專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)，且尤其涉及一種具有多通道區(qū)的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD) 成為目前許多平面顯示器中的主流。根據(jù)通道層材質(zhì)的選擇，薄膜晶體管液晶顯示器可 分為非晶硅薄膜晶體管(amorphous silicon TFT)液晶顯示器及低溫多晶硅薄膜晶體管 (Low-Temperature PolySilicon Thin FilmTransistor, LTPS-TFT) ^lsll^^l^Mfto由于低溫多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率可以達(dá)到200Cm2/V-SeC以上，所以可使 薄膜晶體管元件所占面積更小以符合高開口率(aperture)的需求，進(jìn)而增進(jìn)顯示器的顯 示亮度并減少整體的功率消耗問題。但相對(duì)來說，低溫多晶硅薄膜晶體管也具有較高的漏 電流(leakage current)(約為10_9微安培)，而且容易在漏極(drain)誘發(fā)熱載子效應(yīng) (hot carrier effect)，進(jìn)而導(dǎo)致元件退化。因此，現(xiàn)今多在低溫多晶硅薄膜晶體管中的通 道區(qū)與源極/漏極的間加入淺摻雜漏極(Light Doped Drain，簡稱LDD)或是利用多重通道 區(qū)的設(shè)計(jì)，以避免上述問題。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D1，像素結(jié) 構(gòu)100包括掃描線110、數(shù)據(jù)線120、多晶硅層130以及透明像素電極140。掃描線110具有 至少一 L型分支112，且多晶硅層130與L型分支112相交以形成第一通道區(qū)132以及第 二通道區(qū)134。另外，低溫多晶硅層130的兩端分別有源極區(qū)136與漏極區(qū)138，以形成多 通道設(shè)計(jì)的多晶硅薄膜晶體管150。數(shù)據(jù)線120電性連接源極區(qū)136，而透明像素電極140 則電性連接漏極區(qū)138。此外，多晶硅層130與像素電極140重迭的部份更構(gòu)成一儲(chǔ)存電容 152。因?yàn)槎嗤ǖ赖脑O(shè)計(jì)，低溫多晶硅薄膜晶體管150在關(guān)閉的狀態(tài)下具有較低的漏電流， 而有助于提升像素結(jié)構(gòu)100的質(zhì)量。然而，L型分支112的配置卻會(huì)影響儲(chǔ)存電容152所 配置的位置并使得像素結(jié)構(gòu)100的顯示開口率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，以解決多通道設(shè)計(jì)的多晶硅 薄膜晶體管使像素結(jié)構(gòu)的顯示開口率受到限制的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線，具有一分支；一數(shù) 據(jù)線，與該掃描線交錯(cuò)排列，該分支位于該數(shù)據(jù)線下方，且該分支與該數(shù)據(jù)線重疊；一半導(dǎo) 體圖案，該半導(dǎo)體圖案包括至少二通道區(qū)，位于該掃描線下方；至少一摻雜區(qū)，連接于該 些通道區(qū)之間；一源極區(qū)與一漏極區(qū)；以及一像素電極，與該漏極區(qū)電性連接，該源極區(qū)連 接于其中一個(gè)通道區(qū)與該數(shù)據(jù)線之間，而該漏極區(qū)連接于另一個(gè)通道區(qū)與該像素電極之
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其中，至少一該通道區(qū)位于該分支下方，并且位于該分支下方的該通道區(qū)的長度 與該分支的寬度相同。其中，該半導(dǎo)體圖案包括一多晶硅圖案。其中，該半導(dǎo)體圖案還包括一電容電極，與該漏極區(qū)以及該像素電極電性連接，該 電容電極位于該像素電極下方。其中，還包括一共享電極，配置于該電容電極與該像素電極之間。其中，該電容電極與該分支分別位于該掃描線的兩側(cè)。其中，該摻雜區(qū)的形狀包括L形。其中，該半導(dǎo)體圖案由該數(shù)據(jù)線的一第一側(cè)延伸至該數(shù)據(jù)線的一第二側(cè)。其中，該通道區(qū)下方的部份該掃描線、該源極區(qū)與該漏極區(qū)構(gòu)成一多晶硅薄膜晶 體管。