專利名稱：對(duì)于全芯片源的圖案選擇和掩模優(yōu)化的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻設(shè)備和過(guò)程，尤其涉及優(yōu)化用在光刻設(shè)備和過(guò)程中的照射源和掩 模的方法。
背景技術(shù)：
可以將光刻設(shè)備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情形中，掩?？梢园?對(duì)應(yīng)于IC的單個(gè)層的電路圖案，這一圖案可以被成像到已經(jīng)涂覆了輻射敏感材料(抗蝕 劑)層的襯底(硅晶片)的目標(biāo)部分(例如包括一個(gè)或更多的管芯)上。通常，單個(gè)晶片 將包含被經(jīng)由投影系統(tǒng)連續(xù)地(一次一個(gè)地)輻射的相鄰目標(biāo)部分的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)。在一種 類型的光刻投影設(shè)備中，每一目標(biāo)部分通過(guò)一次將整個(gè)掩模圖案曝光到目標(biāo)部分上而被輻 射；這樣的設(shè)備通常稱作為晶片步進(jìn)機(jī)。在一種可替代的設(shè)備(通常稱為步進(jìn)掃描設(shè)備) 中，通過(guò)投影束沿給定的參考方向(“掃描”方向)漸進(jìn)地掃描掩模圖案、同時(shí)沿與該方向 平行或反向平行的方向同步掃描襯底臺(tái)，來(lái)輻射每一目標(biāo)部分。因?yàn)橥ǔＭ队跋到y(tǒng)的放大 率因子為M(通常< 1)，襯底臺(tái)被掃描的速度V將是掩模臺(tái)被掃描的速度的M倍。關(guān)于在此 處描述的光刻裝置的更多的信息可以例如參見(jiàn)美國(guó)專利No. 6，046，792，在此處通過(guò)參考將 其并入本文中。在使用光刻投影設(shè)備的制造過(guò)程中，掩模圖案成像到至少部分地被輻射敏感材料 (抗蝕劑)層覆蓋的襯底上。在這一成像步驟之前，襯底可能經(jīng)歷各種程序，諸如涂底、抗蝕 劑涂敷以及軟焙烤。在曝光之后，襯底可能經(jīng)歷多種工序，諸如涂底(priming)、抗蝕劑涂覆 和軟焙烤。在曝光后，襯底可以經(jīng)歷其它的工序，例如曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤以及 對(duì)所成像的特征的測(cè)量/檢驗(yàn)。這一系列的工序被用作為使器件(例如IC)的單個(gè)層形成 圖案的基礎(chǔ)。這樣的圖案化的層之后可能經(jīng)歷各種過(guò)程，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬 化、氧化、化學(xué)機(jī)械拋光等，所有的這些工序都是用于最終完成單個(gè)層。如果需要多個(gè)層， 那么整個(gè)工序或其變形將不得不對(duì)于每一新層重復(fù)采用。最終，一系列器件將設(shè)置在襯底 (晶片)上。之后通過(guò)諸如切片或鋸片等技術(shù)，將這些器件彼此分開(kāi)，據(jù)此獨(dú)立的器件可以 安裝在載體上，連接至引腳等。為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，投影系統(tǒng)在本申請(qǐng)中可以被稱為“透鏡”，然而這一術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)廣義 地解釋成包括各種類型的投影系統(tǒng)，例如包括折射式光學(xué)裝置、反射式光學(xué)裝置以及折射 反射式系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)用于引導(dǎo)、成形或控制投影輻射束的這些設(shè)計(jì)類型 中的任一種進(jìn)行操作的部件，這樣的部件還可以在下文中被統(tǒng)稱或單獨(dú)稱為“透鏡”。另外， 光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)或更多的襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))的類型。在這樣 的“多臺(tái)”裝置中，可以并行地使用額外的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多的臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的 同時(shí)，將一個(gè)或更多的其它臺(tái)用于曝光。例如在美國(guó)專利No. 5，969，441中描述了雙臺(tái)式光 刻設(shè)備，通過(guò)參考將其并入本文中。參考上文的光刻掩模包括對(duì)應(yīng)于將被集成到硅晶片上的電路部件的幾何圖案。用 于產(chǎn)生這樣的掩模的圖案通過(guò)使用CAD (計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))程序來(lái)形成，這一過(guò)程通常被稱4為EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)。大多數(shù)CAD程序遵循一組預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則，以便形成功能化掩 模。這些規(guī)則通過(guò)處理和設(shè)計(jì)限制來(lái)設(shè)定。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則限定了電路器件(諸如門、電容 器等)之間或互連線之間的間隔的容許度，以便確保電路器件或線不會(huì)以不期望的方式相 互作用。設(shè)計(jì)規(guī)則限制典型地被稱為“臨界尺寸”(CD)。電路的臨界尺寸可以被定義為線 或孔的最小寬度或兩個(gè)線或兩個(gè)孔之間的最小間隔。因此，CD確定了設(shè)計(jì)電路的整體尺寸 和密度。當(dāng)然，集成電路制造中的一個(gè)目標(biāo)是在晶片上(經(jīng)由掩模)忠實(shí)地復(fù)現(xiàn)原始電路 設(shè)計(jì)。注意到，微光刻術(shù)是半導(dǎo)體集成電路的制造中的核心步驟，在此處在半導(dǎo)體晶片 襯底上形成的圖案限定了半導(dǎo)體器件的功能元件，諸如微處理器、儲(chǔ)存芯片等。類似的光刻 技術(shù)也用于形成平板顯示器、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)以及其它器件。隨著半導(dǎo)體制造工藝不斷發(fā)展，電路元件的尺寸被不斷地降低，同時(shí)每一器件的 功能元件(諸如晶體管)的數(shù)量在數(shù)十年來(lái)一直遵循通常稱為“摩爾定律”的趨勢(shì)而穩(wěn)步 地增漲。在現(xiàn)在情形的技術(shù)下，通過(guò)使用被稱為掃描器的光學(xué)光刻投影系統(tǒng)來(lái)制造前沿器 件的關(guān)鍵層，該掃描器使用來(lái)自深紫外激光器光源的照射將掩模圖像投影到襯底上，從而 產(chǎn)生具有充分地低于IOOnm的尺寸的獨(dú)立的電路特征，即該電路特征的尺寸小于投影光波 長(zhǎng)的一半。印刷具有小于光學(xué)投影系統(tǒng)的典型的分辨率限制的尺寸的特征的過(guò)程，通常被稱 為低h光刻術(shù)，其基于分辨率公式CD = Ic1X λ /ΝΑ，其中λ是采用的輻射波長(zhǎng)(當(dāng)前在大 多數(shù)情形中是248nm或193nm)，NA是投影光學(xué)裝置的數(shù)值孔徑，⑶是“臨界尺寸”(通常是 印刷的最小特征尺寸)，以及Iq是經(jīng)驗(yàn)分辨率因子。通常，kl越小，在晶片上復(fù)現(xiàn)圖案，像 由電路設(shè)計(jì)者為獲得特定的電功能和性能而設(shè)計(jì)的形狀和尺寸，變得越困難。為了克服這 些困難，復(fù)雜的精細(xì)調(diào)節(jié)步驟被應(yīng)用于投影系統(tǒng)以及掩模設(shè)計(jì)。這些例如包括但不限于NA 和光學(xué)相干性設(shè)定的優(yōu)化、定制的照射方案、相移掩模的使用、在掩模布局上的光刻鄰近效 應(yīng)校正或通常被定義成“分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)，，的其它方法。作為一個(gè)重要的例子，光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(0PC，有時(shí)也稱為“光學(xué)和過(guò)程校正”) 解決了晶片上的印刷特征的最終尺寸和定位不僅僅是掩模上的對(duì)應(yīng)特征的尺寸和定位的 函數(shù)的問(wèn)題。注意到，術(shù)語(yǔ)“掩?！焙汀把谀０妗痹诖颂幨强梢韵嗷ネㄓ玫?。對(duì)于在典型的 電路設(shè)計(jì)上出現(xiàn)的小的特征尺寸和高的特征密度，給定特征的特定邊緣的位置在一定程度 上將受其它鄰近特征的存在或不存在的影響。這些鄰近效應(yīng)由于光從一個(gè)特征耦合至另一 特征的微小量的光而產(chǎn)生。類似地，鄰近效應(yīng)可以由在通常在光刻曝光之后的曝光后焙烤 (PEB)、抗蝕劑顯影和蝕刻期間的擴(kuò)散和其它化學(xué)效應(yīng)產(chǎn)生。為了確保特征根據(jù)給定的目標(biāo)電路設(shè)計(jì)的需要在半導(dǎo)體襯底上產(chǎn)生，可能需要使 用復(fù)雜的數(shù)值模型來(lái)預(yù)測(cè)鄰近效應(yīng)，和需要在成功地制造高端器件之前將校正或預(yù)變形施 力口至掩模設(shè)計(jì)° 文章"Ful 1-ChipLithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is Changing ICDesign", C. Spence, Proc. SPIE, Vol. 5751, pp 1-14(2005)提供了當(dāng)前的 “基于模型的”光學(xué)鄰近效應(yīng)校正過(guò)程的概述。在典型的高端設(shè)計(jì)中，幾乎每一特征邊緣都 需要一些修改，用以實(shí)現(xiàn)足夠接近目標(biāo)設(shè)計(jì)的印刷圖案。這些修改可以包括邊緣位置或線 寬的位移或偏置以及“輔助”特征的應(yīng)用，所述“輔助”特征不是要印刷它們自己，但是將影 響相關(guān)的主要特征的性質(zhì)。
