專利名稱：液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思涉及一種液晶顯示器件。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)器件是一種廣泛使用的平板顯示器類型，通常通過施加電壓到設(shè) 置在LCD中的基板上的電極以重排插置于電極之間的液晶層中的液晶分子，由此控制穿過 液晶層透射的光量來顯示圖像。相對于其它類型的顯示器件，IXD具有薄的優(yōu)點，但是在IXD中側(cè)可視性通常低于 正可視性。因此，已經(jīng)開發(fā)了各種類型的液晶陣列和/或驅(qū)動方法以試圖增大LCD的側(cè)可 視性。例如，為了改善LCD的視角，LCD可以包括其上設(shè)置有像素電極和參考電極兩者的基 板。然而，當(dāng)IXD包括其上設(shè)置有像素電極和參考電極兩者的基板時，引發(fā)了像素和 參考電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。然而，當(dāng)像素和參考電極與數(shù)據(jù)線之間的間隔加寬以 減小它們之間的寄生電容時，LCD的透射率降低。此外，透射率還由于在使用透明材料的像素電極和參考電極的制造工藝期間像素 和參考電極的還原反應(yīng)而進一步減小。

發(fā)明內(nèi)容
在一示范性實施例中，液晶顯示器件包括第一基板、面對該第一基板的第二基板、 以及設(shè)置在該第一基板與該第二基板之間的雙鈍化層。該雙鈍化層包括第一鈍化層和第二 鈍化層，其中該第一鈍化層的折射率不同于該第二鈍化層的折射率。在一示范性實施例中，液晶顯示器件包括第一基板；面對該第一基板的第二基 板；液晶層，插置于該第一基板與該第二基板之間；柵極線，設(shè)置在該第一基板與該液晶層 之間；數(shù)據(jù)線，設(shè)置在該第一基板與該液晶層之間；參考電壓線，設(shè)置在該第一基板與該液 晶層之間；以及像素，連接到該柵極線和該數(shù)據(jù)線。該像素包括薄膜晶體管，連接到該數(shù) 據(jù)線的第一部分；第一電極，連接到該薄膜晶體管并包括形成在其中的交迭該薄膜晶體管 的開口 ；以及第二電極，設(shè)置在該第一電極與該液晶層之間。該第二電極包括第一連接 部，設(shè)置得基本平行于該數(shù)據(jù)線；第二連接部，設(shè)置得基本平行于該柵極線并連接到該第一 連接部；以及分支電極，包括第一部分和連接到該第一部分的第二部分，以及連接到該第一 部分和該第二連接部的第三部分。該第二部分與該第一部分形成第一角度，該第三部分與 該第一部分形成第二角度，該第三部分與該第二連接部形成第三角度，第一開口形成該第 二電極中，交迭該薄膜晶體管和該數(shù)據(jù)線的第一部分。在一示范性實施例中，一種液晶顯示器件包括第一基板；面對該第一基板的第 二基板；液晶層，插置在該第一基板與該第二基板之間；數(shù)據(jù)線，設(shè)置在該第一基板上；以 及像素，設(shè)置為鄰近該數(shù)據(jù)線。該像素包括設(shè)置在該第一基板與該液晶層之間的參考電極 以及設(shè)置在該第一基板與該參考電極之間的像素電極。


通過參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的以上和其它的方面 將變得更易于理解，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示(LCD)器件的示范性實施例的平面圖；圖2A是沿圖1的線IIa-IIa截取的局部橫截面圖；圖2B是沿圖1的線nb-nb截取的局部橫截面圖；圖3A是圖1的部分A的放大視圖；圖:3B是圖1的部分A’的放大視圖；圖3C是圖1的部分A”的放大視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的又一示范性實施例的平面圖；圖6A是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的再一示范性實施例的平面圖；圖6B是沿圖6A的線VIB-VIB截取的局部橫截面圖；圖7A是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖；圖7B是沿圖7A的線VIIB-VIIB截取的局部橫截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的又一示范性實施例的平面圖；圖9是沿圖8的線IX-IX截取的局部橫截面圖；圖10是沿圖8的線X-X截取的局部橫截面圖；圖IlA是圖8的部分A的放大視圖；圖IlB是圖8的部分A’的放大視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的又一示范性實施例的平面圖；圖13是沿圖12的線XIII-XIII截取的局部橫截面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的又一示范性實施例的平面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的再一示范性實施例的平面圖；圖17是沿圖16的線XVII-XVII截取的局部橫截面圖；圖18包括折射率與在根據(jù)本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積工藝的示范性實施例中使用的 氮(N2)氣體的流速和N2氣體的壓強的曲線圖；圖19是透射率與根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件中鈍化層的示范性實施例的厚度的 曲線圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的示范性實施例的透射率對應(yīng)于其第一和第 二鈍化層的折射率的曲線圖；圖21A和圖21B是根據(jù)本發(fā)明的透明電極的示范性實施例的橫截面的顯微照片；圖22是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖；以及圖23是沿圖22的線XXIII-XXIII截取的局部橫截面圖。
具體實施例方式下面將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出各種實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式體現(xiàn)，而不應(yīng)解釋為局限于這里闡述的實施例。而是，提供這些實施例以 使本公開將透徹和完整，并將本發(fā)明的范圍充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。相似的附圖標(biāo)記 始終指示相似的元件。將理解，當(dāng)稱元件在另一元件“上”時，它可以直接在另一元件上，或者居間元件可 存在于它們之間。相反，當(dāng)稱元件“直接在”另一元件“上”時，則沒有居間元件存在。這里 使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項中的一個或更多的任意和全部組合。將理解，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可在這里用于描述各種元件、組元、區(qū)域、層 和/或部分，但是這些元件、組元、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用 于將一個元件、組元、區(qū)域、層或部分與另一元件、組元、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面 論述的第一元件、組元、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組元、區(qū)域、層或部分而不偏離 本發(fā)明的教導(dǎo)。這里使用的術(shù)語僅用于描述特定實施例，并不意圖進行限制。這里使用時，除非上 下文清楚地另外表明，否則單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。還將理解， 當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”指定所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、 元件和/或組元的存在，但并不排除一個或更多其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組 元和/或它們的組的存在或增加。此外，相對關(guān)系術(shù)語諸如“下”或“底”以及“上”或“頂”可在這里用來描述如圖所 示的一個元件與另一元件的關(guān)系。將理解，相對關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋除了圖示取向之外器件 的不同取向。例如，如果附圖之一中的器件被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件“下”側(cè)的元件 將會取向為在其它元件“上”側(cè)。因此，根據(jù)附圖的特定取向，示例性術(shù)語“下”能涵蓋“下” 和“上”兩種取向。類似地，如果附圖之一中的器件被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件“之下”或 “下面”的元件于是會取向為在其它元件“之上”。因此，示范性術(shù)語“之下”或“下面”能涵 蓋之上和之下兩種取向。