發(fā)射輻射二極管，例如發(fā)光二極管(LED)、有機LED(OLED)、聚合物LED(PLED) 或激光二極管(例如固態(tài)激光二極管)。在一實施例中，每一獨立可控元件102是激光二極管。在一實施例中，每一獨立可控元件102是藍紫激光二極管(例如Sanyo型號 no. DL-3146-151)。這樣的二極管由諸如Sanyo，Nichia，Osram和Nitride等公司供應。在一實施例中，二極管發(fā)射具有約365nm或約405nm的波長的輻射。在一實施例中，二極管可以提供從0. 5-100mW的范圍選出的輸出功率。在一實施例中，激光二極管(裸管芯)的尺寸是從250-600微米的范圍選出的。在一實施例中，激光二極管具有從1-5微米的范圍選出的發(fā)射區(qū)域。在一實施例中，激光二極管具有從7-44度的范圍選出的發(fā)散角。在一實施例中，圖案形成裝置104具有約IX IO5個二極管，具有提供多于或等于約6. 4X IO8W/(m2. sr) 的總亮度的配置(例如發(fā)射區(qū)域、發(fā)散角、輸出功率等)。在一實施例中，自發(fā)射式對比裝置包括比如果另一獨立可控元件102不能操作或不能適當操作時所需要的允許使用的“多余”的獨立可控元件102更多的獨立可尋址元件 102。在一實施例中，多余的獨立可控元件可能有利地用在使用例如在下文關于圖5所討論的可移動的獨立可控元件102的實施例中。 在一實施例中，自發(fā)射式對比裝置中的獨立可控元件102在獨立可控元件102 (例如激光二極管)的功率/正向電流曲線的陡斜部分中被操作。這可能是更加有效率的且導致較少的功率損耗/熱量。在一實施例中，在使用時，每個獨立可控元件的光輸出是至少 lmW，例如至少10mW、至少25mW、至少50mW、至少IOOmW或至少200mW。在一實施例中，在使用時，每個獨立可控元件的光輸出是小于300mW，小于250mW，小于200mW，小于150mW，小于 100mW，小于50mW，小于25mW，或小于10mW。在一實施例中，在使用時每個可編程圖案形成裝置的用于操作獨立可控元件的功率損耗小于10kW，例如小于5kW，小于lkW，或小于0. 5kW。 在一實施例中，在使用時用于操作獨立可控元件的每一可編程圖案形成裝置的功率損耗是至少100W，例如至少300W，至少500W，或至少lkW。 光刻設備100包括物體保持器106。在本實施例中，物體保持器包括用于保持襯底 114(例如涂覆有抗蝕劑的硅晶片或玻璃襯底)的物體臺106。物體臺106可以是可移動的且連接至定位裝置116，用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底114。例如定位裝置116可以相對于投影系統(tǒng)108和/或圖案形成裝置104精確地定位襯底114。在一實施例中，可以用定位裝置116來實現(xiàn)物體臺106的移動，該定位裝置116包括未在圖1中具體示出的長行程模塊(粗定位)和可選的短行程模塊(精定位)。在一實施例中，所述設備至少沒有移動物體臺106的短行程模塊?？梢允褂妙愃频南到y(tǒng)定位獨立可控元件102。應當理解，束110 可以可替代地/另外地是可移動的，同時物體臺106和/或獨立可控元件102可以具有固定的位置，用于提供所需要的相對移動。這樣的布置可以幫助限制設備的尺寸。在可以例如用在平板顯示器的制造中的實施例中，物體臺106可以是靜止的，定位裝置116配置成相對于物體臺106(例如在其上)移動襯底114。例如，物體臺106可以設置有系統(tǒng)，用于以基本上恒定的速度掃描跨經(jīng)物體臺106的襯底114。在這被完成時，物體臺106可以在平坦的最上面的表面上設置有大量的開口，氣體被供給通過所述開口、以用于提供能夠支撐襯底114 的氣墊。這通常稱為氣體軸承布置。使用一個或更多的致動器(未顯示)在物體臺106上移動襯底114，所述致動器能夠相對于束110的路徑精確地定位襯底114?？商娲?，可以通過選擇性地開啟和停止穿過開口的氣體的通過，相對于物體臺106移動襯底114。在一實施例中，物體保持器106可以是滾軸系統(tǒng)，襯底在所述滾軸系統(tǒng)上滾動，定位裝置116可以是電機，用于轉動滾軸系統(tǒng)以提供襯底到物體臺106上。投影系統(tǒng)108 (例如石英和/或CaF2透鏡系統(tǒng)或包括由這樣的材料制成的透鏡元件的折射反射系統(tǒng)、或反射鏡系統(tǒng))可以用于將由獨立可控元件102調制的圖案化的束投影到襯底114的目標部分120(例如一個或更多的管芯)上。投影系統(tǒng)108可以投影成像由多個獨立可控元件102所提供的圖案，使得圖案一致地形成在襯底114上?？商娲?，投影系統(tǒng)108可以投影二次源的圖像，多個獨立可控元件102中的元件用作二次源的遮光件。在這方面，投影系統(tǒng)可以包括聚焦元件、或多個聚焦元件(下文統(tǒng)稱為透鏡陣列)，例如微透鏡陣列(已知為MLA)或菲涅耳透鏡陣列，例如用于形成二次源且使得光斑成像到襯底114上。在一實施例中，透鏡陣列(例如MLA)包括至少10個聚焦元件，例如至少100個聚焦元件，至少1000個聚焦元件，至少10000個聚焦元件，至少100000個聚焦元件或至少1000000個聚焦元件。在一實施例中，圖案形成裝置中的獨立可控元件的數(shù)量等于或大于透鏡陣列中的聚焦元件的數(shù)量。在一實施例中，透鏡陣列包括聚焦元件，該聚焦元件與獨立可控元件陣列中的一個或更多的獨立可控元件光學相關，例如僅與獨立可控元件陣列中的一個獨立可控元件光學相關，或與獨立可控元件陣列中的兩個或更多的獨立可控元件光學相關，例如3個或更多的、5個或更多的、10個或更多的、20個或更多的、25個或更多的、35個或更多的、或50個或更多的獨立可控元件光學相關；在一實施例中，聚焦元件與小于5000個的獨立可控元件光學相關，例如小于2500個，小于1000個，小于500個，或小于100個的獨立可控元件光學相關。在一實施例中，透鏡陣列包括多于一個的聚焦元件 (例如多于1000、大多數(shù)或約全部)，其與獨立可控元件陣列中的一個或更多的獨立可控元件光學相關。在一實施例中，例如通過使用一個或更多的致動器，透鏡陣列至少在到達襯底和遠離襯底的方向上是可移動的。能夠移動透鏡陣列至襯底和遠離襯底使得能夠例如進行焦點調整，且不必移動襯底。在一實施例中，透鏡陣列中的獨立透鏡元件(例如透鏡陣列中的每個獨立透鏡元件)至少沿至襯底和遠離襯底的方向是可移動的(例如在非平坦的襯底上進行局部焦點調整或使得每一光柱達到相同的焦距)。在一實施例中，在例如輻射的波長大于或等于約400nm (例如405nm)時，透鏡陣列包括塑料聚焦元件(其可以易于制造(例如通過注射模制)和/或是支付得起的)。在一實施例中，輻射的波長是從約400nm-500nm的范圍選出。在一實施例中，透鏡陣列包括石英聚焦元件。在一實施例中，每一個或多個聚焦元件可以是不對稱的透鏡。不對稱性可以對于多個聚焦元件中的每一個是相同的、或不對稱性對于多個聚焦元件中的一個或更多的聚焦元件是不同于多個聚焦元件中的一個或更多的不同的聚焦元件的。不對稱的透鏡可能便于將橢圓形輻射輸出轉換成圓形投影斑，反之亦然。在一實施例中，聚焦元件具有高數(shù)值孔徑(NA)，其被布置用于將輻射投影到焦點外的襯底上，以獲得對于所述系統(tǒng)是低的NA。NA較高的透鏡可以是更加經(jīng)濟的、流行的和
14/或具有比可利用的低NA透鏡更好的品質。在一實施例中，低NA小于或等于0. 3，在一實施例中低NA是0. 18,0. 15或更小。相應地，NA更高的透鏡具有比所述系統(tǒng)的設計NA更大的NA，例如大于0.3、大于0. 18或大于0. 15。雖然在一實施例中投影系統(tǒng)108與圖案形成裝置104是分離的，但是這不是必須的。投影系統(tǒng)108可以與圖案形成裝置108是一體的。例如，透鏡陣列塊或板可以連接至圖案形成裝置104(與其是一體的)。在一實施例中，透鏡陣列可以成獨立空間分離的小透鏡的形式，每一小透鏡連接至圖案形成裝置104中的獨立可尋址元件(與其是一體的)，如下文更加詳細描述的?？蛇x地，光刻設備可以包括供給輻射(例如紫外(UV)輻射)至多個獨立可控元件 102的輻射系統(tǒng)。如果圖案形成裝置自身是輻射源(例如激光二極管陣列或LED陣列)，那么可以設計光刻設備且沒有輻射系統(tǒng)，即沒有除了圖案形成裝置自身之外的輻射源，或至少是簡化的輻射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)包括照射系統(tǒng)(照射器)，所述照射系統(tǒng)配置用于接收來自輻射源的輻射。照射系統(tǒng)包括下述元件中的一個或更多個元件輻射傳遞系統(tǒng)(例如適合的定向反射鏡)、輻射調節(jié)裝置(例如擴束器)、用于設定所述輻射的角強度分布(通常，可以調整照射器的光瞳面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和 ο-內(nèi)部))的調整裝置、積分器和/或聚光器。照射系統(tǒng)可以用于調整輻射，該輻射可以提供至獨立可控元件102，用于在其橫截面中具有期望的均勻性和強度分布。照射系統(tǒng)可以布置成將輻射分成多個子束，所述子束可以例如每個與多個獨立可控元件中的一個或更多個相關。二維衍射光柵可以例如用于將輻射分成子束。在所述描述中，術語“輻射的束”和 “輻射束”包括但不限于束由多個這樣的輻射子束構成的情形。輻射系統(tǒng)還可以包括輻射源(例如準分子激光器)，用于產(chǎn)生供給至或通過多個獨立可控元件102的輻射。輻射源和光刻設備100可以是分立的實體，例如在輻射源是準分子激光器時。在這樣的情形下，不會將輻射源考慮成形成光刻設備100的一部分，且輻射從源傳遞至照射器。在其它情形下，輻射源可以是光刻設備100的組成部分，例如在源是汞燈時。應當理解，這兩種情形都被設計在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在一實施例中，輻射源可以是多個獨立可控元件102，在一實施例中輻射源可以提供波長為至少5nm，例如至少10nm，至少50nm，至少lOOnm，至少150nm，至少175nm，至少 200nm,至少250nm,至少275nm,至少300nm,至少325nm,至少350nm或至少360nm的輻射。 在一實施例中，輻射的波長為至多450nm，例如至多425nm，至多375nm，至多360nm，至多 325nm，至多275nm，至多250nm，至多225nm，至多200nm，或至多175nm。在一實施例中，輻射的波長包括 436nm，405nm, 365nm, 355nm, 248nm, 193nm, 157nm, 126nm,和 / 或 13. 5nm。在一實施例中，輻射包括約365nm或約355nm的波長。在一實施例中，輻射包括寬帶波長，例如包括365nm，405nm和436nm?？梢允褂?55歷激光源。在一實施例中，輻射具有的波長為約 405nmo在一實施例中，以在0和90°之間的角度、例如5和85°之間、15和75°之間、25 和65°之間或在35和55°之間的角度從照射系統(tǒng)將輻射引導到圖案形成裝置104。來自照射系統(tǒng)的輻射可以被直接提供至圖案形成裝置104。在可替代的實施例中，可以通過分束器(未顯示)將輻射從照射系統(tǒng)引導至圖案形成裝置104，該分束器配置成使得輻射最初被分束器反射且被引導至圖案形成裝置104。圖案形成裝置104調制所述束且將它反射返回至分束器，該分束器朝向襯底114傳輸被調制的束。然而，應當理解，可替代的布置可以用于將輻射引導至圖案形成裝置104且之后引導至襯底114。尤其是，如果使用透射式圖案形成裝置104(例如IXD陣列)或圖案形成裝置104是自發(fā)射式的(例如多個二極管)，那么可能不需要照射系統(tǒng)布置。在光刻設備100的操作中，在圖案形成裝置104不是輻射發(fā)射的(例如包括LED) 時，輻射從輻射系統(tǒng)(照射系統(tǒng)和/或輻射源)入射到圖案形成裝置104(例如多個獨立可控元件)上，且通過圖案形成裝置104進行調制。在已經(jīng)通過多個獨立可控元件102產(chǎn)生之后，圖案化的束110穿過投影系統(tǒng)108，該投影系統(tǒng)108將束110聚焦到襯底114的目標部分120上。在定位裝置116(和可選地在基架136上的位置傳感器134(例如接收干涉束138 的干涉測量裝置、線性編碼器或電容傳感器))的幫助下，可以精確地移動襯底114，例如以便在束110的路徑中定位不同的目標部分120。在使用時，用于多個獨立可控元件102的定位裝置可以用于相對于束110的路徑精確地校正多個獨立可控元件102的位置，例如在掃描期間。雖然根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備100在此處描述成用于曝光襯底上的抗蝕劑，但是應當理解，設備100可以用于投影圖案化的束110，用于用在無抗蝕劑的光刻術中。如此處所顯示的，光刻設備100是反射類型的(例如采用反射式獨立可控元件)。 可替代地，設備可以是透射類型的(例如采用透射式獨立可控元件)?？梢詫⑺鰧Ｓ迷O備100用于以下的一種或更多種模式中，例如1.在步進模式中，在將獨立可控元件102和襯底114保持為基本靜止的同時，將整個圖案化的輻射束110—次投影到目標部分120上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將襯底114沿X和/或Y方向移動，使得可以使得不同目標部分120曝光至圖案化的輻射束110 中。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分120 的尺寸。2.在掃描模式中，在對獨立可控元件102和襯底114同步地進行掃描的同時，將圖案化的輻射束110投影到目標部分120上(S卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底相對于獨立可控元件的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在脈沖模式中，獨立可控元件102保持為基本靜止，且使用(例如由脈沖輻射源或通過脈沖調制獨立可控元件所提供的)脈沖將整個圖案投影到襯底114的目標部分120 上。以基本上恒定的速度移動襯底114，使得圖案化的束110進行經(jīng)過襯底114的線掃描。 由獨立可控元件提供的圖案根據(jù)需要在脈沖之間進行更新，脈沖被時控、使得在襯底114 上的所需位置處曝光連續(xù)的目標部分120。因此，圖案化的束110橫過襯底114進行掃描， 以為襯底114的條帶曝光完整的圖案。重復所述過程，直到整個襯底114被逐行曝光為止。4.在連續(xù)掃描模式中，除了襯底114被相對于調制的輻射束B以基本上恒定的速度進行掃描且獨立可控元件陣列上的圖案在圖案化的束110橫過襯底114進行掃描且使得它曝光時進行更新之外，實質上與脈沖模式相同。可以使用基本上恒定的輻射源或脈沖輻
16射源，其被使得與獨立可控元件陣列上的圖案的更新同步。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2顯示用于與晶片(例如300mm的晶片)一起使用的根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂視圖。如圖2所示，光刻設備100包括保持晶片114的襯底臺106。定位裝置116與襯底臺106相關聯(lián)，用于在至少X方向上移動襯底臺106?？蛇x地，定位裝置 116可以在Y方向和/或Z方向上移動襯底臺106。定位裝置116還可以圍繞X、Y和/或 Z方向旋轉襯底臺106。因此，定位裝置116可以提供高達到6個自由度的運動。在一實施例中，襯底臺106僅提供在X方向上的運動，其優(yōu)點是成本較低和復雜性較低。在一實施例中，襯底臺106包括中繼光學裝置。光刻設備100還包括布置在框架160上的多個獨立可尋址元件102?？蚣?60可以與襯底臺106和其定位裝置116機械隔離。可以例如通過連接框架160至地面或與用于襯底臺106和/或其定位裝置116的框架分立的牢固的基架，來提供機械隔離。另外或可替代地，可以將阻尼器設置在框架160和該框架連接至其上的所述結構之間，不論所述結構是否是地面、牢固的基架或支撐襯底臺106和/或其定位裝置116的框架。在本實施例中，每一個獨立可尋址元件102是發(fā)射輻射的二極管，例如藍紫激光二極管。如圖2所示，可以將獨立可尋址元件102布置成沿著Y方向延伸的至少3個分立的獨立可尋址元件102的陣列。在一實施例中，獨立可尋址元件102的陣列與獨立可尋址元件102的相鄰的陣列在X方向上交錯。光刻設備100，尤其是獨立可尋址元件102可以布置成提供如此處更加詳細描述的像素-柵格成像。獨立可尋址元件102的陣列中的每一個可以是獨立光學引擎部件的一部分，為了便于復制其可以被制造成一個單元。另外，框架160可以配置成是可擴大的且可配置成易于采用任意數(shù)量的這樣的光學引擎部件。光學引擎部件可以包括獨立可尋址元件102的陣列和透鏡陣列170(參見例如圖8)的組合。例如，在圖2中顯示出3個光學引擎部件(在獨立可尋址元件102的每個各自的陣列下面具有相關的透鏡陣列170)。因此，在一實施例中，可以提供多個柱光學布置，且每個光學引擎形成柱。另外，光刻設備100包括對準傳感器150。對準傳感器用于在襯底114的曝光之前和/或期間確定獨立可尋址元件102和襯底114之間的對準。對準傳感器150的結果可以被光刻設備100中的控制器使用，用于例如控制定位襯底臺106的定位裝置116，來改善對準。此外或可替代地，控制器可以例如控制與獨立可尋址元件102相關的用于定位一個或更多的獨立可尋址元件102的定位裝置，來改善對準。在一實施例中，對準傳感器150可以包括執(zhí)行對準的圖案識別功能/軟件。此外或可替代地，光刻設備100包括水平傳感器150。水平傳感器150用于確定襯底106是否關于來自獨立可尋址元件102的圖案的投影是水平的。水平傳感器150可以在曝光襯底114之前和/或期間確定水平程度。水平傳感器150的結果可以被光刻設備 100中的控制器使用，例如控制定位襯底臺106的定位裝置116，來改善調平。此外或可替代地，控制器可以控制例如用于定位投影系統(tǒng)108(例如透鏡陣列)中的元件的、與投影系統(tǒng)108(例如透鏡陣列)相關的定位裝置，來改善調平。在一實施例中，可以通過投影超聲束到襯底106上對水平傳感器進行操作和/或通過將電磁輻射束投影到襯底106上對其進行操作。
在一實施例中，來自對準傳感器和/或水平傳感器的結果可以用于改變由獨立可尋址元件102所提供的圖案。圖案可以被改變用于校正例如變形，該變形可能由例如獨立可尋址元件102和襯底114之間的光學裝置(如果有的話)在襯底114的定位中的不規(guī)則性、襯底114的不平整度等引起。因此，來自對準傳感器和/或水平傳感器的結果可以用于改變投影的圖案，來實現(xiàn)非線性變形校正。非線性變形校正可能對于例如柔性顯示器是有利的，其可能不具有一致的線性或非線性變形。在光刻設備100的操作中，使用例如機器人處理器(未顯示)將襯底114裝載到襯底臺106上。之后，襯底114沿X方向在框架160和獨立可尋址元件102下面位移。襯底114被水平傳感器和/或對準傳感器150測量，且之后使用獨立可尋址元件102將襯底曝光至圖案。例如，襯底114被掃描通過投影系統(tǒng)108的焦平面(像平面)，同時子束并且因此圖像斑S (參見例如圖1 通過圖案形成裝置104被至少部分地ON或全部ON或OFF 地進行切換。對應于圖案形成裝置104中的圖案的特征形成在襯底114上。獨立可尋址元件102可以被操作，例如用于提供如此處所述的像素-柵格成像。在一實施例中，襯底114可以在正X方向上被完全掃描，且之后在負X方向上被完全掃描。在這樣的實施例中，在獨立可尋址元件102的相對側上的額外的水平傳感器和/ 或對準傳感器150對于負X方向掃描可能是需要的。圖3顯示用于在制造例如平板顯示器(例如IXD、OLED顯示器等)中曝光襯底的根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂視圖。如圖2中顯示的光刻設備100，光刻設備 100包括保持平板顯示器襯底114的襯底臺106、在高達6個自由度上移動襯底臺106的定位裝置116、確定獨立可尋址元件102和襯底114之間的對準的對準傳感器150、和水平傳感器150，所述水平傳感器50用于確定襯底114相對于來自獨立可尋址元件102的圖案的投影是否是平齊的。光刻設備100還包括布置在框架160上的多個獨立可尋址元件102。在這一實施例中，每個獨立可尋址元件102是發(fā)射輻射的二極管，例如藍紫激光二極管。如圖3所示， 獨立可尋址元件102被布置成在Y方向上延伸的大量的(例如至少8個)靜止的分離的獨立可尋址元件102的陣列。在一實施例中，陣列是基本上靜止的，即它們不會在投影期間顯著地移動。另外，在一實施例中，大量的獨立可尋址元件102的陣列與相鄰的獨立可尋址元件102的陣列以交替地方式在X方向上交錯。光刻設備100，尤其是獨立可尋址元件102可以被布置以提供像素-柵格成像。在光刻設備100的操作中，使用例如機器人處理器(未顯示)將平板顯示器襯底 114裝載到襯底臺106上。之后，襯底114沿X方向在框架160和獨立可尋址元件102下面位移。襯底114被水平傳感器和/或對準傳感器150測量，且之后使用獨立可尋址元件102 曝光至圖案。獨立可尋址元件102可以被操作，例如用于提供如此處所述的像素-柵格成像。圖4顯示用于輥對輥的柔性顯示器/電子裝置的根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設備的示意頂視圖。類似于圖3中顯示的光刻設備100，光刻設備100包括布置在框架160上的多個獨立可尋址元件102。在這一實施例中，每一獨立可尋址元件102是發(fā)射輻射的二極管， 例如藍紫激光二極管。另外，光刻設備包括確定獨立可尋址元件102和襯底114之間的對準的對準傳感器150和確定襯底114相對于來自獨立可尋址元件102的圖案的投影是否平齊的水平傳感器150。光刻設備還可以包括具有物體臺106的物體保持器，襯底114在物體臺106上移動。襯底114是柔性的且在連接至定位裝置116的滾軸上滾動，該定位裝置可以是轉動滾軸的電機。在一實施例中，襯底114可以另外或可替代地從連接至定位裝置116的滾軸滾動，該定位裝置可以是轉動滾軸的電機。在一實施例中，具有至少兩個滾軸，襯底從一個滾軸滾動，襯底在另一個滾軸上滾動。在一實施例中，如果例如襯底114在滾軸之間是足夠剛性的，那么不需要設置物體臺106。在這樣的情形中，將仍然具有物體保持器，例如一個或更多的滾軸。在一實施例中，光刻設備可以提供無載體襯底(例如無載體箔片(CLF))和/或輥對輥制造。在一實施例中，光刻設備可以提供片對片的制造。在光刻設備100的操作中，柔性襯底114在框架160和獨立可尋址元件102的下面沿X方向在滾軸上滾動和/或從滾軸滾動。襯底114被水平傳感器和/或對準傳感器150 測量，且之后使用獨立可尋址元件102曝光至圖案。獨立可尋址元件102可以被操作，例如提供如在此處所討論的像素-柵格成像。圖5顯示具有可移動獨立可尋址元件102的根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設備的示意頂視圖。