專(zhuān)利名稱(chēng)：增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備的制作方法
增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
光學(xué)交織器是用于將兩組密集波分復(fù)用(DWDM)信道(奇信道和偶信道)交織成 復(fù)合信號(hào)流的無(wú)源型光纖設(shè)備。例如，光學(xué)交織器可以構(gòu)造成接收兩個(gè)間隔為IOOGHz的多 路信號(hào)，并將它們交織以產(chǎn)生信道間隔為50GHz的更密集的DWDM信號(hào)。光學(xué)交織器還可以 通過(guò)使經(jīng)過(guò)交織器的信號(hào)流方向反向而用作去交織器。光學(xué)交織器已經(jīng)廣泛用于DWDM系統(tǒng)并成為高速率數(shù)據(jù)傳輸光學(xué)網(wǎng)絡(luò)的重要組成 模塊。與諸如薄膜濾波器和陣列波導(dǎo)光柵等其它帶通濾波技術(shù)相比，光學(xué)交織器在一些方 面易于制造。然而，由于日益增長(zhǎng)的對(duì)越來(lái)越小的光學(xué)交織器的需求，也已經(jīng)有人嘗試減小 光學(xué)交織器的內(nèi)部部件的尺寸。然而，隨著內(nèi)部光學(xué)部件尺寸的減小，制造內(nèi)部部件的工藝 復(fù)雜度增加而內(nèi)部部件的產(chǎn)率下降。

發(fā)明內(nèi)容
總體上，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備。至少一些示例性 實(shí)施方式增強(qiáng)了多體式光學(xué)設(shè)備的強(qiáng)度，這使得能夠制造更薄的多體式光學(xué)設(shè)備。此處公 開(kāi)的示例性實(shí)施方式還改善了這些更薄的多體式光學(xué)設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性，即使在 惡劣的應(yīng)用環(huán)境中也是如此。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，用于制造增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備的方法包括如下步 驟首先，利用壓力和熱將支撐板附接于多體式光學(xué)設(shè)備以形成增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備，其 中支撐板的熱膨脹系數(shù)(CTE)在多體式光學(xué)設(shè)備的CTE的大約百萬(wàn)分之0. 5以?xún)?nèi)；然后，研 磨多體式光學(xué)設(shè)備以減小多體式光學(xué)設(shè)備的厚度。在另一個(gè)示例性實(shí)施方式中，用于制造增強(qiáng)型多體式偏振分束器(PBS)的方法包 括如下步驟首先，向內(nèi)板的各側(cè)施加PBS涂層；接下來(lái)，利用熱和壓力將兩個(gè)板附接到內(nèi) 板的各側(cè)；然后，以與附接的板非正交的角度將附接的板切塊；接下來(lái)，將切塊部段的頂部 和底部去除以完成具有大致矩形周邊的多體式PBS的形成；然后，利用熱和壓力將支撐板 附接于多體式PBS以形成增強(qiáng)型多體式PBS，其中支撐板的CTE在多體式PBS的CTE的大約 百萬(wàn)分之0. 5以?xún)?nèi)；最后，研磨多體式PBS以減小多體式PBS的厚度。在又一個(gè)示例性實(shí)施方式中，增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備包括多體式光學(xué)設(shè)備以及以 不用環(huán)氧樹(shù)脂的方式附接于多體式光學(xué)設(shè)備的支撐板。多體式光學(xué)設(shè)備的厚度小于或等于 大約1. 0毫米。支撐板的CTE在多體式光學(xué)設(shè)備的CTE的大約百萬(wàn)分之0. 5以?xún)?nèi)。提供該發(fā)明內(nèi)容部分是為了以簡(jiǎn)化的形式介紹以下將在具體實(shí)施方式