除非另行定義，此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有與本發(fā) 明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解，術(shù)語例如通用字典 中定義的術(shù)語應(yīng)解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)背景中的含義一致的含義，將不會在理想化 或過于正式的意義上解釋，除非這里清楚地這樣定義。這里參照橫截面圖描述示范性實施例，橫截面圖是理想化實施例的示意圖。這樣， 例如制造技術(shù)和/或容差引起的圖示形狀的變化是可以預(yù)期的。因此，這里描述的實施例 不應(yīng)解釋為局限于這里圖示的區(qū)域的特定形狀，而是將包括由例如制造引起的形狀偏差。 例如，圖示或描述為平坦的區(qū)域可通常具有粗糙和/或非線性特征。此外，示出的尖角可以 是倒圓的。因此，圖示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出區(qū)域的精確形狀， 也不意圖限制權(quán)利要求書的范圍。下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的示范性實施例的平面圖，圖2A是沿圖1的線 IIa-IIa截取的局部橫截面圖，圖2B是沿圖1的線nb_nb截取的局部橫截面圖。參照圖1和圖2A、2B，根據(jù)一示范性實施例的液晶顯示器件包括下顯示面板100、 設(shè)置得對著例如面對下顯示面板100的上顯示面板200、以及插置在下顯示面板100和上顯 示面板200之間的液晶層3。現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述下顯示面板100。
包括柵極線121和參考電壓線131的柵極導(dǎo)體設(shè)置在絕緣基板110上，絕緣基板 110可以由例如透明玻璃或塑料制成。柵極線121包括柵極電極IM和寬的端部(未示出)， 寬的端部可例如連接到其它層或外部驅(qū)動電路(未示出)。柵極線121可由例如鋁基金屬 (諸如鋁(Al)或鋁合金)、例如銀基金屬(諸如銀(Ag)或銀合金)、例如銅基金屬(諸如銅 (Cu)或銅合金)、例如鉬(Mo)基金屬(諸如鉬(Mo)或鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti) 以及其它金屬制成。在一示范性實施例中，柵極線121可具有包括至少兩個導(dǎo)電層的多層 結(jié)構(gòu)，該至少兩個導(dǎo)電層可具有不同物理屬性。參考電壓線131傳輸恒定參考電壓且，更具體地，包括連接到參考電極270的擴展 部分135，從而傳輸參考電壓到參考電極270。參考電壓線131可以設(shè)置得沿第一方向例如 水平方向(如圖1所示)基本平行于柵極線121，且可由與柵極線121相同的材料制成，盡 管其它示范性實施例不限于此。柵極絕緣層140可由例如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成，設(shè)置在柵極 線121和參考電壓線131上。柵極絕緣層140可以具有包括至少兩個絕緣層的多層結(jié)構(gòu)， 該至少兩個絕緣層可具有不同的物理屬性。半導(dǎo)體島IM可由例如非晶硅(a-Si)或多晶硅(p-Si)制成，設(shè)置在柵極絕緣層 140上。半導(dǎo)體島154的至少一部分交迭柵極電極124。歐姆接觸163和165設(shè)置在半導(dǎo)體島巧4上。歐姆接觸163和165可以例如由諸 如η+氫化非晶硅的材料制成，所述η+氫化非晶硅被摻雜有高濃度的η型雜質(zhì)諸如磷(P)， 或者歐姆接觸163和165可由硅化物制成。歐姆接觸163和165可成對設(shè)置在相應(yīng)的半導(dǎo) 體島154上。包括源極電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏極電極175的數(shù)據(jù)導(dǎo)體設(shè)置在歐姆接觸 163和165以及柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括連接到例如其它層或外部驅(qū)動電路(未示出)的寬的端部(未示 出)。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號，并沿第二方向例如垂直方向(如圖1所示)延伸，第二方 向基本垂直于第一方向，從而與柵極線121和參考電壓線131交叉。在一示范性實施例中， 數(shù)據(jù)線171和柵極線121可定義像素區(qū)域，但其它的示范性實施例不限于此。在一示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171可包括靠近像素區(qū)域的中間區(qū)域例如中心區(qū)域 的第一彎曲部，第一彎曲部包括尖頂(chevron-like)形，例如“V”形，從而基本改善根據(jù)一 個或更多示范性實施例的液晶顯示器件的透射率。數(shù)據(jù)線171還可包括連接到第一彎曲部 且與第一彎曲部形成預(yù)定角的第二彎曲部。更具體地，例如，在一示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部可與配向?qū)拥哪?擦方向形成約7度(° )的角。設(shè)置在像素區(qū)域的中間區(qū)域中的第二彎曲部可從第一彎曲 部延伸以與第一彎曲部形成在約7°至約15°范圍內(nèi)的角。源極電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并沿數(shù)據(jù)線171設(shè)置。漏極電極175沿基本 平行于源極電極173的方向延伸。在一示范性實施例中，漏極電極175可以設(shè)置得基本平 行于數(shù)據(jù)線171，例如沿第二方向。柵極電極124、源極電極173和漏極電極175與半導(dǎo)體島IM—起形成薄膜晶體管 (TFT)，薄膜晶體管的溝道設(shè)置在源極電極173與漏極電極175之間的半導(dǎo)體島巧4上。在一示范性實施例中，液晶顯示器件還可包括源極電極173以及漏極電極175，其中源極電極173設(shè)置在其上設(shè)置數(shù)據(jù)線171的同一線上，漏極電極175設(shè)置得基本平行于 數(shù)據(jù)線171。因而，可以增大薄膜晶體管的寬度而不擴大數(shù)據(jù)導(dǎo)體所需的空間，從而實質(zhì)上 增大了液晶顯示器件的開口率。在一示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171和漏極電極175可例如由金屬諸如鉬(Mo)、鉻 (Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、銅(Cu)或者它們的合金/多種合金制成，并可具有包括難熔金屬層 (未示出)和低電阻導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。在一示范性實施例中，多層結(jié)構(gòu)可以具 有例如包括鉻、鉬或其合金/多種合金的下層和鋁或其合金的上層的雙層；例如包括鈦或 其合金的下層和銅或其合金的上層的雙層；以及例如包括鉬或其合金的下層、鋁或其合金 的中間層和鉬或其合金的上層的三層。在其它示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171和/或漏極電 極175可以由包括上述材料的各種金屬或?qū)w制成。數(shù)據(jù)線171的寬度可以為約3. 5微米 (μ m) 士 0. 75 μ m，但其它示范性實施例不限于此。像素電極191設(shè)置在部分漏極電極175和柵極絕緣層140上。像素電極191包括與數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部和第二彎曲部基本平行的一對彎曲 邊緣。像素電極191設(shè)置在漏極電極175上，交迭部分漏極電極175并連接到漏極電極 175。像素電極191可例如由透明材料諸如多晶、單晶、非晶的銦錫氧化物(ITO)或銦鋅 氧化物(IZO)制成。鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和漏極電極175、暴露的半導(dǎo)體島154、以及像素電 極191上。鈍化層180可例如由無機絕緣體諸如硅氮化物和硅氧化物制成。在另一示范 性實施例中，鈍化層180可由有機絕緣體制成且其表面可被平坦化。有機絕緣體可具有光 敏性，有機絕緣體的介電常數(shù)可為約4.0或更小。在一示范性實施例中，鈍化層180可具有 雙層結(jié)構(gòu)，包括下無機層和上有機層，這實質(zhì)上改善了絕緣特性并有效保護了半導(dǎo)體島巧4 的暴露部分。鈍化層180的厚度可超過約5000埃(A )。在另一示范性實施例中，鈍化層180 的厚度可在約6000 A至約8000 A的范圍。鈍化層180可包括暴露數(shù)據(jù)線171的端部的接觸孔(未示出)，鈍化層180和柵極 絕緣層140包括暴露參考電壓線131的擴展部分135的接觸孔183和暴露柵極線121的端 部的接觸孔(未示出)。參考電極270設(shè)置在鈍化層180上。參考電極270交迭像素電極191并包括分支 電極271、連接到分支電極271的水平連接部272、以及連接到水平連接部272的垂直連接 部273。參考電極270可例如由透明導(dǎo)電材料諸如多晶、單晶、非晶的ITO或IZO制成。設(shè) 置在相鄰像素中的參考電極270彼此連接。參考電極270的分支電極271包括第一部分271a (示于圖1的指示部分A的虛線 圓中)和第二部分271b (示于圖1的指示部分A’的虛線圓中)，第一部分271a和第二部分 271b分別基本平行于數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部和第二彎曲部。第一部分271a與配向?qū)拥?摩擦方向形成約5°至約10°范圍的角。