類似于圖2中顯示的光刻設備100，光刻設備100包括保持襯底114的襯底臺106、 在高達6個自由度上移動襯底臺106的定位裝置116、確定獨立可尋址元件102和襯底114 之間的對準的對準傳感器150、和確定襯底114是否相對于來自獨立可尋址元件102的圖案的投影是否平齊的水平傳感器150。光刻設備100還包括布置在框架160上的多個獨立可尋址元件102。在這一實施例中，每一獨立可尋址元件102是發(fā)射輻射的二極管，例如激光二極管(諸如藍紫激光二極管)。如圖5所示，獨立可尋址元件102布置成沿著Y方向延伸的大量的分離的獨立可尋址元件102的陣列200。另外，在一實施例中，大量的獨立可尋址元件102的陣列200以交替的方式沿著X方向與獨立可尋址元件102的相鄰的陣列200交錯。光刻設備100，尤其是獨立可尋址元件102可以布置成提供像素-柵格成像。然而，在一實施例中，光刻設備100不需要提供像素-柵格成像。更確切地，光刻設備100可以以不形成用于投影到襯底上的單個像素、相反而是形成用于投影到襯底上的大致連續(xù)的圖像的方式將二極管的輻射投影到襯底上。在一實施例中，多個獨立可尋址元件102中的一個或更多個在曝光區(qū)域和曝光區(qū)域外的位置之間是可移動的，在曝光區(qū)域中一個或更多的獨立可尋址元件用于投影所有或一部分束110，在曝光區(qū)域外的位置中一個或更多的獨立可尋址元件不會投影任何束110。 在一實施例中，一個或更多的獨立可尋址元件102是輻射發(fā)射器件，其被開啟成ON或至少部分0N，即它們在曝光區(qū)域204中(圖5中的淡陰影區(qū)域中)發(fā)射輻射，以及被開啟成OFF， 即在位于曝光區(qū)域204的外部時它們不發(fā)射輻射。在一實施例中，一個或更多的獨立可尋址元件102是輻射發(fā)射器件，其可以在曝光區(qū)域204和曝光區(qū)域204的外部被開啟成ON。在這樣的情形下，如果例如輻射沒有通過一個或更多的獨立可尋址元件102適當?shù)赝队暗狡毓鈪^(qū)域204中，那么一個或更多的獨立可尋址元件102可以在曝光區(qū)域204的外部被開啟用于提供補償曝光。例如，參考圖5，與曝光區(qū)域204相對的陣列中的一個或更多的獨立可尋址元件102可以被開啟成0N，用于校正在曝光區(qū)域204中的失敗的或不適當?shù)妮椛渫队啊?br> 在一實施例中，曝光區(qū)域204是細長的線。在一實施例中，曝光區(qū)域204是一個或更多的獨立可尋址元件102的一維陣列。在一實施例中，曝光區(qū)域204是一個或更多的獨立可尋址元件102的二維陣列。在一實施例中，曝光區(qū)域204是細長的。在一實施例中，每個可移動的獨立可尋址元件102可以獨立地移動，不必一起作為一個單元。在一實施例中，一個或更多的獨立可尋址元件是可移動的，且在使用時至少在束 110的投影期間沿著橫向于束110的傳播方向的方向移動。例如，在一實施例中，一個或更多的獨立可尋址元件102是輻射發(fā)射器件，其在束110的投影期間沿著基本上垂直于束110 的傳播方向的方向移動。在一實施例中，每個陣列200是可橫向位移的板，該板具有沿著如圖6所示的板布置的多個空間上分立的獨立可尋址元件102。在使用中，每個板沿著方向208平移。在使用中，獨立可尋址元件102的運動被適當?shù)貢r控以位于曝光區(qū)域204中(顯示為圖6中的深陰影區(qū)域)，以便投影全部或一部分束110。例如，在一實施例中，一個或更多的獨立可尋址元件102是輻射發(fā)射器件，獨立可尋址元件102的開啟成ON或OFF的操作被時控，使得在它們在曝光區(qū)域204中時一個或更多的獨立可尋址元件102被開啟成0N，在它們在區(qū)域204外時被開啟成OFF。例如在圖6(A)中，多個輻射發(fā)射二極管200的二維陣列被沿著方向208平移，兩個陣列沿著正方向208，在兩個陣列之間的中間一個陣列沿著負方向208。 輻射發(fā)射二極管102的開啟成ON或OFF的操作被時控，使得每一陣列200中的特定的輻射發(fā)射二極管102在它們位于曝光區(qū)域204中時被開啟成0N，且在它們在區(qū)域204外時開啟成OFF。當然，陣列200可以在相反的方向上行進，即在例如陣列200到達它們行程的末端時，兩個陣列沿負方向208，兩個陣列之間的中間一個陣列沿正方向208。在另外的例子中， 在圖6(B)中，多個相互交織的輻射發(fā)射二極管200的一維陣列沿方向208平移，在正方向 208上和負方向208上交替。輻射發(fā)射二極管102的開啟成ON或OFF的操作被時控，使得每一陣列200中的特定輻射發(fā)射二極管102在它們位于曝光區(qū)域204中時被開啟成0N，且在它們位于區(qū)域204外時被開啟成OFF。當然，陣列200可以沿相反的方向行進。在另一例子中，在圖6(C)中，輻射發(fā)射二極管200的單個陣列(顯示為一維陣列，但這不是必須的) 被沿方向208平移。輻射發(fā)射二極管102的開啟成ON或OFF被時控，使得每一陣列200的特定輻射發(fā)射二極管102在它們位于曝光區(qū)域204中時被開啟成ON且在它們位于區(qū)域204 外時被開啟成OFF。在一實施例中，每一陣列200是可旋轉的板，該板具有圍繞板布置的多個空間上分離的獨立可尋址元件102。在使用中，每一板圍繞其自身的軸線206旋轉，例如在圖5中的箭頭所顯示的方向上。也就是，陣列200可以可替代地沿如圖5顯示的順時針和逆時針方向旋轉?？商娲?，每一陣列200可以沿順時針方向旋轉或沿逆時針方向旋轉。在一實施例中，陣列200旋轉整整一圈。在一實施例中，陣列200旋轉的弧度小于完整的一圈。在一實施例中，如果例如襯底沿著Z方向進行掃描，那么陣列200可以圍繞沿著X或Y方向延伸的軸線旋轉。在一實施例中，參考圖6(D)，陣列200中的獨立可尋址元件102可以布置在邊緣處，且沿著向外朝向襯底114的徑向方向投影。襯底114可以圍繞陣列200的側邊的至少一部分延伸。在這種情形中，陣列200圍繞沿著X方向延伸的軸線旋轉，且襯底114沿 X方向移動。
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在使用中，獨立可尋址元件102的運動被適當?shù)貢r控用于定位在曝光區(qū)域204中， 以便投影束110的全部或一部分。例如，在一實施例中，一個或更多的獨立可尋址元件102 是輻射發(fā)射器件，獨立可尋址元件102的開啟成ON或OFF被時控，使得一個或更多的獨立可尋址元件102在它們位于曝光區(qū)域204中時被開啟成ON且在它們位于區(qū)域204外時被開啟成OFF。因此，在一實施例中，輻射發(fā)射器件102可以在運動期間全都保持成0N，之后特定的輻射發(fā)射器件102在曝光區(qū)域204中被調整成OFF。在輻射發(fā)射器件102和襯底之間的且在曝光區(qū)域204外的適合的遮蔽可能是需要的，用于遮蔽曝光區(qū)域204防止輻射發(fā)射器件102在曝光區(qū)域204外被開啟成ON。使得輻射發(fā)射器件102 —致地成ON可以在使用期間便于使得輻射發(fā)射器件102位于基本上一致的溫度。在一實施例中，輻射發(fā)射器件 102可以在大部分時間保持成OFF，且在處于曝光區(qū)域204中時一個或更多的輻射發(fā)射器件 102被開啟成0N。在一實施例中，可旋轉板可以具有如圖7所示的配置。例如，在圖7㈧中，顯示了可旋轉板的示意頂視圖?？尚D板可以具有陣列200，該陣列200具有圍繞板布置的獨立可尋址元件102的多個子陣列210(與圖5中的可旋轉板相比，其示意性地顯示圍繞板布置的獨立可尋址元件102的單個陣列200)。在圖7(A)中，子陣列210顯示為彼此交錯，使得一個子陣列的獨立可尋址元件102在另一子陣列210的兩個獨立可尋址元件102之間。然而，子陣列210的獨立可尋址元件102可以彼此對準。獨立可尋址元件102可以獨立地或一起通過電機216圍繞軸線旋轉，在這一例子中，軸線沿著圖7(A)中的Z方向延伸通過電機216。電機216可以連接至可旋轉板且連接至框架(例如框架160)、或連接至框架(例如框架160)且連接至可旋轉板。在一實施例中，電機216(或例如，位于另外位置的某個電機)可能引起獨立可尋址元件102的另外的移動，不論是單獨地或一起地移動。例如，電機 216可以引起一個或更多的獨立可尋址元件102在X、Y和/或Z方向上的平移。另外或可替代地，電機216可能引起一個或更多的獨立可尋址元件102圍繞X和/或Y方向的旋轉 (即，艮和/或民運動)。在作為頂視圖的圖7(B)中示意性地顯示的可旋轉板的實施例中，可旋轉板可能在其中心區(qū)域具有開口 212，且獨立可尋址元件102的陣列200布置在開口 212外面的板上。因此，例如可旋轉板可以形成如圖7(B)所顯示的環(huán)形盤，且獨立可尋址元件102的陣列200圍繞盤布置。開口可以減小可旋轉板的重量，和/或便于冷卻獨立可尋址元件102。在一實施例中，可以使用支撐件204在外周邊處支撐可旋轉板。支撐件214可以是軸承，例如滾軸軸承或氣體軸承。旋轉(和/或其它運動，例如沿著x、Y和/或Z方向的平移和/或民運動和/或民運動)可以通過如圖7 (A)所顯示的電機216來提供。另外地或可替代地，支撐件214可以包括使得獨立可尋址元件102圍繞軸線A旋轉(和/或提供其它移動，例如沿著X、Y和/或Z方向的平移和/或民運動和/或Ry運動)的電機。在一實施例中，參考圖7 (D)和7 (E)，具有獨立可尋址元件102的陣列200的可旋轉板可以連接至可旋轉結構218?？尚D結構218可以通過電機220圍繞軸線B旋轉。另外，可旋轉板可以通過電機216相對于可旋轉結構218旋轉，電機216使得可旋轉板圍繞軸線A旋轉。在一實施例中，旋轉軸線A和B不會重合，因此軸線如圖7(D)和7(E)中顯示的在空間上是分離的。在一實施例中，旋轉軸線A和B基本上彼此平行。在曝光期間的使用中，可旋轉結構218和可旋轉板旋轉。旋轉可以被協(xié)調，使得在曝光區(qū)域204中的獨立可尋址元件102可以沿著大致直線對準。這可以與例如圖5的實施例相比較，其中曝光區(qū)域204 中的獨立可尋址元件102可以不被沿著大致直線對準。在具有如上文所述的可移動的獨立可尋址元件的情況下，在需要時可以通過移動獨立可尋址元件到曝光區(qū)域204中來減少獨立可尋址元件的數(shù)量。因此，可以減小熱負載。在一實施例中，可以提供比理論上所需要的(例如在可旋轉板上)的更多的可移動的獨立可尋址元件。這一布置的可能的優(yōu)點是如果一個或更多的可移動的獨立可尋址元件破裂或不能操作，替代地可以使用一個或更多的其它可移動的獨立可尋址元件。另外或可替代地，額外的可移動的獨立可尋址元件可以具有控制獨立可尋址元件上的熱負載的優(yōu)點，這是因為可移動的獨立可尋址元件越多，冷卻曝光區(qū)域204外的可移動的獨立可尋址元件的機會就越大。在一實施例中，可移動的獨立可尋址元件102被內(nèi)嵌到具有低熱導率的材料中。 例如，材料可以是陶瓷的，例如堇青石或基于堇青石的陶瓷和/或微晶玻璃Gerodur)陶瓷。在一實施例中，可移動的獨立可尋址元件102內(nèi)嵌在具有高熱導率的材料中，諸如金屬，例如相對輕質的金屬，例如鋁或鈦。在一實施例中，陣列200可以包括溫度控制布置。例如，參考圖7 (F)，陣列200可以具有流體(例如液體)引導通道222，用于傳輸冷卻流體到陣列200上、到陣列200附近或通過陣列200來冷卻陣列。通道222可以連接至適合的熱交換器和泵228，以使得流體通過通道循環(huán)。在通道222與熱交換器和泵2 之間連接的供給裝置2M和返回裝置2 可以便于流體的循環(huán)和溫度控制。傳感器234可以設置在陣列中、陣列上或陣列附近，以測量陣列200的參數(shù)，所得測量結果可以用于控制由熱交換器和泵提供的流體流的溫度。在一實施例中，傳感器234可以測量陣列200的主體的膨脹和/或收縮，所得測量結果可以用于控制由熱交換器和泵所提供的流體流的溫度。這樣的膨脹和/或收縮可以是溫度的代表。 在一實施例中，傳感器234可以與陣列200集成(如由成點的形式的傳感器234所顯示的) 和/或可以與陣列200是分立的(如由成盒形式的傳感器234所顯示的)。與陣列200分立的傳感器2；34可以是光學傳感器。在一實施例中，參考圖7(G)，陣列200可以具有一個或更多的散熱片230，用于增加散熱的表面積。散熱片230可以例如是位于陣列200的頂表面上和/或在陣列200的側表面上?？蛇x地，一個或更多的另外的散熱片232可以被提供用于與散熱片230配合，以便于散熱。例如，散熱片232能夠從散熱片230吸收熱量，且可以包括流體(例如液體)引導通道和類似于如在圖7(F)中顯示的和關于其所描述的相關的熱交換器/泵。在一實施例中，參考圖7 (H)，陣列200可以位于流體限制結構236處或附近，該流體限制結構236配置成保持流體238與陣列200的主體接觸以便于通過流體進行散熱。在一實施例中，流體238可以是液體，例如水。在一實施例中，流體限制結構236提供它和陣列200的主體之間的密封。在一實施例中，密封可以是例如通過氣流或毛細作用力所提供的無接觸密封。在一實施例中，類似于如關于流體引導通道222所討論的，流體238被循環(huán)以促進散熱。可以通過流體供給裝置240提供流體238。在一實施例中，參考圖7 (H)，陣列200可以位于流體供給裝置240處或附近，該流體供給裝置240配置成朝向陣列200的主體投射流體238，以便于通過流體進行散熱。在一實施例中，流體238是氣體，例如清潔的干燥氣體，N2、惰性氣體等。雖然流體限制結構236和流體供給裝置240在圖7(H)中顯示在一起，但是它們不必設置在一起。在一實施例中，陣列200的主體是大致實心的結構，且具有例如用于流體引導通道222的腔。在一實施例中，陣列200的主體是大部分敞開的大致框架狀結構，且各種部件 (例如獨立可尋址元件102、流體引導通道222等)連接至該大致框架狀結構。這一敞開狀的結構便于氣體流動和/或增加表面積。在一實施例中，陣列200的主體是具有多個進入或通過所述主體的腔的大致實心結構，以便于氣體流動和/或增加表面積。雖然在上文描述了提供冷卻的實施例，但是實施例可替代或另外可以提供加熱。在一實施例中，在曝光使用期間陣列200期望保持在大致恒定的穩(wěn)態(tài)溫度。因此， 例如陣列200中的所有或許多獨立可尋址元件102可以在曝光之前被通電以達到期望的穩(wěn)態(tài)溫度或在其附近，且在曝光期間任意一個或更多的溫度控制布置可以用于冷卻和/或加熱陣列200，以保持穩(wěn)態(tài)溫度。在一實施例中，任意一個或更多的溫度控制布置可以用于在曝光之前加熱陣列200，以達到期望的穩(wěn)態(tài)溫度或在其附近。之后，在曝光期間，任意一個或更多的溫度控制布置可以用于冷卻和/或加熱陣列200，以保持穩(wěn)態(tài)溫度。來自傳感器234 的測量結果可以以前饋和/或反饋的方式使用，以保持穩(wěn)態(tài)溫度。在一實施例中，多個陣列 200中的每一個可以具有相同的穩(wěn)態(tài)溫度，或多個陣列200中的一個或更多的陣列200可以具有不同于多個陣列200中的一個或更多的其它的陣列200的穩(wěn)態(tài)溫度。在一實施例中， 陣列200被加熱至比期望的穩(wěn)態(tài)溫度高的溫度，且之后由于任意一個或更多的溫度控制布置所施加的冷卻和/或因為獨立可尋址元件102的使用不足以保持比期望的穩(wěn)態(tài)溫度高的溫度而在曝光期間降低。在一實施例中，為了改善熱控制和整體冷卻，陣列200的主體的數(shù)量被沿著和/或跨經(jīng)曝光區(qū)域增加。因此，例如替代圖5中顯示的四個陣列200，可以設置5個、6個、7個、 8個、9個、10個或更多的陣列200?？梢栽O置更少的陣列，例如一個陣列200，諸如覆蓋襯底的全部寬度的單個大陣列。在一實施例中，如在此處描述的透鏡陣列與可移動的獨立可尋址元件是相關聯(lián)的或是一體的。例如，透鏡陣列板可以連接至每個可移動陣列200，且因此與獨立可尋址元件 102 —起是可移動的(例如可旋轉的)。如上文所述，透鏡陣列板可以是相對于獨立可尋址元件102(例如沿著Z方向)是可位移的。在一實施例中，可以為陣列200設置多個透鏡陣列板，每一透鏡陣列板與多個獨立可尋址元件102的不同的子組相關聯(lián)。在一實施例中，參考圖7 (I)，單個分立的透鏡242可以連接在每個獨立可尋址元件102的前面，且與獨立可尋址元件102是可移動的(例如圍繞軸線A是可旋轉的)。另外，通過使用致動器244，透鏡242可以是關于獨立可尋址元件102 (例如沿著Z方向)是可位移的。在一實施例中，參考圖7 (J)，獨立可尋址元件102和透鏡242可以通過致動器244 相對于陣列200的主體246 —起被位移。在一實施例中，致動器244配置成(即關于獨立可尋址元件102或與獨立可尋址元件102 —起)沿著Z方向僅位移透鏡M2。在一實施例中，致動器244配置成在高達3個自由度上(Z方向、圍繞X方向的旋轉和/或圍繞Y方向的旋轉)位移透鏡對2。在一實施例中，致動器244配置成在高達6個自由度上位移透鏡對2。在透鏡242相對于其獨立可尋址元件102是可移動時，通過致動器 244移動透鏡M2以改變透鏡242相對于襯底的焦點位置。在透鏡242與其獨立可尋址元件102 —起移動時，透鏡242的焦點位置是大致恒定的，但是關于襯底被位移。在一實施例中，透鏡M2的移動對于與陣列200中的每個獨立可尋址元件102相關的每一透鏡242被獨立控制。在一實施例中，多個透鏡M2的子組相對于它們的多個獨立可尋址元件102的相關子組一起移動，或與它們一起移動。在后一情形下，為了較低的數(shù)據(jù)管理費用和/或較快的響應，可能是以犧牲精細的焦點控制為代價的。在一實施例中，由獨立可尋址元件102 所提供的輻射斑的尺寸可以通過離焦進行調整，即離焦越大，輻射斑的尺寸越大。在一實施例中，參考圖7 (K)，在其中具有孔闌的孔闌結構248可以位于透鏡242的下面。在一實施例中，孔闌結構248可以位于在透鏡242上方，且在透鏡242和相關的獨立可尋址元件102之間?？钻@結構248可能限制了透鏡對2、相關的獨立可尋址元件102和/ 或相鄰的透鏡M2/獨立可尋址元件102的衍射作用。在一實施例中，獨立可尋址元件102可以是輻射發(fā)射器件，例如激光二極管。這樣的輻射發(fā)射器件可以具有高的空間相干性且因此可能顯示出散斑問題。為了避免這樣的散斑問題，應當通過相對于一束部分位移另一束部分的相位來擾亂由輻射發(fā)射器件發(fā)射的輻射。在一實施例中，參考圖7 (L)和7(M)，板250可以位于例如框架160上，且獨立可尋址元件102相對于板250移動。在獨立可尋址元件102相對于板250且在板250上移動時，板 250引起了通過獨立可尋址元件102朝向襯底發(fā)射的輻射的空間相干性的中斷。在一實施例中，在獨立可尋址元件102相對于板250和在板250上移動時，板250位于透鏡242和其相關的獨立可尋址元件102之間。在一實施例中，板250可以位于透鏡242和襯底之間。在一實施例中，參考圖7 (N)，空間相干性中斷裝置252可以位于襯底和至少獨立可尋址元件102之間，該獨立可尋址元件102將輻射投影到曝光區(qū)域上。在一實施例中，空間相干性中斷裝置252位于獨立可尋址元件102和透鏡242之間，且可以連接至主體M6。 在一實施例中，空間相干性中斷裝置252是相位調制器、振動板或旋轉板。在獨立可尋址元件102將朝向襯底投影輻射時，空間相干性中斷裝置252使得中斷由獨立可尋址元件102 發(fā)射的輻射的空間相干性。在一實施例中，透鏡陣列(是否是一起作為一個單元或作為獨立的透鏡)(期望地經(jīng)由高熱導率材料)連接至陣列200，以便于在提供更加有利的冷卻時，將熱量從透鏡陣列傳導至陣列200。在一實施例中，陣列200包括一個或更多的焦點或水平傳感器254，類似于水平傳感器150。例如，傳感器2M可以配置成測量陣列200中的每一個獨立可尋址元件102或陣列200的多個獨立可尋址元件102的焦點。因此，如果檢測到離焦狀態(tài)，那么可以對于陣列200中的每個獨立可尋址元件102或對于陣列200中的多個獨立可尋址元件102校正焦點。焦點可以通過例如沿著Z方向(和/或圍繞X軸線和/或圍繞Y軸線)移動透鏡對2 來進行校正。在一實施例中，傳感器2M與獨立可尋址元件102是一體的(或可以與陣列200中的多個獨立可尋址元件102是一體的)。參考圖7(0)，示意性地顯示示例性的傳感器254。 焦點檢測束256被改向(例如反射)遠離襯底表面，穿過透鏡M2，且被半鍍銀反射鏡258 引導朝向檢測器262。在一實施例中，焦點檢測束256可以是用于曝光的輻射，該輻射剛好是從襯底被引導改向的。在一實施例中，焦點檢測束256可以是在襯底處被引導的專門的束，其在被襯底改向時變成束256。在束256撞擊到檢測器262上之前，刀邊緣260 (其可以是孔闌)位于束256的路徑中。在這一例子中，檢測器262包括通過分開檢測器262在圖7(0)中顯示的至少兩個輻射敏感部分(例如區(qū)域或檢測器)。在襯底在焦點上時，在邊緣260處形成清晰圖像，因此檢測器沈2的輻射敏感部分接收相等量的輻射。在襯底未在焦點上時，束256移位，圖像將形成在邊緣260的前面或后面。因此，邊緣260將截取束256 的特定部分，檢測器262的一個輻射敏感部分將接收比檢測器沈2的另一輻射敏感部分更小量的輻射。來自檢測器262的輻射敏感部分的輸出信號的比較使得能夠得到被改向的束 256與所期望的位置不同的量、被改向的束256與所期望的位置不同時所處的方向、以及被改向的束256與所期望的位置不同時襯底的平面。信號可以被電子處理以提供控制信號， 例如通過該控制信號可以對透鏡242進行調整。反射鏡258、邊緣260和檢測器262可以安裝至陣列200。在一實施例中，檢測器262可以是四邊形單元。在一實施例中，可以提供400個獨立可尋址元件102，且(在任一時刻)133個進行工作。在一實施例中，可以設置有600-1200個工作的獨立可尋址元件102，且可選地具有額外的獨立可尋址元件102，例如用作預留和/或用于校正曝光(如例如上文所述的)。工作的獨立可尋址元件102的數(shù)量可能例如依賴于抗蝕劑，其需要用于形成圖案的輻射的特定劑量。在獨立可尋址元件102是可旋轉的(如獨立可尋址元件10 情況下，獨立可尋址元件102可以在6Hz的頻率進行旋轉，且具有1200個工作的獨立可尋址元件102。如果具有較少獨立可尋址元件102，可以在較高的頻率下旋轉獨立可尋址元件102 ；如果具有更多的獨立可尋址元件102，可以在較低的頻率旋轉獨立可尋址元件102。在一實施例中，與獨立可尋址元件102的陣列相比，可以使用可移動的獨立可尋址元件102減小獨立可尋址元件102的數(shù)量。例如，可以(在任一時刻)提供600-1200個工作的獨立可尋址元件102。另外，減小的數(shù)量可以產(chǎn)生基本上與獨立可尋址元件102的陣列相類似的結果，但是具有一個或更多的優(yōu)點。例如，對于使用紫藍二極管陣列的充分的曝光能力，可能需要100000個紫藍二極管的陣列，例如布置成200個二極管X500個二極管。 在IOkHz的頻率操作時，每個激光二極管的光功率將是0. 33mW。每一激光二極管的電功率將是150mW = 35mAX 4. IV。因此，對于所述陣列，電功率將是15kW。在使用可移動的獨立可尋址元件的實施例中，可以提供400個紫藍二極管，具有133個進行工作。在9Mhz的頻率下操作時，每一激光二極管的光功率將是250mW。