專利名稱：硅基液晶顯示面板的制作方法以及其基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板的制作方法以及其基板的制作方法，且特別是涉及 一種硅基液晶顯示面板的制作方法以及其基板的制作方法。
背景技術(shù)：
提到液晶顯示器，人們就會聯(lián)想到筆記型電腦或個人電腦用的液晶顯示器。硅基 液晶(liquid crystal on silicon，LCoS)顯示器為一種新型的液晶顯示器，其為結(jié)合半導(dǎo) 體超大型集成電路(very-large-scale integration, VLSI)技術(shù)和液晶顯示技術(shù)的高科技
產(chǎn)品 ο硅基液晶顯示器中的硅基板可利用常規(guī)的互補式金屬氧化物半導(dǎo)體 (complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS)技術(shù)批量生產(chǎn)，并可隨半導(dǎo)體工藝 的發(fā)展進一步微型化，且可提高分辨率。因此，硅基液晶顯示器具備低功耗、微型尺寸、 超輕重量等特點，故硅基液晶顯示器便于隨身攜帶，且其功耗遠低于主動式矩陣液晶顯 示器(active-matrix liquid crystal display，AMLCD)，而生產(chǎn)成本可望與陰極射線管 (cathode ray tube, CRT)相比擬?，F(xiàn)有的硅基液晶顯示器的液晶材料是配置在單晶硅基材上的配向膜(一般為二 氧化硅層)與玻璃基材之間，并通過同樣配置在配向膜與玻璃基材之間的膠框來將液晶材 料固定在膠框、單晶硅基材與玻璃基材之間。然而，由于二氧化硅層的結(jié)構(gòu)較為松散，因此， 外界環(huán)境中的水氣易進入二氧化硅層中用以配向的部分(亦即二氧化硅層的與液晶接觸 的部分)造成邊界不穩(wěn)定現(xiàn)象而影響可靠度。此外，由于二氧化硅層與膠框容易因二者的 材料表面化學(xué)特性而導(dǎo)致兩者的接著性不佳，以致于硅基液晶顯示器的可靠度下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，可提升基板與 后續(xù)形成的框膠的接著性。本發(fā)明提供一種硅基液晶顯示面板的制作方法，可提升硅基液晶顯示面板阻隔外 界環(huán)境中的水氣的能力。本發(fā)明提出一種硅基液晶顯示面板的基板的制作方法如下所述。首先，提供一基 材。接著，在基材上形成一配向?qū)?。然后，提供一透明板與一光掩模層，透明板具有相對的 一第一表面與一第二表面，且透明板包括至少一凸起，凸起突出于第一表面，光掩模層配置 于第二表面上并具有至少一開口以暴露出部分表面。之后，將透明板與光掩模層配置于配 向?qū)由戏?，并使凸起朝向配向?qū)?。接著，以光掩模層為光掩模對配向?qū)舆M行一準(zhǔn)分子激光制 作工藝，以使準(zhǔn)分子激光通過開口而照射并熔融配向?qū)拥奈挥陂_口下方的部分。然后，在配 向?qū)拥奈挥陂_口下方的部分處于熔融態(tài)時，使透明板朝向配向?qū)右苿?，并使凸起貫穿配?層的位于開口下方的部分。之后，移除透明板與光掩模層。在本發(fā)明的一實施例中，在進行準(zhǔn)分子激光制作工藝時，更包括使準(zhǔn)分子激光通過開口而照射并熔融基材的位于開口下方的部分，并且，在使凸起貫穿配向?qū)拥奈挥陂_口 下方的部分時，更包括使凸起插入基材中。在本發(fā)明的一實施例中，開口位于凸起上方。在本發(fā)明的一實施例中，基材的材質(zhì)為單晶硅或玻璃。在本發(fā)明的一實施例中，凸起的突出于第一表面的高度大于配向?qū)拥暮穸?。在本發(fā)明的一實施例中，配向?qū)拥牟馁|(zhì)包括二氧化硅。在本發(fā)明的一實施例中，凸起為一環(huán)狀凸起。在本發(fā)明的一實施例中，開口為一環(huán)狀開口。本發(fā)明提出一種硅基液晶顯示面板的制作方法如下所述。首先，提供一基材。接 著，在基材上形成一配向?qū)印Ｈ缓?，提供一透明板與一光掩模層，透明板具有相對的一第一 表面與一第二表面，且透明板包括至少一凸起，凸起突出于第一表面，光掩模層配置于第二 表面上并具有至少一開口以暴露出部分表面。之后，將透明板與光掩模層配置于配向?qū)由?方，并使凸起朝向配向?qū)?。接著，以光掩模層為光掩模對配向?qū)舆M行一準(zhǔn)分子激光制作工 藝，以使準(zhǔn)分子激光通過開口而照射并熔融配向?qū)拥奈挥陂_口下方的部分。