中進(jìn)一步 描述的思想的精髓。該發(fā)明內(nèi)容部分并非旨在確定要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特 征，也并非旨在用于輔助判定要求保護(hù)的主題的范圍。其它特征將在以下的描述中進(jìn)行闡述，并且將部分地從描述中變得明顯，或者將 通過(guò)此處的教示的實(shí)踐而被獲知?？梢酝ㄟ^(guò)在所附權(quán)利要求中具體指出的方式及結(jié)合而認(rèn)識(shí)并獲知本發(fā)明的特征。從以下描述和所附權(quán)利要求中，本發(fā)明的特征將變得非常明顯，或 者可以通過(guò)以下闡釋的本發(fā)明的實(shí)踐而獲知本發(fā)明的特征。


為了進(jìn)一步闡明本發(fā)明的某些方面，將結(jié)合附圖中公開(kāi)的本發(fā)明的示例性實(shí)施方 式對(duì)本發(fā)明作出更加具體的描述。應(yīng)當(dāng)理解，這些附圖僅僅描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方 式，所以不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍。以下將通過(guò)使用附圖而更加具體和詳細(xì)地描述和說(shuō) 明本發(fā)明的方面，在附圖中圖IA是具有示例性偏振光束偏移器(polarization beam displacer，PBD)的示 例性光學(xué)去交織器的后視立體圖；圖IB是圖IA的示例性PBD的立體圖；圖2是制造圖IA和IB的PBD的示例性方法的流程圖；圖3A至圖3L是圖2的示例性方法的步驟的各種示例性實(shí)施方式的示意圖；圖4是比較現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備與根據(jù)圖2的示例性方法制造的圖IA和圖IB中的示 例性PBD的各種特性的圖表；圖5是示例性增強(qiáng)型多體式PBS陣列的側(cè)視圖；圖6是用于制造圖5的增強(qiáng)型多體式PBS陣列的示例性方法的流程圖；圖7A至圖7J是圖6的示例性方法的步驟的各種示例性實(shí)施方式的示意具體實(shí)施例方式本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及增強(qiáng)型光學(xué)設(shè)備。至少一些示例性實(shí)施方式增強(qiáng)了 光學(xué)設(shè)備的強(qiáng)度，這使得能夠制造更薄的多體式光學(xué)設(shè)備。此處公開(kāi)的示例性實(shí)施方式還 改善了這些更薄的多體式光學(xué)設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性及可靠性，即使在惡劣的應(yīng)用環(huán)境中也是 如此?，F(xiàn)在將結(jié)合附圖來(lái)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的各種方面。應(yīng)當(dāng)理解，附圖是 這些示例性實(shí)施方式的概略和示意性表示，而并非限制本發(fā)明，也未必按比例繪制。首先參見(jiàn)圖1A，其中公開(kāi)了示例性交織器100。示例性交織器100構(gòu)造成用于將第 一光學(xué)信號(hào)與第二光學(xué)信號(hào)交織，并構(gòu)造成用于將第一光學(xué)信號(hào)與第二光學(xué)信號(hào)去交織。 例如，交織后的光學(xué)信號(hào)可以具有50GHz的信道間隔，而兩個(gè)去交織后的光學(xué)信號(hào)可以各 具有IOOGHz的信道間隔。如圖IA所公開(kāi)的，示例性交織器100包括基底102、單光纖準(zhǔn)直器104、窗蓋106、 第一偏振光束偏移塊108、與第一半波片114和第二半波片116交插的第一和第二濾波器單 元110和112。如圖IA所公開(kāi)的，示例性交織器100還包括第三半波片118、橫向偏移棱鏡 120、屋脊棱鏡122、第二偏振光束偏移塊124、窗蓋126、以及雙光纖準(zhǔn)直器128。如圖IA所 公開(kāi)的，示例性交織器100還包括結(jié)合式偏振光束偏移器250。