假定典型地在芯片設(shè)計(jì)中設(shè)置有數(shù)百萬(wàn)個(gè)特征的話，則將基于模型的OPC應(yīng)用至 目標(biāo)設(shè)計(jì)，需要好的過(guò)程模型和相當(dāng)大量的計(jì)算資源。然而，應(yīng)用OPC通常不是“精確的科 學(xué)”，而是不會(huì)總是解決布局上的所有可能的缺點(diǎn)的經(jīng)驗(yàn)性的迭代過(guò)程。因此，后OPC設(shè)計(jì) (即在通過(guò)OPC應(yīng)用了所有的圖案修改和任何其它的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)之后的掩模布 局)，需要通過(guò)設(shè)計(jì)檢查進(jìn)行驗(yàn)證，即，使用經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的數(shù)值過(guò)程模型的透徹的全芯片模擬， 用以最小化設(shè)計(jì)缺陷被引入掩模組的制造中的可能性。這是由在數(shù)百萬(wàn)美元的范圍內(nèi)運(yùn)行 的制造高端掩模組的巨大成本驅(qū)動(dòng)的，以及由如果已經(jīng)制造了實(shí)際掩模而重新加工或重新 修復(fù)它們對(duì)周轉(zhuǎn)時(shí)間的影響所驅(qū)動(dòng)。OPC和全芯片RET驗(yàn)證都可以基于如例如在美國(guó)專利No. 7，003, 758和文章題目 為"Optimized Hardware and Software For Fast, Full ChipSimulation，，，by Y. Cao et al.，Proc. SPIE，Vol. 5754,405(2005)中所描述的數(shù)值模型化系統(tǒng)和方法。除了執(zhí)行致力于優(yōu)化成像結(jié)果的前述的掩模調(diào)整(例如0PC)之外，在成像過(guò)程中 所使用的照射方案也可以被優(yōu)化，或者與掩模優(yōu)化一起進(jìn)行優(yōu)化或單獨(dú)地進(jìn)行優(yōu)化，致力 于改善整體的光刻保真度。自20世紀(jì)九十年代起，已經(jīng)引入了許多離軸光源(諸如環(huán)形的、 四極以及雙極的)，它們?yōu)镺PC設(shè)計(jì)提供了更大的自由度，從而改善了成像結(jié)果。已知，離軸 照射是一種分辨包含在掩模中的精細(xì)結(jié)構(gòu)(即目標(biāo)特征)的被證實(shí)可行的方式。然而，在 與傳統(tǒng)的照射器相比較時(shí)，離軸照射器通常為空間圖像(Al)提供較低的光強(qiáng)度。因此，需 要試圖優(yōu)化照射器，以在更精細(xì)的分辨率和降低的光強(qiáng)度之間獲得優(yōu)化的平衡。已知諸多的現(xiàn)有技術(shù)的照射優(yōu)化方法。例如，在Rosenbluth等題目為“Optimum Mask and Source Patterns to Print A Given Shape，，，Journal of Microlithography, Microfabrication, Microsystems 1 (1)，pp. 13-20，(2002)的文章中，源被細(xì)分成多個(gè)區(qū) 域，每一區(qū)域?qū)?yīng)于光瞳光譜的特定區(qū)域。之后，假定源分布在每一源區(qū)域是均勻的，且對(duì) 于過(guò)程窗口優(yōu)化每一區(qū)域的亮度。然而，這樣的假定“源分布在每一源區(qū)域是均勻的”不總 是有效的，因此這一方法的有效性受到影響。在Granik的題目為“kurceOptimization for Image Fidelity and Throughput", Journal of Microlithography， Microfabrication, Microsystems 3(4), pp. 509-522, (2004)的文章中闡述的另一例子中，綜述了幾個(gè)現(xiàn)有的 源優(yōu)化方法，提出了基于照射器像素的方法，其將源優(yōu)化問(wèn)題轉(zhuǎn)換成一系列非負(fù)的最小二 乘優(yōu)化。雖然這些方法已經(jīng)證實(shí)了一些成功，但是它們典型地需要多個(gè)復(fù)雜的迭代以收斂。 另外，可能難以為一些額外的參數(shù)(諸如在Granik方法中的Y )確定適合的值/優(yōu)化的值， 其規(guī)定了在為晶片圖像保真度對(duì)源進(jìn)行優(yōu)化和源的平滑度要求之間的折衷。對(duì)于低kl光刻術(shù)，對(duì)源和掩模的優(yōu)化(即源和掩模的優(yōu)化或SM0)需要確保用于 印刷臨界圖案的可行的過(guò)程窗口?，F(xiàn)有的算法(例如Socha et. al. Proc. SPIE vol.5853, 2005，p. 180)通常使得照射離散成獨(dú)立的源點(diǎn)和使掩模離散成空間頻率域中的衍射級(jí)，基 于過(guò)程窗口度量(諸如曝光寬容度)單獨(dú)地用公式表達(dá)成本函數(shù)，所述過(guò)程窗口度量可以 通過(guò)光學(xué)成像模型由源點(diǎn)強(qiáng)度和掩模衍射級(jí)進(jìn)行預(yù)測(cè)。之后標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化技術(shù)用于最小化目標(biāo) 函數(shù)。這樣的傳統(tǒng)的SMO技術(shù)在計(jì)算上是很耗資源的，尤其是對(duì)于復(fù)雜的設(shè)計(jì)。因此，通 常僅僅為簡(jiǎn)單的重復(fù)的設(shè)計(jì)(諸如存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)(閃存、DRAM和SRAM))執(zhí)行源優(yōu)化是實(shí)際 的。同時(shí)，全芯片包括諸如邏輯和門的其它更復(fù)雜的設(shè)計(jì)。于是，因?yàn)镾MO源優(yōu)化僅基于特定設(shè)計(jì)的有限的小區(qū)域，所以難以保證該源對(duì)于未包含在SMO過(guò)程中的設(shè)計(jì)將很好地工 作。因此，需要對(duì)于可以在實(shí)際的運(yùn)行時(shí)間量?jī)?nèi)優(yōu)化用于表示全芯片中的所有復(fù)雜的設(shè)計(jì) 布局的設(shè)計(jì)的多個(gè)片段的源的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及光刻設(shè)備和過(guò)程，尤其涉及用于優(yōu)化在光刻設(shè)備和過(guò)程中使用的照 射源和掩模的工具。根據(jù)特定的方面，本發(fā)明使得能夠覆蓋全芯片圖案，同時(shí)通過(guò)從在源和 掩模優(yōu)化中使用的整組片段智慧地選出小組的臨界設(shè)計(jì)圖案來(lái)降低計(jì)算成本。優(yōu)化僅在這 些選出的圖案上執(zhí)行，以獲得優(yōu)化的源。優(yōu)化的源之后用于優(yōu)化全芯片的掩模(例如使用 OPC和可制造性驗(yàn)證)，且過(guò)程窗口性能結(jié)果被比較。如果所述結(jié)果與傳統(tǒng)的全芯片SMO是 不相上下的，那么該過(guò)程結(jié)束，否則提供各種方法用于使之以迭代的方式收斂到令人滿意 的結(jié)果為止。在這些和其它方面的改進(jìn)中，提供一種用于優(yōu)化光刻過(guò)程的方法，所述光刻過(guò)程 用于使設(shè)計(jì)的一部分在晶片上成像，所述方法包括以下步驟從該設(shè)計(jì)識(shí)別出全組片段； 從所述全組片段選出子組片段；優(yōu)化用于使所述選出的子組片段成像的光刻過(guò)程的照射 源；和使用用于優(yōu)化在所述光刻過(guò)程中被成像的所述全組片段的所述優(yōu)化的照射源。在上文的和其它方面中的另外的改進(jìn)中，所述方法的選出步驟包括為所述全組 片段中的每一個(gè)片段計(jì)算衍射級(jí)分布；基于所計(jì)算的衍射級(jí)分布將所述全組片段分成多個(gè) 類；和從每一類中選出一個(gè)或更多個(gè)代表性片段作為所述子組。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附 圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖1是示出典型的光刻投影系統(tǒng)的示例性方塊圖。圖2是示出光刻模擬模型的功能模塊的示例性方塊圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性的SMO過(guò)程的流程圖。圖4是示出示例性的圖案選擇方法的流程圖，其可以被包含在根據(jù)本發(fā)明的SMO 過(guò)程的一個(gè)實(shí)施例中。圖5是示出示例性的圖案選擇方法的流程圖，其可以被包含在根據(jù)本發(fā)明的SMO 過(guò)程的另一個(gè)實(shí)施例中。圖6是示出示例性的圖案選擇方法的流程圖，其可以被包含在根據(jù)本發(fā)明的SMO 過(guò)程的另一個(gè)實(shí)施例中。圖7是示出示例性的圖案選擇方法的流程圖，其可以被包含在根據(jù)本發(fā)明的SMO 過(guò)程的另一個(gè)實(shí)施例中。圖8是示出示例性的圖案選擇方法的流程圖，其可以被包含在根據(jù)本發(fā)明的SMO 過(guò)程的另一個(gè)實(shí)施例中。圖9A至圖9P示出了根據(jù)圖8的方法選擇的片段的示例性的衍射級(jí)分布。圖10是比較根據(jù)本發(fā)明的各種圖案選擇方法的過(guò)程窗口性能的圖表。7
