專利名稱：改善半導(dǎo)體工藝中光刻圖案線條邊緣粗糙度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及通過(guò)離子注入方法來(lái)改善線條邊緣粗 糙度的工藝。
背景技術(shù)：
隨著集成電路(IC)的尺寸不斷降低，半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)規(guī)則從65nm縮小到45nm， 目前已向32nm甚至更小尺寸的工藝方向發(fā)展。在縮小工藝尺寸的過(guò)程中，光刻工藝是最 重要的步驟之一。然而，由光刻膠(光刻膠層)曝光工藝引起的對(duì)圖案的線條邊緣粗糙度 (LER)的影響變得越來(lái)越明顯，甚至在65nm節(jié)點(diǎn)以下的工藝中無(wú)法接受。因此，必須通過(guò)提 高對(duì)設(shè)備的要求來(lái)改善圖案的LER。2003年在ICMI會(huì)議上發(fā)表的Calvin Gabriel的文章中，對(duì)用于測(cè)量線條邊緣凸 凹不平的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)討論如下“2002ITRS計(jì)量學(xué)路線圖對(duì)于如何量化LER給出一種定義 在等于四倍于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的距離上所評(píng)估的局部線條寬度變化(總計(jì)3處，包括所有頻率分 量，兩邊邊緣)。這個(gè)定義在VeraSEM或NanoSEM上很容易編程這些工具通過(guò)在所關(guān)注的 特征上進(jìn)行32或更多次線條掃描來(lái)測(cè)量臨界尺寸，根據(jù)用戶定義的測(cè)量邏輯框每次線條 掃描與前一次掃描相隔小的增量。這些掃描的3-sigma標(biāo)準(zhǔn)偏差符合ITRS定義，在軟件業(yè) 報(bào)道為Sigma (B)?！盠ER可以按下述方式量化，S卩在一系列位置上測(cè)量線條的寬度，并在一 定的間距上平均其變化，所述間距的長(zhǎng)度至少四倍于特征的寬度。Hitachi⑶SEM在Ιμπι 邏輯框上測(cè)量32點(diǎn)來(lái)測(cè)量LER。Applied Material NanoSEM在2 μ m的矩形上測(cè)量60個(gè) 點(diǎn)ο下面以形成淺隔離溝槽的工藝為例來(lái)說(shuō)明由曝光工藝引起的對(duì)圖案的線條邊緣 粗糙度的影響。圖1A-1C是傳統(tǒng)工藝形成淺隔離溝槽的示意圖。首先，如圖IA所示，在襯 底100的表面上沉積氧化物層101，再以化學(xué)氣相沉積等方法在氧化物層101上沉積氮化硅 層102。然后，如圖IB所示，在氮化硅層102上旋涂底部抗反射涂層103，在底部抗反射涂 層103表面涂敷光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影等工藝，形成具有圖案的光刻膠層104。最 后，如圖IC所示，對(duì)底部抗反射涂層103、氮化硅層102、氧化物層101和襯底100依次進(jìn)行 刻蝕，形成溝槽，然后以灰化的方式去除光刻膠層104。圖2A和2B分別是按照?qǐng)D1所示的傳統(tǒng)工藝形成的溝槽的掃描電鏡俯視圖和截面 圖。如圖2A所示，線條邊緣凸凹不平，線條彎曲嚴(yán)重。沿一線條選取32個(gè)點(diǎn)分別測(cè)量線寬， 然后在一定的間距上平均其變化，計(jì)算得到線條邊緣粗糙度平均值為12nm。如圖2B所示， 溝槽的側(cè)壁界線不清晰。在現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域中已采用了以下方法來(lái)改善LER，即使用先進(jìn)的曝光技術(shù)、采用浸 沒(méi)式光刻技術(shù)、雙構(gòu)圖工藝來(lái)擴(kuò)展以及使用較薄的光刻膠層并在刻蝕過(guò)程中使用掩膜。然 而，在現(xiàn)有技術(shù)中采用上述方法仍存在很大困難。先進(jìn)的曝光技術(shù)中，采用的曝光光束的波 長(zhǎng)以達(dá)到比紫外光頻率更高的超紫外光(EUV)，即所謂的EUV光刻技術(shù)，受到很大關(guān)注。但 是，在短期內(nèi)EUV很難應(yīng)用到生產(chǎn)并成為主流技術(shù)。目前。采用浸沒(méi)式光刻技術(shù)對(duì)設(shè)備的要求很高，因?yàn)榻](méi)式光刻技術(shù)是將某種液體充滿投影物鏡最后一個(gè)透鏡的下表面與硅片 之間來(lái)增加系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，所以提高了成本。