專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，更具體而言，涉及一種垂直配向(VA)模式型液晶 顯示裝置。
背景技術(shù)：
因?yàn)轱@示裝置具有諸如亮度、緊致性以及低功耗的優(yōu)點(diǎn)，所以液晶顯示裝置廣泛 地用作諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、OA設(shè)備以及電視機(jī)的各種設(shè)備的顯示裝置。近年來(lái)，液晶顯示裝 置還已經(jīng)用在諸如移動(dòng)手機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置和游戲機(jī)的移動(dòng)終端設(shè)備中。為了獲得高質(zhì)量的顯示，在液晶顯示裝置中要求諸如寬視角和高對(duì)比度的其它特 征。最近，已經(jīng)使用了利用其中像素包括多個(gè)域的多域垂直配向(MVA)模式的多域型液晶 顯示裝置。在這種類型的液晶顯示裝置中，通過(guò)多域?qū)崿F(xiàn)了寬視角。此外，因?yàn)橐壕Р牧系?延遲變得幾乎為零，所以獲得導(dǎo)致更完整的黑色顯示的高對(duì)比度。通過(guò)采用垂直配向處理， 在相對(duì)于基板的水平方向上對(duì)配向膜周圍的液晶分子進(jìn)行配向。例如，日本特許公開(kāi)專利申請(qǐng)No. 2008-197493公開(kāi)了一種通過(guò)在像素電極或相 對(duì)電極中設(shè)置縫或突出來(lái)使用MVA模式的半透射型LCD。在該垂直配向型LCD中，容納液晶 層的單元間隙中的改變?cè)斐梢壕Х肿拥呐湎蛉毕?，這可能導(dǎo)致諸如透射率、白色顯示情況 下的顯色或發(fā)光度不均勻的改變的不良顯示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明已經(jīng)解決了上述問(wèn)題。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有多域結(jié)構(gòu)的垂直 配向(VA)模式型液晶顯示裝置。因而，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種液晶顯示裝置，包括陣列基板，所述陣列基 板具有彼此相鄰設(shè)置的第一和第二像素電極；相對(duì)基板，所述相對(duì)基板具有相對(duì)于所述第 一和第二像素電極的相對(duì)電極；第一縫，所述第一縫形成在相對(duì)于所述第一像素電極的所 述相對(duì)電極中，以穿過(guò)所述第一像素電極；第二縫，所述第二縫形成在相對(duì)于所述第二像素 的所述相對(duì)電極中，以穿過(guò)所述第二像素電極，所述第二縫被設(shè)置成與所述第一縫成直線， 且所述相對(duì)電極由所述成直線的第一縫和第二縫分為第一相對(duì)電極部分和第二相對(duì)電極 部分；連接相對(duì)電極，所述連接相對(duì)電極被設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以連接所述第 一和第二相對(duì)像素電極部分；圓柱形間隔體，所述圓柱形間隔體相對(duì)于所述連接相對(duì)電極 部分設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以形成所述陣列基板和所述相對(duì)電極之間的單元間 隙；以及形成在所述單元間隙中的液晶層。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種用于制造液晶顯示裝置的方法，包括提供具有彼此相鄰設(shè)置的第一和第二像素電極的陣列基板；提供具有相對(duì)于所述第一和第二像素電 極的相對(duì)電極的相對(duì)基板；相對(duì)于所述第一像素電極在所述相對(duì)電極中形成第一縫，以穿 過(guò)所述第一像素電極；相對(duì)于所述第二像素在所述相對(duì)電極中形成第二縫，以穿過(guò)所述第 一像素電極，所述第二縫被設(shè)置成與所述第一縫成直線，且通過(guò)所述成直線的第一縫和第 二縫，所述相對(duì)電極分為第一相對(duì)電極部分和第二相對(duì)電極部分；提供設(shè)置在所述第一縫 和第二縫之間的連接相對(duì)電極部分，以連接所述第一和第二相對(duì)電極部分；在所述陣列基 板和所述相對(duì)基板中的任一上形成柱形間隔體，所述柱形間隔體相對(duì)于所述連接相對(duì)電極 部分被設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以在所述陣列基板和所述相對(duì)基板之間形成單元 間隙；在所述陣列基板和所述相對(duì)基板中的任一上形成環(huán)路形狀的密封元件；滴入預(yù)定量 的液晶材料到由所述密封元件圍繞的區(qū)域；在真空狀態(tài)下結(jié)合所述陣列基板和所述相對(duì)基 板，并且將已結(jié)合的陣列基板和所述相對(duì)基板從所述真空狀態(tài)返回至大氣壓狀態(tài)。


