專利名稱：光傳輸裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光傳輸裝置。
背景技術(shù)：
使用光信號的通信在諸如通信裝置和信息終端的電子裝置之間進行或者在電子裝置內(nèi)部進行。一種光傳輸模塊現(xiàn)已在商業(yè)上用于電子裝置內(nèi)的距離相對較短的光通信， 這種光傳輸模塊包括發(fā)送側(cè)電路板、接收側(cè)電路板以及柔性膜光傳輸路徑，在發(fā)送側(cè)電路板上安裝有發(fā)送光信號的發(fā)光元件，在接收側(cè)電路板上安裝有接收光信號的光接收元件， 柔性膜光傳輸路徑從發(fā)光元件向光接收元件傳輸光。膜式光波導(如平板波導)對光傳輸模塊的封裝提供了較大的自由度，并且使得這種光傳輸模塊的尺寸較小。例如，將功耗低的垂直腔體表面發(fā)射型激光(VCSEL) 二極管用于發(fā)光元件。為了使得在發(fā)光元件或光接收元件與膜式光波導之間容易光耦合，公開了提供補償部件的方法(參考文獻1)、以及用粘合材料將膜式光波導固定到基板的方法(參考文獻 2)，所述補償部件保持安裝有元件的基板與膜式光波導之間的特定距離。[參考文獻1]日本專利申請?zhí)亻_2007-148107號公報[參考文獻2]日本專利申請?zhí)亻_2007-286^9號公報[參考文獻3]日本專利申請?zhí)亻_2007-298580號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題本發(fā)明的目的在于提供一種光傳輸裝置，該光傳輸裝置保護發(fā)送光信號的發(fā)光元件和接收光信號的光接收元件不被靜電破壞。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光傳輸裝置，該光傳輸裝置包括基板，在所述基板上形成有包括發(fā)送或接收光信號的半導體層的元件部、以及包括導電性半導體層的支承部；光傳輸部件，該光傳輸部件被布置成面對所述元件部和所述支承部，并且光耦合到所述元件部；以及導電部件，該導電部件設(shè)置在所述支承部上，并且電接觸所述光傳輸部件。在所述光傳輸裝置的第一變型例中，所述元件部包括第一導電類型的第一半導體層、和作為與所述第一導電類型不同的導電類型的第二導電類型的第二半導體層，并且具有沿所述基板的法線方向發(fā)光或接收光的表面；并且，所述支承部包括由與所述元件部的材料相同的材料構(gòu)成的半導體層。在所述光傳輸裝置的第二變型例中，所述支承部在面對所述光傳輸部件的表面中包括電連接到所述導電性半導體層的金屬電極；并且，在所述金屬電極中形成有用于保持所述導電部件的凹部。在所述光傳輸裝置的第三變型例中，所述導電部件用粘合性而結(jié)合到所述光傳輸部件。
在所述光傳輸裝置的第四變型例中，在所述支承部的面對所述光傳輸部件的表面中形成的金屬電極的膜厚度大于在所述元件部的頂部上形成的金屬電極的膜厚度。在所述光傳輸裝置的第五變型例中，所述支承部的面對所述光傳輸部件的表面的面積大于所述元件部的頂部的面積。在所述光傳輸裝置的第六變型例中，在所述基板上形成有多個支承部；并且所述光傳輸部件由分別設(shè)置在所述多個支承部的面對所述光傳輸部件的表面的多個導電部件支承。在所述光傳輸裝置的第七變型例中，所述光傳輸部件由具有撓性的樹脂構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光傳輸裝置，該光傳輸裝置包括發(fā)送側(cè)基板，在該發(fā)送側(cè)基板上形成有第一元件部和第一支承部，所述第一元件部包括發(fā)送光信號的半導體層，所述第一支承部包括導電性半導體層；接收側(cè)基板，在該接收側(cè)基板上形成有接收光信號的第二元件部；光傳輸部件，該光傳輸部件包括第一端部、光傳輸路徑和第二端部，光信號進入所述第一端部，所述光傳輸路徑傳輸進入所述第一端部的光信號，所述第二端部發(fā)射所傳輸?shù)墓庑盘?；以及第一導電部件，該第一導電部件設(shè)置在所述發(fā)送側(cè)基板的所述第一支承部上；其中，所述第一支承部通過所述第一導電部件支承所述光傳輸部件，使得所述第一端部光耦合到所述第一元件部；并且所述第二端部光耦合到所述第二元件部。