然后，在配向?qū)?的位于開口下方的部分處于熔融態(tài)時，使透明板朝向配向?qū)右苿?，并使凸起貫穿配向?qū)拥?位于開口下方的部分，以形成一貫穿配向?qū)拥陌疾?。之后，移除透明板與光掩模層。接著， 在凹槽中形成一膠框，膠框與基材構(gòu)成一容置凹槽。之后，在基材上配置一對向基材，其中 膠框位于基材與對向基材之間，且對向基材覆蓋容置凹槽。然后，在容置凹槽中形成一液晶 層。在本發(fā)明的一實施例中，開口位于凸起上方。基于上述，本發(fā)明是以準(zhǔn)分子激光技術(shù)熔融部分的配向?qū)?與基材)，之后，再于 配向?qū)?與基材)的熔融的部分上形成貫穿配向?qū)拥陌疾?。因此，形成在凹槽中的膠框可 將配向?qū)臃指舫杀舜霜毩⒌亩糠?，以避免因外界環(huán)境中的水氣由配向?qū)拥奈挥谀z框外的 部分進入配向?qū)拥奈挥谀z框內(nèi)的部分，產(chǎn)生邊界不穩(wěn)定現(xiàn)象而影響可靠度的問題。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。


圖IA 圖ID為本發(fā)明一實施例的硅基液晶顯示面板的制作工藝剖視圖；圖2為圖IC的基板的一種變化示意圖；圖3為圖ID的硅基液晶顯示面板的一種變化示意圖。主要元件符號說明IlOUlOa 基材120、120a、170、170a 配向?qū)?22 第一部分124 第二部分130 透明板132 第一表面134 第二表面
136:凸起140:光掩模層142:開口150、150a:膠框160、160a 對向基材180 :液晶層200、S:基板C 容置凹槽H:高度L 準(zhǔn)分子激光Pl 配向?qū)拥奈挥陂_口下方的部分P2 基材的位于開口下方的部分R、R1、R2、R3 凹槽T 厚度
具體實施例方式圖IA 圖ID繪示本發(fā)明一實施例的硅基液晶顯示面板的制作工藝剖視圖。圖2 繪示圖IC的基板的一種變化。圖3繪示圖ID的硅基液晶顯示面板的一種變化。首先，請參照圖1A，提供一基材110，其中基材110的材質(zhì)例如為單晶硅或是玻璃。 接著，在基材110上例如以蒸鍍的方式形成一配向?qū)?20，其中配向?qū)?20的材質(zhì)例如為二 氧化硅或是其他適于作為配向?qū)拥牟馁|(zhì)。然后，提供一透明板130與一光掩模層140，其中透明板130具有相對的一第一表 面132與一第二表面134。透明板130包括一凸起136，凸起136突出于第一表面132。光 掩模層140配置于第二表面134上并具有一開口 142以暴露出部分第二表面134，且開口 142位于凸起136上方。在本實施例中，凸起136的突出于第一表面132的高度H大于配向?qū)?20的厚度 T。在本實施例中，凸起136大致上為一環(huán)狀凸起，且開口 142的形狀可對應(yīng)凸起136的形 狀而大致上為一環(huán)狀開口。透明板130的材質(zhì)例如為石英等透明且可被準(zhǔn)分子激光所穿透 的材質(zhì)，而光掩模層140的材質(zhì)例如為金屬等可阻擋準(zhǔn)分子激光的材質(zhì)(如鉻、銅、黃銅、不 銹鋼)。之后，將透明板130與光掩模層140配置于配向?qū)?20上方，并使凸起136朝向配 向?qū)?20。接著，以光掩模層140為光掩模對配向?qū)?20進行一準(zhǔn)分子激光制作工藝，以使 準(zhǔn)分子激光L通過開口 142而照射并熔融配向?qū)?20的位于開口 142下方的部分Pl以及 基材110的位于開口 142下方的部分P2。然后，請參照圖1B，在配向?qū)?20的位于開口 142下方的部分Pl以及基材110的 位于開口 142下方的部分P2處于熔融態(tài)時，使透明板130朝向配向?qū)?20移動，以使凸起 136貫穿配向?qū)?20的位于開口 142下方的部分Pl并插入基材110中，而形成一貫穿配向 層120并朝向基材110凹陷的凹槽R。在本實施例中，凹槽R可將配向?qū)?20分割成彼此獨 立的一第一部分122與一第二部分124，其中第二部分IM環(huán)繞第一部分122。之后，請參照圖1C，移除透明板130與光掩模層140。此時，已初步完成本實施例的基板S。值得注意的是，在其他實施例中，可通過調(diào)整準(zhǔn)分子激光L的能量而使其僅熔融 配向?qū)?20(而不熔融基材110或是降低熔融基材110的程度)。