專利名稱：液晶顯示裝置及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，特別涉及一種水平電場反轉(zhuǎn)模式的液晶顯示裝置及其形成方法。
背景技術(shù)：
大體而言，基于液晶分子偏轉(zhuǎn)方式的不同，液晶顯示器(以下簡稱LCD)可分為兩大類第一類為液晶分子沿與基板垂直的平面偏轉(zhuǎn)，第二類為液晶分子沿與基板平行的平面偏轉(zhuǎn)。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的水平電場反轉(zhuǎn)(Horizontal Field Switching,HFS)模式的液晶顯示器為典型的第二類型液晶顯示器。圖1示出了該HFS模式液晶顯示器的一個像素單元，圖加為圖1沿A-Al方向的剖面圖，圖2b為圖1沿BBl方向的剖面圖。結(jié)合圖1、圖加和圖2b，可以得知，液晶顯示面板主要包括第一基板129、第二基板1 和中間包含有多個液晶分子119的液晶分子層。在所述第一基板126內(nèi)，形成有薄膜晶體管101，通過刻蝕孔的方法將柵電極121和漏電極IM分別與像素電極107和公共電極115相電連接，用以驅(qū)動顯示裝置。如圖加所示，為了減小供應(yīng)電極的驅(qū)動電壓，每個像素單元包括有兩個像素電極107和兩個公共電極115，所述像素電極107和公共電極115 分別設(shè)置于相鄰兩個間隔體111相對的表面上，形成電場，用以驅(qū)動液晶分子119運(yùn)動。由于所述像素電極111和115之間形成的電場水平方向分量顯著大于垂直方向分量，大部分液晶分子119都朝水平方向運(yùn)動，具有廣視角的特點(diǎn)。但是由于現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置中，每個像素單元都包含有多個間隔體，所述多個間隔體會阻礙一部分光透過液晶顯示裝置，極大的影響了液晶顯示器的開口率和透過率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有寬視角、高開口率和高透過率的液晶顯示裝置及其形成方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置，包括第一基板；與所述第一基板相對設(shè)置的第二基板；設(shè)置于所述第一基板和所述第二基板間的多個間隔體；填充于所述多個間隔體、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔內(nèi)的液晶層；其特征在于，所述液晶顯示裝置包括多個像素單元，每個像素單元內(nèi)包括至少兩個間隔體；位于相鄰兩間隔體間的所述第一基板和/或所述第二基板面向所述液晶層的表面的第一電極；位于相鄰兩間隔體相對側(cè)壁的第二電極?？蛇x地，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。
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可選地，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極?？蛇x地，所述第一電極位于像素單元內(nèi)第一基板或第二基板面向所述液晶層的表可選地，所述第一電極位于相鄰兩間隔體間的第一基板和/或第二基板面向所述液晶層的表面的中線處?？蛇x地，所述第一電極和/或第二電極的材料為透明的氧化銦錫?？蛇x地，所述第二電極的材料為不透明的鋁或鋁合金?？蛇x地，所述間隔體呈提型?？蛇x地，所述提型的腰與第一基板或第二基板形成一個夾角，所述夾角大于或等于45度而小于90度?？蛇x地，所述間隔體的材料為有機(jī)膜材料或氮化硅材料。可選地，所述間隔體兩端抵靠在所述第一基板與所述第二基板的表面。可選地，所述第一基板為陣列基板，包含有襯底、位于在襯底上的柵電極層和掃描線層、覆蓋所述柵電極層、掃描線層和襯底的絕緣層、位于絕緣層上的數(shù)據(jù)線層、源電極層和漏電極層、以及覆蓋所述數(shù)據(jù)線層、源電極層和漏電極層的鈍化層。本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多個間隔體；在相鄰兩間隔體間的第一基板表面形成第一電極，并在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；在相鄰兩間隔體間的第二基板表面形成第一電極；安裝所述第一基板和所述第二基板，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。