圖11是比較用于根據(jù)本發(fā)明的各種圖案選擇方法的處理運(yùn)行時(shí)間性能的圖表。圖12是示出計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的方塊圖，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以輔助執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的模 擬方法。圖13示意性地示出了適合與本發(fā)明的方法一起使用的光刻投影設(shè)備。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，附圖被提供用作本發(fā)明的說(shuō)明性示例， 以使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。注意到，下文的圖和示例不是要將本發(fā)明的范 圍限制于單個(gè)實(shí)施例，而是可以通過(guò)相互交換描述的或示出的元件中的一些或全部的方式 來(lái)實(shí)現(xiàn)其它的實(shí)施例。此外，在本發(fā)明的特定元件可以通過(guò)使用已知的部件部分地或完全 地實(shí)現(xiàn)時(shí)，僅在對(duì)于理解本發(fā)明來(lái)說(shuō)是必須的這些已知部件中的這些部分才會(huì)被描述，這 樣的已知部件中的其它部分的詳細(xì)描述將被省略，以便不混淆本發(fā)明。如本領(lǐng)域技術(shù)人員 所清楚的，除非在此處有另外的說(shuō)明，如描述的在軟件中執(zhí)行的實(shí)施例應(yīng)當(dāng)不限于此，而是 可以包括在硬件中實(shí)現(xiàn)的實(shí)施例、或軟件和硬件的組合中實(shí)現(xiàn)的實(shí)施例，反之亦然。在本發(fā) 明的說(shuō)明書中，除非另有具體說(shuō)明，顯示單個(gè)部件的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是限制性的，相反， 本發(fā)明是要包括包含多個(gè)相同部件的其它實(shí)施例，反之亦然。另外，同樣地，除非被明確地 闡述之外，申請(qǐng)人不意圖使說(shuō)明書或權(quán)利要求中的任何術(shù)語(yǔ)被指定成罕見(jiàn)的或特定的意 思。另外，本發(fā)明包括示出的參考此處的已知部件的現(xiàn)在的和未來(lái)的已知等同物。盡管在本文中可以做出具體的參考，將本發(fā)明用于制造IC，但應(yīng)當(dāng)清楚地理解本 發(fā)明可以有其他的許多可能的應(yīng)用。例如，它可以被用在集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo) 和檢測(cè)圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在這種替 代應(yīng)用的情況中，可以將這種情形中的使用的任意術(shù)語(yǔ)“掩模版”、“晶片”或“管芯”分別認(rèn) 為成可以被更上位的術(shù)語(yǔ)“掩?！?、“襯底”或“目標(biāo)部分”替換。在本文中，術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”用于包括各種類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例 如具有365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和EUV(極紫外輻射，例如具有在5_20nm范圍 內(nèi)的波長(zhǎng))。在這種情形中采用的術(shù)語(yǔ)“掩?！笨梢詮V義地解釋成表示可以用于對(duì)應(yīng)于將要在 襯底的目標(biāo)部分中產(chǎn)生的圖案來(lái)賦予入射的輻射束以圖案化的橫截面的一般性的圖案形 成裝置；術(shù)語(yǔ)“光閥”也可以用于這種情形。除了傳統(tǒng)的掩模(透射式或反射式掩模；或二 元掩模、相移掩模、混合型掩模等)之外，其它的圖案形成裝置的例子包括·可編程反射鏡陣列。這樣的器件的一個(gè)例子是具有粘彈性的控制層和反射表面 的矩陣可尋址表面。這樣的設(shè)備所依據(jù)的基本原理是(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷?光反射成衍射光，而不尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷涑煞茄苌涔?。使用適合的濾光片，可以從反射 束中過(guò)濾掉所述非衍射光，從而之后僅留下衍射光；這樣，所述束根據(jù)矩陣可尋址表面的尋 址圖案而被圖案化。所需要的矩陣尋址可以通過(guò)使用適合的電子裝置進(jìn)行。關(guān)于這樣的反 射鏡陣列的更多的信息可以參見(jiàn)例如美國(guó)專利No5，296, 891和No 5，523，193，通過(guò)參考在 此處將它們并入本文中?！た删幊蘄XD陣列。在美國(guó)專利No. 5，229，872中給出了這樣的構(gòu)造的一個(gè)例子， 通過(guò)參考在此處將其并入本文中。
在討論本發(fā)明之前，先提供關(guān)于整個(gè)模擬和成像過(guò)程的簡(jiǎn)短討論。圖1示出了示 例性的光刻投影系統(tǒng)10。主要部件包括光源12，其可以是深紫外準(zhǔn)分子激光源；照射光學(xué) 裝置，其限定了部分相干性(標(biāo)記為ο )且可以包括特定的源成形光學(xué)裝置14、16a和16b ； 掩模或掩模版18 ；以及投影光學(xué)裝置16c，其在晶片平面22上產(chǎn)生掩模版圖案的圖像。光 瞳面處的可調(diào)整的濾光片或孔闌20可以限制射到晶片平面22上的束角的范圍，其中最大 的可能的角度限定了投影光學(xué)裝置的數(shù)值孔徑NA = sin ( max)。在光刻模擬系統(tǒng)中，這些主要系統(tǒng)部件可以由分立的功能模塊進(jìn)行描述，例如如 圖2所示。參考圖2，功能模塊包括設(shè)計(jì)布局模塊沈，其限定了目標(biāo)設(shè)計(jì)；掩模布局模塊 觀，其限定了在成像過(guò)程中使用的掩模；掩模模型模塊30，其限定了在模擬過(guò)程期間使用 的掩模布局的模型；光學(xué)模型模塊32，其限定了光刻系統(tǒng)的光學(xué)部件的性能；和抗蝕劑模 型模塊34，其限定了在給定過(guò)程中使用的抗蝕劑的性能。已知，模擬過(guò)程的結(jié)果在結(jié)果模塊 36中產(chǎn)生例如預(yù)測(cè)輪廓和⑶。更具體地，注意到在光學(xué)模型32中捕獲了照射和投影光學(xué)裝置的性質(zhì)，所述光學(xué) 模型32包括但不限于NA-西格瑪(ο )設(shè)定以及任何特定的照射源形狀(例如諸如環(huán)形、 四極以及雙極的離軸光源等)。涂覆到襯底上的光致抗蝕劑層的光學(xué)性質(zhì)(如折射率、膜 厚、傳播和偏振效應(yīng))也可以被捕捉作為光學(xué)模型32的一部分。掩模模型30捕捉了掩模 版的設(shè)計(jì)特征且還可以包括掩模的詳細(xì)物理性質(zhì)的表征，如例如在美國(guó)專利No. 7，587，704 中所描述的。最終，抗蝕劑模型34描述了在抗蝕劑曝光、PEB和顯影期間發(fā)生的化學(xué)過(guò)程 的作用，用于預(yù)測(cè)例如襯底晶片上形成的抗蝕劑特征的輪廓。模擬的目標(biāo)是精確地預(yù)測(cè)例 如邊緣的定位和CD，其之后可以與目標(biāo)設(shè)計(jì)進(jìn)行比較。目標(biāo)設(shè)計(jì)通常被定義為預(yù)OPC掩模 布局，且將被設(shè)置成標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字文件格式(諸如GDSII或OASIS)。在典型的高端設(shè)計(jì)中，幾乎每一特征邊緣都需要一些修改，用以實(shí)現(xiàn)足夠地接近 目標(biāo)設(shè)計(jì)的印刷圖案。這些修改可以包括邊緣位置或線寬的位移或偏置以及“輔助”特征 的應(yīng)用，所述“輔助”特征不是要印刷它們自己，而是將影響相關(guān)的主要特征的性質(zhì)。另外， 施加至照射源的優(yōu)化技術(shù)可能對(duì)不同的邊緣和特征具有不同的作用。照射源的優(yōu)化可以包 括光瞳的使用，以將源照射限制成光的所選擇的圖案。本發(fā)明提供了可以應(yīng)用于源和掩模 配置的優(yōu)化方法。通常，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的執(zhí)行源和掩模優(yōu)化(SMO)的方法使得能夠覆蓋全芯 片圖案，同時(shí)通過(guò)智慧地從用在SMO中的全組片段中選擇出小組的臨界設(shè)計(jì)圖案來(lái)降低計(jì) 算成本。SMO僅在這些被選擇的圖案上執(zhí)行，以獲得優(yōu)化的源。之后，優(yōu)化的源被用于針對(duì) 全芯片優(yōu)化掩模(例如使用OPC和LMC)，且所述結(jié)果被比較。如果所述結(jié)果與傳統(tǒng)的全芯 片SMO是不相上下的，那么該過(guò)程結(jié)束，否則提供各種方法用于使之以迭代的方式收斂到 令人滿意的結(jié)果。將關(guān)于圖3中的流程圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)示例性的SMO方法進(jìn)行說(shuō)明。光刻過(guò)程優(yōu)化所針對(duì)的目標(biāo)設(shè)計(jì)300 (典型地包括為諸如OASIS、⑶SII等標(biāo)準(zhǔn)數(shù) 字格式的布局)包括存儲(chǔ)器、測(cè)試圖案和邏輯。依據(jù)這一設(shè)計(jì)，提取全組片段302，其表示在 設(shè)計(jì)300中的全部的復(fù)雜的圖案(典型地約50-1000個(gè)片段)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理 解的，這些片段代表了需要特別關(guān)注和/或驗(yàn)證的設(shè)計(jì)的小部分(即電路、單元或圖案)。
