專利名稱：電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括由氫化非晶碳化硅(下文中也稱作“a-SiC”)制成的表面層的電 子照相感光構(gòu)件，和包括該電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備。由氫化非晶碳化硅制成的 表面層在下文中也稱作“a-SiC表面層”。
背景技術(shù)：
電子照相設(shè)備中，將其上設(shè)置光導(dǎo)電層(感光層)的電子照相感光構(gòu)件表面充電， 然后施加圖像曝光光從而在電子照相感光構(gòu)件表面上形成靜電潛像。此外，將調(diào)色劑施加 至電子照相感光構(gòu)件表面上的靜電潛像從而形成調(diào)色劑圖像，并且將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn) 印材料如紙從而形成圖像。在電子照相設(shè)備由此形成圖像之后，一部分調(diào)色劑殘留于電子 照相感光構(gòu)件表面上。因而，需要除去殘余調(diào)色劑。通常，在清潔工序中使用清潔刮板、皮 毛刷或磁鐵刷除去殘余調(diào)色劑，典型地在清潔工序中使用清潔刮板除去。然而，近年來(lái)，具有小于常規(guī)平均粒徑的調(diào)色劑已經(jīng)用于更高圖像質(zhì)量，并且變得 在清潔工序中難以除去殘余調(diào)色劑。具體地，為清潔具有小粒徑的殘余調(diào)色劑，例如，需 要增加清潔刮板的加壓壓力。這會(huì)引起清潔刮板的毛刺或電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩 (running torque)的增大。為解決上述問題，日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No. H9-297420提出在具有 非晶硅感光層的電子照相感光構(gòu)件中，通過切削或旋轉(zhuǎn)球磨設(shè)備預(yù)先使形成感光層的導(dǎo)電 性基體表面粗糙的方法。日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No. 2001-330978提出將在電子照相感光構(gòu)件 的10 μ mX 10 μ m范圍內(nèi)的顯微表面粗糙度Ra控制為預(yù)定值從而有效地防止調(diào)色劑附著的 方法。如上所述，已按照慣例改善了殘余調(diào)色劑的有效清潔。然而，對(duì)于圖像質(zhì)量的市場(chǎng) 需求已進(jìn)一步增加。特別地，在按需打印(下文中也稱作“POD”)如輕打印的市場(chǎng)中或圖象 領(lǐng)域中存在對(duì)于圖像質(zhì)量的顯著要求。例如，不能接受迄今為止不成為問題的由于電子照 相感光構(gòu)件的不規(guī)則旋轉(zhuǎn)而引起的微小的濃度波動(dòng)(條帶現(xiàn)象)或微小的清潔不良。為有效地清潔殘余調(diào)色劑，調(diào)整項(xiàng)目如清潔刮板的材料、硬度或加壓壓力、電子照 相感光構(gòu)件表面的形狀或材料、調(diào)色劑的材料或粒徑、外部添加劑的材料或量需要適當(dāng)?shù)?調(diào)整。然而，當(dāng)使用具有小粒徑的調(diào)色劑時(shí)，此類設(shè)定范圍可能會(huì)減少，并且不能獲得充分 的設(shè)計(jì)寬容度(design latitude)，這可能妨礙設(shè)計(jì)。此外，重復(fù)圖像形成會(huì)依賴于調(diào)節(jié)項(xiàng) 目的設(shè)定值逐漸改變電子照相感光構(gòu)件表面的活性度，這會(huì)增大電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn) 力矩。如下所述預(yù)想該現(xiàn)象。在充電器中或附近形成的放電產(chǎn)物改變活性度如電子照相感 光構(gòu)件表面的表面自由能。因而，推測(cè)將在電子照相感光構(gòu)件附近存在的物質(zhì)如調(diào)色劑、調(diào) 色劑外部添加劑、紙粉或在一些情況下中間轉(zhuǎn)印體的粘結(jié)劑樹脂容易附著至表面，然后電 子照相感光構(gòu)件表面和清潔刮板之間的摩擦力改變。旋轉(zhuǎn)力矩的增大可能防礙電子照相感 光構(gòu)件的平穩(wěn)旋轉(zhuǎn)，并引起條帶現(xiàn)象。特別地，當(dāng)不進(jìn)行如日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No. H9-297420 中描述的基體加工時(shí)，條帶現(xiàn)象趨于容易發(fā)生。即使當(dāng)進(jìn)行基體加工時(shí)，基體加工在初始階段中有效，但長(zhǎng)期使用會(huì)增大電子照
3相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩并引起條帶現(xiàn)象或清潔不良。在日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No. 2001-330978 中，僅僅考慮基體的顯微粗糙度，并且使用具有小粒徑的調(diào)色劑或長(zhǎng)期使用可能增加電子 照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩或引起條帶現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供能夠長(zhǎng)期輸出高質(zhì)量圖像的電子照相感光構(gòu)件和包括該電 子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備。本發(fā)明提供電子照相感光構(gòu)件，該電子照相感光構(gòu)件包括導(dǎo)電性基體、在導(dǎo)電性 基體上的光導(dǎo)電層和在光導(dǎo)電層上由氫化非晶碳化硅制成的表面層，其中在表面層中碳原 子數(shù)(C)與硅原子數(shù)(Si)和碳原子數(shù)(C)的總和之比(C/(Si+C))為0. 61以上至0. 75以 下，在表面層中硅原子的密度和碳原子的密度的總和為6. 60X 原子/cm3以上，和由JIS B0601 2001規(guī)定的表面層的算術(shù)平均粗糙度Ra為0. 029 μ m以上至0. 500 μ m以下。本發(fā) 明還提供包括該電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明，能夠增加清潔的設(shè)計(jì)寬容度，并能夠防止由電子照相感光構(gòu)件旋轉(zhuǎn) 力矩的增大引起的條帶現(xiàn)象，由此使高質(zhì)量圖像長(zhǎng)期保持。參照附圖從以下示例性實(shí)施方案的描述中本發(fā)明的進(jìn)一步特征變得顯而易見。


圖1示出本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的層構(gòu)造的實(shí)例。圖2示出等離子體CVD沉積設(shè)備的構(gòu)造的實(shí)例。圖3A示出通過壓印法形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。圖;3B示出通過壓印法形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。圖3C示出通過壓印法形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。圖4A示出通過工具切削(tool cutting)形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。圖4B示出通過工具切削形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。圖4C示出通過工具切削形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。圖4D示出通過工具切削形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。圖5示出電子照相設(shè)備的構(gòu)造的實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
參照附圖，現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。 本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件包括導(dǎo)電性基體、在導(dǎo)電性基體上的光導(dǎo)電層和在光 導(dǎo)電層上由氫化非晶碳化硅制成的表面層(a-SiC表面層)。本發(fā)明人堅(jiān)持不懈地研究并發(fā) 現(xiàn)具有低的初始摩擦系數(shù)和由于使用摩擦系數(shù)少量增加的a-SiC表面層能夠通過適當(dāng)控 制隨a-SiC表面層的組成可變的物理性質(zhì)而形成。期望發(fā)生摩擦系數(shù)的增加，因?yàn)殡娮诱?相感光構(gòu)件在帶電過程中暴露于放電產(chǎn)物中，電子照相感光構(gòu)件的表面自由能改變，并且 各種物質(zhì)如調(diào)色劑的組分附著于表面。因而，推測(cè)即使將表面暴露于放電產(chǎn)物中，適當(dāng)?shù)乜?制隨a-SiC表面層的組成可變的物理性質(zhì)仍能夠防止電子照相感光構(gòu)件表面的活性度的 改變。