可選地，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多個間隔體；在相鄰兩間隔體間的第一基板表面形成第一電極，并在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；安裝所述第一基板和所述第二基板，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多個間隔體；在第二基板表面形成第一電極；在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；安裝所述第一基板和所述第二基板，使所述第一電極位于相鄰所述間隔體的中間位置，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層?？蛇x地，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)將現(xiàn)有技術(shù)的像素單元內(nèi)設(shè)置于像素單元兩側(cè)的間隔體內(nèi)表面上的電極保持不變，而把最中間的間隔體去掉，分別設(shè)置兩個透明電極于相鄰兩間隔體間的第一基板和/或第二基板相對的表面。該技術(shù)方案采用透明的電極取代了現(xiàn)有技術(shù)的部分間隔體，光線更容易透過，大幅度提高了液晶顯示器的開口率，從而實現(xiàn)穿透率的提升。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置像素單元的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖加是圖1所示的液晶顯示裝置沿A-Al線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b是圖1所示的液晶顯示裝置沿B-Bl線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明第一實施例液晶顯示裝置像素單元的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3所示的液晶顯示裝置沿C-Cl線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明第一實施例液晶顯示裝置形成方法的流程示意圖；圖6是本發(fā)明第二實施例液晶顯示裝置像素單元的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是圖6所示的液晶顯示裝置沿D-Dl線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明第二實施例液晶顯示裝置一形成方法的流程示意圖；圖9是本發(fā)明第二實施例液晶顯示裝置另一形成方法的流程示意圖；圖10是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置透過率模擬曲線圖；圖11是本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置透過率模擬曲線圖；圖12是本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置透過率模擬曲線圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，采用現(xiàn)有的水平電場反轉(zhuǎn)(HFS)模式的液晶顯示器，仍然存在開口率、透過率低的問題。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的水平電場反轉(zhuǎn)(HFS)模式顯示器的設(shè)置多個間隔體存在問題。由于每個像素單元中都設(shè)置有多個間隔體，光線在通過液晶顯示器的時候，部分會被間隔體吸收，從而極大的影響了液晶顯示器的開口率和透過率。針對上述問題，本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種液晶顯示裝置及形成方法。將現(xiàn)有技術(shù)像素單元中，設(shè)置于像素單元兩側(cè)的間隔體內(nèi)側(cè)壁上的電極保持不變，而把中間的間隔體去掉，分別設(shè)置兩個透明電極于相鄰兩個間隔體間第一基板和/或第二基板相對的表面。該技術(shù)方案采用透明的電極取代了中間的間隔體，光線更容易透過，大幅度提高了液晶顯示器的開口率，從而實現(xiàn)穿透率的提升。