專利名稱：：有機(jī)感光體、圖像形成方法和圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在電子照相方式的圖像形成裝置等中使用的有機(jī)感光體，使用了該有機(jī)感光體的圖像形成方法和圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
：有機(jī)感光體與硒系感光體、無定形硅感光體的各種無機(jī)感光體相比具有原材料的選擇范圍廣、環(huán)境適應(yīng)性優(yōu)異、生產(chǎn)成本便宜等較大的優(yōu)點(diǎn)，因此近年來取代無機(jī)感光體成為電子照相感光體的主流。在使用了電子照相感光體的電子照相圖像形成方法中，一般多采用卡爾遜(Carlson)法。在基于卡爾遜法的圖像形成方法中，在有機(jī)感光體上形成帶電、靜電潛像，形成調(diào)色劑圖像后，將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印紙上，將其定影而形成最終圖像。作為形成靜電潛像的方法，已知有對(duì)原稿照射鹵燈的反射光而形成潛影的模擬曝光方式、基于圖像信號(hào)使用LED或激光形成潛像的數(shù)碼方式。特別是近年來，對(duì)裝置的多樣化、彩色化有利的數(shù)碼方式的潛像形成方法成為主流。特別是利用半導(dǎo)體激光的曝光，從成本和畫質(zhì)的觀點(diǎn)出發(fā)是有利的，成為曝光方式的主流。另外，隨著近年來的彩色化和從辦公領(lǐng)域向POD(按需打印，PrintOnDemand)領(lǐng)域的擴(kuò)大，市場對(duì)高畫質(zhì)且穩(wěn)定的圖像的要求越來越高。然而，對(duì)于目前成為主流的使用激光的圖像形成裝置來說，由于激光是可干涉光而引起的所謂的干涉波紋(以下也稱為波紋(moire))之類的圖像不均成為問題。所謂波紋，是入射光與在導(dǎo)電性支撐體界面的反射光發(fā)生干涉而在潛像上形成波紋狀干涉模樣而呈現(xiàn)出來的圖像不均的總稱。對(duì)于該課題，已知有通過對(duì)導(dǎo)電性支撐體的表面性控制算術(shù)平均粗糙度(Ra)、十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)、最大高度粗糙度(Ry)、平均山間隔(Sm)等粗糙度參數(shù)來防止波紋的方法(參照專利文獻(xiàn)14)。然而，專利文獻(xiàn)14中記載的通過控制算術(shù)平均粗糙度(Ra)、十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)、最大高度粗糙度(Ry)、平均山間隔(Sm)等粗糙度參數(shù)來防止導(dǎo)電性支撐體的表面產(chǎn)生波紋的方法，為了將波紋所致的圖像不均抑制在基準(zhǔn)內(nèi)，多將支撐體的表面粗糙度升高到必需最低限度以上來進(jìn)行應(yīng)對(duì)。這是因?yàn)?，由于?dǎo)電性支撐體的表面形狀根據(jù)切削器具或研磨器具的使用狀態(tài)以及使用頻率而一點(diǎn)點(diǎn)變化，因此必須確保與之對(duì)應(yīng)的操作余地。另一方面，表面粗糙度的上限受切削條紋等波紋以外的畫質(zhì)限制，因此在以往的方法中必須在非常窄的幅度內(nèi)對(duì)表面粗糙度進(jìn)行管理。進(jìn)而，必須以高頻率進(jìn)行表面粗糙度的確認(rèn)，在生產(chǎn)管理上也成為大的負(fù)擔(dān)。進(jìn)而，使用為了防止波紋而進(jìn)行了加工的有機(jī)感光體的導(dǎo)電性支撐體、即通過切削加工等對(duì)表面進(jìn)行了粗面化的鋁支撐體等時(shí)，當(dāng)切削加工面的凸部帶電時(shí)會(huì)漏電，不附著電荷而存在容易產(chǎn)生黑點(diǎn)(黒《★)的問題。對(duì)于這樣的問題，已知有在導(dǎo)電性支撐體與感光層之間設(shè)置中間層、且該中間層具有使氧化鈦粒子分散于樹脂中而成的構(gòu)成的有機(jī)感光體。然而，即使使用這些技術(shù)，當(dāng)切削加工面的凸部帶電時(shí)，為了防止漏電、不附著電荷而產(chǎn)生黑點(diǎn)，必須以例如5μπι以上的足夠膜厚來構(gòu)成中間層，使中間層的膜厚增厚時(shí)，隨著反復(fù)使用而殘留電位上升，圖像濃度容易降低，難以實(shí)現(xiàn)兼顧防止隨著切削加工面的凸部的漏電而產(chǎn)生黑點(diǎn)、以及足夠的圖像濃度這兩者。這樣，在現(xiàn)有技術(shù)中，以應(yīng)對(duì)近年來的高畫質(zhì)化的要求的水平，無法獲得兼顧波紋和隨著切削加工面的凸部漏電而產(chǎn)生黑點(diǎn)的有機(jī)感光體。從這樣的情況出發(fā)，希望開發(fā)出使生產(chǎn)有機(jī)感光體時(shí)的負(fù)荷減少、防止波紋所致的畫質(zhì)降低、能夠獲得不會(huì)隨著切削加工面的凸部漏電而產(chǎn)生黑點(diǎn)等圖像缺陷的高畫質(zhì)的電子照相圖像的有機(jī)感光體，圖像形成方法以及圖像形成裝置。專利文獻(xiàn)1特開2004-205947號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2005-196148號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開2007-334342號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4特開2008-176055號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供使生產(chǎn)有機(jī)感光體時(shí)的負(fù)荷減少、防止波紋所致的畫質(zhì)降低、能夠獲得不會(huì)隨著切削加工面的凸部漏電而產(chǎn)生黑點(diǎn)等圖像缺陷的高畫質(zhì)的電子照相圖像的有機(jī)感光體，圖像形成方法以及圖像形成裝置。本發(fā)明的上述課題通過下述的構(gòu)成達(dá)成。1.一種有機(jī)感光體，在導(dǎo)電性支撐體上至少設(shè)有中間層、感光層，其特征在于，所述中間層的干燥膜厚為0.5μm10.0μm，所述導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的突出山部高度Rpk(ym)、突出谷部高度Rvk(ym)、核部的水平差Rk(ym)具有下述式(1)的關(guān)系。Rpk+Rvk^Rk式(1)2.上述1所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的突出山部高度Rpk(ym)、突出谷部高度Rvk(ym)、核部的水平差Rk(ym)具有下述式(2)的關(guān)系。Rpk+Rvk彡Rk/2式(2)3.上述1或2所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述突出山部高度Rpk(ym)和突出谷部高度Rvk(ym)分別為Ο.ΟΙμπι0.50μm，所述核部的水平差Rk(μm)為0.ΙΟμπι1.50μm。4.上述13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述中間層含有N型半導(dǎo)電性粒子。5.上述4所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述N型半導(dǎo)電性粒子是氧化鈦微粒或氧化鋅微粒。6.上述4所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述N型半導(dǎo)電性粒子的數(shù)均一次粒徑為IOnm200nm。7.上述4所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述中間層至少含有N型半導(dǎo)電性粒子和粘結(jié)樹脂，其中，相對(duì)于粘結(jié)樹脂100質(zhì)量份，該N型半導(dǎo)電性粒子的量為10質(zhì)量份10000質(zhì)量份。8.上述13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體，其特征在于，導(dǎo)電性支撐體上的被覆層的合計(jì)膜厚為12ym50i!m，且被覆層的合計(jì)膜厚的圖像形成區(qū)域的膜厚偏差為0.2ym2.0ym。9.上述13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述導(dǎo)電性支撐體的表面加工至少包括使用切削刀具的粗加工和精加工。10.一種圖像形成方法，其特征在于，具有如下工序使有機(jī)感光體的表面帶電的帶電工序、在帶電的有機(jī)感光體上用激光進(jìn)行曝光而形成靜電潛像的曝光工序、用調(diào)色劑將有機(jī)感光體上的潛像進(jìn)行顯影而形成調(diào)色劑像的顯影工序、將有機(jī)感光體上的調(diào)色劑像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印媒介上的轉(zhuǎn)印工序，其中所述有機(jī)感光體是上述19中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體。11.上述10所述的圖像形成方法，其特征在于，在所述曝光工序中，寫入的主掃描(主查)方向的曝光點(diǎn)直徑為10i!m50i!m，分辨度為600dpi2500dpi。12.