而且，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上并與一掃描線 及一數(shù)據(jù)線電性連接，該像素結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案包括一 U型摻雜區(qū)； 至少二通道區(qū)，該至少二通道區(qū)由連接該U型摻雜區(qū)兩端的半導(dǎo)體圖案與該掃描線相交形 成，并且，該至少兩通道區(qū)位于該掃描線下方，其中該些通道區(qū)具有不同的寬度長度比值； 一源極區(qū)與一漏極區(qū)；以及一像素電極，與該漏極區(qū)電性連接，其中該源極區(qū)連接于其中一 個(gè)通道區(qū)與該數(shù)據(jù)線之間，而該漏極區(qū)接于另一個(gè)通道區(qū)與該像素電極之間；其中，該掃 描線在不同的通道區(qū)上方具有不同的寬度，且各該通道區(qū)的一長度與該掃描線的一寬度相寸。其中，該掃描線具有一分支，該分支垂直于該掃描線。其中，至少一該通道區(qū)位于該分支下方，且位于該分支下方的該通道區(qū)的長度與 該分支的寬度相同。其中，該半導(dǎo)體圖案包括一多晶硅圖案。其中，該半導(dǎo)體圖案還包括一電容電極，與該漏極區(qū)以及該像素電極電性連接，該 電容電極位于該像素電極下方。 其中，還包括一共享電極，配置于該電容電極與該像素電極之間。其中，該通道區(qū)下方的部份該掃描線、該源極區(qū)與該漏極區(qū)構(gòu)成一多晶硅薄膜晶 體管。本發(fā)明利用半導(dǎo)體圖案的變化使半導(dǎo)體圖案與掃描線至少相交于兩個(gè)區(qū)域，而有 助于降低多晶硅薄膜晶體管的漏電流。另外，本發(fā)明將掃描線的分支設(shè)置于數(shù)據(jù)線下方，可 以進(jìn)一步避免像素結(jié)構(gòu)的顯示開口率受影響。整體而言，本發(fā)明所提供的像素結(jié)構(gòu)具有高 顯示開口率且像素結(jié)構(gòu)中的多晶硅薄膜晶體管具有良好的電性。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3繪示為本發(fā)明的另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意4
圖4繪示為本發(fā)明的再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A與圖5B為本發(fā)明的又一實(shí)施例的兩種像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖6繪示為本發(fā)明的再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。其中，附圖標(biāo)記100、200、300、400、500、600 像素結(jié)構(gòu)110、210、410、510 掃描線112、412、512 分支120,220,520 數(shù)據(jù)線130:多晶硅層132、134、232A、232B、332A、332B、332C、432、532A、532B、632A、632B、632C 通道區(qū)136、236、336、536 源極區(qū)138、238、538 漏極區(qū)140、240、540 像素電極150、250、350、450、550、650 多晶硅薄膜晶體管152:儲(chǔ)存電容230、330、530、630 半導(dǎo)體圖案234、334A、334B、434A、434B、534、634A、634B 摻雜區(qū)252、552:電容電極560:共享電極L、L1、L2:長度TcU Ts:接觸窗D、D1、D2、D3 寬度
具體實(shí)施例方式圖2為本發(fā)明的一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D2，像素結(jié)構(gòu)200電性連接一掃描 線210及一數(shù)據(jù)線220，其中掃描線210及數(shù)據(jù)線220交錯(cuò)排列。像素結(jié)構(gòu)200、掃描線210 以及數(shù)據(jù)線220例如是配置于一基板上(未繪示)。像素結(jié)構(gòu)200包括一半導(dǎo)體圖案230 以及一像素電極240。半導(dǎo)體圖案230包括至少二通道區(qū)232A、232B、至少一摻雜區(qū)234以 及一源極區(qū)236與一漏極區(qū)238。通道區(qū)232A、232B位于掃描線210下方，其中通道區(qū)232A 與通道區(qū)232B具有不同的寬度長度比值。摻雜區(qū)234連接于通道區(qū)232A與通道區(qū)232B 之間。像素電極240與漏極區(qū)238電性連接，其中源極區(qū)236連接于通道區(qū)232A與數(shù)據(jù)線 220之間，而漏極區(qū)238接于通道區(qū)232B與像素電極240之間。位于通道區(qū)232A與通道區(qū)232B下方的部份掃描線210在像素結(jié)構(gòu)200中可視為 柵極，以控制像素結(jié)構(gòu)200的開啟與關(guān)閉。另外，半導(dǎo)體圖案230例如是由多晶硅材質(zhì)制作 而成，也就是說半導(dǎo)體圖案230為一多晶硅圖案。因此，通道區(qū)232A與通道區(qū)232B下方的 部份掃描線210、源極區(qū)236與漏極區(qū)238共同構(gòu)成一多晶硅薄膜晶體管250。當(dāng)多晶硅薄 膜晶體管250關(guān)閉時(shí)，通道區(qū)232A、232B中多晶硅圖案的晶粒接口可能引發(fā)漏電流的現(xiàn)象， 而影響像素結(jié)構(gòu)200的質(zhì)量。為了解決多晶硅薄膜晶體管250關(guān)閉時(shí)可能引發(fā)漏電流的問 題，多重通道設(shè)計(jì)的概念被提出。然而，由先前技術(shù)可知，為了多重通道設(shè)計(jì)而設(shè)置由掃描
