專利名稱：掩模板制造方法、掩模制造方法、掩模板透明基片制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠保證掩模板透明基片光學(xué)特性的掩模板提供系統(tǒng)、掩模板提供方 法、掩模板透明基片制造方法和掩模板制造方法，以及一種掩模板，并進(jìn)一步涉及能夠防止 轉(zhuǎn)移靶標(biāo)圖形缺陷的掩模制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，如下的微型半導(dǎo)體設(shè)備得到了發(fā)展，其曝光光源的波長降低從而使曝光 波長達(dá)到了 200nm或者更小。作為這種曝光光源的實(shí)例是ArF受激準(zhǔn)分子激光器(波長 193nm)和F2受激準(zhǔn)分子激光器(波長157nm)。用于屏蔽這些曝光波長的光和改變其相位 的屏蔽膜(光屏蔽膜，不透明膜)和相移膜得到了快速的發(fā)展，并且已經(jīng)提出了多種膜材料 (見例如 JP-A-2002-162727 和 JP-A-2003-280168)。進(jìn)一步，還提出了多種能夠降低在形成這些膜時可能會出現(xiàn)的光學(xué)特性(例如透 射率和相差)差異的制造方法(見例如JP-A-2002-90978)。因此，膜的光學(xué)特性差異目前 已經(jīng)得到了抑制。然而，在測量已制造掩模板(mask blank)的光學(xué)特性(透射率，反射率等)時，會 產(chǎn)生一個問題，即其中有一部分比例的掩模板不滿足光學(xué)特性差異的規(guī)格。而且，在將形成于掩模上的掩模圖形轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移靶標(biāo)上以便通過使用曝光系統(tǒng)形 成轉(zhuǎn)移圖形時，會產(chǎn)生一個問題，即盡管在掩模上形成的掩模圖形中沒有發(fā)現(xiàn)圖形缺陷，但 是轉(zhuǎn)移靶標(biāo)會產(chǎn)生圖形缺陷。本發(fā)明人試圖從各種方面尋找造成這些問題的原因，結(jié)果發(fā)現(xiàn)其原因是由于透明 基片自身的吸收導(dǎo)致掩模板透明基片中產(chǎn)生透射率差異，這個問題一般還沒有受到人們的
眉、ο下文中，將分別詳細(xì)地說明為什么會制造出偏離光學(xué)特性差異規(guī)格的掩模板的原 因，以及產(chǎn)生轉(zhuǎn)移圖形缺陷的原因，這些是從本發(fā)明人的研究中得來的。目前，人造石英玻璃被用作適合于使用ArF受激準(zhǔn)分子激光器作為曝光光源并且 正在快速發(fā)展的掩模板的基片材料。該人造石英玻璃還用作適合于使用KrF受激準(zhǔn)分子激 光器作為曝光光源并且實(shí)際上已經(jīng)應(yīng)用的掩模板的基片材料。KrF受激準(zhǔn)分子激光器的曝 光波長是248nm。因此，即使在人造石英玻璃中存在制造差異，6025號(板厚度6. 35mm)的 透射率(板厚度方向上的透射率)也為88%或者更多(波長λ = 240nm)，這不會造成問 題。然而，當(dāng)曝光光源的波長降低到短波長，例如193nm時，6025號(板厚度6. 35mm)的透射率(板厚度方向上的透射率)會由于基片自身對曝光光線的吸收而有時降低到 80%，該吸收是由于人造石英玻璃的制造差異等造成的。進(jìn)一步，在目前的狀況下，形成薄膜的制造差異還不能夠完全克服。因此可以認(rèn) 為，由于基片材料透射率差異和薄膜光學(xué)特性差異的協(xié)同作用，會制造出如上所述的不滿 足光學(xué)特性差異規(guī)格的掩模板。
另一方面，對于掩模，當(dāng)使由于人造石英玻璃基片自身的吸收而使透射率降低的 區(qū)域包含在遮光膜圖形區(qū)域內(nèi)時，它將不會對轉(zhuǎn)移靶標(biāo)造成影響。然而，當(dāng)這種區(qū)域暴露于 沒有形成掩模圖形的區(qū)域內(nèi)時，或者當(dāng)這種區(qū)域跨越了掩模圖形部分時，則會使本來不應(yīng) 當(dāng)屏蔽曝光光線的部分發(fā)生屏蔽從而導(dǎo)致曝光光線相對于轉(zhuǎn)移靶標(biāo)的強(qiáng)度發(fā)生變化。這可 以認(rèn)為是盡管在掩模中沒有發(fā)現(xiàn)圖形缺陷但是在轉(zhuǎn)移靶標(biāo)內(nèi)產(chǎn)生了圖形缺陷的原因。近年來，掩模圖形已經(jīng)變得非常精細(xì)而且更加復(fù)雜。因此，即使在掩模上能夠識別 出會影響圖形轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移靶標(biāo)的缺陷，通常也不能執(zhí)行圖形替換或修正，并且在這種情況 下，需要從開始從新制造掩模。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種掩模板提供系統(tǒng)，一種掩模板提供方法，一種 掩模板透明基片制造方法，一種掩模板制造方法，和一種掩模制造方法，其能夠通過保證掩 模板透明基片和掩模板的光學(xué)特性防止掩模板偏離其光學(xué)特性規(guī)格以及防止轉(zhuǎn)移靶標(biāo)發(fā) 生圖形缺陷。為了獲得上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供系統(tǒng)，其包括基片信息存儲裝置，其用于在將掩模板透明基片提供給掩模板制造部分的同時， 以和掩模板透明基片相關(guān)聯(lián)的方式存儲掩模板透明基片相對于曝光波長的光學(xué)特性信 息；掩模板信息存儲裝置，其用于在將掩模板提供給掩模制造部分的同時，以和掩模 板相關(guān)聯(lián)的方式存儲掩模板相對于曝光波長的光學(xué)特性信息。基片信息提供裝置，用于向掩模板制造部分和/或所述掩模制造部分提供存儲在 基片信息存儲裝置內(nèi)的掩模板透明基片相對于曝光波長的光學(xué)特性信息；和掩模板信息提供裝置，其用于向掩模制造部分提供存儲在掩模板信息存儲裝置內(nèi) 的掩模板相對于曝光波長的光學(xué)特性信息。利用該結(jié)構(gòu)，能夠保證透明基片和掩模板相對于曝光波長的光學(xué)特性。因此有可 能解決制造出偏離光學(xué)特性規(guī)格的掩模板的問題以及轉(zhuǎn)移靶標(biāo)中產(chǎn)生圖形缺陷的問題。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括一個制造掩模板透明基 片的材料處理部分的服務(wù)器，一個通過在掩模板透明基片上形成一個將成為掩模圖形的薄 膜來制造掩模板的掩模板制造部分的服務(wù)器，一個通過在掩模板薄膜上構(gòu)圖制造掩模的掩 模制造部分的服務(wù)器，和一個用于連接服務(wù)器從而允許在其間進(jìn)行通信的通信線，其中材料處理部分的服務(wù)器包括基片信息存儲裝置，掩模板制造部分的服務(wù)器包括基片信息存儲裝置和掩模板信息存儲裝置，且掩模制造部分的服務(wù)器包括基片信息存儲裝置和掩模板信息存儲裝置。利用該結(jié)構(gòu)，能夠在各個制造部分的服務(wù)器之間快速而廉價地交換透明基片和掩模板的光學(xué)特性信息。