每一激光二極管的電功率將是IOOOmW = 240mAX4. 2V。因此，對于所述陣列，電功率將是133W。因此，可移動的獨立可尋址元件布置中的二極管可以在如例如在圖7 (P)中顯示的光輸出功率對正向電流曲線O40mA v. 35mA) 中的陡峭部分中進行操作，從而產(chǎn)生了每一二極管的高輸出功率O50mW v.0.33mW)，但是具有對于多個獨立可尋址元件(133W v. 15kff)的低電功率。因此，二極管可以更加有效地使用且導致減小的功率損耗和/或熱量。因此，在一實施例中，二極管在功率/正向電流曲線的陡峭部分中進行操作。在功率/正向電流曲線的非陡峭部分中進行操作可能導致輻射的不相干性。在一實施例中，二極管在大于5mW的光功率下但是小于或等于20mW，或小于或等于30mW，或小于或等于40mW 的情況下進行操作。在一實施例中，二極管沒有在大于300mW的光功率下進行操作。在一實施例中，二極管被以單一的模式進行操作，而不是以多種模式進行操作。陣列200上的獨立可尋址元件102的數(shù)量可能依賴于，特別是依賴于(且如另外在上文所指出的程度)陣列200將要覆蓋的曝光區(qū)域的長度、在曝光期間陣列移動的速度、 斑的尺寸(即從獨立可尋址元件102投影到襯底上的斑的橫截面尺寸，例如寬度/直徑)、每一獨立可尋址元件應當提供的期望的強度(例如是否期望對于多于一個的獨立可尋址元件上方的襯底上的斑展開期望的劑量，以避免對襯底或襯底上的抗蝕劑的損害)、襯底的期望的掃描速度、成本考慮、獨立可尋址元件可以被開啟成ON或OFF的頻率、以及對于多余的獨立可尋址元件102的期望(如之前討論的；例如用于校正曝光或作為預留，例如如果一個或更多的獨立可尋址元件故障)。在一實施例中，陣列200包括至少100個獨立可尋址元件102，例如至少200個獨立可尋址元件，至少400個獨立可尋址元件，至少600個獨立可尋址元件，至少1000個獨立可尋址元件，至少1500個獨立可尋址元件，至少2500個獨立可尋址元件，或至少5000個獨立可尋址元件。在一實施例中，陣列200包括小于50000個獨立可尋址元件102，例如小于25000個獨立可尋址元件，小于15000個獨立可尋址元件，小于10000個獨立可尋址元件，小于7500個獨立可尋址元件，小于5000個獨立可尋址元件， 小于2500個獨立可尋址元件，小于1200個獨立可尋址元件，小于600個獨立可尋址元件， 或小于300個獨立可尋址元件。在一實施例中，陣列200每IOcm曝光區(qū)域長度包括(即，對于IOcm的曝光區(qū)域長度使得陣列中的獨立可尋址元件的數(shù)量標準化)至少100個獨立可尋址元件102，例如至少200個獨立可尋址元件，至少400個獨立可尋址元件，至少600個獨立可尋址元件，至少1000個獨立可尋址元件，至少1500個獨立可尋址元件，至少2500個獨立可尋址元件，或至少5000個獨立可尋址元件。在一實施例中，陣列200每IOcm曝光區(qū)域長度包括(即對于IOcm的曝光區(qū)域長度使得陣列中的獨立可尋址元件的數(shù)量標準化)小于50000個獨立可尋址元件102，例如小于25000個獨立可尋址元件，小于15000個獨立可尋址元件，小于 10000個獨立可尋址元件，小于7500個獨立可尋址元件，小于5000個獨立可尋址元件，小于2500個獨立可尋址元件，小于1200個獨立可尋址元件，小于600個獨立可尋址元件，或小于300個獨立可尋址元件。在一實施例中，陣列200包括小于75%的多余的獨立可尋址元件102，例如67% 或更少，50 %或更少，約33 %或更少，25 %或更少，20 %或更少，10 %或更少，或5 %或更少。 在一實施例中，陣列200包括至少5%的多余的獨立可尋址元件102，例如至少10%，至少 25 %，至少33 %，至少50 %，或至少65 %。在一實施例中，陣列包括約67 %的多余的獨立可尋址元件。在一實施例中，襯底上的獨立可尋址元件的斑的尺寸是10微米或更少，5微米或更少，例如3微米或更少，2微米或更少，1微米或更少，0. 5微米或更少，0. 3微米或更少，或約0. 1微米。在一實施例中，襯底上的獨立可尋址元件的斑的尺寸是0. 1微米或更大，0. 2 微米或更大，0. 3微米或更大，0. 5微米或更大，0. 7微米或更大，1微米或更大，1. 5微米或更大，2微米或更大，或5微米或更大。在一實施例中，斑的尺寸是約0.1微米。在一實施例中，斑的尺寸是約0.5微米。在一實施例中，斑的尺寸是約1微米。在操作光刻設備100時，襯底114被使用例如機器人處理器(未顯示)裝載到襯底臺106上。之后襯底114在框架160和獨立可尋址元件102的下面沿著X方向位移。襯底 114通過水平傳感器和/或對準傳感器150進行測量，且之后使用獨立可尋址元件102曝光至圖案，如上文所述。獨立可尋址元件102可以被操作，例如提供如此處所討論的像素-柵格成像。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設備的示意側視圖。如圖8所示，光刻設備100包括圖案形成裝置104和投影系統(tǒng)108。投影系統(tǒng)108包括兩個透鏡176、172。第一透鏡176被布置成接收來自圖案形成裝置104的調制輻射束110，且聚焦它通過孔徑光闌174中的對比孔闌。另外的透鏡(未顯示)可以位于孔闌中。之后輻射束110發(fā)散，且被第二透鏡172 (例如場透鏡)聚焦。投影系統(tǒng)108還包括布置成接收調制輻射束110的透鏡陣列170。與圖案形成裝置104中的一個或更多的獨立可控元件相對應的調制輻射束110的不同部分穿過透鏡陣列 170中的各自不同的透鏡。每一透鏡將調制的輻射束110的各自部分聚焦至位于襯底114 上的點上。這樣，輻射斑S(參見圖1 的陣列被曝光至襯底114上。應當理解，雖然僅顯示出所示出的透鏡陣列170中的5個透鏡，但是透鏡陣列可以包括數(shù)百個或數(shù)千個透鏡(這同樣適用于用作圖案形成裝置104的獨立可控元件)。如圖8所示，在襯底114和透鏡陣列170之間設置自由工作距離FWD。這一距離允許襯底114和/或透鏡陣列170移動，從而允許例如焦點校正。在一實施例中，自由工作距離在l_3mm的范圍內(nèi)，例如約1. 4mm。圖案形成裝置104的獨立可尋址元件布置在節(jié)距 P處，其導致在襯底114處的成像斑的相關節(jié)距P。在一實施例中，透鏡陣列170可以提供 0. 15或0. 18的NA。在一實施例中，成像斑的尺寸是約1.6μπι。在這一實施例中，投影系統(tǒng)108可以是1 1投影系統(tǒng)，其中襯底114上的圖像斑的陣列間距與圖案形成裝置104的像素的陣列間距是相同的。為了提供改善的分辨率，圖像斑可以遠小于圖案形成裝置104的像素。圖9顯示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意側視圖。在這一實施例中，除了透鏡陣列170之外，在圖案形成裝置104和襯底114之間沒有光學裝置。圖9中的光刻設備100包括圖案形成裝置104和投影系統(tǒng)108。在這種情形下，投影系統(tǒng)108僅包括布置成接收調制的輻射束110的透鏡陣列170。與圖案形成裝置104中的一個或更多的獨立可控元件相對應的調制輻射束110的不同部分穿過透鏡陣列170中的各自的不同的透鏡。每一透鏡將調制的輻射束110的各自的部分聚焦到位于襯底114上的點上。這樣，輻射斑S(參見圖1 的陣列被曝光至襯底114上。應當理解，雖然僅顯示出所顯示的透鏡陣列170中的5個透鏡，但是透鏡陣列可以包括數(shù)百或數(shù)千個透鏡(這同樣適用于用作圖案形成裝置104的獨立可控元件)。如圖8，在襯底114和透鏡陣列170之間設置了自由工作距離FWD。這一距離允許襯底114和/或透鏡陣列170移動，以允許例如進行焦點校正。圖案形成裝置104的獨立可尋址元件布置在節(jié)距P處，其導致了在襯底114處的成像斑的相關節(jié)距P。在一實施例中，透鏡陣列170可以提供0. 15的NA。在一實施例中，成像斑的尺寸是約1.6μπι。圖10顯示使用關于圖5在上文描述的可移動的獨立可尋址元件102的根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設備的示意側視圖。在這一實施例中，除了透鏡陣列170之外，在圖案形成裝置104和襯底114之間沒有其它光學裝置。圖10中的光刻設備100包括圖案形成裝置104和投影系統(tǒng)108。在這種情形下， 投影系統(tǒng)108僅包括布置成接收調制的輻射束110的透鏡陣列170。與在圖案形成裝置104 中的一個或更多的獨立可控元件相對應的調制輻射束110的不同部分穿過透鏡陣列170中的各自的不同的透鏡。每一透鏡將調制的輻射束110的各自的部分聚焦到位于襯底114上的點上。這樣，輻射斑S(參見圖1 的陣列被曝光至襯底114上。應當理解，雖然僅顯示出所顯示的透鏡陣列170中的5個透鏡，但是透鏡陣列可以包括數(shù)百或數(shù)千個透鏡(這同樣適用于用作圖案形成裝置104的獨立可控元件)。與圖8中相類似，在襯底114和透鏡陣列170之間設置了自由工作距離FWD。這一距離允許襯底114和/或透鏡陣列170移動，以允許例如進行焦點校正。圖案形成裝置104 的獨立可尋址元件布置在節(jié)距P處，其導致了在襯底114處的成像斑的相關節(jié)距P。在一實施例中，透鏡陣列170可以提供0. 15的NA。在一實施例中，成像斑的尺寸是約1.6μπι。圖11顯示多個獨立可尋址元件102，具體地是6個獨立可尋址元件102。在這一實施例中，每個獨立可尋址元件102是輻射發(fā)射二極管，例如藍紫激光二極管。每一輻射發(fā)射二極管橋接兩條電線，以供給電流至輻射發(fā)射二極管以控制二極管。因此，二極管形成可尋址柵格。兩條電線之間的寬度是約250 μ m，輻射發(fā)射二極管具有約500 μ m的節(jié)距。圖12示意性地顯示襯底114上的圖案是如何產(chǎn)生的。被填充的圓圈表示通過投影系統(tǒng)108中的透鏡陣列MLA投影到襯底114上的斑S的陣列。在襯底上進行一系列曝光時，襯底114被相對于投影系統(tǒng)108在X方向上移動?？瞻讏A圈表示之前已經(jīng)在襯底上被曝光的斑曝光SE。如圖所示，通過投影系統(tǒng)108中的透鏡陣列170投影到襯底114上的每一斑在襯底114上曝光一排R的斑曝光。通過被每一斑S曝光的所有排R的斑曝光SE的總和產(chǎn)生襯底114的完整的圖案。這樣的布置通常稱為“像素-柵格成像”。應當理解，圖 12是示意性的附圖且斑S實際上可能重疊?？梢姡椛浒逽的陣列被以相對于襯底114的角度α布置(襯底114的邊緣位于平行于X和Y方向)。這被完成使得在襯底114被沿著掃描方向(X方向)移動時，每一輻射斑將穿過襯底的不同的區(qū)域，從而允許整個襯底被輻射斑S的陣列覆蓋。在一實施例中， 角度α是至多20°，10°，例如至多5°，至多3°，至多1°，至多0.5°，至多0.25°，至多0.10°，至多0.05°，或至多0.01°。在一實施例中，角度α是至少0. 0001°，例如至少0.001°。根據(jù)在垂直于掃描方向的方向上的陣列間距和圖像斑尺寸確定在掃描方向上的陣列的寬度和傾斜角α，用于確保襯底114的整個表面積被尋址。圖13示意性地顯示如何通過使用多個光學引擎在單個掃描中曝光整個襯底114， 每個光學引擎包括一個或更多的獨立可尋址元件。通過8個光學引擎來產(chǎn)生輻射斑S (未顯示)的8個陣列SA，該8個光學引擎布置成在“棋盤板”上的兩個排R1、R2，或交錯配置， 使得輻射斑S的一個陣列的邊緣與輻射斑S的相鄰陣列的邊緣略微重疊。在一實施例中， 光學引擎布置成至少3個排，例如4個排或5個排。這樣，輻射帶延伸跨過襯底W的寬度， 從而允許在單一掃描中進行對整個襯底的曝光。這樣的“全寬度”單次通過曝光幫助避免連接兩次或更多次通過過程的可能的縫合問題，且還可以減小機器印跡，因為襯底可能不需要在橫向于襯底通過方向的方向上被移動。應當理解，可以使用任何適合數(shù)量的光學引擎。在一實施例中，光學引擎的數(shù)量是至少1，例如至少2，至少4，至少8，至少10，至少12， 至少14，或至少17。在一實施例中，光學引擎的數(shù)量是小于40，例如小于30或小于20。每一光學引擎可以包括分立的圖案形成裝置104和可選的如上文所述的分立的投影系統(tǒng)108 和/或輻射系統(tǒng)。然而應當理解，兩個或更多的光學引擎可能共有一個或更多的輻射系統(tǒng)、 圖案形成裝置104、和/或投影系統(tǒng)108中的至少一部分。在此處描述的實施例中，提供用于控制獨立可尋址元件的控制器。例如，在獨立可尋址元件是輻射發(fā)射器件的例子中，在獨立可尋址元件被開啟成ON或OFF時控制器可以控制和獲得對獨立可尋址元件的高頻調制。控制器可以控制由一個或更多的獨立可尋址元件發(fā)射的輻射的功率?？刂破骺梢哉{制通過一個或更多的獨立可尋址元件發(fā)射的輻射的強度?？刂破骺梢钥刂?調整經(jīng)過獨立可尋址元件的陣列的所有或一部分的強度均勻性?？刂破骺梢哉{整獨立可尋址元件的輻射輸出，以對成像誤差(例如集光率和光學像差(例如彗差、散光等))進行校正。在光刻術中，可以通過選擇性地將襯底上的抗蝕劑層曝光至輻射(例如通過曝光抗蝕劑層至圖案化的輻射)，而在襯底上產(chǎn)生期望的特征。接收特定的最小輻射劑量(“劑量閾值”)的抗蝕劑區(qū)域經(jīng)歷化學反應，而其它區(qū)域保持不變。由此產(chǎn)生的抗蝕劑層中的化學差別允許顯影抗蝕劑，即選擇性移除已經(jīng)接收至少最小劑量的區(qū)域或移除沒有接收最小劑量的區(qū)域。結果，一部分襯底仍然被抗蝕劑保護，而移除了抗蝕劑的襯底的區(qū)域被曝光， 從而允許例如額外的處理步驟，例如選擇性蝕刻襯底、選擇性金屬沉積等，由此產(chǎn)生期望的特征。可以通過在圖案形成裝置中設定獨立可控元件來實現(xiàn)輻射的圖案化，使得被傳輸至位于期望的特征內(nèi)的襯底上的抗蝕劑層區(qū)域的輻射處于足夠高的強度，使得所述區(qū)域在曝光期間接收大于劑量閾值的輻射劑量，而襯底上的其它區(qū)域通過設定對應的獨立可控元件來接收低于劑量閾值的輻射劑量，以提供零或顯著地較低的輻射強度。實際上，即使獨立可控元件被設置成在特征邊界的一側上提供最大輻射強度和在另一側上提供最小輻射強度，在期望的特征的邊緣處的輻射劑量可能不會從給定的最大劑量急劇地變化至零劑量。替代地，由于衍射作用，輻射劑量的水平可能橫跨經(jīng)過過渡區(qū)降低。然后，在顯影抗蝕劑之后最終形成的期望特征的邊界的位置通過所接收的劑量降低至低于輻射劑量閾值的位置來確定。輻射劑量橫跨經(jīng)過過渡區(qū)而降低的分布以及由此特征邊界的精確位置可以通過設定獨立可控元件來更加精確地進行控制，該獨立可控元件提供不僅是最大或最小強度水平而且也可以是在最大和最小強度水平之間的強度水平的輻射至襯底上位于特征邊界上或附近的點上。這通常稱為“灰度級”或“灰度水平”?；叶燃壙梢蕴峁┡c在光刻系統(tǒng)中可行的相比，對特征邊界的位置的更大的控制， 其中通過給定的獨立可控元件提供至襯底的輻射強度可以僅被設定成兩個值(即僅是最大值和最小值)。在一實施例中，至少三個不同的輻射強度值可以被投影到襯底上，例如至少4個輻射強度值，至少8個輻射強度值，至少16個輻射強度值，至少32個輻射強度值，至少64個輻射強度值，至少100個輻射強度值，至少1 個輻射強度值，或至少256個輻射強度值。如果圖案形成裝置自身是輻射源(例如發(fā)光二極管或激光二極管的陣列)，那么可以實現(xiàn)灰度級，例如通過控制被傳輸?shù)妮椛涞膹姸人?。如果對比裝置是微反射鏡器件，可以實現(xiàn)灰度級，例如通過控制微反射鏡的傾斜角度。另外，可以通過對對比裝置中的多個可編程元件進行分組且控制在給定時間被接通或切斷的所述組內(nèi)的元件的數(shù)量，來實現(xiàn)灰度級。在一個例子中，圖案形成裝置可以具有一系列的狀態(tài)，包括(a)黑色狀態(tài)，其中所提供的輻射對其對應像素的強度分布的貢獻是最小的或甚至為零；(b)最白狀態(tài)，其中所提供的輻射做出了最大的貢獻；和(c)在前述兩個狀態(tài)之間的多個狀態(tài)，其中所提供的輻射做出了中間的貢獻。所述狀態(tài)被分成正常組和補償組，該正常組用于正常束圖案化/ 印刷，該補償組用于補償缺陷元件的作用。正常組包括黑色狀態(tài)和中間狀態(tài)中的第一組。該第一組將被描述成灰色狀態(tài)，它們是可選的，以給對應像素強度提供從最小黑色值到高達特定的正常最大值的不斷增加的貢獻。補償組包括剩下的中間狀態(tài)中的第二組以及最白狀態(tài)。該中間狀態(tài)的第二組將被描述成白色狀態(tài)，它們是可選的、以提供比正常最大值大的貢獻，不斷增加高達至對應于最白狀態(tài)的真實最大值。雖然中間狀態(tài)的第二組被描述成白色狀態(tài)，但是應當理解這僅是便于在正常和補償曝光步驟之間進行區(qū)分。全部多個狀態(tài)將可替代地描述成在黑色和白色之間的一序列的灰度狀態(tài)，可選擇地可以使得能夠進行灰度級印刷。應當理解，灰度級可以用于對于上文所述的來說額外的或可替代的目的。例如，在曝光之后的襯底的處理可以被調整，使得依賴于接收的輻射劑量水平，具有多于兩個的襯底的區(qū)域的潛在響應。例如，接收低于第一閾值的輻射劑量的襯底的一部分以第一方式響應；接收高于第一閾值但是低于第二閾值的輻射劑量的襯底的一部分以第二方式響應；和接收高于第二閾值的輻射劑量的襯底的一部分以第三方式響應。因此，灰度級可以用于提供經(jīng)過襯底上的輻射劑量分布，其具有多于兩個的期望的劑量水平。在一實施例中，輻射劑量分布具有至少2個期望的劑量水平，例如至少3個期望的輻射劑量水平，至少4個期望的輻射劑量水平、至少6個期望的輻射劑量水平或至少8個期望的輻射劑量水平。還應當理解，可以通過除了僅控制在襯底上的每一點處接收的輻射的強度之外的方法來控制輻射劑量分布，如上文所述。例如，可替代地或另外地通過控制所述點的曝光的持續(xù)時間來控制通過襯底上的每一點所接收的輻射劑量。作為另一例子，襯底上的每一點可以潛在地接收多個連續(xù)的曝光中的輻射。因此，由每一點所接收的輻射劑量可以可替代地或另外地通過使用所述多個連續(xù)曝光中的已選擇的子組曝光所述點來進行控制。為了在襯底上形成圖案，需要在曝光過程期間在每一階段將圖案形成裝置中的每一獨立可控元件設定成所需要的狀態(tài)。因此，表示所需要的狀態(tài)的控制信號必須被傳輸至每一獨立可控元件。期望地，光刻設備包括產(chǎn)生控制信號的控制器400。將在襯底上形成的圖案可以以矢量定義的格式(例如GDSII)提供至光刻設備。為了將設計信息轉換成每一獨立可控元件的控制信號，控制器包括一個或更多的數(shù)據(jù)操作裝置，每一個配置成在表示圖案的數(shù)據(jù)流上執(zhí)行處理步驟。數(shù)據(jù)操作裝置可以統(tǒng)稱為“數(shù)據(jù)通路(datapath)”。數(shù)據(jù)通路中的數(shù)據(jù)操作裝置可以配置成執(zhí)行下述功能中的一個或更多個將基于矢量的設計信息轉換成位案數(shù)據(jù)；將位案數(shù)據(jù)轉換成需要的輻射劑量圖(即需要的在整個襯底上的輻射劑量分布)；將需要的輻射劑量圖轉換成每一獨立可控元件的所需輻射強度值；以及將每一獨立可控元件的需要的輻射強度值轉換成對應的控制信號。在一實施例中，控制信號可以通過有線通信或無線通信供給至獨立可控元件102 和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)。另外，來自獨立可控元件102和/或來自一個或更多的其它裝置(例如傳感器)的信號可以通信至控制器400。參考圖14(A)，在無線的實施例中，收發(fā)器(或僅是發(fā)射器)406發(fā)射包括收發(fā)器 (或僅是接收器)402接收的控制信號的信號。通過一個或更多的線404將控制信號發(fā)送至各自的獨立可控元件102。在一實施例中，來自收發(fā)器406的信號可以包括多個控制信號， 收發(fā)器402可以將所述信號多路分解成各自的獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)的多個控制信號。在一實施例中，無線傳輸可以是通過射頻(RF)。參考圖14(B)，在有線的實施例中，一個或更多的線404可以將控制器400連接至獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)。在一實施例中，可以提供
30單條線404，以將每個控制信號運載至陣列200的主體和/或從陣列200的主體運載每一控制信號。在陣列200的主體處，控制信號之后可以單獨地提供至獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)。例如，類似于無線的例子，為了在單條線上傳輸可以對控制信號進行多路傳輸，且之后為了提供至獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)可以對其進行多路分解。在一實施例中，可以提供多條線404，以運載獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)的各自的控制信號。在陣列200是可旋轉的實施例中，可以沿著旋轉軸線A提供線404。在一實施例中，通過在電機216處或在電機216周圍的滑動接觸可以將信號提供至陣列200的主體，或從陣列200 的主體提供信號。這對于可旋轉的實施例可能是有利的?；瑒咏佑|可以是例如通過刷接觸板。在一實施例中，線404可以是光學線。在這種情形中，信號可以是光學信號，其中例如可以在不同的波長承載不同的控制信號。以類似于控制信號的方式，可以通過有線的或無線的方式將功率供給至獨立可控元件102或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)。例如，在有線的實施例中，可以通過一個或更多的線404供給功率，不管是否與承載信號的線是相同的、還是不同的。如上所述， 可以設置滑動接觸布置以傳輸功率。在無線的實施例中，可以通過RF耦合傳遞功率。雖然之前的討論集中在被供給至獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置 (例如傳感器)的控制信號，但是應當理解，另外地或可替代地通過適合的配置包括將信號從獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)傳輸至控制器400。因此，通信可以是單向的(例如僅至或來自獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置 (例如傳感器))或兩向的(即，從和至獨立可控元件102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器))。例如，收發(fā)器402可以為了傳輸至收發(fā)器406將來自獨立可控元件102和/ 或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)的多個信號進行多路傳輸，此時它可以被多路分解成單獨的信號。在一實施例中，考慮到可能影響襯底上的圖案的適當供應和/或實現(xiàn)的因素，可以改變提供圖案的控制信號。例如，考慮了對一個或更多的陣列200的加熱，可以將校正施加至控制信號。這樣的加熱可能引起獨立可控元件102的改變的指向方向、來自獨立可控元件102的輻射的均勻性的變化等。在一實施例中，來自例如傳感器234的與(例如一個或更多的獨立可控元件102的)陣列200相關的測量的溫度和/或膨脹/收縮可以用于改變控制信號，否則將已經(jīng)提供該控制信號以形成圖案。因此，例如在曝光期間，獨立可控元件102的溫度可能變化，該變化引起了將在單個恒定的溫度提供的投影圖案的變化。因此， 考慮到這樣的變化，可以改變控制信號。類似地，在一實施例中，來自對準傳感器和/或水平傳感器150的結果可以用于改變通過獨立可控元件102提供的圖案。可以改變該圖案以校正例如變形，該變形可能由例如獨立可控元件102和襯底114之間的光學裝置(如果有的話)、襯底114的定位的不規(guī)則性、襯底114的不平整度等引起。在一實施例中，基于由測量的參數(shù)(例如測量的溫度、通過水平傳感器測量的距離等)引起的期望圖案上的物理/光學結果的理論，可以確定控制信號的變化。在一實施例中，可以基于由測量的參數(shù)引起的期望圖案上的物理/光學結果的試驗或經(jīng)驗模型，確定控制信號的變化。在一實施例中，可以以前饋和/或反饋的方式施加控制信號的變化。