通過(guò)雙構(gòu)圖工藝可以擴(kuò)展對(duì)給定曝光工具 的限制，然而，眾所周知，雙構(gòu)圖工藝相當(dāng)復(fù)雜，并由于對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題使對(duì)圖案覆蓋的要求更加 苛刻、同時(shí)引起產(chǎn)量降低以及成本增加等問(wèn)題。另外，還可以通過(guò)使用較薄的光刻膠層來(lái)提 高光刻性質(zhì)并在刻蝕過(guò)程中使用掩膜，來(lái)擴(kuò)展對(duì)給定曝光工具的限制。然而，該方法工藝過(guò) 程復(fù)雜，因此提高了對(duì)各環(huán)節(jié)的技術(shù)要求。目前，提出一種根據(jù)傳統(tǒng)工藝改進(jìn)的采用無(wú)定形碳作為硬掩膜形成圖案的工藝。圖3A-3F是根據(jù)傳統(tǒng)工藝改進(jìn)的采用硬掩膜形成圖案的示意圖。如圖3A所示，在 襯底300表面上沉積氧化物層301，再以CVD等方法在氧化物層301上沉積氮化硅302。接 著，如圖:3B所示，在氮化硅302上以CVD等方法沉積厚度為200 300人的緩沖層303，該 緩沖層303可以是等離子體增強(qiáng)氧化物(PEOX)，也可以是原子層沉積(ALD)方法形成的氧 化物膜或氮化物膜。如圖3C所示，在緩沖層303表面上涂覆一層厚度為2500 3500人的 無(wú)定形碳層304。如圖3D所示，為了降低氮化硅的反射率，在無(wú)定形碳層304表面上以CVD 方法沉積厚度為170 370人介質(zhì)抗反射涂層305。如圖3E所示，在介質(zhì)抗反射涂層305 上沉積厚度為750 900人的底部抗反射涂層306，來(lái)減少光刻膠底部光的反射。在底部抗 反射涂層306表面涂敷光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影等工藝，形成具有圖案的光刻膠層 307。最后，如圖3F所示，對(duì)緩沖層303、氮化硅302、氧化物層301和襯底300依次進(jìn)行刻 蝕，形成溝槽，然后以灰化的方式去除光刻膠層307。這種根據(jù)傳統(tǒng)工藝改進(jìn)的采用無(wú)定形碳作為硬掩膜形成圖案的方法在一定程度 上可以改善圖案的LER，但是存在工藝復(fù)雜的缺點(diǎn)。另外，無(wú)定形碳價(jià)格昂貴，大大提高了制 作成本。其次，由于無(wú)定形碳材質(zhì)具有多孔性，質(zhì)地疏松，在光刻階段極易受到損傷，將會(huì)導(dǎo) 致圖案不能精確地轉(zhuǎn)移，降低器件的良品率。于是，需要一種簡(jiǎn)單的制造工藝，使得光刻圖案的LER變小，且能使制作成本下 降。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn) 一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的 關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。本發(fā)明提出了一種改善半導(dǎo)體工藝中光刻圖案線條邊緣粗糙度的方法，所述方法 包括在需要形成圖案的半導(dǎo)體層上涂覆光刻膠；對(duì)所述光刻膠曝光顯影，以形成帶有圖 案的光刻膠；對(duì)所述帶有圖案的光刻膠進(jìn)行離子注入，以形成硬掩膜；以所述硬掩膜為掩 膜對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，其中所述半導(dǎo)體工藝為形成淺隔離溝槽或接觸孔。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，其中所述光刻膠層的厚度是1800 2200人。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，其中所述離子注入的能量在10 30KeV范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，其中所述離子注入的劑量在IXlO15 lX1016atom/ cm2范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，其中所述離子注入的束流量大于10mA。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，其中注入離子為重離子。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，其中所述重離子為氬離子或砷離子。