在所述光傳輸裝置的變型例中，在所述接收側(cè)基板上形成有包括導電性半導體層的第二支承部；在所述第二支承部上設(shè)置有第二導電部件；并且所述第二支承部通過所述第二導電部件支承所述光傳輸部件，使得所述第二端部光耦合到所述第二元件部。本發(fā)明的有益效果 根據(jù)本發(fā)明的方面，與不具有本發(fā)明的導電部件的光傳輸裝置相比，可以保護元件部不被靜電破壞。根據(jù)光傳輸裝置的第一變型例，與支承部包括由與元件部的材料不同的材料構(gòu)成的半導體層的情形相比，可以容易地形成支承部。根據(jù)光傳輸裝置的第二變型例，與不具有凹部的金屬電極相比，可以容易地將導電部件定位在金屬電極上。根據(jù)光傳輸裝置的第三變型例，與不具有粘合特性的導電部件相比，可以強有力地支承光傳輸部件。根據(jù)光傳輸裝置的第四變型例，與膜厚度較小的金屬電極相比，可以補償元件部與光傳輸部件之間的間隙或距離。根據(jù)光傳輸裝置的第五變型例，與僅設(shè)有單個支承部的情形相比，可以抑制對元件部的靜電放電。根據(jù)光傳輸裝置的第六變型例，與不具有本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的支承部相比，可以抑制對元件部的靜電放電。根據(jù)光傳輸裝置的第七變型例，可以將帶電的靜電放電至樹脂。


將基于以下附圖對本發(fā)明的示例性實施方式進行詳細描述，在附圖中圖IA是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的光傳輸模塊的示意性俯視圖，圖IB是從線A-A截取的光傳輸模塊的截面圖；圖2A是垂直腔體表面發(fā)射型激光器的元件部的放大圖，圖2B是從線B-B截取的元件部的截面圖；圖3A是垂直腔體表面發(fā)射型激光器的支承部的截面圖，圖:3B是支承部的俯視圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的光傳輸模塊的俯視圖，圖4B是從線 C-C截取的光傳輸模塊的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的光傳輸模塊的示意性截面圖；以及圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施方式的光傳輸模塊的結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考這些附圖對本發(fā)明的示例性實施方式進行描述。在下面的描述中，垂直腔體表面發(fā)射型激光器將作為發(fā)送光信號的半導體元件的示例，并且將垂直腔體表面發(fā)射型激光器簡稱為VCSEL。圖中的比例是放大后的，以理解本發(fā)明的特征，其與實際裝置的比例不同。[第一示例性實施方式]圖IA是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的光傳輸模塊的俯視圖，圖IB是從線 A-A截取的光傳輸模塊的截面圖。第一示例性實施方式的光傳輸模塊10包括VCSEL 20、平板波導30和導電性粘合材料40，平板波導作為光耦合到VCSEL 20并且傳輸來自VCSEL 20 的激光束L的光傳輸部件，導電性粘合材料提供VCSEL 20和平板波導30之間的電連接以及機械支承。VCSEL 20包括元件部20A和支承部20B，元件部20A在其基板100上具有圓柱形柱或臺，支承部20B具有在離開元件部20A的位置形成的矩形柱或臺。元件部20A和支承部 20B—起在基板100上單片形成，且這二者分別包括相同的半導體層。圓形ρ側(cè)電極墊118 和圓形η側(cè)電極墊1 在基板100上形成。ρ側(cè)電極墊118電連接到元件部20A的ρ型半導體層，且η側(cè)電極墊126電連接到η型半導體層。元件部20Α包括通過將η型半導體層和P型半導體層層疊在基板上而形成的垂直諧振結(jié)構(gòu)，對施加于P側(cè)電極墊118和η側(cè)電極墊126的驅(qū)動信號做出響應，并且向基本垂直于基板100的主表面的方向發(fā)射激光束。支承部20Β的高度與元件部20Α的高度相同，導電性粘合材料40經(jīng)由金屬電極 130安裝在支承部20Β的頂部。導電性粘合材料40電連接到支承部20Β，并且粘合性地接觸平板波導30的背側(cè)。導電性粘合材料40將平板波導30電連接到支承部20Β，并且通過機械支承平板波導30來保持平板波導30的入口部32與元件部20Α之間的距離S恒定。