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括一個制造掩模板透明基 片的材料處理部分的發(fā)送/接收部分，一個通過在所述掩模板透明基片上形成一個將成為 掩模圖形的薄膜來制造掩模板的掩模板制造部分的發(fā)送/接收部分，一個通過在所述掩模 板薄膜上構(gòu)圖制造掩模的掩模制造部分的發(fā)送/接收部分，和一個能夠通過通信線聯(lián)系這 些發(fā)送/接收部分的服務(wù)器， 其中該服務(wù)器包括基片信息存儲裝置和掩模板信息存儲裝置。利用該結(jié)構(gòu)，有可能共同分享服務(wù)器(各種信息存儲裝置)。當(dāng)共同管理前述信息 時，是特別有效的，因?yàn)槟軌蚴剐畔⒁恢禄?。根?jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括用于根據(jù)掩模板透明基 片相對于曝光波長的光學(xué)特性選擇待在掩模板透明基片上形成的薄膜的薄膜選擇裝置。利用該結(jié)構(gòu)，能夠通過有效地使用透明基片的光學(xué)特性信息防止由于透明基片和 薄膜之間的不相容性導(dǎo)致的偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供系統(tǒng)，其中掩模板透明基片相對于曝光波長 的光學(xué)特性信息包括對于曝光波長的基片平面內(nèi)透射率差異。利用該結(jié)構(gòu)，有可能保證透明基片相對于曝光波長的基片平面內(nèi)透射率差異，由 此防止由上導(dǎo)致的偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供系統(tǒng)，其中掩模板相對于曝光波長的光學(xué)特 性信息包括對于曝光波長的薄膜平面內(nèi)透射率差異和/或相差差異。利用該結(jié)構(gòu)，有可能保證掩模板相對于曝光波長的薄膜平面內(nèi)透射率差異和相差 差異，由此防止由上導(dǎo)致的偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供方法，其中掩模板制造部分通過在掩模板透 明基片上形成待成為掩模圖形的薄膜來制造掩模板，并且當(dāng)向掩模制造部分提供掩模板 時，掩模板制造部分向掩模制造部分提供掩模板透明基片相對于曝光波長的光學(xué)特性信息 和掩模板相對于曝光波長的光學(xué)特性信息。通過這種方法，有可能保證透明基片和掩模板的光學(xué)特性，由此防止掩模板偏離 規(guī)格以及轉(zhuǎn)移靶標(biāo)產(chǎn)生圖形缺陷。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供方法，其中掩模板透明基片相對于曝光波長 的光學(xué)特性信息從制造掩模板透明基片的材料處理部分提供到掩模板制造部分。通過這種方法，掩模板制造部分能夠無需測量透明基片光學(xué)特性地向掩模制造部 分提供透明基片的光學(xué)特性信息。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供方法，其中掩模板透明基片相對于曝光波長 的光學(xué)特性包括相對于曝光波長的基片平面內(nèi)透射率差異。通過這種方法，有可能保證透明基片相對于曝光波長的基片平面內(nèi)透射率差異， 由此防止由上導(dǎo)致的偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供方法，其中掩模板相對于曝光波長的光學(xué)特 性信息包括相對于曝光波長的薄膜平面內(nèi)透射率差異和/或相差差異。通過這種方法，有可能保證掩模板相對于曝光波長的薄膜平面內(nèi)透射率差異和相 差差異，由此防止由上導(dǎo)致的偏離規(guī)格。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板透明基片制造方法，包括鏡面拋光掩模板透明基片的表面，從而能夠測量其相對于曝光波長的光學(xué)特性； 用波長等于曝光波長的光照射該鏡面拋光的基片，由此獲得掩模板透明基片的光學(xué)特性信 息；和
保存掩模板透明基片和其光學(xué)特性信息的關(guān)聯(lián)。在該制造方法中，有可能保證透明基片的光學(xué)特性，由此防止掩模板由于透明基 片的材料和發(fā)生轉(zhuǎn)移靶標(biāo)圖形缺陷導(dǎo)致的偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板透明基片制造方法，其中掩模板透明基片的光學(xué) 特性信息包括相對于曝光波長的基片平面內(nèi)透射率差異。在該制造方法中，有可能保證透明基片相對于曝光波長的基片平面內(nèi)透射率差 異，由此防止由上導(dǎo)致的偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了 一種掩模板透明基片制造方法，其中曝光波長為 140nm-200nm。在該制造方法中，即使在由于透明基片的材料導(dǎo)致透射率變化較大的 140nm-200nm的短波長下，也有可能保證基片平面內(nèi)的透射率差異，由此防止由上導(dǎo)致的偏 離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板透明基片制造方法，其中掩模板透明基片的材料 是人造石英玻璃。在該制造方法中，即使在由于制造偏差導(dǎo)致人造石英玻璃的光學(xué)特性發(fā)生差異 時，也有可能保證基片平面內(nèi)的透射率差異，由此防止由上導(dǎo)致的偏離規(guī)格。在本發(fā)明中，提供了一種掩模板制造方法，包括在通過根據(jù)權(quán)利要求11的掩模板透明基片制造方法獲得的掩模板透明基片上形 成待成為掩模圖形的薄膜，由此獲得掩模板；用波長等于曝光波長的光照射該薄膜的表面由此獲得掩模板的光學(xué)特性信息；和保存掩模板和掩模板光學(xué)特性信息的關(guān)聯(lián)。根據(jù)該制造方法，有可能通過除了保證透明基片的光學(xué)特性之外還保證形成掩模 板的薄膜內(nèi)的透射率差異和/或相差差異，進(jìn)而保證掩模板的光學(xué)特性，由此防止掩模板 偏離規(guī)格和轉(zhuǎn)移靶標(biāo)產(chǎn)生圖形缺陷。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種根據(jù)權(quán)利要求15的掩模板制造方法，其中掩模板的光學(xué) 特性信息包括相對于曝光波長的薄膜平面內(nèi)透射率差異和/或相差差異。在該制造方法中，有可能保證掩模板相對于曝光波長的薄膜平面內(nèi)透射率差異和 相差差異，由此防止由上導(dǎo)致的偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板制造方法，其進(jìn)一步包括根據(jù)掩模板透明基片的光學(xué)特性信息選擇待在掩模板透明基片上形成的薄膜。在該制造方法中，有可能防止由于透明基片和薄膜的不相容性導(dǎo)致的偏離光學(xué)特 性的規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了 一種掩模板制造方法，其中曝光波長為140nm-200nm。在該制造方法中，即使在由于透明基片材料和薄膜使透射率差異較大的 140nm-200nm的短波長區(qū)域內(nèi)，也有可能保證基片平面內(nèi)的透射率差異和掩模板薄膜平面內(nèi)的透射率差異和/或相差差異，由此防止由上導(dǎo)致的掩模板偏離規(guī)格。