另外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)改善電子照相感光構(gòu)件的表面(a-SiC表面層的表面)的形狀以 適當(dāng)?shù)乜刂魄鍧嵐伟搴碗娮诱障喔泄鈽?gòu)件表面之間的鄰接面積，因而從初始階段經(jīng)過長(zhǎng)期 使用連續(xù)地實(shí)現(xiàn)滿意的清潔，并且能夠防止電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩的增大。物理性 質(zhì)如表面層組成的控制也稱作“物理性質(zhì)控制”，電子照相感光構(gòu)件表面形狀的控制也稱作 “表面粗糙度控制”。進(jìn)一步最優(yōu)化物理性質(zhì)控制和表面粗糙度控制的組合從而實(shí)現(xiàn)本發(fā) 明?，F(xiàn)在，將詳細(xì)描述物理性質(zhì)控制和表面粗糙度控制。(物理性質(zhì)控制)通常，碳類材料具有高潤(rùn)滑性并經(jīng)常用作電子照相感光構(gòu)件的表面層的材料。然 而，碳類材料顯著地吸收經(jīng)常用作圖像曝光光的紅光或紅外光，這會(huì)降低電子照相感光構(gòu) 件的感光度。同時(shí)，當(dāng)使用碳化硅時(shí)，比使用不含有硅原子的碳類材料時(shí)獲得更高的透光 性。然而，硅原子含量的增加可能降低對(duì)引起電子照相感光構(gòu)件表面上電荷漂移的抵抗性。 此類電荷的漂移會(huì)降低分辨率或濃淡度性質(zhì)(gradation property) 0同時(shí)，碳原子含量的 增加增加了圖像曝光光的吸收。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)如果碳原子數(shù)(C)與硅原子數(shù)(Si)和碳原子數(shù) (C)總和之比(C/(Si+C))(下文中簡(jiǎn)稱作“C/(Si+C)”)為0.61以上至0. 75以下，則提供 碳類材料的高潤(rùn)滑性、圖像曝光光的透過性和表面層的抵抗性之間良好平衡的范圍。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)僅僅最優(yōu)化碳原子和硅原子組成不能維持電子照相感光構(gòu)件的初 始潤(rùn)滑性，并且會(huì)引起清潔不良或條帶現(xiàn)象。本發(fā)明人預(yù)想該原因如下所述。具體地，對(duì)于 長(zhǎng)期的圖像形成，電子照相感光構(gòu)件表面暴露于放電產(chǎn)物如臭氧、調(diào)色劑、調(diào)色劑外部添加 劑或紙粉中。特別地，當(dāng)使用利用電暈放電的一次充電器或轉(zhuǎn)印充電器時(shí)，電子照相感光構(gòu) 件表面暴露于大量放電產(chǎn)物中，這可能會(huì)使電子照相感光構(gòu)件表面變質(zhì)。對(duì)于表面容易通 過摩擦而磨損的電子照相感光構(gòu)件，電子照相感光構(gòu)件表面總是更新，變質(zhì)部分(變質(zhì)層) 難以保留。然而，對(duì)于具有a-SiC表面層的電子照相感光構(gòu)件，該表面具有非常高的硬度并 且難以通過摩擦而磨損，因而變質(zhì)層難以除去。推測(cè)變質(zhì)層不具有如碳類材料的高潤(rùn)滑性， 并且隨著變質(zhì)層的生長(zhǎng)，電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩增大，接著容易引起清潔不良或條 帶現(xiàn)象。然后，本發(fā)明人進(jìn)一步研究并發(fā)現(xiàn)，將a-SiC表面層中硅原子的密度和碳原子的 密度的總和(下文中也稱作“Si+C原子密度”)設(shè)定為6.60 X 10”原子/cm3以上，更優(yōu)選 為6. 81 X IO22原子/cm3以上，由此長(zhǎng)期圖像形成不容易使電子照相感光構(gòu)件表面變質(zhì)。高 Si+C原子密度是指形成a-SiC表面層層結(jié)構(gòu)骨架的硅原子和碳原子之間短的原子距離。因 而，推測(cè)形成a-SiC表面層層結(jié)構(gòu)的骨架的原子之間的鍵合力增大從而使電子照相感光構(gòu) 件表面難以變質(zhì)。此外，推測(cè)高密度降低空間率從而使放電產(chǎn)物(離子物種)難以沿其深 度方向進(jìn)入a-SiC表面層并反應(yīng)。不存在Si+C原子密度的具體上限，但推測(cè)a-SiC (氫化 非晶碳化硅)為非晶物質(zhì)因而沒有高于晶體密度的密度。因而，由上述組成范圍中的表面 層獲得的Si+C原子密度理論上為13. OX 原子/cm3以下?？梢钥刂瓢赼-SiC表面層中的氫原子的量從而提供對(duì)離子物種(ion species)攻擊的抵抗性和其它性質(zhì)如電子照相感光構(gòu)件的感光度之間更好的平衡。具體 地，氫原子數(shù)(H)與硅原子數(shù)(Si)、碳原子數(shù)(C)和氫原子數(shù)(H)的總和之比(H/(Si+C+H)) (下文中也簡(jiǎn)稱作“H/(Si+C+H)”)可以為0.30以上至0.45以下。在具有高Si+C原子密 度的a-SiC表面層中，光學(xué)帶隙容易減小并且光吸收增加，這會(huì)降低電子照相感光構(gòu)件的感光度。然而，在H/(Si+C+H)為0.30以上的情況下，光學(xué)帶隙增大，然后電子照相感光構(gòu) 件的感光度改善。同時(shí)，在H/(Si+C+H)大于0.45的情況下，在a-SiC表面層中具有很多氫原子的端 基如甲基趨于增加。端基可以在a-SiC結(jié)構(gòu)中形成大的空間，引起在其周圍存在的原子之 間鍵的應(yīng)變(strain)，或防止Si-C結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)化。推測(cè)此類結(jié)構(gòu)上的弱點(diǎn)形成對(duì)抗離子物種 攻擊的薄弱部分。從以上可知，H/(Si+C+H)可以為0. 30以上至0. 45以下。(表面粗糙度控制)如上所述，與常規(guī)表面層相比物理性質(zhì)控制增加該表面的潤(rùn)滑性，并且能夠長(zhǎng)期 維持該優(yōu)點(diǎn)，但具有小粒徑的調(diào)色劑的適當(dāng)清潔需要進(jìn)一步改善。例如，在使用清潔刮板的 清潔(下文中也稱作“刮板清潔”)中，清潔刮板的硬度和清潔刮板的加壓壓力(下文中也 稱作“刮板壓力”)需要適當(dāng)設(shè)定。特別地，對(duì)于使用小粒徑調(diào)色劑的電子照相方法中滿意 的清潔，經(jīng)常將刮板壓力設(shè)定為高值，這會(huì)引起清潔刮板的震顫(微小振動(dòng))或清潔刮板 的卷曲(翻折(turnover))。此外，清潔刮板施加對(duì)電子照相感光構(gòu)件旋轉(zhuǎn)的制動(dòng)，因而隨 著高刮板壓力，電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩容易增大。過度的電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn) 力矩會(huì)引起不規(guī)則旋轉(zhuǎn)，并在輸出圖像中引起條帶現(xiàn)象。如果將刮板壓力范圍設(shè)定為不發(fā) 生清潔刮板的震顫或卷曲、由于轉(zhuǎn)矩變化產(chǎn)生的條帶現(xiàn)象不會(huì)發(fā)生并且能夠輸出滿意的圖 像，則設(shè)計(jì)寬容度(調(diào)節(jié)容許)會(huì)減少。因而，通過電子照相感光構(gòu)件表面的摩擦系數(shù)的個(gè) 體差異或刮板壓力調(diào)節(jié)的振幅，刮板壓力會(huì)超過適當(dāng)?shù)闹怠Ｈ缓?，已?jīng)發(fā)現(xiàn)除了電子照相感光構(gòu)件的表面層的物理性質(zhì)控制之外還進(jìn)行表面 粗糙度控制從而增加清潔寬容度，并且在長(zhǎng)期使用中總是能夠從初始階段就保持滿意的清 潔狀態(tài)。同時(shí)，如果粗糙度增加太多，會(huì)發(fā)生波紋(moire)(當(dāng)許多規(guī)則重復(fù)的圖案疊加 時(shí)由周期不重合產(chǎn)生的條紋圖案)。波紋是表面形狀的空間頻率和圖像形成的空間頻率 (space frequency)(激光掃描的周期)之間的波浪，并且過大的步幅增加了波浪從而引起 會(huì)出現(xiàn)在圖像中的濃度差。因而，表面粗糙度不應(yīng)當(dāng)增加太多。從以上各點(diǎn)可知，具體地，在上述物理性質(zhì)條件下，將由JIS B0601 :2001規(guī)定的 表面層的算術(shù)平均粗糙度Ra設(shè)定為0. 029 μ m以上至0. 500 μ m以下。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在此時(shí)，清 潔不良、清潔刮板的震顫或卷曲、電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩的增大難以發(fā)生，并且該性 質(zhì)從初始階段長(zhǎng)期維持。該范圍中，圖像缺陷如波紋難以發(fā)生。更優(yōu)選地，算術(shù)平均粗糙度 Ra可以為0. 050 μ m以上至0. 200 μ m以下。與清潔刮板的接觸程度不是通過局部最大和最 小高度而是由長(zhǎng)間距的凹凸來(lái)決定。因而，可以控制表面的平均形狀，即凹凸的平均距離和 凹凸的平均深度。作為對(duì)應(yīng)于凹凸的平均距離的參數(shù)，可以使用由JIS B0601 :2001規(guī)定的粗糙度 曲線要素的平均長(zhǎng)度Rsm(基準(zhǔn)長(zhǎng)度中凹凸的平均長(zhǎng)度)。Rsm的范圍可以為1. 0 μ m以上 至150. Oym以下。作為對(duì)應(yīng)于凹凸的平均深度的參數(shù)，可以根據(jù)JIS B0601 :2001使用 Rzjis (十點(diǎn)平均粗糙度)。Rzjis的范圍可以為0. IOOym以上至2. OOOym以下。將描述 Ra和Rzjis之間的差異。Ra是指在本發(fā)明中最重要的在表面內(nèi)的平均粗糙度。Rzjis比 Ra更容易受到相對(duì)大的凹凸的影響，但考慮到對(duì)清潔刮板的摩擦程度，相對(duì)大的凹凸也是 重要的。特別地，對(duì)于不規(guī)則表面性質(zhì)，即使具有相同的Ra也會(huì)存在Rzjis差異。在此情 況下，能夠?qū)z jis用作更期望范圍的指標(biāo)。
