專利名稱：襯底臺(tái)、浸沒式光刻設(shè)備以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種襯底臺(tái)、一種浸沒式光刻設(shè)備以及一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案 轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行 的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包 括所謂的步進(jìn)機(jī)，在步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè) 目標(biāo)部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描 所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo) 部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移 到襯底上。
已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對(duì)高折射率的液體(例如水) 中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實(shí)施例中，液體是蒸餾水，但是 可以使用其他液體。本發(fā)明的實(shí)施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其它流體也可能是適合 的，尤其是潤(rùn)濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望 是具有比水的折射率高的折射率的流體。除氣體以外的流體是尤其希望的。這樣能夠?qū)崿F(xiàn) 更小特征的成像，因?yàn)樵谝后w中曝光輻射將會(huì)具有更短的波長(zhǎng)。(液體的作用也可以被看成 提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮 有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達(dá)IOnm的顆粒) 的液體。這種懸浮的顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。 其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺(tái)浸入液體浴器中(參見，例如美國(guó)專利No. US4, 509，852) 意味著在掃描曝光過(guò)程中必須加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動(dòng)機(jī)， 而液體中的湍流可能會(huì)導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。在浸沒設(shè)備中，浸沒流體由流體處理系統(tǒng)、裝置、結(jié)構(gòu)或設(shè)備來(lái)處理。在一實(shí)施例 中，流體處理系統(tǒng)可以供給浸沒流體，因而是流體供給系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng) 可以至少部分地限制浸沒流體，因而是流體限制系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以給 浸沒流體提供阻擋件，因而是阻擋構(gòu)件(例如流體限制結(jié)構(gòu))。在一實(shí)施例中，流體處理系 統(tǒng)可以產(chǎn)生或使用氣流，例如以便幫助控制浸沒流體的流動(dòng)和/或位置。氣流可以形成密 封以限制浸沒流體，因而流體處理結(jié)構(gòu)可以稱為密封構(gòu)件；這種密封構(gòu)件可以是流體限制 結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統(tǒng)可以是液體 處理系統(tǒng)。參照前面提到的內(nèi)容，在本段落中提到的有關(guān)流體的限定特征可以被理解成包括有關(guān)液體的限定特征。
提出來(lái)的解決方法之一是液體供給系統(tǒng)，用以通過(guò)使用液體限制系統(tǒng)將液體僅 提供到襯底的局部區(qū)域并且在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間(通常襯底具有比投影系 統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。提出來(lái)的一種用于設(shè)置上述解決方案的方法在公開號(hào)為 W099/49504的PCT專利申請(qǐng)出版物中公開了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相 對(duì)于最終元件移動(dòng)的方向，通過(guò)至少一個(gè)入口供給到襯底W上，并且在已經(jīng)通過(guò)投影系統(tǒng) 下面之后，通過(guò)至少一個(gè)出口去除。也就是說(shuō)，當(dāng)襯底在所述元件下沿著-χ方向被掃描時(shí)， 液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)去除。圖2是所述配置的示意圖，其中液體通過(guò) 入口供給，并在元件的另一側(cè)通過(guò)與低壓源相連的出口去除。襯底W上面的箭頭表示液體 流動(dòng)的方向，而襯底W下面的箭頭表示襯底臺(tái)的移動(dòng)方向。在圖2中，雖然液體沿著襯底相 對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周圍設(shè)置各種方向和 數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個(gè)實(shí)例，其中在最終元件的周圍在每側(cè)上以規(guī)則的重復(fù) 方式設(shè)置了四組入口和出口。液體供給和液體回收裝置中的箭頭表示液體流動(dòng)的方向。在圖4中示出了另一個(gè)采用局部液體供給系統(tǒng)的浸沒式光刻方案。液體由位于投 影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個(gè)槽狀入口供給，由設(shè)置在入口沿徑向向外的位置上的多個(gè)離散 的出口去除。所述入口和出口可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過(guò)該孔投 影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個(gè)槽狀入口供給，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一 側(cè)上的多個(gè)離散的出口去除，這造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪 組入口和出口的組合可以依賴于襯底W的移動(dòng)方向(另外的入口和出口的組合是不起作用 的)。圖4中的橫截面圖中，箭頭表示液體流入入口和流出出口的方向。在歐洲專利申請(qǐng)公開出版物EP1420300和美國(guó)專利申請(qǐng)公開出版物 US2004-0136494中，公開了一種成對(duì)的或雙臺(tái)浸沒式光刻設(shè)備的方案，這里以引用的方式 將其全文并入本文。這種設(shè)備設(shè)置有兩個(gè)臺(tái)用以支撐襯底。調(diào)平(levelling)測(cè)量在沒有 浸沒液體的工作臺(tái)的第一位置處進(jìn)行，曝光在存在浸沒液體的工作臺(tái)的第二位置處進(jìn)行。 可選的是，設(shè)備僅具有一個(gè)臺(tái)。PCT專利申請(qǐng)公開出版物WO 2005/064405公開了一種全浸濕布置，其中浸沒液體 是不受限制的。在這種系統(tǒng)中，襯底的整個(gè)頂部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因?yàn)?襯底的基本上整個(gè)頂部表面在基本上相同的條件下進(jìn)行曝光。這對(duì)于襯底的溫度控制和處 理是有利的。在W02005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底 之間的間隙。液體被允許泄漏(或流)到襯底的其他部分。襯底臺(tái)的邊緣處的阻擋件防止 液體逸出，使得液體可以從襯底臺(tái)的頂部表面上以受控制的方式去除。雖然這樣的系統(tǒng)改 善了襯底的溫度控制和處理，但仍然可能出現(xiàn)浸沒液體的蒸發(fā)。幫助緩解這個(gè)問題的一種 方法在美國(guó)專利申請(qǐng)公開出版物No. US 2006/0119809中有記載。設(shè)置一種構(gòu)件，其覆蓋襯 底W的所有位置，并且布置成使浸沒液體在所述構(gòu)件與襯底和/或保持襯底的襯底臺(tái)的頂 部表面之間延伸。
發(fā)明內(nèi)容
浸沒技術(shù)的一個(gè)難點(diǎn)可能由在浸沒流體內(nèi)部形成氣泡所造成。具體地，如果氣泡 漂浮進(jìn)入襯底和投影系統(tǒng)之間的空間，可能會(huì)將缺陷引入到形成在襯底上的圖像中。