利用本發(fā)明的工藝可以顯著改善圖案的線邊緣粗糙度，同時(shí)工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖1A-1C是傳統(tǒng)工藝形成淺隔離溝槽的示意圖；圖2A和2B分別是按照?qǐng)D1所示的傳統(tǒng)工藝形成的溝槽的掃描電鏡平面像和截面 像；圖3A-3F是根據(jù)傳統(tǒng)工藝改進(jìn)的采用硬掩膜形成圖案的示意圖；圖4A-4E是根據(jù)本發(fā)明的工藝形成溝槽的示意圖；圖5A和5B分別是根據(jù)本發(fā)明的工藝形成的溝槽的掃描電鏡平面像和截面像；圖6A-6D是根據(jù)本發(fā)明的工藝形成接觸孔的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明形成溝槽/接觸孔的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然 而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以 實(shí)施。在其它的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn) 行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說(shuō)明本發(fā)明是如 何利用光刻膠穩(wěn)定化注入工藝來(lái)改善圖案的線條邊緣粗糙度的。顯然，本發(fā)明的施行并不 限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然 而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其它實(shí)施方式。為了解決光刻工藝中隨線寬尺寸縮小而引起的線條邊緣粗糙度問(wèn)題，本發(fā)明提出 了一種在現(xiàn)有設(shè)備基礎(chǔ)上采用低成本和簡(jiǎn)單的光刻膠穩(wěn)定化注入工藝來(lái)改善線條邊緣粗 糙度的方法。下面描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，采用光刻膠穩(wěn)定化注入工藝形成溝槽的方法。圖4A-4E是根據(jù)本發(fā)明的工藝形成溝槽的示意圖。如圖4A所示，在襯底400表面上形成厚度為70 170人的氧化物層401。該氧 化物層401將作為隔離層保護(hù)有源區(qū)在移除隨后生長(zhǎng)的氮化物的過(guò)程中免受化學(xué)污染。然 后，在氧化物層401上以CVD等方法沉積厚度為1000 1200 A的氮化硅層402。該氮化硅 層402在化學(xué)機(jī)械研磨中充當(dāng)阻擋層。接著，如圖4B所示，在氮化硅層402上以CVD等方法沉積厚度為300 400人的 緩沖層403，該緩沖層403可以是等離子體增強(qiáng)氧化物(PEOX)，也可以是原子層沉積(ALD) 方法形成的氧化物膜或氮化物膜。然后，如圖4C所示，在緩沖層403表面上以CVD方法沉積厚度為600 800 A的底 部抗反射涂層404，來(lái)減少光刻膠底部光的反射。在底部抗反射涂層404表面涂敷光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影等工藝，形成厚度為1800 2200 A的具有圖案的光刻膠層405。接著，如圖4D所示，通過(guò)離子注入方式以低能、高束流以及高劑量對(duì)形成的光刻 膠層405進(jìn)行離子注入，優(yōu)選地，注入能量在10 30KeV范圍內(nèi)，注入劑量在1 X IO15 lX1016atOm/Cm2范圍內(nèi)，而束流量與設(shè)備等因素有關(guān)，本發(fā)明采用的束流量大于10mA。由 于注入重離子對(duì)光刻膠的硬化效果明顯，因此，可以選擇氬離子或砷離子等重離子，本發(fā)明 采用的是氬離子。最后，如圖4E所示，對(duì)緩沖層403、氮化硅層402、氧化物層401和襯底400依次進(jìn) 行刻蝕，形成溝槽，然后以灰化的方式去除離子注入后的光刻膠層405。離子注入后，所涂敷的光刻膠層外面一層會(huì)變硬，形成硬掩膜。光刻膠穩(wěn)定化注入 作為使用現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行離子注入的方法，是一種降低刻蝕后的LER的有效方法。經(jīng)注入的 光刻膠層會(huì)變硬，因此可以用作隨后刻蝕工藝的硬掩膜。圖5A和5B分別是根據(jù)本發(fā)明的工藝形成的溝槽的掃描電鏡俯視圖和截面圖。如 圖5A所示，與傳統(tǒng)工藝形成的溝槽相比，根據(jù)本發(fā)明的光刻膠穩(wěn)定化注入工藝形成的溝槽 的邊緣明顯地平直化，并且線條的寬度相對(duì)較均勻。沿一線條選取32個(gè)點(diǎn)分別測(cè)量線寬， 然后在一定的間距上平均其變化，計(jì)算得到線條邊緣粗糙度平均值為6. lnm，約為傳統(tǒng)工藝 形成的圖案的線條邊緣粗糙度的50%。如圖5B所示，圖案的側(cè)壁界線與傳統(tǒng)工藝形成的圖 案的側(cè)壁相比明顯清晰。