比較如用車床加工的周期結(jié)構(gòu)的情況與如用球磨機(jī)加工的沒有周期結(jié)構(gòu)的情況， 在Ra、Rsm和Rzjis相同的觀點(diǎn)下本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)沒有差異。然而，考慮到生產(chǎn)的容易性和質(zhì) 量的穩(wěn)定性，更加期望具有周期結(jié)構(gòu)的情況。作為導(dǎo)電性基體的加工方法，可以使用加壓模 具的稱為壓印的方法以形成10 μ m以下短周期的結(jié)構(gòu)。對(duì)于形成10 μ m以上長(zhǎng)周期的結(jié)構(gòu)， 可以使用用車床切削。通過這些方法，使周期凹凸形成于導(dǎo)電性基體表面中，然后在導(dǎo)電性 基體上形成光導(dǎo)電層。在通過CVD法形成光導(dǎo)電層和表面層中，在基本上維持基底(base) 的形狀下發(fā)生生長(zhǎng)。因而，電子照相感光構(gòu)件表面中的凹凸能夠通過加工作為基底的導(dǎo)電 性基體表面來(lái)控制。組合上述表面粗糙度控制和物理性質(zhì)控制從而獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)使用具有除 了本發(fā)明組成以外的組成的表面層時(shí)，即使使用本發(fā)明的表面粗糙度控制也不能獲得本發(fā) 明的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)使用常規(guī)材料時(shí)，長(zhǎng)期使用會(huì)引起電子照相感光構(gòu)件表面總是受到活性分子 如臭氧的攻擊從而使表面層變質(zhì)。與清潔刮板接觸的部分逐漸磨損并更新，因而變質(zhì)層在 該部分難以生長(zhǎng)。同時(shí)，在與清潔刮板不接觸的部分或具有低接觸壓力的凹部中，變質(zhì)層容 易生長(zhǎng)。當(dāng)在該部分中相對(duì)于該物質(zhì)的潤(rùn)濕性(表面自由能)變化時(shí)，調(diào)色劑組分如調(diào)色劑 或外部添加劑、粘結(jié)劑組分如轉(zhuǎn)印帶或填料組分如紙粉容易附著，從而影響清潔性質(zhì)或電 子照相感光構(gòu)件表面的摩擦系數(shù)。因而，為長(zhǎng)期維持滿意的清潔性質(zhì)或電子照相感光構(gòu)件 的旋轉(zhuǎn)力矩，需要本發(fā)明的物理性質(zhì)控制，從而甚至難以與清潔刮板接觸的凹部也不變質(zhì)。(本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件)圖1示出本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的層構(gòu)造的實(shí)例。圖1示出導(dǎo)電性基體101、 下部注入阻止層102、光導(dǎo)電層103和表面層104。光導(dǎo)電層103由氫化非晶硅(下文中也 稱作“a-Si”)制成。下文中，由a-Si制成的光導(dǎo)電層也稱作“a-Si光導(dǎo)電層”，包括a-Si 光導(dǎo)電層的電子照相感光構(gòu)件也稱作“a-Si感光構(gòu)件”。圖1中示出的層通過真空沉積層 形成法例如射頻CVD法通過設(shè)定層形成參數(shù)的數(shù)值條件以獲得期望性質(zhì)來(lái)形成。(導(dǎo)電性基體)導(dǎo)電性基體由例如銅、鋁、鎳、鈷、鐵、鉻、鉬、鈦或其合金制成。這些材料中，考慮到 加工性或生產(chǎn)成本，鋁是優(yōu)異的。鋁中，可以使用Al-Mg合金或Al-Mn合金。為在電子照相感光構(gòu)件表面中形成適當(dāng)?shù)陌纪?，凹凸加工能夠在?dǎo)電性基體 表面中進(jìn)行。一個(gè)實(shí)例為用車床切削。該車床包括能夠安裝切削刀具的刀具架(轉(zhuǎn)塔 (turret))，并能夠在旋轉(zhuǎn)導(dǎo)電性基體的同時(shí)切削。首先，將導(dǎo)電性基體設(shè)置在未示出的車 床上。為加工導(dǎo)電性基體外表面，需要從內(nèi)側(cè)保持導(dǎo)電性基體。用于從內(nèi)側(cè)保持導(dǎo)電性基 體的保持單元的實(shí)例為彈簧夾頭。在通過保持單元如彈簧夾頭保持導(dǎo)電性基體的情況下，將導(dǎo)電性基體設(shè)置在車床 上，并進(jìn)行外表面切削加工。具體地，導(dǎo)電性基體以例如2000rpm旋轉(zhuǎn)，將該工具以預(yù)定的 工具切削量在預(yù)定的工具進(jìn)給速度下沿導(dǎo)電性基體的母線方向移動(dòng)以切削外表面。工具進(jìn) 給速度和導(dǎo)電性基體的旋轉(zhuǎn)速度決定由切削產(chǎn)生的凹凸的間距(周期)。工具的形狀和接 觸角決定凹凸的深度。將間距和深度適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)以確定導(dǎo)電性基體的表面形狀。圖4A、4B、4C和4D示出通過工具切削形成的導(dǎo)電性基體表面的形狀。如圖4A、4B、 4C和4D中所示，即使在相同工具施加方式的情況下，如圖4A和4B所示改變進(jìn)給速度能夠 改變間距和深度。如圖4C和4D所示，改變角度能夠以相同間距改變深度和形狀。確定車床加工條件從而在光導(dǎo)電層和表面層形成于導(dǎo)電性基體上之后表面粗糙度RaCJIS B0601 2001)為0. 0四4!11以上至0. 500 μ m。Ra可以設(shè)定為0. 050 μ m以上至0. 200 μ m以下。此外， 在光導(dǎo)電層和表面層形成之后表面凹凸的深度可以為0. 10 μ m以上至2. 00 μ m以下，并且 間距可以為1. 0 μ m以上至150. 0 μ m以下。更優(yōu)選地，深度可以為0. 50 μ m以上至1. 50 μ m 以下，并且間距可以為10. 0 μ m以上至30. 0 μ m以下。過小的深度防礙電子照相感光構(gòu)件 的旋轉(zhuǎn)力矩有效減小，過大的深度容易在輸出圖像中引起波紋。依賴于凹凸的深度，過小的 間距使清潔刮板難以追隨凹部的深處。為適當(dāng)?shù)厍鍧嵨⑿〉念w粒如調(diào)色劑外部添加劑，可 以使用相對(duì)大的間距。同時(shí)，過大的間距引起清潔刮板的變形而不容易追隨，從而增加摩擦 力。在用車床加工中，間距可以為10. Oym以上。對(duì)于10. 0 μ m以下的間距，需要長(zhǎng)的 加工時(shí)間，工具的壽命減少，或在一些情況下精度降低。當(dāng)需要ΙΟμπι以下的間距時(shí)，可以 使用加壓稱為接觸輥或印模的模具的稱為壓印的方法以形成凹凸。鋁或鋁合金比其它金屬 相對(duì)更軟，如果深度不是非常大可以容易地加工。用于壓印的模具的截面形狀可以為矩形 結(jié)構(gòu)、鋸齒形狀或波形。截面形狀可以為沿周向連續(xù)的槽形，或具有規(guī)則配置的點(diǎn)的形狀。 在任一種情況下，當(dāng)在通過圓筒中心軸的任何平面上取截面時(shí)，存在具有凹凸的部分?？梢?形成此類垂直于旋轉(zhuǎn)方向的凹凸以減少與清潔刮板的摩擦力和減小電子照相感光構(gòu)件的 旋轉(zhuǎn)力矩。圖3Α JB和3C為以上描述的示意圖。如圖3Α中所示，將安裝于臺(tái)303的不銹鋼 模具302加壓并按壓，旋轉(zhuǎn)圓筒形導(dǎo)電性基體301以在導(dǎo)電性基體301的整個(gè)表面上形成 凹凸。凹凸的形狀可以為如圖:3Β中所示的槽形(沿軸向交替配置沿周向連續(xù)的凹部304 和沿周向連續(xù)的凸部305的形狀)。該形狀可以為如圖3C中所示的離散的形狀(凸部305 規(guī)則配置的形狀)。(下部注入阻止層)在用于本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，將用于防止電荷從導(dǎo)電性基體注入的下部 注入阻止層有效地設(shè)置于導(dǎo)電性基體和光導(dǎo)電層之間。下部注入阻止層含有比光導(dǎo)電層相 對(duì)較多的用于控制傳導(dǎo)性的原子數(shù)。作為用于控制傳導(dǎo)性的下部注入阻止層中含有的原 子，可以依賴于電荷極性使用第13族原子或第15族原子。此外，下部注入阻止層含有碳原 子、氮原子和氧原子中至少一種原子，從而改善下部注入阻止層和導(dǎo)電性基體之間的粘合 性?？紤]到獲得期望的電子照相特性和經(jīng)濟(jì)效果，下部注入阻止層的厚度可以為 0. 1 μ m以上至10. 0 μ m以下，更優(yōu)選為0. 3 μ m以上至5. 0 μ m以下，和進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5 μ m 以上至3. 0 μ m以下。0. 1 μ m以上的厚度能夠提供足夠的防止電荷從導(dǎo)電性基體注入的能 力，并能夠獲得優(yōu)異的帶電能力。同時(shí)，5. 0 μ m以下的厚度能夠防止由于延長(zhǎng)生產(chǎn)時(shí)間引起 的生產(chǎn)成本的增加。(光導(dǎo)電層)在用于本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，光導(dǎo)電層可以由a-Si制成，并且可以添加 第13族原子和第15族原子作為控制傳導(dǎo)性的原子。為調(diào)節(jié)性質(zhì)如電阻值，可以添加原子如 氧原子、碳原子或氮原子。為補(bǔ)償該層中的懸鍵，可以含有氫原子。光導(dǎo)電層中氫原子(H) 含量的總和相對(duì)于硅原子數(shù)和氫原子數(shù)的總和可以為10原子％以上至30原子％以下，更優(yōu)選為15原子％以上至25原子％以下?？梢允褂名u素原子如氟以獲得與氫原子相同的優(yōu)