平板波導30由具有撓性的膜型聚合樹脂構(gòu)成。平板波導30包括折射率較高的芯部30Α、和折射率低于芯部30Α的折射率的包層部30Β，并且利用芯部30Α與包層部30Β之間的全反射傳輸光。從元件部20Α發(fā)射的激光束進入平板波導30的入口部32，并且被傳輸至另一個作為發(fā)射側(cè)的端部。圖2Α是示于圖IA中的元件部20Α的放大圖，且圖2Β是從線B-B截取的元件部 20Α的截面圖。在圖2Α中，用陰影示出了 ρ側(cè)電極和η側(cè)電極。通過將緩沖層102、η型分布式布拉格反射器(下面簡稱為DBR) 104、有源區(qū)106和ρ型上DBR 108層疊在η型GaAs基板100上，來形成典型的VCSEL 20。緩沖層102由η型GaAs構(gòu)成。通過交替層疊具有不同Al成分的MGaAs層來形成η型DBR 104。有源區(qū)106包括夾在下間隔體層106Α與上間隔體層106Β之間的量子阱層。通過交替層疊具有不同Al成分的AWaAs層來在有源區(qū) 106上形成ρ型上DBR 108。優(yōu)選的是，在上DBR 108的頂層形成由ρ型GaAs構(gòu)成的接觸層108Α，并且在上DBR 108的底層或上DBR 108內(nèi)形成由ρ型AlAs構(gòu)成的限流層110。通過刻蝕從上DBR 108延伸至下DBR 104的半導體層來在基板100上形成圓柱形元件部20Α。在形成元件部20Α時，同時形成矩形的支承部20Β。限流層110在元件部20Α 的側(cè)表面上暴露，并且具有從側(cè)表面起被選擇性地氧化的氧化區(qū)域和被氧化區(qū)域包圍的圓形導電區(qū)域(氧化的孔徑)。由于AlAs的氧化速度比AlGaAs的氧化速度快，所以能夠形成從元件部20Α的側(cè)表面至內(nèi)部被選擇性地氧化的區(qū)域。導電區(qū)域的獲得基本橫模的直徑例如等于或小于約5 μ m。當導電區(qū)域的直徑大于約5 μ m時，出現(xiàn)包括高階橫模的多模振蕩。 導電區(qū)域的中心變成VCSEL 20的光軸。層間絕緣膜112形成在包括元件部20A的基板的整個表面上，在元件部20A的頂部形成有到層間絕緣膜112的接觸孔。在層間絕緣膜112上形成有ρ側(cè)電極114，如Au或 Au/Ti，并且ρ側(cè)電極114通過接觸孔而歐姆連接到接觸層108A。在ρ側(cè)電極114的中心形成有圓形開口 114Α，開口 114Α的中心基本在光軸上。這個開口 114Α變成光束窗口，從該光束窗口向垂直于基板100的主表面的方向發(fā)射激光束。ρ側(cè)電極114連接到金屬布線116，如圖IA所示。金屬布線116被沿著元件部20Α 的側(cè)壁引導，并且連接到在基板100的表面上形成的圓形電極墊118。電極墊118電連接到基板100用接合線等安裝到的電路板上的布線圖案。通過對半導體層進行刻蝕，在接近于元件部20Α的位置形成有到達緩沖層102的橢圓形或矩形通孔120。在覆蓋通孔120的層間絕緣膜112中形成有用于暴露緩沖層102 的接觸孔。在層間絕緣膜112上在包括通孔120的區(qū)域內(nèi)形成有η側(cè)電極122，η側(cè)電極 122穿過接觸孔而電連接到緩沖層102。η側(cè)電極122具有包圍半個元件部20Α的拱形圖案，如圖IA所示。η側(cè)電極122連接到在基板100上延伸的金屬布線124，且金屬布線IM 連接到圓形電極墊126。電極墊126電連接到基板100用接合線等安裝到的電路板上的布線。圖3Α是VCSEL中形成的支承部20Β的截面圖，圖是支承部20Β的俯視圖。支承部20Β具有通過刻蝕從上DBR延伸至下DBR的半導體層而形成的矩形柱或臺結(jié)構(gòu)。支承部20Β包括與元件部20Α的半導體層相同的半導體層，在作為頂層的接觸層108上形成有金屬電極130。在金屬電極130的中心部位形成有用于定位和保持導電性粘合材料40的圓形凹部132。根據(jù)有待安裝的導電性粘合材料40的形狀、材料和粘度來決定凹部132的尺寸。優(yōu)選的是，金屬電極130由與ρ側(cè)電極114的材料相同的材料構(gòu)成，并且在形成ρ側(cè)電極114的圖案的同時形成。如上所述，形成從金屬電極130至η側(cè)電極122的電流路徑。支承部20Β具有在較短方向上的寬度Dx和在較長方向上的寬度Dy，如圖;3Β所示。 