5線210沿伸出來的分支會(huì)影響像素結(jié)構(gòu)200的顯示開口率。所以，本發(fā)明在此提出利用半 導(dǎo)體圖案230的折曲結(jié)構(gòu)以達(dá)到多通道的設(shè)計(jì)。本實(shí)施例的半導(dǎo)體圖案230例如具有多重折曲的結(jié)構(gòu)，并與掃描線210重迭于多 個(gè)區(qū)域而構(gòu)成多重通道。半導(dǎo)體圖案230為透明圖案，因此像素結(jié)構(gòu)200的顯示開口率不 會(huì)因本實(shí)施例的多重通道的設(shè)計(jì)而受到影響。也就是說，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200不易有 漏電流的現(xiàn)象發(fā)生，同時(shí)可以維持良好的顯示開口率。半導(dǎo)體圖案230例如具有U型的摻雜區(qū)234，并且連接U型摻雜區(qū)234兩端的半導(dǎo) 體圖案230與掃描線210相交，而構(gòu)成通道區(qū)232A與通道區(qū)232B。通過這樣的設(shè)計(jì)使多晶 硅薄膜晶體管250有多個(gè)通道區(qū)232A與232B，以提升多晶硅薄膜晶體管250的電性特性。詳細(xì)而言，多晶硅薄膜晶體管250開啟時(shí)，電流在通道區(qū)232A與232B的傳輸方向 例如是垂直于掃描線210的延伸方向。所以，掃描線210的寬度D1、D2會(huì)影響通道區(qū)232A、 232B的長度L1、L2。一般來說，通道區(qū)232A、232B的長度Li、L2越長則有助于降低多晶硅 薄膜晶體管250的漏電流。因此，為了增加通道區(qū)232B的長度L2，掃描線210位于通道區(qū) 232B中寬度D2例如是大于掃描線210在其它區(qū)域的寬度D1。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，為了 增加通道區(qū)232A的長度Li，也可以使掃描線210在通道區(qū)202A中的寬度變寬。半導(dǎo)體圖案230還包括一電容電極252，其與漏極區(qū)238以及像素電極240電性連 接，且電容電極252位于像素電極240下方。實(shí)際上，在本實(shí)施例中摻雜區(qū)234、源極區(qū)236、 漏極區(qū)238與電容電極252是由摻雜的多晶硅材質(zhì)所構(gòu)成。在其它實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)200 可以還包括一共享電極(未繪示)，配置于電容電極252與像素電極240之間。另外，漏極 區(qū)238是通過接觸窗Td與像素電極240電性連接，而源極區(qū)236是通過接觸窗Ts與數(shù)據(jù) 線220電性連接。在本實(shí)施例中，接觸窗Td與接觸窗Ts是位于掃描線210的同一側(cè)，而半 導(dǎo)體圖案230大致折曲成一 U型以與掃描線210相交于通道區(qū)232A與通道區(qū)232B。當(dāng)然，接觸窗Td與接觸窗Ts也可以是位于掃描線210相對(duì)的兩側(cè)。圖3繪示為 本發(fā)明的另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，像素結(jié)構(gòu)300與像素結(jié)構(gòu)200的設(shè)計(jì)相似， 其中像素結(jié)構(gòu)300的接觸窗Td與接觸窗Ts是位于掃描線210相對(duì)的兩側(cè)。另外，像素結(jié) 構(gòu)300的半導(dǎo)體圖案330具有三個(gè)通道區(qū)332A、332B、332C以及兩個(gè)U型的摻雜區(qū)334A、 334B。此時(shí)，通道區(qū)332A、332B、332C下方的部份掃描線210、源極區(qū)236與漏極區(qū)238共同 構(gòu)成一多晶硅薄膜晶體管350。在本實(shí)施例中，掃描線210與半導(dǎo)體圖案330相交的部份分別具有不同的寬度D1、 D2及D3。所以，通道區(qū)332A、通道區(qū)332B及通道區(qū)332C可以具有不同的寬度長度比值。 