如在步驟304中整體上顯示的，從全組302選出小的子組(subset)片段306 (例 如15-50個(gè)片段)。如在下文更詳細(xì)地說(shuō)明地，優(yōu)選地，對(duì)片段進(jìn)行選擇，使得所選擇的圖案 的過(guò)程窗口盡可能地接近地匹配于全組臨界圖案的過(guò)程窗口。也通過(guò)總的運(yùn)行時(shí)間(圖案 選擇和SM0)的減少，來(lái)測(cè)量選擇的有效性。在步驟308中，對(duì)所選擇的圖案(15至50個(gè)圖案)306執(zhí)行SMO。更具體地，對(duì)于 所選擇的圖案306優(yōu)化照射源?？梢酝ㄟ^(guò)使用各種各樣的已知的方法中的任意方法來(lái)執(zhí)行 這一優(yōu)化，例如在美國(guó)專利公開(kāi)出版物No. 2004/0265707中描述的，通過(guò)參考將其內(nèi)容并 入本文中。在步驟310中，用在步驟308中獲得的源執(zhí)行所選擇的圖案306的可制造性驗(yàn)證。 更具體地，驗(yàn)證包括執(zhí)行所選擇的圖案306和所優(yōu)化的源的空間圖像模擬；和驗(yàn)證所述圖 案將跨過(guò)足夠?qū)挼倪^(guò)程窗口進(jìn)行印刷?？梢酝ㄟ^(guò)使用各種各樣的已知的方法中的任意方 法來(lái)執(zhí)行這一驗(yàn)證，例如在美國(guó)專利No. 7，342，646中描述的，通過(guò)參考將其內(nèi)容并入本文中。如果在步驟310中的驗(yàn)證是滿意的(如在步驟312中所確定的)，那樣，那么處理 前進(jìn)至步驟314中的全芯片優(yōu)化。否則，處理返回至步驟308，此時(shí)再次執(zhí)行SM0，但是是用 不同的源或圖案組。例如，如由驗(yàn)證工具估計(jì)的過(guò)程性能可以與特定的過(guò)程窗口參數(shù)(諸 如曝光寬容度和焦深)的閾值進(jìn)行比較。這些閾值可以由使用者預(yù)先確定或設(shè)定。在步驟316中，在所選擇的圖案滿足如在步驟312中確定的光刻性能規(guī)格之后，所 優(yōu)化的源314可以用于全組片段的優(yōu)化。在步驟318中，基于模型的亞分辨率輔助特征定位(MB-SRAF)和光學(xué)鄰近效應(yīng) 校正(OPC)被對(duì)于全組片段316中的所有圖案執(zhí)行。這一過(guò)程可以通過(guò)使用各種各樣的 已知方法中的任意方法來(lái)執(zhí)行，例如在美國(guó)專利Nos. 5，663，893，5，821，014，6，541，167和 6,670,081中描述的。在步驟320中，使用類似于步驟310的過(guò)程，基于全圖案模擬的可制造性驗(yàn)證被用 如在步驟318中校正的優(yōu)化的源314和全組片段316進(jìn)行。在步驟322中，全組片段316的性能(例如諸如曝光寬容度和焦深的過(guò)程窗口參 數(shù))與子組片段306進(jìn)行比較。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，當(dāng)對(duì)于所選擇的圖案(15至20個(gè) 圖案)306和全部的臨界圖案(50至1000個(gè)圖案)316都獲得了類似的(< 10% )的光刻 性能時(shí)，圖案的選擇被認(rèn)為是完整的，和/或源對(duì)于全芯片是完全勝任的。另外地，在步驟324中，提取出熱點(diǎn)(hot spot)，且在步驟326中這些熱點(diǎn)被添加 至子組306，過(guò)程重新開(kāi)始。例如，在驗(yàn)證320期間被識(shí)別的熱點(diǎn)(即，全組片段316之中的 限制過(guò)程窗口性能的特征)被用于另外的源調(diào)節(jié)或用于再次運(yùn)行SM0。當(dāng)全組片段316的 過(guò)程窗口在最后一次運(yùn)行步驟322與最后一次運(yùn)行步驟322之前的對(duì)步驟322的運(yùn)轉(zhuǎn)之間 相同時(shí)，所述源被認(rèn)為是完全收斂的。為了在步驟304中的使用開(kāi)發(fā)了多種圖案選擇方法，在下文詳細(xì)說(shuō)明特定的非限 制性的例子。在第一實(shí)施例中，針對(duì)目標(biāo)設(shè)計(jì)中的SRAM圖案來(lái)對(duì)源進(jìn)行優(yōu)化，之后全組片段之 中的熱點(diǎn)被識(shí)別，且被選擇作為用于SMO的子組圖案。例如，如圖4所示，通過(guò)從目標(biāo)設(shè)計(jì)300中選擇出SRAM圖案(例如兩個(gè)SRAM圖案)在步驟S402中開(kāi)始根據(jù)這一實(shí)施例的圖案選擇。在步驟S404中，諸如在步驟308中執(zhí)行的那樣通過(guò)使用這兩個(gè)圖案來(lái)執(zhí)行源的優(yōu) 化，以獲得對(duì)于SRAM圖案的優(yōu)化的源。在步驟S406中，通過(guò)使用來(lái)自步驟S404的優(yōu)化的源在全組片段302上執(zhí)行0PC。 在這一步驟中OPC過(guò)程可以類似于關(guān)于圖3中的步驟318在上文描述的那樣執(zhí)行。在步驟S408中，對(duì)于已經(jīng)在步驟406中進(jìn)行調(diào)整的全組片段302，執(zhí)行可制造性驗(yàn) 證。這一驗(yàn)證可以類似于關(guān)于圖3中的步驟320在上文描述的那樣被執(zhí)行。根據(jù)可制造性驗(yàn)證結(jié)果，在步驟410中選擇出具有最差性能的片段。例如，步驟 S410包括根據(jù)可制造性驗(yàn)證結(jié)果識(shí)別出對(duì)SRAM優(yōu)化的源的過(guò)程窗口產(chǎn)生最大限制性作用 的5至15個(gè)片段。SRAM圖案和熱點(diǎn)之后被用作圖3的示例性的全芯片SMO流程中的子組306。在下一實(shí)施例中，用原始源和模型，從全組片段中識(shí)別出熱點(diǎn)，這些熱點(diǎn)被選出作 為用于SMO的圖案的子組。例如，如圖5所示，根據(jù)這一實(shí)施例的圖案選擇在步驟S502中通過(guò)識(shí)別出用于 光刻過(guò)程的原始源和模型而開(kāi)始。例如，環(huán)形照射源被用作初始源。該模型可以是在 計(jì)算光刻術(shù)和空間圖像模擬中使用的光刻過(guò)程的任何模型，且可以包括傳遞交叉系數(shù) (Transmission CrossCoefficients，TCCs)，如在美國(guó)專利 No. 7，342，646 中描述的。在步驟S504中，通過(guò)使用源和模型以及全組片段302來(lái)執(zhí)行可制造性驗(yàn)證。驗(yàn)證 處理可以類似于關(guān)于圖3中的步驟310在上文描述的那樣。在步驟S506中，通過(guò)使用對(duì)于全組片段302中的每一個(gè)片段的驗(yàn)證結(jié)果，來(lái)計(jì)算 嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)(severity score)，以識(shí)別熱點(diǎn)。在一個(gè)非限制性例子中，嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)被這樣計(jì) 算分?jǐn)?shù)=歸一化的(+EPE) +歸一化的(-EPE) +2*歸一化的MEEF其中，EPE是邊緣定位誤差，MEEF是掩模誤差增強(qiáng)因子。在步驟S508中，具有最高的分?jǐn)?shù)的片段被識(shí)別為熱點(diǎn)。例如，步驟S508包括識(shí)別 5至15個(gè)具有如上文所計(jì)算的最高的嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)的片段。這些片段之后用作為圖3的示例性全芯片SMO流程中的子組306。在實(shí)施例中，來(lái) 自目標(biāo)設(shè)計(jì)300的兩個(gè)SRAM圖案也被包含在子組306中。在下一實(shí)施例中，在全組片段302上執(zhí)行分析，且給出最佳特征和節(jié)距覆蓋范圍 的這些片段被選作SMO的子組圖案。例如，如圖6所示，根據(jù)這一實(shí)施例的圖案選擇在步驟S602中通過(guò)根據(jù)特征類型 對(duì)片段進(jìn)行分類而開(kāi)始。例如，所述片段可以通過(guò)電路圖案(例如門或邏輯)的類型或通 過(guò)方向或復(fù)雜性等進(jìn)行分類。在步驟S604中，每一類中的片段被進(jìn)一步通過(guò)節(jié)距進(jìn)行挑選(sort)。在步驟S606中，片段中的每一個(gè)被在小的節(jié)距區(qū)域中進(jìn)行采樣，以確定將對(duì)于類 型和節(jié)距提供的覆蓋范圍。在步驟S608中，具有最小節(jié)距和最高單元密度的片段被從在步驟S606中給出期 望的覆蓋范圍的片段中選出。例如，步驟S608包括識(shí)別5至15個(gè)具有最佳設(shè)計(jì)覆蓋范圍 和節(jié)距從最小節(jié)距至1. 5倍最小節(jié)距的片段。