并入本發(fā)明中并構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，并與上面 給出的概括描述和后面給出的實(shí)施例的詳細(xì)描述一起解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出了使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的MVA模式的液晶顯示裝置的示意性方框 圖。圖2是圖1中所示的液晶顯示裝置中所使用的陣列基板和相對(duì)基板的截面圖。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的MVA模式的配向控制的實(shí)現(xiàn)的截面圖。圖4是示出了沿著圖5中的線III-IIII截取的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示 裝置的截面圖。圖5是示出了圖4中所示的液晶顯示裝置的平面圖。圖6是示出了圖5中所示的液晶顯示裝置的相對(duì)電極的結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示意性實(shí)施例的液晶顯示裝置，在附圖中多 個(gè)視圖中的相同或類似的附圖標(biāo)記表示相同或?qū)?yīng)的部分。圖1和圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的透射模式的有源矩陣型液晶顯示裝置， 其中通過(guò)將來(lái)自背光單元的光選擇性透射通過(guò)像素來(lái)示出畫(huà)面。當(dāng)然，本發(fā)明還適用于反 射型液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包括有源矩陣型液晶顯示面板LPN。所述液晶顯示面板LPN包括一 對(duì)電極基板，所述一對(duì)電極基板是彼此相對(duì)的陣列基板(第一基板)AR和相對(duì)基板(第二 基板)CT，并通過(guò)密封元件SE將其結(jié)合，以容納用作光調(diào)制層的液晶層LQ。所述液晶顯示 面板LPN包括大致矩形的有源區(qū)域DSP以顯示畫(huà)面。有源區(qū)域DSP由以矩陣形式設(shè)置的 (mXn)像素PX構(gòu)成。陣列基板AR包括在有源區(qū)域DSP中沿著相應(yīng)像素PX設(shè)置的(mXn)畫(huà)面電極EP、 在像素PX的行方向H上延伸的n條柵極線(Yl-Yn)、在像素PX的與行方向H垂直相交的列 方向V上延伸的m條源極線(Xl-Xm)、被設(shè)置成接近所述柵極線Y和所述源極線X的交點(diǎn)的 (mXn)開(kāi)關(guān)晶體管W。
例如，柵極線Y和源極線X由諸如鋁、鉬、鎢或鈦的高傳導(dǎo)材料形成。相應(yīng)開(kāi)關(guān)晶 體管W例如由η溝道型薄膜晶體管(FET)形成。開(kāi)關(guān)晶體管W的柵極電極WG連接至柵極 線Y或與柵極線Y整體形成。開(kāi)關(guān)晶體管W的源極電極WS連接至源極線X。開(kāi)關(guān)晶體管W 的漏極電極WD連接至像素電極ΕΡ。像素電極EP例如由具有光透射特性的傳導(dǎo)材料形成， 例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。相應(yīng)的η條柵極線Y取出至有源區(qū)域DSP的外側(cè)且連接至柵極驅(qū)動(dòng)器YD。相應(yīng)的m條源極線X取出至有源區(qū)域DSP的外側(cè)且連接至源極驅(qū)動(dòng)器XD。通過(guò)控制器CNT的控 制，柵極驅(qū)動(dòng)器YD依次提供掃描信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào))至η條柵極線Y。通過(guò)控制器CNT的控 制，源極驅(qū)動(dòng)器XD提供圖像信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào))至m條源極線(Xl-Xm)。另一方面，相對(duì)基板 CT包括有源區(qū)域DSP中的相對(duì)電極ET。相對(duì)電極ET由諸如ITO或IZO的透射傳導(dǎo)材料形 成。相對(duì)電極ET共同用于多個(gè)像素PX。也就是說(shuō)，相對(duì)電極ET相對(duì)于相應(yīng)像素PX的像素 電極EP且電連接至公共電勢(shì)端子COM。如圖2所示，陣列基板AR由諸如玻璃基板或硅酸鹽玻璃基板的透射絕緣基板10 形成。開(kāi)關(guān)晶體管W和像素電極EP設(shè)置在陣列基板AR的表面上以相對(duì)于相對(duì)基板CT。開(kāi)關(guān)晶體管W包括由形成在絕緣基板10上的半導(dǎo)體層12。半導(dǎo)體層12可以由 多晶硅或非晶硅形成。在本實(shí)施例中，使用多晶硅。半導(dǎo)體層12包括漏極區(qū)12D和源極區(qū) 12S以及插入的溝道區(qū)12C。