如圖IB所示，偏振光束偏移器(PBD) 250包括偏振分束器(PBS) 252以及回射器 254。與PBS經(jīng)由空氣間隙與回射器分離的常規(guī)構(gòu)造不同，PBS 252沒(méi)有任何空氣間隙地直 接附接于回射器254。這種直接附接不需要在PBS 252和回射器254的面對(duì)間隙的側(cè)面涂 覆防反射涂層，從而降低了 PBS 252和回射器254的成本和復(fù)雜度。這種直接附接還使得回射器254能夠增強(qiáng)PBS 252，從而使得PBS 252能夠比單獨(dú)的PBS更薄，以下將更加詳細(xì) 地介紹這一點(diǎn)?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖2，其中公開(kāi)了用于制造PBD 250的示例性方法200。現(xiàn)在將結(jié)合圖3A 至圖3L介紹示例性方法200的步驟。參見(jiàn)圖2和圖3A，方法200始于步驟202，在該步驟中，將涂層——如PBS涂層或 其它涂層——施加到內(nèi)板302的各側(cè)。內(nèi)板302可以由多種透光材料形成，所述透光材料 包括但不限于硅、諸如未充填的聚醚酰亞胺的塑料、石英玻璃、SFll玻璃或其它玻璃。參見(jiàn)圖2和圖3B，方法200繼續(xù)步驟204，在該步驟中，利用熱和壓力將兩個(gè)外板 304和306附接于內(nèi)板302的各側(cè)。外板304和306可以由以上結(jié)合內(nèi)板302所列的任何 材料形成。在至少一些示例性實(shí)施方式中，外板304和306由與內(nèi)板302相同的材料形成。 外板304和306可以通過(guò)以下方式附接于內(nèi)板302 首先拋光附接表面；然后可以將外板 304和306壓到內(nèi)板302的各側(cè)；最后可以在爐中烘烤板302、304和306從而完成附接過(guò) 程。例如，可以在爐中以高于或等于300攝氏度的溫度烘烤板302、304和306。步驟204的 烘烤可以使得附接表面之間能夠更好地進(jìn)行分子擴(kuò)散和粘接。參見(jiàn)圖2、圖3C以及圖3D，方法200繼續(xù)步驟206，在該步驟中，以與附接的板302 至306非正交的角度將附接的板302至306切塊。例如，可以沿虛線(xiàn)308將附接的板302 至306切塊，形成類(lèi)似于圖3D所公開(kāi)的切塊部段310的四個(gè)切塊部段。參見(jiàn)圖2、圖3D和圖3E，方法200繼續(xù)步驟208，在該步驟中，將切塊部段310的頂 部312和底部314去除，以完成具有大致矩形周邊的多體式PBS 252的形成。參見(jiàn)圖2、圖3E和圖3F，方法200繼續(xù)步驟210，在該步驟中，利用熱和壓力將支撐 板318附接于PBS 252以形成增強(qiáng)型PBS 320。例如，可以用與以上結(jié)合步驟204所介紹 的技術(shù)相類(lèi)似的技術(shù)將PBS 252附接于支撐板318。此外，支撐板可以由以上結(jié)合內(nèi)板302 所列的任何材料形成。例如，支撐板318可以由與PBS 252相同的材料形成?？商娲兀?至少一些示例性實(shí)施方式中，形成支撐板318的材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)可以在形成PBS 252的材料的CTE的大約百萬(wàn)分之0. 5以?xún)?nèi)。參見(jiàn)圖2、圖3G和圖3H，方法200繼續(xù)步驟212，在該步驟中，研磨PBS 252以減小 PBS 252的厚度。如圖3G所公開(kāi)的，可以用包括支架3 和磨板326的磨具322來(lái)完成該 研磨?？梢詫⒃鰪?qiáng)型PBS 320的支撐板318安裝于支架324，然后磨具322可以使支架324 和增強(qiáng)型PBS 320相對(duì)于磨板3 旋轉(zhuǎn)。如圖3H所公開(kāi)的，磨板3 與增強(qiáng)型PBS 320的 PBS 252之間的摩擦使得PBS 252的一部分被磨掉，導(dǎo)致PBS 252的厚度減小。PBS 252的 厚度可以減小到大約1毫米或更小。例如，PBS 252的厚度可以減小到大約0.3毫米或更 小。