第一實施例請參考圖3和圖4，圖3是本發(fā)明第一實施例液晶顯示裝置像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是圖3所示的液晶顯示裝置沿C-Cl線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置，包括第一基板222 ；與所述第一基板222相對設(shè)置的第二基板223 ；設(shè)置于所述第一基板222和所述第二基板223間的多個間隔體211、212 ；填充于多個所述間隔體211、212、所述第一基板222和所述第二基板223形成的空腔內(nèi)的液晶層217 ；本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置中每個像素單元內(nèi)包括至少兩個間隔體211、212 ；位于相鄰兩間隔體211、212間的所述第一基板222和所述第二基板223面向所述液晶層217表面的第一電極213、215 ；位于相鄰兩間隔體相對側(cè)壁的第二電極207、209。在第一實施例中，所述第一基板222為陣列基板，包含有襯底219、位于在襯底219 上的柵電極層(未圖示)和掃描線層203、覆蓋所述柵電極層、掃描線層203和襯底219的絕緣層220、位于絕緣層220上的數(shù)據(jù)線層205、源電極層(未圖示)和漏電極層(未圖示)、 以及覆蓋所述數(shù)據(jù)線層205、源電極層和漏電極層的鈍化層221。其中，所述掃描線層203 和數(shù)據(jù)線層205分別沿水平方向和垂直方向設(shè)置，在液晶顯示裝置的第一基板222上，N條掃描線和M條數(shù)據(jù)線彼此交叉，將液晶顯示裝置上分成了 nXm個像素單元，為便于觀察，圖 3和圖4均為一個像素單元內(nèi)的結(jié)構(gòu)；所述柵電極層、源電極層和漏電極層，用于形成薄膜晶體管201。所述薄膜晶體管 201形成在掃描線層203中的掃描線和數(shù)據(jù)線層205中的數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)處，所述薄膜晶體管201的柵電極層、源電極層與漏電極層分別與掃描線層203和數(shù)據(jù)線層205電連接。所述柵電極層可以借助掃描線層203輸入的信號來導(dǎo)通開關(guān)元件。所述鈍化層221主要是對數(shù)據(jù)線層205、源電極層和漏電極層進(jìn)行保護(hù)和隔離，防止串?dāng)_的產(chǎn)生?？紤]到液晶顯示面板的透過率，所述鈍化層221采用可以透光的材料，例如
氮化硅。所述第二基板223為其上形成有彩色濾光片以顯示色彩的濾光片基板。所述多個間隔體211、212均呈提型。每個像素單元中包含有至少兩個間隔體211、 212。在第一實施例中，所述像素單元中優(yōu)選為包括兩個間隔體211、212。所述間隔體211、212位于第一基板222上，且所述間隔體211、212呈提型。為使像素單元的結(jié)構(gòu)均勻，以及后續(xù)形成的電場均勻，間隔體211、212優(yōu)選位于數(shù)據(jù)線層203的正上方，所述間隔體211、212優(yōu)選為等腰提型。所述間隔體211、212進(jìn)一步優(yōu)選為呈底部寬頂部窄的等腰提型。所述間隔體211、 212的側(cè)壁與第一基板222之間形成一個夾角，為使后續(xù)過程中第一電極213、215和第二電極207、209之間形成的橫向電場較平直，較少垂直分量，同時降低制作的難度，這個夾角優(yōu)選為大于或等于45度而小于90度。所述間隔體211、212可以采用有機(jī)膜、氮化硅或類似的絕緣材料。位于鈍化層221上多個間隔體211、212，可以在后續(xù)維持兩個對立的第一基板 222和第二基板223之間的均勻間隔尺寸。需要說明的是，在每一個像素單元內(nèi)，所述間隔體211、212并不會貫穿整個像素，而是在間隔體211、212下端(此處所述的“下”端為圖4中方向)留有空隙，液晶分子217 可通過該空隙在各單位像素之間流通，以保證液晶分子217的均勻性。并且，在其他實施例中，像素單元中的間隔體211可以呈底部窄頂部寬的等腰提型，而間隔體212成呈底部寬頂部窄的等腰提型、或所述間隔體211可以底部寬頂部窄的等腰提型，而間隔體212成呈底部窄頂部寬的等腰提型、或兩間隔體211、212均呈底部窄頂部寬的等腰提型。所述第一電極213、215，位于相鄰兩間隔體211、212間的所述第一基板222和所述第二基板223面向所述液晶層217的表面。所述第一電極213、215為公共電極，所述第一電極213、215的材料為透明的氧化銦錫(indium tin oxides, I TO)。為使后續(xù)形成的電場均勻，整個液晶顯示的透過率高，第一電極213、215形成的位置優(yōu)選為像素單元中心，即相鄰兩間隔體211、212圍成的第一基板222和第二基板223 相對的兩個表面的中線處，且所述第一電極213位于第一電極215的正上方。