點(diǎn)ο本發(fā)明中，考慮到獲得期望的電子照相特性和經(jīng)濟(jì)效果，光導(dǎo)電層的厚度可以為 15 μ m以上至60 μ m以下，更優(yōu)選為20 μ m以上至50 μ m以下，和進(jìn)一步優(yōu)選為20 μ m以上 至40 μ m以下。(表面層)本發(fā)明中，a-SiC表面層中碳原子數(shù)(C)與硅原子數(shù)(Si)和碳原子數(shù)(C)的總和 之比(C/(Si+C))為0.61以上至0. 75以下，在a-SiC表面層中硅原子密度和碳原子密度的 總和為6. 60X IO22原子/cm3以上，更優(yōu)選為6. 81 X IO22原子/cm3以上。同樣地，能夠獲得 長(zhǎng)期維持滿意的清潔性質(zhì)和防止電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩的增大的顯著優(yōu)點(diǎn)。在晶體 中獲得a-SiC表面層中硅原子密度和碳原子密度的最大總和。因而，本發(fā)明中硅原子密度 和碳原子密度總和的上限基于晶體。首先，將SiC晶體和金剛石的原子密度用作指標(biāo)，然后 推測(cè)在目標(biāo)a-SiC組成中碳原子密度與硅原子密度和碳原子密度的總和之比，并依賴于該 比例，計(jì)算晶體中的原子密度。該原子密度為在目標(biāo)a-SiC組成中原子密度的上限。硅原 子和碳原子的原子密度為1 1的SiC晶體中的原子密度為9.64X10”原子/cm3，作為僅 含有碳原子的晶體的金剛石中原子密度為17. 65 X IO22原子/cm3。本發(fā)明中，在a-SiC表面層的拉曼光譜中1390CHT1的峰強(qiáng)度(ID)與1480CHT1的峰 強(qiáng)度(IG)之比(ID/IG)可以為0. 20以上至0. 70以下。在拉曼光譜中1390CHT1的峰強(qiáng)度 (ID)與HSOcnT1的峰強(qiáng)度(IG)之比下文中也稱作“ID/IG”。首先，將描述與類金剛石碳比 較的a-SiC表面層的拉曼光譜。類金剛石碳下文中也稱作“DLC”。對(duì)于由Sp3結(jié)構(gòu)和Sp2結(jié)構(gòu)形成的DLC的拉曼光譜，觀察到具有在1540CHT1附近的 主峰和在13900^1附近的肩帶(shoulder band)的不對(duì)稱拉曼光譜。在通過RF-CVD法形成 的a-SiC表面層中，觀察到類似于DLC拉曼光譜的具有在HSOcnr1附近的主峰和在1390CHT1 附近的肩帶的拉曼光譜。因?yàn)閍-SiC表面層含有硅原子，所以a-SiC表面層的主峰轉(zhuǎn)移至 比DLC低的波數(shù)側(cè)。因而，發(fā)現(xiàn)通過RF-CVD法形成的a-SiC表面層為具有與DLC非常相似 的結(jié)構(gòu)的材料。通常，在DLC的拉曼光譜中，已知對(duì)于在低波數(shù)帶中峰強(qiáng)度與在高波數(shù)帶中峰強(qiáng) 度的比例越小DLC的Sp3性質(zhì)趨于越高。因而，a-SiC表面層具有與DLC非常相似的結(jié)構(gòu)， 結(jié)果對(duì)于在低波數(shù)帶中峰強(qiáng)度與在高波數(shù)帶中峰強(qiáng)度的比例越小，Sp3性質(zhì)趨于越高。在本 發(fā)明中具有高原子密度的a-SiC表面層中，將a-SiC表面層中ID/IG設(shè)定為0. 70以下，從 而進(jìn)一步增加鍵合力。這可能是因?yàn)镾p3性質(zhì)的改善減少SP2的二維網(wǎng)絡(luò)的數(shù)目并增加sp3的三維網(wǎng)絡(luò) 的數(shù)目，這增加了鍵合的骨架原子的數(shù)目并使得形成強(qiáng)固的結(jié)構(gòu)。因而，期望a-SiC表面層 中ID/IG較小，但在大量生產(chǎn)的a-SiC表面層中，不能完全除去Sp2結(jié)構(gòu)。因而，本發(fā)明中， a-SiC表面層中ID/IG的下限值為0. 2，在該值下在此實(shí)施方案中確認(rèn)優(yōu)點(diǎn)。(生產(chǎn)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的設(shè)備和方法)圖2示出等離子體CVD沉積設(shè)備構(gòu)造的實(shí)例，并具體示出使用射頻電源采用RF 等離子體CVD法的電子照相感光構(gòu)件的生產(chǎn)設(shè)備(沉積設(shè)備)。該設(shè)備主要包括沉積設(shè)備 2100、原料氣體的供給設(shè)備2200和用于在沉積室2110中降低壓力的排氣設(shè)備(未示出)。
9在沉積室2110中，設(shè)置接地的導(dǎo)電性基體2112、用于加熱導(dǎo)電性基體的加熱器2113和氣體 導(dǎo)入管2114。此外，射頻電源2120通過射頻匹配箱2115連接。氣體供給設(shè)備2200包括原料氣體罐2221、2222、2223、2224、2225和2226，閥 2231、2232、2233、2234、2235 和 2236，閥 2241、2242、2243、2244、2245 和 2246，閥 2251、
2252、2253、2254、2255和 2256，和質(zhì)量流量控制器 2211、2212、2213、2214、2215 和 2216。各 原料氣體罐通過閥2260連接至沉積室2110中的氣體導(dǎo)入管2114。將導(dǎo)電性基體2112設(shè) 置在導(dǎo)電性支架2123上因而接地?，F(xiàn)在，將描述使用圖2中的設(shè)備形成電子照相感光構(gòu)件的方法的工序的實(shí)例。導(dǎo) 電性基體2112設(shè)置在沉積室2110中，并且未示出的排氣設(shè)備(例如，真空泵)從沉積室 2110內(nèi)部排出氣體。然后，用于加熱導(dǎo)電性基體的加熱器2113將導(dǎo)電性基體2112的溫度 控制為50°C _350°C的期望溫度。然后，為使形成電子照相感光構(gòu)件各層的原料氣體流入沉 積室2110中，首先確認(rèn)關(guān)閉氣體罐的閥2231、2232、2233、2234、2235和2236以及沉積室的 泄漏閥2117。還確認(rèn)開啟流入閥2241、2242、2243、2244、2245和2246，流出閥2251、2252、
2253、2254、2255和2256以及輔助閥2沈0，并且開啟主閥2118從而從沉積室2110和供氣 管2116排出氣體。然后，在當(dāng)真空計(jì)2119讀出IPa以下的預(yù)定壓力時(shí)，關(guān)閉輔助閥2260與流出閥 2251、2252、2253、2254、2255 和 2256。然后，將氣體通過開啟閥 2231、2232、2233、2234、2235 和 2236 從氣體罐 2221、2222、2223、2224、2225 和 2226 引入，壓力調(diào)節(jié)器 2261、2262、2263、 2264,2265和2266調(diào)節(jié)各氣體壓力至0. 2MPa。然后，逐漸開啟流入閥2M1、2242、2M3、 2244,2245和2246以引入各氣體至質(zhì)量流量控制器2211、2212、2213、2214、2215和2216。在通過上述工序完成沉積制備之后，例如，在導(dǎo)電性基體2112上形成光導(dǎo)電層。 具體地，當(dāng)導(dǎo)電性基體2112達(dá)到期望的溫度時(shí)，逐漸開啟流出閥2251、2252、2253、2254、 2255和2256中需要的一個(gè)以及輔助閥2260。通過該操作，將期望的原料氣體通過氣體導(dǎo)入 管2114從氣體罐2221、2222、2223、2224、2225和2226引入至沉積室2110。然后，質(zhì)量流量 控制器2211、2212、2213、2214、2215和2216調(diào)節(jié)各原料氣體以具有期望的流速。此時(shí)，在檢 查真空計(jì)2119的同時(shí)調(diào)節(jié)主閥2118的開啟從而使沉積室2110的內(nèi)部具有期望壓力。當(dāng) 內(nèi)壓穩(wěn)定時(shí)，將射頻電源2120設(shè)定為期望的電力。例如，將具有1ΜΗζ-50ΜΗζ例如13. 56MHz 頻率的射頻電源通過射頻匹配箱2115供給至陰極電極2111從而引起射頻輝光放電。放電 能量使引入至沉積室2110的各原料氣體分解，在導(dǎo)電性基體2112上沉積主要由期望的非 晶硅制成的光導(dǎo)電層。在形成具有期望厚度的層之后，停止供給射頻電力，并關(guān)閉流出閥2251、2252、 2253、2254、2255和2256以停止各原料氣體流入至沉積室2110從而完成形成光導(dǎo)電層?？?以使用已知的光導(dǎo)電層的組成或厚度。當(dāng)連續(xù)沉積表面層時(shí)或當(dāng)下部注入阻止層沉積于光 導(dǎo)電層和導(dǎo)電性基體2112之間時(shí)，基本上可以進(jìn)行如上所述的操作。