一種圖像形成裝置，其特征在于，具有如下機(jī)構(gòu)有機(jī)感光體、使有機(jī)感光體的表面帶電的帶電機(jī)構(gòu)、在帶電的有機(jī)感光體上進(jìn)行曝光而形成靜電潛像的曝光機(jī)構(gòu)、用調(diào)色劑將有機(jī)感光體上的潛像進(jìn)行顯影而形成調(diào)色劑像的顯影機(jī)構(gòu)、將有機(jī)感光體上的調(diào)色劑像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印媒介上的轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)，其中所述有機(jī)感光體是上述19中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體?？梢蕴峁┦股a(chǎn)有機(jī)感光體時(shí)的負(fù)荷減少、防止波紋所致的畫質(zhì)降低、能夠獲得不會(huì)隨著切削加工面的凸部漏電而產(chǎn)生黑點(diǎn)等圖像缺陷的高畫質(zhì)的電子照相圖像的有機(jī)感光體，圖像形成方法以及圖像形成裝置。圖1是表示本發(fā)明的感光體的層構(gòu)成的一例的示意剖面圖。圖2是依照J(rèn)ISB0671-22002對(duì)圖1所示的感光體的導(dǎo)電性支撐體的表面進(jìn)行測定而得到的粗糙度曲線。圖3是表示導(dǎo)電性支撐體的表面粗糙度的概念的模式圖。圖4是使用本發(fā)明的感光體的彩色圖像形成裝置的概要構(gòu)成剖面圖。符號(hào)說明la、lb、lc、lY、lM、lC、lBk感光體101導(dǎo)電性支撐體102中間層103電荷發(fā)生層104電荷輸送層105、105，、105”感光層106電荷發(fā)生物質(zhì)107電荷輸送物質(zhì)S粗糙度曲線T負(fù)荷曲線5ff彩色圖像形成裝置具體實(shí)施例方式以下，參照?qǐng)D1圖4對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限于這些。圖1是表示本發(fā)明的感光體的層構(gòu)成的一例的示意剖面圖。本發(fā)明中使用的感光體優(yōu)選是(a)(c)所示的層疊型或分散型的功能分離型感光體。對(duì)(a)進(jìn)行說明。圖中，la表示感光體。感光體la為如下結(jié)構(gòu)在導(dǎo)電性支撐體101的外周設(shè)有中間層102，在其上形成電荷發(fā)生層103，在其上層疊電荷輸送層104而形成感光層105。對(duì)(b)進(jìn)行說明。圖中，lb表示感光體。感光體lb為如下結(jié)構(gòu)在導(dǎo)電性支撐體101的外周設(shè)有中間層102，在其上形成電荷輸送層104，在其上層疊電荷發(fā)生層103而形成感光層105，。對(duì)(c)進(jìn)行說明。圖中，lc表示感光體。感光體lc為如下結(jié)構(gòu)在導(dǎo)電性支撐體101的外周設(shè)有中間層102，在其上形成含有電荷發(fā)生物質(zhì)106和電荷輸送物質(zhì)107的感光層105”。中間層102由于在帶電時(shí)使導(dǎo)電性支撐體101與感光層形成絕緣狀態(tài)而具有屏障功能。本發(fā)明的感光體的構(gòu)成可以是(a)(c)所示的任意構(gòu)成，在最表層還可以設(shè)有保護(hù)層。這些感光體可以在圖4所示的全色圖像形成裝置和單色圖像形成裝置中使用。中間層102的干燥膜厚為0.5iim10iim。干燥膜厚小于0.5ym時(shí)，耐漏電性降低，容易產(chǎn)生黑點(diǎn)而不優(yōu)選。干燥膜厚超過10.0ym時(shí)，由于中間層內(nèi)的電荷蓄積，殘留電位變高而不優(yōu)選。中間層的干燥膜厚在1.0iim8.0iim的范圍時(shí)，能夠充分地反映本發(fā)明的導(dǎo)電性支撐體的表面粗糙度，抑制波紋產(chǎn)生的效果高，因此特別優(yōu)選。所謂本發(fā)明的中間層的干燥膜厚，是指在40150°C的溫度下干燥5120分鐘，涂布液所含的溶劑充分蒸發(fā)而形成涂膜的狀態(tài)下的膜厚。涂膜的殘留溶劑通常為以下。膜厚測定法中間層的干燥膜厚是對(duì)涂膜隨機(jī)測定10處，將其平均值作為中間層的干燥膜厚。膜厚測定器使用渦流方式的膜厚測定器EDDY560C(HELMUTFISCHERGMBTECO公司制)來進(jìn)行。圖2是依照J(rèn)ISB0671-22002對(duì)圖1所示的感光體的導(dǎo)電性支撐體的表面進(jìn)行測定而得到的粗糙度曲線。接著，對(duì)感光體的導(dǎo)電性支撐體的表面的突出山部高度Rpk、核部的水平差Rk、突出谷部高度Rvk的依照J(rèn)ISB0671-2(2002)的測定方法進(jìn)行說明。突出山部高度Rpk、核部的水平差Rk、突出谷部高度Rvk是通過如下方式算出的，如圖2所示，根據(jù)對(duì)象面的粗糙度曲線S對(duì)負(fù)荷曲線T進(jìn)行作圖，接著，在負(fù)荷曲線上在相對(duì)負(fù)荷長度率tp的方向取40%的范圍，對(duì)通過其兩端的高度差達(dá)到最小的2點(diǎn)的最小斜率線U進(jìn)行作圖，接著，求出最小斜率線U與相對(duì)負(fù)荷長度率tp為0%和100%界限線的交點(diǎn)6a、b、以及通過該交點(diǎn)a、b的水平線與負(fù)荷曲線T的交點(diǎn)c、d，由此來算出。突出山部高度Rpk、核部的水平差Rk、突出谷部高度Rvk是基于JIS規(guī)格B0671-2、由圖2求出的。突出山部高度Rpk是在圖2中以ac為底邊且頂點(diǎn)位于相對(duì)負(fù)荷長度率tp為0%的界限線上的直角三角形的高度，其值可如下算出使該直角三角形的面積與用相對(duì)負(fù)荷長度率tp為0%的界限線和邊ac和負(fù)荷曲線包圍的部分的面積相等。核部的水平差Rk用圖2的c、d之間的高度差來表示。突出谷部高度Rvk是在圖2中以bd為底邊且頂點(diǎn)位于相對(duì)負(fù)荷長度率tp為100%的界限線上的直角三角形的高度，其值可如下算出使該直角三角形的面積與用相對(duì)負(fù)荷長度率tp為100%的界限線和邊bd和負(fù)荷曲線包圍的部分的面積相等。在本發(fā)明中，突出山部高度Rpk(iim)、突出谷部高度Rvk(iim)、核部的水平差Rk(um)的特征在于，具有下述所示的式(1)的關(guān)系。Rpk+Rvk彡Rk式(1)由于感光體的導(dǎo)電性支撐體的表面具有上述式(1)所示的關(guān)系，因此可以防止波紋和在帶電時(shí)突出山部的漏電，防止黑點(diǎn)的產(chǎn)生，形成高畫質(zhì)的電子照相圖像。進(jìn)而，優(yōu)選感光體的導(dǎo)電性支撐體的表面具有下述所示的式(2)所示的關(guān)系。Rpk+Rvk^Rk/2式(2)圖3是表示導(dǎo)電性支撐體的表面粗糙度的概念的模式圖。(a)是表示突出山部高度Rpk(iim)、突出谷部高度Rvk(iim)、核部的水平差Rk(um)具有Rpk+Rvk(Rk的關(guān)系時(shí)的導(dǎo)電性支撐體的表面粗糙度的概念的模式圖。(b)是表示突出山部高度Rpk(iim)、突出谷部高度Rvk(iim)、核部的水平差Rk(um)具有Rpk+Rvk>Rk的關(guān)系時(shí)的導(dǎo)電性支撐體的表面粗糙度的概念的模式圖。Rpk+Rvk>Rk時(shí)，形成在導(dǎo)電性支撐體的表面中占大部分面積的核部的表面粗糙度變得不夠的狀態(tài)，因此激光的散射少，容易產(chǎn)生干涉波紋。另外，由于是突出山部高度Rpk、突出谷部高度Rvk為較大的狀態(tài)，因此在帶電時(shí)在該部分會(huì)發(fā)生漏電，不附著電荷而容易產(chǎn)生黑點(diǎn)，無法形成高畫質(zhì)的電子照相圖像。對(duì)于突出山部高度Rpk和突出谷部高度Rvk，考慮到分別帶電時(shí)的漏電、隨著漏電而產(chǎn)生黑點(diǎn)等，優(yōu)選為0.01iim0.5iim，特別優(yōu)選為0.03ym0.25ym。對(duì)于核部的水平差Rk，考慮到波紋的產(chǎn)生、導(dǎo)電性支撐體的加工條紋所致的圖像缺陷等，優(yōu)選為0.liim1.5iim，特別優(yōu)選為0.2iim1.Oiim。突出山部高度Rpk、突出谷部高度Rvk、核部的水平差Rk是依照J(rèn)ISB0671-22002使用表面粗糙度計(jì)(東京精密公司制SurfCOml400D)進(jìn)行測定而得到的值。另外，突出山部高度Rpk(iim)、突出谷部高度Rvk(iim)、核部的水平差Rk(iim)的測定在以下的測定條件下進(jìn)行。測定條件測定機(jī)表面粗糙度計(jì)(東京精密公司制Surfcom1400D)測定長度L4.Omm截止波長入c:()08mm觸針前端形狀前端角度60°圓錐觸針前端半徑0.5iim7測定速度()3mm/sec測定倍率100000倍測定位置導(dǎo)電性支撐體的長度方向的中心位置，和中心位置士100mm位置的3處的導(dǎo)電性支撐體表面(為圓筒狀支撐體時(shí)，是圓筒狀支撐體的軸方向的中心位置，和中心位置士100mm位置的3處的圓筒狀支撐體表面)測定方向?qū)щ娦灾误w的長度方向(為圓筒狀支撐體時(shí)，是圓筒狀支撐體的軸方向)將上述3處的各平均值作為突出山部高度Rpk(iim)、突出谷部高度Rvk(iim)、核部的水平差Rk(iim)的值。使感光體的導(dǎo)電性支撐體的表面滿足式(1)(Rpk+Rvk(Rk)的性狀可以通過第1步驟的粗加工、第2步驟的精加工的切削加工來形成，在進(jìn)行切削加工后，可以通過噴砂處理等調(diào)整表面粗糙度。作為在切削加工中使用的刀具，在第1步驟的粗加工中通常使用多晶金剛石燒結(jié)體，作為第2步驟的精加工，使用由單晶金剛石或多晶金剛石燒結(jié)體形成的刀具。