在一實施例中，光刻設備可以包括測量輻射的特性的傳感器500，該輻射被或將被通過一個或更多的獨立可控元件102朝向襯底進行傳輸。這樣的傳感器可以是斑傳感器或圖像傳輸傳感器。傳感器可以用于例如確定來自獨立可控元件102的輻射的強度、來自獨立可控元件102的輻射的均勻性、來自獨立可控元件102的輻射斑的橫截面尺寸或面積、和 /或來自獨立可控元件102的輻射斑(在X-Y平面內(nèi))的位置。圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的示意頂視圖，顯示出傳感器500的一些示例性的位置。在一實施例中，一個或更多的傳感器500設置在保持襯底114的襯底臺 106中或襯底臺106上。例如，傳感器500可以設置在襯底臺106的前邊緣和/或襯底臺 106的尾邊緣。在這一例子中，顯示出四個傳感器500，對于每一陣列200對應一個傳感器。 期望它們位于將不會被襯底116覆蓋的位置。在可替代的或另外的例子中，可以將傳感器設置在襯底臺106的側邊緣，期望地在將不會被襯底116覆蓋的位置處。在襯底臺106的前邊緣處的傳感器500可以用于獨立可控元件102的預曝光的檢測。在襯底臺106的尾邊緣處的傳感器500可以用于獨立可控元件102的后曝光的檢測。在襯底臺106的側邊緣處的傳感器500可以用于獨立可控元件102的在曝光期間的檢測(“運行中的”檢測)。參考圖16(A)，顯示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設備的一部分的示意側視圖。在這一例子中，僅顯示出單個陣列200，且為了清楚起見省略了光刻設備的其它部分；此處描述的傳感器可以施加至每一或一些陣列200。在圖16(A)中顯示出傳感器500的位置的一些另外的或可替代的例子(除了襯底臺106的傳感器500之外)。第一例子是框架160上的傳感器500，該傳感器接收通過束改向結構502(例如反射式反射鏡布置)的來自獨立可控元件102的輻射。在第一例子中，獨立可控元件102在X-Y平面中移動，且因此獨立可控元件102中的不同的獨立可控元件可以被設置以提供輻射至束改向結構502。另外的或可替代的第二例子是在框架160上的傳感器500，該傳感器500接收來自獨立可控元件102的背側(即與提供曝光輻射相對的一側)的來自獨立可控元件102的輻射。在第二例子中， 獨立可控元件102在X-Y平面中移動，且因此獨立可控元件102中的不同的獨立可控元件可以被設置以提供輻射至傳感器500。雖然第二例子中的傳感器500顯示在曝光區(qū)域204 處的獨立可控元件102的路徑中，傳感器500可以位于顯示傳感器510的位置。在一實施例中，框架160上的傳感器500位于固定的位置處或者另外通過例如相關的致動器是可移動的。除了或替代預曝光感測和/或后曝光感測，上文的第一和第二例子可以用于提供“運行中的”感測。第三例子是結構504、506上的傳感器500。結構504、506可以是通過致動器508可移動的。在一實施例中，結構504位于襯底臺將移動(如圖16(A)所示)的路徑的下面或在所述路徑的側面。在一實施例中，結構504可以是通過致動器508移動至在圖 16 (A)中顯示的襯底臺106的傳感器500所在的位置(如果襯底臺106未在那里的話)，如果結構504在路徑的側面，這樣的移動可以是沿著Z方向(如圖16(A)所示)或沿著X和/ 或Y方向。在一實施例中，結構506位于襯底臺將移動(如圖16(A)所示)所在的路徑的上方或在路徑的側面。在一實施例中，結構506可以通過致動器508移動至在圖16(A)所顯示的襯底臺106的傳感器500所在的位置(如果襯底臺106不在那里的話)。結構506 可以連接至框架160且相對于框架160是可位移的。在測量通過一個或更多的獨立可控元件102朝向襯底傳輸或將要傳輸?shù)妮椛涞奶匦缘牟僮髦?，通過移動傳感器500和/或移動獨立可控元件102的輻射束，使得傳感器
32500位于來自獨立可控元件102的輻射的路徑中。因此，作為例子，可以移動襯底臺106，以將傳感器500定位在來自圖16(A)中顯示的獨立可控元件102的輻射的路徑中。在這種情形中，傳感器500被定位在曝光區(qū)域204處的獨立可控元件102的路徑中。在一實施例中， 傳感器500可以定位在曝光區(qū)域204外的獨立可控元件102的路徑中(例如在左手側顯示的獨立可控元件102，如果束改向結構502不在那里的話)。如果位于輻射路徑中，傳感器 500可以檢測輻射且測量輻射的特性。為了便于感測，傳感器500可以相對于獨立可控元件 102移動，和/或獨立可控元件102可以相對于傳感器500移動。作為另一例子，可以將獨立可控元件102移動至一位置，使得來自獨立可控元件 102的輻射撞擊到束改向結構502上。束改向結構502將束引導至框架160上的傳感器500。 為了便于感測，傳感器500可以相對于獨立可控元件102移動，和/或獨立可控元件102可以相對于傳感器500移動。在這一例子中，在曝光區(qū)域204外測量獨立可控元件102。在一實施例中，傳感器500可以是固定的或移動的。如果是固定的話，獨立可控元件102期望地相對于固定的傳感器500是可移動的，以便于感測。例如，陣列200可以是相對于傳感器500(例如框架160上的傳感器500)移動(例如旋轉或平移)，以便于通過傳感器500進行感測。如果傳感器500是可移動的(例如襯底臺106上的傳感器500)，獨立可控元件102可以保持成靜止的、用于感測，或另外被移動以例如加速感測。傳感器500可以用于校準一個或更多的獨立可控元件102。例如，在曝光之前可以通過傳感器500檢測獨立可控元件102的斑的位置，且因此系統(tǒng)被校準。之后可以基于斑的這一預期位置調整曝光(例如控制襯底114的位置，控制獨立可控元件102的位置，控制獨立可控元件102的開啟成OFF或ON等)。另外，可以隨后進行校準。例如，在使用例如襯底臺106的尾邊緣上的傳感器500的另一曝光之前，可以在曝光之后立即進行校準。在特定數(shù)量的曝光等之后，可以在每一曝光之前進行校準。另外，通過使用傳感器500可以“在運行中”檢測獨立可控元件102的斑的位置，因此調整曝光。獨立可控元件102可以可能基于“運行中”感測進行再次校準。在一實施例中，一個或更多的獨立可控元件102可以被編碼以便能夠檢測哪一獨立可控元件102位于特定的位置或被使用。在一實施例中，獨立可控元件102可以具有標識，傳感器510可以用于檢測標識，該標識可以是RFID、條碼等。例如，多個獨立可控元件 102中的每一個可以被移動至靠近傳感器510，以讀取標識。在知道哪一獨立可控元件102 靠近傳感器510時，可以知道哪一獨立可控元件102靠近傳感器500，哪一獨立可控元件 102在曝光區(qū)域204中等。在一實施例中，每一獨立可控元件102可以用于提供具有不同頻率的輻射，傳感器500、510可以用于檢測哪一獨立可控元件102靠近傳感器500、510。例如，多個獨立可控元件102中的每一個可以被移動成靠近傳感器500、510，以接收來自獨立可控元件102的輻射，且之后傳感器500、510可以多路分解接收到的輻射，以確定哪一獨立可控元件102在特定時間靠近傳感器500、510。在知道哪一獨立可控元件102在特定時間靠近傳感器500、510時，可以知道哪一獨立可控元件102靠近傳感器500，哪一獨立可控元件102位于曝光區(qū)域204中等。在一實施例中，如上文所述，位置傳感器可以被提供以確定一個或更多的獨立可控元件102在高達6個自由度上的位置。例如，傳感器510可以用于位置檢測。在一實施例中，傳感器510可以包括干涉儀。在一實施例中，傳感器510可以包括編碼器，該編碼器可以用于檢測一個或更多的一維編碼器光柵和/或一個或更多的二維的編碼器光柵。在一實施例中，可以提供傳感器520用于確定已經(jīng)傳輸至襯底的輻射的特性。在這一實施例中，傳感器520捕獲被襯底改向的輻射。在示例的使用中，被傳感器520捕獲的被改向的輻射可以用于便于確定來自獨立可控元件102的輻射的斑的位置(例如來自獨立可控元件102的輻射的斑的未對準)。具體地，傳感器520可以捕獲從襯底的剛被曝光的部分被改向的輻射，即潛像。對這一尾部改向的輻射的強度的測量，可以給出斑是否被適當?shù)貙实闹甘?。例如，對這一尾部的重復測量可以給出重復的信號，從該重復的信號的偏離將顯示斑的未對準(例如，不同相位的信號可能表示未對準)。圖16(B)顯示傳感器520的檢測區(qū)域相對于襯底114的曝光區(qū)域522的示意位置。在這一實施例中，顯示出3個檢測區(qū)域，其結果可以被比較和/或組合以便于識別未對準。僅需要使用一個檢測區(qū)域，例如在左手側上的一個。在一實施例中，可以與傳感器520相類似的方式使用獨立可控元件102的檢測器沈2。例如，在右手側上的陣列200的曝光區(qū)域204外的一個或更多的獨立可控元件 102可以用于檢測從襯底上的潛像被改向的輻射。圖17顯示光刻設備的一個實施例。在這一實施例中，多個獨立可控元件102朝向可旋轉的多邊形件600引導輻射。輻射撞擊到其上的多邊形件600的表面604朝向透鏡陣列170改向輻射。透鏡陣列170朝向襯底114引導輻射。在曝光期間，多邊形件600圍繞軸線602旋轉，從而使得來自多個獨立可控元件102中的每一個的各自的束沿著Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170移動。具體地，在多邊形件600的每一新的琢面與輻射撞擊時，束將沿著正 Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170重復進行掃描。在曝光期間獨立可控元件102被調制，以提供如此處討論的期望的圖案。多邊形件可以具有任意數(shù)量的適合的側面。另外，獨立可控元件102 被調整與旋轉的多邊形600同步，使得各自的束撞擊到透鏡陣列170中的透鏡上。在一實施例中，另外的多個獨立可控元件102可以設置在多邊形件的相對側上，即在右手側上，以便使得輻射撞擊到多邊形件600的表面606上。在一實施例中，可以使用振動的光學元件替代多邊形件600。振動的光學元件具有相對于透鏡陣列170的特定的固定角度，且可以沿著Y方向來回平移，以使得束沿著Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170來回進行掃描。在一實施例中，可以使用圍繞軸線602來回旋轉通過一弧度的光學元件替代多邊形件600。通過來回旋轉光學元件通過一弧度，使得束沿著Y方向跨經(jīng)透鏡陣列170來回進行掃描。在一實施例中，多邊形件600、振動的光學元件、和/或旋轉的光學元件具有一個或更多的反射鏡表面。在一實施例中，多邊形件600、振動的光學元件、和/或旋轉的光學元件包括棱鏡。在一實施例中，可以使用聲-光調制器替代多邊形件600。聲-光調制器可以用于跨經(jīng)透鏡陣列170掃描束。在一實施例中，可以將透鏡陣列 170放置在多個獨立可控元件102與多邊形件600、振動的光學元件、旋轉的光學元件、和/ 或聲-光調制器之間的輻射路徑中。因此，通常，與被分成曝光區(qū)域的寬度的這些輻射輸出的寬度相比，可以用更小的輻射輸出覆蓋曝光區(qū)域(例如襯底)的寬度。在一實施例中，這可以包括相對于曝光區(qū)域移動輻射束源或相對于曝光區(qū)域移動輻射束。圖18顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設備的示意橫截面?zhèn)纫晥D，具有可移動的獨立可控元件102。如圖5中顯示的光刻設備100 —樣，光刻設備100包括保持襯底的襯底臺 106，和在高達6個自由度上移動襯底臺106的定位裝置116。
光刻設備100還包括布置在框架160上的多個獨立可控元件102。在這一實施例中，每一獨立可控元件102是輻射發(fā)射二極管，例如激光二極管，諸如藍紫激光二極管。獨立可控元件102布置成沿著Y方向延伸的獨立可控元件102的陣列200。雖然顯示出一個陣列200，但是光刻設備可以具有例如在圖5中顯示的多個陣列200。在這一實施例中，陣列200是可旋轉的板，具有圍繞板布置的多個空間上分立的獨立可控元件102。在使用時，板圍繞其自身的軸線206旋轉，例如沿著由圖5中的箭頭顯示的方向。使用電機216使陣列200的板圍繞軸線206旋轉。另外，陣列200的板可以通過電機216沿著Z方向移動，使得獨立可控元件102可以相對于襯底臺106位移。在這一實施例中，陣列200可以具有一個或更多的散熱片230，以增加散熱表面積。散熱片230可以例如在陣列200的頂表面上?？蛇x地，可以提供一個或更多的另外的散熱片232，以與散熱片230配合、以便于散熱。例如，散熱片232能夠從散熱片230吸收熱量，且可以包括流體(例如液體)引導通道以及類似于在圖7(F)中顯示的且相對于其描述的相關的熱交換器/泵。在這一實施例中，透鏡242可以位于每一獨立可控元件102的前面，且可以與獨立可控元件102 —起移動(例如圍繞軸線A是可旋轉的)。在圖18中，顯示出兩個透鏡M2 且連接至陣列200。另外，透鏡242可以相對于獨立可控元件102(例如沿著Z方向)是可位移的。在這一實施例中，其中具有孔闌的孔闌結構248可以位于透鏡242的上方、在透鏡 242和相關的獨立可控元件102之間。孔闌結構248可以限制透鏡M2、相關的獨立可控元件102、和/或相鄰的透鏡M2/獨立可控元件102的衍射作用。在這一實施例中，傳感器邪4可以設置有獨立可尋址元件102(或陣列200中的多個獨立可尋址元件10 。在這一實施例中，傳感器邪4布置用于檢測焦點。焦點檢測束 256被改向(例如反射)遠離襯底表面，穿過透鏡M2，且被通過例如半鍍銀反射鏡258朝向檢測器262引導。在一實施例中，焦點檢測束256可以是用于曝光的輻射，該輻射剛好是從襯底被改向引導的。在一實施例中，焦點檢測束256可以是在襯底處被引導的專門的束， 其在被襯底改向時變成束256。關于圖7(0)，在上文描述了示例性的焦點傳感器。反射鏡 258和檢測器262可以安裝至陣列200。在這一實施例中，控制信號可以通過有線通信或無線通信供給至獨立可控元件 102和/或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)。另外，來自獨立可控元件102和/或來自一個或更多的其它裝置(例如傳感器)的信號可以通信至控制器。在圖18中，可以沿著旋轉軸線206設置線404。在一實施例中，線404可以是光學線。在所述情形中，信號可以是光學信號，其中例如在不同的波長承載不同的控制信號。以類似于控制信號的方式，可以通過有線或無線的方式將功率供給至獨立可控元件102或一個或更多的其它裝置(例如傳感器)。例如在有線的實施例中，可以通過一個或更多的線404供給功率，而不管與承載信號的線是相同的或不同的。在無線的實施例中，可以通過如在標記700處顯示的RF耦合傳遞功率。在這一實施例中，光刻設備可以包括測量輻射的特性的傳感器500，該輻射被或將被通過一個或更多的獨立可控元件102朝向襯底進行傳輸。這樣的傳感器可以是斑傳感器或傳輸圖像傳感器。傳感器可以用于例如確定來自獨立可控元件102的輻射的強度、來自獨立可控元件102的輻射的均勻性、來自獨立可控元件102的輻射斑的橫截面尺寸或面積、 和/或來自獨立可控元件102的輻射斑(在X-Y平面內(nèi))的位置。在這一實施例中，傳感器500在框架160上，且可以鄰近襯底臺106或是通過襯底臺106可接近的。在一實施例中，不是具有在X-Y平面內(nèi)可移動的獨立可控元件102，獨立可控元件 102在襯底的曝光期間在X-Y平面內(nèi)是大致靜止的。不必說，可控元件102在X-Y平面內(nèi)可能是不可移動的。例如，它們可以在X-Y平面內(nèi)是可移動的，以校正它們的位置。具有基本上靜止的可控元件102的可能的優(yōu)點是較容易地將功率和/或數(shù)據(jù)轉移至可控元件102。 另外的或可替代的可能的優(yōu)點是局部調整焦點、以補償襯底上的高度差的能力得到提高， 其中所述高度差大于系統(tǒng)的焦深且在比移動可控元件的節(jié)距更高的空間頻率上。在這一實施例中，雖然可控元件102是基本上靜止的，但是具有相對于獨立可控元件102移動的至少一個光學元件。在下文描述了在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件102的各種布置以及相對于其可移動的光學元件。在下文的描述中，術語“透鏡”應當通常理解成包括任意的折射式、反射式和/或衍射式光學元件，其提供與所提及的透鏡相同的功能。例如，成像透鏡可以具體為具有光功率的傳統(tǒng)的折射式透鏡的形式、成具有光功率的khwarzschild反射式系統(tǒng)的形式、和/或成具有光功率的區(qū)域板的形式。此外，如果產(chǎn)生的作用是在襯底上產(chǎn)生會聚的束，成像透鏡可以包括非成像的光學裝置。另外，在下文的描述中，對多個獨立可控元件102做出參考，諸如反射鏡陣列調制器中的反射鏡或多個輻射源。然而，應當理解，描述更加通常是指布置成輸出多個束的調制器。例如，調制器可以是聲-光調制器，以從由輻射源提供的束輸出多個束。圖19顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的具有在X-Y平面內(nèi)是基本靜止的多個獨立可控元件102(例如激光二極管)和相對于其是可移動的光學元件M2的光刻設備的一部分的示意頂視圖布局。在這一實施例中，多個獨立可控元件102可以連接至框架，且在X-Y平面內(nèi)是基本上靜止的，多個成像透鏡242相對于這些獨立可控元件102基本上在X-Y平面中移動(如在圖19中由輪子801的旋轉指示所顯示的)，襯底沿著方向803移動。在一實施例中，成像透鏡242通過圍繞軸線旋轉相對于獨立可控元件102移動。在一實施例中，成像透鏡242被安裝在圍繞軸線(例如沿著圖19中顯示的方向)旋轉的結構上且被以圓形的方式布置(如圖19中部分地顯示的)。每個獨立可控元件102提供準直束至移動的成像透鏡242。在一實施例中，獨立可控元件102與一個或更多的準直透鏡相關，以提供準直束。在一實施例中，準直透鏡在X-Y 平面中是基本上靜止的且連接至獨立可控元件102連接所在的框架上。在這一實施例中，準直束的橫截面寬度小于成像透鏡M2的橫截面寬度。因此， 在準直束剛完全落入到成像透鏡M2的光學透射部分中，獨立可控元件102(例如激光二極管)就被接通。之后在束落入到成像透鏡M2的光學透射部分之外時，切斷獨立可控元件102(例如激光二極管)。因此，在一實施例中，來自獨立可控元件102的束在任一時刻穿過單個成像透鏡對2。成像透鏡242相對于來自獨立可控元件102的束的所獲得的橫越 (traversal)基于被開啟的每一獨立可控元件102在襯底上產(chǎn)生了相關的成像線800。在圖19中，相對于圖19中的三個示例性的獨立可控元件102中的每一個顯示出三個成像線 800，盡管顯然圖19中的其它獨立可控元件102可以在襯底上產(chǎn)生相關的成像線800。