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種構(gòu)圖通過掩模板制造方法制造的掩模板薄膜的掩模制造 方法，由此在掩模圖透明基片上形成掩模圖形。在該制造方法中，有可能制造保證了透明基片光學(xué)特性的掩模。這使得有可能解 決盡管在掩模圖中沒有發(fā)現(xiàn)缺陷但在轉(zhuǎn)移靶標(biāo)上卻產(chǎn)生圖形缺陷的問題。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模制造方法，其進(jìn)一步包括修正待在所述掩模板透明基片上形成的掩模圖形的數(shù)據(jù)，或者根據(jù)掩模板透明基 片和/或掩模板相對于曝光波長的光學(xué)特性信息確定用于形成掩模圖形的位置。在該制造方法中，有可能可靠地防止由于透明基片和掩模板的光學(xué)特性導(dǎo)致的掩 模圖形缺陷和轉(zhuǎn)移靶標(biāo)圖形缺陷。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，有可能提供掩模板透明基片和掩模板相對于曝光波長的 光學(xué)特性信息，由此保證其光學(xué)特性。這使得有可能解決制造出偏離光學(xué)特性規(guī)格的掩模 板的問題，和盡管在掩模圖形中沒有發(fā)現(xiàn)缺陷但在轉(zhuǎn)移靶標(biāo)中卻出現(xiàn)圖形缺陷的問題。


圖1是顯示掩模板提供系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的框圖；圖2是顯示在各個制造部分之間交換信息和物件的示例圖；圖3是顯示掩模板透明基片制造方法的示例圖；圖4是顯示掩模板制造方法的示例圖；圖5是濺射裝置的示意圖；圖6是濺射裝置主要部分的放大圖；和圖7是顯示掩模制造方法的示例圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，將參考附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。在下面的說明中，材料處理部分、掩模板制造部分、掩模制造部分和設(shè)備制造部分 能夠一起或者分別提供。當(dāng)分別提供時，它們可以分別稱作材料處理制造器、掩模板制造 器、掩模制造器和設(shè)備制造器。掩模板提供系統(tǒng)首先，參考圖1和2說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模板提供系統(tǒng)。如圖1所示，掩模板提供系統(tǒng)包括制造掩模板透明基片1的材料處理部分(制造 器)的服務(wù)器10，制造掩模板2的掩模板制造部分(制造器)的服務(wù)器20，制造掩模3的 掩模制造部分(制造器)的服務(wù)器30，和連接它們從而在其間進(jìn)行通信的通信線40 (基片 信息提供裝置和掩模板信息提供裝置)。作為通信線40，可以使用網(wǎng)絡(luò)，例如互聯(lián)網(wǎng)、WAN或LAN，或者租用線。當(dāng)材料處理部分、掩模板制造部分和掩模制造部分相應(yīng)于同一組群的相應(yīng)部分 時，服務(wù)器10、20和30可以集中化以便被共同使用。材料處理部分的服務(wù)器10包括接口 11、處理部分12、信息存儲部分13 (基片信息 存儲裝置)和傳輸部分14。
接口 11執(zhí)行已測得透射率數(shù)據(jù)與已測量透射率的基片的識別數(shù)字之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn) 換，它們由透射率測量設(shè)備100輸入，并將其發(fā)送給處理部分12。透射率測量設(shè)備100在掩模板透明基片1主表面的多個部分上測量其透射率，并 將這些測得的透射率數(shù)據(jù)發(fā)送到接口 11。進(jìn)一步，在該實(shí)施例中，透射率測量設(shè)備100具有 如下功能讀出直接分配給掩模板透明基片1的識別數(shù)字，并將其發(fā)送給接口 11。測得的透射率數(shù)據(jù)和掩模板透明基片1的識別數(shù)字可以從與接口 11相連的輸入設(shè)備手動加以輸入。處理部分12以和基片識別數(shù)字相關(guān)聯(lián)的方式將從接口 11接收的測得透射率數(shù)據(jù) (光學(xué)特性信息)保存到信息存儲部分13內(nèi)。保存在信息存儲部分13內(nèi)的測得透射率數(shù) 據(jù)包括測量點(diǎn)數(shù)目，測量點(diǎn)χ坐標(biāo)(mm)，測量點(diǎn)y坐標(biāo)(mm)，透射率(％ )等。根據(jù)這些數(shù) 據(jù)，有可能指定掩模板透明基片1的基片平面內(nèi)的透射率差異。傳輸部分14將保存在信息存儲部分13內(nèi)的測得透射率數(shù)據(jù)和基片識別數(shù)字通過 通信線40發(fā)送到掩模板制造部分的服務(wù)器20。根據(jù)基片的識別數(shù)字和包含在掩模板透明 基片1的發(fā)送信息內(nèi)的服務(wù)器地址指定待傳輸?shù)臏y得透射率數(shù)據(jù)及其目的地。掩模制造部分的服務(wù)器20包括接收部分21、接口 22、處理部分23、信息存儲部分 24 (基片信息存儲裝置和掩模板信息存儲裝置)、選擇部分25 (薄膜選擇裝置)和傳輸部分 26。接收部分21從材料處理部分的服務(wù)器10接收測得的透射率數(shù)據(jù)和掩模板透明基 片的識別數(shù)字，并將它們發(fā)送到處理部分23。接口 22執(zhí)行從光學(xué)特性測量設(shè)備200輸入的測得數(shù)據(jù)和基片識別數(shù)字之間的數(shù) 據(jù)轉(zhuǎn)換，并將它們發(fā)送到處理部分23。光學(xué)特性測量設(shè)備200在形成于掩模板2內(nèi)的薄膜表面的多個部分上測量透射率 和/或相差，并將測得的透射率數(shù)據(jù)和/或測得的相差數(shù)據(jù)發(fā)送到接口 22。進(jìn)一步，在該實(shí) 施例中，光學(xué)特性測量設(shè)備200具有如下的功能讀出直接指定給掩模板透明基片1 (掩模 板2)的識別數(shù)字并將其發(fā)送給接口 22。測得數(shù)據(jù)和掩模板2的識別數(shù)字也可以從與接口 22相連的輸入設(shè)備手動輸入。處理部分23將從接收部分21接收的測得透射率數(shù)據(jù)和掩模板透明基片1的識別 數(shù)字保存到信息存儲部分24，并進(jìn)一步將從接口 22接收的已測得掩模板2的透射率數(shù)據(jù)和 /或已測得的相差數(shù)據(jù)保存到信息存儲部分24中。這種情況下，基片的識別數(shù)字與掩模板 的識別數(shù)字彼此進(jìn)行比較，并將掩模板透明基片1的測得透射率數(shù)據(jù)和掩模板2的測得透 射率數(shù)據(jù)和/或測得相差數(shù)據(jù)彼此相關(guān)聯(lián)。保存在信息存儲部分24中的掩模板2的測得數(shù)據(jù)包括測量點(diǎn)數(shù)目、測量點(diǎn)χ坐標(biāo) (mm)、測量點(diǎn)的y坐標(biāo)(mm)、透射率(％ )、相差(度)等。