所述第一電極213、215為公共電極，所述第一電極213、215的材料為透明的氧化銦錫(indium tin oxides, I TO)。所述第二電極207、209位于相鄰兩間隔體211、212相對的內(nèi)側(cè)壁表面。所述第二電極207、209的材料可以為不透明的鋁或鋁合金，也可以為透明的氧化銦錫(indium tin oxides, I TO)。由于第二電極207、209是設(shè)置在間隔體211、212的內(nèi)側(cè)壁，而不是設(shè)置在第一基板222上，穿行于第一基板222、第二基板223的光線無需穿透第二電極207、209，因而第二電極207、209即便為不透明材料，也不會阻礙光線。不僅如此，由于第二電極207、209傾斜設(shè)置，因而不透明的第二電極207、209可阻擋電極在第二基板223上投影區(qū)域的光線透過，而該投影區(qū)域正是電場垂直分量較大的區(qū)域，也是引起光透過率降低的區(qū)域，所以通過設(shè)置不透明的電場將這部分區(qū)域遮擋，在某種程度上也可提高光透過率。但是考慮到后續(xù)制作工藝，在第一實施例中，所述第二電極207、209優(yōu)選采用透明的氧化銦錫(indium tin oxides, IT0)。在第一實施例中，每個像素單元中包含相鄰兩個間隔體211、212相對側(cè)壁上的兩個第二電極207、209、相鄰兩個間隔體211、212間的第一基板222和第二基板223相對的兩個表面的第一電極213、215 ；安裝所述第一基板222與第二基板223，當(dāng)安裝完成之后，間隔體211、212會抵靠在所述第一基板222與所述第二基板223的表面，在兩基板222、223之間限定一個底部窄頂部寬的等腰提型區(qū)域。所述液晶層位于所述多個間隔體211、212、第一基板222和第二基板223形成的空腔內(nèi)。本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置，在薄膜晶體管(TFT) 201開關(guān)導(dǎo)通的情況下， 所述第一電極213、215和第二電極207、209之間形成電場，用于在后續(xù)驅(qū)動液晶分子運(yùn)動。 由于所述間隔體211、212與第一基板222、第二基板223之間存在角度，而第二電極207、 209形成在間隔體211、212相對的內(nèi)側(cè)壁，與第一基板222、第二基板223之間也存在角度， 所述電場為傾斜的電場。然而，由于間隔體211、212與第一基板222、第二基板223之間的夾角優(yōu)選為大于或等于45度而小于90度，所以所述電場水平方向上的分量大于垂直方向上的分量。因此，在所述電場的作用下，大多數(shù)的液晶分子在所述電場水平分量的驅(qū)動下沿水平方向運(yùn)動，只有一小部分的液晶分子在所述電場垂直分量的驅(qū)動下沿垂直方向偏轉(zhuǎn)， 所述液晶顯示裝置仍然可以達(dá)到較大的視角，開口率和透過率高。需要說明的是，在其他實施例中，所述第一基板可以為其上形成有彩色濾光片以顯示色彩的濾光片基板，而所述第二基板為陣列基板，包含有襯底、位于在襯底上的柵電極層和掃描線層、覆蓋所述柵電極層、掃描線層和襯底的陣列層、位于陣列層上的數(shù)據(jù)線層、 源電極層和漏電極層、以及覆蓋所述數(shù)據(jù)線層、源電極層和漏電極層的鈍化層。請參考圖5，本發(fā)明第一實施例液晶顯示裝置的形成方法的具體步驟為執(zhí)行步驟S301，提供第一基板和第二基板；執(zhí)行步驟S303，在所述第一基板表面形成多個間隔體；執(zhí)行步驟S305，在相鄰兩間隔體間的第一基板表面形成第一電極，并在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；執(zhí)行步驟S307，在相鄰兩間隔體間的第二基板表面形成第一電極；執(zhí)行步驟S309，安裝所述第一基板和第二基板，并在所述多個間隔體、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。請依舊參考圖3和圖4，首先，執(zhí)行步驟S301，提供第一基板222和第二基板223 ；在第一實施例中，所述第一基板222的形成步驟為提供襯底219、依次在所述襯底219表面形成柵電極層(未圖示)和掃描線層203、覆蓋所述柵電極層、掃描線層203和襯底219的絕緣層220、形成在絕緣層220上的數(shù)據(jù)線層205、源電極層(未圖示)和漏電極層(未圖示)、以及覆蓋所述數(shù)據(jù)線層205、源電極層和漏電極層的鈍化層221 ；其中，所述襯底219為玻璃襯底，先采用沉積工藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積，在所述襯底219表面形成柵金屬層(未圖示)，然后掩膜圖形化所述柵金屬層，形成掃描線層 203和柵電極層。