這些片段之后被用作圖3中的示例性全芯片SMO流程中的子組306。在實(shí)施例中， 來(lái)自目標(biāo)設(shè)計(jì)300的兩個(gè)SRAM圖案也被包含在子組306中。在下一實(shí)施例中，分析在全組片段上執(zhí)行，根據(jù)過(guò)程的原始模型對(duì)特定過(guò)程參數(shù) 具有最高敏感度的這些片段被選作SMO的子組圖案。例如，如圖7所示，根據(jù)這一實(shí)施例的圖案選擇在步驟S702中通過(guò)識(shí)別用于光 刻過(guò)程的原始模型而開(kāi)始。類似于步驟S502，所述模型可以是用于計(jì)算光刻術(shù)和空間圖 像模擬中的光刻過(guò)程的任何模型，且可以包括傳遞交叉系數(shù)(TCCs)，如例如在美國(guó)專利 No. 7，342, 646 中描述的。在步驟S704中，將切割線設(shè)置在圖案中，且位于全組片段302中的每一個(gè)片段的 中心處。在步驟S706中，使用原始模型對(duì)每個(gè)片段計(jì)算過(guò)程參數(shù)敏感度。例如，所述過(guò)程 參數(shù)可以是劑量和焦距，所述敏感度可以通過(guò)運(yùn)行使用在步驟S702中識(shí)別的光刻過(guò)程模 擬模型的空間圖像模擬來(lái)計(jì)算。在各種過(guò)程條件期間的切割線處的片段的行為之后被分 析，以確定它們的敏感度。在步驟S708中，對(duì)過(guò)程參數(shù)變化具有最高敏感度的片段被選擇。例如，步驟S708 包括識(shí)別5至15個(gè)對(duì)劑量和焦距變化具有最高敏感度的片段。這些片段之后被用作圖3中的示例性全芯片SMO流程中的子組306。在實(shí)施例中， 來(lái)自目標(biāo)設(shè)計(jì)300的兩個(gè)SRAM圖案也包含在子組306中。在下一實(shí)施例中，分析在全組片段上執(zhí)行，這些提供最佳衍射級(jí)分布的片段被選 擇作為用于SMO的子組圖案。圖案的衍射級(jí)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的，且可以被確定，例 如如在美國(guó)專利公開(kāi)出版物No. 2004/0265707中描述的。例如，如圖8所示，根據(jù)這一實(shí)施例的圖案選擇在步驟S802中通過(guò)對(duì)于全組片段 302中的每一個(gè)片段計(jì)算衍射級(jí)行為而開(kāi)始。諸多可能的方法可以用于計(jì)算衍射級(jí)行為，例 如參見(jiàn)美國(guó)專利公開(kāi)出版物No. 2004/(^65707。在步驟S804中，全組片段的計(jì)算的衍射級(jí)被比較，且在步驟S806中，片段被根據(jù) 它們的衍射級(jí)分布而進(jìn)行分類。例如，可以計(jì)算片段中的每一個(gè)片段之間的幾何相關(guān)度，可 以執(zhí)行分類方法，以將大多數(shù)類似的片段一起分到一類。在步驟S808中，從每一類(group)中選出一個(gè)片段。例如，步驟S806包括形成5 至15類片段，隨機(jī)地從每一類中選出一個(gè)片段。圖9示出了已經(jīng)根據(jù)一組全片段計(jì)算出的 15個(gè)獨(dú)立的片段的示例性衍射級(jí)分布902。這些片段之后被用作圖3中的示例性的全芯片SMO的流程中的子組306。在實(shí)施 例中，來(lái)自目標(biāo)設(shè)計(jì)300的兩個(gè)SRAM圖案也被包含在子組306中。關(guān)于圖8描述的基于衍射級(jí)的圖案選擇方法與其它方法相比的一些優(yōu)點(diǎn)在于，不 需要開(kāi)始條件(例如開(kāi)啟照射源)，不需要抗蝕劑模型，和不需要模型。它僅需要目標(biāo)圖案， 因此它是過(guò)程依賴的。圖10是比較上文描述的各種圖案選擇方法與傳統(tǒng)的全芯片SMO方法的過(guò)程窗口 性能的圖表。如所示的，所有的方法對(duì)原始的過(guò)程窗口都進(jìn)行了改善，且衍射級(jí)方法給出了 最接近于全芯片SMO的性能。圖11是比較上文描述的各種圖案選擇方法與傳統(tǒng)的全芯片SMO方法的處理運(yùn)行12時(shí)間性能的圖表。如所示的，所有的方法都改善了傳統(tǒng)的運(yùn)行時(shí)間，且衍射級(jí)方法給出了最 佳的改進(jìn)。圖12是顯示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100的方塊圖，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以輔助執(zhí)行此處公開(kāi)的優(yōu) 化方法和流程。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100包括總線102或其它用于信息通信的通信機(jī)制；和與總線 102耦接的用于處理信息的處理器104。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還包括主存儲(chǔ)器106 (諸如隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器(RAM)或其它動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存裝置)，所述主存儲(chǔ)器106耦接至總線102用于儲(chǔ)存被處理 器104執(zhí)行的信息和指令。主存儲(chǔ)器106還可以用于在由處理器104執(zhí)行的指令的執(zhí)行期 間儲(chǔ)存臨時(shí)變量或其它中間信息。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還包括被耦接至總線102的只讀存儲(chǔ)器 (ROM) 108或其它靜態(tài)儲(chǔ)存裝置，其用于存儲(chǔ)用于處理器104的靜態(tài)信息和指令。存儲(chǔ)裝置 110(諸如磁盤或光盤)設(shè)置和耦接至總線102，用于存儲(chǔ)信息和指令。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可以經(jīng)由總線102耦接至顯示器112(諸如陰極射線管(CRT)或 平板或觸摸面板顯示器)，用于給計(jì)算機(jī)使用者顯示信息。輸入裝置114(包括字母數(shù)字鍵 和其它鍵)耦接至用于將信息和命令選擇與處理器104通信的總線102。另一類型的使用 者輸入裝置是光標(biāo)控制器116(諸如鼠標(biāo)、軌跡球、或光標(biāo)方向鍵)，用于將方向信息和命令 選擇與處理器104通信和用于控制顯示器112上的光標(biāo)移動(dòng)。這一輸入裝置典型地在兩個(gè) 軸線(第一軸線(例如χ)和第二軸線(例如y))上具有兩個(gè)自由度，這允許裝置指定平面 中的位置。觸摸面板(屏)顯示器也可以用作輸入裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，優(yōu)化過(guò)程的部分可以通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100響應(yīng)于執(zhí)行 包含在主儲(chǔ)存器106中的一個(gè)或更多的指令的一個(gè)或更多的序列的處理器104而被執(zhí)行。 這樣的指令可以被從另一計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如儲(chǔ)存裝置110)讀取到主儲(chǔ)存器106中。包 含在主存儲(chǔ)器106中的指令的序列的執(zhí)行使得處理器104執(zhí)行此處描述的過(guò)程步驟。在多 個(gè)處理布置中的一個(gè)或更多的處理器也可以被用于執(zhí)行包含在主存儲(chǔ)器106中的指令的 序列。在可替代的實(shí)施例中，硬接線電路可以用于替代軟件指令或與軟件指令結(jié)合，以實(shí)施 本發(fā)明。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不限于任何特定的硬件電路和軟件的組合。如此處使用的術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”表示參與為了執(zhí)行而提供指令至處理器104 的任何介質(zhì)。這樣的介質(zhì)可以采用許多形式，包括但不限于非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì)和傳 輸介質(zhì)。非易失性介質(zhì)包括例如光盤或磁盤，諸如儲(chǔ)存裝置110。易失性介質(zhì)包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ) 器，諸如主儲(chǔ)存器106。傳輸介質(zhì)包括同軸電纜、銅導(dǎo)線和光纖，包含包括總線102的導(dǎo)線。 傳輸介質(zhì)還可以采用聲波或光波的形式，諸如在射頻(RF)和紅外(IR)數(shù)據(jù)通信期間產(chǎn)生 的這些聲波或光波。