根據(jù)這些數(shù)據(jù)，有可能指定掩模 板2平面內(nèi)的透射率差異和/或相差差異。從而，信息存儲部分24內(nèi)的存儲數(shù)據(jù)保證了掩模板透明基片1和掩模板2的光學(xué) 特性，并能以多種方法使用。例如，在本實(shí)施例中，當(dāng)在掩模板透明基片1上形成將成為掩 模圖形的薄膜時，選擇部分25能夠根據(jù)從材料處理部分的服務(wù)器10接收的掩模板透明基 片1的測得透射率數(shù)據(jù)選擇待在掩模板透明基片1上形成的薄膜的類型。傳輸部分26將保存在信息存儲部分24內(nèi)的掩模板透明基片1的測得透射率數(shù)據(jù)和識別數(shù)字(在必要時)和掩模板2的測得透射率數(shù)據(jù)和/或測得相差數(shù)據(jù)以及識別數(shù)字 通過通信線40發(fā)送到掩模制造部分的服務(wù)器30。待傳輸?shù)臏y得數(shù)據(jù)及其目的地根據(jù)掩模 板2的輸送信息內(nèi)包含的識別數(shù)字和服務(wù)器地址加以指定。掩模制造部分的服務(wù)器30包括接收部分31、第一接口 32、第二接口 33、處理部分 34和信息存儲部分35 (基片信息儲存裝置、掩模板信息存儲裝置和掩模圖形信息存儲裝置)。接收部分31從掩模板制造部分的服務(wù)器20接收掩模板透明基片1的測得透射率 數(shù)據(jù)和識別數(shù)字以及掩模板2的測得透射率數(shù)據(jù)和/或測得相差數(shù)據(jù)以及識別數(shù)字，并將 其發(fā)送到處理部分34。第一接口 32連接掩模制造系統(tǒng)301，執(zhí)行存儲在信息存儲部分35內(nèi)的信息的數(shù)據(jù) 轉(zhuǎn)換，并將其發(fā)送到掩模制造系統(tǒng)301的控制部分311。第二接口 33連接掩模檢查設(shè)備302，執(zhí)行從掩模檢查設(shè)備302輸入的掩模3測得 數(shù)據(jù)和識別數(shù)字之間的轉(zhuǎn)換，并將其發(fā)送到處理部分34。處理部分34將從接收部分31接收的掩模板透明基片1的測得透射率數(shù)據(jù)和識別 數(shù)字(在必要時)以及掩模板2的測得透射率數(shù)據(jù)和/或測得相差數(shù)據(jù)以及識別數(shù)字保存 到信息存儲部分35中。這些存儲數(shù)據(jù)保證了掩模板透明基片1和掩模板2的光學(xué)特性，并 能夠以多種方式使用。例如，這些數(shù)據(jù)發(fā)送到掩模制造系統(tǒng)301的控制部分311，從而用于 確定掩模圖形的形成位置，修正掩模圖形數(shù)據(jù)等。掩模制造系統(tǒng)301從信息存儲裝置35輸入信息到控制部分311，并根據(jù)該信息執(zhí) 行掩模圖形的形成。掩模檢查設(shè)備302檢查已形成的掩模圖形，并將其結(jié)果反饋給處理部 分34。處理部分將檢查結(jié)果保存到信息存儲部分35中，當(dāng)使用其作為掩模圖形形成的修正 數(shù)據(jù)時，將其發(fā)送到掩模制造系統(tǒng)301的控制部分311?，F(xiàn)在參考圖3-6說明根據(jù)本發(fā)明的掩模板透明基片制造方法和提供方法，以及掩 模板制造方法和提供方法。掩模板透明基片制造方法(步驟1-a)首先，制備人造石英玻璃錠，然后將其切割成預(yù)定的尺寸(例如152mm χ 152mm χ 6. 5mm)，由此產(chǎn)生人造石英玻璃板50。作為人造石英玻璃板50的制造方法，可以使用例如 在JP-A-H08-31723或JP-A-2003-81654中說明的已知方法。(步驟l-b)然后，對人造石英玻璃板50進(jìn)行倒角，并將包括人造石英玻璃板50兩個主表面的 表面拋光成能夠測對曝光波長的透射率的鏡面。從而獲得人造石英玻璃基片(掩模板透明 基片1)。(步驟1-c)然后，用氘燈光(波長193nm)照射已拋光人造石英玻璃基片1的一個主表面上的 多個部分(例如9個部分)，由此測量基片平面內(nèi)的透射率(透射率差異)。透射率的測量 能夠使用例如光譜儀(Hitachi有限公司制造的U-4100)執(zhí)行，并且由輸入檢查光線的量與 輸出檢查光線的量之間的差異計算透射率。因?yàn)檠谀０鍖rF受激準(zhǔn)分子激光器曝光所需的光學(xué)特性(透射率)的平面內(nèi)差異為6.0% 士0.2%，所以考慮到薄膜的透射率差異，玻璃基片所需的基片平面內(nèi)的透射率 差異(掩模板玻璃基片的規(guī)格)能夠設(shè)定為90% 士2%。為了將人造石英玻璃基片1的表面打磨到期望的表面粗糙度，包括兩個主表面的 表面可以被再次精細(xì)拋光。進(jìn)一步，為了能夠在基片平面內(nèi)透射率測量結(jié)果與人造石英玻璃基片1之 間實(shí)現(xiàn)關(guān)聯(lián)，基片識別數(shù)字分配在玻璃基片1內(nèi)。例如，識別數(shù)字能夠通過使用例如 JP-A-2004-83377中說明的已知技術(shù)加以分配。(步驟1-d) 然后，使人造石英玻璃1與測量結(jié)果彼此相關(guān)聯(lián)。例如，在將識別數(shù)字直接分配給 玻璃基片1的實(shí)例中，分配給玻璃基片的基片識別數(shù)字和保存測量結(jié)果的文件名彼此相關(guān) 聯(lián)。另一方面，在不是將識別數(shù)字直接分配給玻璃基片1的實(shí)例中，后面將說明的能夠保存 多個掩模板透明基片的玻璃基片容器可以被指定相應(yīng)于各個玻璃基片的基片識別數(shù)字，這 些基片識別數(shù)字可以和保存測量結(jié)果的文件名相關(guān)聯(lián)。(步驟1-e)多個如此獲得的人造石英玻璃基片1保存在一個已知的玻璃基片容器60中(例 如JP-A-2003-264225中說明的)，并提供給制造掩模板的掩模板制造部分。這種情況下，人造石英玻璃基片1的平面內(nèi)透射率差異數(shù)據(jù)也和人造石英玻璃基 片1一起提供掩模板制造部分。這些平面內(nèi)透射率差異數(shù)據(jù)可以通過前述的通信線提供給 掩模板制造部分的服務(wù)器，可以通過訪問材料處理部分的服務(wù)器從掩模板制造部分讀出， 或者可以通過使用傳真或電子郵件系統(tǒng)加以提供。另一方面，平面內(nèi)透射率差異數(shù)據(jù)可以帖在保存人造石英玻璃基片1的玻璃基片 容器60上，從而可以提供到掩模板制造部分。這種情況下，透射率差異數(shù)據(jù)記錄在紙介質(zhì) 或者可以帖在玻璃基片容器60上的存儲介質(zhì)中(柔性磁盤、CD等)。盡管前述的說明沒有顯示，但是能夠適當(dāng)?shù)靥峁┣逑刺幚?。在掩模板透明基片制造方法中，即使?40nm-200nm短波長區(qū)域的例如ArF受激 準(zhǔn)分子激光器或F2受激準(zhǔn)分子激光器的曝光光源下，也有可能保證基片平面內(nèi)的透射率 差異。因此，有可能防止偏離掩模板透明基片的規(guī)格。掩模板透明基片提供方法現(xiàn)在，說明掩模板透明基片提供方法，其將由材料處理部分制造的掩模板透明基 片與對于曝光波長的透明基片平面內(nèi)透射率差異數(shù)據(jù)一起提供給掩模板制造部分。在通過透射率測量設(shè)備100測量了透射率之后，由材料處理部分制造的掩模板透 明基片被輸送到玻璃基片容器中，并提供給掩模板制造部分。保存在玻璃基片容器60內(nèi)的 玻璃基片1被分配了基片識別數(shù)字，從而能夠識別單個的玻璃基片1。這些識別數(shù)字與保存 在前述服務(wù)器中的玻璃基片平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)。每個玻璃基片的測得數(shù)據(jù)是表格形式的數(shù)據(jù)，包括測量點(diǎn)數(shù)目、測量點(diǎn)坐標(biāo) (X坐標(biāo)和y坐標(biāo))和透射率，并給其指定一個文件名(例如，ArFQZ20040607-000001,