優(yōu)選的是，寬度Dy大于元件部20Α的頂部的直徑，并且被設(shè)定為使得與寬度D (Dy/D)之比恒定，所述寬度D是平板波導30的較短方向上的寬度。通過使得導電性粘合材料40的接觸面積很大，平板波導30的支承變得穩(wěn)定。將導電性粘合材料40提供至金屬電極130的凹部132的內(nèi)部。導電樹脂、銀膏、可從FUJIKURAKASEI有限公司得到的DOTITE (商品名稱)等可以用于導電性粘合材料40。 導電性粘合材料40可以是可固化樹脂，其在凝膠狀態(tài)下裝入金屬電極130的凹部132的內(nèi)部，并且在一定的時間段之后傳導固化，或者可以是導電材料，這種導電材料是可紫外光固化的類型、可見光固化類型或者熱固化類型，并且具有粘合性。如上所述，導電性粘合材料40設(shè)置在支承部20B上，機械支承平板波導30并且向平板波導30提供放電通路。此外，導電性粘合材料40對平板波導30的頂端(入口部)32 與元件部20A分開的一定距離S的高度進行補償。因為在VCSEL 20與平板波導30之間具有間隙的光傳輸模塊10的封裝處理或運行期間容易對由聚合樹脂制成的平板波導30充入靜電，所以存在這種的情形由于在平板波導30彎曲并接觸導電材料的瞬間出現(xiàn)的放電而導致的靜電放電，光元件受到損害。這種情形出現(xiàn)還因為偶然接觸很容易發(fā)生，這是因為除了必須將VCSEL 20與平板波導30靠近地排列直到它們之間的間隙變成約100 μ m以提高VCSEL 20與平板波導30的耦合效率之外，由聚合樹脂構(gòu)成的光波導還具有撓性。需要抵抗光傳輸模塊的靜電的對策，因為根據(jù)使用環(huán)境和季節(jié)，存在容易產(chǎn)生靜電的時間。在第一示例性實施方式的光傳輸模塊10中，在平板波導30的表面上產(chǎn)生的靜電通過導電性粘合材料40被弓丨導至VCSEL 20的支承部20B，從金屬電極130經(jīng)過支承部20B 的P型半導體層108和η型半導體層104，并且被放電到η側(cè)電極122。因此，由于平板波導30因為靜電實際上被放電而未帶電，所以即便平板波導30的作為頂端的入口部32彎曲并接觸VCSEL 20，也不會對元件部20Α發(fā)生靜電放電，并且能保護元件部20Α不被靜電破壞。此外，由于支承部20Β具有與元件部20Α的層疊層結(jié)構(gòu)相同的層疊層結(jié)構(gòu)并且具有比元件部20Α的面積大的面積，所以電阻值比元件部20Α小，并且電涌電流難以流入元件部20Α 中。此外，支承部20Β變成了將平板波導30與元件部20Α對齊的標記，并且通過在金屬電極130內(nèi)形成的凹部132而具有防止導電性粘合材料40流出的結(jié)構(gòu)。[第二示例性實施方式]現(xiàn)在對第二示例性實施方式進行描述。圖4Α是根據(jù)第二示例性實施方式的光傳輸模塊的俯視圖，圖4Β是從線C-C截取的光傳輸模塊的截面圖。在第二示例性實施方式中， 在VCSEL 20的元件部20Α中形成有多個通孔120Α，并且η側(cè)電極122穿過這些多個通孔 120Α電連接到緩沖層102。此外，在VCSEL 20的基板100上形成有三個支承部200、210和 220，各個支承部具有圓形柱或臺結(jié)構(gòu)。三個支承部200、210和220中的每一個具有與元件部20Α的半導體層相同的半導體層，并且以與第一示例性實施方式相同的方式通過金屬電極130在它們的頂部上分別安裝導電性粘合材料40。三個導電性粘合材料40結(jié)合到平板波導30的背側(cè)，并且機械支承平板波導30。通過使用三個導電性粘合材料，寬度較寬的平板波導30的支承可以變得穩(wěn)定。此外，由于支承部200、210和220的接觸面積變大，所以電阻能夠變小，并且電涌電流難以流入元件部20Α中。優(yōu)選的是，將三個支承部200、210和220布置為關(guān)于穿過支承部200的線對稱。 此外，三個支承部200、210和220按相等的距離布置，并且用相等的力來支承平板波導30。 優(yōu)選的是，支承部200、210和220的直徑大于元件部20Α的直徑。除此之外，可以在基板上形成多于四個的支承部，并且將每個支承部制成不同的形狀和尺寸。[第三示例性實施方式]