本發(fā)明旨在例如減小或最小化在浸沒式光刻設(shè)備內(nèi)形成氣泡的可能性或影響，或 在氣泡可以轉(zhuǎn)移到氣泡可能會(huì)降低浸沒式光刻設(shè)備的性能的位置之前去除所有或大量的 氣泡。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配 置成容納給定尺寸的襯底，所述凹陷具有用以支撐所述襯底下表面的支撐區(qū)域和一邊緣， 所述邊緣配置成當(dāng)所述襯底由所述支撐區(qū)域支撐時(shí)鄰近所述襯底的邊緣；和流體抽取系 統(tǒng)，其配置成從所述襯底的邊緣和所述凹陷的所述邊緣之間的間隙抽取流體，其中所述流 體抽取系統(tǒng)配置成使得在沒有液體的情況下，從具有給定長(zhǎng)度的所述間隙的局部部分抽取 的流體的流量大于從具有相同長(zhǎng)度的所述間隙的其他部分抽取的流體的流量。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配 置成容納給定尺寸的襯底，所述凹陷具有用以支撐所述襯底下表面的支撐區(qū)域和一邊緣， 所述邊緣配置成當(dāng)所述襯底由所述支撐區(qū)域支撐時(shí)鄰近所述襯底的邊緣；和流體抽取系 統(tǒng)，其配置成從所述襯底的邊緣和所述凹陷的所述邊緣之間的間隙抽取流體，其中所述流 體抽取系統(tǒng)包括通入所述間隙的第一管道，所述第一管道配置成從基本上整個(gè)所述襯底周 圍的所述間隙抽取流體；和通入所述間隙的第二管道，所述第二管道配置成從所述間隙的 局部部分抽取流體，其中，在所述第一和所述第二管道通入所述間隙的位置處，所述第一管 道的橫截面的最小尺寸小于所述第二管道的橫截面的最小尺寸。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括將圖案化的輻射束通過(guò)提供 在鄰近所述襯底的空間內(nèi)的流體投影到襯底上，其中所述襯底支撐在襯底臺(tái)上的凹陷內(nèi)， 所述方法包括從所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙抽取流體，使得在沒有液體 的情況下，從具有給定長(zhǎng)度的所述間隙的局部部分抽取的流體的流量大于從具有相同長(zhǎng)度 的所述間隙其他部分抽取的流體的流量。根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種器件制造方法，包括將圖案化的輻射束通過(guò)提供在 鄰近所述襯底的空間內(nèi)的流體投影到襯底上，其中所述襯底支撐在襯底臺(tái)上的凹陷內(nèi)，其 中所述方法包括采用配置用以從所述間隙抽取流體的流體抽取系統(tǒng)從所述凹陷的邊緣和 所述襯底的邊緣之間的間隙抽取流體，其中所述流體抽取系統(tǒng)包括通入所述間隙的第一管 道，所述第一管道配置成從基本上整個(gè)所述襯底周圍的所述間隙抽取流體；和通入所述間 隙的第二管道，所述第二管道配置成從所述間隙的局部部分抽取流體，其中，在所述第一和 所述第二管道通入所述間隙的位置處，所述第一管道的橫截面的最小尺寸小于第二管道的 橫截面的最小尺寸。
下面僅通過(guò)示例的方式，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖 中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2和圖3示出用在光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用在光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖5示出用在光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖6示出位于襯底臺(tái)上的襯底；
圖7和8示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)的一種布置；圖9示出圖7和8中示出的流體抽取系統(tǒng)的特征的變體；圖10示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)的可選的布置；圖11和12示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)的另一變體；圖13示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)的另一變體；圖14和15示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)的另一布置；圖16示出了圖14和15中示出的流體抽取系統(tǒng)的變體；圖17和18示出了圖14和15中示出的流體抽取系統(tǒng)的變體；和圖19和20示出了圖14和15中示出的流體抽取系統(tǒng)的還一變體。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫 外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與 用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；_襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦 予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁 型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA 的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的 方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持 技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成 為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例 如相對(duì)于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位 的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的 器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置MA的示例包括掩模、 可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括 諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類 的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú) 立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使 用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這 里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備 可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的圖案形成 裝置臺(tái))的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多 個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè) 備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO看 成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系 統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可 以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照 射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可 以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般 分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中 具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。類似源S0，照射器IL可以被看成或可不被看成構(gòu)成光刻設(shè) 備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的一組成部分或可以是與光刻設(shè)備分立的實(shí) 體。在后一種情形中，光刻設(shè)備可以配置成允許照射器IL安裝至其上?？蛇x地，照射器IL 是可拆卸的并且可以被單獨(dú)地設(shè)置(例如，通過(guò)光刻設(shè)備制造商或其他供應(yīng)商)。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA 之后，所述輻射束B通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo) 部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容 傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述 輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述 第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B的 路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng) 行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類似地， 可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底 臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相 連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì) 準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可 以位于目標(biāo)部分C之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的 管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所 述輻射束B的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底 臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所 述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié) 構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。 在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非 掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。