作為在第1步驟的粗加工中使用的由多晶金剛石燒結(jié)體形成的刀具，刀尖形狀可以使用平形、R形中的任一種，為R形狀時(shí)，刀尖的圓形R優(yōu)選使用10mm30mm左右。優(yōu)選使用粒度為0.2ym15ym的刀具，刀具的切削面的研磨加工粗糙度以最大粗糙度Rt計(jì)，優(yōu)選研磨成0.3iim2.0iim。作為在第2步驟的精加工中使用的由單晶金剛石形成的刀具，刀尖形狀可以使用平形、R形中的任一種，為R形狀時(shí)，刀尖的圓形半徑R優(yōu)選使用10mm30mm左右。作為由多晶金剛石燒結(jié)體形成的刀具，刀尖形狀可以使用平形、R形中的任一種，為R形狀時(shí)，刀尖的圓形半徑R優(yōu)選使用10mm25mm左右。由單晶金剛石形成的刀具以及由多晶金剛石燒結(jié)體形成的刀具，優(yōu)選使用粒度為0.3ym12ym的刀具，刀具的切削面的研磨精加工粗糙度以最大粗糙度Rt計(jì)，優(yōu)選研磨@0.4ym1.5ym。刀具的切削面的最大粗糙度Rt用表面粗糙度計(jì)“Surfcom1400D”(東京精密公司制)進(jìn)行測定。切削刀具的研磨優(yōu)選用工具研磨盤上安裝的金剛石輪進(jìn)行研磨。另外，為第1步驟的粗加工時(shí)，切削輸送速度優(yōu)選為100um/rev600um/rev,進(jìn)一步優(yōu)選150um/rev450um/rev。為第2步驟的精加工時(shí)，切削輸送速度優(yōu)選為100um/rev500um/rev,進(jìn)一步優(yōu)選150um/rev350um/rev。另外，進(jìn)行切削加工時(shí)，刀具的切入角度優(yōu)選80°120°。刀具的切入深度優(yōu)選3iim500iim。導(dǎo)電性支持體的轉(zhuǎn)數(shù)優(yōu)選3000rpm8000rpm。另外，在切削加工后還可以進(jìn)行噴砂、噴干冰和噴射高壓水的處理等。進(jìn)行噴砂處理時(shí)，使用的粒子的大小優(yōu)選15iim50iim，吹噴強(qiáng)度優(yōu)選0.05MPa1.OMPa。進(jìn)行噴干冰處理時(shí)，使用的粒子的大小優(yōu)選lOiim60iim，吹噴強(qiáng)度優(yōu)選0.2MPa5.OMPa。進(jìn)行噴射高壓水處理時(shí)，吹噴強(qiáng)度優(yōu)選0.2MPa5.OMPa。另外，對(duì)于切削加工，可以參照特開2007-264379號(hào)公報(bào)中公開的方法，對(duì)于噴干冰法，可以參照特開2005-292565號(hào)公報(bào)中公開的方法，對(duì)于噴砂法，可以參照特開2000-105481號(hào)公報(bào)、特開2000-155436號(hào)公報(bào)中公開的方法，對(duì)于高壓噴射法，可以參照特開2006-30580號(hào)公報(bào)等中公開的方法。接著，對(duì)使用本發(fā)明的感光體的圖像形成裝置進(jìn)行說明。圖4是使用本發(fā)明的感光體的彩色圖像形成裝置的概要構(gòu)成剖面圖。圖中，W表示彩色圖像形成裝置。彩色圖像形成裝置W被稱為串聯(lián)型彩色圖像形成裝置，由4組圖像形成部(圖像形成單元)10￥、1011、10(、1081^和無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體單元7、送紙輸送機(jī)構(gòu)21以及定影機(jī)構(gòu)24構(gòu)成。彩色圖像形成裝置W的本體A的上部配置有原稿圖像讀取裝置SC。形成黃色圖像的圖像形成部10Y具有配置于作為第1像擔(dān)載體的鼓狀感光體1Y周圍的帶電機(jī)構(gòu)(帶電工序)2Y、曝光機(jī)構(gòu)(曝光工序)3Y、顯影機(jī)構(gòu)(顯影工序)4Y、作為一次轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)(一次轉(zhuǎn)印工序)的一次轉(zhuǎn)印輥5Y、清潔機(jī)構(gòu)6Y。形成品紅色圖像的圖像形成部10M具有作為第1像擔(dān)載體的鼓狀感光體1M、帶電機(jī)構(gòu)2M、曝光機(jī)構(gòu)3M、顯影機(jī)構(gòu)4M、作為一次轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)的一次轉(zhuǎn)印輥5M、清潔機(jī)構(gòu)6M。形成青色圖像的圖像形成部10C具有作為第1像擔(dān)載體的鼓狀感光體1C、帶電機(jī)構(gòu)2C、曝光機(jī)構(gòu)3C、顯影機(jī)構(gòu)4C、作為一次轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)的一次轉(zhuǎn)印輥5C、清潔機(jī)構(gòu)6C。形成黑色圖像的圖像形成部10Bk具有作為第1像擔(dān)載體的鼓狀感光體lBk、帶電機(jī)構(gòu)2Bk、曝光機(jī)構(gòu)3Bk、顯影機(jī)構(gòu)4Bk、作為一次轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)的一次轉(zhuǎn)印輥5Bk、清潔機(jī)構(gòu)6Bk。4組圖像形成單元10Y、10M、10C、10Bk以鼓狀感光體1Y、1M、1C、lBk為中心，由旋轉(zhuǎn)的帶電機(jī)構(gòu)2Y、2M、2C、2Bk、像曝光機(jī)構(gòu)3Y、3M、3C、3Bk、旋轉(zhuǎn)的顯影機(jī)構(gòu)4Y、4M、4C、4Bk、以及清潔鼓狀感光體lY、lM、lC、lBk的清潔機(jī)構(gòu)5Y、5M、5C、5Bk構(gòu)成。鼓狀感光體1Y、1M、1C、lBk使用圖1圖3(a)所示的本發(fā)明的有機(jī)感光體。圖像形成單元10Y、10M、10C、10Bk只是在鼓狀感光體1Y、1M、1C、lBk上分別形成的調(diào)色劑圖像的顏色不同，但構(gòu)成相同，下面以圖像形成單元10Y為例進(jìn)行詳細(xì)說明。圖像形成單元10Y在作為像形成體的鼓狀感光體1Y的周圍配置有帶電機(jī)構(gòu)2Y(以下、簡稱為帶電機(jī)構(gòu)2Y或帶電器2Y)、曝光機(jī)構(gòu)3Y、顯影機(jī)構(gòu)4Y、清潔機(jī)構(gòu)5Y(以下、簡稱為清潔機(jī)構(gòu)5Y或清潔刮刀5Y)，在鼓狀感光體1Y上形成黃色(Y)的調(diào)色劑圖像。另外，在圖像形成單元10Y中，設(shè)成至少將鼓狀感光體1Y、帶電機(jī)構(gòu)2Y、顯影機(jī)構(gòu)4Y、清潔機(jī)構(gòu)5Y—體化。帶電機(jī)構(gòu)2Y是對(duì)鼓狀感光體1Y賦予相同電位的機(jī)構(gòu)，在鼓狀感光體1Y上使用電暈放電型的帶電器2Y。像曝光機(jī)構(gòu)3Y是在通過帶電器2Y賦予了相同電位的鼓狀感光體1Y上基于圖像信號(hào)(黃色)進(jìn)行曝光、形成對(duì)應(yīng)于黃色圖像的靜電潛像的機(jī)構(gòu)，作為該曝光機(jī)構(gòu)3Y，使用激光光學(xué)系統(tǒng)等。在使用了本發(fā)明的感光體的圖像形成裝置中，在感光體上形成靜電潛像時(shí)，將振蕩波長為350800nm的半導(dǎo)體激光或發(fā)光二極管作為像曝光光源使用。使用這些像曝光光源，將寫入的主掃描方向的曝光點(diǎn)直徑限定在1050ym，在有機(jī)感光體上進(jìn)行數(shù)碼曝光，由此可以得到600dpi(dpi每2.54cm的點(diǎn)數(shù))2500dpi的高分辨度的電子照相圖像。作為上述半導(dǎo)體激光的像曝光光源，可以使用面發(fā)光激光陣列。所謂面發(fā)光激光陣列，是指至少在縱橫各具有3條以上激光光束發(fā)光點(diǎn)。所述曝光點(diǎn)直徑，是指該曝光光束的強(qiáng)度為峰強(qiáng)度的1/e2以上的區(qū)域的沿著主掃描方向的曝光光束的長度(Ld長度在最大位置進(jìn)行測定)。作為使用的光束，有使用半導(dǎo)體激光的掃描光學(xué)系統(tǒng)和LED的固體掃描儀等，對(duì)于光強(qiáng)度分布，也有高斯分布和洛倫茲分布等，將各峰強(qiáng)度的1/e2以上的區(qū)域作為本發(fā)明的曝光點(diǎn)直徑。作為彩色圖像形成裝置W，可以將鼓狀感光體、顯影器、清潔器等構(gòu)成要素作為工藝盒(圖像形成單元)一體結(jié)合而構(gòu)成，可以以對(duì)裝置本體自由裝卸的方式構(gòu)成該圖像形成單元。另外，也可以將帶電器、像曝光器、顯影器、轉(zhuǎn)印或分離器、以及清潔器中的至少一個(gè)與鼓狀感光體一起一體支撐而形成工藝盒(圖像形成單元)，作為自由裝卸于裝置本體的單一圖像形成單元，可以使用裝置本體的軌道等引導(dǎo)機(jī)構(gòu)形成自由裝卸的構(gòu)成。無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體單元7利用多個(gè)輥卷繞，具有能被轉(zhuǎn)動(dòng)地支撐的半導(dǎo)電性無端頭帶狀的作為第2像擔(dān)載體的無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體70。由圖像形成單元10Y、10M、10C、10Bk形成的各色圖像，利用作為一次轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)的一次轉(zhuǎn)印輥5Y、5M、5C、5Bk，依次被轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)動(dòng)的無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體70上，形成合成的彩色圖像。