此外，較明顯的是，采用光刻膠穩(wěn)定化注入工藝形成硬掩膜比采用無(wú)定形碳的硬 掩膜工藝簡(jiǎn)單。而且，光刻膠穩(wěn)定化注入工藝不需要引入其它的工具，僅用現(xiàn)有的工具就可 以實(shí)現(xiàn)。在根據(jù)本發(fā)明的光刻膠穩(wěn)定化注入工藝中，與傳統(tǒng)工藝相比，刻蝕后的LER明顯改 善，并能滿足要求。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的另一方面，采用光刻膠穩(wěn)定化注入工藝形成接觸孔的方法。圖6A-6D是根據(jù)本發(fā)明的工藝形成接觸孔的示意圖。首先，如圖6A所示，在已經(jīng)制造了半導(dǎo)體器件，例如MOS晶體管的前端器件層600。 在前端器件層601上形成需要在其中制作接觸孔的結(jié)構(gòu)層601，厚度為4000 5000人。例 如高應(yīng)力氮化層(未示出)，材料可以選擇為厚度為400 500埃的TiN以及形成于高應(yīng)力 氮化層之上的厚度為4000 5000 A的磷硅酸玻璃層(未示出)。在結(jié)構(gòu)層601上以CVD 等方法沉積厚度為300 400人的緩沖層602，該緩沖層602可以是等離子體增強(qiáng)氧化物 (PEOX)，也可以是原子層沉積(ALD)方法形成的氧化物膜或氮化物膜。接著，如圖6B所示，在緩沖層602表面上以CVD方法沉積厚度為600 800人的底 部抗反射涂層603，來(lái)減少光刻膠底部光的反射。在底部抗反射涂層603表面涂敷光刻膠， 對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影等工藝，形成厚度為1800 2200人的具有圖案的光刻膠層604。然后，如圖6C所示，通過(guò)離子注入方式以低能、高束流以及高劑量對(duì)形成的光刻 膠層604進(jìn)行離子注入，優(yōu)選地，注入能量在10 30KeV范圍內(nèi)、注入劑量在1 X IO15 lX1016atOm/Cm2范圍內(nèi)、束流量與設(shè)備等因素有關(guān)，本發(fā)明采用的束流量大于10mA。由于 注入重離子對(duì)光刻膠的硬化效果明顯，因此，選擇氬離子或砷離子等重離子，本發(fā)明采用的 是氬1 子。最后，如圖6D所示，對(duì)緩沖層602和結(jié)構(gòu)層601依次進(jìn)行刻蝕，在前端器件層600的上面形成接觸孔，然后以灰化的方式去除離子注入后的光刻膠層604。與其它的改善LER的方法相比，光刻膠穩(wěn)定化注入工藝在低成本和簡(jiǎn)單的工藝步 驟上具有很大優(yōu)勢(shì)，并且該方法可以擴(kuò)展到在65nm節(jié)點(diǎn)以下的技術(shù)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，不僅可以采用上述實(shí)施例的工藝方法，即光 刻、使用適當(dāng)?shù)妮^高電流和離子注入劑量來(lái)硬化光刻膠層以及刻蝕的工藝步驟，來(lái)實(shí)現(xiàn)LER 的改善，還可以采用在普通的圖案印刷(光刻)步驟和圖案轉(zhuǎn)移(刻蝕)步驟中加入其它 的離子注入工藝的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。另外，本發(fā)明的實(shí)施并不限于淺隔離溝槽和 接觸孔，只要形成對(duì)LER有要求的圖案，都在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。圖7是根據(jù)本發(fā)明形成溝槽/接觸孔的工藝流程圖。執(zhí)行步驟701，在襯底/前端 器件層上形成需要在隨后工藝中制作溝槽/接觸孔的結(jié)構(gòu)層。執(zhí)行步驟702，在結(jié)構(gòu)層上形 成緩沖層。執(zhí)行步驟703，在緩沖層表面上形成底部抗反射涂層，在底部抗反射涂層表面涂 敷光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影等工藝，形成具有圖案的光刻膠層。執(zhí)行步驟704，通過(guò)離 子注入方式以低能、高束流以及高劑量對(duì)形成的光刻膠層進(jìn)行離子注入。執(zhí)行步驟705，進(jìn) 行刻蝕，在襯底/前端器件層的上面形成溝槽/接觸孔，然后以灰化的方式去除離子注入后 的光刻膠層。根據(jù)如上所述的實(shí)施例制造的具有改善的線條邊緣粗糙度的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用 于多種集成電路(IC)中。