在一示范性實施例中，第一部分271a與配向?qū)拥?摩擦方向形成約7°的角。第二部分271b可從第一部分271a延伸，與第一部分271a形成 約7°至約15°范圍的角。參考電極270的水平連接部272設(shè)置得基本平行于柵極線121且連接到分支電極271。參考電極270的設(shè)置在像素區(qū)域的下部上的水平連接部272包括開口部，例如第一開 口 274，第一開口 274暴露形成TFT的柵極電極124、半導(dǎo)體島154、形成源極電極173的數(shù) 據(jù)線171、漏極電極175、以及部分參考電壓線131。參考電極270的水平連接部272具有沿 參考電壓線131的擴展部分135延伸的參考電極擴展部275。設(shè)置在相鄰像素中的參考電 極270彼此連接。參考電極270的分支電極271還包括第三部分271c (示于指示部分A”的虛線圓 中)，第三部分271c連接到參考電極270的水平連接部272，其中第三部分271c可與第一 部分271a形成約7°至約15°范圍的角。在一示范性實施例中，參考電極270的分支電極 271的第一部分271a與水平連接部272之間的角(其可為銳角)比第二部分271b與水平 連接部272之間的角(其可為銳角)或第三部分271c與水平連接部272之間的角(其可 為銳角)大在約7°至約15°范圍內(nèi)的角度。參考電極270的垂直連接部273延伸從而交 迭設(shè)置在兩個相鄰像素之間的數(shù)據(jù)線171，并包括設(shè)置在部分?jǐn)?shù)據(jù)線171上的第一開口部 274。參考電極270的第一開口部274暴露數(shù)據(jù)線171的源極電極173部分，且可具有 在約30 μ m至約60 μ m范圍內(nèi)的寬度。參考電極270的擴展部分275通過形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中的接觸 孔183連接到參考電壓線131。在參考電壓線131和參考電極270通過鈍化層180的接觸孔183彼此連接的像素 中，像素電極191的與柵極線121相鄰的邊緣可包括切口 192，切口 192形成在與參考電壓 線131的擴展部分135、接觸孔183和參考電極270的擴展部分275對應(yīng)的部分中并圍繞參 考電壓線131與參考電極270的接觸區(qū)域的至少一部分。因此，設(shè)置在參考電壓線131與 參考電極270之間的像素電極191不交迭參考電壓線131和參考電極270的接觸部分，從 而有效防止了參考電極270與像素電極191之間的短路。在一示范性實施例中，配向?qū)?未示出)可設(shè)置在參考電極270和鈍化層180上， 配向?qū)涌梢允撬脚湎驅(qū)硬⒀仡A(yù)定方向摩擦。更具體地，例如，配向?qū)拥哪Σ练较蚩膳c參考 電極270的分支電極的第一部分271a形成在約5°至10°的范圍內(nèi)的角。在另一示范性 實施例中，配向?qū)拥哪Σ练较蚩膳c第一部分271a形成約7°的角?，F(xiàn)在將更詳細(xì)地描述上顯示面板200。仍參照圖1和圖2A、2B，光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在絕緣基板210上，絕緣基板210可 例如由透明玻璃或塑料制成。光阻擋構(gòu)件220也稱為黑矩陣220，并防止光泄漏。濾色器230設(shè)置在絕緣基板210上。在一示范性實施例中，濾色器230可設(shè)置在 光阻擋構(gòu)件220包圍的區(qū)域中并可在沿像素電極191的列的垂直方向上延伸。每個濾色器 230可顯示多種基色(例如紅、綠和藍)中的一種基色。涂層250設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上。涂層250可由絕緣材料例如有 機絕緣材料制成，并有效防止濾色器230被暴露，且還提供平坦化的平面。在一個或更多示 范性實施例中，可省略涂層250。液晶層3包括具有正介電各向異性的向列液晶材料。液晶層3的液晶分子31被 排列使得液晶分子31的縱軸布置得基本平行于下顯示面板100和上顯示面板200的平行 面對表面定義的平面，液晶分子31的縱軸的方向從下顯示面板100到上顯示面板200關(guān)于配向?qū)拥哪Σ练较蚵菪まD(zhuǎn)約90°。像素電極191接收來自漏極電極175的數(shù)據(jù)電壓，參考電極270接收來自參考電 壓線131的公共電壓。參考電極270連接到接收參考電壓的另一參考電極，但是參考電極 270通過參考電壓線131接收來自設(shè)置于顯示區(qū)域外的參考電壓施加單元(未示出)的參 考電壓，以防止在顯示區(qū)域中的電壓降。接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極191和接收公共電壓的參考電極270產(chǎn)生電場，由此設(shè) 置在像素電極191與參考電極270之間的液晶層3的液晶分子31旋轉(zhuǎn)到與電場方向基本平 行的方向上。如上所述，穿過液晶層透射的光的偏振根據(jù)液晶分子31的旋轉(zhuǎn)方向來確定。因此，液晶顯示器件的液晶層3的液晶分子31根據(jù)形成在參考電極270的分支電 極271的邊緣與像素電極191之間的電場而旋轉(zhuǎn)。在一示范性實施例中，由于配向?qū)颖荒?擦使得液晶層3的液晶分子31排列為具有預(yù)傾角并且摩擦角關(guān)于參考電極270的分支電 極271可以在約5°至約10° (例如約7° )的范圍，所以液晶分子31可從預(yù)傾斜方向快 速旋轉(zhuǎn)到電場方向。液晶顯示器件的像素電極191設(shè)置在柵極絕緣層140與鈍化層180之間并通過覆 蓋部分漏極電極175而連接到漏極電極175，開口率由此實質(zhì)上增大。在一示范性實施例中，液晶顯示器件包括沿部分?jǐn)?shù)據(jù)線171設(shè)置的源極電極173 和基本平行于部分?jǐn)?shù)據(jù)線171延伸的漏極電極175。因此，實質(zhì)上增大了薄膜晶體管的寬度 而不要求加寬其中設(shè)置數(shù)據(jù)導(dǎo)體的區(qū)域，從而進一步增大了液晶顯示器件的開口率。在一示范性實施例中，設(shè)置在鈍化層180上的參考電極270包括開口部274，開口 部274暴露TFT的柵極電極124、半導(dǎo)體島154、部分?jǐn)?shù)據(jù)線171例如源極電極173、以及漏 極電極175。因此，數(shù)據(jù)線171與參考電極270之間的寄生電容由此實質(zhì)上得到減小。下面將更詳細(xì)地描述顯示數(shù)據(jù)線171與參考電極270之間的寄生電容減小的實驗 結(jié)果。表1示出液晶顯示器件的實驗組相對于常規(guī)液晶顯示器件的常規(guī)組，數(shù)據(jù)線171與 參考電極270之間的寄生電容的測量值的比率(作為百分?jǐn)?shù))。具體地，從多個液晶顯示器 件測量數(shù)據(jù)線171與參考電極270之間的寄生電容，所述多個液晶顯示器件包括不同形狀 的數(shù)據(jù)線和形成液晶顯示器件的薄膜晶體管的漏極電極175、參考電極270的不同開口部、 不同線寬的數(shù)據(jù)線171以及不同厚度的鈍化層180。表 1
A71. 0%B62. 1%C49. 6% 在表1中，實驗組中的液晶顯示器件的參考電極270與數(shù)據(jù)線171之間的寄生電 容表示為關(guān)于常規(guī)液晶顯示器件的參考電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的百分?jǐn)?shù)，常規(guī)液晶 顯示器件包括U形漏極電極和設(shè)置在參考電極與數(shù)據(jù)線之間的有機絕緣層。組A包括的液 晶顯示器件具有源極電極173和漏極電極175，源極電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并沿數(shù) 據(jù)線171設(shè)置，漏極電極175基本平行于數(shù)據(jù)線171延伸，其中參考電極270包括第一開口部274，第一開口部274暴露形成薄膜晶體管的柵極電極124、半導(dǎo)體島154、是數(shù)據(jù)線171 的一部分的源極電極173、漏極電極175、以及部分參考電壓線131。組B包括的液晶顯示器 件與組A的液晶顯示器件相同，除了數(shù)據(jù)線的線寬形成在約3. 5 μ m以外；組C包括的液晶 顯示器件與組B的液晶顯示器件相同，除了鈍化層180的厚度形成在約8000 A以外。如表1所示，與常規(guī)液晶顯示器件相比，組A的參考電極270與數(shù)據(jù)線171之間的 寄生電容減小到約71. 0%;通過控制數(shù)據(jù)線171的線寬，組B的參考電極270與數(shù)據(jù)線171 之間的寄生電容減小到約62. 1% ；通過控制鈍化層180的厚度，組C的參考電極270與數(shù) 據(jù)線171之間的寄生電容減小到約49. 6%。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的示范性實施例具有實質(zhì)上改善的開口 率、實質(zhì)上減小的數(shù)據(jù)線171與參考電極270之間的寄生電容，而沒有復(fù)雜的制造工藝，因 而，實質(zhì)上減少和/或有效防止由于寄生電容引起的圖像質(zhì)量惡化。現(xiàn)在將參照圖3A至圖3C更詳細(xì)地描述根據(jù)液晶顯示器件的示范性實施例的參考 電極270的分支電極271的形狀。圖3A是圖1的部分A的放大視圖，部分A是參考電極 270的第一部分271a ；圖;3B是圖1的部分A’的放大視圖，部分A’是參考電極270的第二 部分271b ；圖3C是圖1的部分A”的放大視圖，部分A”是參考電極270的第三部分271c。