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在圖19的布局中，成像透鏡242的節(jié)距可以是1. 5mm，來自每一獨立可控元件102 的束的橫截面寬度(例如直徑)略小于0.5mm。對于這一配置，可以用每一獨立可控元件 102寫長度約Imm的線。因此，在束直徑為0. 5mm和成像透鏡M2的直徑為1. 5mm的這一配置中，占空因數(shù)可以高達67%。對于相對于成像透鏡242適當?shù)囟ㄎ华毩⒖煽卦?02，跨經(jīng)襯底的寬度的全覆蓋是可行的。因此，例如如果僅使用標準5. 6mm直徑的激光二極管，那么如圖19所示的激光二極管的幾個同心環(huán)可以用于獲得跨經(jīng)襯底的寬度的全部覆蓋。因此，在這一實施例中，可以使用比僅使用獨立可控元件102的固定陣列或可能使用此處描述的移動的獨立可控元件102的情況更少的獨立可控元件102 (例如激光二極管)。在這一實施例中，每個成像透鏡242應當是一致的，這是因為每個獨立可控元件 102將通過所有的移動的成像透鏡242進行成像。在這一實施例中，所有的成像透鏡242不需要使得場成像，盡管需要具有更高NA的透鏡，例如大于0. 3、大于0. 18或大于0. 15。對于這樣的單一元件光學裝置，衍射限制成像是可能的。襯底上的束的焦點不管準直束在哪里進入透鏡，均被固定至成像透鏡242的光軸 (參見，例如圖20，其顯示是圖19的光刻設備的一部分的示意三維視圖)。這一布置的缺點是來自成像透鏡242朝向襯底的束不是遠心的，因此會發(fā)生焦點誤差，從而可能導致重疊誤差。在這一實施例中，通過使用在X-Y平面中不移動的(例如在獨立可控元件102處) 的元件調整焦點將可能引起暈影。因此，期望的焦點調整應當在移動的成像透鏡M2中發(fā)生。這因此可能需要比移動的成像透鏡242更高頻率的致動器。圖21顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖布局，且顯示相對于獨立可控元件的成像透鏡242組的三個不同的旋轉位置。在這一實施例中，圖19和20中的光刻設備通過具有成像透鏡242進行擴展，該成像透鏡242包括用于接收來自獨立可控元件 102的準直束的兩個透鏡802、804。如圖19，成像透鏡242相對于獨立可控元件102在X-Y 平面中移動(例如圍繞至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242時的軸線旋轉)。在這一實施例中，在到達成像透鏡242之前，通過透鏡806使得來自獨立可控元件102的束準直， 盡管在一實施例中不需要提供這樣的透鏡。透鏡806基本上在X-Y平面中是靜止的。襯底沿著X方向移動。兩個透鏡802、804布置在準直束的從獨立可控元件102至襯底的光路中，以使得束朝向襯底是遠心的。在獨立可控元件102和透鏡804之間的透鏡802包括具有大致相等的焦距的兩個透鏡802A、802B。來自獨立可控元件102的準直束在兩個透鏡802A，802B之間聚焦，使得透鏡802B將朝向成像透鏡804準直束。成像透鏡804使得束成像到襯底上。在這一實施例中，透鏡802相對于獨立可控元件102在X-Y平面內(nèi)以特定的速度 (例如每分鐘特定的轉數(shù)(RPM))移動。因此，在這一實施例中，來自透鏡802的出射的準直束將在X-Y平面內(nèi)具有移動的成像透鏡804的兩倍的速度，如果移動的成像透鏡804以與透鏡802相同的速度移動的話。因此，在這一實施例中，成像透鏡804相對于獨立可控元件102以不同于透鏡802的速度的速度移動。具體地，成像透鏡804以透鏡802的速度的兩倍速度(例如透鏡802的RPM的兩倍)在X-Y平面中移動，使得束將被遠心地聚焦到襯底上。在圖21的三個示例性的位置中示意性地顯示了來自透鏡802的出射的準直束與成像透鏡804的對準。另外，因為在襯底上的實際書寫與圖19中的例子相比將以所述速度的兩倍的速度完成，所以獨立可控元件102的功率是兩倍的。在這一實施例中，通過使用在X-Y平面中不移動的(例如在獨立可控元件102處的)元件調整焦點，將可能導致?lián)p失遠心率且引起暈影。因此，應當在移動的成像透鏡對2 中出現(xiàn)期望的焦點調整。另外，在這一實施例中，所有的成像透鏡242不需要使得場成像。對于這樣的單個元件的光學裝置，衍射限制的成像是可能的。約65%的占空因數(shù)是可能的。在一實施例中， 透鏡806，802A，802B和804可以包括2個非球面透鏡和2個球面透鏡。在一實施例中，可以使用約380個獨立可控元件102(例如標準激光二極管)。在一實施例中，可以使用約1400個成像透鏡M2的組。在使用標準激光二極管的實施例中， 可以使用約4200個成像透鏡242的組，其可以布置成輪子上的6個同心環(huán)。在一實施例中， 成像透鏡的旋轉的輪子將以約12000RPM旋轉。圖22顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖布局，且顯示相對于獨立可控元件的成像透鏡M2的組的三個不同的旋轉位置。在這一實施例中，為了避免以與如關于圖21描述的不同的速度移動透鏡，可以如圖22所顯示使用用于移動成像透鏡M2的所謂的4f遠心進入/遠心出去(telecentric in/telecentric out)的成像系統(tǒng)。移動成像透鏡242包括兩個成像透鏡808、810，該兩個成像透鏡808、810在X-Y平面中以大致相同的速度移動(例如圍繞在至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242時的軸線旋轉)，且接收遠心束作為對襯底的輸入和輸出、遠心成像束。在1倍放大率的布置中，襯底上的圖像以與移動成像透鏡242兩倍的速度一樣快地移動。襯底沿著X方向移動。在這一布置中，光學裝置將可能需要以相對大的NA(例如大于0.3、大于0.18或大于0.15)使場成像。這一布置可能不具有兩個單個元件的光學裝置?？赡苄枰哂蟹浅蚀_的對準公差的六個或更多的元件，以獲得衍射限制圖像。約65%的占空因數(shù)是可能的。在這一實施例中，還用不會與可移動的成像透鏡242 —起移動或結合可移動的成像透鏡242 —起移動的元件相對容易地進行局部聚焦。圖23顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖布局，且顯示相對于獨立可控元件的成像透鏡M2的組的五個不同的旋轉位置。在這一實施例中，為了避免以與關于圖21所描述的不相同的速度移動透鏡，且具有不使得如關于圖22所指出的場成像的光學裝置，在X-Y平面中基本上靜止的透鏡的組合與移動成像透鏡242結合。參考圖23，設置了在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件102。提供了在X-Y平面中基本上靜止的可選的準直透鏡806，用于準直來自獨立可控元件102的束，且提供準直束(具有例如0. 5mm的橫截面寬度(例如直徑))至透鏡812。另外，透鏡812在X-Y平面中是基本上靜止的且聚焦準直束至移動成像透鏡242 的場透鏡814(具有例如1. 5mm的橫截面寬度(例如直徑))。透鏡814具有相對大的焦距 (例如 f = 20mm)。可移動的成像透鏡242的場透鏡814相對于獨立可控元件102移動(例如圍繞在至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242時的軸線旋轉)。場透鏡814朝向可移動的成像透鏡242的成像透鏡818引導束。如場透鏡814，成像透鏡818相對于獨立可控元件102移動(例如圍繞在至少部分地以圓形方式布置成像透鏡242時的軸線旋轉)。在這一實施例中，場透鏡814以與成像透鏡818大致相同的速度移動。一對場透鏡814和成像透鏡818 彼此對準。襯底沿著X方向移動。在場透鏡814和成像透鏡818之間的是透鏡816。透鏡816在X-Y平面中是基本上靜止的，且將來自場透鏡814的束準直到成像透鏡818。透鏡816具有相對大的焦距(例如，f = 20mm)。在這一實施例中，場透鏡814的光軸應當與對應的成像透鏡816的光軸重合。設計場透鏡814，使得將折疊束，從而被透鏡816準直的束的主射線與成像透鏡818的光軸重合。這樣，朝向襯底的束是遠心的。由于大的f數(shù)，透鏡812和816可以是簡單的球形透鏡。場透鏡814不會影響圖像品質，且還可以是球形元件。在這個實施例中，準直透鏡806和成像透鏡818是不需要使得場成像的透鏡。對于這一單個元件的光學裝置，衍射限制成像是可能的。約65%的占空因數(shù)是可以的。在一實施例中，在可移動的成像透鏡242是可旋轉時，提供獨立可控元件102和透鏡的至少兩個同心環(huán)，以獲得跨經(jīng)襯底寬度的全部覆蓋。在一實施例中，在這些環(huán)上的獨立可控元件102被布置成處于1. 5mm的節(jié)距處。如果使用具有直徑為5. 6mm的標準激光二極管，那么對于全部覆蓋可能需要至少6個同心環(huán)。圖M和25顯示根據(jù)這些布置的獨立可控元件102的同心環(huán)的布置。在一實施例中，這將導致約380個獨立可控元件102和在X-Y 平面中基本上靜止的對應的透鏡。移動的成像透鏡242將具有700X6個環(huán)=4200組透鏡 814、818。對于這一配置，可以用每一獨立可控元件102書寫長度約Imm的線。在一實施例中，可以使用約1400個成像透鏡M2的組。在一實施例中，透鏡812，814，816和818可以包括4個非球面透鏡。在這一實施例中，通過使用在X-Y平面中不移動的(例如在獨立可控元件102處) 的元件調整焦點將可能導致?lián)p失遠心率和引起暈影。因此，期望的焦點調整應當在移動的成像透鏡242中發(fā)生。這因此可能需要比移動的成像透鏡242更高頻率的致動器。圖沈顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖布局。在這一實施例中， 光學消轉儀用于耦合在X-Y平面中大致靜止的獨立可控元件102至移動的成像透鏡M2。在這一實施例中，獨立可控元件102與可選的準直透鏡一起布置成環(huán)。兩個拋物面反射鏡820、822使得來自獨立可控元件102的準直束的環(huán)減小至消轉儀擬4的可接受的直徑。在圖沈中，佩肯(pechan)棱鏡用作消轉儀824。如果消轉儀以與成像透鏡242的速度相比的一半的速度旋轉，每個獨立可控元件102看上去相對于其各自的成像透鏡242是大致靜止的。兩個另外的拋物面反射鏡826、擬8使得來自消轉儀擬4的消轉束的環(huán)擴張至移動的成像透鏡M2的可接受的直徑。襯底沿著X方向移動。在這一實施例中，每個獨立可控元件102與成像透鏡242成為一對。因此，不可能將獨立可控元件102安裝在同心環(huán)上，因此不可能獲得跨經(jīng)襯底的寬度的全部覆蓋。約 33%的占空因數(shù)是可能的。在這一實施例中，成像透鏡242是不需要使得場成像的透鏡。圖27顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖布局。在這種布置中，成像透鏡242布置成圍繞在X-Y平面中延伸的方向旋轉(例如旋轉鼓，而不是如例如關于圖 19-26所描述的旋轉輪子)。參考圖27，可移動的成像透鏡242布置在被布置成圍繞例如Y 方向旋轉的鼓上?？梢苿拥某上裢哥R242接收在鼓的旋轉軸線和可移動的成像透鏡242之間的Y方向上的線上延伸的來自獨立可控元件102的輻射。原則上，通過這樣的鼓的可移動的成像透鏡242書寫的線將平行于襯底的掃描方向831。因此，以45°安裝的消轉儀830 布置成旋轉通過鼓的可移動的成像透鏡242制造的線90°，使得成像的線垂直于襯底的掃描方向。襯底沿著X方向移動。對于襯底上的每條條紋，在鼓上將需要可移動的成像透鏡對2的圓圈。如果一個這樣的圓圈可以在襯底上書寫3mm寬的條紋，且襯底為300mm寬，那么可能在鼓上需要 700 (鼓的圓周上的光學裝置)X 100 = 70000個光學組件。如果在鼓上使用圓柱形光學裝置，其可能是較少的。另外，在這一實施例中成像光學裝置可能需要使得特定場成像，其可能使得光學裝置更加復雜。約95%的占空因數(shù)是可能的。這一實施例的優(yōu)點是成像的條紋可以具有大致相等的長度、且是大致平行的且是直的。在這一實施例中，相對容易地用不會與可移動的成像透鏡242 —起移動或結合其一起移動的元件進行局部聚焦。圖觀顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的一部分的示意側視圖布局，且顯示相對于獨立可控元件的成像透鏡M2的組的五個不同的旋轉位置。參考圖觀，設置了在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件102?？梢苿拥某上裢哥R242包括多個透鏡組，每個透鏡組包括場透鏡814和成像透鏡818。襯底沿著X方向移動?？梢苿拥某上裢哥R242的場透鏡814 (例如球面透鏡)相對于獨立可控元件102沿著方向815移動(例如圍繞在成像透鏡242被至少部分地以圓形方式布置時的軸線旋轉)。 場透鏡814朝向可移動成像透鏡242的成像透鏡818 (例如，諸如雙非球面透鏡等非球面透鏡)引導束。如場透鏡814，成像透鏡818相對于獨立可控元件102移動(例如圍繞在成像透鏡242被至少部分地以圓形方式布置時的軸線旋轉)。在這一實施例中，場透鏡814以基本上與成像透鏡818相同的速度移動。場透鏡814的焦平面在位置815處與成像透鏡818的后焦面重合，其提供遠心進入/遠心出去的系統(tǒng)。與圖23的布置相反，成像透鏡818使得特定場成像。場透鏡814的焦距使得用于成像透鏡818的場尺寸小于2至3°的半角。在這種情形中，還可以用一個單個元件的光學裝置(例如雙非球面單個元件)獲得衍射限制成像。布置場透鏡814安裝成在各個場透鏡814之間沒有間距。在這種情形下，獨立可控元件102的占空因數(shù)可以是約 95%。成像透鏡818的焦距使得對于在襯底處的為0. 2的NA，這些透鏡將不會變成大于場透鏡814的直徑。等于場透鏡814的直徑的成像透鏡818的焦距將提供成像透鏡818的直徑，其留下了用于安裝成像透鏡818的足夠空間。由于場角度，可以寫比場透鏡814的節(jié)距略微大的線。另外依賴于成像透鏡818 的焦距，這提供了襯底上的相鄰的獨立可控元件102的成像線之間的重疊。因此，獨立可控元件102可以安裝在與一個環(huán)上的成像透鏡242相同的節(jié)距上。
圖四顯示出圖觀的光刻設備的一部分的示意三維視圖。在這一描述中，5個獨立可控元件102顯示具有5個相關的可移動的成像透鏡組對2?？梢悦靼?，可以提供另外的獨立可控元件102和相關的可移動的成像透鏡組M2。襯底沿著由箭頭擬9顯示的X方向移動。在一實施例中，場透鏡814布置成它們之間沒有間距。光瞳面位于標記817處。為了避免相對小的雙非球面成像透鏡818，減小移動成像透鏡M2的光學裝置的量以及使用標準激光二極管作為獨立可控元件102，在這一實施例中可能使用可移動的成像透鏡242的單個透鏡組使得多個獨立可控元件102成像。只要獨立可控元件102被遠心地成像到每一可移動的成像透鏡242的場透鏡814上，對應的成像透鏡818將使得來自獨立可控元件102的束再次遠心地成像到襯底上。如果例如8條線被同時書寫，那么場透鏡 814的直徑和成像透鏡818的焦距可以被增加8倍，且具有相同的生產(chǎn)量，同時可移動的成像透鏡M2的數(shù)量可以被減小8倍。另外，因為用于使得獨立可控元件102成像到場透鏡 814上所需要的光學裝置的一部分可以是公共的，所以在X-Y平面中基本上靜止的光學裝置可以被減少。在圖30中示意性地顯示通過單個可移動的成像透鏡M2的組同時書寫8 條線的這樣的布置，具有成像透鏡M2的組的旋轉軸線821和成像透鏡242的組距離旋轉軸線821的半徑823。從1. 5mm的節(jié)距至12mm的節(jié)距(在通過單個可移動的成像透鏡242 的組同時書寫8條線時)為安裝作為獨立可控元件102的標準激光二極管留下了足夠的空間。在一實施例中，2M個獨立可控元件102(例如標準激光二極管)可以被使用。在一實施例中，可以使用120個成像透鏡242的組。在一實施例中，可以使用觀個基本上靜止的光學裝置組和2M個獨立可控元件102。在這一實施例中，還相對容易地用不會與可移動的成像透鏡242 —起移動或結合其一起移動的元件進行局部聚焦。只要場透鏡814上的獨立可控元件102的遠心圖像被沿著光軸移動且保持成遠心的，將僅襯底上的圖像的焦點變化，且圖像將保持是遠心的。圖 31顯示用圖觀和四的布置中的移動屋頂控制焦點的示意性布置。兩個折疊的反射鏡832 和屋頂(例如棱鏡或反射鏡組)834放置在來自獨立可控元件102的遠心束中，且在場透鏡 814的前面。通過沿著方向833移動屋頂834遠離或朝向折疊的反射鏡832，圖像被沿著光軸位移，并且因此也相對于襯底位移。因為由于軸向焦點變化等于F/數(shù)的二次方比例，沿著光軸具有大的放大倍數(shù)，所以具有F/2. 5的束的襯底處的25 μ m的離焦將提供在f/37. 5 的束的場透鏡814處的5. 625mm(37. 5/2. 5)2的焦點位移。這意味著屋頂834必須移動其的一半。圖32顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有在X-Y平面中基本上靜止的獨立可控元件和相對于其可移動的光學元件的光刻設備的示意橫截面?zhèn)纫晥D。雖然圖32顯示類似于圖 23的布置，但是它可以修改為適合圖19-22和/或圖M-31中的任一實施例。參考圖32，光刻設備100包括保持襯底的襯底臺106，和在高達6個自由度上移動襯底臺106的定位裝置116。光刻設備100還包括在框架160上布置的多個獨立可控元件102。在這一實施例中，每個獨立可控元件102是輻射發(fā)射二極管，例如激光二極管，諸如藍紫激光二極管。獨立可控元件102布置在框架838上且沿著Y方向延伸。雖然顯示一個框架838，但是光刻設備可以具有與例如在圖5中的陣列200類似地顯示的多個框架838。進一步地布置在框架 838上的是透鏡812和816。框架838和因此獨立可控元件102與透鏡812和816在X-Y
41平面中是基本上靜止的。框架838、獨立可控元件102以及透鏡812和816可以通過致動器 836沿著Z方向移動。在這一實施例中，設置是可旋轉的框架840。場透鏡814和成像透鏡818布置在框架840上，其中場透鏡814和成像透鏡818的組合形成了可移動的成像透鏡M2。在使用中，板圍繞其自身的軸線206旋轉，例如沿著相對于陣列200的由圖5中箭頭顯示的方向。 使用電機216使框架840圍繞軸線206旋轉。另外，可以通過電機216沿著Z方向移動框架840，使得可移動的成像透鏡242可以相對于襯底臺106位移。在這一實施例中，在其中具有孔闌的孔闌結構248可以位于透鏡812的上方、在透鏡812和相關的獨立可控元件102之間?？钻@結構248可以限制透鏡812、相關的獨立可控元件102、和/或相鄰的透鏡812/獨立可控元件102的衍射作用。在一實施例中，光刻設備100包括一個或更多的可移動板890(例如可旋轉板，例如可旋轉盤)，其包括光學元件，例如透鏡。在圖32的實施例中，顯示具有場透鏡814的板 890和具有成像透鏡818的板890。在一實施例中，在使用時光刻設備沒有旋轉的任何反射式光學元件。在一實施例中，光刻設備沒有任何反射式光學元件，其接收來自任意或所有獨立可控元件102的輻射，其在使用時旋轉。在一實施例中，一個或更多的(例如全部)板890 是大致平坦的，例如沒有伸出到一個或更多的板表面上方或下面的光學元件(或光學元件的一部分)。例如這可以通過確保板890是足夠厚的(即至少比光學元件的高度厚且定位光學元件使得它們不會伸出)或通過提供在板890(未顯示)上方的平坦的蓋板來實現(xiàn)。確保板的一個或更多的表面是基本上平坦可以幫助例如在設備處于使用中時減小噪音。另外在下文標以序號的方面中提供了實施例1. 一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上且包括接收所述多個束的透鏡陣列，所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述調制器移動所述透鏡陣列。2.根據(jù)實施例1所述的光刻設備，其中每一透鏡包括沿著從所述調制器至所述襯底的所述多個束中的至少一個束的束路徑布置的至少兩個透鏡。3.根據(jù)實施例2所述的光刻設備，其中所述至少兩個透鏡中的第一透鏡包括場透鏡，所述至少兩個透鏡中的第二透鏡包括成像透鏡。4.根據(jù)實施例3所述的光刻設備，其中所述場透鏡的焦平面與所述成像透鏡的后
焦面重合。5.根據(jù)實施例3或4所述的光刻設備，其中所述成像透鏡包括雙非球面透鏡。6.根據(jù)實施例3-5中任一個所述的光刻設備，其中所述場透鏡的焦距使得所述成像透鏡的場尺寸小于2至3°半角。7.根據(jù)實施例3-6中任一個所述的光刻設備，其中所述成像透鏡的焦距使得對在所述襯底處的為0. 2的NA，所述成像透鏡不會變得大于所述場透鏡的直徑。8.根據(jù)實施例7所述的光刻設備，其中所述成像透鏡的焦距等于所述場透鏡的直徑。9.根據(jù)實施例3-8中任一個所述的光刻設備，其中用所述場透鏡和所述成像透鏡的單一組合使得多個所述束成像。10.根據(jù)實施例3-9中任一個所述的光刻設備，還包括焦點控制裝置，該焦點控制裝置沿著從所述調制器至所述場透鏡的所述多個束中的至少一個束的束路徑布置。11.根據(jù)實施例10所述的光刻設備，其中所述焦點控制裝置包括折疊反射鏡和可移動屋頂。12.根據(jù)實施例3所述的光刻設備，還包括在所述路徑中的透鏡，以將所述束從所
述第一透鏡準直至所述第二透鏡。13.根據(jù)實施例12所述的光刻設備，其中用于準直所述束的在所述路徑中的透鏡相對于所述調制器基本上是靜止的。14.根據(jù)實施例3，12和13中任一個所述的光刻設備，還包括在所述調制器和所述第一透鏡之間的路徑中的透鏡，以朝向所述第一透鏡聚焦所述多個束中的至少一個。15.根據(jù)實施例14所述的光刻設備，其中用于聚焦所述束的在所述路徑中的透鏡相對于所述調制器是基本上靜止的。16.根據(jù)實施例3和12-15中任一個所述的光刻設備，其中所述場透鏡的光軸與所述成像透鏡的光軸重合。17.根據(jù)實施例2所述的光刻設備，其中所述至少兩個透鏡中的第一透鏡包括至少兩個子透鏡，其中所述多個束中的至少一個束在所述兩個子透鏡中間進行聚焦。18.根據(jù)實施例17所述的光刻設備，其中所述至少兩個子透鏡中的每一個具有大致相等的焦距。19.根據(jù)實施例2，17和18中任一個所述的光刻設備，其中所述第一透鏡被布置成朝向所述至少兩個透鏡中的第二透鏡輸出被準直的束。20.根據(jù)實施例2和17-19中任一個所述的光刻設備，配置成以不同于所述至少兩個透鏡中的第二透鏡的速度移動所述至少兩個透鏡中的第一透鏡。21.根據(jù)實施例20所述的光刻設備，其中所述第二透鏡的速度是所述第一透鏡的速度的兩倍。22.根據(jù)實施例1所述的光刻設備，其中每一透鏡包括4f遠心進入/遠心出去的成像系統(tǒng)。23.根據(jù)實施例22所述的光刻設備，其中所述4f遠心進入/遠心出去的成像系統(tǒng)包括至少6個透鏡。24.根據(jù)實施例1所述的光刻設備，還包括在所述調制器和所述透鏡陣列之間的消轉儀。25.根據(jù)實施例M所述的光刻設備，其中所述消轉儀包括pechan棱鏡。26.根據(jù)實施例對或25所述的光刻設備，其中所述消轉儀布置成以所述透鏡陣列的速度的一半移動。27.根據(jù)實施例M-26中任一個所述的光刻設備，還包括拋物面反射鏡，以減小所述調制器和所述消轉儀之間的束的尺寸。28.根據(jù)實施例M-27中任一個所述的光刻設備，還包括拋物面反射鏡，以增加所述消轉儀和所述透鏡陣列之間的束的尺寸。29.根據(jù)實施例1- 中任一個所述的光刻設備，其中所述透鏡陣列相對于所述調制器旋轉。30.根據(jù)實施例1- 中任一個所述的光刻設備，其中所述調制器包括用于發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源。31.根據(jù)實施例1- 中任一個所述的光刻設備，其中所述調制器包括微反射鏡陣列。32.根據(jù)實施例1- 中任一個所述的光刻設備，其中所述調制器包括輻射源和聲-光調制器。33. 一種器件制造方法，包括步驟提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；和使用接收所述多個束的透鏡陣列將所述多個束投影到襯底上；和在所述投影期間，相對于所述束移動所述透鏡陣列。34.根據(jù)實施例33所述的方法，其中每一透鏡包括沿著從所述至少一個束的源至所述襯底的所述多個束中的至少一個束的束路徑布置的至少兩個透鏡。35.根據(jù)實施例34所述的方法，其中所述至少兩個透鏡中的第一透鏡包括場透鏡，所述至少兩個透鏡中的第二透鏡包括成像透鏡。36.根據(jù)實施例35所述的方法，其中所述場透鏡的焦平面與所述成像透鏡的后焦
面重合。37.根據(jù)實施例35或36所述的方法，其中所述成像透鏡包括雙非球面透鏡。38.根據(jù)實施例35-37中任一個所述的方法，其中所述場透鏡的焦距使得所述成像透鏡的場尺寸小于2至3°半角。39.根據(jù)實施例35-38中任一個所述的方法，其中所述成像透鏡的焦距使得對在所述襯底處的為0. 2的NA，所述成像透鏡不會變得大于所述場透鏡的直徑。40.根據(jù)實施例39所述的方法，其中所述成像透鏡的焦距等于所述場透鏡的直徑。41.根據(jù)實施例35-40中任一個所述的方法，其中用所述場透鏡和所述成像透鏡的單一組合使得多個所述束成像。42.根據(jù)實施例35-41中任一個所述的方法，還包括使用在所述多個束中的至少一個束的源和所述場透鏡之間的焦點控制裝置。43.根據(jù)實施例42所述的方法，其中所述焦點控制裝置包括折疊反射鏡和可移動屋頂。44.根據(jù)實施例35所述的方法，還包括使用透鏡將在所述第一透鏡和所述第二透鏡之間的至少一個束準直。45.根據(jù)實施例44所述的方法，其中用于準直所述至少一個束的透鏡相對于所述至少一個束基本上是靜止的。46.根據(jù)實施例35，44和45中任一個所述的方法，還包括使用在所述至少一個束的源和所述第一透鏡之間的路徑中的透鏡，朝向所述第一透鏡聚焦所述多個束中的至少一個。
44