ArFQZ20040607-000002......)加以保存。測得數(shù)據(jù)不僅限于表格形式，而可以是任何能
夠可視地顯示基片平面內(nèi)透射率分布的形式。進(jìn)一步，不需要給每個玻璃基片都分配文件 名，而是可以給提供到掩模板制造部分的每個玻璃基片容器或者多個玻璃基片的總體分配文件名。保存測得數(shù)據(jù)的文件被例如通過通信線傳送到掩模板制造部分，并保存在掩模板 制造部分的服務(wù)器中。在掩模板制造部分中，有可能根據(jù)保存在玻璃基片容器內(nèi)的玻璃基 片的識別數(shù)字指定基片平面內(nèi)透射率差異的數(shù)據(jù)，由此確認(rèn)已識別玻璃基片的基片平面內(nèi) 透射率差異。有關(guān)玻璃基片平面內(nèi)透射率差異的數(shù)據(jù)可以簡單地用于確認(rèn)，可以用作選擇待在 玻璃基片上形成的薄膜的類型的信息，可以用作選擇用于掩模板的曝光波長的信息，或者 可以用作保證玻璃基片對掩模制造部分的光學(xué)特性的信息。然而，透射率差異數(shù)據(jù)的使用 并不僅限于前述的使用方式。掩模板制造方法
(步驟2_a)制備從材料處理部分提供的掩模板玻璃基片(掩模板透明基片)1，其中該基片的 前述光學(xué)特性(基片平面內(nèi)的透射率差異是90% 士2%)已經(jīng)得到保證。在該玻璃基片1 的內(nèi)部，分配了與基片平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的基片識別數(shù)字。選擇部分25執(zhí)行玻璃基片1的選擇，其尋找具有適合于待在玻璃基片上形成的薄 膜種類的透射率的基片。(步驟2_b)然后，通過濺射在玻璃基片1的主表面上形成待成為掩模圖形的薄膜(網(wǎng)板 膜)70。為了降低平面內(nèi)透射率差異和平面內(nèi)相差差異，網(wǎng)板膜(halftone film)70的形成 優(yōu)選地通過使用具有如下結(jié)構(gòu)的濺射裝置加以執(zhí)行。如圖5所示，濺射裝置50包括真空室51，其中布置有磁控管陰極52和基片支架 53。結(jié)合于背板54的濺射靶55附著在磁控管陰極52上。背板54直接或間接地通過水冷 機(jī)構(gòu)加以冷卻。磁控管陰極52、背板54和濺射靶55彼此電連接。進(jìn)一步，透明基片1放置 在基片支架53上。如圖6所示，濺射靶55和透明基片1被布置成使其相對的表面之間形成一個預(yù)定 的角度。這種實(shí)例中，合適地確定濺射靶55和透明基片1之間的偏離距離(例如340mm)、 靶_基片垂直距離(例如380mm)和靶傾斜角度(例如15° )。真空室51通過真空泵經(jīng)由排氣孔56抽真空。當(dāng)真空室51內(nèi)的氣氛到達(dá)不會影 響待形成膜的特性的真空度之后，從進(jìn)氣口 57引入含氮?dú)獾幕旌蠚怏w，并通過使用DC電源 58向磁控管陰極52施加負(fù)電壓。這樣，執(zhí)行濺射。DC電源58具有電弧探測功能，從而能夠 監(jiān)視濺射期間的放電狀態(tài)。真空室51內(nèi)的壓力通過壓力計59加以測量。待在透明基片上 形成的網(wǎng)板膜的透射率通過從進(jìn)氣口 57引入的氣體的種類和混合比加以調(diào)節(jié)。當(dāng)混合氣 體包括氬氣和氮?dú)鈺r，透射率隨著氮?dú)獗壤黾佣黾印．?dāng)僅僅通過調(diào)節(jié)氮?dú)獗壤荒塬@ 得所需的透射率時，有可能通過向含氮?dú)獾幕旌蠚怏w中添加氧氣來進(jìn)一步增加透射率。網(wǎng) 板膜的相角通過濺射時間加以調(diào)節(jié)，并且有可能將曝光波長下的相角調(diào)節(jié)到大約180°。(步驟2-c)然后，通過使用光學(xué)特性測量設(shè)備200測量網(wǎng)板膜70的光學(xué)特性。明確地講，用 氘燈光(波長193nm)照射網(wǎng)板膜70表面上的9個部分，由此測量平面內(nèi)透射率(透射率 差異)和平面內(nèi)相差(相差差異)。透射率的測量能夠通過使用光譜儀(Hitachi有限公司制造的U-4100)加以執(zhí)行，相差的測量能夠通過使用相差測量設(shè)備(Lasertech有限公司制 造的MPM-193)加以執(zhí)行。因?yàn)檠谀０鍖τ贏rF受激準(zhǔn)分子激光器曝光所需的光學(xué)特性(透射率和相差)的 平面內(nèi)差異為透射率差異6.0% 士0.2%，相差差異為180° 士3°，所以確認(rèn)工作是通過 檢查是否滿足了這些規(guī)格加以執(zhí)行。(步驟2-d) 然后，將具有網(wǎng)板膜70的基片1與測量結(jié)果相關(guān)聯(lián)。例如，通過使用分配給玻璃 基片1的基片識別數(shù)字，用保存測量結(jié)果的文件名執(zhí)行關(guān)聯(lián)。通過使用分配給玻璃基片的 基片識別數(shù)字，有可能執(zhí)行與玻璃基片平面內(nèi)的透射率差異測量結(jié)果的關(guān)聯(lián)。選擇地，掩模 板識別數(shù)字直接或間接地分配給具有網(wǎng)板膜70的玻璃基片1，并且使掩模板識別數(shù)字和網(wǎng) 板膜70的透射率差異和相差差異測量結(jié)果彼此相互關(guān)聯(lián)，并進(jìn)一步使基片識別數(shù)字和掩 模板識別數(shù)字彼此相互關(guān)聯(lián)。這樣，能夠執(zhí)行與玻璃基片平面內(nèi)透射率差異測量結(jié)果的關(guān) 聯(lián)。對于玻璃基片平面內(nèi)的透射率差異和網(wǎng)板膜的透射率差異和相差差異，優(yōu)選地根 據(jù)在玻璃基片角上形成的缺口標(biāo)記使測量點(diǎn)的坐標(biāo)系相互一致。(步驟2_e)然后，在網(wǎng)板膜70的表面上形成抗蝕劑膜80之后，執(zhí)行熱處理，由此獲得掩模板 2(網(wǎng)板型(halftone type)相移掩模板)。(步驟2_f)多個如此獲得的掩模板2保存在一個已知的掩模板容器90中(例如 JP-B-H01-39653中說明的)，并提供給制造掩模的掩模制造部分。此時，掩模板平面內(nèi)透射率差異和相差差異的數(shù)據(jù)也和掩模板一起提供給掩模制 造部分。進(jìn)一步，玻璃基片平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)也提供給掩模制造部分。這些數(shù)據(jù)可 以通過前述的通信線提供給掩模制造部分的服務(wù)器，可以通過訪問掩模板制造部分的服務(wù) 器從掩模制造部分讀出，或者可以通過使用傳真或電子郵件系統(tǒng)加以提供。另一方面，那些數(shù)據(jù)可以依附于保存掩模板的掩模板容器90，從而提供給掩模制 造部分。這種情況下，數(shù)據(jù)被記錄在紙介質(zhì)或者粘附于掩模板容器90上的存儲介質(zhì)(柔性 磁盤、⑶等)上。