在所述掃描線層203與柵電極層形成之后，再采用沉積工藝形成絕緣層220，例如物理或化學(xué)氣相沉積工藝，所述絕緣層220可采用G-SiNx、氮化硅、氧化硅等作材料；在所述絕緣層220形成之后，再采用沉積工藝形成數(shù)據(jù)線金屬層(未圖示)，例如物理或化學(xué)氣相沉積工藝，掩膜圖形化以形成數(shù)據(jù)線層205、源電極層和漏電極層；在所述數(shù)據(jù)線層205、源電極層和漏電極層形成之后，再采用沉積工藝形成覆蓋所述數(shù)據(jù)線層205、源電極層和漏電極層的鈍化層221，例如物理或化學(xué)氣相沉積工藝。為使柵電極層、源電極層和漏電極層與后續(xù)形成的第一電極213、215和第二電極207、209電連接，所述絕緣層220內(nèi)還刻蝕有導(dǎo)電孔(未圖示)。上述步驟執(zhí)行完成后，所述第一基板222制作完成。所述第二基板223為其上形成有彩色濾光片以顯示色彩的濾光片基板。接著，執(zhí)行步驟S303，在所述第一基板222表面形成多個間隔體211、212。在所述鈍化層221形成之后，再采用沉積工藝形成與數(shù)據(jù)線層205相對應(yīng)間隔體層(未圖示)，例如物理或化學(xué)氣相沉積工藝，然后刻蝕形成多個間隔體211、212。為便于制造，在第一實施例中，所述相鄰的兩間隔體211、212均形成在第一基板222上。需要說明的是，在其他實施例中，所述相鄰的兩間隔體211、212可以均形成在第一基板223上，也可以所述間隔體211、212中的一個形成在第一基板222上，而另一個形成在第二基板223上。接著，執(zhí)行步驟S305，在相鄰兩間隔體211、212間的第一基板222表面形成第一電極215，并在所述間隔體211、212的側(cè)壁形成第二電極207、209。在所述多個間隔體211、212制作完成之后，再在相鄰兩個所述間隔體211、212間的第一基板221表面形成第一電極215，并在間隔體211、212的側(cè)壁上形成第二電極207、 209。所述第一電極215和第二電極207、209的形成工藝為沉積工藝，例如通過物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的方式在間隔體211、212相對的內(nèi)側(cè)壁以及相鄰兩個所述間隔體211、212間的第一基板221表面形成導(dǎo)電層，然后采用圖形掩膜化的方法形成第一電極215和第二電極207、209。在第一實施例中，由于第一電極215和第二電極207、209均采用透明的氧化銦錫 (indium tin oxides，IT0)材料。因此，所述第二電極207、209和第一電極215的形成工藝優(yōu)選為采用沉積工藝在兩相鄰的間隔體211、212相對的內(nèi)側(cè)壁以及相鄰兩個所述間隔體211、212間的下基板221表面同時形成導(dǎo)電層，然后采用圖形掩膜化的方法在同一步驟中形成第二電極207、209和第一電極215。需要說明的是，在其他實施例中，由于第二電極207、209可以采用不透明的鋁或鋁合金。當(dāng)?shù)诙姌O207、209為不透明的鋁或鋁合金時，則需分別形成第二電極207、209 和第一電極215。形成所述第二電極207、209和第一電極215具體為可以先在相鄰兩間隔體211、212相對的內(nèi)側(cè)壁表面采用沉積工藝形成第二導(dǎo)電層(未圖示)，然后圖形掩膜化，刻蝕所述第二導(dǎo)電層形成第二電極207、209 ；然后在相鄰兩間隔體211、212間的第一基板表面形成第一導(dǎo)電層(未圖示)，然后圖形掩膜化，刻蝕所述第一導(dǎo)電層形成第一電極215。也就可以先在相鄰兩間隔體211、212間的第一基板表面形成第一導(dǎo)電層(未圖示)，然后圖形掩膜化，刻蝕所述第一導(dǎo)電層形成第一電極215 ；然后在相鄰兩間隔體211、 212相對的內(nèi)側(cè)壁表面采用沉積工藝形成第二導(dǎo)電層(未圖示)，然后圖形掩膜化，刻蝕所述第二導(dǎo)電層形成第二電極207、209。然后，執(zhí)行步驟S307，在相鄰兩間隔體211、212間的第二基板223表面形成第一電極 213。第一電極213的形成方法為采用沉積工藝，例如物理氣相沉積，在與下基板222 相對的上基板223的表面沉積第一導(dǎo)電層(未圖示)，然后采用圖形掩膜化的方法刻蝕形成第一電極213?？