半導(dǎo)體層12覆蓋有柵極絕緣層14。開(kāi)關(guān)晶體管W的柵極電極WG被設(shè)置在插入了柵極絕緣層14的半導(dǎo)體層12中的 溝道區(qū)12C上。柵極電極WG例如可以由與柵極線Y相同的材料、使用相同的工藝來(lái)形成， 且與柵極線Y覆蓋有層間絕緣膜16。柵極絕緣層14和層間絕緣膜16例如由諸如氧化硅或 氮化硅的非有機(jī)材料形成。開(kāi)關(guān)晶體管W的源極電極WS和漏極電極WD設(shè)置在層間絕緣膜16上。源極電極 WS在半導(dǎo)體層12中通過(guò)接觸孔與源極區(qū)12S接觸，所述接觸孔穿過(guò)柵極絕緣層14和層間 絕緣膜16。漏極電極WD在半導(dǎo)體層12中通過(guò)接觸孔與漏極區(qū)12D接觸，所述接觸孔穿過(guò) 柵極絕緣層14和層間絕緣膜16。開(kāi)關(guān)晶體管W的源極電極WS和漏極電極WD可以使用相 同的材料和相同的工藝來(lái)形成，并且與源極線覆蓋有絕緣層18。絕緣層18由透射有機(jī)材料形成。絕緣材料18例如在施加了旋轉(zhuǎn)涂布的技術(shù)之后 通過(guò)傳導(dǎo)固化處理來(lái)形成。根據(jù)該方法，絕緣層18使得基層表面平滑，這對(duì)表面凸度和凹 度對(duì)實(shí)現(xiàn)垂直配向模式引起的不利影響起到抑制作用。像素電極EP設(shè)置在絕緣層18上。像素電極EP通過(guò)形成在絕緣基板18上的接觸 孔連接至漏極電極WD。陣列基板AR的與液晶層LQ接觸的表面覆蓋有第一配向膜20。也 就是說(shuō)，第一配向膜20設(shè)置在像素電極EP和絕緣層18上。另一方面，相對(duì)基板CT由諸如玻璃基板或硅酸鹽基板的透射絕緣基板30形成。相 對(duì)電極ET形成在絕緣基板30的主表面上，以相對(duì)于陣列基板AR。相對(duì)基板CT包括由諸如 黑色樹(shù)脂或鉻的屏蔽材料制成的黑矩陣BM。黑矩陣BM設(shè)置在絕緣基板30上且相對(duì)于開(kāi)關(guān) 晶體管W和諸如柵極線Y和源極線X的布線層。在彩色型液晶顯示器中，彩色濾光層34形成在相對(duì)基板CT與如圖2所示的每個(gè) 像素PX對(duì)應(yīng)的表面上。彩色濾光層34由樹(shù)脂材料形成，所述樹(shù)脂材料由多種顏色上色，例 如由紅色(H)、綠色(G)以及藍(lán)色⑶三種主要顏色。紅色樹(shù)脂、綠色樹(shù)脂以及藍(lán)色樹(shù)脂分別與紅色像素、綠色像素以及藍(lán)色像素相關(guān)設(shè)置。在彩色濾光層34形成在圖2中的相對(duì)基 板CT上的同時(shí)，彩色濾光層34設(shè)置在陣列基板AR上。在這種情況下，絕緣層18可以由彩 色濾光層34取代。可以將保護(hù)層設(shè)置在彩色濾光層34和相對(duì)電極ET之間，以平滑彩色濾光層34的 不規(guī)則表面。相對(duì)電極ET設(shè)置在彩色濾光層34或保護(hù)層上，且相對(duì)于像素電極EP。相對(duì) 基板CT的與液晶層LQ接觸的表面覆蓋有第二配向膜36。也就是說(shuō)，第二配向膜36設(shè)置在 相對(duì)電極ET上。 設(shè)置陣列基板AR和相對(duì)基板CT，使得第一配向膜20和第二配向膜36彼此相對(duì)。 設(shè)置間隔體以在所述基板之間保持預(yù)定的間隙，所述間隔體例如為由樹(shù)脂制成的柱形間隔 體，所述間隔體與相對(duì)基板CT和陣列基板AR中的任一個(gè)整體形成。所述基板由密封元件 SE結(jié)合以保持之間的間隙。液晶層LQ通過(guò)將由具有各向異性的負(fù)電介質(zhì)常數(shù)的液晶分子構(gòu)成的液晶材料注 入間隙來(lái)形成，所述間隙形成在陣列基板AR上的第一配向膜20和相對(duì)基板CT上的第二配 向膜36之間。在沒(méi)有施加電壓時(shí)，第一配向膜20和第二配向膜36用來(lái)在相對(duì)于陣列基板AR和 相對(duì)基板CT的垂直方向上對(duì)液晶分子40進(jìn)行配向，也就是說(shuō)，在畫(huà)面電極EP和相對(duì)電極 ET之間沒(méi)有形成電場(chǎng)。具有垂直配向特性和光透射特性的薄膜用來(lái)形成第一配向膜20和 第二配向膜36。在本實(shí)施例中，在第一配向膜20和第二配向膜36中不需要由研磨表示的配向處 理。出于該原因，在研磨處理中沒(méi)有產(chǎn)生諸如產(chǎn)生靜電和灰塵的問(wèn)題，且在該配向處理之后 不需要清洗處理。此外，通過(guò)改變預(yù)傾斜不會(huì)存在顯示不均勻的問(wèn)題。因此，通過(guò)簡(jiǎn)化處理 和增大產(chǎn)量來(lái)實(shí)現(xiàn)低成本。如圖2所示，相對(duì)于陣列基板AR來(lái)設(shè)置用于照明液晶顯示面板LPN的背光?？梢?采用各種背光，例如，使用發(fā)光二極管(LED)或冷陰極管作為光源。在液晶顯示面板LPN的一個(gè)表面上設(shè)置第一光學(xué)元件0D1，也就是說(shuō)，在陣列基板 AR相對(duì)于背光的表面。