作為裝納于送紙盒20內(nèi)的轉(zhuǎn)印件(擔(dān)載所定影的最終圖像的支撐體例如普通紙、透明片等)的轉(zhuǎn)印件P，利用送紙機(jī)構(gòu)21送紙，經(jīng)過多個(gè)中間輥22A、22B、22C、22D、抵抗(resist)輥23，被輸送到作為二次轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)的二次轉(zhuǎn)印輥5A上，在轉(zhuǎn)印件P上進(jìn)行二次轉(zhuǎn)印而將彩色圖像一次性地轉(zhuǎn)印。轉(zhuǎn)印有彩色圖像的轉(zhuǎn)印件P利用定影機(jī)構(gòu)24進(jìn)行定影處理，被排紙輥25夾持并載置于機(jī)器外的排紙盤26上。在此，將在中間轉(zhuǎn)印體、轉(zhuǎn)印件等感光體上形成的調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印支撐體統(tǒng)稱為轉(zhuǎn)印媒介。另一方面，利用作為二次轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)的二次轉(zhuǎn)印輥5A將彩色圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印件P上后，曲率分離的無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體70利用清潔機(jī)構(gòu)6A將殘留調(diào)色劑從轉(zhuǎn)印件P除去。在圖像形成處理中，一次轉(zhuǎn)印輥5Bk總是與鼓狀感光體lBk抵接。其他的一次轉(zhuǎn)印輥5Y、5M、5C僅在彩色圖像形成時(shí)分別與對(duì)應(yīng)的鼓狀感光體1Y、1M、1C抵接。二次轉(zhuǎn)印輥5A僅在轉(zhuǎn)印件P通過其而進(jìn)行二次轉(zhuǎn)印時(shí)，與無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體70抵接。另外，可以從裝置本體A介由支撐軌道82L、82R拉出筐體8?？痼w8具有圖像形成部10Y、10M、10C、10Bk以及無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體單元7。圖像形成部10Y、10M、10C、10Bk在垂直方向縱列配置。在鼓狀感光體1Y、1M、1C、lBk的圖示左側(cè)，配置有無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體單元7。無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體單元7具有能夠使輥71、72、73、74卷繞轉(zhuǎn)動(dòng)的無端頭帶狀中間轉(zhuǎn)印體70，一次轉(zhuǎn)印輥5Y、5M、5C、5Bk，以及清潔機(jī)構(gòu)6A。作為本發(fā)明的圖像形成裝置，可以將本發(fā)明的感光體、顯影器、清潔器等構(gòu)成要素作為工藝盒一體結(jié)合而構(gòu)成，以對(duì)裝置本體自由裝卸的方式構(gòu)成該單元。另外，也可以將帶電器、像曝光器、顯影器、轉(zhuǎn)印或分離器、以及清潔器中的至少一個(gè)與感光體一起一體支撐而形成工藝盒，作為自由裝卸于裝置本體的單一單元，使用裝置本體的軌道等引導(dǎo)機(jī)構(gòu)形成自由裝卸的構(gòu)成?！凑{(diào)色劑〉在本發(fā)明的鼓狀感光體上形成的靜電潛像通過顯影作為調(diào)色劑像而顯影化。用于顯影的調(diào)色劑，可以是粉碎調(diào)色劑，也可以是聚合調(diào)色劑，作為本發(fā)明的調(diào)色劑，從得到穩(wěn)定的粒度分布的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選能夠用聚合法制作的聚合調(diào)色劑。所謂聚合調(diào)色劑，是指通過調(diào)色劑用粘結(jié)劑的樹脂的生成和調(diào)色劑性狀為粘結(jié)樹脂的原料單體的聚合、以及根據(jù)需要通過后續(xù)的化學(xué)處理而形成的調(diào)色劑。更具體地說，是指經(jīng)過懸浮聚合、乳化聚合等聚合反應(yīng)，以及根據(jù)需要在后續(xù)進(jìn)行的粒子之間的熔合工序而形成的調(diào)色劑。另外，調(diào)色劑的體積平均粒徑(50%體積粒徑(Dv50))優(yōu)選2ym9ym，更優(yōu)選3i!m7i!m。通過設(shè)為該范圍，可以提高分辨度。進(jìn)而，通過與上述范圍組合，可以形成小粒徑的調(diào)色劑、同時(shí)減少微細(xì)粒徑的調(diào)色劑的存在量，可以長期改善點(diǎn)圖像的再現(xiàn)性，形成鮮明性良好、穩(wěn)定的圖像。〈顯影劑〉調(diào)色劑可以作為單成分顯影劑使用，也可以作為二成分顯影劑使用。作為單成分顯影劑使用時(shí)，可以舉出非磁性單成分顯影劑、或者在調(diào)色劑中含有0.1ym0.5ym程度的磁性粒子而形成磁性單成分的顯影劑，可以使用任一種。另外，可以與載體混合作為二成分顯影劑使用。這種情況下，作為載體的磁性粒子，可以使用鐵、鐵素體、磁鐵礦等金屬，這些金屬與鋁、鉛等金屬的合金等一直以來的公知材料。特別優(yōu)選鐵素體粒子。上述磁性粒子的體積平均粒徑以15ym100ym為宜、更itife25ym80ym。對(duì)于載體的體積平均粒徑的測定，代表性地可以通過具有濕式分散機(jī)的激光衍射式粒度分布測定裝置“HELOS”(SYMPATEC公司制)進(jìn)行測定。載體優(yōu)選磁性粒子進(jìn)一步被樹脂被覆而成的載體，或者在樹脂中分散有磁性粒子的所謂樹脂分散型載體。作為涂布用的樹脂組成，沒有特別限定，可以使用例如烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂、苯乙烯_丙烯酸系樹脂、硅酮系樹脂、酯系樹脂、或者含氟聚合物系樹脂等。另外，作為用于構(gòu)成樹脂分散型載體的樹脂，沒有特別限定，可以使用例如苯乙烯-丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、氟系樹脂、酚醛樹脂等公知的樹脂。本發(fā)明的圖像形成裝置一般適用于電子照相復(fù)印機(jī)、激光打印機(jī)等電子照相裝置，進(jìn)而，還可以廣泛地用于應(yīng)用了電子照相技術(shù)的顯示器、記錄儀、辦公用簡便印刷、制版和傳真機(jī)等裝置。接著，對(duì)構(gòu)成本發(fā)明的感光體的材料進(jìn)行說明。(導(dǎo)電性支撐體)作為導(dǎo)電性支撐體可以是片狀，也可以是圓筒狀，優(yōu)選圓筒狀導(dǎo)電性支撐體。所謂圓筒狀導(dǎo)電性支撐體，是指通過旋轉(zhuǎn)能夠無端頭地形成圖像而必要的圓筒狀的支撐體，優(yōu)選平直度在0.1mm以下、偏差在0.1mm以下的導(dǎo)電性的支撐體。超過該平直度和偏差的范圍時(shí)，難以形成良好的圖像。作為圓筒狀導(dǎo)電性支撐體，優(yōu)選直徑為10mm300mm、顯著呈現(xiàn)本發(fā)明的效果、改善支撐體與中間層等的粘接性、同時(shí)防止黑點(diǎn)產(chǎn)生等效果顯著的圓筒狀導(dǎo)電性支撐體，可以舉出直徑為10mm50mm的小直徑的圓筒狀導(dǎo)電性支撐體。作為導(dǎo)電性支撐體的材料，可以使用鋁、鎳等金屬鼓，或者蒸鍍了鋁、氧化錫、氧化銦等的塑料鼓，或者涂布有導(dǎo)電性物質(zhì)的紙、塑料鼓。作為導(dǎo)電性支撐體，優(yōu)選在常溫下電阻率為103Qcm以下。(中間層)中間層設(shè)置在導(dǎo)電性支撐體與感光層之間，具有改良導(dǎo)電性支撐體與感光層的粘接性、以及防止來自導(dǎo)電性支撐體的電荷注入的屏障功能。作為中間層的粘結(jié)樹脂，可以舉出聚酰胺樹脂、氯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇樹脂或蜜胺樹脂、環(huán)氧樹脂、醇酸樹脂等熱固化性樹脂以及含有這些樹脂的重復(fù)單元中的2個(gè)以上的共聚物樹脂。這些粘結(jié)樹脂中，特別優(yōu)選聚酰胺樹脂，尤為優(yōu)選共聚、甲氧基羥甲基化等的醇可溶性聚酰胺。中間層優(yōu)選含有N型半導(dǎo)電性粒子，特別優(yōu)選表面處理N型半導(dǎo)電性粒子。N型半導(dǎo)電性粒子分散于粘結(jié)樹脂中來使用，對(duì)于N型半導(dǎo)電性粒子的量，例如為表面處理氧化鈦時(shí)，相對(duì)于粘結(jié)樹脂100重量份，為10質(zhì)量份10000質(zhì)量份，優(yōu)選50質(zhì)量份1000質(zhì)量份。通過在該范圍使用表面處理氧化鈦，可以良好地保持氧化鈦的分散性，可以形成不產(chǎn)生黑點(diǎn)、良好的中間層。中間層實(shí)質(zhì)上是絕緣層。在此，所謂絕緣層，是指體積電阻為1X108Q1015Q!!。另夕卜，中間層的體積電阻優(yōu)選1X109Q.cm1014Q.cm，更優(yōu)選2X109Q.cm1X1013Q.cm。體積電阻可以如下地進(jìn)行測定。測定條件依照J(rèn)IS:C2318_1975。測定器三菱油化公司制HirestaIP測定條件測定探針HRS外加電壓500V測定環(huán)境20士2°C、65士5RH%中間層的表面粗糙度以Rmax計(jì)，優(yōu)選0.2iim3.Oiim，更優(yōu)選0.2iim2.Oiim。