實(shí)務(wù)上，掃描線210對(duì)應(yīng)于通道區(qū)332A、332B、332C中的寬度D1、D2、D3可以大于掃描線210 在其它區(qū)域中的寬度，以使多晶硅薄膜晶體管350具有較好的電性特性。此外，半導(dǎo)體圖案 330例如為多晶硅材質(zhì)所制成，而多晶硅材質(zhì)具有可透光的特性。因此，本實(shí)施例中折曲狀 半導(dǎo)體圖案330的結(jié)構(gòu)可以達(dá)到多重通道的設(shè)計(jì)，并同時(shí)使像素結(jié)構(gòu)300具有良好的顯示 開口率。圖4繪示為本發(fā)明的再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D4，像素結(jié)構(gòu)400與圖2的 像素結(jié)構(gòu)200相似，數(shù)據(jù)線420與掃描線410交錯(cuò)排列，其不同之處在于，掃描線410具有 一分支412，且分支412與半導(dǎo)體圖案230相交。半導(dǎo)體圖案230與分支412相交的部分構(gòu) 成通道區(qū)432，而摻雜區(qū)434A與434B則分別是位于通道區(qū)232A與通道區(qū)432之間，以及通道區(qū)232B與通道區(qū)432之間。實(shí)務(wù)上，本實(shí)施例的半導(dǎo)體圖案230與圖2的半導(dǎo)體圖案 230的外型相同，而由于分支412的設(shè)計(jì)而使像素結(jié)構(gòu)400中具有三個(gè)通道區(qū)232A、232B及 432。另外，摻雜區(qū)434A與434B的外型也由U型改變成兩個(gè)L型。像素結(jié)構(gòu)400利用與像素結(jié)構(gòu)200相同的半導(dǎo)體圖案230以形成三個(gè)通道區(qū) 232A、232B及432，則通道區(qū)232A、232B及432下方的部份掃描線410、源極區(qū)236與漏極區(qū) 238共同構(gòu)成一多晶硅薄膜晶體管450。因?yàn)槎嘀赝ǖ赖脑O(shè)計(jì)而使多晶硅薄膜晶體管450 在關(guān)閉狀態(tài)下不易發(fā)生漏電流的現(xiàn)象。此外，分支412為一矩形圖案，相較于現(xiàn)有技術(shù)的L型分支112而言，本實(shí)施例的 設(shè)計(jì)有助于使像素結(jié)構(gòu)400保有良好的顯示開口率。分支412與電容電極252分別位于掃 描線410的兩側(cè)，所以電容電極252的配置位置及面積不會(huì)受到分支142的影響。也就是 說，隨著不同的設(shè)計(jì)需求，電容電極252可配置在掃描線410與數(shù)據(jù)線220所圍區(qū)域的任何 位置上。另外，分支412的延伸方向垂直于掃描線410的延伸方向，而分支412下方的通道 區(qū)432的長度與分支412的寬度D相同。因此，掃描線410與分支412的線寬變化可使各 通道區(qū)232A、232B及432之間有不同的長度寬度比值。本實(shí)施例利用與半導(dǎo)體圖案230相 同的設(shè)計(jì)使像素結(jié)構(gòu)400具有兩個(gè)以上的通道區(qū)232A、232B及432，以提升像素結(jié)構(gòu)的質(zhì) 量。圖5A與圖5B為本發(fā)明的又一實(shí)施例的兩種像素結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D5，像素結(jié)構(gòu)500 包括一掃描線510、一數(shù)據(jù)線520、一半導(dǎo)體圖案530以及一像素電極540。掃描線510及數(shù) 據(jù)線520交錯(cuò)排列并且掃描線510具有一分支512，且分支512位于數(shù)據(jù)線520下方。半導(dǎo) 體圖案530包括至少二通道區(qū)532A、532B、至少一摻雜區(qū)534以及一源極區(qū)536與一漏極區(qū) 538。通道區(qū)532A、532B位于掃描線510下方，其中通道區(qū)532A、532B具有不同的寬度 長度比值。摻雜區(qū)534連接于通道區(qū)532A與532B之間。像素電極540與漏極區(qū)538電性 連接，而源極區(qū)536連接于通道區(qū)532A與數(shù)據(jù)線520之間。另外，漏極區(qū)538連接于通道 區(qū)532B與像素電極540之間。進(jìn)一步而言，本實(shí)施例的摻雜區(qū)534具有L型的外型，其中 摻雜區(qū)534連接于通道區(qū)532A與通道區(qū)532B之間。通道區(qū)532A與通道區(qū)532B下方的部 份掃描線510、源極區(qū)536與漏極區(qū)538共同構(gòu)成一多晶硅薄膜晶體管550。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體圖案530由數(shù)據(jù)線520的第一側(cè)延伸至數(shù)據(jù)線520的第二 側(cè)。