3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本 靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目 標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之 后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作 模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以附加地或可選地采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用 模式。用于在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成至少兩種主要 類別。它們是浴器型布置和所謂的局部浸沒系統(tǒng)。在浴器型布置中，基本上整個(gè)襯底W和可 選地襯底臺(tái)WT的一部分浸入到液體浴器中。所謂的局部浸沒系統(tǒng)使用液體僅被提供到襯 底的局部區(qū)域的液體供給系統(tǒng)。在后一種類別中，由液體填充的空間在平面視圖中小于襯 底的頂部表面，并且當(dāng)襯底W在所述空間下面移動(dòng)的時(shí)候，填充有液體的區(qū)域相對(duì)于投影 系統(tǒng)PS基本上保持靜止。本發(fā)明實(shí)施例指出的另一布置是全浸濕方案，在全浸濕方案中， 液體是非限制性的。在這種布置中，基本上整個(gè)襯底頂部表面和襯底臺(tái)的全部或一部分被 浸沒液體所覆蓋。至少覆蓋襯底的液體的深度小。液體可以是位于襯底上的液體膜，例如液 體薄膜。圖2-5中的任何液體供給裝置也用于這種系統(tǒng)中；然而，密封特征是不存在的，是 不起作用的，不如正常狀態(tài)下有效或以其它方式對(duì)于將液體僅密封到局部區(qū)域是無(wú)效的。 圖2-5中示出了四種不同類型的局部液體供給系統(tǒng)。上面描述了在圖2-4中公開的液體供 給系統(tǒng)。已經(jīng)提出另一種布置，其用于提供具有流體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)。流體限制 結(jié)構(gòu)可以沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)之間的空間的至少一部分邊界延伸。這種布置在 圖5中示出。在圖5的橫截面視圖中，箭頭示出在流體限制結(jié)構(gòu)中流體流入和流出的開口 的方向。盡管在Z方向上可以存在一些相對(duì)移動(dòng)(在光軸的方向上)，所述流體限制結(jié)構(gòu)相 對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的?？梢栽诹黧w限制結(jié)構(gòu)和襯底W的表面之間形 成密封。在一實(shí)施例中，在流體限制結(jié)構(gòu)和襯底的表面之間形成密封，并且該密封可以是非 接觸密封，例如氣體密封。在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物第US 2004-0207824號(hào)中公開了這種系 統(tǒng)。
圖5示意地示出了局部液體供給系統(tǒng)或流體處理結(jié)構(gòu)或具有形成阻擋構(gòu)件或流 體限制結(jié)構(gòu)的主體12的裝置，其沿投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底臺(tái)WT或襯底W之間的空 間11的邊界的至少一部分延伸。(要注意的是，在下文中提到的襯底W的表面除非有特別 地規(guī)定，也附加地或可選地表示襯底臺(tái)WT的表面)。盡管在Z方向上可以存在一些相對(duì)移 動(dòng)(在光軸的方向上)，流體處理結(jié)構(gòu)相對(duì)于投影系統(tǒng)PS在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。在 一實(shí)施例中，密封被形成在主體12和襯底W的表面之間，并且可以是非接觸密封，例如氣體 密封或流體密封。流體處理裝置至少部分地將液體保持在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的 空間11內(nèi)。對(duì)襯底W的非接觸密封，例如氣體密封16，可以形成在投影系統(tǒng)PS的像場(chǎng)周 圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間11內(nèi)。該空間11 至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件的下面和圍繞所述最終元件的主體12所形成。 液體通過(guò)液體入口 13被引入到投影系統(tǒng)PS下面和主體12內(nèi)的所述空間11中。液體可以 通過(guò)液體出口 13被去除。所述主體12可以延伸至略微超過(guò)投影系統(tǒng)PS的最終元件的上 方。液面升高到最終元件的上方以便提供液體的緩沖。在一個(gè)實(shí)施例中，所述主體12在上 端處的內(nèi)周與投影系統(tǒng)PS的形狀或投影系統(tǒng)的最終元件的形狀緊密一致，例如可以是圓 形。在底部，內(nèi)周與像場(chǎng)的形狀緊密一致，例如矩形，雖然這不是必需的。
液體通過(guò)在使用期間形成在主體12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16被 限制在空間11中。氣體密封16由氣體形成，例如空氣或合成空氣，但是在一個(gè)實(shí)施例中， 其為氮?dú)釴2或其他惰性氣體。該氣體密封16中的氣體在壓力下經(jīng)由入口 15提供到主體 12和襯底W之間的間隙。該氣體經(jīng)由出口 14抽取。氣體入口 15處的過(guò)壓、出口 14處的真 空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成用于限制液體的向內(nèi)的高速氣流。氣體作用在主 體12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內(nèi)。所述入口 /出口可以是圍繞空 間11的環(huán)形槽。所述環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流有效地將液體限制在空間11 中。這種系統(tǒng)在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物No. US 2004-0207824中公開。圖5中的示例是所謂的局部區(qū)域布置，其中液體在任何一次僅被提供到襯底W的 頂部表面的局部區(qū)域。其他布置是可以的，包括流體處理系統(tǒng)，其利用單相抽取器或兩相抽 取器，例如在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物NO.US2006-0038968中公開的。在一實(shí)施例中，單相或 兩相抽取器可以包括由多孔材料覆蓋的入口。在單相抽取器的一實(shí)施例中，多孔材料被用 來(lái)將液體與氣體分離以能夠?qū)崿F(xiàn)單液相液體抽取。多孔材料的下游的腔被保持在輕微的負(fù) 壓下并且填充有液體。腔內(nèi)的負(fù)壓使得在多孔材料的孔中形成的彎液面阻止周圍的氣體被 抽入所述腔內(nèi)。然而，當(dāng)多孔材料的表面與液體接觸時(shí)，不存在限制流動(dòng)的彎液面并且液體 可以自由地流入到腔內(nèi)。多孔材料具有大量的小孔，例如直徑范圍在5-300 μ m,期望地在 5-50 μ m0在一實(shí)施例中，多孔材料是至少略微親液性的(例如親水性的)，也就是與浸沒液 體(例如水)具有小于90°的接觸角。還可以是另一種布置，其利用氣體拖曳原理工作。所謂的氣體拖曳原理已經(jīng)例如 在2008年5月8日遞交的美國(guó)專利申請(qǐng)出版物第US2008-0212046號(hào)中以及美國(guó)專利申請(qǐng) 第US 61/071，621號(hào)中描述。在該系統(tǒng)中，抽取孔布置成有角的形狀。所述角可以與步進(jìn) 或掃描方向?qū)?zhǔn)。與兩個(gè)出口沿垂直于掃描方向?qū)?zhǔn)的情況相比，這對(duì)于給定速度減小了 沿步進(jìn)或掃描方向作用在流體處理結(jié)構(gòu)的表面上的兩個(gè)開口之間的彎液面上的力。本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用到用在全浸濕浸沒設(shè)備中的流體處理結(jié)構(gòu)。在全浸濕的實(shí)施例中，流體 例如通過(guò)允許液體泄漏出將液體限制在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的限制結(jié)構(gòu)而被 允許覆蓋襯底臺(tái)的整個(gè)頂部表面。