參照圖3A，參考電極270的分支電極271的第一部分271a設(shè)置在與設(shè)置于下顯示 面板100上的配向?qū)拥哪Σ练较蛐纬傻谝唤铅?1的方向上。如上所述，第一角Θ1可在約 5°至約10°的范圍內(nèi)(例如約7° )。參照圖3Β，參考電極270的分支電極271的第二部 分271b設(shè)置在與第一部分271a形成第二角θ 2的方向上；參照圖3C，參考電極270的第 三部分271c設(shè)置在與第一部分271a形成第二角θ 2的方向上。在一示范性實施例中，第 二角度θ 2可在約7°至約15°的范圍內(nèi)。如上所述，參考電極270的分支電極271包括第一部分271a、第二部分271b和第 三部分271c，從而改變了在像素區(qū)域的中部和邊緣部分處產(chǎn)生的電場的方向。然而，在常規(guī) 的液晶顯示器件中，在分支電極271的邊緣部分處產(chǎn)生的電場的方向基本上不同于在分支 電極271的中部的電場的方向，且當(dāng)在液晶層3中產(chǎn)生電場時液晶分子的排列方向在很大 程度上不規(guī)則，從而在圖像中產(chǎn)生不期望的紋理。然而，在一示范性實施例中，液晶顯示器 件包括第二部分271b和第三部分271c，第二部分271b和第三部分271c與摩擦方向形成的 角大于第一部分271a與摩擦方向形成的角，以調(diào)整在分支電極271的邊緣部分和中部的電 場的方向，從而液晶層3的液晶分子通過沿預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)而排列在一預(yù)定方向上。因而，有 效防止了由于像素區(qū)域的中部或上和下邊界部分處液晶分子31的不規(guī)則旋轉(zhuǎn)引起的任何 紋理。在一示范性實施例中，參考電極270的分支電極271包括第一部分27la、第二部分 271b和第三部分271c，用于當(dāng)通過分支電極271產(chǎn)生電場時使液晶分子31沿不同方向排 列，從而實質(zhì)上增大了液晶顯示器件的可視角度，有效補償了色調(diào)?，F(xiàn)在將參照圖4更詳細(xì)地描述另一示范性實施例，圖4是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示 器件的平面圖。圖4的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)基本上與上面更詳細(xì)描述的圖1和圖2A、2B所示的液 晶顯示器件的示范性實施例的結(jié)構(gòu)相同。圖4所示的相同或相似的元件已經(jīng)用與圖1和圖 2A、2B中所使用的相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識，在下文中將省略或簡化對其的任何重復(fù)的具體描述。如圖4所示，液晶顯示器件包括至少三個相鄰像素，其中所述至少三個相鄰像素 中的一個像素包括間隔物325。間隔物325可以設(shè)置在參考電壓線131的擴展部分135上， 間隔物325的面積大于連接參考電壓線131和參考電極270的接觸孔183的面積。在一示范性實施例中，(所述至少三個相鄰像素中的)包括間隔物325的像素不 包括連接參考電壓線131和參考電極270的接觸孔183，而(所述至少三個相鄰像素中的) 其它的像素包括接觸孔183。因此，參考電壓線131和參考電極270可以通過沒有設(shè)置間隔 物325的像素區(qū)域中的接觸孔183連接。當(dāng)間隔物325設(shè)置在接觸孔183上時，像素距離 會由于接觸孔183引起的臺階差而不準(zhǔn)確。在一示范性實施例中，像素距離的準(zhǔn)確性通過 將間隔物325僅設(shè)置在沒有形成連接參考電壓線131和參考電極270的接觸孔183的像素 中而增大。設(shè)置在三個相鄰像素中的包括間隔物325的像素中的光阻擋構(gòu)件220的與間隔物 325對應(yīng)的部分?jǐn)U展從而覆蓋間隔物325。因此，其中設(shè)置有間隔物325的像素的開口率可 小于其它像素的開口率。所述至少三個相鄰像素可顯示不同的顏色，在至少三個相鄰像素中，包括間隔物 325的像素具有最小的開口率，可以是綠像素。在一示范性實施例中，當(dāng)綠像素的開口率小 于其它顏色像素的開口率時，有效防止了液晶顯示器件的泛黃(yellow discoloration)?，F(xiàn)在將參照圖5更詳細(xì)地描述液晶顯示器件的另一示范性實施例。圖5是根據(jù)本 發(fā)明的液晶顯示器件的平面圖。圖5的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)與圖1和圖2A、2B中的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)基本相 同，除了參考電壓線131之外。圖5示出的相同或相似元件已經(jīng)用與以上用來描述圖1和 圖2A、2B所示的液晶顯示器件的示范性實施例的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記標(biāo)識，在下文將 省略或簡化對其的任何重復(fù)的具體描述。如上所述，在圖5所示的液晶顯示器件的示范性實施例中，參考電壓線131設(shè)置在 像素區(qū)域的中部，參考電壓線131的擴展部分135設(shè)置在像素區(qū)域的中部且參考電極270 的擴展部分275設(shè)置在像素區(qū)域的中部。連接參考電壓線131和參考電極270的接觸孔183、參考電壓線131的擴展部分 135以及參考電極270的擴展部分275可以設(shè)置在三個相鄰像素中的一個像素中，接觸孔 183可以不形成在三個相鄰像素中的其它像素中。因此，參考電壓線131和參考電極270能 夠通過三個相鄰像素中的一個像素中的接觸孔183連接。參考電壓線131和參考電極270 的接觸區(qū)域可以設(shè)置為鄰近數(shù)據(jù)線171。在三個相鄰像素中的參考電壓線131和參考電極270通過接觸孔183彼此連接的 一個像素中，像素電極191可以包括切口 192，切口 192形成在像素電極191的與參考電壓 線131的擴展部分135、接觸孔183和參考電極270的擴展部分275對應(yīng)的中央部分處并 暴露參考電壓線131與參考電極270的接觸區(qū)域。因此，設(shè)置在參考電壓線131與參考電 極270之間的像素電極191不交迭參考電壓線131和參考電極270的接觸部分，從而有效 防止了參考電極270與像素電極191之間的短路。在一示范性實施例中，當(dāng)連接參考電壓線131和參考電極270的接觸孔183、參考 電壓線131的擴展部分135以及參考電極270的擴展部分275設(shè)置在三個相鄰像素中的一個像素中時，其中參考電壓線131和參考電極270連接的一個像素的開口率可小于三個相 鄰像素中其它像素的開口率。三個相鄰像素可顯示不同的顏色，其中參考電壓線131和參考電極270連接且具 有較小開口率的所述一個像素可以是綠像素。如上所述，通過僅在部分像素中連接參考電壓線131和參考電極270，能夠增大像 素中其它像素的開口率，從而實質(zhì)上增大了液晶顯示器件的總體開口率。在一示范性實施 例中，綠像素的開口率可小于顯示其它顏色的其它像素的開口率，從而有效防止液晶顯示 器件的泛黃。現(xiàn)在將參照圖6A和圖6B更詳細(xì)地描述液晶顯示器件的另一示范性實施例。圖6A 是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖，圖6B是沿圖6A的線VIB-VIB 截取的局部橫截面圖。圖6A和圖6B的液晶顯示器件的示范性實施例的結(jié)構(gòu)與圖1和圖2A、2B中的液晶 顯示器件的結(jié)構(gòu)基本相同，除了圖6A和圖6B的液晶顯示器件還包括屏蔽電極88和第二開 口部276以外。圖6A和圖6B中示出的相同或相似的元件已經(jīng)用與以上用來描述圖1和圖 2A、2B所示的液晶顯示器件的示范性實施例的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識，在下文將 省略或簡化對其的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。如上所述，圖6A和圖6B所示的液晶顯示器件包括屏蔽電極88和第二開口部276， 屏蔽電極88設(shè)置在數(shù)據(jù)線171之下，第二開口部276設(shè)置在數(shù)據(jù)線171之上并形成在交迭 數(shù)據(jù)線171的垂直連接部273中。屏蔽電極88可以設(shè)置在與設(shè)置柵極導(dǎo)體的層相同的層 中并可以被浮置。屏蔽電極88有效防止了光泄露。參考電極270的設(shè)置在數(shù)據(jù)線171之 上的第二開口部276的垂直長度可以大于設(shè)置在一個像素中的數(shù)據(jù)線171的垂直長度的一 半。如上所述，參考電極270的設(shè)置在數(shù)據(jù)線171之上的垂直連接部273的一部分通過具 有形成在其中的第二開口部276而不交迭數(shù)據(jù)線171，從而實質(zhì)上減小了數(shù)據(jù)線171與參考 電極270之間的寄生電容。參照圖6B，屏蔽電極88的寬度dl可以在約8. 2 μ m至約8. 8 μ m的范圍，屏蔽電極 88與像素電極191之間的距離d2可以在約4. 7μπι至約5. 3μπι的范圍。數(shù)據(jù)線171的寬 度d3可以在約3. 2 μ m至約3. 8 μ m的范圍，參考電極270的設(shè)置在數(shù)據(jù)線171之上的第二 開口 276的寬度d4可以在約4. 2 μ m至約4. 8 μ m的范圍。在一示范性實施例中，參考電極 270的設(shè)置在數(shù)據(jù)線171之上的第二開口 276的寬度d4大于數(shù)據(jù)線171的寬度d3，數(shù)據(jù)線 171和參考電極270通過第二開口 276而不彼此交迭，實質(zhì)上減小了由于數(shù)據(jù)線171和參考 電極270的交迭引起的寄生電容。