半導(dǎo)體圖案530的源極區(qū)536例如是通過接觸窗Ts與數(shù)據(jù)線520電性連接，而漏極區(qū) 538則是通過接觸窗Td與像素電極540電性連接。像素結(jié)構(gòu)500中，接觸窗Ts與接觸窗 Td是位于掃描線510相對(duì)的兩側(cè)。因此，本實(shí)施例的半導(dǎo)體圖案530的折曲結(jié)構(gòu)橫越數(shù)據(jù) 線520、掃描線510及分支512的兩側(cè)以與掃描線510及其分支512重迭于多個(gè)區(qū)域。所 以，像素結(jié)構(gòu)500具有多個(gè)通道區(qū)532A與532B，以有助于減低多晶硅薄膜晶體管550在關(guān) 閉狀態(tài)下發(fā)生漏電流的情形。簡言之，像素結(jié)構(gòu)500具有良好的質(zhì)量。另外，掃描線510的 分支512位于數(shù)據(jù)線520下方，可進(jìn)一步避免像素結(jié)構(gòu)500的顯示開口率受到影響。分支512的延伸方向垂直于掃描線510的延伸方向，且分支512下方的通道區(qū) 532B的長度L2與分支512的寬度Dl相同。因此，本實(shí)施例中通道區(qū)532A與532B的長度 L2、Ll分別與掃描線510的寬度及分支512的寬度Dl、D2有關(guān)。若掃描線510與分支512 的寬度D1、D2越寬，則越可有效降低多晶硅薄膜晶體管550的漏電流。
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另外，為了穩(wěn)定像素結(jié)構(gòu)500進(jìn)行顯示時(shí)的顯示電壓，半導(dǎo)體圖案530可以還包括 一位于像素電極540下方的電容電極552，其與漏極區(qū)538以及像素電極540電性連接。更 進(jìn)一步來說，請(qǐng)參照?qǐng)D5B，像素結(jié)構(gòu)500也可以配置有共享電極560于像素電極540與電 容電極552之間。由于掃描線510的分支512位于數(shù)據(jù)線520下方，所以共享電極560與 電容電極552的位置不會(huì)受到分支512的配置而影響，進(jìn)一步使共享電極560與電容電極 552的位置設(shè)計(jì)較具有彈性。圖6繪示為本發(fā)明的再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D6，像素結(jié)構(gòu)600與像素 結(jié)構(gòu)500相似，其差異在于半導(dǎo)體圖案630與半導(dǎo)體圖案530的外型不同。像素結(jié)構(gòu)600 的半導(dǎo)體圖案630包括三通道區(qū)632A、632B、632C以及二摻雜區(qū)634A、634B。此外，摻雜區(qū) 634A、634B連接于通道區(qū)632A、632B與632C之間。源極區(qū)538連接于通道區(qū)632A與數(shù)據(jù) 線520之間，而漏極區(qū)638連接于通道區(qū)632C與像素電極540之間。另外，電容電極552 與分支512分別位于掃描線510的兩側(cè)。在本實(shí)施例中，掃描線510的分支512的延伸方向垂直于掃描線510的延伸方向， 而分支512下方的通道區(qū)632B的長度L與分支512的寬度D相同。因此，掃描線510與其 分支51的寬度D2越寬時(shí)，通道區(qū)632A、632B與632C可具有較長的通道長度，以提升多晶 硅薄膜晶體管650的電性特性。分支512位于數(shù)據(jù)線520下方，所以像素結(jié)構(gòu)600的設(shè)計(jì)中僅掃描線510與數(shù)據(jù) 線520的主要線路部份為遮光膜層。因此，像素結(jié)構(gòu)600具有高顯示開口率。另外，半導(dǎo)體 圖案630由數(shù)據(jù)線520的第一側(cè)延伸至第二側(cè)，以與掃描線510及其分支512相交于多個(gè) 區(qū)域,也就是通道區(qū)632A、632B與632C。半導(dǎo)體圖案630的三個(gè)通道區(qū)632A、632B與632C 間由L型的摻雜區(qū)634A、634B所連接。源極區(qū)536、漏極區(qū)538以及位于通道區(qū)632A、632B 與632C下方的部份掃描線510共同構(gòu)成一多晶硅薄膜晶體管650。在這樣的設(shè)計(jì)下，多晶 硅薄膜晶體管650具有多重通道，因此關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，不易發(fā)生漏電流的現(xiàn)象，而有助于使像 素結(jié)構(gòu)600具有良好的質(zhì)量。綜上所述，本發(fā)明利用不同的半導(dǎo)體圖案設(shè)計(jì)，使像素結(jié)構(gòu)中具有多個(gè)通道區(qū)，同 時(shí)將掃描線的分支設(shè)置于數(shù)據(jù)線下方。