在以該方式在導(dǎo)電性 基體2112上形成層之后，重復(fù)排出沉積室2110中的氣體、引入惰性氣體如氬(Ar)氣和排 出氣體的工序以凈化用于層形成的氣體。重復(fù)多次此類操作，冷卻沉積室2110并且通過惰 性氣體如氮(N2)氣使沉積室2110回復(fù)至大氣壓，然后從沉積室2110取出電子照相感光構(gòu) 件。本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件已增加形成a-SiC的硅原子和碳原子的密度，并且形成與常規(guī)已知的電子照相感光構(gòu)件的表面層相比具有高原子密度的層結(jié)構(gòu)的表面層。如上 所述，當(dāng)形成本發(fā)明的具有高原子密度的a-SiC表面層時(shí)，通常，盡管依賴于表面層的形成 條件，但較少量的供給至反應(yīng)容器的氣體和較高的射頻電力更好。此外，較高的反應(yīng)容器中 的壓力和較高的導(dǎo)電性基體的溫度更好。減少供給至反應(yīng)容器的氣體量和增加射頻電力能 夠促進(jìn)氣體的分解。因而，能夠有效地分解比硅原子供給源(例如，SiH4)更難分解的碳原 子供給源(例如，CH4)。因而，生產(chǎn)具有少數(shù)氫原子的活性物種從而減少沉積在導(dǎo)電性基體 上的層中的氫原子數(shù)，由此使得形成具有高原子密度的a-SiC表面層。增加反應(yīng)容器中的壓力增加供給至反應(yīng)容器的氣體的滯留時(shí)間。推測(cè)通過分解原 料氣體產(chǎn)生的氫原子引起弱鍵合氫的奪取反應(yīng)(abstraction reaction)，促進(jìn)硅原子和碳 原子的網(wǎng)絡(luò)化。此外，升高導(dǎo)電性基體的溫度增加已到達(dá)導(dǎo)電性基體的活性物種的表面遷 移距離，由此使得鍵合更穩(wěn)定。因而，作為a-SiC表面層，能夠以結(jié)構(gòu)上更穩(wěn)定的配置鍵合 原子。(電子照相設(shè)備)將參照?qǐng)D5中的示意性構(gòu)造圖描述適用于本發(fā)明的電子照相設(shè)備。該電子照相設(shè) 備包括在表面上形成靜電潛像、并將調(diào)色劑施加于靜電潛像上從而形成調(diào)色劑圖像的鼓形 電子照相感光構(gòu)件501。在電子照相感光構(gòu)件501周圍，配置使電子照相感光構(gòu)件501的 表面均勻充電至預(yù)定極性和電位的一次充電器(充電單元)502，和將圖像曝光光(潛像形 成光)503施加至電子照相感光構(gòu)件501的帶電表面以形成靜電潛像的未示出的圖像曝光 設(shè)備(圖像曝光單元)。作為在形成的靜電潛像上施加調(diào)色劑并使圖像顯影的顯影器(顯 影單元)，配置施加黑色調(diào)色劑B的第一顯影器50 和施加彩色調(diào)色劑并使圖像顯影的第 二顯影器504b。第二顯影器504b為包括施加黃色調(diào)色劑Y的顯影器、施加品紅色調(diào)色劑M 的顯影器和施加青色調(diào)色劑C的顯影器的可旋轉(zhuǎn)的顯影器。設(shè)置預(yù)轉(zhuǎn)印充電器505用于使在電子照相感光構(gòu)件501的表面上形成調(diào)色劑圖像 的調(diào)色劑均勻充電并進(jìn)行穩(wěn)定轉(zhuǎn)印。此外，設(shè)置感光構(gòu)件清潔器(用于電子照相感光構(gòu)件 的清潔單元)507用于在調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶506之后在電子照相感光構(gòu)件501 上清潔。施加用于除電的除電光508至電子照相感光構(gòu)件501。配置中間轉(zhuǎn)印帶506以通 過鄰接的輥隙部驅(qū)動(dòng)電子照相感光構(gòu)件501，并且在該帶內(nèi)，設(shè)置一次轉(zhuǎn)印輥509，其用于 將電子照相感光構(gòu)件501上形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶506。將施加一次轉(zhuǎn)印偏壓以將電子照相感光構(gòu)件501上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn) 印帶506的偏壓電源(未示出)連接至一次轉(zhuǎn)印輥509。在中間轉(zhuǎn)印帶506周圍，與中間轉(zhuǎn) 印帶506下表面相接觸設(shè)置二次轉(zhuǎn)印輥510以進(jìn)一步將已轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶506的調(diào)色劑 圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料512。將施加二次轉(zhuǎn)印偏壓以將中間轉(zhuǎn)印帶506上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印 至轉(zhuǎn)印材料512的偏壓電源連接至二次轉(zhuǎn)印輥510。設(shè)置中間轉(zhuǎn)印帶清潔器(用于中間轉(zhuǎn) 印帶的清潔單元)511以清潔在中間轉(zhuǎn)印帶506上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料512之后 殘留在中間轉(zhuǎn)印帶506表面上的轉(zhuǎn)印殘余調(diào)色劑。電子照相設(shè)備包括保持其上形成圖像的許多轉(zhuǎn)印材料512的進(jìn)紙盒513，和通過 中間轉(zhuǎn)印帶506和二次轉(zhuǎn)印輥510之間鄰接的輥隙部從進(jìn)紙盒513輸送轉(zhuǎn)印材料512的輸 送機(jī)構(gòu)。在轉(zhuǎn)印材料512的輸送路徑上，配置將轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料512上的調(diào)色劑圖像定影 至轉(zhuǎn)印材料512上的定影設(shè)備514。作為圖像曝光設(shè)備，使用彩色原稿圖像的顏色分離/圖像形成曝光光學(xué)系統(tǒng)或使用激光掃描儀的掃描曝光系統(tǒng)，該激光掃描儀輸出相應(yīng)地調(diào)制成 圖像信息的時(shí)間序列電數(shù)字像素信號(hào)的激光束。對(duì)于此類曝光系統(tǒng)，根據(jù)圖像圖案，來(lái)自作 為光源的LED的激光或光束能夠應(yīng)用于多行多列的像素矩陣的各像素從而在電子照相感 光構(gòu)件501表面上形成靜電潛像。接下來(lái)，將描述電子照相設(shè)備的操作。首先，如圖5中箭頭所示，以預(yù)定的圓周速 度(處理速度)逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)電子照相感光構(gòu)件501，并且以與電子照相感光構(gòu)件501 相同的圓周速度順時(shí)針旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)中間轉(zhuǎn)印帶506。在旋轉(zhuǎn)過程中通過一次充電器502將 電子照相感光構(gòu)件501均勻充電至預(yù)定的極性和電位。然后，將圖像曝光光503施加至電 子照相感光構(gòu)件501，因而在電子照相感光構(gòu)件501的表面上形成對(duì)應(yīng)于目標(biāo)顏色圖像的 第一色成分圖像(例如，品紅色成分圖像)的靜電潛像。然后，旋轉(zhuǎn)第二顯影器504b，將施 加品紅色調(diào)色劑M的顯影器設(shè)置在預(yù)定位置，其靜電潛像通過作為第一色的品紅色調(diào)色劑 M顯影。此時(shí)，第一顯影器50 是關(guān)閉的，不對(duì)電子照相感光構(gòu)件501起作用，并且不影響 第一色的品紅色調(diào)色劑圖像。然后，將電子照相感光構(gòu)件501上形成的第一色的品紅色調(diào)色劑圖像中間轉(zhuǎn)印至 中間轉(zhuǎn)印帶506表面。此時(shí)，在品紅色調(diào)色劑圖像通過電子照相感光構(gòu)件501和中間轉(zhuǎn)印 帶506之間的輥隙部的過程中，將一次轉(zhuǎn)印偏壓從偏壓電源(未示出)施加至一次轉(zhuǎn)印輥 509。通過由上述操作施加的電場(chǎng)進(jìn)行轉(zhuǎn)印。通過感光構(gòu)件清潔器507清潔已將第一色的 品紅色調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶506的電子照相感光構(gòu)件501的表面。然后，在電子 照相感光構(gòu)件501的清潔表面上，類似于形成第一色的調(diào)色劑圖像形成第二色的調(diào)色劑圖 像(例如，青色調(diào)色劑圖像)，將第二色的調(diào)色劑圖像疊加并轉(zhuǎn)印至其上轉(zhuǎn)印第一色調(diào)色劑 圖像的中間轉(zhuǎn)印帶506表面。下文中，類似地，將第三色的調(diào)色劑圖像(例如，黃色調(diào)色劑 圖像)和第四色的調(diào)色劑圖像(例如，黑色調(diào)色劑圖像)順次地疊加并轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶 506表面，形成對(duì)應(yīng)于目標(biāo)顏色圖像的合成的彩色調(diào)色劑圖像。接下來(lái)，在預(yù)定時(shí)間將轉(zhuǎn)印材料512從進(jìn)紙盒513進(jìn)給至中間轉(zhuǎn)印帶506和二次 轉(zhuǎn)印輥510之間鄰接的輥隙部。二次轉(zhuǎn)印輥510緊鄰中間轉(zhuǎn)印帶506，將二次轉(zhuǎn)印偏壓從 偏壓電源施加至二次轉(zhuǎn)印輥510。