為了使存儲在掩模板容器內(nèi)的每個掩模板與測量數(shù)據(jù)相互關(guān)聯(lián)，在玻璃基片上形 成待成為掩模圖形的薄膜之后，用激光照射每個掩模板的網(wǎng)板膜、屏蔽膜，或者抗蝕劑膜， 從而分配一個能夠單獨(dú)指定掩模板的掩模板識別數(shù)字。在掩模板制造方法中，即使在例如140nm-200nm短波長區(qū)域內(nèi)的ArF受激準(zhǔn)分子 激光器或者F2受激準(zhǔn)分子激光器曝光光源下，也有可能保證基片平面內(nèi)的透射率差異。因 此，有可能防止偏離掩模板的規(guī)格。掩模板提供方法現(xiàn)在，說明掩模板提供方法，其將由掩模板制造部分制造的掩模板與相對于曝光 波長的掩模板平面內(nèi)透射率差異等數(shù)據(jù)一起提供給掩模制造部分。由掩模板制造部分制造的掩模板被輸送到掩模板容器內(nèi)，并且提供給掩模制造部 分。給保存在掩模板容器內(nèi)的掩模板分配掩模板識別數(shù)字，從而能夠識別單獨(dú)的掩模板。這些識別數(shù)字與保存在前述服務(wù)器中的掩模板平面內(nèi)透射率差異和相差差異的測得數(shù)據(jù)相 關(guān)聯(lián)。每個掩模板的測得數(shù)據(jù)是表格形式的數(shù)據(jù)，包括測量點(diǎn)數(shù)目、測量點(diǎn)坐標(biāo)(χ 坐標(biāo)和y坐標(biāo))、透射率和相差，以分配給它的文件名(例如，ArFHT20040607-100001, ArFHT20040607-100002......)加以保存，并與玻璃基片平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)。
測得數(shù)據(jù)不僅限于表格形式，而可以是任何能夠可視顯示掩模板平面內(nèi)透射率差異和相差 差異的形式。進(jìn)一步，文件名不需要分配給每個掩模板，而是可以分配給提供到掩模板制造 部分的每一個掩模板容器或者多個掩模板的總體。保存測得數(shù)據(jù)的文件被例如通過通信線傳遞到掩模制造部分，并保存在掩模制造 部分的服務(wù)器內(nèi)。在掩模制造部分中，有可能根據(jù)保存在掩模板容器內(nèi)的掩模板識別數(shù)字 指定薄膜平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)和薄膜平面內(nèi)的相差差異數(shù)據(jù)，由此確認(rèn)已識別掩模板 在薄膜平面內(nèi)的透射率差異和/或相差差異。玻璃基片面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)和掩模板薄膜平面內(nèi)的透射率差異和/或相差 差異數(shù)據(jù)可以簡單地用于確認(rèn)，可以用作當(dāng)通過使用掩模制造系統(tǒng)301在玻璃基片上形成 掩模圖形時確定掩模圖形的形成位置的信息，可以用作修正待形成的掩模圖形的數(shù)據(jù)的信 息，或者可以用作保證掩模對制造半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)備制造部分的光學(xué)特性的信息。然而，玻 璃基片平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)和掩模板薄膜平面內(nèi)的透射率差異和/或相差差異數(shù)據(jù) 并不僅限于前述的使用方式。前述的掩模板代表其中在掩模板玻璃基片上形成了待成為掩模圖形的薄膜的掩 模板，例如其中在掩模板玻璃基片上形成了網(wǎng)板膜的網(wǎng)板型相移掩模板，其中在掩模板玻 璃基片上形成了網(wǎng)板膜和屏蔽膜的網(wǎng)板型相移掩模板，其中在掩模板玻璃基片上形成了屏 蔽膜的光掩模板，或者基片蝕刻型相移掩模板。進(jìn)一步，還可以是具有抗蝕劑膜的掩模板， 其中在前述薄膜上形成了抗蝕劑膜。本發(fā)明的掩模板特別有效地用作曝光光源的波長為140nm-200nm的掩模板，例如 用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器曝光的掩模板或者用于F2受激準(zhǔn)分子激光器曝光的掩模板。透明基片的材料不僅限于人造石英玻璃，還可以是氟摻雜人造石英玻璃、氟化鈣寸?，F(xiàn)在參考圖7說明根據(jù)本發(fā)明的掩模制造方法。掩模制造方法(步驟3_a)制備掩模板，其中在保證了前述光學(xué)特性(基片平面內(nèi)的透射率差異為90% 士2% )的掩模板玻璃基片上形成網(wǎng)板膜70和抗蝕劑膜80，其光學(xué)特性保證為薄膜平面 內(nèi)的透射率差異是6.0% 士0.2%，薄膜平面內(nèi)的相差差異是180° 士3°。(步驟3_b和步驟3_c)然后，在掩模板2的抗蝕劑膜80上書寫預(yù)定的圖形，然后對其進(jìn)行顯影從而形成 抗蝕劑圖形85。此時，書寫和顯影的執(zhí)行能夠在根據(jù)玻璃基片平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)和 掩模板薄膜平面內(nèi)的透射率差異和相差差異數(shù)據(jù)確定待在玻璃基片上形成的掩模圖形的 位置和布局之后進(jìn)行。選擇地，書寫和顯影的執(zhí)行能夠在根據(jù)這些與設(shè)計掩模圖形有關(guān)的 數(shù)據(jù)修正了掩模圖形的數(shù)據(jù)之后進(jìn)行，從而使轉(zhuǎn)移靶標(biāo)上的轉(zhuǎn)移圖形的形狀滿足所需的圖形形狀。(步驟3-d)然后，使用前述抗蝕劑圖形85作為掩模，對網(wǎng)板膜70進(jìn)行干蝕刻，由此形成網(wǎng)板 膜圖形75。(步驟3_e) 最后，除去抗蝕劑圖形85由此在玻璃基片1上形成具有網(wǎng)板膜圖形75的掩模3。所獲得的掩模3附著于一個薄膜，并輸送到一個已知的掩模容器95中，從而提供 給制造半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)備制造部分。實(shí)例和比較實(shí)例下文中，將詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的掩模板透明基片制造方法、掩模板透明基片提 供方法、掩模板制造方法、掩模板提供方法和掩模制造方法的實(shí)例和比較實(shí)例。(實(shí)例1)將通過燃燒四氯化硅、氫氣和氧氣的混合物制造的人造石英玻璃錠切割成152mm X 152mm χ 6. 5mm的尺寸，從而產(chǎn)生100個人造石英玻璃板。然后，對每個人造石英玻璃板進(jìn)行切面，并對包括每個人造石英玻璃板兩個主表 面的表面進(jìn)行拋光，從而使表面粗糙度Ra(算術(shù)平均表面粗糙度)為0. 5nm或者更小，從而 能夠測量相對于曝光波長的透射率。進(jìn)一步，為了能夠關(guān)聯(lián)基片平面內(nèi)的透射率測得數(shù)據(jù)與每個人造石英玻璃基片， 這將在后面加以說明，使用已知的技術(shù)將基片識別數(shù)字分配到每個玻璃基片內(nèi)。然后，用氘燈光(波長193nm)照射每個已拋光人造石英玻璃基片的其中一個主表 面上的9個部分，由此測量基片平面內(nèi)的透射率(透射率差異)。透射率的測量通過使用光 譜儀(Hitachi有限公司制造的U-4100)加以執(zhí)行，并由輸入檢查光線的量和輸出檢查光線 的量之間的差值計算透射率。