磨板3 例如可以是浙青拋光板，但是其它類(lèi)型的磨板是可能的并且是可以想到的。參見(jiàn)圖2、圖31和圖3J，方法200繼續(xù)步驟214，在該步驟中，以第一角度研磨支撐 板318的第一部分。如圖31和圖3J所公開(kāi)的，該研磨可以用磨具322完成。如圖31所公 開(kāi)的，可以將增強(qiáng)型PBS 320的PBS 252以相對(duì)于磨板3 呈第一角度地安裝到支架324。 然后磨具322使得磨板3 相對(duì)于支架3 和增強(qiáng)型PBS 320旋轉(zhuǎn)。如圖3J所公開(kāi)的，磨 板326與支撐板318之間的摩擦使得支撐板318的一個(gè)角部被磨掉，從而在支撐板318上 形成第一角形表面。參見(jiàn)圖2、圖I和圖3L，方法200繼續(xù)步驟216，在該步驟中，以第二角度研磨支撐板318的第二部分。如圖I和圖3L所公開(kāi)的，該研磨可以用磨具322完成。如圖I所公 開(kāi)的，可以將增強(qiáng)型PBS 320的PBS 252以相對(duì)于磨板3 呈第二角度地安裝到支架324。 然后磨具322使得磨板3 相對(duì)于支架3 和增強(qiáng)型PBS 320旋轉(zhuǎn)。如圖3L所公開(kāi)的，磨 板3 與支撐板318之間的摩擦使得支撐板318的第二角部被磨掉，從而在支撐板318上 形成第二角形表面。因此，步驟214和216將支撐板318轉(zhuǎn)化成回射器2M并將增強(qiáng)型PBS 320 轉(zhuǎn)化成 PBD 250。參見(jiàn)圖4，圖表400比較了現(xiàn)有技術(shù)的PBD與PBD 250?，F(xiàn)有技術(shù)的PBD包括由2 毫米間隙分隔開(kāi)的PBS與回射器。如圖表400所公開(kāi)的，兩種光學(xué)設(shè)備中PBS的厚度均為 大約1毫米，而兩種光學(xué)設(shè)備的回射器的厚度為大約3毫米。然而，現(xiàn)有技術(shù)的PBD的PBS 與回射器被2毫米的間隙分隔開(kāi)，而PBD 250的PBS 252與回射器2M沒(méi)有被間隙分隔開(kāi) 而是直接附接于彼此。因此，現(xiàn)有技術(shù)的PBD的總厚度比PBD 250的總厚度厚2毫米左右。此外，現(xiàn)有技術(shù)的PBD的PBS和回射器的附接面對(duì)表面還涂有防反射涂層，而PBD 250的PBS 252與回射器邪4不包括這種防反射涂層。因此，從PBD 250去除防反射涂層降 低了制造PBD 250的成本和復(fù)雜度。如圖表400所示，PBD 250的產(chǎn)率為大約90%，而現(xiàn)有技術(shù)的PBD的產(chǎn)率僅為大約 20%。此外，PBD 250的插入損失大約為現(xiàn)有技術(shù)的PBD的插入損失的一半，而兩種光學(xué)設(shè) 備之間的消光比保持大約相等。因此，PBD 250比現(xiàn)有技術(shù)的PBD表現(xiàn)出顯著增加的產(chǎn)率 以及顯著降低的插入損失。此外，可以以降低的制造復(fù)雜度來(lái)制造PBD 250，并且結(jié)果表現(xiàn) 出比現(xiàn)有技術(shù)的PBD更小的熱變形?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖5，公開(kāi)了另一種類(lèi)型的光學(xué)設(shè)備。具體地，圖5公開(kāi)了一種增強(qiáng)型偏 振分束器陣列(PBS陣列)500。增強(qiáng)型PBS陣列500包括PBS陣列502和支撐板504。PBS 陣列502直接附接于支撐板504。這種直接附接使得支撐板504能夠增強(qiáng)PBS陣列502，從 而使得PBS陣列502能夠比單獨(dú)的PBS陣列更薄，以下將對(duì)此更加詳細(xì)地進(jìn)行描述。與圖 IA和圖IB的PBS 252相似，PBS陣列502是多體式光學(xué)設(shè)備。然而，PBS陣列502由五個(gè) 部件形成，而不是僅由三個(gè)部件形成?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖6，其中公開(kāi)了用于制造增強(qiáng)型PBS陣列500的示例性方法600?