現(xiàn)在對第三示例性實施方式進行描述。圖5是根據(jù)第三示例性實施方式的光傳輸模塊的VCSEL的示意性截面圖。在第三示例性實施方式中，在支承部20B的頂部上形成的金屬電極300的膜厚度大于元件部20A的ρ側(cè)電極114的膜厚度。如圖5所示，將支承部 20B的金屬電極300的膜厚度tl形成為大于ρ側(cè)電極114的膜厚度t2 (tl > t2)。如果在導電性粘合材料40接觸平板波導30時導電性粘合材料40在高度方向上的厚度減小了多于特定量，則不可能對平板波導30的作為頂端的入口部32與元件部20A之間的距離S進行補償。通過使金屬電極300的膜厚度為tl，即便導電性粘合材料40的形狀發(fā)生變化，也可以對平板波導30的入口部32與元件部20A之間的距離S進行補償。在第三示例性實施方式中，在金屬電極300的表面上形成用于保持和定位導電性粘合材料40的凹部310。由于支承部20B并不發(fā)光，所以凹部310不必將接觸層108A暴露。第三示例性實施方式適用于如第二示例性實施方式中描述的包括多個支承部的VCSEL。[第四示例性實施方式]圖6示出了根據(jù)第四示例性實施方式的光傳輸模塊10A。第四示例性實施方式例示了包括接收從半導體發(fā)光元件發(fā)送的光信號的光接收元件的光傳輸模塊IOA的結(jié)構(gòu)。 VCSEL 20安裝在發(fā)送側(cè)電路板400上，并且平板波導30的一個端部34由VCSEL 20支承。 示于圖IA中的VCSEL20的ρ側(cè)電極墊118和η側(cè)電極墊1 用結(jié)合線電連接到電路板400 上的給定布線圖案。光接收元件420安裝在接收側(cè)電路板410上，并且平板波導30的另一個端部36被支承在光接收元件420的上方。端部36光耦合到光接收元件420。從平板波導30傳輸?shù)墓庑盘柾ㄟ^光接收元件420轉(zhuǎn)換成電信號，并且轉(zhuǎn)換后的電信號提供給電路板 410上的給定布線圖案。由于撓性平板波導30通過導電性粘合材料40而連接到VCSEL 20的支承部20B， 所以在平板波導30的表面上產(chǎn)生的靜電通過支承部20B而放電。由此，即便平板波導30 的端部36接觸光接收元件420，也可以保護光接收元件420不被靜電破壞。本發(fā)明適用于光接收元件側(cè)。更明確來講，提供由與示于圖IA中的光接收元件 420上的光接收元件的材料相同的材料構(gòu)成的支承部，并且在支承部上提供導電性粘合材料，使得導電性粘合材料支承平板波導30的位于光接收元件側(cè)上的端部36。根據(jù)這一點， 平板波導所帶的靜電可以被放電至光接收元件側(cè)上的光接收元件420。光接收元件可以是例如通過將η型半導體層和P型半導體層層疊在基板上而形成的圓柱形或矩形的表面型光接收元件，并且對從基本垂直于基板的主表面的方向進入的光進行光電轉(zhuǎn)換。支承部形成由與光接收元件的半導體層相同的半導體層構(gòu)成的電流通路，并且從平板波導將靜電放電。此外，光接收元件可具有如下的結(jié)構(gòu)m型或P型半導體層層疊在P型或η型硅基板上。 在這種情形中，支承部可以將η型或ρ型半導體層層疊在硅基板上，并且將導電性粘合材料涂覆在其上。在第一示例性實施方式中，通過使用其中在基板的表面上形成VCSEL的η側(cè)電極的實施例來進行描述。不過，可以在基板的背側(cè)上形成η側(cè)電極。在這種情形中，將η型 GaAs基板用作基板。在上述示例性實施方式中，通過將平板波導用作光波導來進行描述。 不過，本發(fā)明適用于具有圓形截面的光波導和光纖。此外，在上述示例性實施方式中，通過將具有選擇性氧化型限流層的VCSEL用作光發(fā)光元件來進行描述。不過，發(fā)光元件可以是不具有振蕩結(jié)構(gòu)的簡易空氣柱結(jié)構(gòu)型的VCSEL、質(zhì)子注入型VCSEL或者發(fā)光二極管。元件部和支承部的形狀并沒有限制，可以是柱狀或柱狀之外的其他形狀。 對本發(fā)明示例性實施方式的前述描述是為了例示和描述的目的而提供的。其并非旨在窮舉或者將本發(fā)明限于所公開的確切形式。顯然，許多變型和修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。選擇并描述這些示例性實施方式是為了最好地說明本發(fā)明的原理及其實際應用，從而使得本領(lǐng)域其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的適用于所構(gòu)想特定用途的各種實施方式和各種變型。