在一示范性實施例中，參考電極270的分支電極271的 寬度d5可以在約4. 2 μ m至約4. 8 μ m的范圍，與數(shù)據(jù)線171相鄰的分支電極271與屏蔽電 極88可彼此交迭，交迭部分的寬度d6可在約1. 7 μ m至約2. 3 μ m的范圍?，F(xiàn)在將參照圖7A和圖7B更詳細(xì)地描述液晶顯示器件的另一實施例。圖7A是根 據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖，圖7B是沿圖7A的線VIIB-VIIB 截取的局部橫截面圖。圖7A和圖7B的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)基本類似于圖1和圖2A、2B中的液晶顯示器 件的結(jié)構(gòu)，除了參考電極270之外。圖7A和圖7B中示出的相同或相似的元件已經(jīng)用與以 上用來描述圖1和圖2A、2B中示出的液晶顯示器件的示范性實施例的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識，在下文將省略或簡化對其的任何重復(fù)詳細(xì)描述。包括柵極電極124的柵極線121和參考電壓線131設(shè)置在絕緣基板110上，柵極 絕緣層140設(shè)置在柵極線121和參考電壓線131上。半導(dǎo)體島154、歐姆接觸163和165設(shè) 置在柵極絕緣層140上，數(shù)據(jù)線171(其包括源極電極17 和漏極電極175設(shè)置在柵極絕 緣層140以及歐姆接觸163和165上。像素電極191設(shè)置在柵極絕緣層140和部分漏極電 極175上，具有接觸孔183的鈍化層180設(shè)置在像素電極191、數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和 暴露的半導(dǎo)體島巧4上。包括分支電極271的參考電極270設(shè)置在鈍化層180上，交迭像 素電極191。如圖7A所示，液晶顯示器件的參考電極270交迭像素電極191，且包括多個分支 電極271、連接到多個分支電極271的水平連接部272(在下文中，水平連接部將稱作“第一 連接部”)、以及連接到第一連接部272和設(shè)置在相鄰像素中的參考電極270的垂直連接部 273 (在下文中，垂直連接部273將稱作“第二連接部”)。參考電極270的分支電極271基本平行于柵極線121延伸。在另一示范性實施例 中，分支電極271可以設(shè)置在與柵極線121形成在約5°至約20°的范圍內(nèi)的角的方向上。 在一示范性實施例中，參考電極270的分支電極271可設(shè)置在與配向?qū)拥哪Σ练较蛐纬稍?約7°至約13°的范圍內(nèi)(例如約10° )的角的方向上。參考電極270的分支電極271包括第一部分271a和從第一部分271a的端部延伸 的第二部分271b。在一示范性實施例中，參考電極270的分支電極271的第一部分271a與配向?qū)?的摩擦方向形成約10°的角，第二部分271b可設(shè)置在與第一部分271a形成在約7°至約 15°的范圍內(nèi)的角的方向上。現(xiàn)在將參照圖8至圖10更詳細(xì)地描述液晶顯示器件的另一實施例。圖8是根據(jù) 本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖，圖9是沿圖8的線IX-IX截取的局 部橫截面圖，圖10是沿圖8的線X-X截取的局部橫截面圖。參照圖8至圖10，液晶顯示器件包括下顯示面板100、與下顯示面板100相對設(shè)置 的上顯示面板200、以及插置在下顯示面板100和上顯示面板200之間的液晶層3?，F(xiàn)在將更詳細(xì)地描述下顯示面板100。柵極線121和包括參考電壓線131的柵極導(dǎo)體設(shè)置在絕緣基板110上，絕緣基板 110可例如由透明玻璃或塑料制成。柵極線121包括柵極電極IM和寬端部(未示出)，寬 端部可例如連接到其它層或外部驅(qū)動電路。參考電壓線131傳輸預(yù)定的參考電壓并包括連 接到參考電極270的擴展部分135。參考電壓線131連接到參考電極270并傳輸公共電壓 到參考電極270。參考電壓線131可基本平行于柵極線121設(shè)置，并可以由與制作柵極線 121的材料相同的材料制成。柵極絕緣層140可以由例如SiNx或SiOx制成，并設(shè)置在柵極導(dǎo)體例如柵極線121 和參考電壓線131上。柵極絕緣層140可具有包括不同物理屬性的至少兩個絕緣層的多層 結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體條帶(stripe) 151設(shè)置在柵極絕緣層140上，半導(dǎo)體條帶151可例如由氫 化的a-Si或p-Si制成。半導(dǎo)體條帶151在基本平行于數(shù)據(jù)線171的方向上延伸并包括朝 向柵極電極124延伸的多個突出部分154。
條帶歐姆接觸161和島歐姆接觸165設(shè)置在半導(dǎo)體條帶151上。歐姆接觸161和 165可以由諸如用例如磷⑵的η型雜質(zhì)高濃度摻雜的η+氫化a-Si的材料制成，或者可以 由硅化物制成。條帶歐姆接觸161包括突出部分163，突出部分163和島歐姆接觸165成對 地設(shè)置在半導(dǎo)體條帶151的突出部分巧4上。數(shù)據(jù)線171和漏極電極175設(shè)置在歐姆接觸例如條帶歐姆接觸161和島歐姆接觸 165以及柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并在基本垂直于柵極線121和參考電壓線131的方向上 延伸，從而與柵極線121和參考電壓線131交叉。數(shù)據(jù)線171包括延伸到柵極電極124的源極電極173和寬端部(未示出)，寬端部 可以連接到其它層或外部驅(qū)動電路。在一示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171可以包括鄰近柵極線121和參考電壓線131設(shè) 置的擴展部分以防止短路。漏極電極175設(shè)置在離數(shù)據(jù)線171 —距離處并與源極電極173相對，柵極電極IM 設(shè)置為鄰近漏極電極175和數(shù)據(jù)線171。漏極電極175包括窄部分和擴展部分。窄部分的一部分被源極電極173圍繞。柵極電極124、源極電極173和漏極電極175與半導(dǎo)體條帶151的突出部分IM 一起形成TFT，薄膜晶體管的溝道形成在源極電極173與漏極電極175之間的半導(dǎo)體島IM上。像素電極191設(shè)置在漏極電極175的擴展部分以及柵極絕緣層140上。像素電極191具有基本平行于數(shù)據(jù)線171或柵極線121的邊緣并具有基本矩形 (其可以為正方形)形狀。像素電極191交迭漏極電極175的擴展部分，從而連接到設(shè)置在其下的漏極電極 175。像素電極191可以例如由透明材料諸如多晶、單晶、非晶的ITO或IZO制成。鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體例如數(shù)據(jù)線171和漏極電極175、暴露的半導(dǎo)體島IM 和像素電極191上。鈍化層180例如由無機絕緣體諸如硅氮化物或硅氧化物制成。在一示 范性實施例中，鈍化層180可以由有機絕緣體制成，鈍化層180的表面可被平坦化。有機絕 緣體可以具有光敏性，有機絕緣體的介電常數(shù)可以小于約4. 0。在一示范性實施例中，鈍化 層180可具有雙層結(jié)構(gòu)，包括下無機層和上有機層，該雙層結(jié)構(gòu)具有有機層的被實質(zhì)改善 的絕緣性質(zhì)并有效保護了半導(dǎo)體島154的暴露部分。鈍化層180包括形成在其中的暴露數(shù)據(jù)線171的端部的接觸孔(未示出)，鈍化層 180和柵極絕緣層140包括暴露參考電壓線131的擴展部分135的接觸孔183以及暴露柵 極線121的端部的接觸孔(未示出)。參考電極270設(shè)置在鈍化層180上。參考電極270交迭像素電極191并包括第一 連接部272，第一連接部272連接到多個分支電極271、第二連接部273和相鄰像素的參考 電極270。參考電極270可例如由透明導(dǎo)電材料諸如多晶、單晶、非晶的ITO或IZO制成。參考電極270的分支電極271可設(shè)置在與柵極線121形成在約5°至約20°的范 圍內(nèi)的角的方向上。在一示范性實施例中，參考電極270的分支電極271可設(shè)置在與配向 層的摩擦方向形成約10°角的方向上。