類似地，在液晶顯示面板LPN的另一表面上設(shè)置第二光學(xué)元件0D2。 所述第一光學(xué)元件ODl和第二光學(xué)元件0D2中的每一個(gè)包括偏振器，設(shè)置所述偏振器使得 吸收軸中的每一個(gè)垂直相交。第一光學(xué)元件ODl和第二光學(xué)元件0D2可以包括延遲膜，所 述延遲膜提供適當(dāng)?shù)难舆t以傳輸光。根據(jù)本實(shí)施例，當(dāng)液晶分子40沒(méi)有施加電場(chǎng)時(shí)，在垂直方向上(例如，在液晶顯示 面板LPN的法線方向上)對(duì)液晶分子40的長(zhǎng)軸進(jìn)行配向。在這種情況下，在傳輸通過(guò)第一 光學(xué)元件ODl和液晶層LQ之后，在第二光學(xué)元件0D2中吸收來(lái)自背光單元的光。結(jié)果，透 射因數(shù)變得最小，也就是說(shuō)，顯示黑畫(huà)面。另一方面，當(dāng)在畫(huà)面電極EP和相對(duì)電極ET之間施加電場(chǎng)時(shí)，相對(duì)于電場(chǎng)在垂直方 向上對(duì)具有各向異性的負(fù)電介質(zhì)常數(shù)的液晶分子40進(jìn)行配向。液晶分子40的長(zhǎng)軸在大致 平行方向上或相對(duì)于基板的表面傾斜地進(jìn)行配向。在這種情況下，在來(lái)自背光單元的光已 經(jīng)傳輸通過(guò)所述第一光學(xué)元件ODl之后，當(dāng)光經(jīng)過(guò)液晶層LQ時(shí)對(duì)所述光給予了適當(dāng)?shù)难?遲。結(jié)果，來(lái)自背光單元的一部分光變得可以經(jīng)過(guò)第二光學(xué)元件0D2，且顯示白色畫(huà)面。因 此，實(shí)現(xiàn)了具有正常黑模式的垂直配向模式。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，液晶顯示裝置采用多域結(jié)構(gòu)，其中，能夠補(bǔ)償視角。更具體 而言，液晶顯示裝置包括配向控制裝置，以控制在畫(huà)面電極EP和相對(duì)電極ET之間施加了電 場(chǎng)的情況下液晶分子40的配向。在相對(duì)電極ET中形成縫作為配向控制裝置。通過(guò)部分去 除相對(duì)電極ET來(lái)形成所述縫。在具有作為配向控制裝置的上述縫的液晶顯示裝置中，在畫(huà)面電極EP和相對(duì)電 極ET之間形成電場(chǎng)，以保持縫中斷(off)，因此，在畫(huà)面電極EP和相對(duì)電極ET之間圍繞所 述縫相對(duì)于基板的表面的法線可以形成傾斜的電場(chǎng)。結(jié)果，通過(guò)傾斜的電場(chǎng)液晶分子40圍 繞所述縫在預(yù)定的方向上進(jìn)行配向。也就是說(shuō)，在與所述縫相鄰的區(qū)域形成在相對(duì)方向上 傾斜的兩種類型的電場(chǎng)。在遠(yuǎn)離縫SL的方向(即，在電場(chǎng)的斜率更小的方向上)上傳播配 向條件。因此，每個(gè)像素的液晶分子40也在相對(duì)方向上進(jìn)行配向，且通過(guò)補(bǔ)償視角可以獲 得寬視角。此外，通過(guò)采用正常黑模式可以獲得高對(duì)比度，從而導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量顯示。
圖4是示出了沿著圖5中的線III-IIII截取的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示 裝置的截面圖。陣列基板AR包括柱形間隔體SP以支撐相對(duì)基板CT。在行方向H上每三個(gè)像素 中的相鄰像素之間設(shè)置柱形間隔體SP。在列方向V上在像素電極EP的長(zhǎng)邊的大致中間部 分處設(shè)置柱形間隔體SP。在圖4中，注意柱形間隔體SPX，柱形間隔體SPX設(shè)置在第一像素 電極EPl和第二像素電極EP2之間。在本實(shí)施例中，柱形間隔體SPX的底部的一部分與像 素電極EPl和EP2部分重疊。然而，要求間隔體SPX的底部不與像素電極EPl和EP2覆蓋。 要求不在每相鄰的像素電極EP之間設(shè)置柱形間隔體SP。在圖4所示的本實(shí)施例中，在行方 向H上在相鄰的柱形間隔體SP之間設(shè)置三個(gè)像素電極EP。通過(guò)對(duì)樹(shù)脂材料進(jìn)行構(gòu)圖形成柱形間隔體SP。柱形間隔體SP形成為錐形，其中底 部部分SPB的面積大于柱形間隔體SP的頂部部分SPT的面積。像素電極EP和柱形間隔體 SP的表面覆蓋有第一配向膜20。在相對(duì)電極ET中，形成包括多個(gè)縫SL的縫線，使得每一 個(gè)縫SL在像素PX的中心處穿過(guò)相應(yīng)的像素電極EP?？p線在行方向H上延伸且被劃分為具 有預(yù)定長(zhǎng)度的多個(gè)縫SL。也就是說(shuō)，在行方向H上每一個(gè)縫SL的長(zhǎng)度相同。相對(duì)電極ET 的相對(duì)電極部分ED設(shè)置在相鄰縫SL之間。