全浸濕實(shí)施例的流體處理結(jié)構(gòu)的示例可以在2008年9 月2日遞交的美國(guó)專利申請(qǐng)第US 61/136，380號(hào)中找到。許多類型的流體處理結(jié)構(gòu)被布置成允許流體沿特定的方向流過(guò)投影系統(tǒng)PS的最 終元件和襯底W之間的空間11。例如，在圖2和圖3的流體處理系統(tǒng)中，這通過(guò)圍繞所述空 間提供多個(gè)入口和出口并且選擇性地通過(guò)這些入口或出口提供液體或抽取液體以形成所 需的流動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在圖5的實(shí)施例的情形中，液體出口 13可以包括位于流體處理裝置的主 體12內(nèi)的用于液體流過(guò)其中的多個(gè)開口，其中所述開口圍繞所述空間11。隨后，液體可以 通過(guò)這些開口被提供(或抽取)以便提供沿所需方向的跨過(guò)空間11的流動(dòng)?？梢蕴峁┑?一組開口用于將液體提供到空間11，并可以提供第二組開口用于從空間11抽取液體。在圖 2和3的實(shí)施例(本發(fā)明可能所涉及的實(shí)施例)中，入口和出口可以被看作多個(gè)主體，每一 個(gè)具有表面，其設(shè)置有用于液體從中流過(guò)的開口。圖6示意地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用以支撐襯底W的襯底臺(tái)WT。襯底臺(tái)WT 包括凹陷20，襯底W配合于所述凹陷20內(nèi)。凹陷20可以具有用于支撐襯底W的下表面的 支撐區(qū)域和當(dāng)襯底由支撐區(qū)域支撐時(shí)與襯底W的邊緣鄰近的邊緣。凹陷20可以包括襯底
保持裝置。在一個(gè)布置中，凹陷配置成使得當(dāng)襯底W被放置在凹陷20中時(shí)，襯底W的頂部表 面與襯底臺(tái)WT的頂部表面共面。凹陷20可以一體地形成作為襯底臺(tái)WT的一部分。可選 地，凹陷20可以形成為穿過(guò)覆蓋板的開口，所述覆蓋板形成襯底臺(tái)WT的頂部表面。在浸沒式光刻設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中，襯底臺(tái)WT和襯底W相對(duì)于流體處理結(jié)構(gòu)移動(dòng)，以 便將輻射的所需圖案通過(guò)浸沒液體投影到襯底W的不同部分上。在這種移動(dòng)過(guò)程中，襯底 W的邊緣將周期地橫穿由流體處理系統(tǒng)提供或限制在投影系統(tǒng)PS和襯底臺(tái)WT之間的空間 內(nèi)的流體。雖然位于襯底臺(tái)WT內(nèi)的凹陷20可以配置成容納襯底W的特定尺寸，但是在襯底W 的邊緣和凹陷20的邊緣之間將存在有限的間隙。例如，該間隙可以是0.5mm量級(jí)或更小， 例如在0. 2mm到0. 5mm之間的范圍，例如0. 5mm、0. 3mm或0. 2mm。這種間隙21可以導(dǎo)致在 浸沒流體中形成氣泡。具體地，當(dāng)間隙21通過(guò)浸沒流體處理系統(tǒng)下面時(shí)，氣體可以被俘獲 在間隙內(nèi)，這導(dǎo)致氣泡的形成，該氣泡隨后從間隙21上升進(jìn)入投影系統(tǒng)和襯底W之間的浸 沒流體中。已經(jīng)提出，從襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙抽取流體以便減少在間 隙21內(nèi)形成氣泡的可能性，并且在這種氣泡形成的位置處，減小氣泡從間隙21上升的可能 性。例如，已經(jīng)提出，設(shè)置間隙開口，在運(yùn)行期間通過(guò)所述間隙開口從該間隙中去除流體。該 間隙開口可以位于凹陷20的邊緣的附近，例如位于襯底W的徑向向外的位置。然而，雖然這種抽取系統(tǒng)在某些情形中可能是有效的，但是在其他情形中它可能 不是完全有效的。如圖6所示，襯底W可以包括定位特征25，例如凹口，其用于對(duì)于多種處理操作對(duì) 襯底W進(jìn)行定向。在設(shè)置定位特征25 (例如凹口)的位置處，襯底W的邊緣和凹陷20的邊 緣之間的間隙26明顯大于圍繞襯底W的邊緣的其他部分的間隙21。例如，在凹口處的間隙可以達(dá)到接近1. 5mm，例如其可以是1. 2mm。在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙由于襯底W的邊緣上的定位特征25 而增大的情況下，這種用于從間隙抽取流體的系統(tǒng)可能不會(huì)防止在定位特征25(例如凹 口 )的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙26中形成氣泡。如果氣泡不形成在鄰近襯底W的邊緣上的定位特征25的間隙26內(nèi)，則其可能會(huì) 傾向于尺寸增大，使得存留單個(gè)更大的氣泡，而不是形成多個(gè)氣泡。因此，本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種 流體抽取系統(tǒng)，用以從襯底W的邊緣和凹陷20 的邊緣之間的間隙抽取流體，其中在間隙的局部部分的抽取能力大于用于間隙其他部分的 抽取能力，例如大于襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的鄰近部分的抽取能力。具體地，流體抽取系統(tǒng)可以配置成使得在間隙的局部部分處對(duì)離開間隙的流體的 阻力小于在其他部分處的阻力。因此，在相同條件下(例如沒有液體的情況下)，從該局部 部分抽取的流體的流量大于從具有與該局部部分相同長(zhǎng)度的間隙的其他部分抽取的流體 的流量。因此，具有定位特征25 (例如凹口)的襯底W可以放置在本發(fā)明的實(shí)施例的襯底 臺(tái)WT上，使得定位特征25與具有較大的流體抽取能力的所述局部部分對(duì)齊。通過(guò)以這種 方式布置襯底W，在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的所述局部部分處的所述較 大的流體抽取能力可能有助于確保充分地減小在襯底W的邊緣上定位特征25的邊緣和凹 陷20的邊緣之間的間隙26內(nèi)形成氣泡的可能性，和/或有助于確保在該區(qū)域內(nèi)形成的氣 泡不會(huì)從間隙上升。例如，流體抽取系統(tǒng)可以配置成使得從襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間圍繞襯 底每分鐘抽取大約30到50升的流體總量。與襯底W的邊緣上的定位特征25對(duì)齊的局部 部分的附加的流體抽取能力可以大約是總的流體抽取能力中的每分鐘0. 5升到1升。雖然如圖6所示的襯底W的邊緣上的定位特征25可以是凹口，但是應(yīng)該認(rèn)識(shí)到可 以使用其他定位特征，并且本發(fā)明的實(shí)施例可以被布置用于減小在鄰近這種定位特征的區(qū) 域內(nèi)形成氣泡的可能性和/或氣泡從鄰近這種定位特征的區(qū)域內(nèi)的間隙釋放的可能性。替 代地，例如，襯底W可以具有平坦部28。圖7和8示出一種可以使用的流體抽取系統(tǒng)的布置。具體地，圖7示出位于具有 增強(qiáng)的抽取能力的間隙的所述局部部分處的流體抽取系統(tǒng)的橫截面。在所示的布置中，將 襯底W放置于其中的凹陷20從通過(guò)覆蓋板30的開口處形成。圖7示出了襯底W，其布置成 使得定位特征25 (例如凹口或平坦部)鄰近具有被增強(qiáng)的流體抽取能力的所述局部部分。 因此，在這時(shí)，相對(duì)大的間隙26存在于襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間。流體抽取系統(tǒng)包括一個(gè)或更多個(gè)第一管道32，其在直接通向間隙26的開口 31處 通向襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙。因此，流體可以從襯底W的邊緣和凹陷20 的邊緣之間的間隙被抽取而不會(huì)在襯底W下面流過(guò)。在例如如圖7所示的傳統(tǒng)的布置中，開口 31可以設(shè)置在凹陷20的邊緣內(nèi)部，使得 被抽取的流體從襯底W的邊緣被抽取掉。在一個(gè)布置中，開口 31可以是圍繞凹陷20的凹 陷20邊緣中的裂縫狀開口的形式，并且被連接到可以包括環(huán)形通道的第一管道32，用于流 體流動(dòng)。第一管道32可以通過(guò)一系列的通路33連接到負(fù)壓源，或連接到與負(fù)壓源連接的 另一通道34。
在一種布置中，位于凹陷20的邊緣中并圍繞凹陷20的邊緣的開口 31可以具有大 約50 μ m的寬度。如圖所示，在鄰近凹陷20的邊緣中的開口 31位置處，凹陷20的邊緣可 以包括傾斜的表面20a。這可能有助于防止氣泡從襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間 隙上升。流體通過(guò)開口 31從襯底W的邊緣和凹陷20之間的間隙被抽取并且朝向負(fù)壓源被 抽取。在所述間隙沒有在流體處理系統(tǒng)下面通過(guò)時(shí)，所抽取的流體可以是氣體；在所述間隙 在流體處理系統(tǒng)下面通過(guò)時(shí)，所抽取的流體可以是浸沒流體，或兩者的結(jié)合，例如浸沒流體 具有夾帶在浸沒流體中的一個(gè)或更多個(gè)氣泡。在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的局部部分處，也就是在襯底適當(dāng)?shù)?定位時(shí)的襯底W的定位特征25和凹陷20的邊緣之間的間隙26處，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，這 時(shí)抽取系統(tǒng)包括另一開口 40，所述開口 40連接到第二管道42以便提供附加的抽取能力。如圖7所示，第二管道42可以被連接到與第一管道32 —樣的負(fù)壓源或通道34。 而且，在第二管道42中可以設(shè)置控制閥43，以便控制流過(guò)第二管道42的流量。