因而，將疊加并轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶506表面的合成的彩 色調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至作為第二圖像支承構(gòu)件的轉(zhuǎn)印材料512。在將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印 材料512之后，通過中間轉(zhuǎn)印帶清潔器511清潔中間轉(zhuǎn)印帶506表面上的轉(zhuǎn)印殘余調(diào)色劑。 將轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像至其的轉(zhuǎn)印材料512引導(dǎo)至定影裝置514，在所述定影裝置514中將調(diào)色 劑圖像加熱并定影至轉(zhuǎn)印材料512上。在電子照相設(shè)備操作中，當(dāng)將第一至第四色的調(diào)色 劑圖像從電子照相感光構(gòu)件501順次地轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶506時(shí)，二次轉(zhuǎn)印輥510和中間 轉(zhuǎn)印帶清潔器511可以與中間轉(zhuǎn)印帶506間隔開?，F(xiàn)在，將用實(shí)施例更加詳細(xì)地描述本發(fā)明，但本發(fā)明不限于該實(shí)施例。(實(shí)施例1)將鋁圓筒(導(dǎo)電性基體)設(shè)置在車床上并切削以具有84mm的外徑。在0. Olmm/ 轉(zhuǎn)以上至0. 15mm/轉(zhuǎn)以下的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)工具進(jìn)給。切削量為0. 4mm，調(diào)節(jié)工具施加角度和進(jìn) 給速度從而形成期望形狀。對(duì)于具有小Ra的圓筒，使用平口刀具(flat tool)，而對(duì)于具有 Iym以上Ra的圓筒，使用直鋒刀具(straight tool)。如表2中所示，通過車床加工間距 (Rsm)為8 μ m以上至155 μ m以下的圓筒。
間距(Rsm)為0.8μπι以上至12μπι以下的圓筒通過壓印來(lái)加工。作為凹凸的形 狀，使用如圖3Β中所示的槽形(沿軸向交替地配置沿周向連續(xù)的凹部304和沿周向連續(xù)的 凸部305的形狀)。此時(shí)，將凸部305的面積設(shè)定為相對(duì)于凹部304的面積和凸部305的面 積的總和的35%。凸部的周期為Ο.δμπκΙ.ΟμπκΙΟ.Ομπι和12. 0 μ m，凸部的截面形狀為 方形，并且改變加壓壓力從而如表2中所示改變凹部的深度。將由此加工的導(dǎo)電性基體放 置于圖2中示出的等離子體CVD設(shè)備中，并在表1中示出的條件下，連續(xù)地形成包括下部注 入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的沉積層。由此獲得的電子照相感光構(gòu)件的表面粗糙度使用表面粗糙度測(cè)量設(shè)備(形狀尋 跡器(form tracer) SV-C4000S4，由 Mitutoyo Corporation 生產(chǎn))來(lái)測(cè)量。用 0. 75mN 的測(cè) 量力使用錐角為60度和前端為R = 2μπι的觸針來(lái)測(cè)量。截止值遵照J(rèn)IS B 0651 :2001。 此時(shí)，不能精確測(cè)量通過壓印形成的具有窄間距的槽，因而以輔助方式通過原子力顯微鏡 (下文中稱作 “AFM，，)(Q-Scope 250，由 Quesant Instrument Corporation 生產(chǎn))來(lái)測(cè)量。 對(duì)應(yīng)于通過觸針法獲得的Ra、Rsm和Rzjis的形狀通過AFM測(cè)量，評(píng)估粗糙度曲線。從獲得 的粗糙度曲線中，根據(jù)JIS B 0601 :2001計(jì)算Ra、Rsm和Rzjis。Ra是指作為本發(fā)明中必需 參數(shù)的算術(shù)平均粗糙度。Rsm是指對(duì)應(yīng)于周期的橫向規(guī)則性。Rzjis是指對(duì)應(yīng)于深度的峰 和谷的十點(diǎn)平均高度。然而，因?yàn)榭赡艽嬖谝蕾囉谥芷诮Y(jié)構(gòu)的變化，重復(fù)5次相同的測(cè)量以 取得平均值，將該平均值定義為深度。通過粗糙度曲線測(cè)量，將如上切削的導(dǎo)電性基體用于測(cè)量其上形成沉積層的電子 照相感光構(gòu)件的Ra，將Ra和形狀分類，然后選擇如表2中所示的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)， 對(duì)于加工條件 1-1 至 1-6,1-8 至 1-13,1-15 至 1-17、1-19、1-21、1-23、1-25、1-26 和 1-29 至1-31，導(dǎo)電性基體表面形狀的Rzjis為0. 100 μ m以上至2. OOOym以下，Rsm為1. Oym 以上至150. 0μ m以下。對(duì)于加工條件1-25、H6和H8至1_30，通過壓印來(lái)形成表面形 狀，Rsm為1. 0 μ m以上至IOym以下。對(duì)于加工條件1-1至1-6、1-9、1-10、1-15至1-18和 1-23，通過車床來(lái)形成表面形狀，Rsm為10. Ομπι以上至30. Ομπι以下。用這些電子照相感 光構(gòu)件進(jìn)行如下描述的耐久試驗(yàn)。通過分析由相同形成方法預(yù)先形成的表面層來(lái)獲得表面 層的組成和密度從而確定形成條件。 (C/ (Si+C)、Si+C 原子密度和 H/ (Si+C+H)的測(cè)量)首先，生產(chǎn)僅包括表1中下部注入阻止層和光導(dǎo)電層的參考電子照相感光構(gòu)件， 將沿任何周向的縱向的中間部切成15mmX 15mm的正方形以生產(chǎn)參考樣品。然后，類似地切 削包括下部注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的電子照相感光構(gòu)件以生產(chǎn)測(cè)量樣品。通過橢 圓偏振光譜法(高速橢圓偏振光譜儀M-2000，由J. A. Woollam Co.，Inc.生產(chǎn))測(cè)量參考 樣品和測(cè)量樣品從而計(jì)算表面層厚度。橢圓偏振光譜法的具體的測(cè)量條件為入射角60°、65°和70°，測(cè)量波長(zhǎng)為 195nm以上至700nm以下和光束直徑為ImmX2mm。首先，對(duì)于參考樣品，通過橢圓偏振光譜 法計(jì)算在各入射角下波長(zhǎng)與振幅比Ψ之間的關(guān)系和波長(zhǎng)與相位差Δ之間的關(guān)系。然后， 使用參考樣品的測(cè)量結(jié)果作為參考，對(duì)于測(cè)量樣品，通過類似于參考樣品的橢圓偏振光譜 法計(jì)算在各入射角下波長(zhǎng)與振幅比Ψ之間的關(guān)系和波長(zhǎng)與相位差△之間的關(guān)系。接下來(lái)，生產(chǎn)依次包括下部注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的電子照相感光構(gòu)件。 將包括其中表面層和空氣層在上表面共存的粗糙層的層構(gòu)造用作計(jì)算模型。通過分析軟件改變?cè)诖植趯又斜砻鎸雍涂諝鈱又g的體積比，通過計(jì)算獲得在各入射角下波長(zhǎng)與振幅比 Ψ之間的關(guān)系和波長(zhǎng)與相位差△之間的關(guān)系。然后，在通過上述計(jì)算獲得的在各入射角下 波長(zhǎng)與振幅比Ψ之間的關(guān)系和波長(zhǎng)與相位差△之間的關(guān)系和通過測(cè)量樣品計(jì)算的在各入 射角下波長(zhǎng)與振幅比Ψ之間的關(guān)系和波長(zhǎng)與相位差△之間的關(guān)系的最小均方誤差時(shí)，選 擇計(jì)算模型。通過選擇的計(jì)算模型計(jì)算表面層厚度，且將獲得的值設(shè)定為表面層厚度。作 為分析軟件，使用由J.A. Woollam Co. , Inc.生產(chǎn)的WVASE 32。此外，對(duì)于粗糙層中表面層 和空氣層之間的體積比，其通過將粗糙層中空氣層的比例以1為間隔將表面層空氣層從 10 0改變至1 9來(lái)計(jì)算。在實(shí)施例的沉積條件下生產(chǎn)的正帶電性a-Si感光構(gòu)件，當(dāng) 粗糙層中表面層和空氣層之間的體積比為8 2時(shí)獲得計(jì)算和測(cè)量之間的最小誤差。具體 地，在上述條件下，獲得通過計(jì)算獲得的波長(zhǎng)與振幅比Ψ之間的關(guān)系和波長(zhǎng)與相位差Δ之 間的關(guān)系和通過測(cè)量計(jì)算的波長(zhǎng)與振幅比Ψ之間的關(guān)系和波長(zhǎng)與相位差△之間的關(guān)系的 最小均方誤差。在完成通過橢圓偏振光譜法的測(cè)量之后，對(duì)于測(cè)量樣品，使用RBS(盧瑟福背散射 光譜法(Rutherford Backscattering Spectrometry))(背散射測(cè)量設(shè)備 AN-25OO,由 NHV Corporation生產(chǎn))測(cè)量在RBS的測(cè)量面積中表面層中的硅原子數(shù)和碳原子數(shù)。從測(cè)量的 硅原子數(shù)和碳原子數(shù)計(jì)算C/(Si+C)。然后，對(duì)于由RBS的測(cè)量面積計(jì)算的硅原子和碳原子， 使用通過橢圓偏振光譜法計(jì)算的表面層厚度來(lái)計(jì)算Si原子密度、C原子密度和Si+C原子 密度。