相對(duì)電極部分ED與具有相同厚度的相對(duì)電極 ET同時(shí)形成。相對(duì)電極部分ED設(shè)置在相鄰像素電極EP之間的區(qū)域上。柱形間隔體SP的 頂部部分SPT相對(duì)于相對(duì)電極部分ED。在圖4中，例如，在第一縫SLl和第二縫SL2之間柱形間隔體SPX相對(duì)于相對(duì)電極 部分EDX。形成第一縫SLl和第二縫SL2，以分別穿過(guò)第一像素電極EPl和第二像素電極 EP2。柱形間隔體SPX的頂部部分SPT可以部分地與縫SLl和SL2中的任一個(gè)重疊，或不與 縫SLl和SL2中的任一個(gè)重疊，也就是說(shuō)，僅相對(duì)于相對(duì)電極部分EDX。相對(duì)電極ET的表面 覆蓋有第二配向膜36。第一配向膜20和第二配向膜36插入在柱形間隔體SPX和相對(duì)電極 部分EDX之間，使得柱形間隔體SPX不直接與相對(duì)電極部分EDX接觸。液晶顯示層LQ保持 在由柱形間隔體SPX形成的單元間隙之間。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)單元間隙，使得柱形間隔體SP相對(duì)于相對(duì)基板ET的相對(duì)電極 部分ED。然而，即使在結(jié)合時(shí)陣列基板AR和相對(duì)基板CT處于未配向，形成預(yù)定的單元間 隙，因?yàn)橹伍g隔體SP的至少一部分相對(duì)于相對(duì)電極部分ED。因此，可以抑制單元間隙的 改變。此外，可以抑制由于單元間隙的改變引起的液晶分子的配向缺陷，這同樣導(dǎo)致顯示缺陷的抑制。如圖5所示，形成在相對(duì)電極ET中的縫SL在設(shè)置相鄰像素電極EP的行方向H上延伸。在相對(duì)電極ET中，在行方向H上的一條直線中設(shè)置第一縫SL1、第二縫SL2以及第 一縫SLl和第二縫SL2之間的相對(duì)電極部分EDX。在所述行方向上的相同直線上還設(shè)置柱 形間隔體SP，所述柱形間隔體SP相對(duì)于相對(duì)電極部分EDX、第一縫SLl和第二縫SL2。類 似地，在相同直線中設(shè)置相對(duì)于柱形間隔體SP的其它相對(duì)電極部分ED，在所述相同直線中 設(shè)置相鄰的縫SL，以分別將相對(duì)電極部分ED夾置在中間。出于該原因，即使當(dāng)結(jié)合時(shí)在行 方向H上陣列基板AR和相對(duì)基板CT處于未配向，因?yàn)橹伍g隔體SP的至少一部分相對(duì)于 相對(duì)電極部分ED，所以形成預(yù)定的單元間隙。此外，相對(duì)電極部分ED延伸至相對(duì)電極ET。 因此，即使當(dāng)結(jié)合時(shí)在列方向V上陣列基板AR和相對(duì)基板CT處于未配向，因?yàn)橹伍g隔體 SP的至少一部分相對(duì)于相對(duì)電極ET，所以形成預(yù)定的單元間隙。圖6是示出了圖5中所示的液晶顯示裝置的相對(duì)電極的結(jié)構(gòu)的平面視圖。盡管縫 SL形成為穿過(guò)像素電極EP，相對(duì)電極ET不被縫SL電劃分。經(jīng)由設(shè)置在相鄰縫SL之間的 相對(duì)電極部分ED，連接設(shè)置在一條直線中縫SL的兩側(cè)的相對(duì)電極ET。也就是說(shuō)，整個(gè)相對(duì) 電極ET相對(duì)于多個(gè)沒(méi)有被劃分的像素電極EP。因此，即使在相對(duì)電極ET中產(chǎn)生裂縫，也確 保了整個(gè)相對(duì)電極ET的電連接，且抑制了諸如線缺陷的顯示缺陷。如圖5所示，相應(yīng)像素電極EP形成為矩形，所述矩形具有一對(duì)在行方向H上延伸 的短邊S以及一對(duì)在列方向V上延伸的長(zhǎng)邊L。在相對(duì)電極ET中，設(shè)置第一縫SLl、第二縫 SL2以及所述第一縫SLl和第二縫SL2之間的相對(duì)電極部分EDX成直線，所述直線在行方 向H上穿過(guò)像素電極EPl和EP2的長(zhǎng)邊L的中點(diǎn)。也就是說(shuō)，同樣在一條直線上設(shè)置相對(duì) 于相對(duì)電極部分EDX的柱形間隔體SPX，所述直線在行方向H上穿過(guò)像素電極EPl和EP2的 長(zhǎng)邊L的中點(diǎn)。類似地，在其它柱形間隔體SL中，形成相對(duì)電極部分ED、縫SL以?shī)A置相對(duì) 電極部分ED，且同樣在一條直線上設(shè)置柱形間隔體SP，所述直線穿過(guò)像素電極EP的長(zhǎng)邊的 中占。