如此一來，在之后的制作 工藝中可使凸起136僅貫穿配向?qū)?20而不插入基材110中，從而形成如圖2所繪示的基 板200，其中基板200的凹槽Rl僅貫穿配向?qū)?20。接著，請參照圖1D，在凹槽R中形成一膠框150，膠框150與基材110構(gòu)成一容置 凹槽C。膠框150分隔配向?qū)?20的第一部分122與第二部分124，其中第一部分122位于 容置凹槽C內(nèi)，而第二部分IM位于容置凹槽C外。之后，在基材110上配置一對向基材160，其中膠框150位于基材110與對向基材 160之間，且對向基材160覆蓋容置凹槽C。對向基材160上可選擇性地配置有一配向?qū)?170，且膠框150位于配向?qū)?70上。然后，在容置凹槽C中形成一液晶層180，液晶層180 可位于配向?qū)?70與配向?qū)?20的第一部分122之間。由前述可知，本實施例是以準(zhǔn)分子激光技術(shù)熔融部分配向?qū)?20與部分基材110， 之后，再以透明板130的凸起136插入配向?qū)?20與基材110的熔融的部分以形成凹槽R。 如此一來，形成在凹槽R中的膠框150可分隔配向?qū)?20的第一部分122與第二部分124， 以避免外界環(huán)境中的水氣經(jīng)由第二部分1 進入第一部分122中。此外，由于本實施例的 膠框150直接與基材110連接，故可與基材110穩(wěn)固地接合，從而提升本實施例的硅基液 晶顯示面板的可靠度。另外，由于準(zhǔn)分子激光具有低波長且高能量的特性，因此，其可在極 短的時間內(nèi)熔融預(yù)設(shè)區(qū)域中的配向?qū)?20(與基材110)，而不影響預(yù)設(shè)區(qū)域周邊的配向?qū)?120(與基材110)。在本實施例中，形成液晶層180的方法包括在基材110上配置對向基材160之后， 在容置凹槽C中注入一液晶材料，且注入液晶材料的方式例如為通過膠框150的一開口 (未繪示)注入液晶材料，前述開口與容置凹槽C連通。在其他實施例中，形成液晶層180 的方法包括在基材110上配置對向基材160之前，在容置凹槽C中滴入一液晶材料，之后再 蓋上對向基材160，以將液晶材料固定在容置凹槽C中。值得注意的是，在本實施例中，基材110的材質(zhì)可為單晶硅或玻璃其中之一，而對 向基材160的材質(zhì)可為單晶硅或玻璃其中之另一。換言之，本實施例的準(zhǔn)分子激光制作工 藝可在單晶硅基材或是玻璃基材上進行。因此，在其他實施例中，如圖3所示，準(zhǔn)分子激光制作工藝可既在基材IlOa上進 行，也在對向基材160a上進行，因此，膠框150a可同時填入一貫穿配向?qū)?20a并朝向基材 IlOa凹陷的凹槽R2以及一貫穿配向?qū)?70a并朝向?qū)ο蚧?60a凹陷的凹槽R3之中。如此一來，膠框150a可直接與基材IlOa以及對向基材160a連接，而可穩(wěn)固地連 接基材IlOa與對向基材160a，且可避免外界環(huán)境中的水氣進入配向?qū)?20a、170a(亦即配 向?qū)?20a、170a的與液晶層180接觸的部分)。綜上所述，本發(fā)明是以準(zhǔn)分子激光技術(shù)熔融部分的配向?qū)?與基材)，之后，再于 配向?qū)?與基材)的熔融的部分上形成貫穿配向?qū)拥陌疾?。因此，形成在凹槽中的膠框可 將配向?qū)臃指舫杀舜霜毩⒌亩糠?，以避免因外界環(huán)境中的水氣由配向?qū)拥奈挥谀z框外的 部分進入配向?qū)拥奈挥谀z框內(nèi)的部分。此外，由于本發(fā)明的膠框是直接與基材連接，故可與 基材穩(wěn)固地接合，從而提升本發(fā)明的硅基液晶顯示面板的可靠度。另外，由于準(zhǔn)分子激光具有低波長且高能量的特性，因此，其可在極短的時間內(nèi)熔融預(yù)設(shè)區(qū)域中的配向?qū)?，而不影?預(yù)設(shè)區(qū)域周邊的配向?qū)印?雖然已結(jié)合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技 術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā) 明的保護范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，包括 提供一基材；在該基材上形成一配向?qū)樱惶峁┮煌该靼迮c一光掩模層，該透明板具有相對的一第一表面與一第二表面，且該透 明板包括至少一凸起，該凸起突出于該第一表面，該光掩模層配置于該第二表面上并具有 至少一開口以暴露出部分該第二表面；將該透明板與該光掩模層配置于該配向?qū)由戏?