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的通常形式包括例如軟盤、軟碟(flexible disk)、硬 盤、磁帶、任何其它磁介質(zhì)、CD-ROM、DVD、任何其它光學(xué)介質(zhì)、穿孔卡、紙帶、任何具有孔圖案 的其它物理介質(zhì)、RAM、PROM和EPR0M、FLASH-EPR0M、任何其它儲(chǔ)存器芯片或卡盒、如下文描 述的載波或計(jì)算機(jī)可以讀取的任何其它介質(zhì)。各種形式的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可能涉及將一個(gè)或更多的指令中的一個(gè)或更多的序 列傳送至處理器104，用于執(zhí)行。例如，指令可以最初出現(xiàn)在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的磁盤上。遠(yuǎn)程計(jì) 算機(jī)可以加載指令到其動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中且使用調(diào)制解調(diào)器在電話線上發(fā)送所述指令。在計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)100本地的調(diào)制解調(diào)器可以接收電話線上的數(shù)據(jù)，且使用紅外發(fā)送器將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成 紅外信號(hào)。耦接至總線102的紅外探測(cè)器可以接收在紅外信號(hào)中攜帶的數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)放置 到總線102上?？偩€102將數(shù)據(jù)傳送至主存儲(chǔ)器106，處理器104從主存儲(chǔ)器重新獲得和執(zhí)行指令。由主存儲(chǔ)器106接收的指令可以可選擇地在處理器104的執(zhí)行之前或之后被儲(chǔ)存 在儲(chǔ)存裝置110上。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還優(yōu)選地包括耦接至總線102的通信接口 118。通信接口 118提 供耦接至網(wǎng)絡(luò)鏈路120的雙向數(shù)據(jù)通信，該網(wǎng)絡(luò)鏈路120連接至本地網(wǎng)絡(luò)122。例如，通信 接口 118可以是綜合業(yè)務(wù)數(shù)字網(wǎng)(ISDN)卡或調(diào)制解調(diào)器，用于提供數(shù)據(jù)通信連接至對(duì)應(yīng)類 型的電話線。作為另一例子，通信接口 118可以是局域網(wǎng)(LAN)卡，以提供數(shù)據(jù)通信連接至 兼容的LAN。無(wú)線鏈路也可以被實(shí)現(xiàn)。在任何這樣的實(shí)施方式中，通信接口 118發(fā)送和接收 電、電磁或光信號(hào)，其攜帶表示各種類型的信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流。典型地，網(wǎng)絡(luò)鏈路120通過(guò)一個(gè)或更多的網(wǎng)絡(luò)將數(shù)據(jù)通信提供至其它數(shù)據(jù)裝置。 例如，網(wǎng)絡(luò)鏈路120可以通過(guò)本地網(wǎng)絡(luò)122提供連接至主機(jī)IM或由網(wǎng)絡(luò)服務(wù)商(ISP) 126 操作的數(shù)據(jù)設(shè)備。ISPU6又通過(guò)全球分組數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)(現(xiàn)在被通常稱為“互聯(lián)網(wǎng)”)1 提供數(shù)據(jù)服務(wù)。本地網(wǎng)絡(luò)122和互聯(lián)網(wǎng)1 都使用攜帶數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流的電、電磁或光信號(hào)。通 過(guò)各種網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)和網(wǎng)絡(luò)鏈路120上和通過(guò)通信接口 118的信號(hào)將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送至計(jì)算機(jī) 系統(tǒng)100和從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100傳送回，其是運(yùn)送信息的載波的示例性形式。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)、網(wǎng)絡(luò)鏈路120和通信接口 118發(fā)送信息和接收數(shù) 據(jù)，包括程序碼。在互聯(lián)網(wǎng)的例子中，服務(wù)器130可以通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)128、ISP126、局域網(wǎng)122 和通信接口 118為應(yīng)用程序發(fā)送請(qǐng)求碼。根據(jù)本發(fā)明，一個(gè)這樣的被下載的應(yīng)用程序提供 用于例如實(shí)施例的照射優(yōu)化。在它在儲(chǔ)存裝置110或其它用于之后的執(zhí)行的非易失性儲(chǔ)存 器中被接收和/或儲(chǔ)存時(shí)，接收碼可以被處理器104執(zhí)行。如此，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可以獲得 成載波形式的應(yīng)用碼。圖13示意性地顯示示例性的光刻投影設(shè)備，其照射源可以通過(guò)使用本發(fā)明的過(guò) 程而被優(yōu)化。所述設(shè)備包括輻射系統(tǒng)Ex、IL，用于供給投影輻射束PB。在這一特定的情形中，輻射系統(tǒng)還包括 輻射源LA ；第一載物臺(tái)(掩模臺(tái))MT，設(shè)置有用于保持掩模MA(例如掩模版)的掩模保持器并 連接至第一定位裝置，所述第一定位裝置用于精確地相對(duì)于對(duì)象PL定位掩模；第二載物臺(tái)(襯底臺(tái))WT，設(shè)置有用于保持襯底W(例如涂覆抗蝕劑的硅晶片)的 襯底保持器和連接至第二定位裝置，所述第二定位裝置用于相對(duì)于對(duì)象PL精確地定位襯 底；投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如折射式、反射式或折射反射式的光學(xué)系統(tǒng))，用于將 掩模MA的受輻射部分成像到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一個(gè)或更多的管芯)。如此處顯示的，所述設(shè)備是透射式(即具有透射式掩模)。然而，通常它還可以是 反射式的，例如(具有反射式掩模)?？商娲?，所述設(shè)備可以采用另一類型的圖案形成裝 置來(lái)作為替代掩模使用；例子包括可編程反射鏡陣列或LCD矩陣。源LA(例如汞燈或準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射束。例如，這一輻射束被直接地供給 到照射系統(tǒng)(照射器)IL中，或在穿過(guò)調(diào)節(jié)裝置(諸如擴(kuò)束器Ex)之后供給到照射系統(tǒng)IL 中。照射器IL可以包括調(diào)整裝置AM，所述調(diào)整裝置AM用于設(shè)定在束中的強(qiáng)度分布的外部 和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)。另外，它通常包括各種其它部 件，諸如積分器IN和聚光器CO。這樣，照射到掩模MA上的束PB在其橫截面中具有期望的均勻性和強(qiáng)度分布。關(guān)于圖13應(yīng)當(dāng)注意的是，源LA可以位于光刻投影設(shè)備的殼體內(nèi)(當(dāng)源LA是例如 汞燈時(shí)經(jīng)常是這樣的情形)，但是它還可以遠(yuǎn)離光刻投影設(shè)備，其產(chǎn)生的輻射束被引導(dǎo)到所 述設(shè)備中(例如在適合的定向反射鏡的幫助下)；所述后一種情況通常是當(dāng)源LA是準(zhǔn)分子 激光器(例如是基于KrF，ArF或F2激光的準(zhǔn)分子激光器)的情形。本發(fā)明包括這些情況 中的至少兩個(gè)。輻射束PB隨后被保持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA所攔截。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA之后， 所述束PB穿過(guò)透鏡PL，其將束PB聚焦到襯底W的目標(biāo)部分C上。在第二定位裝置(和干 涉儀測(cè)量裝置IF)的輔助下，襯底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，例如以便在束PB的路徑上定位不 同的目標(biāo)部分C。類似地，例如在從掩模庫(kù)機(jī)械獲取掩模MA之后或在掃描期間，第一定位裝 置可以用于相對(duì)于束PB的路徑定位掩模MA。通常，在長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊 (精定位)(未在圖13中明確地示出)的幫助下，實(shí)現(xiàn)載物臺(tái)MT、WT的移動(dòng)。