100個人造石英玻璃基片的測得透射率數(shù)據(jù)以和前述玻璃基片識別數(shù)字相關(guān)聯(lián)的 方式保存在信息存儲裝置中，例如個人計算機(jī)。100個人造石英玻璃基片每一個的基片平面內(nèi)的透射率差異是90% 士2%。這滿 足由掩模板制造部分指定的規(guī)格。將這些已獲得的人造石英玻璃基片放入已知的玻璃基片容器中，每一個容器包括 5個玻璃基片。將包含人造石英玻璃基片的玻璃基片容器提供給掩模板制造部分。保存測得數(shù)據(jù)的文件通過使用通信線提供給掩模板制造部分的服務(wù)器。在掩模板 制造部分的服務(wù)器中，保存著從材料處理部分傳輸來的文件。通過使用包含在玻璃基片容器內(nèi)的玻璃基片的識別數(shù)字，掩模板制造部分能夠確 認(rèn)與所傳輸文件名稱相關(guān)聯(lián)的基片平面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)。掩模板制造部分根據(jù)從材料處理部分提供的玻璃基片面內(nèi)的透射率差異數(shù)據(jù)選 擇或者確認(rèn)玻璃基片是否適合于用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器曝光的網(wǎng)板型相移掩模板。然后，通過使用前述的濺射裝置，產(chǎn)生100個用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器曝光的網(wǎng) 板型相移掩模板。明確地講，通過使用鉬(Mo)和硅(Si)混合靶(Mo Si = 8 92mol% )，在氬氣(Ar)和氮?dú)?N2)混合氣氛下(Ar N2 = 10% 90%，壓力0·IPa)通過反應(yīng)濺射(DC濺 射)在人造石英玻璃基片上形成氮硅化鉬(MoSiN)網(wǎng)板膜(厚度大約67nm)。網(wǎng)板膜的成 分為 Mo Si N = 7 45 48。測量通過前述處理2-c產(chǎn)生的100個網(wǎng)板膜的平面內(nèi)透射率差異和相差差異， 證實(shí)對于所有的100個網(wǎng)板膜，平面內(nèi)透射率差異為6.0% 士0.2%，平面內(nèi)相差差異為 180° 士3°，從而滿足規(guī)格。然后，用激光照射網(wǎng)板膜，由此分配用于單獨(dú)指定具有網(wǎng)板膜的基片的掩模板識 別數(shù)字。通過使用這些識別數(shù)字，與保存前述測量結(jié)果的文件名相關(guān)聯(lián)。同時，通過使用分 配給玻璃基片的基片識別數(shù)字，與玻璃基片平面內(nèi)的透射率差異測量結(jié)果相關(guān)聯(lián)。然后，在使用旋轉(zhuǎn)施加裝置施加了抗蝕劑膜之后，執(zhí)行熱處理從而在網(wǎng)板膜上形 成厚度為400nm的抗蝕劑膜。這樣，獲得了網(wǎng)板型相移掩模板。100個掩模板的網(wǎng)板膜平面內(nèi)的透射率和相差的測量數(shù)據(jù)與前述掩模板識別數(shù)字 相關(guān)地保存在服務(wù)器中。100個掩模板的每一個的網(wǎng)板膜平面內(nèi)透射率差異和相差差異分別為6.0% 士0.2%和180°士3°。這滿足了由掩模制造部分指定的規(guī)格。將這些已獲得的網(wǎng)板型相移掩模板輸送到已知的掩模板容器中，每個包括5個掩 模板。將含有掩模板的掩模板容器提供給掩模制造部分。保存測量數(shù)據(jù)的文件通過使用通信線提供給掩模制造部分的服務(wù)器。在掩模制造 部分的服務(wù)器中，保存從掩模板制造部分傳送來的文件。通過使用包含在掩模板容器內(nèi)的掩模板的識別數(shù)字，掩模制造部分能夠確認(rèn)網(wǎng)板 膜平面內(nèi)與所傳輸文件名相關(guān)聯(lián)的透射率差異和相差差異數(shù)據(jù)。通過使用從掩模板制造部分提供的玻璃基片平面內(nèi)透射率差異數(shù)據(jù)和網(wǎng)板型相 移掩模板的網(wǎng)板膜平面內(nèi)透射率差異和相差差異數(shù)據(jù)，掩模制造部分分別確定待在玻璃基 片上形成的掩模圖形的布局。明確地講，對于透射率或相差的平均數(shù)或中位數(shù)與測得數(shù)據(jù) 相差相對較大的區(qū)域，掩模制造部分確定改變基片的方向，從而使這些區(qū)域位于轉(zhuǎn)移圖形 形成區(qū)的外部，在該轉(zhuǎn)移圖形形成區(qū)域內(nèi)形成用于向轉(zhuǎn)移靶標(biāo)轉(zhuǎn)移掩模圖形的圖形。然后，在抗蝕劑膜上書寫預(yù)定的圖形，并對其進(jìn)行顯影，由此形成抗蝕劑圖形。然 后，使用抗蝕劑圖形作為掩模，通過在氧基氣體和氟基氣體的混合氣氛下進(jìn)行干蝕刻形成 網(wǎng)板膜圖形。最后，冷處理在網(wǎng)板膜圖形上形成的抗蝕劑膜，并向其粘附一個薄膜。這樣，形成 掩模。將每一個已獲得的掩模放置在步進(jìn)器(st印per)中，從而將掩模圖形轉(zhuǎn)移到形成 了抗蝕劑膜的半導(dǎo)體基片上。這樣，在半導(dǎo)體基片上形成所需的圖形，從而獲得半導(dǎo)體設(shè) 備。所獲的的半導(dǎo)體設(shè)備沒有圖形缺陷，因此是優(yōu)異的。(比較實(shí)例)精細(xì)拋光每一個人造石英玻璃板的表面，其中它們在精細(xì)拋光之前的透射率被保 證為某一預(yù)定的數(shù)值或者更高，并制備每一個的尺寸為152. 4mm χ 152.4mm χ 6. 35mm的人
造石英玻璃基片。
然后，與實(shí)例1相似，使用前述的濺射裝置制造100個用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器 曝光的網(wǎng)板型相移掩模板。測量由先前步驟2-c制造的100個網(wǎng)板膜的平面內(nèi)透射率差異和相差差異， 證實(shí)100個網(wǎng)板膜中有94個滿足了規(guī)格透射率差異為6.0% 士0.2%，相差差異為 180°士3°，因此有6個網(wǎng)板膜沒有滿足規(guī)格。從人造石英玻璃基片上剝離6個沒有滿足規(guī)格的網(wǎng)板膜，然后再次拋光這些人造 石英玻璃基片。在測量這些人造石英玻璃基片每一個的基片平面內(nèi)透射率差異時，證實(shí)透 射率在90% 士 10%的范圍變化。通過使用該比較實(shí)例的網(wǎng)板型相移掩模板，制造和前述實(shí)例1相似的網(wǎng)板型相移 掩模。在處于形成于每一個所得網(wǎng)板型相移掩模中的網(wǎng)板膜形式的掩模圖形中沒有發(fā)現(xiàn)圖 形缺陷。然后，將該網(wǎng)板型相移掩模放置在步進(jìn)器中，從而將掩模圖形轉(zhuǎn)移到形成了抗蝕劑 膜的半導(dǎo)體基片上。這樣，在半導(dǎo)體基片上形成所需的圖形，從而獲得半導(dǎo)體設(shè)備。在每一 個所得半導(dǎo)體設(shè)備中，發(fā)現(xiàn)了圖形缺陷，其被認(rèn)為是由于玻璃基片的透射率差異導(dǎo)致的。如上所述，當(dāng)通過使用沒有保證相對于曝光波長的基片平面內(nèi)透射率差異的人造 石英玻璃基片制造用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器曝光的網(wǎng)板型相移掩模板時，會以一定的比 例產(chǎn)生沒有滿足規(guī)格的掩模板，并且在半導(dǎo)體設(shè)備中產(chǎn)生圖形缺陷。