專利名稱：與外涂光刻膠一起使用的涂料組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請要求于2009年5月20日提交的在35U. S. C. § 119 (e)下的美國臨時申請 No. 61/216, 795的優(yōu)先權(quán)，該申請的內(nèi)容全部被引入本發(fā)明作為參考。本發(fā)明涉及氰尿酸酯(cyanurate)組合物，它特別適用于作為形成在外涂 (overcoated)光刻膠下層的涂料組合物的樹脂組分的反應(yīng)物。
背景技術(shù)：
光刻膠是用于將圖像轉(zhuǎn)移到基材上的感光膜。在基材上形成光刻膠涂層，然后經(jīng) 光掩模將所述光刻膠層在活化射線源曝光。所述光掩模具有對活化射線不透明的區(qū)域和透 明的其它區(qū)域?；罨渚€曝光使得光刻膠涂層發(fā)生光致轉(zhuǎn)變或化學(xué)轉(zhuǎn)變，從而將光掩模的 圖案轉(zhuǎn)移到所述光刻膠涂覆的基材上。曝光后，將光刻膠顯影以提供一種允許對基材進(jìn)行 選擇性加工的浮雕圖像。光刻膠主要用于半導(dǎo)體制造業(yè)，目的是將高度拋光的半導(dǎo)體晶片如硅或砷化鎵， 轉(zhuǎn)化成起電路作用的電子傳導(dǎo)路線的復(fù)合物基體。適當(dāng)?shù)墓饪坦に囀沁_(dá)到這一目的關(guān)鍵。 雖然各種光刻工藝步驟之間存在很強(qiáng)的相關(guān)性，曝光被認(rèn)為是獲得高分辨率光刻膠圖像的 最重要的步驟之一。用于曝光光刻膠的活化射線的反射常常會使光刻膠層上的成像的分辨率受到限 制。來自基材/光刻膠界面的射線反射會使光刻膠中的射線強(qiáng)度產(chǎn)生空間改變，導(dǎo)致在顯 影時產(chǎn)生不均勻的光刻膠線寬。另外，射線還會由基材/光刻膠界面散射到光刻膠的非預(yù) 定曝光區(qū)域，從而再次產(chǎn)生線寬改變。已經(jīng)使用的降低射線反射問題的一個途徑是在基材表面和光刻膠涂層之間插入 射線吸收層。參見美國專利7425403。電子設(shè)備制造業(yè)不斷尋求各種減反射涂層來提高光刻膠成像的分辨率。

發(fā)明內(nèi)容
在一個方面，本發(fā)明提供了新的氰尿酸酯型單體，其用于形成獨(dú)特的下層減反射 涂料組合物的樹脂。另一方面，本發(fā)明提供包含如本發(fā)明公開的反應(yīng)的氰尿酸酯型單體的樹脂。在一個優(yōu)選方面，提供了氰尿酸酯型化合物，所述化合物的多個氰尿酸酯氮環(huán)原 子被特定的(不同的)羧基(例如-C00H)和/或羧基酯(例如C00R，其中R不是氧，如Ch2 烷基)取代。在該方面，特別優(yōu)選的化合物包括如下式I的那些
權(quán)利要求
一種氰尿酸酯化合物，所述氰尿酸酯化合物的多個氰尿酸酯氮環(huán)原子被不同的羧基和/或羧基酯基取代。
2.如權(quán)利要求1所述的氰尿酸酯化合物，其中該化合物對應(yīng)于下列式I
3.如權(quán)利要求1所述的氰尿酸酯化合物，其中該化合物對應(yīng)于下列式IA
4.如權(quán)利要求1或2所述的化合物，其中該化合物具有鹵素取代基。
5.一種樹脂，所述樹脂包含權(quán)利要求1-4中任一項所述的化合物。
6.如權(quán)利要求5所述的樹脂，其中所述化合物包含共價鍵鏈接的交聯(lián)劑基團(tuán)。
7.如權(quán)利要求6所述的樹脂，其中所述交聯(lián)劑基團(tuán)包含反應(yīng)性羥基、氮、羧基和/或環(huán)氧基。
8.如權(quán)利要求5-7中任一項所述的樹脂，其中所述樹脂包含聚酯鍵。
9.一種與外涂光刻膠組合物一起使用的減反射組合物，其中所述減反射組合物包含權(quán) 利要求5-8中任一項所述的樹脂。
10.一種涂敷的基材，所述涂敷的基材包含 權(quán)利要求9所述的減反射組合物層；在所述涂料組合物層之上的光刻膠層。
11.一種形成光刻膠浮雕像的方法，所述方法包括 在基材上涂覆權(quán)利要求9所述的減反射涂料組合物； 在上述涂料組合物層上涂覆光刻膠組合物；和曝光和顯影所述光刻膠層，從而制得光刻膠浮雕像。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述減反射組合物在涂覆所述光刻膠組合物之前 被交聯(lián)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種氰尿酸酯組合物，它特別適用于作為形成在外涂光刻膠下層的涂料組合物的樹脂組分的反應(yīng)物。優(yōu)選的異氰尿酸酯化合物的多個氰尿酸酯氮環(huán)原子被至少兩個特定的羧基和/或羧基酯基取代。
文檔編號G03F7/09GK101935307SQ201010233738
公開日2011年1月5日 申請日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月20日
發(fā)明者A·贊皮尼, O·昂格伊, S·克雷, V·簡恩, 劉驄 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司