參考電極270的分支電極271包括在預(yù)定方向上延伸的第一部分271a(在圖8的 指示部分A的虛線圓中示出)以及從第一部分271a延伸且臨近第一連接部272設(shè)置的第 二部分271b (在圖8的指示部分A’的虛線圓中示出)。 參考電極270的分支電極271的第一部分271a與配向?qū)拥哪Σ练较蛐纬稍诩s7° 至約13°的范圍，例如約10°的角，第二部分271b可設(shè)置在與第一部分271a形成在約7° 至約15°的范圍內(nèi)的角的方向上?，F(xiàn)在將參照圖IlA和圖IlB更詳細(xì)地描述分支電極271的第一部分271a和第二 部分271b。圖IlA是圖8的部分A的放大視圖，部分A是參考電極的第一部分271a;圖IlB 是圖8的部分A’的放大圖，部分A’是參考電極的第二部分271b?，F(xiàn)在參照圖IlA和圖11B，參考電極270的分支電極271的第一部分271a設(shè)置在 與設(shè)置于下顯示面板100上的配向?qū)拥哪Σ练较蛐纬傻谝唤嵌圈?1的方向上。如上所述， 第一角度Θ1可以在約7°至約13°的范圍內(nèi)，例如約10°。此外，參考電極270的分支電 極271的第二部分271b從第一部分271a延伸，與第一部分271a形成第二角度θ 2。第二 角度θ 2可以在約7°至約15°的范圍內(nèi)。如上所述，參考電極270的分支電極271包括第一部分271a和第二部分271b， 從而改變了在像素區(qū)域的中部和邊緣部產(chǎn)生的電場的方向。在常規(guī)的液晶顯示器件中，在 分支電極271的邊緣部分處的電場方向不同于在分支電極271的中部的電場方向，當(dāng)在液 晶層3中產(chǎn)生電場時，液晶分子的排列方向不規(guī)則，從而產(chǎn)生紋理。然而，在一示范性實施 例中，參考電極包括從第一部分271a的端部延伸并與第一部分271a形成角度的第二部分 271b，以改變在液晶層3中產(chǎn)生的電場的方向，從而液晶層3的液晶分子沿預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)， 從而當(dāng)液晶分子31旋轉(zhuǎn)時液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向被確定。因此，由于在像素區(qū)域的左和右邊 界區(qū)域處液晶分子31的任何不規(guī)則旋轉(zhuǎn)引起的紋理由此得到有效防止。在一示范性實施 例中，參考電極270的分支電極271包括第一部分271a和第二部分271b以不同地設(shè)定液 晶分子31的旋轉(zhuǎn)角度，從而實質(zhì)上增大了液晶顯示器件的可視角度并有效補償了色調(diào)。再次參照圖8和圖10，設(shè)置在彼此相鄰設(shè)置的像素中的參考電極270通過第二連 接部273彼此連接，第二連接部273交迭部分?jǐn)?shù)據(jù)線171。數(shù)據(jù)線171的交迭第二連接部 273的部分的長度基本上小于數(shù)據(jù)線171的設(shè)置在一個像素區(qū)域中的整個長度。參考電極270通過形成在鈍化層180和柵極絕緣層140上的接觸孔183連接到參 考電壓線131。在一示范性實施例中，配向?qū)?未示出)設(shè)置在參考電極270和鈍化層180上，配 向?qū)涌梢允撬脚湎驅(qū)硬⒃陬A(yù)定方向上摩擦。配向?qū)拥哪Σ练较蚩膳c參考電極270的分支 電極的第一部分271a延伸的方向形成約10°的角。現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述上顯示面板200。光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在絕緣基板210上，絕緣基板210可例如由透明玻璃或塑料 制成。亦被稱作黑矩陣的光阻擋構(gòu)件220防止光泄露。濾色器230設(shè)置在絕緣基板210上。濾色器230可設(shè)置為交迭被光阻擋構(gòu)件220 包圍的區(qū)域并沿順著像素電極191的列的基本垂直的方向延伸。每個濾色器230可以顯示 三種基色中的一種基色(例如紅、綠和藍之一)。涂層250設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上。涂層250可由絕緣材料例如有機絕緣材料制成，防止濾色器230的暴露并提供平坦平面。在一個或多個示范性實施例中， 可以省略涂層250。 液晶層3包括具有正介電各向異性的向列液晶材料。液晶層3的液晶分子31具 有以下結(jié)構(gòu)，其中縱軸的方向布置為平行于由下顯示面板100和上顯示面板200的平行表 面定義的平面，并從下顯示面板100的配向?qū)拥哪Σ练较虻缴巷@示面板200螺旋扭轉(zhuǎn)90 °。像素電極191接收來自漏極電極175的數(shù)據(jù)電壓，參考電極270接收來自參考電 壓線131的預(yù)定參考電壓。接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極191和接收公共電壓的參考電極270產(chǎn)生電場，從而設(shè) 置在像素電極191與參考電極270之間的液晶層3的液晶分子31旋轉(zhuǎn)到與電場方向平行 的方向上。如上所述，透過液晶層的光的偏振根據(jù)其中產(chǎn)生電場時液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向而 改變。如上所述，液晶顯示器件的液晶層3的液晶分子31對應(yīng)于參考電極270的分支電 極271的邊緣與像素電極191之間產(chǎn)生的電場而旋轉(zhuǎn)。在一示范性實施例中，由于配向?qū)?被摩擦使得液晶分子31被預(yù)傾斜在預(yù)定角度并且摩擦角度與參考電極270的分支電極271 形成約7°，所以液晶分子31由此可從預(yù)傾斜方向快速旋轉(zhuǎn)到電場方向。在一示范性實施例中，液晶顯示器件的像素電極191設(shè)置在柵極絕緣層140和鈍 化層180之間并交迭部分漏極電極175從而連接到漏極電極175。因而，開口率可以大于常 規(guī)液晶顯示器件的開口率，在常規(guī)液晶顯示器件中像素電極和漏極電極通過接觸孔連接。在一示范性實施例中，連接到參考電極270的分支電極271的第一連接部分272 設(shè)置為平行于數(shù)據(jù)線171，從而增大了液晶顯示器件的開口率，同時實質(zhì)上減少了像素電極 191與數(shù)據(jù)線171之間的寄生電容?，F(xiàn)在將參照圖10更詳細(xì)地描述根據(jù)一個或多個示范性實施例的數(shù)據(jù)線171、參考 電極270和像素電極191之間的關(guān)系。如圖10所示，液晶顯示器件包括設(shè)置在柵極絕緣層140上的像素電極191和數(shù) 據(jù)線171，其間有第一間隔；鈍化層180，設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和像素電極191上；以及參考電 極270，包括分支電極271和水平/第一連接部272，設(shè)置在鈍化層180上，距數(shù)據(jù)線171第
二間隔。在一示范性實施例中，像素電極191與數(shù)據(jù)線171之間的第一間隔大于參考電極 270與數(shù)據(jù)線171之間的第二間隔。在一示范性實施例中，液晶顯示器件包括參考電極270，參考電極270設(shè)置在鈍化 層180上并包括分支電極271和連接到分支電極271的連接部272，使得部分連接部272交 迭像素電極191和數(shù)據(jù)線171之間的第一間隔。在一示范性實施例中，像素電極191與數(shù)據(jù)線171之間的第一間隔與連接部272 的交迭部分設(shè)置為鄰近不顯示圖像的數(shù)據(jù)線171。因而，實質(zhì)上減小了數(shù)據(jù)線171與參考電極270之間的寄生電容或者數(shù)據(jù)線171 與像素電極191之間的寄生電容，同時顯著增大了液晶顯示器件的開口率?，F(xiàn)在將參照圖12和圖13更詳細(xì)地描述液晶顯示器件的另一示范性實施例。圖 12是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖，圖13是沿圖12的線 ΧΙΠ-ΧΙΠ截取的局部橫截面圖。
圖12和圖13中示出的液晶顯示器件的示范性實施例與圖8至圖10中示出的液 晶顯示器件的示范性實施例基本相同，除了屏蔽電極88之外。圖12和圖13中示出的相同 或相似的元件已經(jīng)用與以上用來描述圖8至圖10所示的液晶顯示器件的示范性實施例的 附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識，在下文將省略或簡化對其的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。
在一示范性實施例中，液晶顯示器件還包括設(shè)置在數(shù)據(jù)線171下面的屏蔽電極 88，如圖12和圖13所示。屏蔽電極88可以設(shè)置在與包括柵極導(dǎo)體的層相同的層中，并可 被電浮置。在一示范性實施例中，屏蔽電極88的寬度可大于數(shù)據(jù)線171或半導(dǎo)體條帶151 的寬度。屏蔽電極88有效防止了光進入設(shè)置于數(shù)據(jù)線171之下的半導(dǎo)體條帶151，由此有 效防止了光引起的半導(dǎo)體條帶151的不期望激活(activation)。現(xiàn)在將參照圖14更詳細(xì)地描述另一示范性實施例，圖14是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯 示器件的另一示范性實施例的平面圖。圖14的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)與圖8至圖10中的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)基本相同， 除了參考電壓線131之外。圖14中示出的相同或相似的元件已經(jīng)用與以上用來描述圖8 至圖10所示的液晶顯示器件的示范性實施例的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識，在下文 將省略或簡化對其的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。如圖14所示，參考電壓線131設(shè)置在液晶顯示器件的像素區(qū)域的中間。在一示范 性實施例中，參考電壓線131的擴展部分135設(shè)置在像素區(qū)域的中央，參考電極的擴展部分 設(shè)置在像素區(qū)域的中央。在一示范性實施例中，由于像素的像素電極191可具有形成在其中部的切口 192， 所以像素電極191不交迭參考電壓線131的擴展部分135、接觸孔183和參考電極270的擴 展部分275。