專利名稱：新型樹脂及包含其的光致抗蝕劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型內(nèi)酯單體、包含內(nèi)酯單元的樹脂以及包含該樹脂的光致抗蝕 劑。優(yōu)選的光致抗蝕劑包含所述樹脂，并且為能在低于200nm輻射，例如193nm輻射下有效 成像的化學(xué)放大正型(positive-tone)組合物。光致抗蝕劑是用于將圖像轉(zhuǎn)印至襯底的光敏薄膜。在襯底上形成光致抗蝕劑涂 層，然后通過光掩膜將光致抗蝕層曝光于活性射線源。所述光掩膜具有對活性射線不透明 的區(qū)域和對活性射線透明的其他區(qū)域。曝光于活性射線使得光致抗蝕涂層發(fā)生感光化學(xué)轉(zhuǎn) 變，從而將光掩膜的圖案轉(zhuǎn)印至涂有光致抗蝕劑的襯底。在曝光之后，光致抗蝕劑顯影形成 浮雕圖像使得襯底可以進(jìn)行選擇性加工。光致抗蝕劑可為正型或負(fù)型。對于大多數(shù)負(fù)型光致抗蝕劑，曝光于活性射線的 涂層部分中光致抗蝕劑組合物的光敏化合物和可聚合反應(yīng)物之間發(fā)生聚合或交聯(lián)反應(yīng)。 因此，比之未曝光部分，曝光的涂層部分在顯影液中溶解性更低。對于正型光致抗蝕劑， 曝光部分在顯影液中具有更高的溶解性，而未曝光區(qū)域保持較低的顯影溶解性?？蓞⒁?U. S. 6586157。雖然當(dāng)前通用的光致抗蝕劑能適合多種應(yīng)用，但仍然顯示出一些重大缺陷，特別 是在高性能的應(yīng)用中，例如高分辨率的0. 5微米以下和0. 25微米以下圖像的形成。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明提供一種含有內(nèi)酯的新型樹脂，該內(nèi)酯選自于下述式I和II所示
的物質(zhì)
權(quán)利要求
一種包含樹脂的光致抗蝕劑組合物，所述樹脂包含選自下述結(jié)構(gòu)式的部分其中，每個R2為相同或不同的非氫取代基，每個n為0至4的整數(shù)。FSA00000201532100011.tif
2.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，它包含選自下述結(jié)構(gòu)式的部分
3.如權(quán)利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述樹脂是共聚物、三元 共聚物、四元共聚物或五元共聚物。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑 包含一種或多種光致酸發(fā)生劑化合物以及一種或多種光酸敏感基團(tuán)。
5.如權(quán)利要求1-8中任一項所述的光致抗蝕劑組合物，其特征在于，所述光致抗蝕劑 樹脂包含不同于光酸敏感性酯的第二種光酸敏感基團(tuán)。
6.一鐘制備光致抗蝕劑浮雕圖像的方法，包括a)將權(quán)利要求1-5中任一項所述的光致抗蝕劑組合物的涂層施加到襯底上；和b)將所述光致抗蝕劑組合物層曝光于活性射線下，并顯影該曝光的光致抗蝕劑組合物涂層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述光致抗蝕劑層曝光于具有大約193nm波 長的射線下。
8.一種樹脂，其包含選自下述結(jié)構(gòu)式的部分
全文摘要
本發(fā)明涉及新型樹脂及包含其的光致抗蝕劑組合物，提供了包含內(nèi)酯單元的新型樹脂以及包含該樹脂的光致抗蝕劑組合物。本發(fā)明提供了一種包含樹脂的光致抗蝕劑組合物，所述樹脂包含選自下述結(jié)構(gòu)式的部分其中，每個R2為相同或不同的非氫取代基，每個n為0至4的整數(shù)。
文檔編號G03F7/00GK101943861SQ201010233749
公開日2011年1月12日 申請日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月20日
發(fā)明者A·贊皮尼, C·-B·徐 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司