，F(xiàn)在 將結(jié)合圖7A至圖7J來(lái)介紹示例性方法600的步驟。參見(jiàn)圖6和圖7A，方法600始于步驟602，在該步驟中，將涂層——如PBS涂層或 其它涂層——施加到第一和第二內(nèi)板70 和702b的各側(cè)。內(nèi)板70 和702b可以由多種 透光材料形成，所述透光材料包括但不限于以上結(jié)合內(nèi)板302所列出的任何材料。參見(jiàn)圖6和圖7B，方法600繼續(xù)步驟604，在該步驟中，利用熱和壓力將第一和第 二內(nèi)板70 和702b附接于第三內(nèi)板702c的各側(cè)，并將兩個(gè)外板704和706附接于內(nèi)板 70 和702b。外板704和706可以由以上結(jié)合內(nèi)板302所列的任何材料形成。在至少一 些示例性實(shí)施方式中，外板704和706由與內(nèi)板702相同的材料形成。板704、70加、702(3、 702b和706可以通過(guò)例如拋光附接表面、將板彼此壓靠、并在爐中以大于或等于300攝氏度 的溫度烘烤這些板而彼此附接。參見(jiàn)圖6、圖7C以及圖7D，方法600繼續(xù)步驟606，在該步驟中，以與附接的板非 正交的角度將附接的板704、7(^a、702c、702b和706切塊。例如，可以沿虛線(xiàn)708將附接的 板704、7(^a、702c、702b和706切塊，形成類(lèi)似于圖7D所公開(kāi)的切塊部段710的四個(gè)切塊部段。參見(jiàn)圖6、圖7D和圖7E，方法600繼續(xù)步驟608，在該步驟中，將切塊部段710的頂 部712和底部714去除，以完成具有大致矩形周邊的多體式PBS陣列502的形成。參見(jiàn)圖6、圖7E和圖7F，方法600繼續(xù)步驟610，在該步驟中，利用熱和壓力將支撐 板504附接于PBS陣列502以形成增強(qiáng)型PBS陣列500。例如，可以用與以上結(jié)合步驟604 所介紹的技術(shù)相類(lèi)似的技術(shù)將PBS陣列502附接于支撐板504。此外，支撐板可以由以上結(jié) 合板704、70加、702(3、70沘和706所列的任何材料形成。例如，支撐板504可以由與PBS陣 列502相同的材料形成?？商娲?，在至少一些示例性實(shí)施方式中，形成支撐板504的材料 的CTE可以在形成PBS陣列502的材料的CTE的大約百萬(wàn)分之0. 5以?xún)?nèi)。參見(jiàn)圖6、圖7G和圖7H，方法600繼續(xù)步驟612，在該步驟中，研磨PBS陣列502以 減小PBS陣列502的厚度。如圖7G所公開(kāi)的，該研磨可以用上述結(jié)合圖3A至圖3L所介紹 的磨具322來(lái)完成。可以將增強(qiáng)型PBS陣列500的支撐板504安裝于支架324，然后磨具 322能夠使支架3 和增強(qiáng)型PBS陣列500相對(duì)于磨板3 旋轉(zhuǎn)。如圖7H所公開(kāi)的，磨板 326與增強(qiáng)型PBS陣列500的PBS陣列502之間的摩擦使得PBS陣列502的一部分被磨掉， 從而使PBS陣列502的厚度減小。PBS陣列502的厚度可以減小到大約1. 0毫米或更小。 例如，PBS陣列502的厚度可以減小到大約0. 3毫米或更小。參見(jiàn)圖6、圖71和圖7J，方法600繼續(xù)步驟614，在該步驟中，研磨支撐板504以 減小支撐板504的厚度。如圖71所公開(kāi)的，該研磨可以用磨具322完成。增強(qiáng)型PBS陣列 500的PBS陣列502可以安裝到支架324，然后磨具322能夠使磨板3 相對(duì)于支架3M和 增強(qiáng)型PBS陣列500旋轉(zhuǎn)。如圖7J所公開(kāi)的，磨板326與增強(qiáng)型PBS陣列500的支撐板 504之間的摩擦使得支撐板504的一部分被磨掉，從而使支撐板504的厚度減小。支撐板 504的厚度可以減小到大約1. 0毫米或更小。例如，支撐板504的厚度可以減小到大約0. 3 毫米或更小。與PBD 250類(lèi)似，能夠以比現(xiàn)有技術(shù)的PBS陣列更高的產(chǎn)率來(lái)制造增強(qiáng)型多體式 PBS陣列500。此外，將支撐層504附接于多體式PBS陣列502減小了多體式PBS陣列502 的熱變形。方法600還降低了增強(qiáng)型多體式PBS陣列500的制造復(fù)雜度、厚度以及插入損失。此處公開(kāi)的示例性實(shí)施方式可以以其它特定形式實(shí)施。此處公開(kāi)的示例性實(shí)施方 式在各方面均應(yīng)視為僅是示意性的而非限制性的。