例如，當(dāng)襯底W的邊緣上沒有定位特征鄰近通入襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之 間的間隙的第二管道42的開口 40時(shí)，可以關(guān)閉控制閥43。在這種布置中，可以設(shè)置繞過(guò)控 制閥43的排放管線(bleed line)44。即使在控制閥43關(guān)閉時(shí)，這種排放管線也可以提供 恒定的小的通過(guò)第二管道42的流體流量，以便確保例如沒有液體殘留被俘獲在第二管道 42內(nèi)的控制閥43的上游?？蛇x地或附加地，可以使用控制閥43，以便相比于在不包括定位特征的襯底W的 邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙21，調(diào)整定位特征25處的襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣 之間的間隙26處的流體抽取能力的增加量。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，流體在襯底W下面流過(guò)可能是不希望的。具體地，可能期望防止浸沒 流體在襯底W下面流過(guò)。因此，如上面所述，流體抽取系統(tǒng)可以配置成使得流體從襯底W的 邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙被抽取，使得被抽取的流體不會(huì)在襯底W的下面流過(guò)。而 且，在用以支撐襯底W的支撐區(qū)域24的邊緣處，可以設(shè)置密封50用以防止或減少來(lái)自襯底 W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的流體沿襯底W的下表面流過(guò)。作為密封50的一部 分，或除密封50之外，可以設(shè)置一個(gè)或更多個(gè)開口 51用以抽取流體。所述一個(gè)或更多個(gè)開 口 51可以位于凹陷20的周圍處或靠近凹陷20的周圍處。所述一個(gè)或更多個(gè)開口 51可以 布置成使得它們?cè)诓僮鬟^(guò)程中由襯底W覆蓋，使得可以在操作過(guò)程中從襯底W下面去除流 體。因此，在襯底W下面流過(guò)的任何流體都可以被抽取。圖8示出圖7中示出的布置的平面視圖。正如從圖7和8所明顯地看出的，通入 在襯底W的邊緣上的定位特征25和凹陷20的邊緣之間的間隙26的第二管道42的開口 40 的尺寸可以基本上與在位于定位特征25處的襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的 尺寸相同。這種布置可以幫助確保形成在定位特征25處的襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之 間的間隙26內(nèi)的任何氣泡可以通過(guò)第二管道42被抽取。因此，通入在定位特征25處的襯 底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙26的第二管道42的開口 40可以達(dá)到例如1. 5mm。 在一種布置中，所述開口可以大約為1.2mm寬。因此，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在可以布置襯底W的定位特征25的、位于襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙21的局部部分處，增大的抽取能力可以通過(guò)采用第二管道42來(lái)提供， 第二管道42具有開口 40，所述開口 40大于連接到用于從在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣 之間的間隙21的剩余部分抽取流體的第一管道32的開口 31。具體地，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，通入在 襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙26的第二管道42的開口 40的橫截面的最小尺 寸大于通入在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙21的第一管道32的開口 31的橫 截面的最小尺寸。如圖7和8所示，第二管道42可以配置成使得第二管道42的橫截面從其通入襯 底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的位置到開口 40下游的位置41處減小。這種橫 截面面積的減小可以設(shè)置用于幫助確保通入在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙 的開口 40足夠大，以便確保流體從在定位特征25處的襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間 的間隙26被橫跨間隙26地抽取，而不會(huì)造成沿第二管道42的過(guò)大的壓力降低。這對(duì)于如 圖7所示的第二管道42與第一管道32連接到相同的負(fù)壓源或通道34的情形具有重要的 意義。如果第二管道42沿其長(zhǎng)度的橫截面太大，則通過(guò)第一管道32從圍繞在襯底W的邊 緣和凹陷20的邊緣之間的整個(gè)間隙21的流體抽取可能會(huì)顯著地減小。反之，這可能會(huì)導(dǎo) 致氣泡從遠(yuǎn)離定位特征25的位置處的在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙21釋 放。
正如圖7和8所示，在于定位特征25處通入在襯底W的邊緣和凹陷20的 邊緣之間的間隙26的開口 40和第二位置41之間的第二管道42可以是截頭圓錐形 (frustro-conical)形狀，也就是說(shuō)，在其橫截面上可以具有直的邊緣45。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí) 至IJ，可以采用其他結(jié)構(gòu)的第二管道42。例如，在通入位于襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之 間的間隙的開口 40和第二位置41之間的第二管道42可以是喇叭形(trumpet-shaped)的， 即可以在橫截面上具有彎曲邊緣46，例如圖9所示的形狀。正如上面介紹的，本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)可以提供增加的從襯底W的邊緣 和凹陷20的邊緣之間的間隙的流體抽取。因此，當(dāng)襯底W被加載到襯底臺(tái)WT時(shí)，其可以被 定向?yàn)槭沟枚ㄎ惶卣?5(例如凹口或平坦部)與具有增強(qiáng)的流體抽取能力的局部部分對(duì) 齊，以便減小或最小化在定位特征25的區(qū)域內(nèi)襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙 內(nèi)形成氣泡的可能性。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在本文所述的流體抽取系統(tǒng)的布置中，可以提供具有增強(qiáng)的流體抽 取能力的附加的局部部分，使得襯底可以沿多于一個(gè)位置進(jìn)行定向。例如，可以提供兩個(gè)具 有增強(qiáng)的流體抽取能力的局部部分，使得襯底W可以被定向在襯底臺(tái)WT上的凹陷20內(nèi)，使 得襯底W的邊緣上的定位特征25可以與所述兩個(gè)具有增強(qiáng)的流體抽取能力的局部部分中 的任一個(gè)對(duì)齊。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，通過(guò)增加具有增強(qiáng)的流體抽取能力的局部部分的數(shù)量，可以增加襯 底W在襯底臺(tái)WT上可能的定向方向的數(shù)量，在所述方向上，襯底W邊緣上的定位特征25可 以與具有增強(qiáng)的流體抽取能力的局部部分對(duì)齊。圖10示出了襯底臺(tái)WT的一部分的特定布置的平面圖，襯底臺(tái)WT包括具有兩個(gè)流 體抽取能力被增強(qiáng)的局部部分的流體抽取系統(tǒng)。具體地，在圖10所示的布置中，兩個(gè)第二 管道(例如圖7和8所示的那些第二管道)被設(shè)置并配置成在每個(gè)開口 55、56處通入位于 襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙。為了清楚起見，襯底W以虛線示出。正如所看到的，襯底W可以以兩種方式中的一種定向，同時(shí)將襯底W的定位特征25與開口 55、56中 的一個(gè)對(duì)齊。在一實(shí)施例中，開口 55、56中僅一個(gè)提供增強(qiáng)的流體抽取，即開口 55、56中的 一個(gè)提供增強(qiáng)的流體抽取，而開口 55、56中的另一個(gè)不提供增強(qiáng)的流體抽取。在另一示例性的布置中，對(duì)應(yīng)于具有增強(qiáng)的流體抽取能力的流體抽取系統(tǒng)的部 分，可以設(shè)置四個(gè)這樣的開口，并且可以圍繞凹陷20的周圍均勻地間隔用以容納襯底W。正如上面介紹的，與用于提供附加的流體抽取能力的附加的開口相關(guān)聯(lián)的管道中 的每一個(gè)可以包括控制閥。因此，與不與支撐在襯底臺(tái)WT上的襯底W的邊緣上的定位特征 25對(duì)齊的開口相關(guān)聯(lián)的控制閥可以被關(guān)閉，以便防止不必要的附加的流體抽取。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，除了上面描述的那些布置，還可以采用在定位特征25處通入在襯 底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙26的第二管道42的開口的可選的布置。具體地， 雖然通入間隙26的開口 40可以配置成與期望設(shè)置在襯底W的邊緣上的定位特征25尺寸 相同，但是也可以提供替代的布置。尤其，開口 40可以大于定位特征25，使得例如如果襯底 W在襯底臺(tái)WT上的位置或定位特征25的尺寸存在微小的變化，基本上所有定位特征25也 能維持與開口 40的一部分對(duì)齊。