I ； WN O通過(guò)縫SL將像素電極EP分成兩部分。因此，當(dāng)在像素電極EP和相對(duì)電極ET之 間施加電場(chǎng)時(shí)，如圖5中箭頭所示，液晶分子朝著縫SL沿相反方向進(jìn)行配向。因此，補(bǔ)償了 視角。此外，即使在陣列基板AR和相對(duì)基板CT之間產(chǎn)生未配向時(shí)，柱形間隔體SP設(shè)置在 縫的中間部分。因此，柱形間隔體可能對(duì)施加在像素電極EP和相對(duì)電極ET之間的電場(chǎng)容 易不施加壞的影響。因此，柱形間隔體SP不變?yōu)樵诓黄谕姆较蛏吓湎蛞壕Х肿拥暮?，?能在期望的配向情況下保持液晶分子。因此，獲得如圖5中箭頭所示的可靠的配向情況，且 同樣抑制了基本有利于顯示質(zhì)量的更低的孔徑比。 在相對(duì)基板CT上設(shè)置黑矩陣BM，使得相對(duì)于如圖4中所示的相鄰像素電極EP之 間的區(qū)域。相對(duì)電極ET的相對(duì)電極部分ED相對(duì)于插入彩色濾光器層34的黑矩陣BM。黑 矩陣BM在如圖5中所示在列方向V上延伸。黑矩陣BM中的一些相對(duì)于相對(duì)電極部分ED， 且其它黑矩陣BM穿過(guò)縫SL。在行方向H上相鄰設(shè)置的黑矩陣BMl和BM2穿過(guò)縫SLl。黑 矩陣BM3穿過(guò)相對(duì)電極部分ED。還設(shè)置相對(duì)于相對(duì)電極部分ED的柱形間隔體SP，使得相 對(duì)于基本不利于顯示的黑矩陣BM3。 接下來(lái)，將解釋用于制造液晶顯示裝置的工藝。在本實(shí)施例中，在陣列基板AR和 相對(duì)基板CT中的任一個(gè)上將密封元件SE設(shè)置成環(huán)路形狀。使用一滴填充(ODF)方法將預(yù)定量的液晶材料滴入由密封元件SE圍繞的區(qū)域。在真空狀態(tài)下將陣列基板AR和相對(duì)基板 CT結(jié)合之后，所結(jié)合的液晶顯示面板從真空狀況返回至大氣壓狀態(tài)。通過(guò)內(nèi)側(cè)密封元件SE 和開(kāi)放氣體的壓力差，密封元件SE被按壓。隨后，液晶層LQ被容納在陣列基板AR和相對(duì) 基板CT之間的預(yù)定單元間隙中。根據(jù)所述一滴填充方法，可以獲得諸如更短的操作時(shí)間或 液晶材料的有效使用的優(yōu)點(diǎn)。在一滴填充法被用來(lái)容納陣列基板AR和相對(duì)基板CT之間的液晶層LQ的情況下， 陣列基板AR和相對(duì)基板CT之間的容量被提前決定了，且對(duì)應(yīng)于所述基板之間的容量，還提 前決定了將滴下的液晶材料的量。因此，單元間隙中的改變可能導(dǎo)致液晶材料的過(guò)量或不 足，在一滴填充方法中要求高間隙精度。根據(jù)本實(shí)施例，由于抑制了單元間隙中的改變，所 以可以注射液晶材料，而不會(huì)出現(xiàn)滴入注射方法中的過(guò)量和不足。隨后，不會(huì)取消通過(guò)使用 一滴填充方法而獲得的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。(示例) 在陣列基板AR中，像素電極EP被設(shè)置成在像素電極PE之間具有27. 5 μ m的間 距。多個(gè)柱形間隔體SP設(shè)置在相鄰像素電極EP之間。在相對(duì)基板CT中，形成在相對(duì)電極 ET中具有15 μ m寬度以控制液晶分子的配向的縫SL。具有11. 5 μ m寬度的相對(duì)電極部分 ED形成在被設(shè)置成直線的相鄰縫SL之間。陣列基板AR和相對(duì)基板CT通過(guò)密封元件SE連 接，在所述密封元件SE中柱形間隔體SP相對(duì)于相對(duì)電極部分ED。隨后，即使連接陣列基板AR和相對(duì)基板CT的精度不好，抑制了由柱形間隔體SP 的不配向引起的單元間隙中的改變。由于單元間隙中的改變引起的缺陷顯示同樣得到抑 制。由于在行方向H上延伸的一個(gè)縫SL被劃分為多個(gè)具有預(yù)定長(zhǎng)度的縫SL，防止了由于相 對(duì)電極ET的裂縫引起的相對(duì)電極CT的斷開(kāi)連接，且進(jìn)一步還抑制了有缺陷的顯示。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，能夠提供一種垂直配向模式液晶顯示裝置，該裝置能夠 抑制單元間隙中的改變且實(shí)現(xiàn)寬視角。本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施例。實(shí)際上，能夠改變結(jié)構(gòu)性元件而不偏離本發(fā)明的 精神。通過(guò)適當(dāng)?shù)亟M合實(shí)施例中所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)性元件，可以獲得各種發(fā)明。例如，一些結(jié)構(gòu) 性元件可以從實(shí)施例中所公開(kāi)的所有結(jié)構(gòu)性元件中忽略。此外，可以對(duì)不同實(shí)施例中的結(jié) 構(gòu)性元件進(jìn)行適當(dāng)?shù)亟M合。因此，應(yīng)理解在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，除了這里具體所公開(kāi)的 之外，可以實(shí)踐本發(fā)明。
權(quán)利要求