(N型半導(dǎo)電性粒子)所謂N型半導(dǎo)電性粒子，是指具有以導(dǎo)電性載體為電子的性質(zhì)的微粒。S卩，所謂以導(dǎo)電性載體為電子的性質(zhì)，是指通過使絕緣性粘結(jié)劑中含有N型半導(dǎo)電性粒子，而具有有效地阻擋來自基體的空穴注入、而且對(duì)來自感光層的電子不顯示阻擋性的性質(zhì)。N型半導(dǎo)電性粒子具體可以舉出氧化鈦(Ti02)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(Sn02)等微粒，特別優(yōu)選使用氧化鈦。N型半導(dǎo)電性粒子的平均粒徑以數(shù)均一次粒徑計(jì)，優(yōu)選lOnm200nm的范圍，更優(yōu)選15nm150nm。使用了數(shù)均一次粒徑在上述范圍的N型半導(dǎo)電性粒子的中間層涂布液的分散穩(wěn)定性良好，且由這種涂布液形成的中間層除了具有防止黑點(diǎn)產(chǎn)生的功能以外，環(huán)境特性良好，且具有耐裂性。N型半導(dǎo)電性粒子的數(shù)均一次粒徑，例如為氧化鈦時(shí)，采用透射型電子顯微鏡觀察，放大到10000倍，隨機(jī)以100個(gè)粒子作為一次粒子進(jìn)行觀察，是通過圖像解析作為費(fèi)雷特方向平均直徑的測定值。N型半導(dǎo)電性粒子的形狀有樹枝狀、針狀和粒狀等的形狀，這樣形狀的N型半導(dǎo)電12性粒子例如為氧化鈦粒子時(shí)，作為結(jié)晶型，有銳鈦礦型、金紅石型和無定形等，可以使用任意結(jié)晶型的氧化鈦粒子，還可以將2種以上結(jié)晶型混合使用。其中金紅石型的氧化鈦粒子最好。對(duì)N型半導(dǎo)電性粒子進(jìn)行的表面處理之一，是進(jìn)行多次表面處理，并且，在多次表面處理中，最后的表面處理是使用反應(yīng)性有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理。另外，在多次表面處理中，優(yōu)選至少一次表面處理進(jìn)行選自氧化鋁、氧化硅和氧化鋯中的至少一種以上的表面處理，最后使用反應(yīng)性有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理。另外，所謂氧化鋁處理、氧化硅處理、氧化鋯處理，是指在N型半導(dǎo)電性粒子表面使氧化鋁、氧化硅或氧化鋯析出的處理，這些在表面析出的氧化鋁、氧化硅、氧化鋯還包括氧化鋁、氧化硅、氧化鋯的水合物。另外，所謂反應(yīng)性有機(jī)硅化合物的表面處理，是指在處理液中使用反應(yīng)性有機(jī)硅化合物。這樣，通過將氧化鈦粒子這樣的N型半導(dǎo)電性粒子的表面處理至少進(jìn)行2次以上，N型半導(dǎo)電性粒子表面被均勻地進(jìn)行了表面被覆(處理)，如果在中間層使用經(jīng)表面處理的N型半導(dǎo)電性粒子，就可以得到中間層內(nèi)的氧化鈦粒子等N型半導(dǎo)電性粒子的分散性良好、且不產(chǎn)生黑點(diǎn)等圖像缺陷的良好的感光體。另外，多次的表面處理特別優(yōu)選使用氧化鋁、氧化硅進(jìn)行表面處理，接著使用反應(yīng)性有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理。另外，還可以使用上述的氧化鋁、氧化硅同時(shí)進(jìn)行表面處理，特別優(yōu)選最先使用氧化鋁進(jìn)行表面處理、接著使用氧化硅進(jìn)行表面處理。另外，使用氧化鋁和氧化硅分別進(jìn)行表面處理時(shí)的氧化鋁和氧化硅的處理量優(yōu)選氧化硅多于氧化鋁。氧化鈦等N型半導(dǎo)電性粒子可以采用濕式法進(jìn)行氧化鋁、氧化硅和氧化鋯等金屬氧化物的表面處理。例如，進(jìn)行了氧化硅或氧化鋁的表面處理的N型半導(dǎo)電性粒子可以如下地進(jìn)行制作。使用氧化鈦粒子作為N型半導(dǎo)電性粒子時(shí)，使氧化鈦粒子(數(shù)均一次粒徑50nm)分散于水中并使得濃度為50350g/L，制成水性漿料，向其中添加水溶性的硅酸鹽或水溶性的鋁化合物。然后，添加堿或酸進(jìn)行中和，在氧化鈦粒子的表面使氧化硅或氧化鋁析出。接著進(jìn)行過濾、清洗、干燥，得到目標(biāo)表面處理氧化鈦。使用硅酸鈉作為上述水溶性的硅酸鹽時(shí)，可以用硫酸、硝酸、鹽酸等酸進(jìn)行中和。另一方面，使用硫酸鋁作為水溶性的鋁化合物時(shí)，可以用氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿進(jìn)行中和。另外，表面處理中使用的金屬氧化物的量，以表面處理時(shí)的裝料量計(jì)，相對(duì)于氧化鈦粒子等N型半導(dǎo)電性粒子100質(zhì)量份，使用0.1質(zhì)量份50質(zhì)量份、更優(yōu)選1質(zhì)量份10質(zhì)量份的金屬氧化物。另外，使用氧化鋁和氧化硅時(shí)，例如為氧化鈦粒子時(shí)，相對(duì)于氧化鈦粒子100質(zhì)量份，優(yōu)選各使用1質(zhì)量份10質(zhì)量份，優(yōu)選氧化硅的量多于氧化鋁的量。金屬氧化物的表面處理之后進(jìn)行的反應(yīng)性有機(jī)硅化合物的表面處理優(yōu)選用以下這樣的濕式法進(jìn)行。S卩，在使上述反應(yīng)性有機(jī)硅化合物溶解或懸浮于有機(jī)溶劑或水中而成的液體中添加用上述金屬氧化物進(jìn)行了處理的氧化鈦，將該液體攪拌數(shù)分鐘1小時(shí)左右。然后根據(jù)情況對(duì)該液體進(jìn)行加熱處理，然后經(jīng)過過濾等工序后進(jìn)行干燥，得到用有機(jī)硅化合物被覆了表面的氧化鈦粒子。另外，還可以在使氧化鈦分散于有機(jī)溶劑或水中而成的懸浮液中添加上述反應(yīng)性有機(jī)硅化合物。另外，氧化鈦粒子表面被反應(yīng)性有機(jī)硅化合物被覆，這是通過將光電子能譜法(ESCA)、俄歇電子能譜法(Auger)、二次離子質(zhì)譜法(SIMS)或擴(kuò)散反射FI-IR等表面分析方法組合來確認(rèn)的。表面處理中使用的反應(yīng)性有機(jī)硅化合物的量，以表面處理時(shí)的裝料量計(jì)，相對(duì)于用金屬氧化物進(jìn)行了處理的氧化鈦100質(zhì)量份，優(yōu)選使用反應(yīng)性有機(jī)硅化合物0.1質(zhì)量份50質(zhì)量份，更優(yōu)選1質(zhì)量份10質(zhì)量份。作為反應(yīng)性有機(jī)硅化合物，可以舉出下述通式(1)所表示的化合物，只要是與氧化鈦表面的羥基等反應(yīng)性基團(tuán)進(jìn)行縮合反應(yīng)的化合物，就不限于下述化合物。通式(1)(R)n-Si_(X)4_n(式中，Si表示硅原子，R表示碳直接與該硅原子結(jié)合的形式的有機(jī)基團(tuán)，X表示水解性基團(tuán)，n表示03的整數(shù)。)在通式(1)所表示的有機(jī)硅化合物中，作為用R表示的碳直接與該硅原子結(jié)合的形式的有機(jī)基團(tuán)，可以舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基、十二烷基等烷基，苯基、甲苯基、萘基、聯(lián)苯基等芳基，環(huán)氧丙氧丙基、0-(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基等含環(huán)氧基的基團(tuán)，丙烯酰氧基丙基、甲基丙烯酰氧基丙基的含(甲基)丙烯?；幕鶊F(tuán)，羥基丙基、2，3-二羥基丙氧基丙基等含羥基的基團(tuán)，乙烯基、丙烯基等含乙烯基的基團(tuán)，巰基丙基等含巰基的基團(tuán)，氨基丙基、N-3(氨基乙基氨基丙基等含氨基的基團(tuán)，、_氯丙基、1，1，1-三氟丙基、九氟己基、全氟辛基乙基等含鹵素的基團(tuán)，其他硝基、氰基取代烷基。另外，作為X的水解性基團(tuán)，可以舉出甲氧基、乙氧基等烷氧基、鹵素基團(tuán)、酰氧基。另外，通式(1)所表示的有機(jī)硅化合物可以單獨(dú)使用，也可以將2種以上組合使用。另外，在通式(1)所表示的有機(jī)硅化合物的具體化合物中，n為2以上時(shí)，多個(gè)R可以相同也可以不同。同樣地，n為2以下時(shí)，多個(gè)X可以相同也可以不同。另外，使用2種以上通式(1)所表示的有機(jī)硅化合物時(shí)，R和X在各化合物之間可以相同也可以不同。另外，通式(1)所表示的有機(jī)硅化合物優(yōu)選使用下述通式(2)所表示的有機(jī)硅化合物。通式⑵R-Si-X3式中，R表示烷基、芳基，X表示甲氧基、乙氧基、鹵素基團(tuán)。在通式(2)所表示的有機(jī)硅化合物中，更優(yōu)選R是碳原子數(shù)為48的烷基的有機(jī)硅化合物，作為具體的優(yōu)選化合例子，可以舉出三甲氧基正丁基硅烷、三甲氧基異丁基硅烷、三甲氧基己基硅烷、三甲氧基辛基硅烷。另外，作為在最后的表面處理中使用的優(yōu)選的反應(yīng)性有機(jī)硅化合物，可以舉出聚硅氧烷化合物。該聚硅氧烷化合物的分子量為100020000的化合物一般容易獲得，且防止黑點(diǎn)產(chǎn)生的功能良好。特別是如果在最后的表面處理中使用聚甲基氫硅氧烷則可以獲得良好的效果。氧化鈦的表面處理的另一個(gè)是利用具有氟原子的有機(jī)硅化合物進(jìn)行表面處理而得的氧化鈦粒子。優(yōu)選用上述的濕式法進(jìn)行具有氟原子的有機(jī)硅化合物的表面處理。S卩，使具有氟原子的有機(jī)硅化合物溶解或懸浮于有機(jī)溶劑或水中，向其中添加未處理的氧化鈦，將這樣的溶液攪拌數(shù)分鐘1小時(shí)左右來進(jìn)行混合，根據(jù)情況進(jìn)行加熱處理后，經(jīng)過過濾等工序后進(jìn)行干燥，用具有氟原子的有機(jī)硅化合物被覆氧化鈦的表面。