與RBS同時(shí)地，對(duì)于測(cè)量樣品，使用HFS(氫前向散射法)(背散射測(cè)量設(shè)備AN-2500， 由Nisshin High Voltage Co. Ltd.生產(chǎn))測(cè)量在HFS的測(cè)量面積中表面層中的氫原子數(shù)。 從由HFS的測(cè)量面積計(jì)算的氫原子數(shù)和由RBS的測(cè)量面積計(jì)算的硅原子數(shù)和碳原子數(shù)，計(jì) 算 H/(Si+C+H)。然后，對(duì)于從HFS的測(cè)量面積計(jì)算的氫原子數(shù)，使用通過橢圓偏振光譜法計(jì)算 的表面層厚度計(jì)算H原子密度。RBS和HFS的具體的測(cè)量條件為入射離子4He+、入射能 2.3MeV、入射角75°、樣品電流35nA和入射光束直徑1mm。RBS檢測(cè)器用160°散射角和 8mm光圈直徑進(jìn)行測(cè)量，HFS檢測(cè)器用30°反沖角和8mm+狹縫的光圈直徑進(jìn)行測(cè)量。從上 述條件下的分析中，在表1中條件下形成的表面層的C/(Si+C)為0. 72、Si+C原子密度為 6. 9X 10” 原子/cm3。H/(Si+C+H)為 0.41。接下來(lái)，將各電子照相感光構(gòu)件放置于電子照相設(shè)備(為試驗(yàn)而改造的由Canon Inc.生產(chǎn)的iRC 6800)中，并進(jìn)行下述試驗(yàn)。該改造設(shè)備驅(qū)動(dòng)具有通過扭矩計(jì)(變換器 (transducer) STQ-2NM-11009,由TEAC Corporation生產(chǎn))連接的外部發(fā)動(dòng)機(jī)的電子照相 感光構(gòu)件。使用具有根據(jù)JIS K6253型A硬度為80度的清潔刮板，并施加40gf/cm的線壓 力。使用平均粒徑為6. Oym的調(diào)色劑。具有此改造設(shè)備和在此條件下，首先輸出半色調(diào)圖 像從而檢測(cè)是否發(fā)生波紋(存在或不存在波紋)。通過下述等級(jí)評(píng)定評(píng)價(jià)波紋。A…不發(fā)生波紋。E…發(fā)生波紋。在該等級(jí)評(píng)定中，確定獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為A。接下來(lái)，測(cè)量電子照相感光構(gòu)件的初始旋轉(zhuǎn)力矩(初始轉(zhuǎn)矩)。將通過鏡面加工的 導(dǎo)電性基體生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件(比較例1的電子照相感光構(gòu)件1-32)用作參考，并 以下述等級(jí)評(píng)定進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)。
A…與電子照相感光構(gòu)件1-32的轉(zhuǎn)矩相比轉(zhuǎn)矩降低50%以上。B…與電子照相感光構(gòu)件1-32的轉(zhuǎn)矩相比轉(zhuǎn)矩降低30%以上至小于50%。O··與電子照相感光構(gòu)件1-32的轉(zhuǎn)矩相比轉(zhuǎn)矩降低10%以上至小于30%。D…與電子照相感光構(gòu)件1-32的轉(zhuǎn)矩相比轉(zhuǎn)矩相等或降低小于10%。E…與電子照相感光構(gòu)件1-32的轉(zhuǎn)矩相比轉(zhuǎn)矩增加。在該等級(jí)評(píng)定中，確定獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為C以上。接下來(lái)，將上述電子照相設(shè)備用于進(jìn)行50萬(wàn)張耐久試驗(yàn)。在耐久試驗(yàn)之后，再次 評(píng)價(jià)電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩(耐久后轉(zhuǎn)矩)，并且用相同的等級(jí)評(píng)定進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)。 此外，如下述進(jìn)行清潔中漏出的評(píng)價(jià)。使用具有根據(jù)Jis K6253型A硬度為80度的清潔刮 板。將含有比正常調(diào)色劑多2. 5倍的外部添加劑的調(diào)色劑用于該試驗(yàn)中。外部添加劑如二 氧化硅具有微細(xì)粒徑并難以清潔。此外，大量外部添加劑增加調(diào)色劑的流動(dòng)性，這會(huì)使清潔 困難。在此類條件下，改變加壓清潔刮板用線壓力，當(dāng)目視檢測(cè)時(shí)不發(fā)生調(diào)色劑或外部添加 劑如二氧化硅漏出在鼓上時(shí)計(jì)算最小線壓力。在比較例1的電子照相感光構(gòu)件1-32中，在線壓力小于50g/cm下存在痕量外部 添加劑的漏出。將該值用作參考，用下述等級(jí)評(píng)定評(píng)價(jià)漏出(初始漏出)。A…在線壓力小于35g/cm下發(fā)生漏出。B…在線壓力35g/cm以上至小于40g/cm下發(fā)生漏出。C…在線壓力40g/cm以上至小于45g/cm下發(fā)生漏出。D…在線壓力45g/cm以上至小于50g/cm (等于電子照相感光構(gòu)件1_32的線壓力) 下發(fā)生漏出。E…在線壓力50g/cm以上時(shí)也發(fā)生漏出。在該等級(jí)評(píng)定中，確定獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為C以上。如下所述評(píng)價(jià)清潔寬容度。準(zhǔn)備具有不同彈簧常數(shù)的七個(gè)彈簧，改變加壓清潔刮 板的線壓力從而檢測(cè)是否發(fā)生清潔不良。通常，對(duì)于過低的線壓力，具有小粒徑的調(diào)色劑通 過，而過高的線壓力引起震顫并在很多情況下阻礙均勻清潔。在初始階段和50萬(wàn)張耐久試 驗(yàn)之后評(píng)價(jià)不發(fā)生泄漏和震顫的線壓力的范圍(寬容度)。較大的寬容度是指較高的清潔 穩(wěn)定性。將通過鏡面加工的導(dǎo)電性基體生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件(比較例1的電子照相感 光構(gòu)件1-32)用作參考，并以下述等級(jí)評(píng)定進(jìn)行寬容度(清潔寬容度)的相對(duì)評(píng)價(jià)。A…與電子照相感光構(gòu)件1-32相比寬容度在初始階段和耐久試驗(yàn)之后均增加 50%以上。B…與電子照相感光構(gòu)件1-32相比寬容度在初始階段和耐久試驗(yàn)之后均增加小 于 50%。O··與電子照相感光構(gòu)件1-32相比寬容度在初始階段等于電子照相感光構(gòu)件 1-32的寬容度，但在耐久試驗(yàn)之后增加。D…寬容度等于電子照相感光構(gòu)件1-32的寬容度。E…寬容度小于電子照相感光構(gòu)件1-32的寬容度。在該等級(jí)評(píng)定中，確定獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為C以上。在50萬(wàn)張耐久試驗(yàn)之后再次取出電子照相感光構(gòu)件以進(jìn)行表面的反射光譜測(cè) 定。作為評(píng)價(jià)方法，在沿電子照相感光構(gòu)件任何周向的縱向的9個(gè)點(diǎn)處(相對(duì)于電子照相感光構(gòu)件縱向的中心為0mm、士50mm、士90mm、士 130mm和士 150mm)測(cè)量電子照相感光構(gòu)
件的反射光譜波形。在從任何周向旋轉(zhuǎn)180度的位置測(cè)量沿縱向的9個(gè)點(diǎn)，并測(cè)量總計(jì) 18個(gè)點(diǎn)。然后，比較在耐久試驗(yàn)之前預(yù)先測(cè)量的反射光譜結(jié)果和波形。對(duì)于該測(cè)量，將光 以2mm光斑直徑垂直地施加于電子照相感光構(gòu)件表面，并將光譜儀(MCPD-2000，由OTSUKA ELECTRONICS CO.，LTD.生產(chǎn))用于進(jìn)行反射光的光譜測(cè)定。此時(shí)，將波長(zhǎng)范圍設(shè)定為 400nm-750nm( 二者均包括)，并在該范圍內(nèi)計(jì)算極大值和極小值。當(dāng)波長(zhǎng)范圍中極大值和 極小值數(shù)目的總和為奇數(shù)時(shí)，舍去最長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的一個(gè)極大值或極小值以選擇偶數(shù)個(gè)值。計(jì) 算在極大值和極小值的反射率的平均值，并將其定義為反射率中心值。在耐久試驗(yàn)之前(初始階段)和耐久試驗(yàn)之后測(cè)量反射率中心值，比較在相同測(cè) 量點(diǎn)處的值，并且計(jì)算出在耐久試驗(yàn)前后該值增大或減小的程度?？紤]到測(cè)量的變化，將在 18個(gè)點(diǎn)的差平均化從而評(píng)估相應(yīng)感光構(gòu)件的反射率中心值的變化量。當(dāng)反射率中心值顯著 增大時(shí)，確定發(fā)生了由于表面的切削引起的平坦化。同時(shí)，當(dāng)反射率中心值顯著減小時(shí)，確 定在電子照相感光構(gòu)件表面上形成材料如反射防止層。獲得的結(jié)果與比較例1的結(jié)果一起 示于表2中。表2中的綜合判定將重點(diǎn)放在上述評(píng)價(jià)中最低等級(jí)的點(diǎn)處。例如，即使有一 個(gè)E等級(jí)，綜合判定為E等級(jí)。