47.根據(jù)實施例46所述的方法，其中用于聚焦所述至少一個束的透鏡相對于所述至少一個束是基本上靜止的。48.根據(jù)實施例35和44_47中任一個所述的方法，其中所述場透鏡的光軸與所述對應的成像透鏡的光軸重合。49.根據(jù)實施例34所述的方法，其中所述至少兩個透鏡中的第一透鏡包括至少兩個子透鏡，其中所述多個束中的至少一個束在所述兩個子透鏡中間進行聚焦。50.根據(jù)實施例49所述的方法，其中所述至少兩個子透鏡中的每一個具有大致相等的焦距。51.根據(jù)實施例34，49和50中任一個所述的方法，其中所述第一透鏡被布置成朝向所述至少兩個透鏡中的第二透鏡輸出被準直的束。52.根據(jù)實施例34和49_51中任一個所述的方法，包括以不同于所述至少兩個透鏡中的第二透鏡的速度移動所述至少兩個透鏡中的第一透鏡。53.根據(jù)實施例52所述的方法，其中所述第二透鏡的速度是所述第一透鏡的速度的兩倍。54.根據(jù)實施例33所述的方法，其中每一透鏡包括4f遠心進入/遠心出去的成像系統(tǒng)。55.根據(jù)實施例討所述的方法，其中所述4f遠心進入/遠心出去的成像系統(tǒng)包括至少6個透鏡。56.根據(jù)實施例33所述的方法，還包括使用在所述束的源和所述透鏡陣列之間的消轉儀對所述束進行消轉。57.根據(jù)實施例56所述的方法，其中所述消轉儀包括pechan棱鏡。58.根據(jù)實施例56或57所述的方法，包括以所述透鏡陣列的速度的一半移動所述消轉儀。59.根據(jù)實施例56-58中任一個所述的方法，還包括使用拋物面反射鏡減小所述束的源和所述消轉儀之間的束的尺寸。60.根據(jù)實施例56-59中任一個所述的方法，還包括使用拋物面反射鏡增加所述消轉儀和所述透鏡陣列之間的束的尺寸。61.根據(jù)實施例33-60中任一個所述的方法，包括相對于所述束旋轉所述透鏡陣列。62.根據(jù)實施例33-61中任一個所述的方法，其中多個獨立可控輻射源中的每一個發(fā)射所述多個束中的每一個。63.根據(jù)實施例33-61中任一個所述的方法，其中微反射鏡陣列發(fā)射多個束。64.根據(jù)實施例33-61中任一個所述的方法，其中輻射源和聲-光調制器產(chǎn)生所述多個束。65. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上且包括接收所述多個束的透鏡陣列，所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述獨立可控輻射源移動所述透鏡陣列。66. 一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；和使用接收所述多個束的透鏡陣列將所述多個束投影到襯底上；和在所述投影期間相對于所述獨立可控輻射源移動所述透鏡陣列。67. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到襯底上且包括接收所述多個束的多個透鏡陣列，所述陣列中的每一個獨立地沿著所述多個束的束路徑布置。68.根據(jù)實施例67所述的光刻設備，其中所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述調制器移動所述透鏡陣列。69.根據(jù)實施例67或68所述的光刻設備，其中每一陣列中的所述透鏡布置在單個主體中。70. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源，配置成將所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光，和配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源，使得僅少于全部所述多個輻射源的多個輻射源可以在任一時刻曝光所述曝光區(qū)域；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。71. —種光刻設備，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束，所述多個輻射源中的至少一個輻射源在它發(fā)射輻射的位置和在它不發(fā)射輻射的位置之間是可移動的；襯底保持器，構造成保持襯底；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。72. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源，配置成將所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光，和配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的至少一個輻射源，使得來自所述至少一個輻射源的輻射同時鄰接來自所述多個輻射源中的至少一個其它的輻射源的輻射或與其重疊；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。73. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，所述多個輻射源中的至少一個輻射源在它可以發(fā)射輻射至所述曝光區(qū)域的位置和它不發(fā)射輻射至所述曝光區(qū)域的位置之間是可移動的，和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。74. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源，所述調制器具有至所述曝光區(qū)域的多個束的輸出，所述輸出具有小于所述多個輻射源的輸出的面積的面積；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。75. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源的陣列，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的各自的曝光區(qū)域，且配置成關于其各自的曝光區(qū)域移動每一陣列，或關于其各自的曝光區(qū)域移動來自每一陣列的所述多個束，或關于所述各自的曝光區(qū)域移動所述陣列和所述多個束，其中在使用時多個陣列中的陣列的各自的曝光區(qū)域鄰接所述多個陣列中的另一陣列的各自的曝光區(qū)域或與其重疊；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。76. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個束，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個和所述多個束，其中在使用時所述輻射源中的每一個在其各自的功率/正向電流曲線的陡峭部分中進行操作；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。77. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個束，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個和所述多個束，其中所述獨立可控輻射源中的每一個包括藍紫激光二極管；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。78. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在至少兩個同心的圓形陣列中；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。79.根據(jù)實施例78所述的光刻設備，其中所述圓形陣列中的至少一個圓形陣列被
47以交錯的方式布置至所述圓形陣列中的至少一個其它的圓形陣列。80. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源圍繞結構的中心布置，且所述結構具有在所述多個輻射源內(nèi)的延伸通過所述結構的開口 ；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。81.根據(jù)實施例80所述的光刻設備，還包括在所述輻射源處或所述輻射源的外部保持支撐結構的支撐件。82.根據(jù)實施例81所述的光刻設備，其中所述支撐件包括允許所述結構移動的軸承。83.根據(jù)實施例81或82所述的光刻設備，其中所述支撐件包括移動所述結構的電機。84. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源圍繞結構的中心布置；支撐件，用于在所述輻射源處或所述輻射源的外部支撐所述結構，所述結構配置成旋轉所述結構或允許旋轉所述結構；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。85.根據(jù)實施例84所述的光刻設備，其中所述支撐件包括允許旋轉所述結構的軸承。86.根據(jù)實施例84或85所述的光刻設備，其中所述支撐件包括旋轉所述結構的電機。87. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構上，所述可移動結構又布置在可移動板上；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。88.根據(jù)實施例87所述的光刻設備，其中所述可移動結構是可旋轉的。89.根據(jù)實施例87或88所述的光刻設備，其中所述可移動板是可旋轉的。90.根據(jù)實施例89所述的光刻設備，其中所述可移動板的旋轉中心不與所述可移動結構的旋轉中心重合。91. 一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至
48所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；流體通道，布置在所述可移動結構中，以提供溫度控制流體至至少鄰近所述多個輻射源；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。92.根據(jù)實施例91所述的光刻設備，還包括位于所述可移動結構中或可移動結構上的傳感器。93.根據(jù)實施例91或92所述的光刻設備，還包括傳感器，所述傳感器位于鄰近所述多個輻射源中的至少一個輻射源的位置但不在所述可移動結構中或所述可移動結構上。94.根據(jù)實施例92或93所述的光刻設備，其中所述傳感器包括溫度傳感器。95.根據(jù)實施例92-94中任一個所述的光刻設備，其中所述傳感器包括配置成測量所述結構的膨脹和/或收縮的傳感器。96. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；散熱片，所述散熱片布置在所述可移動結構中或可移動結構上，以提供對所述結構的溫度控制；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。97.根據(jù)實施例96所述的光刻設備，還包括靜止的散熱片，以與所述可移動結構中或可移動結構上的散熱片配合。98.根據(jù)實施例97所述的光刻設備，包括在所述可移動結構中或在可移動結構上的至少兩個散熱片，所述靜止的散熱片位于所述可移動結構中或可移動結構上的所述散熱片中的至少一個散熱片與所述可移動結構中或所述可移動結構上的所述散熱片中的至少一個其它散熱片之間。99. 一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；流體供給裝置，配置成供給流體至所述結構的外表面，以控制所述結構的溫度；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。100.根據(jù)實施例99所述的光刻設備，其中所述流體供給裝置配置成供給氣體。101.根據(jù)實施例99所述的光刻設備，其中所述流體供給裝置配置成供給液體。102.根據(jù)實施例101所述的光刻設備，還包括流體限制結構，配置成保持所述液體與所述結構接觸。103.根據(jù)實施例102所述的光刻設備，其中所述流體限制結構配置成保持所述結構與所述流體限制結構之間的密封。
104. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；結構上獨立的透鏡，所述透鏡連接在所述多個輻射源中的每一個輻射源附近或連接至所述多個輻射源中的每一個輻射源，且與各自的輻射源一起移動。105.根據(jù)實施例104所述的光刻設備，還包括致動器，配置成相對于其各自的輻射源位移透鏡。106.根據(jù)實施例104或105所述的光刻設備，還包括致動器，配置成相對于支撐所述透鏡的結構和其各自的輻射源位移透鏡和其各自的輻射源。107.根據(jù)實施例105或106所述的光刻設備，其中所述致動器配置成在高達3個自由度上移動所述透鏡。108.根據(jù)實施例104-107中任一個所述的光刻設備，還包括所述多個輻射源中的至少一個輻射源的下游的孔闌結構。109.根據(jù)實施例104-107中任一個所述的光刻設備，其中用高熱導率材料將所述透鏡連接至支撐所述透鏡的結構和其各自的輻射源。110. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；空間相干性破壞裝置，配置成擾亂來自所述多個輻射源中的至少一個輻射源的輻射；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。111.根據(jù)實施例110所述的光刻設備，其中所述空間相干性破壞裝置包括靜止的板，所述至少一個輻射源相對于所述板是可移動的。112.根據(jù)實施例110所述的光刻設備，其中所述空間相干性破壞裝置包括從下述中選出的至少一個相位調制器、旋轉板或振動板。113. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；傳感器，配置成測量與所述多個輻射源中的至少一個輻射源相關的焦點，所述傳感器的至少一部分在所述至少一個輻射源中或所述至少一個輻射源上；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。114.根據(jù)實施例113所述的光刻設備，其中所述傳感器配置成單獨測量與所述輻射源的每一個相關的焦點。115.根據(jù)實施例113或114所述的光刻設備，其中所述傳感器是刀邊緣焦點檢測器。116. —種光刻設備，包括
襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；收發(fā)器，配置成無線地發(fā)射信號和/或功率至所述多個輻射源，以分別控制所述多個輻射源和/或對所述多個輻射源供電；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。117.根據(jù)實施例116所述的光刻設備，其中所述信號包括多個信號，且還包括多路分解器，以朝向各自的輻射源發(fā)送所述多個信號中的每一個信號。118. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；單條線，連接控制器至所述可移動結構，以傳輸多個信號和/或功率至所述多個輻射源，以分別控制所述多個輻射源和/或對其進行供電；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。119.根據(jù)實施例118所述的光刻設備，其中所述信號包括多個信號，且還包括多路分解器，以朝向各自的輻射源發(fā)送所述多個信號中的每一個信號。120.根據(jù)實施例118或119所述的光刻設備，其中所述線包括光學線。121. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；傳感器，測量輻射的特性，通過所述多個輻射源中的至少一個輻射源朝向所述襯底發(fā)射或將要發(fā)射所述輻射；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。122.根據(jù)實施例121所述的光刻設備，其中所述傳感器的至少一部分位于所述襯底保持器中或所述襯底保持器上。123.根據(jù)實施例122所述的光刻設備，其中所述傳感器的至少一部分位于所述襯底保持器中或所述襯底保持器上并且在所述襯底被支撐在所述襯底保持器上所處的區(qū)域的外部的一位置處。124.根據(jù)實施例121-123中任一個所述的光刻設備，其中所述傳感器的至少一部分位于所述襯底的一側，其在使用時基本上沿著所述襯底的掃描方向延伸。125.根據(jù)實施例121-124中任一個所述的光刻設備，其中所述傳感器的至少一部分安裝在支撐所述可移動結構的框架中或框架上。126.根據(jù)實施例121-125中任一個所述的光刻設備，其中所述傳感器配置成測量來自所述曝光區(qū)域外的所述至少一個輻射源的輻射。127.根據(jù)實施例121-126中任一個所述的光刻設備，其中所述傳感器的至少一部分是可移動的。
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128.根據(jù)實施例121-127中任一個所述的光刻設備，還包括控制器，配置成基于所述傳感器的結果校準所述至少一個輻射源。129. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；傳感器，用于測量所述可移動結構的位置；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。130.根據(jù)實施例1 所述的光刻設備，其中所述傳感器的至少一部分安裝在支撐所述可移動結構的框架中或框架上。131. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源中的每一個具有識別或提供識別；傳感器，配置成檢測所述識別；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。132.根據(jù)實施例131所述的光刻設備，其中所述傳感器的至少一部分安裝在支撐所述多個輻射源的框架中或框架上。133.根據(jù)實施例131或132所述的光刻設備，其中所述識別包括來自各自的輻射源的輻射頻率。134.根據(jù)實施例131-133中任一個所述的光刻設備，其中所述識別包括從下述中選擇的至少一個條碼、射頻識別或標記。135. —種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；傳感器，配置成檢測被所述襯底改向的、來自所述多個輻射源中的至少一個輻射源的輻射；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。136.根據(jù)實施例135所述的光刻設備，其中所述傳感器配置成根據(jù)所述改向的輻射確定入射到所述襯底上的來自所述至少一個輻射源的所述輻射的斑的位置。137.根據(jù)實施例70-136中任一個所述的光刻設備，其中所述調制器配置成圍繞基本上平行于所述多個束的傳播方向的軸線旋轉至少一個輻射源。138.根據(jù)實施例70-137中任一個所述的光刻設備，其中所述調制器配置成沿著橫向于所述多個束的傳播方向的方向平移至少一個輻射源。139.根據(jù)實施例70-138中任一個所述的光刻設備，其中所述調制器包括配置成移動所述多個束的束偏轉器。
140.根據(jù)實施例139所述的光刻設備，其中所述束偏轉器是從由下述構成的組中選出的反射鏡、棱鏡和聲-光調制器。141.根據(jù)實施例139所述的光刻設備，其中所述束偏轉器包括多邊形件。142.根據(jù)實施例139所述的光刻設備，其中所述束偏轉器配置成振動。143.根據(jù)實施例139所述的光刻設備，其中所述束偏轉器配置成旋轉。144.根據(jù)實施例70-143中任一個所述的光刻設備，其中所述襯底保持器配置成沿著設置所述多個束的方向移動所述襯底。145.根據(jù)實施例144所述的光刻設備，其中所述襯底的移動是旋轉。146.根據(jù)實施例70-145中任一個所述的光刻設備，其中所述多個輻射源是一起可移動的。147.根據(jù)實施例70-146中任一個所述的光刻設備，其中所述多個輻射源以圓形
方式布置。148.根據(jù)實施例70-147中任一個所述的光刻設備，其中所述多個輻射源布置在板中且彼此間隔開。149.根據(jù)實施例70-148中任一個所述的光刻設備，其中所述投影系統(tǒng)包括透鏡陣列。150.根據(jù)實施例70-149中任一個所述的光刻設備，其中所述投影系統(tǒng)實質上由透鏡陣列構成。151.根據(jù)實施例149或150所述的光刻設備，其中所述透鏡陣列的透鏡具有高的數(shù)值孔徑，所述光刻設備配置使得所述襯底在與所述透鏡相關的輻射的焦點的外面，以有效地降低所述透鏡的數(shù)值孔徑。152.根據(jù)實施例70-151中任一個所述的光刻設備，其中所述輻射源中的每一個包括激光二極管。153.根據(jù)實施例152所述的光刻設備，其中每一激光二極管配置成發(fā)射具有約 405nm的波長的輻射。154.根據(jù)實施例70-153中任一個所述的光刻設備，還包括溫度控制器，配置成在曝光期間將所述多個輻射源保持在大致恒定的溫度。155.根據(jù)實施例IM所述的光刻設備，其中所述控制器配置成在曝光之前加熱所述多個輻射源至處于或接近所述大致恒定的溫度的溫度。156.根據(jù)實施例70-155中任一個所述的光刻設備，包括沿著一方向布置的至少3 個獨立的陣列，所述陣列中每一個包括多個輻射源。157.根據(jù)實施例70-156中任一個所述的光刻設備，其中所述多個輻射源包括至少約1200個輻射源。158.根據(jù)實施例70-157中任一個所述的光刻設備，還包括對準傳感器，以確定所述多個輻射源中的至少一個輻射源與所述襯底之間的對準。159.根據(jù)實施例70-158中任一個所述的光刻設備，還包括水平傳感器，以確定所述襯底相對于所述多個束中的至少一個束的焦點的位置。160.根據(jù)實施例158或159所述的光刻設備，還包括控制器，配置成基于對準傳感器的結果和/或水平傳感器的結果改變所述圖案。