因而，設(shè)置在參考電壓線131與參考電極270之間的像素電極191不交迭參考 電壓線131與參考電極270的接觸區(qū)域，從而有效防止了參考電極270與像素電極191之 間的短路。現(xiàn)在將參照圖15更詳細(xì)地描述另一示范性實施例，圖15是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯 示器件的另一示范性實施例的平面圖。圖15的液晶顯示器件與圖8至圖10中的液晶顯示器件基本相同，除了參考電壓 線131之外。圖15中示出的相同或相似的元件已經(jīng)用與以上用來描述圖8至圖10所示的 液晶顯示器件的示范性實施例的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識，在下文將省略或簡化對 其的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。如圖15所示，包括柵極電極124的柵極線121和參考電壓線131設(shè)置在絕緣基板 110上，柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和參考電壓線131上，半導(dǎo)體島154、歐姆接觸 163和165設(shè)置在柵極絕緣層140上，包括源極電極173的數(shù)據(jù)線171和漏極電極175設(shè) 置在柵極絕緣層140以及歐姆接觸163和165上。像素電極191設(shè)置在柵極絕緣層140和 部分漏極電極175上，具有接觸孔183的鈍化層180設(shè)置在像素電極191、數(shù)據(jù)線171、漏極 電極175和暴露的半導(dǎo)體島154上。包括分支電極271的參考電極270設(shè)置在鈍化層180 上，交迭像素電極191。再次參照圖15，在一示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171可包括具有尖頂形例如“V”形的 第一彎曲部并可以設(shè)置在像素區(qū)域的中間區(qū)域以獲得液晶顯示器件的最大透射率。像素區(qū)域的中間區(qū)域還可以包括第二彎曲部，第二彎曲部從第一彎曲部延伸且與第一彎曲部形成 預(yù)定角。數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部可以與配向?qū)拥哪Σ练较蛐纬稍诩s5°至約10°范圍內(nèi) 的角度，例如約7°。第二彎曲部可以設(shè)置為鄰近像素區(qū)域的中間區(qū)域并與第一彎曲部形成 在約7°至約15°的范圍內(nèi)的角。此外，參考電極270的分支電極271包括基本平行于數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部 的第一部分271a(在部分A示出)和基本平行于數(shù)據(jù)線171的第二彎曲部的第二部分 271b(在部分A’示出)。第一部分271a可以與配向?qū)拥哪Σ练较蛐纬杉s7°的角，第二部 分271b可以與第一部分271a形成在約7°至約15°的范圍內(nèi)的角。 現(xiàn)在將參照圖16和圖17更詳細(xì)地描述另一示范性實施例，圖16是根據(jù)本發(fā)明的 液晶顯示器件的另一示范性實施例的平面圖，圖17是沿圖16的線XVII-XVII截取的局部 橫截面圖。圖16和圖17中示出的液晶顯示器件與圖1、圖2A和2B中的液晶顯示器件基本相 同，除了鈍化層180之外。圖16和圖17中示出的相同或相似的元件已經(jīng)用與以上用來描 述圖1、圖2A和2B所示的液晶顯示器件的示范性實施例的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來標(biāo) 識，在下文將省略或簡化對其的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。如圖16和圖17所示，包括柵極電極124的柵極線121和參考電壓線131設(shè)置在 絕緣基板110上，柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和參考電壓線131上，半導(dǎo)體島154、歐 姆接觸163和165設(shè)置在柵極絕緣層140上，包括源極電極173的數(shù)據(jù)線171和漏極電極 175設(shè)置在柵極絕緣層140和歐姆接觸163和165上。像素電極191設(shè)置在柵極絕緣層140 和部分漏極電極175上。像素電極191的厚度可以在約400 A至約500 A的范圍內(nèi)。具有 接觸孔183的鈍化層180設(shè)置在像素電極191、數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和暴露的半導(dǎo)體 島154上。包括分支電極271的參考電極270設(shè)置在鈍化層180上，交迭像素電極191。如圖17所示，液晶顯示器件包括具有雙層結(jié)構(gòu)的鈍化層180，該雙層結(jié)構(gòu)包括第 一鈍化層180p和第二鈍化層180q。第一鈍化層180p和第二鈍化層180q可具有不同的折射率。具體地，第一鈍化層 180p的折射率可以在約1. 4至約1. 6的范圍內(nèi)，第二鈍化層180q的折射率可以在約1. 6至 約2. 2的范圍內(nèi)。第一鈍化層180p和第二鈍化層180q可以由無機絕緣體制成，例如SiNx 或SiOx。在一示范性實施例中，第一鈍化層180p和第二鈍化層180q可以由相同的無機材 料制成，或者可以由不同的無機材料制成。在一示范性實施例中，鈍化層180的厚度可以在 約5500 A至約6500 A的范圍內(nèi)，而鈍化層180的第一鈍化層180p和第二鈍化層180q的厚 度可以在約2800 A至約3200 A的范圍內(nèi)。通過調(diào)整在化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝的一示范性實施例中使用的氮氣(N2)的壓 強和流速來控制第一鈍化層180p和第二鈍化層180q的折射率，化學(xué)氣相沉積工藝是沉積 第一鈍化層180p和第二鈍化層180q的工藝。圖18包括在根據(jù)本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積工藝的示范性實施例中使用的N2氣體的 流速(以每分鐘標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)為單位)與折射率以及N2氣體的壓強(以帕斯卡 (Pa)為單位)與折射率的曲線圖。如圖18所示，第一鈍化層180p或第二鈍化層180q的折 射率通過調(diào)整N2氣體的壓強和流速來確定。在一示范性實施例中，液晶顯示器件的第一鈍 化層180p和第二鈍化層180q具有不同的氮含量，更特別地，第一鈍化層180p的氮含量可以大于第二鈍化層180q的氮含量。如上所述，通過控制第一鈍化層180p和第二鈍化層180q兩者的氮含量，可以預(yù)先 確定第一鈍化層180p和第二鈍化層180q的折射率，從而在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的 制造工藝的示范性實施例中減少和/或有效防止了透明材料制成的像素電極191或參考電 極270的結(jié)晶化引起的霧化現(xiàn)象(haze phenomenon)導(dǎo)致的透射率退化，如將參照圖19至 圖20更詳細(xì)地描述的那樣。圖19是液晶顯示器件的示范性實施例的百分?jǐn)?shù)透射率(％ T)與其鈍化層180的 厚度(以埃(A)為單位)的曲線圖，圖20是液晶顯示器件的透射率對應(yīng)于第一鈍化層180p 和第二鈍化層180q的折射率的曲線圖。如圖19所示，隨著鈍化層180的厚度改變，液晶顯示器件的透射率改變。當(dāng)鈍化 層180的厚度在約2800 A至約3200 A的范圍內(nèi)或在約5500 A至約6500 A的范圍內(nèi)時， 液晶顯示器件的透射率相對于其它厚度范圍實質(zhì)上改善。因而，當(dāng)鈍化層180的厚度在約 5500 A至約6500 A的范圍內(nèi)時，液晶顯示器件的透射率實質(zhì)上改善。參照圖20，液晶顯示器件的透射率還根據(jù)鈍化層180的第一鈍化層180p和第二 鈍化層180q的折射率而變化。當(dāng)鈍化層180形成為具有單個層時，液晶顯示器件的透射率 為約0. 820至約0. 840。如圖20所示，然而，在鈍化層180形成為雙層結(jié)構(gòu)的示范性實施 例中，液晶顯示器件的透射率顯著增大到約0. 900至約0. 920的范圍，該雙層結(jié)構(gòu)包括第一 鈍化層180p和第二鈍化層180q，第一鈍化層180p具有在約1. 4至約1. 6的范圍內(nèi)的折射 率，第二鈍化層180q具有在約1. 6至約2. 2的范圍內(nèi)的折射率?，F(xiàn)在將參照實驗示例更詳細(xì)地描述液晶顯示器件的透射率的變化。在實驗示例 中，測量了鈍化層180形成為單層時(情形A)以及鈍化層180具有雙層結(jié)構(gòu)時(情形B) 的霧化現(xiàn)象，該雙層結(jié)構(gòu)包括具有不同折射率的第一鈍化層180p和第二鈍化層180q。下面的表2示出了在實驗示例中使用的第一鈍化層和第二鈍化層的化學(xué)氣相沉 積工藝的條件以及霧化現(xiàn)象的結(jié)果。表權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括第一基板；面對所述第一基板的第二基板；以及雙鈍化層，設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間，該雙鈍化層包括 第一鈍化層；以及 第二鈍化層，其中所述第一鈍化層的折射率不同于所述第二鈍化層的折射率。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的氮含量不同于所述第二 鈍化層的氮含量。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的氮含量大于所述第二鈍化層的氮含量。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其中所述雙鈍化層的厚度在5500埃至6500埃 的范圍。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的折射率在1. 4至1. 6的范圍內(nèi)，并且 所述第二鈍化層的折射率在1. 6至2. 2的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，還包括液晶層，插置于所述第二基板與所述雙鈍化層之間； 像素電極，設(shè)置在所述第一基板與所述雙鈍化層之間；以及 參考電極，設(shè)置在所述液晶層與所述雙鈍化層之間。