另外，還可以在使氧化鈦分散于有機(jī)溶劑或水中而成的懸浮液中添加具有氟原子的有機(jī)硅化合物。另外，上述氧化鈦表面被具有氟原子的有機(jī)硅化合物被覆，可以通過使用光電子能譜法(ESCA)、俄歇電子能譜法(Auger)、二次離子質(zhì)譜法(SIMS)或擴(kuò)散反射FI-IR等的表面分析裝置來復(fù)合確認(rèn)。作為具有氟原子的有機(jī)硅化合物，可以舉出3，3，4，4，5，5，6，6，6_九氟己基三氯硅烷、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷、甲基-3，3，3-三氟丙基二氯硅烷、二甲氧基甲基_3，3，3-三氟丙基硅烷、3，3，4，4，5，5，6，6，6-九氟己基甲基二氯硅烷等。接著，對(duì)使用了施以表面處理的氧化鈦粒子等N型半導(dǎo)電性粒子(以下、也稱為表面處理N型半導(dǎo)電性粒子，另外，還特別將施以表面處理的氧化鈦粒子稱為表面處理氧化鈦)的中間層的構(gòu)成進(jìn)行說明。中間層通過在導(dǎo)電性支撐體上涂布使進(jìn)行多次表面處理而得到的表面處理氧化鈦等表面處理N型半導(dǎo)電性粒子與粘結(jié)樹脂一起溶解于溶劑中而成的液體來制作。用于形成中間層而制作的中間層涂布液由表面處理氧化鈦等表面處理N型半導(dǎo)電性粒子、粘結(jié)樹脂、分散溶劑等構(gòu)成，作為分散溶劑可以適當(dāng)使用與在其他的感光層制作中使用的溶劑相同的溶劑。S卩，作為溶劑或分散介質(zhì)，可以舉出正丁基胺、二乙基胺、乙二胺、異丙醇胺、三乙醇胺、三亞乙基二胺、N,N-二甲基甲酰胺、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丙基酮、環(huán)己酮、苯、甲苯、二甲苯、氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，2-二氯丙烷、1，1，2-三氯乙烷、1，1，1_三氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烷、四氫呋喃、二氧戊環(huán)、二噁烷、甲醇、乙醇、丁醇、異丙醇、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二甲基亞砜、甲基溶纖劑等。作為中間層涂布液溶劑，不限于這些，優(yōu)選使用甲醇、乙醇、丁醇、1-丙醇、異丙醇等。另外，這些溶劑還可以單獨(dú)使用或作為2種以上的混合溶劑來使用。另外，作為中間層涂布液溶劑，為了防止中間層涂布時(shí)發(fā)生干燥不均，優(yōu)選使用具有高樹脂溶解性的甲醇和直鏈醇的混合溶劑，優(yōu)選溶劑的比例按體積比計(jì)，以相對(duì)于甲醇1、直鏈醇為0.050.6的比例進(jìn)行混合而成的混合溶劑。如此，通過將涂布溶劑制成混合溶劑，可以適當(dāng)保持溶劑的蒸發(fā)速度，可以抑制在涂布時(shí)伴隨著干燥不均的圖像缺陷的產(chǎn)生。作為在中間層涂布液的制作中使用的表面處理氧化鈦的分散機(jī)構(gòu)，可以使用砂磨機(jī)、球磨機(jī)、超聲波分散機(jī)等任意的分散機(jī)構(gòu)。(感光層)本發(fā)明的感光體的感光層構(gòu)成，可以是在中間層上于一層中具有電荷發(fā)生功能和電荷運(yùn)輸功能的單層結(jié)構(gòu)的感光層構(gòu)成，更優(yōu)選采用將感光層的功能分離成電荷發(fā)生層(CGL)和電荷運(yùn)輸層(CTL)的構(gòu)成。通過采用分離功能的構(gòu)成，可以將伴隨著重復(fù)使用的殘留電位的增加控制在較小，可以根據(jù)目的容易地控制其他的電子照相特性。在負(fù)帶電用的感光體中，優(yōu)選采用在中間層上為電荷發(fā)生層(CGL)、在其上為電荷運(yùn)輸層(CTL)的構(gòu)成。對(duì)于正帶電用的感光體，上述層構(gòu)成的順序與負(fù)帶電用感光體的情況相反。本發(fā)明最優(yōu)選的感光層構(gòu)成是具有上述功能分離結(jié)構(gòu)的負(fù)帶電感光體構(gòu)成。以下，對(duì)功能分離負(fù)帶電感光體的感光層構(gòu)成進(jìn)行說明。(電荷發(fā)生層)電荷發(fā)生層中含有電荷發(fā)生物質(zhì)(CGM)。作為其他物質(zhì)，根據(jù)需要還可以含有粘結(jié)樹脂、其他的添加劑。作為電荷發(fā)生物質(zhì)(CGM)，可以使用公知的電荷發(fā)生物質(zhì)(CGM)。例如，可以使用酞菁顏料、偶氮顏料、茈顏料、奧鐺顏料等。其中，能夠使伴隨著重復(fù)使用的殘留電位的增加減小到最小的CGM是具有在多個(gè)分子間能獲得穩(wěn)定的聚集結(jié)構(gòu)的立體、電位構(gòu)造的物質(zhì)，具體可以舉出具有特定的結(jié)晶構(gòu)造的酞菁顏料、茈顏料的CGM。例如對(duì)Cu-Ka線的布拉格角2θ在27.2°具有最大峰的酞菁氧鈦、同樣2θ在12.4具有最大峰的苯并咪唑茈等的CGM伴隨著重復(fù)使用幾乎沒有劣化，可以使殘留電位的增加減少。在電荷發(fā)生層中使用粘結(jié)劑作為CGM的分散介質(zhì)時(shí)，可以使用公知的樹脂作為粘結(jié)劑，作為最優(yōu)選的樹脂，可以舉出縮甲醛樹脂、縮丁醛樹脂、硅酮樹脂、硅酮改性縮丁醛樹月旨、苯氧基樹脂等。粘結(jié)樹脂與電荷發(fā)生物質(zhì)的比例，優(yōu)選相對(duì)于粘結(jié)樹脂100質(zhì)量份為20600質(zhì)量份。通過使用這些樹脂，可以使伴隨著重復(fù)使用的殘留電位的增加減小到最小。電荷發(fā)生層的膜厚優(yōu)選為Ο.ΟΙμπι2μπι。(電荷輸送層)電荷輸送層中含有電荷輸送物質(zhì)(CTM)和用于分散CTM而制膜的粘結(jié)樹脂。作為其他的物質(zhì)，根據(jù)需要還可以含有抗氧化劑等添加劑。作為電荷輸送物質(zhì)(CTM)，可以使用公知的電荷輸送物質(zhì)(CTM)。例如可以使用三苯基胺衍生物、腙化合物、苯乙烯基化合物、對(duì)二氨基聯(lián)苯化合物、丁二烯化合物等。這些電荷輸送物質(zhì)通常溶解于適當(dāng)?shù)恼辰Y(jié)樹脂中進(jìn)行層的形成。其中可以使伴隨著重復(fù)使用的殘留電位增加減小到最小的CTM為高移動(dòng)度，且具有與組合的CGM的離子化電位差在0.5(eV)以下的特性，優(yōu)選為0.25(eV)以下。CGM、CTM的離子化電位用表面分析裝置AC-I(理研計(jì)器公司制)測定。作為電荷輸送層(CTL)中使用的樹脂，可以舉出例如聚苯乙烯、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、硅酮樹脂、蜜胺樹脂以及含有這些樹脂的重復(fù)單元中的2個(gè)以上的共聚物樹脂。除了這些絕緣性樹脂之外，還可以舉出聚-N-乙烯基咔唑等高分子有機(jī)半導(dǎo)體。作為這些CTL的粘結(jié)劑，最優(yōu)選的是聚碳酸酯樹脂。聚碳酸酯樹脂在使CTM的分散性、電子照相特性變得良好方面是最優(yōu)選的。粘結(jié)樹脂與電荷輸送物質(zhì)的比例，優(yōu)選相對(duì)于粘結(jié)樹脂100質(zhì)量份為10200質(zhì)量份。另外，電荷輸送層的膜厚優(yōu)選為10μm40μm。(表面層)作為感光體的表面層，通過設(shè)置硅氧烷系樹脂層，可以得到具有最優(yōu)選的層構(gòu)成的感光體。表面層的膜厚優(yōu)選0.5μm10μm，由于在維持強(qiáng)度的同時(shí)得到均勻的膜厚并能夠抑制波紋，因此特別優(yōu)選1.0μm5μm。在本發(fā)明中，如上述那樣的中間層、電荷發(fā)生層、電荷輸送層、表面層等導(dǎo)電性支撐體上的被覆層的合計(jì)膜厚優(yōu)選12μm50μm。此外，被覆層的合計(jì)膜厚的圖像形成區(qū)域的膜厚偏差優(yōu)選為0.2μπι2.Ομπι。通過使本申請(qǐng)發(fā)明的導(dǎo)電性支撐體上的被覆層的合計(jì)膜厚和膜厚偏差在上述范圍，可以得到階調(diào)性高、鮮明的圖像，而且能得到在中間調(diào)也無波紋顯著化的良好的電子照相圖像。對(duì)于被覆層的合計(jì)膜厚，對(duì)涂膜隨機(jī)測定10處，將其平均值作為被覆層的合計(jì)膜厚。此外，被覆層的膜厚偏差的測定法如下在軸方向以IOmm的間隔測定有機(jī)感光體的圖像區(qū)域，在中心的圓周方向以IOmm的間隔測定有機(jī)感光體的圖像區(qū)域，將全部測定值的最大值與最小值之差作為本發(fā)明的被覆層的膜厚偏差。膜厚測定器使用渦流方式的膜厚測定器EDDY560C(HELMUTFISCHERGMBTECO公司制)來進(jìn)行。作為用于制造包括中間層的感光體的涂布加工方法，可以使用浸漬涂布、噴涂、圓形量限制型涂布等涂布加工法，為了感光層的上層側(cè)的涂布加工不會(huì)過度溶解下層的膜，而且，為了達(dá)成均勻涂布加工，優(yōu)選使用噴涂或圓形量限制型(圓形板漏斗型是其代表例)涂布等涂布加工方法。另外，對(duì)于上述噴涂，例如在特開平3-90250號(hào)和特開平3-269238號(hào)公報(bào)中有詳細(xì)記載，對(duì)于上述圓形量限制型涂布，例如在特開昭58-189061號(hào)公報(bào)中有詳細(xì)記載。實(shí)施例以下，舉出實(shí)施例具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些。應(yīng)說明的是，只要沒有特別說明，說明書中的“份”表示質(zhì)量份，“%，，表示質(zhì)量％。