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161.根據(jù)實施例70-160中任一個所述的光刻設備，還包括控制器，配置成基于所述多個輻射源中的至少一個輻射源的溫度的測量或與其相關的溫度的測量改變所述圖案。162.根據(jù)實施例70-161中任一個所述的光刻設備，還包括傳感器，用于測量輻射的特性，所述輻射通過所述多個輻射源中的至少一個輻射源被朝向所述襯底發(fā)射或將被發(fā)射。163. —種光刻設備，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；透鏡陣列，包括多個小透鏡；和襯底保持器，構造成保持襯底，其中在使用期間除了所述透鏡陣列之外在所述多個輻射源和所述襯底之間沒有其它光學裝置。164. —種可編程圖案形成裝置，包括襯底，在所述襯底上具有沿至少一個方向間隔開的輻射發(fā)射二極管的陣列；和透鏡陣列，在所述輻射發(fā)射二極管的輻射下游側處。165.根據(jù)實施例164所述的可編程圖案形成裝置，其中所述透鏡陣列包括具有多個微透鏡的微透鏡陣列，所述微透鏡的數(shù)量對應于輻射發(fā)射二極管的數(shù)量，且被定位以聚焦選擇性地穿過所述輻射發(fā)射二極管中的各自的輻射發(fā)射二極管的輻射、使輻射成為微斑陣列。166.根據(jù)實施例164或165所述的可編程圖案形成裝置，其中所述輻射發(fā)射二極管沿著至少兩個正交的方向間隔開。167.根據(jù)實施例164-166中任一個所述的可編程圖案形成裝置，其中所述輻射發(fā)射二極管嵌入在具有低熱導率的材料中。168. 一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源朝向襯底的曝光區(qū)域提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；移動所述多個輻射源中的至少一個，同時提供所述多個束，使得僅少于全部所述多個輻射源的多個輻射源可以在任一時刻曝光所述曝光區(qū)域；和將所述多個束投影到所述襯底上。169. 一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；在它發(fā)射輻射的位置和它不發(fā)射輻射的位置之間移動所述多個輻射源中的至少一個；和將所述多個束投影到所述襯底上。170. 一種器件制造方法，包括使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的束，且僅使用透鏡陣列將來自所述多個獨立可控輻射源的調制的束投影至襯底。171. 一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的多個電磁輻射束；在曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源的至少一個輻射源，使得來自所述至少一個輻射源的輻射同時鄰接來自所述多個輻射源中的至少一個其它輻射源的輻射或與其重疊；和將所述多個束投影到襯底上。172.根據(jù)實施例168-171中任一個所述的方法，其中所述移動的步驟包括圍繞基本上平行于所述多個束的傳播方向的軸線旋轉至少一個輻射源。173.根據(jù)實施例168-172中任一個所述的方法，其中所述移動的步驟包括沿著橫向于所述多個束的傳播方向的方向平移至少一個輻射源。174.根據(jù)實施例168-173中任一個所述的方法，包括通過使用束偏轉器移動所述多個束。175.根據(jù)實施例174所述的方法，其中所述束偏轉器是由下述部件構成的組中選出的反射鏡、棱鏡和聲-光調制器。176.根據(jù)實施例174所述的方法，其中所述束偏轉器包括多邊形件。177.根據(jù)實施例174所述的方法，其中所述束偏轉器配置成振動。178.根據(jù)實施例174所述的方法，其中所述束偏轉器配置成旋轉。179.根據(jù)實施例168-178中任一個所述的方法，包括沿著所述多個束被設置所在的方向移動所述襯底。180.根據(jù)實施例179所述的方法，其中所述襯底的移動是旋轉。181.根據(jù)實施例168-180中任一個所述的方法，包括一起移動所述多個輻射源。182.根據(jù)實施例168-181中任一個所述的方法，其中所述多個輻射源以圓形方式布置。183.根據(jù)實施例168-182中任一個所述的方法，其中所述多個輻射源布置在板中且彼此間隔開。184.根據(jù)實施例168-183中任一個所述的方法，其中所述投影步驟包括通過使用透鏡陣列將所述束中的每個束的圖像形成在所述襯底上。185.根據(jù)實施例168-184中任一個所述的方法，其中所述投影步驟包括實質上僅使用透鏡陣列將所述束中的每個束的圖像形成在所述襯底上。186.根據(jù)實施例168-185中任一個所述的方法，其中所述輻射源中的每個包括激
光二極管。187.根據(jù)實施例186所述的方法，其中每個激光二極管配置成發(fā)射具有約405nm 的波長的輻射。188. 一種根據(jù)實施例168-187中任一個所述的方法制造的平板顯示器。189. 一種根據(jù)實施例168-187中任一個所述的方法制造的集成電路器件。190. —種輻射系統(tǒng)，包括多個可移動的輻射陣列，每個輻射陣列包括多個獨立可控輻射源，所述多個獨立可控輻射源配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；和電機，配置成移動所述輻射陣列中的每一個。191.根據(jù)實施例190所述的輻射系統(tǒng)，其中所述電機配置成圍繞基本上平行于所述多個束的傳播方向的軸線旋轉所述輻射陣列中的每一個。192.根據(jù)實施例190或191所述的輻射系統(tǒng)，其中所述電機配置成沿著橫向于所述多個束的傳播方向的方向平移所述輻射陣列中的每一個。
193.根據(jù)實施例190-192中任一個所述的輻射系統(tǒng)，還包括束偏轉器，配置成移動所述多個束。194.根據(jù)實施例193所述的輻射系統(tǒng)，其中所述束偏轉器是由下述部件構成的組中選出的反射鏡、棱鏡和聲-光調制器。195.根據(jù)實施例193所述的輻射系統(tǒng)，其中所述束偏轉器包括多邊形件。196.根據(jù)實施例193所述的輻射系統(tǒng)，其中所述束偏轉器配置成振動。197.根據(jù)實施例193所述的輻射系統(tǒng)，其中所述束偏轉器配置成旋轉。198.根據(jù)實施例190-197中任一個所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的多個輻射源一起移動。199.根據(jù)實施例190-198中任一個所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的多個輻射源被以圓形方式布置。200.根據(jù)實施例190-199中任一個所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的所述多個輻射源布置在板中且彼此間隔開。201.根據(jù)實施例190-200中任一個所述的輻射系統(tǒng)，還包括與所述輻射陣列中的每一輻射陣列相關的透鏡陣列。202.根據(jù)實施例201所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的所述多個輻射源中的每一個與相關于所述輻射陣列的透鏡陣列中的透鏡相關。203.根據(jù)實施例190-202中任一個所述的輻射系統(tǒng)，其中所述輻射陣列中的每一輻射陣列的多個源中的每一個包括激光二極管。204.根據(jù)實施例203所述的輻射系統(tǒng)，其中每一激光二極管配置成發(fā)射具有約 405nm的波長的輻射。205. 一種用于曝光襯底至輻射中的光刻設備，所述光刻設備包括具有100-25000 個自發(fā)射式獨立可尋址元件的可編程圖案形成裝置。206.根據(jù)實施例205所述的光刻設備，包括至少400個自發(fā)射式獨立可尋址元件。207.根據(jù)實施例205所述的光刻設備，包括至少1000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。208.根據(jù)實施例205-207中任一個所述的光刻設備，包括小于10000個自發(fā)射式
獨立可尋址元件。209.根據(jù)實施例205-207中任一個所述的光刻設備，包括小于5000個自發(fā)射式獨
立可尋址元件。210.根據(jù)實施例205-209中任一個所述的光刻設備，其中所述自發(fā)射式獨立可尋
址元件是激光二極管。211.根據(jù)實施例205-209中任一個所述的光刻設備，其中所述自發(fā)射式獨立可尋址元件布置成具有從0. 1-3微米的范圍選出的在所述襯底上的斑尺寸。212.根據(jù)實施例205-209中任一個所述的光刻設備，其中所述自發(fā)射式獨立可尋址元件布置成具有約1微米的在所述襯底上的斑尺寸。213. 一種用于曝光襯底至輻射中的光刻設備，所述光刻設備包括可編程圖案形成裝置，所述可編程圖案形成裝置使得IOcm的曝光場長度標準化地具有100-25000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。
214.根據(jù)實施例213所述的光刻設備，包括至少400個自發(fā)射式獨立可尋址元件。215.根據(jù)實施例213所述的光刻設備，包括至少1000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。216.根據(jù)實施例213-215中任一個所述的光刻設備，包括小于10000個自發(fā)射式
獨立可尋址元件。217.根據(jù)實施例213-215中任一個所述的光刻設備，包括小于5000個自發(fā)射式獨
立可尋址元件。218.根據(jù)實施例213-217中任一個所述的光刻設備，其中所述自發(fā)射式獨立可尋
址元件是激光二極管。219.根據(jù)實施例213-217中任一個所述的光刻設備，其中所述自發(fā)射式獨立可尋址元件布置成具有從0. 1-3微米的范圍選出的在所述襯底上的斑尺寸。220.根據(jù)實施例213-217中任一個所述的光刻設備，其中所述自發(fā)射式獨立可尋址元件布置成具有約1微米的在所述襯底上的斑尺寸。221. 一種可編程圖案形成裝置，包括可旋轉盤，所述盤具有100-25000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。222.根據(jù)實施例221所述的可編程圖案形成裝置，其中所述盤包括至少400個自發(fā)射式獨立可尋址元件。223.根據(jù)實施例221所述的可編程圖案形成裝置，其中所述盤包括至少1000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。224.根據(jù)實施例221-223中任一個所述的可編程圖案形成裝置，其中所述盤包括小于10000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。225.根據(jù)實施例221-223中任一個所述的可編程圖案形成裝置，其中所述盤包括小于5000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。226.根據(jù)實施例221-225中任一個所述的可編程圖案形成裝置，其中所述自發(fā)射式獨立可尋址元件是激光二極管。227.在制造平板顯示器中使用一個或更多的本發(fā)明。228.在集成電路封裝中使用一個或更多的本發(fā)明。229. 一種光刻方法，包括使用具有自發(fā)射式元件的可編程圖案形成裝置曝光襯底至輻射中，其中在所述曝光期間操作所述自發(fā)射式元件的所述可編程圖案形成裝置的功耗小于10kW。230.根據(jù)實施例2 所述的方法，其中所述功耗小于5kW。231.根據(jù)實施例2 或230所述的方法，其中所述功耗至少是lOOmW。232.根據(jù)實施例2四_231中任一個所述的方法，其中所述自發(fā)射式元件是激光二極管。233.根據(jù)實施例232所述的方法，其中所述激光二極管是藍紫激光二極管。234. 一種光刻方法，包括使用具有自發(fā)射式元件的可編程圖案形成裝置曝光襯底至輻射中，其中在使用時每一發(fā)射式元件的光輸出是至少lmW。235.根據(jù)實施例234所述的方法，其中所述光輸出是至少10mW。236.根據(jù)實施例234所述的方法，其中所述光輸出是至少50mW。
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237.根據(jù)實施例234-236中任一個所述的方法，其中所述光輸出是小于200mW。238.根據(jù)實施例234-237中任一個所述的方法，其中所述自發(fā)射式元件是激光二極管。239.根據(jù)實施例238所述的方法，其中所述激光二極管是藍紫激光二極管。240.根據(jù)實施例234所述的方法，其中所述光輸出大于5mW但小于或等于20mW。241.根據(jù)實施例234所述的方法，其中所述光輸出大于5mW但小于或等于30mW。242.根據(jù)實施例234所述的方法，其中所述光輸出大于5mW但小于或等于40mW。243.根據(jù)實施例234-242中任一個所述的方法，其中所述自發(fā)射式元件以單一模式進行操作。M4. —種光刻設備，包括可編程圖案形成裝置，具有自發(fā)射式元件；和可旋轉框架，具有用于接收來自所述自發(fā)射式元件的輻射的光學元件，所述光學元件是折射式光學元件。M5. —種光刻設備，包括可編程圖案形成裝置，具有自發(fā)射式元件；和可旋轉框架，具有用于接收來自所述自發(fā)射式元件的輻射的光學元件，所述可旋轉框架沒有接收來自任意或所有所述自發(fā)射式元件的輻射的反射式光學元件。M6. —種光刻設備，包括可編程圖案形成裝置；和可旋轉框架，所述可旋轉框架包括具有光學元件的板，所述具有光學元件的板的表面是平坦的。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設備用于制造特定的裝置或結構(例如集成電路或平板顯示器)，但應當理解這里所述的光刻設備和光刻方法可以有其他的應用。應用包括但不限于集成電路、集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(IXD)、OLED顯示器、薄膜磁頭、微機電器件(MEMS)、微光機電系統(tǒng) (MOEMS)、DNA芯片、封裝(例如倒裝芯片、再分布等)、柔性顯示器或電子裝置(其是顯示器或電子裝置，其可以是滾動的、如紙一樣可彎曲的和保持不變形的、保形的、高低不平的、薄和/或輕質的，例如柔性塑料顯示器)等的制造。另外，例如在平板顯示器中，本發(fā)明的設備和方法可以用于幫助產(chǎn)生各種層，例如薄膜晶體管層和/或濾色片層。本領域技術人員應該理解的是，在這種替代應用的情況中，可以將其中使用的任意術語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(例如，一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將此處的公開內(nèi)容應用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。平板顯示器襯底可以是矩形形狀。設計用于曝光這種類型的襯底的光刻設備可以提供曝光區(qū)域，其覆蓋矩形襯底的全部寬度，或覆蓋所述寬度的一部分(例如寬度的一半)?？梢栽谄毓鈪^(qū)域的下面掃描襯底，同時通過圖案化的束同步掃描圖案形成裝置或圖案形成裝置提供變化的圖案。這樣，所有或一部分期望的圖案被轉移到襯底上。如果曝光區(qū)域覆蓋襯底的全部寬度，那么可以以單次掃描完成曝光。如果曝光區(qū)域覆蓋例如襯底的寬度的一半，那么在第一掃描之后橫向地移動襯底，和通常進行另一掃描以曝光襯底的剩余部分。此處使用的術語“圖案形成裝置”應當廣義地詮釋成表示可以用于調制輻射束的橫截面的任意器件，諸如產(chǎn)生(一部分)襯底中的圖案。應當注意，賦予輻射束的圖案可以不完全對應于襯底的目標部分中的期望的圖案，例如如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。類似地，最終在襯底上產(chǎn)生的圖案可能不對應于在獨立可控元件的陣列上的任一瞬間形成的圖案。這對于以下的布置尤其是這樣的在所述布置中，形成在襯底的每一部分上的最終圖案在給定的時間周期上或在給定數(shù)量的曝光期間建造，在給定的時間周期或給定數(shù)量的曝光期間獨立可控元件的陣列上的圖案和/或襯底的相對位置變化。通常，在襯底的目標部分上產(chǎn)生的圖案將對應于在目標部分中產(chǎn)生的器件中的特定功能層，例如集成電路或平板顯示器(例如平板顯示器中的濾色片層或平板顯示器中的薄膜晶體管層)。這樣的圖案形成裝置的例子包括例如掩模版、可編程反射鏡陣列、激光二極管陣列、發(fā)光二極管陣列、光柵光閥以及LCD陣列。其圖案在電子裝置(例如計算機)的幫助下是可編程的圖案形成裝置在此處被統(tǒng)稱為“對比裝置”，例如包括多個可編程元件的圖案形成裝置，其可以每個調制輻射束的一部分的強度(例如除了掩模版之外在之前的句子中提及的所有器件)，包括具有多個可編程元件的電子可編程圖案形成裝置，其通過相對于輻射束的相鄰部分調制輻射束的一部分的相位來賦予圖案給輻射束。在一實施例中，圖案形成裝置包括至少10個可編程元件，例如至少100，至少1000，至少10000，至少100000，至少1000000，或至少10000000個可編程元件。在下文一定程度上更加詳細地討論這些器件中的幾個的實施例。一可編程反射鏡陣列。可編程反射鏡陣列可以包括矩陣可尋址表面，該矩陣可尋址表面具有粘彈性控制層和反射表面。這樣的設備所依據(jù)的基本原理是例如反射表面的被尋址的區(qū)域反射入射的輻射作為衍射輻射，而未被尋址的區(qū)域反射入射的輻射作為未被衍射的輻射。通過使用適當?shù)目臻g過濾器，可以從反射束中過濾出未被衍射的輻射，僅留下衍射輻射到達襯底。這樣，束根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案變成圖案化的。應當理解，作為替代，過濾器可以過濾掉衍射的輻射，留下到達襯底的未被衍射的輻射。衍射的光學MEMS 器件的陣列也可以以對應的方式使用。衍射的光學MEMS器件可以包括多個反射帶，所述多個反射帶可以相對于彼此變形，以形成反射入射輻射作為衍射輻射的光柵?？删幊谭瓷溏R陣列的另外的實施例采用微小反射鏡的矩陣布置，每個微小反射鏡可以通過施加適合的局部電場或通過采用壓電致動裝置關于軸線獨立地傾斜。傾斜度定義了每一反射鏡的狀態(tài)。 在元件是無缺陷時，反射鏡通過來自控制器的適合的控制信號進行控制。每個無缺陷的元件是可控制的，以采用一系列狀態(tài)中的任意一個，以便調整在投影的輻射圖案中的其對應的像素的強度。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，使得被尋址的反射鏡沿著與未被尋址的反射鏡不同的方向反射入射的輻射束；這樣，反射束可以根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的尋址圖案進行圖案化。可以使用適合的電子方式進行所需要的矩陣尋址。如此處所引述的有關反射鏡陣列的更多的信息可以參考例如美國專利Nos. US 5，296, 891和US5，523，193以及PCT專利申請公開Nos. WO 98/38597和WO 98/33096，通過參考將它們的全部內(nèi)容并入本文中。一可編程IXD陣列。在美國專利No. US 5，229，872中提供了這樣的構造的例子，通過參考將其全部內(nèi)容并入本文中。光刻設備可以包括一個或更多的圖案形成裝置，例如一個或更多的對比裝置。例如，它可以具有多個獨立可控元件的陣列，每個彼此獨立地進行控制。在這樣的布置中，獨立可控元件中的一些或全部陣列可以具有至少一個公共的照射系統(tǒng)(或照射系統(tǒng)的一部分)、用于獨立可控元件的陣列的公共支撐結構和/或公共的投影系統(tǒng)(或投影系統(tǒng)的一部分)。應當理解，在預先偏置特征、光學鄰近校正特征、相位變化技術和/或多重曝光技術被使用時，例如在獨立可控元件的陣列上“顯示的”圖案可以基本上不同于最終轉移到襯底的一個層或襯底上的圖案。類似地，最終在襯底上產(chǎn)生的圖案可能不對應于在獨立可控元件的陣列上在任一瞬間形成的圖案。這對以下布置尤其是這樣的在所述布置中，形成在襯底的每一部分上的最終圖案在給定的時間周期上或在給定數(shù)量的曝光上建造，在給定的時間周期或給定數(shù)量的曝光期間獨立可控元件的陣列上的圖案和/或襯底的相對位置變化。投影系統(tǒng)和/或照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射式、反射式、磁性式、電磁式、靜電式或其它類型的光學部件，或它們的任意組合，以引導、成形或控制輻射
束ο所述光刻設備可以是具有兩個(例如雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。光刻設備還可以是至少一部分襯底可以被具有相對高折射率的“浸沒液體”(例如水)覆蓋、以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的類型。浸沒液體還可以被施加至光刻設備中的其它空間，例如在圖案形成裝置和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。如在此處所使用的術語“浸沒”并不意味著諸如襯底等結構必須浸沒在液體中，相反而是意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。另外，設備可以設置有流體處理單元，以允許流體和襯底的照射部分之間的相互作用(例如選擇性地連接化學品至襯底或選擇性地修改襯底的表面結構)。在一實施例中，襯底具有大致圓形形狀，可選地具有沿著其的周邊的一部分的凹口和/或平坦化的邊緣。在一實施例中，襯底具有多邊形形狀，例如矩形形狀。襯底具有大致圓形形狀的實施例包括這樣的實施例，其中襯底的直徑為至少25mm，例如至少50mm，至少75mm,至少100mm,至少125mm,至少150mm,至少175mm,至少200mm,至少250mm,或至少 300mm。在一實施例中，襯底的直徑為至多500mm，至多400mm，至多350mm，至多300mm，至多 250mm，至多200mm，至多150mm，至多100mm，或至多75mm。襯底為多邊形(例如矩形)的實施例包括是襯底的至少1個側邊，例如至少2個側邊或至少3個側邊具有至少5cm，例如至少25cm，至少50cm，至少100cm，至少150cm，至少200cm，或至少250cm的長度的實施例。在一實施例中，襯底的至少1個側邊具有的長度為至多1000cm，例如至多750cm，至多500cm， 至多350cm，至多250cm，至多150cm，或至多75cm。在一實施例中，襯底是具有長度為約 250-350cm且寬度為約250-300cm的矩形襯底。襯底的厚度可以變化，且一定程度上可以依賴于例如襯底材料和/或襯底尺寸。在一實施例中，厚度是至少50 μ m，例如至少100 μ m， 至少200 μ m，至少300 μ m，至少400 μ m，至少500 μ m，或至少600 μ m。在一實施例中，襯底的厚度是至多5000 μ m,例如至多:3500 μ m,至多2500 μ m，至多1750 μ m，至多1250 μ m，至多1000 μ m,至多800 μ m,至多600 μ m,至多500 μ m,至多400 μ m,或至多300 μ m。這里所