7.一種液晶顯示器件，包括 第一基板；面對所述第一基板的第二基板； 液晶層，插設(shè)在所述第一基板與所述第二基板之間； 柵極線，設(shè)置在所述第一基板與所述液晶層之間； 數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述第一基板與所述液晶層之間； 參考電壓線，設(shè)置在所述第一基板與所述液晶層之間； 像素，連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線，該像素包括 薄膜晶體管，連接到所述數(shù)據(jù)線的第一部分； 第一電極，連接到所述薄膜晶體管；第二電極，設(shè)置在所述第一電極與所述液晶層之間，該第二電極包括 第一連接部，基本平行于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置；第二連接部，基本平行于所述柵極線設(shè)置并連接到所述第一連接部； 分支電極，包括 第一部分；連接到所述第一部分的第二部分；以及 第三部分，連接到所述第一部分和所述第二連接部，其中 所述第二部分與所述第一部分形成第一角度，所述第三部分與所述第一部分形成第二角度，所述第三部分與所述第二連接部形成第三角度，以及第一開口形成在所述第二電極中且交迭所述薄膜晶體管和所述數(shù)據(jù)線的第一部分。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其中所述第一連接部交迭所述數(shù)據(jù)線的第二部分。
9.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其中第二開口形成在所述第二電極的所述第一 連接部中并交迭所述數(shù)據(jù)線的第二部分。
10.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其中所述像素還包括設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線與所 述第一基板之間且交迭所述數(shù)據(jù)線的第二部分的屏蔽電極。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示器件，其中所述屏蔽電極與所述像素電極之間的距離與所述屏蔽電極的寬度的比為10 17， 所述數(shù)據(jù)線的寬度與所述屏蔽電極的寬度的比為7 17， 所述參考電極的第二開口的寬度與所述屏蔽電極的寬度的比為9 17，且 所述參考電極的分支電極的寬度與所述屏蔽電極的寬度的比為9 17。
12.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其中所述第一電極是像素電極，所述第二電極 是參考電極。
13.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其中所述第一電極是參考電極，所述第二電極 是像素電極。
14.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，還包括多個像素，其中所述多個像素中的連接 到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的像素是綠像素、紅像素和藍像素之一。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器件，其中所述參考電壓線設(shè)置為鄰近所述柵極線 并包括連接到所述紅像素和所述藍像素至少之一的擴展部分。
16.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器件，還包括多條柵極線，其中所述參考電壓線設(shè) 置在所述多條柵極線中的兩條相鄰柵極線之間并包括連接到所述綠像素的擴展部分。
17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示器件，其中所述像素的所述第一電極和所述第二電 極至少之一不交迭所述參考電壓線的所述擴展部分。
18.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器件，其中所述綠像素的面積小于所述紅像素的面 積和所述藍像素的面積的至少之一。
19.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器件，還包括設(shè)置在所述參考電極和所述像素電極 之間的雙鈍化層，該雙鈍化層包括第一鈍化層；以及 第二鈍化層，其中所述第一鈍化層的折射率不同于所述第二鈍化層的折射率。
20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的氮含量不同于所述第二鈍化層的氮含量。
21.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的氮含量大于所述第二鈍化層的氮含量。
22.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件，其中所述雙鈍化層的厚度在5500埃至6500 埃的范圍內(nèi)。
23.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的折射率在1. 4至1. 6的范圍內(nèi)，且 所述第二鈍化層的折射率在1. 6至2. 2的范圍內(nèi)。
24.一種液晶顯示器件，包括第一基板；面對所述第一基板的第二基板； 液晶層，插設(shè)在所述第一基板與所述第二基板之間； 數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述第一基板上；以及 像素，設(shè)置為鄰近所述數(shù)據(jù)線，該像素包括 參考電極，設(shè)置在所述第一基板與所述液晶層之間；以及 像素電極，設(shè)置在所述第一基板與所述參考電極之間。
25.如權(quán)利要求M所述的液晶顯示器件，其中所述參考電極和所述像素電極不交迭所 述數(shù)據(jù)線。
26.如權(quán)利要求M所述的液晶顯示器件，其中沿所述第一基板定義的平面測量的所述 數(shù)據(jù)線與所述參考電極之間的距離小于沿所述第一基板定義的平面測量的所述數(shù)據(jù)線與 所述像素電極之間的距離。
27.如權(quán)利要求沈所述的液晶顯示器件，其中所述數(shù)據(jù)線與所述參考電極之間的所述 距離比所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極之間的所述距離小約3微米。
28.如權(quán)利要求沈所述的液晶顯示器件，其中所述數(shù)據(jù)線與所述參考電極之間的所述距離為約2. 5微米，且 所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極之間的所述距離為約5. 5微米。
29.如權(quán)利要求M所述的液晶顯示器件，還包括多個像素，其中所述多個像素中的兩個相鄰像素的參考電極經(jīng)由連接構(gòu)件彼此連接，且 所述連接構(gòu)件交迭設(shè)置在所述參考電極之間的所述數(shù)據(jù)線的至少一部分。
30.如權(quán)利要求M所述的液晶顯示器件，還包括設(shè)置在所述參考電極與所述像素電極 之間的雙鈍化層，該雙鈍化層包括第一鈍化層；以及 第二鈍化層，其中所述第一鈍化層的折射率不同于所述第二鈍化層的折射率。
31.如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的氮含量不同于所述第二鈍化層的氮含量。
32.如權(quán)利要求31所述的液晶顯示器件，其中所述第一鈍化層的氮含量大于所述第二 鈍化層的氮含量。
33.如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器件，其中所述雙鈍化層的厚度在5500埃至6500 埃的范圍內(nèi)。
34.如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器件，其中 所述第一鈍化層的折射率在1. 4至1. 6的范圍內(nèi)，并且 所述第二鈍化層的折射率在1. 6至2. 2的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器件。該液晶顯示器件包括第一基板、面對第一基板的第二基板以及設(shè)置在第一基板與第二基板之間的雙鈍化層。雙鈍化層包括第一鈍化層和第二鈍化層。第一鈍化層的折射率不同于第二鈍化層的折射率。
文檔編號G02F1/1362GK102103295SQ20101059638
公開日2011年6月22日 申請日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者全淵文, 咸然植, 宋長根, 李正賢, 金康佑 申請人:三星電子株式會社