可選地或附加地，雖然在圖7和8中示出的開口 40基本上是圓形的，但是應(yīng)該認(rèn) 識(shí)到，這不是必須的。例如，可以提供其它的開口形狀，例如狹縫。同樣，多個(gè)較小的開口可 以彼此鄰近設(shè)置，以使得它們可以一起與襯底W的定位特征對(duì)齊。此外，在其他布置中，單個(gè)開口可以被連接到多個(gè)第二管道，該多個(gè)第二管道用于 在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的局部部分內(nèi)提供增強(qiáng)的流體抽取能力。這 種布置的示例在圖11和12中示出。具體地，如圖所示，例如如果期望設(shè)置在襯底W的邊緣 上的定位特征是平坦部28，則可以采用這種布置。在這種布置中，如圖11平面圖所示和如 圖12從襯底W朝向凹陷20看的側(cè)面所示，可以設(shè)置開口 61，其與設(shè)置平坦部28的、襯底W 的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙62的部分對(duì)應(yīng)?？梢栽O(shè)置多個(gè)第二管道63以將開口 61連接到負(fù)壓源，例如以與圖7和8中所示的結(jié)構(gòu)一致的方式布置。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)可以包括多于一種布置，用于 在局部區(qū)域中提供增強(qiáng)的流體抽取能力。例如，例如圖7和8所示的布置(或其變體)可 以設(shè)置在襯底臺(tái)WT的一側(cè)上，例如圖11和12所示的布置(或其變體)可以設(shè)置在襯底臺(tái) WT的另一側(cè)上，這允許通過(guò)襯底W的適當(dāng)?shù)亩ㄏ蚴沟枚ㄎ惶卣髋c用于提供增強(qiáng)的流體抽取 能力的流體抽取系統(tǒng)的合適部分對(duì)齊，而用一個(gè)襯底臺(tái)與具有不同的定位特征的襯底一起 使用。正如上面所解釋的，本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)可以配置成使得連接到分別 從襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙周圍提供流體抽取和在局部部分中提供流體 抽取且連接到第一和第二管道32、42的出口 31、40可以連接到公共的負(fù)壓源或連接到通向 負(fù)壓源的公共通道34。在可選的布置中，在定位特征25處通入在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的 間隙26的第二管道42，被連接到獨(dú)立的負(fù)壓源或被連接到通向獨(dú)立的負(fù)壓源的通道70，如 圖13所示。如果多個(gè)第二管道42如上所述那樣設(shè)置，則這些第二管道42的全部或一些可以 分享公共的負(fù)壓源或可以連接到通向負(fù)壓源的公共通道70。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，第二管道42的全部或任一個(gè)可以具有專有的負(fù)壓源。 還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在具有多個(gè)第二管道42的布置中，一些第二管道42可以如第一管 道32 —樣連接到相同的負(fù)壓源或與負(fù)壓源相連接的通道，而其他的第二管道42連接到一 個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立的負(fù)壓源。在任何這種布置中，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，第二管道42中的一個(gè)或更多 個(gè)可以包括控制閥43，并且還可以以與上述內(nèi)容相對(duì)應(yīng)的方式包括排放管線44。圖14到20示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流體抽取系統(tǒng)的另外的布置。在這些布置中， 流體抽取系統(tǒng)配置成通過(guò)設(shè)置增大的開口而不是通過(guò)設(shè)置如圖7到13所示的上述布置中 附加的開口，來(lái)提供流體抽取能力比沿在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的剩余 部分高的位于襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的局部部分。具體地，圖14和15示出一種布置，其中通過(guò)圍繞凹陷20延伸的開口 31，管道32 通入襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙。管道32以與上述相類似的方式連接到負(fù) 壓源或與負(fù)壓源連接的通道34，以便從間隙抽取流體。在襯底W適當(dāng)?shù)胤胖迷谝r底臺(tái)上時(shí)， 在對(duì)應(yīng)于襯底W上的定位特征25的位置的局部區(qū)域中，通入管道32的開口被增大，這提供 增大的開口 75。
圖14示出通過(guò)連接到管道32的增大的開口 75的流體抽取系統(tǒng)的橫截面，而圖15 示出從襯底W觀察的增大的開口 75的正視圖。如圖所示，在襯底W和凹陷20的邊緣之間 的間隙對(duì)應(yīng)于定位特征25的位置的局部部分處，增大的開口 75的寬度大于開口 31沿開口 的其他部分的寬度。因此，在這個(gè)位置處對(duì)流體流的阻力較小，這導(dǎo)致在間隙的這個(gè)局部部 分處從襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙離開的流量較大。雖然如圖14所示，增大的開口 75可以具有從其通入在襯底W的邊緣和凹陷20的 邊緣之間的間隙的位置延伸入凹陷20的邊緣的基本上恒定的橫截面面積，但是這并不是 必須的。例如，如圖16所示，隨著開口 76從其通入在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間 的間隙26的位置處進(jìn)入凹陷20的邊緣，其橫截面面積可以減小。同樣，雖然如圖14至16所示的布置示出位于局部區(qū)域處的增大的開口，以通過(guò)在 凹陷20的邊緣內(nèi)設(shè)置增大的開口來(lái)提供增強(qiáng)的流體抽取能力，但是如圖17從側(cè)面示出和 如圖18從頂部示出，通過(guò)在襯底臺(tái)WT的表面內(nèi)設(shè)置附加的凹陷80，可以替換地或附加地提 供增大的開口。具體地，附加的凹陷80可以定位成使得其在襯底W被支撐在襯底臺(tái)WT上 時(shí)，與襯底W的定位特征25對(duì)齊，并例如從鄰近定位特征25處的襯底W的邊緣的位置延伸 入凹陷20的邊緣。因此，在襯底W的定位特征25的區(qū)域中，在凹陷20的邊緣內(nèi)的附加的 凹陷80和開口 31結(jié)合在一起以便形成增大的開口，與上面所述的效果相同。如圖19和20所示，在圖17和18中示出的布置可以變化成使得鄰近襯底W的定 位特征25的凹陷20的邊緣中的增大的開口的橫截面面積隨著其從其通入在襯底W的邊緣 和凹陷20的邊緣之間的間隙26的位置處進(jìn)入凹陷20的邊緣而減小。如圖19從側(cè)面所示 和圖20從頂部所示，可以通過(guò)配置附加的凹陷85來(lái)設(shè)置這種布置，使得當(dāng)其進(jìn)入凹陷20 的邊緣時(shí)其變得較窄。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，可以通過(guò)結(jié)合例如圖14到16中示出的凹陷20的邊緣處的開口在局 部部分處被增大的布置中的一個(gè)和圖17到20中示出的設(shè)置附加的凹陷的布置中的一個(gè)， 在襯底W的定位特征25的區(qū)域內(nèi)提供增大的開口。正如在具有上面參考圖7到13所述的流體抽取系統(tǒng)的情況下，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，圖14到20示出的流體抽取系統(tǒng)可以配置成提供在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的 多于一個(gè)的具有增強(qiáng)的流體抽取能力的局部部分。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，用于提供在襯底W的邊緣和凹陷20的邊緣之間的間隙的具有增強(qiáng) 的流體抽取能力的兩個(gè)或更多個(gè)局部部分的流體抽取系統(tǒng)不必對(duì)于兩個(gè)這樣的部分使用 相同的布置。因此，用以在所述間隙的局部部分中提供增強(qiáng)的流體抽取能力的任意兩個(gè)或 更多個(gè)上述布置可以用于在一個(gè)設(shè)備內(nèi)的所述間隙的不同部分。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括凹 陷，其配置用于容納給定尺寸的襯底，所述凹陷具有用于支撐襯底的下表面的支撐區(qū)域和 一邊緣，所述邊緣配置成當(dāng)襯底由所述支撐區(qū)域支撐時(shí)鄰近襯底的邊緣；以及流體抽取系 統(tǒng)，其配置成在流體基本上不流入所述襯底下面的情況下從襯底的邊緣和所述凹陷的所述 邊緣之間的間隙抽取流體；其中所述流體抽取系統(tǒng)配置成使得，在沒有液體的情況下，從具 有給定長(zhǎng)度的所述間隙的一局部部分抽取的流體的流量大于從具有相同長(zhǎng)度的所述間隙 的其他部分抽取的流體的流量。所述流體抽取系統(tǒng)可以包括通入所述間隙的一個(gè)或更多個(gè)第一管道，其配置成從 基本上整個(gè)所述襯底周圍的所述間隙抽取流體；和流體抽取系統(tǒng)可以包括通入所述間隙的 至少一個(gè)第二管道，其配置成從所述間隙的所述局部部分抽取流體。所述一個(gè)或更多個(gè)第一管道的橫截面的最小尺寸可以小于位于管道通入所述間 隙的位置處的第二管道的橫截面的最小尺寸。