，并使該凸起朝向該配向?qū)樱?以該光掩模層為光掩模對該配向?qū)舆M行一準(zhǔn)分子激光制作工藝，以使準(zhǔn)分子激光通過 該開口而照射并熔融該配向?qū)拥奈挥谠撻_口下方的部分；在該配向?qū)拥奈挥谠撻_口下方的部分處于熔融態(tài)時，使該透明板朝向該配向?qū)右苿樱?并使該凸起貫穿該配向?qū)拥奈挥谠撻_口下方的部分；以及 移除該透明板與該光掩模層。
2.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，其中在進行該準(zhǔn)分子激 光制作工藝時，還包括使準(zhǔn)分子激光通過該開口而照射并熔融該基材的位于該開口下方的 部分，并且，在使該凸起貫穿該配向?qū)拥奈挥谠撻_口下方的部分時，還包括使該凸起插入該 基材中。
3.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，其中該開口位于該凸起 上方。
4.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，其中該基材的材質(zhì)為單 晶硅或玻璃。
5.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，其中該凸起的突出于該 第一表面的高度大于該配向?qū)拥暮穸取?br> 6.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，其中該配向?qū)拥牟馁|(zhì)包括二氧化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，其中該凸起為一環(huán)狀凸起。
8.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶顯示面板的基板的制作方法，其中該開口為一環(huán)狀開
9.一種硅基液晶顯示面板的制作方法，包括 提供一基材；在該基材上形成一配向?qū)樱惶峁┮煌该靼迮c一光掩模層，該透明板具有相對的一第一表面與一第二表面，且該透 明板包括至少一凸起，該凸起突出于該第一表面，該光掩模層配置于該第二表面上并具有 至少一開口以暴露出部分該表面；將該透明板與該光掩模層配置于該配向?qū)由戏?，并使該凸起朝向該配向?qū)樱?以該光掩模層為光掩模對該配向?qū)舆M行一準(zhǔn)分子激光制作工藝，以使準(zhǔn)分子激光通過 該開口而照射并熔融該配向?qū)拥奈挥谠撻_口下方的部分；在該配向?qū)拥奈挥谠撻_口下方的部分處于熔融態(tài)時，使該透明板朝向該配向?qū)右苿樱?并使該凸起貫穿該配向?qū)拥奈挥谠撻_口下方的部分，以形成一貫穿該配向?qū)拥陌疾?；移除該透明板與該光掩模層；在該凹槽中形成一膠框，該膠框與該基材構(gòu)成一容置凹槽；在該基材上配置一對向基材，其中該膠框位于該基材與該對向基材之間，且該對向基 材覆蓋該容置凹槽；以及在該容置凹槽中形成一液晶層。
10.如權(quán)利要求9所述的硅基液晶顯示面板的制作方法，其中該開口位于該凸起上方。
全文摘要
本發(fā)明公開一種硅基液晶顯示面板的制作方法以及其基板的制作方法。硅基液晶顯示面板的基板的制作方法如下首先，提供基材與形成于其上的配向?qū)?。然后，提供透明板與光掩模層，透明板具有相對的第一表面與第二表面，且透明板包括突出于第一表面的凸起，光掩模層配置于第二表面上并具有開口。之后，將透明板與光掩模層配置于配向?qū)由戏?，并使凸起朝向配向?qū)印＝又?，以光掩模層為光掩模對配向?qū)舆M行準(zhǔn)分子激光制作工藝，以使準(zhǔn)分子激光通過開口而照射并熔融配向?qū)拥奈挥陂_口下方的部分。此時，使透明板朝向配向?qū)右苿?，并使凸起貫穿配向?qū)拥奈挥陂_口下方的部分。之后，移除透明板與光掩模層。
文檔編號G02F1/1362GK102147542SQ20101011368
公開日2011年8月10日 申請日期2010年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月8日
發(fā)明者范姜冠旭, 蔡佳燁 申請人:立景光電股份有限公司