實(shí)施例1用以下所示的方法在基體周圍依次層疊中間層/電荷發(fā)生層/電荷輸送層，制作具有基體/中間層/電荷發(fā)生層/電荷輸送層的構(gòu)成的感光體，作為感光體122。感光體1的制作基體的準(zhǔn)備在以下所示的條件下進(jìn)行圓筒狀鋁基體的切削加工?！吹?步驟粗加工>切削刀具多晶金剛石燒結(jié)體刀具刀尖形狀R20_的R形狀燒結(jié)體粒度10μm刀具切入角度100°刀具切入深度250μm基體轉(zhuǎn)數(shù):5000rpm切削輸送速度300μm/rev〈第2步驟精加工>切削刀具單晶金剛石刀具刀尖形狀平形狀燒結(jié)體粒度5μπι刀具切入角度95°刀具切入深度50μm基體轉(zhuǎn)數(shù):4500rpm切削輸送速度250μm/rev〈第3步驟噴砂加工〉裝置精密噴砂裝置MICROBLASTERMBI(ShintoBlater)磨粒的種類碳化硅(SiC)磨粒的等級(jí)#5000(平均粒徑2μm)吹噴壓力0·35MPa表1中示出突出山部高度(Rpk)、突出谷部高度(Rvk)、核部的高度(Rk)。此外，對(duì)于算術(shù)平均粗糙度Ra、十點(diǎn)平均粗糙度RzJIS(與2001年JIS改訂以前的Rz相同)而言，為了與以往技術(shù)進(jìn)行比較也進(jìn)行了確認(rèn)。中間層的形成在準(zhǔn)備好的基體上，用浸漬涂布法涂布下述中間層形成用涂布液(作為粒子種使用銳鈦礦型氧化鈦Al)后，在120°C干燥25分鐘，形成干燥膜厚為5.Oym的中間層。(中間層分散液的制備)粘結(jié)樹脂(例如聚酰胺N-1)1份銳鈦礦型氧化鈦Al(—次粒徑30nm:表面處理是氟代乙基三甲氧基硅烷處理)3份異丙醇10份將上述成分混合，使用砂磨分散機(jī)，以批式分散10小時(shí)，制備中間層分散液。(中間層形成用分散液的制備)用相同的混合溶劑將上述中間層分散液稀釋二倍，靜置一夜后進(jìn)行過濾(濾器NipponPall公司制ResiMeshFilter('J^^7*二74卟夕-)額定過濾精度5μπι，壓力50kPa)，制備中間層形成用涂布液。電荷發(fā)生層的形成在上述中間層上，用浸漬涂布法涂布下述的電荷發(fā)生層形成用涂布液，形成干燥膜厚為0.8μπι的電荷發(fā)生層。(電荷發(fā)生層形成用涂布液的制備)Y型酞菁氧鈦(在利用Cu-Kα特性X射線的X射線衍射圖中，最大峰角度以2θ計(jì)為27.3)20份聚乙烯醇縮丁醛(#6000_C，電氣化學(xué)工業(yè)公司制)10份乙酸叔丁酯700份4-甲氧基-4-甲基-2-戊酮300份將上述成分混合，并用砂磨分散機(jī)進(jìn)行分散，制備電荷發(fā)生層形成用涂布液.電荷輸送層的形成在上述電荷發(fā)生層上，用浸漬涂布法涂布下述的電荷輸送層形成用涂布液，形成干燥膜厚為24μm的電荷輸送層。(電荷輸送層形成用涂布液的制備)電荷輸送物質(zhì)(4-甲氧基_4，-(4-甲基-α-苯基苯乙烯基)三苯基胺)75份聚碳酸酯樹脂“UpirOn-Z300”(三菱氣體化學(xué)公司制)100份抗氧化劑(BHT-F武田麒麟公司制)2份四氫呋喃/甲苯(體積比7/3)750份將上述成分混合，溶解，制備電荷輸送層涂布液。感光體2的制作除了在感光體1中，將中間層的干燥膜厚設(shè)為1.Ομπι以外，采用與感光體1相同的方法制作感光體，制成感光體2。感光體3的制作除了在感光體1中，將中間層的干燥膜厚變更為5.Ομπι以外，采用與感光體1相同的方法制作感光體，制成感光體3。感光體4的制作除了在感光體1中，將中間層的干燥膜厚變更為8.Ομπι以外，采用與感光體1相同的方法制作感光體，制成感光體4。感光體5的制作除了在感光體1中，將中間層的干燥膜厚變更為10.0μm以外，采用與感光體1相同的方法制作感光體，制成感光體5。感光體6的制作除了在感光體3中，將第2步驟中的刀具安裝角度變更為120°，將切入深度變更為1(^!11，將1^1^1油、1^變更成如表1所示之外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體6。感光體7的制作除了在感光體3中，將第2步驟中的刀具安裝角度變更為90°，將切入深度變更為200μm,將Rpk、Rvk、Rk變更成如表1所示之外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體7。感光體8的制作除了在感光體3中，使用金剛石#8000(平均粒徑1.2μm)作為第3步驟中的磨粒，在吹噴壓力0.15MPa下進(jìn)行，將Rpk、Rvk,Rk變更成如表1所示之外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體8。感光體9的制作用SUPERBLASTERDSC-I(不二制作所)代替感光體1的第3步驟中的噴砂，使用0.4mm的干冰粒子，在噴射壓力0.6MPa下進(jìn)行，將Rpk、Rvk,Rk變更成如表1所示之外，采用與感光體1相同的方法制作感光體，制成感光體9。感光體10的制作除了在感光體9中，將中間層的干燥膜厚變更為5.Oym以外，采用與感光體9相同的方法制作感光體，制成感光體10。感光體11的制作除了在感光體9中，將中間層的干燥膜厚變更為10.Oym以外，采用與感光體9相同的方法制作感光體，制成感光體11。感光體12的制作除了在感光體3中，將中間層的氧化鈦的一次平均粒徑變更為25nm的金紅石型氧化鈦A2(表面處理與Al相同)以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體12。感光體13的制作除了在感光體3中，將中間層的氧化鈦的一次平均粒徑變更為35nm的金紅石型氧化鈦A3(表面處理與Al相同)以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體13。感光體14的制作除了在感光體3中，將中間層中的銳鈦礦型氧化鈦Al變更成金紅石型氧化鈦A4(—次平均粒徑為15nm，甲基氫硅氧烷表面處理)以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體14。感光體15的制作除了在感光體3中，將中間層中的銳鈦礦型氧化鈦Al變更成板鈦礦型氧化鈦A5(一次平均粒徑為75nm，甲基氫硅氧烷表面處理)以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體15。感光體16的制作除了在感光體3中，將中間層中的銳鈦礦型氧化鈦Al變更成氧化鋅Z(—次平均粒徑為155nm，甲基氫硅氧烷表面處理)以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體16。感光體17的制作(比較例)除了在感光體3中，不進(jìn)行第2步驟以外，采用與感光體1相同的方法制作感光體，制成比較的感光體17。感光體18的制作除了在感光體3中，在對(duì)感光體3進(jìn)行的基體處理之后，進(jìn)而使用氧化鋁#8000(平均粒徑1.2μm)作為磨粒，在吹噴壓力0.IMPa下進(jìn)行處理，將Rpk、Rvk、Rk變更成如表1所示之外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成感光體18。感光體19的制作除了在感光體3中，在改變切削條件之后，用SUPERBLASTERDSC-1(不二制作所)，使用0.4mm的干冰粒子，在噴射壓力0.60MPa下進(jìn)行處理，將Rpk、Rvk、Rk變更成如表1所示之外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成比較的感光體19。感光體20的制作(比較例)除了在感光體3中，完全不進(jìn)行噴砂處理以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成比較的感光體20。感光體21的制作(比較例)除了在感光體3中，將中間層的干燥膜厚變?yōu)?.3μm以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成比較的感光體21。感光體22的制作(比較例)除了在感光體3中，將中間層的干燥膜厚變?yōu)?2.Ομπι以外，采用與感光體3相同的方法制作感光體，制成比較的感光體22。評(píng)價(jià)將所制成的感光體122分別安裝到市售的打印機(jī)“bizhubC350(柯尼卡美能達(dá)公司制)”上，對(duì)于干涉波紋、黑點(diǎn)，用以下所示的評(píng)價(jià)方法進(jìn)行評(píng)價(jià)，將基于以下所示的評(píng)價(jià)等級(jí)進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果示于表1。黑點(diǎn)作為漏電特性的替代用評(píng)價(jià)而進(jìn)行評(píng)價(jià)。表中，Al表示銳鈦礦型氧化鈦，A2、A3、A4表示金紅石型氧化鈦，A5表示板鈦礦型氧化鈦，Z表示氧化鋅。另外，導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的突出山部高度Rpk、突出谷部高度Rvk、核部的水平差Rk是依照J(rèn)ISB0671-2:2002，此外，算術(shù)平均粗糙度Ra、十點(diǎn)平均粗糙度Rz是依照J(rèn)ISB0601:2001，使用表面粗糙度計(jì)(東京精密公司制Surfcom1400D)測定得到的值。另外，突出山部高度Rpk(μm)、突出谷部高度Rvk(μm)、核部的水平差Rk(μm)、算術(shù)平均粗糙度Ra(ym)、十點(diǎn)平均粗糙度RzJIS(ym)測定在以下的測定條件下進(jìn)行。