然而，在晶片 步進(jìn)機(jī)的情形中(與步進(jìn)掃描工具相反)，掩模臺(tái)MT可以僅僅連接至短行程致動(dòng)器或可以 是固定的。所示出的工具可以在兩種不同的模式中使用在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT可以保持為基本靜止，且一次(即單個(gè)“閃光”)將整個(gè) 掩模圖像投影到目標(biāo)部分C上。襯底臺(tái)WT之后在X和/或y方向上被移動(dòng)，使得可以通過(guò) 束PB來(lái)輻射不同的目標(biāo)部分C。在掃描模式中，除了給定的目標(biāo)部分C不在單個(gè)“閃光”中曝光之外，實(shí)質(zhì)上應(yīng)用 了相同的方式。相反，掩模臺(tái)MT可以沿給定方向(所謂“掃描方向”，例如y方向)以速度 ν移動(dòng)，使得投影束PB在掩模圖像上掃描；同時(shí)，襯底臺(tái)WT沿同一或相反的反向以速度V = Mv同時(shí)地移動(dòng)，其中M是透鏡PL的放大率(典型地M= 1/4或1/5)。這樣，可以曝光相對(duì) 大的目標(biāo)部分C，而不對(duì)分辨率進(jìn)行折衷。此處公開(kāi)的概念可以模擬或在數(shù)學(xué)上對(duì)用于使亞波長(zhǎng)特征成像的任何一般性成 像系統(tǒng)進(jìn)行建模，且可能隨著能夠產(chǎn)生尺寸不斷變小的波長(zhǎng)的成像技術(shù)的出現(xiàn)是特別有用 的。已經(jīng)使用的現(xiàn)有的技術(shù)包括EUV(極紫外線)光刻術(shù)，其能夠用ArF激光器產(chǎn)生193nm 波長(zhǎng)，甚至可以用氟激光器產(chǎn)生157nm的波長(zhǎng)。此外，EUV光刻術(shù)能夠通過(guò)使用同步加速器 或通過(guò)用高能電子撞擊材料(固體或等離子體)來(lái)產(chǎn)生在20-5nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)，用于產(chǎn)生 在這一范圍內(nèi)的光子。因?yàn)榇蠖鄶?shù)材料在這一范圍內(nèi)是吸收性的，所以通過(guò)具有鉬和硅的 多個(gè)疊層的反射鏡來(lái)產(chǎn)生照射。所述多個(gè)疊層的反射鏡具有40層對(duì)(layer paris)的鉬 和硅，此時(shí)每一層的厚度是1/4波長(zhǎng)?？梢杂肵射線光刻術(shù)來(lái)產(chǎn)生甚至更小的波長(zhǎng)。典型 地，同步加速器用于產(chǎn)生X射線波長(zhǎng)。因?yàn)榇蠖鄶?shù)材料在χ射線波長(zhǎng)處是吸收性的，所以吸 收材料的薄片限定了特征將在何處印刷(正抗蝕劑)或在何處不印刷(負(fù)抗蝕劑)。雖然此處公開(kāi)的概念可以用于在諸如硅晶片的襯底上成像，但是應(yīng)當(dāng)理解，所公 開(kāi)的概念可以與任何類型的光刻成像系統(tǒng)一起使用，例如用于在除了硅晶片之外的襯底上 成像的那些光刻成像系統(tǒng)。上文描述是說(shuō)明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚可以在不 背離所附的權(quán)利要求的范圍的情況下對(duì)本發(fā)明做出修改?？梢酝ㄟ^(guò)使用下述的方面來(lái)進(jìn)一步描述本發(fā)明；15
1. 一種用于優(yōu)化光刻過(guò)程的方法，所述光刻過(guò)程用于使設(shè)計(jì)的一部分在襯底上成 像，所述方法包括以下步驟從所述設(shè)計(jì)識(shí)別出全組片段；從所述全組片段選出子組片段；優(yōu)化用于使所述選出的子組片段成像的光刻過(guò)程的照射源；和使用所述優(yōu)化的照射源來(lái)優(yōu)化在所述光刻過(guò)程中被成像的所述全組片段。2.根據(jù)方面1所述的方法，其中所述選出子組片段的步驟包括為所述全組片段中的每一個(gè)片段計(jì)算衍射級(jí)分布；基于所計(jì)算的衍射級(jí)分布將所述全組片段分成多個(gè)類；和從每一類中選出一個(gè)或更多個(gè)代表性片段作為所述子組。3.根據(jù)方面1所述的方法，其中所述選出子組片段的步驟包括在所述全組片段中識(shí)別出一個(gè)或更多個(gè)儲(chǔ)存器圖案；針對(duì)所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器圖案，預(yù)先優(yōu)化所述照射源；使用所述預(yù)先優(yōu)化的照射源來(lái)確定在所述全組片段中的可能的熱點(diǎn)；和基于所確定的可能的熱點(diǎn)選出所述子組。4.根據(jù)方面1所述的方法，其中所述選出子組片段的步驟包括識(shí)別出用于所述光刻過(guò)程的原始照射源；使用所述原始照射源來(lái)確定所述全組片段中的可能的熱點(diǎn)；和基于所確定的可能的熱點(diǎn)選出所述子組。5.根據(jù)方面1所述的方法，其中所述選出子組片段的步驟包括通過(guò)設(shè)計(jì)類型將所述全組片段中的圖案分成多個(gè)類；通過(guò)節(jié)距和特征類型對(duì)每類中的圖案進(jìn)行挑選，以確定每類中的優(yōu)化圖案；和選擇出每類中的所述優(yōu)化圖案作為所述子組。6.根據(jù)方面1所述的方法，其中所述選出子組片段的步驟包括識(shí)別所述光刻過(guò)程的模擬模型；使用所述模型來(lái)針對(duì)所述全組片段中的每一個(gè)片段估計(jì)過(guò)程參數(shù)敏感度；和基于所估計(jì)出的過(guò)程參數(shù)敏感度選出所述子組。7. 一種在其上記錄有指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)在被計(jì)算機(jī)讀 取時(shí)，使所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行用于優(yōu)化使設(shè)計(jì)的一部分在襯底上成像的光刻過(guò)程的方法，所述 方法包括步驟從所述設(shè)計(jì)的所述部分選出子組圖案；優(yōu)化用于使所選出的子組圖案成像的光刻過(guò)程的照射源；和使用所述優(yōu)化的照射源來(lái)優(yōu)化在所述光刻過(guò)程中被成像的所述設(shè)計(jì)的所述部分。8.根據(jù)方面7所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述設(shè)計(jì)的所述部分包括片段，其中 所述選出子組圖案的步驟包括以下步驟從所述設(shè)計(jì)識(shí)別出全組片段；從所述全組片段選出子組片段；其中所述優(yōu)化照射源的步驟包括優(yōu)化使所述選出的子組片段成像的光刻過(guò)程的 照射源；和
其中所述使用優(yōu)化的照射源的步驟包括使用所述優(yōu)化的照射源來(lái)優(yōu)化在光刻過(guò) 程中成像的所述全組片段。9.根據(jù)方面7或8所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述選出步驟包括為所述設(shè)計(jì)的所述部分中的圖案計(jì)算衍射級(jí)分布；基于所計(jì)算的衍射級(jí)分布將所述圖案分成多個(gè)類；和從每一類中選出一個(gè)或更個(gè)的代表性圖案作為所述子組圖案。10.根據(jù)方面7或8所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述選出步驟包括在所述設(shè)計(jì)的所述部分中識(shí)別出一個(gè)或更多個(gè)儲(chǔ)存器圖案；針對(duì)所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器圖案預(yù)先優(yōu)化所述照射源；使用所述預(yù)先優(yōu)化的照射源來(lái)確定在所述設(shè)計(jì)的所述部分中的可能的熱點(diǎn)；和基于所確定的可能的熱點(diǎn)選出所述子組圖案。11.根據(jù)方面7或8所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述選出步驟包括識(shí)別出用于所述光刻過(guò)程的原始照射源；使用所述原始照射源來(lái)確定所述設(shè)計(jì)的所述部分中的可能的熱點(diǎn)；和基于所確定的可能的熱點(diǎn)選出所述子組圖案。12.根據(jù)方面10或11所述的方法，其中所述方法還包括以下步驟為所述熱點(diǎn)計(jì)算嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)；和選出具有預(yù)定的嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)的熱點(diǎn)或具有預(yù)定嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)范圍的熱點(diǎn)。13.根據(jù)方面7或8所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述選出步驟包括通過(guò)設(shè)計(jì)類型將所述設(shè)計(jì)中的所述部分內(nèi)的圖案分成多個(gè)類；通過(guò)節(jié)距和特征類型對(duì)每一類中的圖案進(jìn)行挑選，以確定每一類中的優(yōu)化圖案； 和選擇出每一類中的所述優(yōu)化圖案作為所述子組圖案。14.根據(jù)方面7或8所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述選出步驟包括識(shí)別所述光刻過(guò)程的模擬模型；使用所述模型來(lái)針對(duì)所述設(shè)計(jì)的所述部分中的圖案估計(jì)過(guò)程參數(shù)敏感度；和基于所估計(jì)出的過(guò)程參數(shù)敏感度選出所述子組圖案。15.根據(jù)方面7至15中任一方面所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，還包括確定對(duì)于所述優(yōu)化的子組圖案的光刻過(guò)程性能度量是否是可接受的；和如果所確定的度量是不可接受的，那么增加具有可能的熱點(diǎn)的片段至所述子組且 重復(fù)所述優(yōu)化步驟。16.根據(jù)方面7至15中任一方面所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述優(yōu)化所述照射 源的步驟包括使用所述光刻過(guò)程的模型、所述照射源和所述子組圖案來(lái)模擬光刻過(guò)程性 能，以確定所述性能是否是可接受的。17.根據(jù)方面7至16中任一方面所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述優(yōu)化所述設(shè)計(jì) 的所述部分的步驟包括基于所述優(yōu)化的照射源在所述特定的圖案上執(zhí)行光學(xué)鄰近效應(yīng)校正。