然而，當(dāng)使用例如實(shí)例 1的保證了基片平面內(nèi)透射率差異的人造石英玻璃板時，全部制造的掩模板都滿足規(guī)格，并 且所得的半導(dǎo)體設(shè)備沒有圖形缺陷，因此是優(yōu)良的。在前述實(shí)例1中，只有用于ArF受激準(zhǔn)分子激光器曝光的網(wǎng)板型相移掩模板作為 實(shí)例。然而，本發(fā)明并不僅限于此。在如下的實(shí)例中也能獲得類似的效果，例如用于F2受 激準(zhǔn)分子激光器曝光的網(wǎng)板型相移掩模板，在掩模板透明基片上只形成一個屏蔽膜(也可 以形成抗蝕劑膜)的二進(jìn)制光掩模，或者用于無色掩模的光掩模板。本發(fā)明可應(yīng)用于掩模板透明基片提供方法、掩模板提供方法、掩模板透明基片制 造方法、掩模板制造方法和掩模制造方法。通過保證掩模板透明基片和掩模板的光學(xué)特性， 有可能防止偏離掩模板的光學(xué)特性規(guī)格，并防止出現(xiàn)轉(zhuǎn)移靶標(biāo)的圖形缺陷。本發(fā)明特別適 合于使用ArF受激準(zhǔn)分子激光器或者F2受激準(zhǔn)分子激光器作為曝光光源的情況。盡管本發(fā)明是聯(lián)系其少數(shù)的實(shí)施例和實(shí)例公開的，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員， 有可能容易地以各種方式將本發(fā)明用于實(shí)踐。
權(quán)利要求
一種掩模板制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備取得了包括相對于曝光波長的基片面內(nèi)光學(xué)特性差異的第一光學(xué)特性信息的掩模板透明基片的工序；根據(jù)上述掩模板透明基片的第一光學(xué)特性信息在上述掩模板透明基片上形成成為掩模圖形的薄膜的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板制造方法，其特征在于，根據(jù)上述掩模板透明基片的第一光學(xué)特性信息選擇在掩模板透明基片上形成的薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板制造方法，其特征在于， 上述第一光學(xué)特性信息包括透射率。
4.一種掩模板制造方法，其特征在于，包括對上述薄膜照射包括曝光波長的波長的光而取得掩模板的第二光學(xué)特性信息的工序；以及保存上述掩模板與該掩模板的第二光學(xué)特性信息的對應(yīng)關(guān)系的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于，上述掩模板的第二光學(xué)特性信息包括相對于曝光波長的薄膜平面內(nèi)的光學(xué)特性差異。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模板制造方法，其特征在于， 上述第二光學(xué)特性信息包括透射率和/或相位差。
7.一種掩模制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備具有在取得了包括相對于曝光波長的基片面內(nèi)光學(xué)特性差異的第一光學(xué)特性信 息的掩模板透明基片上形成的薄膜的掩模板的工序；以及對上述薄膜構(gòu)圖而在上述掩模板透明基片上形成掩模圖形的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩模制造方法，其特征在于，根據(jù)上述掩模板透明基片的第一光學(xué)特性信息修正在所述掩模板透明基片上形成的 掩模圖形的數(shù)據(jù)或者確定掩模圖形的形成位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩模制造方法，其特征在于， 上述第一光學(xué)特性信息包括透射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩模制造方法，其特征在于，在準(zhǔn)備上述掩模板的工序中，上述掩模板取得了包括相對于曝光波長的薄膜面內(nèi)的光 學(xué)特性差異的第二光學(xué)特性信息。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模制造方法，其中根據(jù)上述掩模板的第二光學(xué)特性信息修正在所述掩模板透明基片上形成的掩模圖形 的數(shù)據(jù)或者確定掩模圖形的形成位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模制造方法，其特征在于， 上述第二光學(xué)特性信息包括透射率和/或相位差。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至12中任一項(xiàng)所述的掩模制造方法，其特征在于，根據(jù)上述掩模板透明基片的第一光學(xué)特性信息和/或上述掩模板的第二光學(xué)特性信 息，對生產(chǎn)半導(dǎo)體的器件生產(chǎn)部門保證掩模的光學(xué)特性。
14.一種掩模板透明基片制造方法，其特征在于，包括以下工序鏡面拋光掩模板透明基片的表面，從而能夠測量其相對于曝光波長的光學(xué)特性；以及用波長等于曝光波長的光照射上述經(jīng)過鏡面拋光的基片表面，由此獲得包括相對于曝 光波長的基片面內(nèi)的光學(xué)特性差異的第一光學(xué)特性信息。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的掩模板透明基片制造方法，其特征在于， 上述光學(xué)特性包括透射率。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的掩模板透明基片制造方法，包括保存上述掩模板透明基片與該掩模板透明基片的第一光學(xué)特性信息的對應(yīng)關(guān)系的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的掩模板透明基片制造方法，其中 上述曝光波長為140nm-200nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的掩模板透明基片制造方法，其中 上述掩模板透明基片的材料是人造石英玻璃。
全文摘要
本發(fā)明提供一種掩模板制造方法、一種掩模制造方法、一種掩模板透明基片制造方法。通過在掩模板透明基片上形成待成為掩模圖形的薄膜制造掩模板。當(dāng)向掩模制造部分提供掩模板時，掩模板制造部分向掩模制造部分提供掩模板透明基片的光學(xué)特性信息(透射率差異)和掩模板的光學(xué)特性信息(透射率差異和/或相差差異)。掩模板透明基片的光學(xué)特性信息從制造掩模板透明基片的材料處理部分提供給掩模板制造部分。
文檔編號G03F1/60GK101846877SQ20101020321
公開日2010年9月29日 申請日期2005年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月16日
發(fā)明者川口厚, 田邊勝, 石橋直純, 赤川裕之, 鈴木修 申請人:Hoya株式會社