測定條件測定機(jī)表面粗糙度計(jì)(東京精密公司制Surfcom1400D)測定長度L4.Omm截止波長λc:0.08mm觸針前端形狀前端角度60°圓錐觸針前端半徑0.5μπι測定速度0.3mm/sec測定倍率100000倍測定位置導(dǎo)電性支撐體的長度方向的中心位置，和中心位置士IOOmm位置的3處的導(dǎo)電性支撐體表面(為圓筒狀支撐體時(shí)，是圓筒狀支撐體的軸方向的中心位置，和中心位置士IOOmm位置的3處的圓筒狀支撐體表面)測定方向?qū)щ娦灾误w的長度方向(為圓筒狀支撐體時(shí)，是圓筒狀支撐體的軸方向)將上述3處的各平均值作為突出山部高度Rpk(μm)、突出谷部高度Rvk(μm)、核部的水平差Rk(μm)、算術(shù)平均粗糙度Ra(μm)、十點(diǎn)平均粗糙度RzJIS(μm)的值。干涉波紋的評(píng)價(jià)方法將感光體在低溫低濕(LL:10°C20%RH)下放置24小時(shí)后，安裝到市售的打印機(jī)“bizhubC350(柯尼卡美能達(dá)公司制)”上，在下述的條件下進(jìn)行曝光后，使用非磁性單成分顯影劑(含有重量平均粒徑6.3μm、0.3μm的疏水性氧化鈦和15nm的疏水性氧化硅的外添劑的非磁性單成分顯影劑)進(jìn)行反轉(zhuǎn)顯影，將像素率為7%的文字圖像、半色調(diào)圖像、全白圖像、全黑圖像各占1/4等分的圖像樣品共計(jì)印刷2萬張，在開始時(shí)和每隔5000張用目視進(jìn)行評(píng)價(jià)。曝光條件曝光部電位目標(biāo)設(shè)定為小于-50V的曝光量。曝光光源進(jìn)行點(diǎn)密度為600dpi(所謂dpi是指每2.54cm的點(diǎn)數(shù))的像曝光。激光使用780nm的半導(dǎo)體激光。干涉波紋的評(píng)價(jià)等級(jí)描畫出半色調(diào)圖像，用目視確認(rèn)干涉波紋的發(fā)生水平?！蛲耆珱]有問題OO局部稍微看到有發(fā)生，但在實(shí)際使用上是完全沒有問題的水平〇局部看到有發(fā)生，但在實(shí)際使用上稍優(yōu)于合格下限，是可以視為沒有問題的水平X局部明顯發(fā)生，是在實(shí)際使用上有問題的水平XX整體明顯發(fā)生，是在實(shí)際使用上有問題的水平黑點(diǎn)的評(píng)價(jià)方法將感光體在高溫高濕(HH:30°C80%RH)條件下放置24小時(shí)后，安裝到市售的打印機(jī)“bizhubC350(柯尼卡美能達(dá)公司制)”上，在與干涉波紋的評(píng)價(jià)方法相同的條件下進(jìn)行曝光、反轉(zhuǎn)顯影，將像素率為7%的文字圖像、半色調(diào)圖像、全白圖像、全黑圖像各占1/4等分的圖像樣品共計(jì)印刷2萬張，在開始時(shí)和每隔5000張用目視進(jìn)行評(píng)價(jià)。黑點(diǎn)的評(píng)價(jià)等級(jí)周期性與感光體的周期一致，以每A4尺寸有幾個(gè)0.4mm以上的能夠目視看出的黑點(diǎn)來判定。◎0.4mm以上的圖像缺陷的頻率全部印刷圖像為3個(gè)/A4以下(良好)OO:0.4mm以上的圖像缺陷的頻率全部印刷圖像為4個(gè)/A46個(gè)/A4(在實(shí)際使用上沒有問題)〇0.4mm以上的圖像缺陷的頻率7個(gè)/A410個(gè)/A4發(fā)生為1張以上(在實(shí)際使用上，稍優(yōu)于合格下限，是可以視為沒有問題的水平)X0.4mm以上的圖像缺陷的頻率11個(gè)/A414個(gè)/A4為1張以上(在實(shí)際使用上有問題)XX0.4mm以上的圖像缺陷的頻率15個(gè)/A4以上發(fā)生為1張以上(是在實(shí)際使用上很有問題的水平)表1<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的Rpk、Rvk、Rk在本申請(qǐng)發(fā)明范圍內(nèi)的感光體1~16再個(gè)評(píng)價(jià)項(xiàng)目中都得到良好的結(jié)果，與此相對(duì)，比較例的導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的Rpk、Rvk、Rk在本申請(qǐng)發(fā)明范圍外的感光體17、20~22再任一個(gè)評(píng)價(jià)項(xiàng)目中，都看到顯示實(shí)用性不夠的評(píng)價(jià)。在本申請(qǐng)發(fā)明范圍內(nèi)的感光體的實(shí)用性還顯示未必與算術(shù)平均粗糙度Ra、商店平均粗糙度RzJIS的值相關(guān)。權(quán)利要求一種有機(jī)感光體，在導(dǎo)電性支撐體上至少設(shè)有中間層、感光層，其特征在于，所述中間層的干燥膜厚為0.5μm～10.0μm，所述導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的突出山部高度Rpk、突出谷部高度Rvk、核部的水平差Rk具有下述式(1)的關(guān)系，其中突出山部高度Rpk、突出谷部高度Rvk和核部的水平差Rk的單位是μm，Rpk+Rvk≤Rk式(1)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的突出山部高度Rpk、突出谷部高度Rvk、核部的水平差Rk具有下述式(2)的關(guān)系，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式(2)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述突出山部高度Rpk和突出谷部高度Rvk分別為0.01μm0.50μm，所述核部的水平差Rk為0.10μm1.50μm。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述中間層含有N型半導(dǎo)電性粒子。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述N型半導(dǎo)電性粒子是氧化鈦微?；蜓趸\微粒。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述N型半導(dǎo)電性粒子的數(shù)均一次粒徑為IOnm200nm。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述中間層至少含有N型半導(dǎo)電性粒子和粘結(jié)樹脂，其中，相對(duì)于粘結(jié)樹脂100質(zhì)量份，該N型半導(dǎo)電性粒子的量為10質(zhì)量份10000質(zhì)量份。8.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體，其特征在于，導(dǎo)電性支撐體上的被覆層的合計(jì)膜厚為12ym50μπι，且被覆層的合計(jì)膜厚的圖像形成區(qū)域的膜厚偏差為0.2μm2.0μm。9.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體，其特征在于，所述導(dǎo)電性支撐體的表面加工至少包括使用切削刀具的粗加工和精加工。10.一種圖像形成方法，其特征在于，具有如下工序使有機(jī)感光體的表面帶電的帶電工序、在帶電的有機(jī)感光體上用激光進(jìn)行曝光而形成靜電潛像的曝光工序、用調(diào)色劑將有機(jī)感光體上的潛像進(jìn)行顯影而形成調(diào)色劑像的顯影工序、將有機(jī)感光體上的調(diào)色劑像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印媒介上的轉(zhuǎn)印工序，其中所述有機(jī)感光體是權(quán)利要求ι9中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像形成方法，其特征在于，在所述曝光工序中，寫入的主掃描方向的曝光點(diǎn)直徑為ομπι50μπι，分辨度為600dpi2500dpi。12.—種圖像形成裝置，其特征在于，具有如下機(jī)構(gòu)有機(jī)感光體、使有機(jī)感光體的表面帶電的帶電機(jī)構(gòu)、在帶電的有機(jī)感光體上進(jìn)行曝光而形成靜電潛像的曝光機(jī)構(gòu)、用調(diào)色劑將有機(jī)感光體上的潛像進(jìn)行顯影而形成調(diào)色劑像的顯影機(jī)構(gòu)、將有機(jī)感光體上的調(diào)色劑像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印媒介上的轉(zhuǎn)印機(jī)構(gòu)，其中所述有機(jī)感光體是權(quán)利要求19中任一項(xiàng)所述的有機(jī)感光體。全文摘要本發(fā)明涉及有機(jī)感光體、圖像形成方法和圖像形成裝置。提供使生產(chǎn)有機(jī)感光體時(shí)的負(fù)荷減少、防止波紋所致的畫質(zhì)降低、能夠獲得不會(huì)隨著切削加工面的凸部漏電而產(chǎn)生黑點(diǎn)等圖像缺陷的高畫質(zhì)的電子照相圖像的有機(jī)感光體，圖像形成方法以及圖像形成裝置。所述有機(jī)感光體在導(dǎo)電性支撐體上至少設(shè)有中間層、感光層，其特征在于，所述中間層的干燥膜厚為0.5μm～10.0μm，所述導(dǎo)電性支撐體的粗糙度曲線的突出山部高度Rpk(μm)、突出谷部高度Rvk(μm)、核部的水平差Rk(μm)具有下述式(1)的關(guān)系。Rpk+Rvk≤Rk式(1)文檔編號(hào)G03G5/10GK101807015SQ20101011189公開日2010年8月18日申請(qǐng)日期2010年2月5日優(yōu)先權(quán)日2009年2月13日發(fā)明者佐佐木輝夫,崎村友男,德竹重明申請(qǐng)人:柯尼卡美能達(dá)商用科技株式會(huì)社