因此，像素結(jié)構(gòu)的顯示開口率不會(huì)因掃描線的分支 而受到限制。也即，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)具有高顯示開口率。另外，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，半 導(dǎo)體圖案與掃描線重迭于多個(gè)區(qū)域而形成多個(gè)通道區(qū)，有助于降低像素結(jié)構(gòu)中多晶硅薄膜 晶體管在關(guān)閉狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生漏電流的情形。整體而言，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)具有高顯示開口率， 同時(shí)也具有良好的質(zhì)量。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
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權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一掃描線，具有一分支；一數(shù)據(jù)線，與該掃描線交錯(cuò)排列，該分支位于該數(shù)據(jù)線下方，且該分支與該數(shù)據(jù)線重疊；一半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案包括至少二通道區(qū)，位于該掃描線下方；至少一摻雜區(qū)，連接于該些通道區(qū)之間；一源極區(qū)與一漏極區(qū)；以及一像素電極，與該漏極區(qū)電性連接，該源極區(qū)連接于其中一個(gè)通道區(qū)與該數(shù)據(jù)線之間，而該漏極區(qū)連接于另一個(gè)通道區(qū)與該像素電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少一該通道區(qū)位于該分支下方，并 且位于該分支下方的該通道區(qū)的長度與該分支的寬度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體圖案包括一多晶硅圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體圖案還包括一電容電極，與 該漏極區(qū)以及該像素電極電性連接，該電容電極位于該像素電極下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一共享電極，配置于該電容電 極與該像素電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容電極與該分支分別位于該掃 描線的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該摻雜區(qū)的形狀包括L形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體圖案由該數(shù)據(jù)線的一第一 側(cè)延伸至該數(shù)據(jù)線的一第二側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通道區(qū)下方的部份該掃描線、該源 極區(qū)與該漏極區(qū)構(gòu)成一多晶硅薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線，具有一分支；一數(shù)據(jù)線，與該掃描線交錯(cuò)排列，該分支位于該數(shù)據(jù)線下方，且該分支與該數(shù)據(jù)線重疊；一半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案包括至少二通道區(qū)，位于該掃描線下方；至少一摻雜區(qū)，連接于該些通道區(qū)之間；一源極區(qū)與一漏極區(qū)；以及一像素電極，與該漏極區(qū)電性連接，該源極區(qū)連接于其中一個(gè)通道區(qū)與該數(shù)據(jù)線之間，而該漏極區(qū)連接于另一個(gè)通道區(qū)與該像素電極之間。本發(fā)明利用半導(dǎo)體圖案的變化使半導(dǎo)體圖案與掃描線至少相交于兩個(gè)區(qū)域，而有助于降低多晶硅薄膜晶體管的漏電流。
文檔編號(hào)G02F1/136GK101950746SQ201010234540
公開日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2008年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月18日
發(fā)明者羅誠, 胡至仁, 蕭嘉強(qiáng) 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司