權(quán)利要求
1.一種用于優(yōu)化光刻過(guò)程的方法，所述光刻過(guò)程用于使設(shè)計(jì)的一部分在襯底上成像， 所述方法包括以下步驟從所述設(shè)計(jì)的所述部分中選出子組圖案；優(yōu)化用于使所述選出的子組圖案成像的光刻過(guò)程的照射源；和使用所述優(yōu)化的照射源來(lái)優(yōu)化在所述光刻過(guò)程中被成像的所述設(shè)計(jì)的所述部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述設(shè)計(jì)的所述部分包括全芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述設(shè)計(jì)的所述部分包括片段，其中所述選出子 組圖案的步驟包括以下步驟從所述設(shè)計(jì)識(shí)別出全組片段； 從所述全組片段選出子組片段；其中所述優(yōu)化照射源的步驟包括優(yōu)化用于使所述選出的子組片段成像的光刻過(guò)程的 照射源；和其中所述使用優(yōu)化的照射源的步驟包括使用所述優(yōu)化的照射源來(lái)優(yōu)化在光刻過(guò)程中 成像的所述全組片段。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述選出子組圖案的步驟包括以下步驟 為所述設(shè)計(jì)的所述部分中的圖案計(jì)算衍射級(jí)分布；基于所計(jì)算的衍射級(jí)分布將所述圖案分成多個(gè)類；和 從每一類中選出一個(gè)或更多個(gè)代表性圖案作為所述子組圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述選出子組圖案的步驟包括以下步驟 在所述設(shè)計(jì)的所述部分中識(shí)別出一個(gè)或更多個(gè)儲(chǔ)存器圖案；針對(duì)所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器圖案預(yù)先優(yōu)化所述照射源；使用所述預(yù)先優(yōu)化的照射源來(lái)確定在所述設(shè)計(jì)的所述部分中的可能的熱點(diǎn)；和基于所確定的可能的熱點(diǎn)選出所述子組圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述選出子組圖案的步驟包括以下步驟 識(shí)別出用于所述光刻過(guò)程的原始照射源；使用所述原始照射源來(lái)確定在所述設(shè)計(jì)的所述部分中的可能的熱點(diǎn)；和 基于所確定的可能的熱點(diǎn)選出所述子組圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中所述方法還包括以下步驟 針對(duì)熱點(diǎn)計(jì)算嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)；和選出具有預(yù)定的嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)的熱點(diǎn)或具有在預(yù)定的嚴(yán)重度分?jǐn)?shù)范圍內(nèi)的嚴(yán)重度分?jǐn)?shù) 白勺^^ ； ^^ ο
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述選出子組圖案的步驟包括以下步驟 通過(guò)設(shè)計(jì)類型將所述設(shè)計(jì)的所述部分中的圖案分成多個(gè)類；通過(guò)節(jié)距和特征類型對(duì)每一類中的圖案進(jìn)行挑選，以確定每一類中的優(yōu)化圖案；和 選擇出每一類中的所述優(yōu)化圖案作為所述子組圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述選出子組圖案的步驟包括 識(shí)別所述光刻過(guò)程的模擬模型；使用所述模型來(lái)針對(duì)所述設(shè)計(jì)的所述部分中的圖案估計(jì)過(guò)程參數(shù)敏感度；和 基于所估計(jì)出的過(guò)程參數(shù)敏感度選出所述子組圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，還包括確定對(duì)于所述優(yōu)化的子組圖案的光刻過(guò)程性能度量是否是可接受的；和如果所確定的度量是不可接受的，那么增加具有可能的熱點(diǎn)的片段至所述子組圖案且 重復(fù)所述優(yōu)化步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述優(yōu)化所述照射源的步驟包括 使用所述光刻過(guò)程的模型、所述照射源和所述子組圖案來(lái)模擬光刻過(guò)程性能，以確定所述 性能是否是可接受的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述優(yōu)化所述設(shè)計(jì)的所述部分的 步驟包括基于所述優(yōu)化的照射源在所述特定的圖案上執(zhí)行光學(xué)鄰近效應(yīng)校正。
13.一種在其上記錄有指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)在被計(jì)算機(jī)讀取 時(shí)，使所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的用于優(yōu)化使設(shè)計(jì)的一部分在晶 片上成像的光刻過(guò)程的方法。
14.一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)，被配置以提供輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，被配置以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置用于將圖案在所述輻射束 的橫截面中賦予所述輻射束；襯底臺(tái)，被配置以保持襯底；和投影系統(tǒng)，用于將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；其中所述光刻設(shè)備還包括處理器，所述處理器用于配置所述照射系統(tǒng)以根據(jù)權(quán)利要求 1至12中任一項(xiàng)所述的用于優(yōu)化光刻過(guò)程的方法來(lái)產(chǎn)生優(yōu)化的照射源。
15.一種用于賦予來(lái)自光刻設(shè)備的照射系統(tǒng)的輻射束以圖案的圖案形成裝置，所述光 刻設(shè)備被配置成經(jīng)由投影系統(tǒng)將該被賦予圖案的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中所 述圖案形成裝置包括設(shè)計(jì)的優(yōu)化的部分，其中所述設(shè)計(jì)的所述優(yōu)化的部分被根據(jù)權(quán)利要求 1至12中任一項(xiàng)所述的用于優(yōu)化光刻過(guò)程的方法來(lái)確定。
全文摘要
本發(fā)明涉及對(duì)于全芯片源的圖案選擇和掩模優(yōu)化的光刻設(shè)備和過(guò)程，尤其涉及用于優(yōu)化在光刻設(shè)備和過(guò)程中使用的照射源和掩模的工具。根據(jù)特定的方面，本發(fā)明使得能夠覆蓋全芯片圖案，同時(shí)通過(guò)從在源和掩模優(yōu)化中使用的全組片段智慧地選出小組的臨界設(shè)計(jì)圖案來(lái)降低計(jì)算成本。優(yōu)化步驟僅在這些選出的圖案上執(zhí)行，以獲得優(yōu)化的源。優(yōu)化的源之后用于優(yōu)化全芯片的掩模(例如使用OPC和可制造性驗(yàn)證)，過(guò)程窗口性能結(jié)果被比較。所述結(jié)果與傳統(tǒng)的全芯片SMO是不相上下的，那么該過(guò)程結(jié)束，否則提供各種方法用于使之以迭代的方式收斂到令人滿意的結(jié)果。
文檔編號(hào)G03F1/14GK102054092SQ201010522510
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月28日
發(fā)明者劉華玉 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司