還在綜合判定的等級(jí)評(píng)定中，確定獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為C以 上。(比較例1)將0.025μπι和0.52μπι的Ra通過與實(shí)施例1中相同的生產(chǎn)方法分類，并進(jìn)行與 實(shí)施例1中相同的評(píng)價(jià)。獲得的結(jié)果與實(shí)施例1的結(jié)果一起示于表2中。在實(shí)施例1中， 在整個(gè)Ra范圍內(nèi)從初始階段就沒有出現(xiàn)波紋，與作為參考的電子照相感光構(gòu)件1-32相比 初始階段電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩減小10%以上，并獲得良好的結(jié)果。此外，即使在 50萬(wàn)張的耐久試驗(yàn)之后，電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩仍幾乎不增加，與電子照相感光構(gòu) 件1-32的旋轉(zhuǎn)力矩增大相比轉(zhuǎn)矩相對(duì)減小。因而，推測(cè)長(zhǎng)期使用產(chǎn)生由于電子照相感光構(gòu) 件的旋轉(zhuǎn)力矩增大而引起的條帶現(xiàn)象存在低的可能性。此外，由反射光譜波形獲得的反射 率中心值在初始階段中為約12%，而在耐久試驗(yàn)之后，反射率中心值增加約1-4點(diǎn)或在所 有電子照相感光構(gòu)件中實(shí)質(zhì)上相同。這可能是因?yàn)樯晕⑶邢麟娮诱障喔泄鈽?gòu)件表面的顯微 突起并將顯微粗糙度轉(zhuǎn)化為平坦，由此稍微增加反射率。當(dāng)注意電子照相感光構(gòu)件1-1至1-6并以基本相同的間距比較時(shí)，由在Ra為 0. 050以上至0. 200以下范圍的加工條件下的感光構(gòu)件獲得最好的結(jié)果。通常，對(duì)于一定值 以上的凹凸的深度，初始階段電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩趨于更小。對(duì)于一定值以上的 間距，外部添加劑的泄漏趨于更困難。當(dāng)凹凸的深度和間距在適當(dāng)范圍內(nèi)時(shí)，清潔寬容度趨 于進(jìn)一步增加。同時(shí)，對(duì)于比較例1中Ra為0. 025 μ m的電子照相感光構(gòu)件1_32，從初始階 段轉(zhuǎn)矩相對(duì)高于實(shí)施例1中電子照相感光構(gòu)件的轉(zhuǎn)矩，在50萬(wàn)張耐久試驗(yàn)之后，電子照相 感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩增大。如果旋轉(zhuǎn)力矩連續(xù)增加，會(huì)發(fā)生清潔不良或條帶現(xiàn)象。因而，考 慮到POD市場(chǎng)中的需求，期望旋轉(zhuǎn)力矩不增加。此外，耐久試驗(yàn)之后清潔寬容度趨于減少。具體地，即使在耐久試驗(yàn)之前不出現(xiàn)清 潔不良，耐久試驗(yàn)也改變電子照相感光構(gòu)件表面的狀態(tài)，這在一些情況下在耐久試驗(yàn)之后 會(huì)引起清潔不良。因而，發(fā)現(xiàn)當(dāng)要求極高圖像質(zhì)量時(shí)期望進(jìn)一步增加的寬容度。對(duì)于比較 例1中Ra為0. 520 μ m的電子照相感光構(gòu)件1_33，當(dāng)輸出半色調(diào)圖像時(shí)觀察到輕微的波紋，盡管該波紋在正常辦公室使用中具有可接受的濃度差。對(duì)于此類波紋，POD市場(chǎng)或圖象藝 術(shù)市場(chǎng)需要非常嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，因而發(fā)現(xiàn)電子照相感光構(gòu)件難以滿足該標(biāo)準(zhǔn)。從以上結(jié)果中，發(fā)現(xiàn)當(dāng)表面層的組成和密度設(shè)定在本發(fā)明中適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)時(shí)，電 子照相感光構(gòu)件表面的Ra必須為0. 029 μ m以上至0. 500 μ m以下。此時(shí)，發(fā)現(xiàn)從初始階段 獲得滿意的清潔性，電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)力矩不增加，并且波紋不出現(xiàn)。此外，發(fā)現(xiàn)特 別期望的Ra為0. 050 μ m以上至0. 200 μ m以下。還發(fā)現(xiàn)表面能夠具有深度為0. 10 μ m以 上至2. 00 μ m以下、更優(yōu)選為0. 5 μ m以上至1. 5 μ m以下和周期為1. 0 μ m以上至150 μ m 以下、更優(yōu)選為10 μ m-30 μ m以下的形狀。(表1)
權(quán)利要求
1.一種電子照相感光構(gòu)件，該電子照相感光構(gòu)件包括導(dǎo)電性基體；在所述導(dǎo)電性基體上的光導(dǎo)電層；和在所述光導(dǎo)電層上由氫化非晶碳化硅制成的表面層，其中在所述表面層中碳原子數(shù)(C)與硅原子數(shù)(Si)和碳原子數(shù)(C)的總和之比(C/ (Si+C))為0. 61以上至0. 75以下，在所述表面層中硅原子的密度和碳原子的密度的總和為6. 60 X IO22原子/cm3以上，和由JIS B0601 2001規(guī)定的所述表面層的算術(shù)平均粗糙度Ra為0. 0 μ m以上至 0. 500 μ m 以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中由JISB0601 2001規(guī)定的所述表 面層的算術(shù)平均粗糙度Ra為0. 050 μ m以上至0. 200 μ m以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中由JISB0601 2001規(guī)定的所述表 面層的十點(diǎn)平均粗糙度100 μ m以上至2. 000 μ m以下，和由JIS B0601 :2001規(guī) 定的所述表面層的粗糙度曲線要素的平均長(zhǎng)度Rsm為1. 0 μ m以上至150. 0 μ m以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子照相感光構(gòu)件，其中由JISB0601 :2001規(guī)定的所述表 面層的十點(diǎn)平均粗糙度Rzjis為0. 500 μ m以上至1. 500 μ m以下，和由JIS B0601 :2001規(guī) 定的所述表面層的粗糙度曲線要素的平均長(zhǎng)度Rsm為10. 0 μ m以上至30. 0 μ m以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中由JISB0601 :2001規(guī)定的所述導(dǎo)電 性基體的十點(diǎn)平均粗糙度RzjisSO. 100 μ m以上至2. 000 μ m以下，和由JIS B0601 :2001 規(guī)定的所述導(dǎo)電性基體的粗糙度曲線要素的平均長(zhǎng)度Rsm為1. 0 μ m以上至150. 0 μ m以 下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子照相感光構(gòu)件，其中由JISB0601 :2001規(guī)定的所述導(dǎo) 電性基體的粗糙度曲線要素的平均長(zhǎng)度Rsm為1. 0 μ m以上至10. 0 μ m以下，和所述導(dǎo)電性 基體的表面形狀通過加壓模具形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子照相感光構(gòu)件，其中由JISB0601 :2001規(guī)定的所述導(dǎo) 電性基體的粗糙度曲線要素的平均長(zhǎng)度Rsm為10. 0 μ m以上至30. 0 μ m以下，和所述導(dǎo)電 性基體的表面形狀通過用車床來(lái)工具切削形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中在所述表面層中氫原子數(shù)(H)與硅 原子數(shù)(Si)、碳原子數(shù)(C)和氫原子數(shù)(H)的總和之比(H/(Si+C+H))為0. 30以上至0. 45 以下。
9.一種電子照相設(shè)備，該電子照相設(shè)備包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備。本發(fā)明提供電子照相感光構(gòu)件和包括該電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備，所述電子照相感光構(gòu)件包括導(dǎo)電性基體；在所述導(dǎo)電性基體上的光導(dǎo)電層；和在所述光導(dǎo)電層上由氫化非晶碳化硅制成的表面層，其中在所述表面層中(C/(Si+C))為0.61以上至0.75以下，在所述表面層中Si+C原子密度為6.60×1022原子/cm3以上，和所述表面層的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.029μm以上至0.500μm以下。
文檔編號(hào)G03G15/00GK102081313SQ201010566128
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者大山一成, 大脅弘憲, 青木誠(chéng) 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社