權(quán)利要求
1.一種用于制造增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備的方法，所述方法包括以下步驟i)利用壓力和熱將支撐板附接于多體式光學(xué)設(shè)備以形成增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備，其 中，所述支撐板的熱膨脹系數(shù)在所述多體式光學(xué)設(shè)備的熱膨脹系數(shù)的大約百萬(wàn)分之0. 5以 內(nèi)；以及 )研磨所述多體式光學(xué)設(shè)備以減小所述多體式光學(xué)設(shè)備的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟 iii)研磨所述支撐板以減小所述支撐板的厚度。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述多體式光學(xué)設(shè)備是多體式偏振分束器陣列。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多體式光學(xué)設(shè)備是多體式偏振分束器。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括以下步驟iii)以第一角度研磨所述支撐板的第一部分；以及iv)以第二角度研磨所述支撐板的第二部分，其中步驟iii)和iv)將所述支撐板轉(zhuǎn)化成回射器并將增強(qiáng)的偏振分束器轉(zhuǎn)化成偏振 光束偏移器。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述支撐板由與所述多體式偏振分束器相同的材 料形成。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述步驟ii)之后，所述多體式偏振分束器的厚 度小于或等于大約1.0毫米。
8.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述步驟iii)之后，所述多體式偏振分束器的厚 度小于或等于大約0.3毫米。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述步驟i)處使用壓力和熱的附接包括 i. a)拋光所述多體式光學(xué)設(shè)備的表面；i. b)拋光所述支撐板的表面；i. c)將所述多體式光學(xué)設(shè)備的拋光表面壓靠所述多體式支撐板的拋光表面以形成增 強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備；以及i. d)在爐中以大于或等于大約300攝氏度的溫度烘烤所述增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟ii)包括使用浙青拋光板來(lái)研磨所述多 體式光學(xué)設(shè)備以減小所述光學(xué)設(shè)備的厚度。
11.一種用于制造增強(qiáng)型多體式偏振分束器的方法，所述方法包括以下步驟i)將偏振分束器涂層施加到內(nèi)板的各側(cè)；ii)利用熱和壓力將兩個(gè)板附接到所述內(nèi)板的各側(cè)；iii)以與附接的板非正交的角度將附接的板切塊；iv)將切塊部段的頂部和底部去除以完成具有大致矩形周邊的多體式偏振分束器的形成；ν)利用熱和壓力將支撐板附接于所述多體式偏振分束器以形成增強(qiáng)型多體式偏振分 束器，其中，所述支撐板的熱膨脹系數(shù)在所述多體式偏振分束器的熱膨脹系數(shù)的大約百萬(wàn) 分之0.5以?xún)?nèi)；vi)研磨所述多體式偏振分束器以減小所述多體式偏振分束器的厚度。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括以下步驟vii)研磨所述支撐板以減小所述支撐板的厚度。