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括凹 陷，其配置用于容納給定尺寸的襯底，所述凹陷具有用于支撐襯底的下表面的支撐區(qū)域和 一邊緣，所述邊緣配置成當(dāng)襯底由所述支撐區(qū)域支撐時(shí)鄰近襯底的邊緣；以及流體抽取系 統(tǒng)，其配置成在流體基本上不流入所述襯底下面的情況下從襯底的邊緣和所述凹陷的所述 邊緣之間的間隙抽取流體；其中所述流體抽取系統(tǒng)包括通入所述間隙的一個(gè)或更多個(gè)第一 管道，其配置成從基本上整個(gè)所述襯底周圍的所述間隙抽取流體；和所述流體抽取系統(tǒng)包 括通入所述間隙的至少一個(gè)第二管道，其配置成從所述間隙的一局部部分抽取流體；并且 所述一個(gè)或更多個(gè)第一管道的橫截面的最小尺寸小于位于所述管道通入所述間隙的位置 處的第二管道的橫截面的最小尺寸。所述一個(gè)或更多個(gè)第一管道可以通過(guò)在凹陷的邊緣中的一個(gè)或更多個(gè)開口通入 所述間隙。所述一個(gè)或更多個(gè)第一管道可以被連接到位于圍繞所述凹陷的所述凹陷的邊緣 中的開口，用于流體流動(dòng)。所述至少一個(gè)第二管道可以通過(guò)形成在所述支撐區(qū)域和所述凹陷的邊緣之間的 襯底臺(tái)的表面上的對(duì)應(yīng)的開口通入所述間隙。所述至少一個(gè)第二管道可以包括控制閥，所述控制閥配置成控制通過(guò)所述第二管 道的流體的流量。所述至少一個(gè)第二管道可以包括排放管線，所述排放管線繞過(guò)所述控制閥。所述第一和第二管道可以連接到公共的負(fù)壓源。所述一個(gè)或更多個(gè)第一管道可以連接到第一負(fù)壓源，所述至少一個(gè)第二管道可以 連接到第二負(fù)壓源。
第二管道的橫截面可以從第二管道通入所述間隙的位置到位于所述第二管道通 入所述間隙的位置的下游的第二管道中的第二位置而減小。第二管道的形狀從第二管道通入所述間隙的位置到所述第二位置可以是截頭圓 錐形和喇叭形中的一種。流體抽取系統(tǒng)可以包括至少兩個(gè)第二管道，并且所述第二管道可以在彼此分離設(shè) 置的各個(gè)開口處通入所述間隙。流體抽取系統(tǒng)可以包括至少兩個(gè)第二管道，并且所述第二管道中的兩個(gè)或更多個(gè) 可以在公共開口處通入所述間隙。襯底臺(tái)可以配置成支撐具有定位特征的襯底，使得當(dāng)襯底由所述支撐區(qū)域支撐 時(shí)，所述襯底的所述定位特征與第二管道通入凹陷的邊緣和襯底的邊緣之間的所述間隙的 開口對(duì)齊，使得流體從所述襯底的所述定位特征和所述凹陷的邊緣之間的空間被直接地抽 取入第二管道中。襯底臺(tái)可以配置成支撐具有定位特征的襯底，所述定位特征是襯底邊緣上的凹 口、平坦部或缺口中的一個(gè)。流體抽取系統(tǒng)可以包括通入間隙的一個(gè)或更多個(gè)管道，其配置成從基本上整個(gè)襯 底周圍的所述間隙抽取流體；且所述一個(gè)或更多個(gè)管道可以連接到位于圍繞所述凹陷的所 述凹陷的邊緣中的開口，用于流體流動(dòng)；以及在所述間隙的所述局部部分處開口的寬度可 以大于沿所述開口的其余部分的所述開口的寬度。在所述局部部分處，通過(guò)凹陷的邊緣的開口可以被增大，使得其寬度大于沿所述 開口的其余部分的開口寬度。在所述局部部分處，附加的凹陷可以形成在襯底臺(tái)上，并且可以配置成鄰接所述 凹陷的邊緣上的開口的一部分，使得它們結(jié)合形成寬度比單獨(dú)的凹陷中開口寬度大的開流體抽取系統(tǒng)可以配置成使得存在所述間隙的至少兩個(gè)局部部分，在所述局部部 分處，所述開口的寬度大于沿所述間隙的其他部分的開口的寬度，使得從給定長(zhǎng)度抽取的 流體的流量大于從所述間隙的其他部分抽取的流體的流量。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括凹 陷，其配置成容納包括具有定位特征的邊緣的襯底，以使得在所述襯底的邊緣和所述凹陷 的邊緣之間形成間隙；和開口，所述開口配置用于流體從其中通過(guò)的通路，所述開口布置在 襯底臺(tái)中，使得當(dāng)襯底容納在所述凹陷中時(shí)，所述開口至少部分地不被所述襯底所覆蓋并 且與所述襯底的所述定位特征對(duì)齊。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括凹 陷，其配置用于容納包括具有定位特征的邊緣的襯底，使得在所述襯底的邊緣和所述凹陷 的邊緣之間形成間隙；開口，其設(shè)置在襯底臺(tái)中并且布置成位于所述襯底的邊緣和所述凹 陷的所述邊緣之間的所述間隙處；其中所述開口的橫截面的尺寸基本上為所述襯底上的定 位特征的長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)包括凹 陷，其配置用于容納襯底；位于襯底臺(tái)中的開口，其配置成使得當(dāng)所述凹陷容納具有定位特 征的襯底時(shí)，所述開口與所述定位特征對(duì)齊并且與所述定位特征對(duì)應(yīng)，使得流體可以在所述定位特征處從在所述襯底和凹陷的邊緣之間的間隙通過(guò)開口直接地抽取。在上述的用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)中，所述支撐區(qū)域可以包括一個(gè)或更多個(gè)支撐點(diǎn)和密封，所述支撐點(diǎn)配置成支撐所述襯底的下表面的一部分，所述密封配置成位于 由所述支撐區(qū)域支撐的襯底的邊緣上并且配置成基本上抑制液體流入襯底下面；并且所述 密封可以包括第二流體抽取系統(tǒng)，所述第二流體抽取系統(tǒng)配置成從襯底下面和鄰近襯底邊 緣處的空間抽取流體。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種包括上述的襯底臺(tái)的浸沒式光刻設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種器件制造方法，所述方法包括步驟將圖案化的輻射束 通過(guò)提供在鄰近襯底的空間內(nèi)的流體投影到襯底上；其中所述襯底支撐在襯底臺(tái)上的凹陷 內(nèi)，所述方法包括采用配置用以在流體基本上不會(huì)流入襯底下面的情況下從所述間隙中 抽取流體的流體抽取系統(tǒng)，從所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙抽取流體；并 且所述流體抽取系統(tǒng)配置成使得，在沒有液體的情況下，從具有給定長(zhǎng)度的所述間隙的一 局部部分抽取的流體的流量大于從具有相同長(zhǎng)度的所述間隙的其他部分抽取的流體的流 量。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種器件制造方法，所述方法包括步驟將圖案化的輻射束 通過(guò)提供在鄰近襯底的空間內(nèi)的流體投影到所述襯底上；其中所述襯底支撐在襯底臺(tái)上的 凹陷內(nèi)，所述方法包括采用流體抽取系統(tǒng)從所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間 隙抽取流體，所述流體抽取系統(tǒng)配置用以在流體基本上不會(huì)流入襯底下面的情況下從所述 間隙中抽取流體；其中所述流體抽取系統(tǒng)包括通入所述間隙的一個(gè)或更多個(gè)第一管道，所 述第一管道配置用于從基本上整個(gè)所述襯底周圍的間隙抽取流體；所述流體抽取系統(tǒng)包括 通入所述間隙的至少一個(gè)第二管道，所述第二管道配置成從所述間隙的一局部部分抽取流 體；并且在所述管道通入所述間隙的位置處，一個(gè)或更多個(gè)第一管道的橫截面的最小尺寸 小于第二管道的橫截面的最小尺寸。雖然本申請(qǐng)?jiān)斒隽斯饪淘O(shè)備在制造IC中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解到，這里描述的光 刻設(shè)備在制造微米尺度、甚至納米尺度的部件、特征中可以有其它的應(yīng)用，例如制造集成光 學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng) 域技術(shù)人員應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管 芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光 之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的 抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將這里公 開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以被處理一次以上，例如為產(chǎn) 生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(UV) (例如具有等于或約為365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))。在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)“透鏡” 可以表示不同類型的光學(xué)部件中的任何一種或其組合，包括折射式和反射式的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述 不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個(gè)或 更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的這種計(jì)算 機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)的形式。此外，機(jī)器可讀的指令可以嵌入到兩個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序。