根據(jù)本發(fā)明的IC例如是存儲(chǔ)器電路，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、 動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM (SDRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、或只讀存儲(chǔ)器(ROM)等等。根據(jù)本發(fā) 明的IC還可以是邏輯器件，如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、合并式DRAM 邏輯集成電路(掩埋式DRAM)或任意其它電路器件。根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可用于例如用 戶電子產(chǎn)品，如個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)、數(shù) 碼相機(jī)、手機(jī)等各種電子產(chǎn)品中，尤其是射頻產(chǎn)品中。綜上所述，僅是本發(fā)明較佳的實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制。雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明 技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等同實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā) 明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化 及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種改善半導(dǎo)體工藝中光刻圖案線條邊緣粗糙度的方法，所述方法包括 在需要形成圖案的半導(dǎo)體層上涂覆光刻膠；對(duì)所述光刻膠曝光顯影，以形成帶有圖案的光刻膠； 對(duì)所述帶有圖案的光刻膠進(jìn)行離子注入，以形成硬掩膜； 以所述硬掩膜為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體工藝為形成淺隔離溝槽或接觸孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光刻膠層的厚度是1800 2200人。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述離子注入的能量在10 30KeV范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述離子注入的劑量在IXlO15 lX1016atom/ cm2范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述離子注入的束流量大于10mA。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中注入離子為重離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述重離子為氬離子或砷離子。
9.一種包含通過(guò)如權(quán)利要求1所述的方法制造的半導(dǎo)體器件的集成電路，其中所述集 成電路選自隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、同步隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻電路。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的電子設(shè)備，其中所述電子設(shè)備選自個(gè)人計(jì) 算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種改善半導(dǎo)體工藝中光刻圖案線條邊緣粗糙度的方法，所述方法包括在需要形成圖案的半導(dǎo)體層上涂覆光刻膠；對(duì)所述光刻膠曝光顯影，以形成帶有圖案的光刻膠；對(duì)所述帶有圖案的光刻膠進(jìn)行離子注入，以形成硬掩膜；以所述硬掩膜為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕。利用本發(fā)明的工藝可以顯著改善圖案的線邊緣粗糙度，同時(shí)工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
文檔編號(hào)G03F7/00GK102136415SQ20101010243
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者史運(yùn)澤, 宋化龍, 李亮, 沈憶華, 涂火金 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司