指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)中?？梢栽谄毓庵盎蚱毓庵鬁y量襯底的性質，例如在量測工具和/或檢驗工具中。在一實施例中，將抗蝕劑層設置在襯底上。在一實施例中，襯底是晶片，例如半導體晶片。在一實施例中，晶片材料是從由Si，SiGe, SiGeC, SiC, Ge，GaAs, InP和hAs構成的組中選擇的。在一實施例中，晶片是III/V族化合物半導體晶片。在一實施例中，晶片是硅晶片。在一實施例中，襯底是陶瓷襯底。在一實施例中，襯底是玻璃襯底。玻璃襯底可能是有用的，例如在制造平板顯示器和液晶顯示器面板時。在一實施例中，襯底是塑料襯底。 在一實施例中，襯底是透明的(對于人的肉眼)。在一實施例中，襯底是具有顏色的。在一實施例中，襯底是沒有顏色的。雖然在一實施例中圖案形成裝置104如在上文描述和/或顯示成在襯底114之上，但是它可以替代或另外地位于襯底114的下面。另外，在一實施例中，圖案形成裝置104 和襯底114可以是肩并肩地，例如圖案形成裝置104和襯底114垂直地延伸，圖案被水平地投影。在一實施例中，提供圖案形成裝置104以至少曝光襯底114的兩個相對的側面。例如，可以至少在襯底114的每個各自的相對側面上具有至少兩個圖案形成裝置104，以曝光這些側面。在一實施例中，可能具有單個圖案形成裝置104，以投影襯底114的一個側面和適合的光學裝置(例如束引導反射鏡)而投影來自單個圖案形成裝置104的圖案到襯底 114的另一側面上。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實施例，但是應該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或者采取具有在其中存儲的這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質的形式(例如，半導體存儲器、磁盤或光盤)。另外，雖然在特定的實施例和例子的情形下公開了本發(fā)明，但是本領域的技術人員應當理解，本發(fā)明延伸超過特定公開的實施例至其它的可替代的實施例和/或本發(fā)明的使用和其顯而易見的修改和等價物。另外，盡管詳細地顯示和描述了本發(fā)明的許多變形，但是在本發(fā)明的范圍內(nèi)的其它修改基于這一公開對本領域技術人員是容易明白的。例如，設想實施例的特定特征和方面的各種組合或子組合可以被進行且仍然落到本發(fā)明的范圍內(nèi)。 因此，應當理解，公開的實施例的各種特征和方面可以彼此結合或替代，用于形成公開的本發(fā)明的變化的模式。例如在一實施例中，圖5的可移動的獨立可控元件的實施例可以與獨立可控元件的不可移動的陣列組合，例如提供或具有備份系統(tǒng)。因此，盡管在上文描述了本發(fā)明的各種實施例，但是應當理解，僅通過舉例的方式顯示出它們，且不是限制性的。相關領域的技術人員應當明白，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以對本發(fā)明在形式和細節(jié)上進行各種變化。因此，本發(fā)明的寬度和范圍不應當被上文描述的示例性實施例中的任意一個限制，而是應當僅根據(jù)隨附的權利要求和它們的等同物來進行限定。
6權利要求
1.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上且包括接收所述多個束的透鏡陣列，所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述調制器移動所述透鏡陣列。
2.根據(jù)權利要求1所述的光刻設備，其中，每一透鏡包括沿著從所述調制器至所述襯底的所述多個束中的至少一個的束路徑布置的至少兩個透鏡。
3.根據(jù)權利要求2所述的光刻設備，其中，所述至少兩個透鏡中的第一透鏡包括場透鏡，所述至少兩個透鏡中的第二透鏡包括成像透鏡。
4.根據(jù)權利要求3所述的光刻設備，其中，所述場透鏡的焦平面與所述成像透鏡的后焦面重合。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的光刻設備，其中，所述成像透鏡包括雙非球面透鏡。
6.根據(jù)權利要求3-5中任一項所述的光刻設備，其中，所述場透鏡的焦距使得所述成像透鏡的場尺寸小于2至3°半角。
7.根據(jù)權利要求3-6中任一項所述的光刻設備，其中，所述成像透鏡的焦距使得對在所述襯底處的為0. 2的NA，所述成像透鏡不會變得大于所述場透鏡的直徑。
8.根據(jù)權利要求7所述的光刻設備，其中，所述成像透鏡的焦距等于所述場透鏡的直徑。
9.根據(jù)權利要求3-8中任一項所述的光刻設備，其中，用所述場透鏡和所述成像透鏡的單一組合使得多個所述束成像。
10.根據(jù)權利要求3-9中任一項所述的光刻設備，還包括焦點控制裝置，該焦點控制裝置沿著從所述調制器至所述場透鏡的所述多個束中的至少一個束的束路徑布置。
11.根據(jù)權利要求10所述的光刻設備，其中，所述焦點控制裝置包括折疊反射鏡和可移動屋頂。
12.根據(jù)權利要求3所述的光刻設備，還包括在所述路徑中的透鏡，以將所述束從所述第一透鏡準直至所述第二透鏡。
13.根據(jù)權利要求12所述的光刻設備，其中，用于準直所述束的在所述路徑中的透鏡相對于所述調制器基本上是靜止的。
14.根據(jù)權利要求3，12和13中任一項所述的光刻設備，還包括在所述調制器和所述第一透鏡之間的路徑中的透鏡，以朝向所述第一透鏡聚焦所述多個束中的至少一個。
15.根據(jù)權利要求14所述的光刻設備，其中，用于聚焦所述束的在所述路徑中的透鏡相對于所述調制器是基本上靜止的。
16.根據(jù)權利要求3和12-15中任一項所述的光刻設備，其中，所述場透鏡的光軸與所述成像透鏡的光軸重合。
17.根據(jù)權利要求2所述的光刻設備，其中，所述至少兩個透鏡中的第一透鏡包括至少兩個子透鏡，其中所述多個束中的至少一個束在所述兩個子透鏡中間被聚焦。
18.根據(jù)權利要求17所述的光刻設備，其中，所述至少兩個子透鏡中的每一個具有大致相等的焦距。
19.根據(jù)權利要求2，17和18中任一項所述的光刻設備，其中，所述第一透鏡被布置成朝向所述至少兩個透鏡中的第二透鏡輸出被準直的束。
20.根據(jù)權利要求2和17-19中任一項所述的光刻設備，配置成以不同于所述至少兩個透鏡中的第二透鏡的速度移動所述至少兩個透鏡中的第一透鏡。
21.根據(jù)權利要求20所述的光刻設備，其中，所述第二透鏡的速度是所述第一透鏡的速度的兩倍。
22.根據(jù)權利要求1所述的光刻設備，其中，每一透鏡包括4f遠心進入/遠心出去的成像系統(tǒng)。
23.根據(jù)權利要求22所述的光刻設備，其中，所述4f遠心進入/遠心出去的成像系統(tǒng)包括至少6個透鏡。
24.根據(jù)權利要求1所述的光刻設備，還包括在所述調制器和所述透鏡陣列之間的消轉儀。
25.根據(jù)權利要求M所述的光刻設備，其中，所述消轉儀包括pechan棱鏡。
26.根據(jù)權利要求M或25所述的光刻設備，其中，所述消轉儀布置成以所述透鏡陣列的速度的一半移動。
27.根據(jù)權利要求M-26中任一項所述的光刻設備，還包括拋物面反射鏡，以減小所述調制器和所述消轉儀之間的束的尺寸。
28.根據(jù)權利要求M-27中任一項所述的光刻設備，還包括拋物面反射鏡，以增加所述消轉儀和所述透鏡陣列之間的束的尺寸。
29.根據(jù)權利要求1- 中任一項所述的光刻設備，其中，所述透鏡陣列相對于所述調制器旋轉。
30.根據(jù)權利要求1- 中任一項所述的光刻設備，其中，所述調制器包括用于發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源。
31.根據(jù)權利要求1- 中任一項所述的光刻設備，其中，所述調制器包括微反射鏡陣列。
32.根據(jù)權利要求1- 中任一項所述的光刻設備，其中，所述調制器包括輻射源和聲-光調制器。
33.一種器件制造方法，包括步驟提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；和使用接收所述多個束的透鏡陣列將所述多個束投影到襯底上；和在所述投影期間，相對于所述束移動所述透鏡陣列。
34.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上且包括接收所述多個束的透鏡陣列，所述投影系統(tǒng)配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述獨立可控輻射源移動所述透鏡陣列。
35.一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；和使用接收所述多個束的透鏡陣列將所述多個束投影到襯底上；和在所述投影期間相對于所述獨立可控輻射源移動所述透鏡陣列。
36.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到襯底上且包括接收所述多個束的多個透鏡陣列，所述陣列中的每一個獨立地沿著所述多個束的束路徑布置。
37.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光，和配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源，使得僅少于全部所述多個輻射源的多個輻射源能夠在任一時刻曝光所述曝光區(qū)域；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
38.一種光刻設備，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束，所述多個輻射源中的至少一個輻射源在它發(fā)射輻射的位置和在它不發(fā)射輻射的位置之間是可移動的； 襯底保持器，構造成保持襯底；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
39.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括發(fā)射電磁輻射的多個獨立可控輻射源，配置成使所述襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光，和配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的至少一個輻射源，使得來自所述至少一個輻射源的輻射同時鄰接來自所述多個輻射源中的至少一個其它的輻射源的輻射或與其重疊；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
40.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，所述多個輻射源中的至少一個輻射源在它能夠發(fā)射輻射至所述曝光區(qū)域的位置和它不能夠發(fā)射輻射至所述曝光區(qū)域的位置之間是可移動的，和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
41.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成在所述曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源，所述調制器具有至所述曝光區(qū)域的多個束的輸出，所述輸出具有小于所述多個輻射源的輸出的面積的面積；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
42.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源的陣列，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的各自的曝光區(qū)域，且配置成關于其各自的曝光區(qū)域移動每一陣列，或關于其各自的曝光區(qū)域移動來自每一陣列的所述多個束，或關于所述各自的曝光區(qū)域移動所述陣列和所述多個束，其中在使用時多個陣列中的陣列的各自的曝光區(qū)域鄰接所述多個陣列中的另一陣列的各自的曝光區(qū)域或與其重疊；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
43.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個束，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個和所述多個束，其中在使用時所述輻射源中的每一個在其各自的功率/正向電流曲線的陡峭部分中進行操作；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
44.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個束，或關于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個和所述多個束，其中所述獨立可控輻射源中的每一個包括藍紫激光二極管；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
45.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在至少兩個同心的圓形陣列中；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
46.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源圍繞結構的中心布置，且所述結構具有在所述多個輻射源內(nèi)的延伸通過所述結構的開口 ；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
47.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源圍繞結構的中心布置；支撐件，用于在所述輻射源處或所述輻射源外支撐所述結構，所述支撐件配置成旋轉所述結構或允許旋轉所述結構；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
48.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構上，所述可移動結構又布置在可移動板上；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
49.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；流體通道，布置在所述可移動結構中，以提供溫度控制流體至至少鄰近所述多個輻射源；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
50.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；散熱片，所述散熱片布置在所述可移動結構中或可移動結構上，以提供對所述結構的溫度控制；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
51.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；流體供給裝置，配置成供給流體至所述結構的外表面，以控制所述結構的溫度；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
52.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；結構上獨立的透鏡，靠近所述多個輻射源的每一個輻射源連接或連接至所述多個輻射源的每一個輻射源，且與各自的輻射源一起移動。
53.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；空間相干性破壞裝置，配置成擾亂來自所述多個輻射源的至少一個輻射源的輻射；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
54.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；傳感器，配置成測量與所述多個輻射源的至少一個輻射源相關的焦點，所述傳感器的至少一部分在所述至少一個輻射源中或所述至少一個輻射源上；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
55.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；收發(fā)器，配置成無線地發(fā)射信號和/或功率至所述多個輻射源，以分別控制所述多個輻射源和/或對所述多個輻射源供電；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
56.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上；單條線，連接控制器至所述可移動結構，用以傳輸多個信號和/或功率至所述多個輻射源，以分別控制所述多個輻射源和/或對其進行供電；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
57.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；傳感器，測量輻射的特性，其中通過所述多個輻射源中的至少一個輻射源朝向所述襯底發(fā)射或將要發(fā)射所述輻射；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
58.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源布置在可移動結構中或可移動結構上； 傳感器，用于測量所述可移動結構的位置；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
59.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個，所述多個輻射源中的每一個具有識別或提供識別； 傳感器，配置成檢測所述識別；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
60.一種光刻設備，包括襯底保持器，構造成保持襯底；調制器，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束至所述襯底的曝光區(qū)域，且配置成相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的每一個；傳感器，配置成檢測被所述襯底改向的、來自所述多個輻射源的至少一個輻射源的輻射；和投影系統(tǒng)，配置成將所述調制的束投影到所述襯底上。
61.一種光刻設備，包括多個獨立可控輻射源，配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束； 透鏡陣列，包括多個小透鏡；和襯底保持器，構造成保持襯底，其中在使用期間除了所述透鏡陣列之外在所述多個輻射源和所述襯底之間沒有其它光學裝置。
62.一種可編程圖案形成裝置，包括襯底，在所述襯底上具有沿至少一個方向間隔開的輻射發(fā)射二極管的陣列；和透鏡陣列，在所述輻射發(fā)射二極管的輻射下游側處。
63.一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源朝向襯底的曝光區(qū)域提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束； 移動所述多個輻射源中的至少一個，同時提供所述多個束，使得僅少于全部所述多個輻射源的多個輻射源能夠在任一時刻曝光所述曝光區(qū)域；和將所述多個束投影到所述襯底上。
64.一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束； 在它發(fā)射輻射的位置和它不發(fā)射輻射的位置之間移動所述多個輻射源中的至少一個；和將所述多個束投影到所述襯底上。
65.一種器件制造方法，包括使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的束，且僅使用透鏡陣列將來自所述多個獨立可控輻射源的調制的束投影至襯底。
66.一種器件制造方法，包括步驟使用多個獨立可控輻射源提供根據(jù)期望的圖案調制的多個電磁輻射束；在曝光區(qū)域的曝光期間相對于所述曝光區(qū)域移動所述多個輻射源中的至少一個輻射源，使得來自所述至少一個輻射源的輻射同時鄰接來自所述多個輻射源中的至少一個其它輻射源的輻射或與其重疊；和將所述多個束投影到襯底上。
67.一種輻射系統(tǒng)，包括多個可移動的輻射陣列，每個輻射陣列包括多個獨立可控輻射源，所述多個獨立可控輻射源配置成提供根據(jù)期望的圖案調制的多個束；和電機，配置成移動所述輻射陣列中的每一個。
68.一種用于曝光襯底至輻射中的光刻設備，所述光刻設備包括具有100-25000個自發(fā)射式的獨立可尋址元件的可編程圖案形成裝置。
69.一種用于曝光襯底至輻射的光刻設備，所述光刻設備包括可編程圖案形成裝置，所述可編程圖案形成裝置使得IOcm的曝光場長度標準化地具有100-25000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。
70.一種可編程圖案形成裝置，包括可旋轉盤，所述盤具有100-25000個自發(fā)射式獨立可尋址元件。
71.一種光刻方法，包括使用具有自發(fā)射式元件的可編程圖案形成裝置使襯底曝光至輻射中，其中在所述曝光期間操作所述自發(fā)射式元件的所述可編程圖案形成裝置的功耗小于 10kW。
72.—種光刻方法，包括使用具有自發(fā)射式元件的可編程圖案形成裝置使襯底曝光至輻射中，其中在使用時每一發(fā)射式元件的光輸出是至少lmW。
73.一種光刻設備，包括可編程圖案形成裝置，具有自發(fā)射式元件；和可旋轉框架，具有用于接收來自所述自發(fā)射式元件的輻射的光學元件，所述光學元件是折射式光學元件。
74.一種光刻設備，包括可編程圖案形成裝置，具有自發(fā)射式元件；和可旋轉框架，具有用于接收來自所述自發(fā)射式元件的輻射的光學元件，所述可旋轉框架沒有接收來自任意或所有所述自發(fā)射式元件的輻射的反射式光學元件。
75.一種光刻設備，包括可編程圖案形成裝置；和可旋轉框架，所述可旋轉框架包括具有光學元件的板，所述具有光學元件的板的表面是平坦的。
76.在制造平板顯示器中使用一個或更多的所要求保護的本發(fā)明的應用。
77.在集成電路的封裝中使用一個或更多的所要求保護的本發(fā)明的應用。
78.根據(jù)所要求保護的方法中的任一方法制造的平板顯示器。
79.根據(jù)所要求保護的方法中的任一方法制造的集成電路器件。
全文摘要
在一個實施例中，公開了一種光刻設備，所述光刻設備包括調制器，配置成使襯底的曝光區(qū)域由根據(jù)期望的圖案調制的多個束進行曝光；和投影系統(tǒng)，配置成將調制后的束投影到襯底上。調制器可以是相對于曝光區(qū)域可移動的和/或投影系統(tǒng)可以具有用于接收多個束的透鏡陣列，所述透鏡陣列相對于曝光區(qū)域是可移動的。
文檔編號G03F7/20GK102203674SQ200980137090
公開日2011年9月28日 申請日期2009年9月21日 優(yōu)先權日2008年9月22日
發(fā)明者E·J·范茲維特, J·P·H·本肖普, P·W·H·德賈格, V·Y·拜尼恩, 桂成群, 約翰內(nèi)斯·昂伍李 申請人:Asml荷蘭有限公司