所述兩個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序可以存儲(chǔ)在至少一個(gè) 不同的存儲(chǔ)器和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中。當(dāng)一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序由位于光刻設(shè)備的至少一個(gè)部件內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè) 計(jì)算機(jī)處理器讀取時(shí)，這里所述的控制器可以每一個(gè)或以組合的形式運(yùn)行?？刂破骺梢悦?一個(gè)或以組合的形式具有用于接收、處理以及發(fā)送信號(hào)的任何合適的配置。一個(gè)或更多個(gè) 處理器配置成與至少一個(gè)控制器通信。例如，每個(gè)控制器可以包括用于執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序的 一個(gè)或更多個(gè)處理器，所述計(jì)算機(jī)程序包括用于上述的方法的機(jī)器可讀指令。控制器可以 包括用于存儲(chǔ)這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，和/或用以接收這種介質(zhì)的硬件。因而，控 制器可以根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的機(jī)器可讀指令運(yùn)行。本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于任何浸沒式光刻設(shè)備，特別地但不排他 地，應(yīng)用于上述的那些類型，而不論浸沒液體是否以浴器的形式提供，僅在襯底的局部表面 區(qū)域上提供浸沒液體，或浸沒液體是非限制性的。在 非限制性布置中，浸沒液體可以流到襯 底和/或襯底臺(tái)的表面上，使得基本上襯底和/或襯底臺(tái)的整個(gè)未覆蓋表面被浸濕。在這 種非限制性的浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒流體或其可以提供一定比例的浸 沒液體限制，但是不是基本上完全的浸沒液體限制。這里提到的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該被廣義地理解。在某些實(shí)施例中，其可以是一種將 液體提供到投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺(tái)之間的空間的機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)的組合。液體供給系統(tǒng) 可以包括一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)、包括一個(gè)或更多個(gè)液體開口的一個(gè)或更多個(gè)流體開口、一個(gè) 或更多個(gè)氣體開口或一個(gè)或更多個(gè)用于兩相流的開口的組合。所述開口每一個(gè)可以是進(jìn)入 浸沒空間的入口(或離開流體處理結(jié)構(gòu)的出口)或出離浸沒空間的出口(或進(jìn)入流體處理 結(jié)構(gòu)的入口)。在一實(shí)施例中，所述空間的表面可以是襯底和/或襯底臺(tái)的一部分，或所述 空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺(tái)的表面，或所述空間可以包圍所述襯底和/或 襯底臺(tái)。液體供給系統(tǒng)還可以可選地包括用以控制液體的位置、數(shù)量、品質(zhì)、形狀、流量或任 何其他特征的一個(gè)或更多個(gè)元件。上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定性的。因而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對(duì)上述本發(fā)明進(jìn)行更改。
權(quán)利要求
一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配置成容納給定尺寸的襯底，所述凹陷具有用以支撐所述襯底下表面的支撐區(qū)域和一邊緣，所述邊緣配置成當(dāng)所述襯底由所述支撐區(qū)域支撐時(shí)鄰近所述襯底的邊緣；和流體抽取系統(tǒng)，其配置成從在所述襯底的邊緣和所述凹陷的所述邊緣之間的間隙抽取流體，其中所述流體抽取系統(tǒng)配置成使得在沒有液體的情況下，從具有給定長(zhǎng)度的所述間隙的一局部部分抽取的流體的流量大于從具有相同長(zhǎng)度的所述間隙的其他部分抽取的流體的流量。
2.一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配置成容納給定尺寸的襯底，所述凹陷具有用以支撐所述襯底下表面的支撐 區(qū)域和一邊緣，所述邊緣配置成當(dāng)所述襯底由所述支撐區(qū)域支撐時(shí)鄰近所述襯底的邊緣； 禾口流體抽取系統(tǒng)，其配置成從所述襯底的邊緣和所述凹陷的所述邊緣之間的間隙抽取流體，其中所述流體抽取系統(tǒng)包括通入所述間隙的第一管道，所述第一管道配置成從基本 上整個(gè)所述襯底周圍的所述間隙抽取流體；和通入所述間隙的第二管道，所述第二管道配 置成從所述間隙的一局部部分抽取流體，且在所述第一和所述第二管道通入所述間隙的位置處，所述第一管道的橫截面的最小 尺寸小于所述第二管道的橫截面的最小尺寸。
3.一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配置用以容納包括具有定位特征的邊緣的襯底，使得在所述襯底的邊緣和所 述凹陷的邊緣之間形成間隙；和開口，其配置用于流體穿過(guò)其中的通路，所述開口布置在所述襯底臺(tái)中，使得當(dāng)襯底被 容納在所述凹陷中時(shí)，所述開口至少部分地不被所述襯底覆蓋并且與所述襯底的所述定位 特征對(duì)齊。
4.一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配置用于容納包括具有定位特征的邊緣的襯底，使得在所述襯底的邊緣和所 述凹陷的邊緣之間形成間隙；位于所述襯底臺(tái)中的開口，當(dāng)襯底位于所述襯底臺(tái)上時(shí)，所述開口定位在所述凹陷的 邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙處，所述開口的橫截面的尺寸基本上為所述襯底上的所 述定位特征的長(zhǎng)度。
5.一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配置用于容納襯底；位于所述襯底臺(tái)中的開口，其配置成使得當(dāng)所述凹陷容納具有定位特征的襯底時(shí)，所 述開口與所述定位特征對(duì)齊并對(duì)應(yīng)，使得流體可以在所述定位特征處從所述襯底和所述凹 陷的所述邊緣之間的間隙通過(guò)所述開口被直接地抽取。
6.一種如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，其中所述支撐區(qū)域包括支撐點(diǎn)，所述支撐點(diǎn)配置成支撐所述襯底的下表面的一部分；和密封，所述密封配置成位于由所述支撐區(qū)域支撐的所述襯底的邊緣上并且配置成基本上 抑制液體流入所述襯底下面，其中所述密封包括另一流體抽取系統(tǒng)，其配置成從所述襯底 下面和鄰近所述襯底的邊緣的空間抽取流體。
7.一種浸沒式光刻設(shè)備，包括如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)。
8.一種器件制造方法，包括步驟將圖案化的輻射束通過(guò)提供在鄰近所述襯底的空間內(nèi)的流體投影到襯底上，其中所述 襯底支撐在襯底臺(tái)上的凹陷內(nèi)；和從在所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙抽取流體，使得在不存在液體的情 況下，從具有給定長(zhǎng)度的所述間隙的局部部分抽取的流體的流量大于從具有相同長(zhǎng)度的所 述間隙的其他部分抽取的流體的流量。
9.一種器件制造方法，包括步驟將圖案化的輻射束通過(guò)提供在鄰近所述襯底的空間內(nèi)的流體投影到襯底上，其中所述 襯底被支撐在襯底臺(tái)上的凹陷內(nèi)；和采用流體抽取系統(tǒng)從所述凹陷的邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙抽取流體，所述流 體抽取系統(tǒng)包括通入所述間隙的第一管道，所述第一管道配置成從基本上整個(gè)所述襯底 周圍的所述間隙抽取流體；和第二管道，其通入所述間隙，所述第二管道配置成從所述間隙 的局部部分抽取流體，其中，在所述第一和所述第二管道通入所述間隙的位置處，所述第一 管道的橫截面的最小尺寸小于第二管道的橫截面的最小尺寸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種襯底臺(tái)、浸沒式光刻設(shè)備和一種器件制造方法。本發(fā)明公開一種用于浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺(tái)，包括凹陷，其配置成容納給定尺寸的襯底；和流體抽取系統(tǒng)，其配置成從所述襯底的邊緣和所述凹陷的邊緣之間的間隙抽取流體，流體抽取系統(tǒng)配置成使得從間隙的局部部分抽取的流體的流量大于從間隙的其他部分抽取的流體的流量。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101833248SQ201010132619
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月13日
發(fā)明者D·貝塞姆斯, K·斯蒂芬斯, M·A·K·范利洛普, M·K·斯塔文卡, S·B·D·大衛(wèi), S·舒勒伯夫 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司