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述步驟vi)和vii)后，所述增強(qiáng)型多體式偏 振分束器的厚度小于或等于大約1. 0毫米。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括以下步驟vii)以第一角度研磨所述支撐板的第一部分；viii)以第二角度研磨所述支撐板的第二部分，其中步驟iii)和iv)將所述支撐板轉(zhuǎn)化成回射器并將所述增強(qiáng)型多體式偏振分束器 轉(zhuǎn)化成偏振光束偏移器。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述步驟ν)處利用壓力和熱的附接包括 v. a)拋光所述多體式偏振分束器的表面；v. b)拋光所述支撐板的表面；v. c)將所述多體式偏振分束器的拋光表面壓靠所述支撐板的拋光表面以形成所述增 強(qiáng)型多體式偏振分束器；以及v. d)在爐中以大于或等于大約300攝氏度的溫度烘烤所述增強(qiáng)型多體式偏振分束器。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述步驟vi)包括使用浙青拋光板來(lái)研磨所述多 體式偏振分束器以減小所述多體式偏振分束器的厚度。
17.一種增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備，包括多體式光學(xué)設(shè)備，所述多體式光學(xué)設(shè)備的厚度小于或等于大約1. 0毫米；以及 支撐板，所述支撐板以不用環(huán)氧樹(shù)脂的方式附接于所述多體式光學(xué)設(shè)備，所述支撐板 的熱膨脹系數(shù)在所述多體式光學(xué)設(shè)備的熱膨脹系數(shù)的大約百萬(wàn)分之0. 5以?xún)?nèi)。
18.如權(quán)利要求17所述的增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備，其中，所述多體式光學(xué)設(shè)備是多體 式偏振分束器。
19.如權(quán)利要求17所述的增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備，其中，所述支撐板是回射器，并且所 述增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備是增強(qiáng)型偏振光束偏移器。
20.一種光學(xué)交織器，包括構(gòu)造成用以過(guò)濾光學(xué)信號(hào)的第一濾波器單元和第二濾波器單元； 如權(quán)利要求19所述的增強(qiáng)型偏振光束偏移器，所述增強(qiáng)型偏振光束偏移器與所述濾 波器單元光學(xué)耦接，所述增強(qiáng)型偏振光束偏移器構(gòu)造成反射所述光學(xué)信號(hào)； 光學(xué)耦接于所述濾波器單元的單光纖準(zhǔn)直器； 光學(xué)耦接于所述濾波器單元的雙光纖準(zhǔn)直器。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備及其制造方法。在一個(gè)實(shí)施方式中，用于制造增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備的方法包括如下步驟首先，利用壓力和熱將支撐板附接于多體式光學(xué)設(shè)備以形成增強(qiáng)型多體式光學(xué)設(shè)備，其中支撐板的熱膨脹系數(shù)在多體式光學(xué)設(shè)備的熱膨脹系數(shù)的大約百萬(wàn)分之0.5以?xún)?nèi)；然后，研磨多體式光學(xué)設(shè)備以減小其厚度。
文檔編號(hào)G02B6/34GK102147505SQ20101011223
公開(kāi)日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2010年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月8日
發(fā)明者蘭發(fā)華, 張大鵬, 陳凡, 顧茂豐 申請(qǐng)人:菲尼薩公司