一種液晶顯示裝置，包括陣列基板，所述陣列基板具有彼此相鄰設(shè)置的第一和第二像素電極；相對(duì)基板，所述相對(duì)基板具有相對(duì)于所述第一和第二像素電極的相對(duì)電極；第一縫，所述第一縫形成在相對(duì)于所述第一像素電極的所述相對(duì)電極中，以穿過(guò)所述第一像素電極；第二縫，所述第二縫形成在相對(duì)于所述第二像素的所述相對(duì)電極中，以穿過(guò)所述第二像素電極，所述第二縫被設(shè)置成與所述第一縫成直線，且所述相對(duì)電極由所述成直線的第一縫和第二縫分為第一相對(duì)電極部分和第二相對(duì)電極部分；連接相對(duì)電極部分，所述連接相對(duì)電極部分被設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以連接所述第一和第二相對(duì)電極部分；柱形間隔體，所述柱形間隔體相對(duì)于所述連接相對(duì)電極部分被設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以在所述陣列基板和所述相對(duì)基板之間形成單元間隙；以及形成在所述單元間隙中的液晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一縫和第二縫在第一方向上延 伸，所述第一和第二像素電極被設(shè)置成在所述第一方向上彼此相鄰。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述柱形間隔體、所述第一縫和第二縫 被設(shè)置在所述第一方向上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一和第二像素電極形成為矩形， 所述矩形具有一對(duì)長(zhǎng)邊和一對(duì)短邊，且所述柱形間隔體、所述第一縫和第二縫沿著所述第一方向被設(shè)置成直線，在所述第一方向上所述直線與所述像素電極的所述長(zhǎng)邊的中點(diǎn)相 、-父。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，屏蔽層形成在所述相對(duì)基板上，所述屏 蔽層相對(duì)于所述連接相對(duì)電極部分且在與所述第一方向垂直相交的第二方向上延伸。
6.一種液晶顯示裝置，包括陣列基板，所述陣列基板包括以行列矩陣形式設(shè)置的像素，每個(gè)所述像素具有像素電極；相對(duì)基板，所述相對(duì)基板包括用于多個(gè)像素的相對(duì)電極，所述相對(duì)基板相對(duì)于所述陣 列基板；縫線，所述縫線形成在所述相對(duì)電極中，且設(shè)置所述縫線以便與在行方向上設(shè)置的所 述像素電極相交；所述縫線被劃分為分別相對(duì)于相鄰像素電極的第一縫和第二縫；多個(gè)矩形間隔體，所述多個(gè)矩形間隔體被設(shè)置在所述相鄰像素電極之間，以在所述陣 列基板和所述相對(duì)基板之間形成單元間隙；以及 形成在所述單元間隙中的液晶層；并且其中，所述相對(duì)電極由所述縫線分為第一相對(duì)電極部分和第二相對(duì)電極部分，且所述 第一和第二相對(duì)電極部分通過(guò)連接相對(duì)電極部分進(jìn)行連接，所述連接相對(duì)電極部分被設(shè)置 在所述第一縫和第二縫之間，且所述柱形間隔體被設(shè)置成相對(duì)于所述連接相對(duì)電極部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一和第二像素電極形成為矩形， 所述矩形具有一對(duì)長(zhǎng)邊和一對(duì)短邊，且所述柱形間隔體、所述第一縫和第二縫在所述行方 向上被設(shè)置成直線，在所述行方向上所述直線與所述像素電極的所述長(zhǎng)邊的中點(diǎn)相交。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，屏蔽層形成于所述相對(duì)基板上，所述屏 蔽層相對(duì)于所述連接相對(duì)電極部分且在所述列方向上延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其中，所述柱形間隔體被設(shè)置在每三個(gè)像素 電極中。
10.一種用于制造液晶顯示裝置的方法，包括提供陣列基板，所述陣列基板具有彼此相鄰設(shè)置的第一和第二像素電極； 提供相對(duì)基板，所述相對(duì)基板具有相對(duì)于所述第一和第二像素電極的相對(duì)電極； 在相對(duì)于所述第一像素電極的所述相對(duì)電極中形成第一縫，以穿過(guò)所述第一像素電極；在相對(duì)于所述第二像素的所述相對(duì)電極中形成第二縫，以穿過(guò)所述第一像素電極，所 述第二縫被設(shè)置成與所述第一縫成直線，且所述相對(duì)電極由所述成直線的第一縫和第二縫 分為第一相對(duì)電極部分和第二相對(duì)電極部分；提供設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間的連接相對(duì)電極部分，以連接所述第一和第二相 對(duì)電極部分；在所述陣列基板和所述相對(duì)基板中的任一上形成柱形間隔體，所述柱形間隔體相對(duì)于 