旨在由所附權(quán)利要求書及其等同物來限定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種光傳輸裝置，該光傳輸裝置包括基板，在該基板上形成有元件部，其包括發(fā)送或接收光信號的半導體層；和支承部， 其包括導電性半導體層；光傳輸部件，該光傳輸部件被布置成面對所述元件部和所述支承部，并且光耦合到所述元件部；以及導電部件，該導電部件設(shè)置在所述支承部上，并且電接觸所述光傳輸部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳輸裝置，其中，所述元件部包括第一導電類型的第一半導體層、和作為與所述第一導電類型不同的導電類型的第二導電類型的第二半導體層，并且具有沿所述基板的法線方向發(fā)光或接收光的表面；并且所述支承部包括由與所述元件部的材料相同的材料構(gòu)成的半導體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光傳輸裝置，其中，所述支承部在面對所述光傳輸部件的表面中包括電連接到所述導電性半導體層的金屬電極；并且在所述金屬電極中形成有用于保持所述導電部件的凹部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光傳輸裝置，其中，所述導電部件用粘合性而結(jié)合到所述光傳輸部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光傳輸裝置，其中，在所述支承部的面對所述光傳輸部件的表面中形成的金屬電極的膜厚度大于在所述元件部的頂部上形成的金屬電極的膜厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳輸裝置，其中，所述支承部的面對所述光傳輸部件的表面的面積大于所述元件部的頂部的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光傳輸裝置，其中，在所述基板上形成有多個支承部；并且通過分別設(shè)置在所述多個支承部的面對所述光傳輸部件的表面的多個導電部件來支承所述光傳輸部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光傳輸裝置，其中，所述光傳輸部件由具有撓性的樹脂構(gòu)成。
9.一種光傳輸裝置，該光傳輸裝置包括發(fā)送側(cè)基板，在該發(fā)送側(cè)基板上形成有第一元件部，其包括發(fā)送光信號的半導體層； 和第一支承部，其包括導電性半導體層；接收側(cè)基板，在該接收側(cè)基板上形成有接收光信號的第二元件部；光傳輸部件，該光傳輸部件包括第一端部，光信號進入該第一端部；光傳輸路徑，其傳輸進入所述第一端部的光信號；和第二端部，其發(fā)射所傳輸?shù)墓庑盘?；以及第一導電部件，該第一導電部件設(shè)置在所述發(fā)送側(cè)基板的所述第一支承部上；其中，由所述第一支承部通過所述第一導電部件來支承所述光傳輸部件，使得所述第一端部光耦合到所述第一元件部；并且所述第二端部光耦合到所述第二元件部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光傳輸裝置，其中，在所述接收側(cè)基板上形成有包括導電性半導體層的第二支承部；在所述第二支承部上設(shè)置有第二導電部件；并且由所述第二支承部通過所述第二導電部件來支承所述光傳輸部件，使得所述第二端部光耦合到所述第二元件部。
全文摘要
本發(fā)明涉及光傳輸裝置。所述光傳輸裝置包括基板，在所述基板上形成有包括發(fā)送或接收光信號的半導體層的元件部、以及包括導電性半導體層的支承部；光傳輸部件，該光傳輸部件被布置成面對所述元件部和所述支承部，并且光耦合到所述元件部；以及導電部件，該導電部件設(shè)置在所述支承部上，并且電接觸所述光傳輸部件。
文檔編號G02B6/42GK102279447SQ20101055192
公開日2011年12月14日 申請日期2010年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月9日
發(fā)明者植木伸明 申請人:富士施樂株式會社