所述連接相對(duì)電極部分被設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以在所述陣列基板和所述相對(duì) 基板之間形成單元間隙；在所述陣列基板和所述相對(duì)基板中的任一上形成環(huán)路形狀的密封元件； 滴入預(yù)定量的液晶材料到由所述密封元件圍繞的區(qū)域； 在真空狀態(tài)下結(jié)合所述陣列基板和所述相對(duì)基板，以及 將已結(jié)合的陣列基板和相對(duì)基板從所述真空狀態(tài)返回至大氣壓狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，所述第一縫和第二 縫在第一方向上延伸，所述第一和第二像素電極在所述第一方向上彼此相鄰設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，在所述第一方向上 設(shè)置所述柱形間隔體、所述第一縫和第二縫。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，所述第一和第二像 素電極形成為矩形，所述矩形具有一對(duì)長(zhǎng)邊和一對(duì)短邊，且所述柱形間隔體、所述第一縫和 第二縫在所述第一方向上被設(shè)置成直線，在所述第一方向上所述直線與所述像素電極的所 述長(zhǎng)邊的中點(diǎn)相交。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，在所述相對(duì)基板上 形成屏蔽層，所述屏蔽層相對(duì)于所述連接相對(duì)電極部分且在與所述第一方向垂直相交的第 二方向上延伸。
15.一種液晶顯示裝置，包括陣列基板，所述陣列基板包括以行列矩陣形式設(shè)置的像素，每個(gè)所述像素具有畫(huà)面電極；相對(duì)基板，所述相對(duì)基板包括用于多個(gè)像素的相對(duì)電極，所述相對(duì)基板相對(duì)于所述陣 列基板；縫線，所述縫線形成于所述相對(duì)電極上，設(shè)置所述縫線以便與在行方向上設(shè)置的所述 像素電極相交；所述縫線被分為分別相對(duì)于相鄰像素電極的第一縫和第二縫，從而形成多域結(jié)構(gòu)；多個(gè)柱形間隔體，所述多個(gè)柱形間隔體被設(shè)置在所述相鄰像素電極之間，以在所述陣列基板和所述相對(duì)基板之間形成單元間隙；第一配向膜，所述第一配向膜覆蓋所述連接相對(duì)電極部分和所述相對(duì)電極；第二配向膜，所述第二配向膜覆蓋所述像素電極和所述柱形間隔體；所述柱形間隔體 通過(guò)所述第一和第二配向膜與所述連接相對(duì)電極部分接觸；以及液晶層，在所述單元間隙中所述液晶層由具有各向異性的負(fù)電介質(zhì)常數(shù)的液晶分子制 成；并且其中，所述相對(duì)電極由所述縫線分為第一相對(duì)電極部分和第二相對(duì)電極部分，且所述 第一和第二電極部分通過(guò)設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間的連接相對(duì)電極部分來(lái)連接，并 且其中，屏蔽層形成于所述相對(duì)基板上，所述屏蔽層相對(duì)于所述連接相對(duì)電極部分且在 所述列方向上延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，各個(gè)像素電極形成為矩形，所述矩形 具有一對(duì)長(zhǎng)邊和一對(duì)短邊，且所述柱形間隔體、所述第一縫和第二縫在所述行方向上被設(shè) 置直線，在所述行方向上所述直線與所述像素電極的所述長(zhǎng)邊的中點(diǎn)相交。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，包括陣列基板，所述陣列基板具有彼此相鄰設(shè)置的第一和第二像素電極；相對(duì)基板，所述相對(duì)基板具有相對(duì)于所述第一和第二像素電極的相對(duì)電極；第一縫和第二縫，所述第一縫和第二縫形成在相對(duì)于所述第一和第二像素電極的所述相對(duì)電極上，以分別穿過(guò)所述第一和第二像素電極。所述相對(duì)電極由所述第一縫和第二縫分為第一相對(duì)電極部分和第二相對(duì)電極部分。連接相對(duì)電極部分被設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以連接所述第一和第二相對(duì)電極部分。柱形間隔體相對(duì)于所述連接相對(duì)電極部分被設(shè)置在所述第一縫和第二縫之間，以在所述陣列基板和所述相對(duì)基板之間形成單元間隙。
文檔編號(hào)G02F1/1337GK101866077SQ20101011298
公開(kāi)日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2010年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月4日
發(fā)明者今川雅哲, 武田有廣, 福岡暢子 申請(qǐng)人:東芝移動(dòng)顯示器有限公司