紤]到液晶顯示裝置的透過率，所述第一電極213采用的材料為透明的氧化銦錫(indium tin oxides, I TO)。在本實施例中，為使第二電極207、209與第一電極213之間形成的電場與第二電極207、209與第一電極215之間形成的電場一致，使電場均勻，透過率高，因此，優(yōu)選第一電極213形成在像素單元內(nèi)相鄰間隔體211、212間第二基板的中線處。最后，執(zhí)行步驟S309，安裝所述第一基板222和第二基板223，在相鄰兩個所述間隔體211、212、所述第一基板222和所述第二基板223形成的空腔內(nèi)填充液晶層217。上述步驟完成之后，本發(fā)明第一實施例液晶顯示裝置制作完成。采用本發(fā)明第一實施例制作的液晶顯示裝置，由于第一電極213、215分別形成在第一基板222和第二基板223相對的兩個表面，而不用形成在間隔體211、212的側(cè)壁上，每個像素單元中間的間隔體可以省略掉，提高了液晶顯示裝置的開口率和透過率。而且所述第一電極213、215均采用透明的氧化銦錫(indium tin oxides, IT0)，也有助于提高液晶顯示裝置的透過率。第二實施例請參考圖6和圖7，圖6是本發(fā)明第二實施例液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖 7是圖6所示的液晶顯示裝置沿D-Dl線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置，包括第一基板322;與所述第一基板322相對設(shè)置的第二基板323 ；設(shè)置于所述第一基板322和所述第二基板323間的多個間隔體311、312 ；填充于多個所述間隔體311、312、所述第一基板322和所述第二基板323形成的空腔內(nèi)的液晶層317 ；本發(fā)明液晶顯示裝置中每個像素單元包括至少兩個間隔體311、312 ；位于相鄰兩間隔體311、312間的所述第一基板322或所述第二基板323面向所述液晶層317表面的第一電極315 ；位于相鄰兩間隔體311、312相對側(cè)壁的第二電極307、309。與第一實施例不同，在每個像素單元內(nèi)，所述第一電極315位于相鄰兩間隔體 311、312間的所述第一基板322或所述第二基板323面向所述液晶層317表面。在第二實施例中，所述第一電極315優(yōu)選形成在像素單元內(nèi)相鄰兩間隔體311、 312間的第一基板322或第二基板323面向所述液晶層317表面的中線處。優(yōu)選的，當(dāng)?shù)谝浑姌O315位于第二基板323表面時，其為公共電極。其他的器件的位置關(guān)系及形狀與第一實施例相同，請參考第一實施例，在此不再一一贅述。請參考圖8，在像素單元內(nèi)，當(dāng)所述第一電極315形成在相鄰兩間隔體311、312間的第一基板322面向所述液晶層317的表面，本發(fā)明第二實施例液晶顯示裝置的形成方法的具體步驟為執(zhí)行步驟S601，提供第一基板和第二基板；執(zhí)行步驟S603，在所述第一基板表面形成多個間隔體；執(zhí)行步驟S605，在相鄰兩間隔體間的第一基板表面形成第一電極，并在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；執(zhí)行步驟S607，安裝所述第一基板和第二基板，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。依舊參考圖6和圖7，首先，執(zhí)行步驟S601，提供第一基板322 ；所述第一基板322包含有襯底319、形成在襯底319上的柵電極層(未圖示)和掃描線層303、覆蓋所述柵電極層、掃描線層303和襯底319的絕緣層320、形成在絕緣層320 上的數(shù)據(jù)線層305、源電極層(未圖示)和漏電極層(未圖示)、以及覆蓋所述數(shù)據(jù)線層305、 源電極層和漏電極層的鈍化層321。
接著，執(zhí)行步驟S603，形成在所述第一基板322表面的多個間隔體311、312 ；上述步驟S601 S603的具體步驟與第一實施例中的步驟S301 S303相同，具體可參考第一實施例中的步驟S301 S303。接著，執(zhí)行步驟S605，在相鄰兩間隔體311、312間的第一基板322表面形成第一電極315，并在所述間隔體311、312的側(cè)壁形成第二電極307、309。所述第一電極315可以為公共電極，也可以為像素電極。所述第二電極307、309可以為公共電極，也可以為像素電極?？紤]到電場的均勻性和液晶顯示裝置的透過率，在第二實施例中，優(yōu)選第一電極 315形成在相鄰兩間隔體311、312間第一基板323面向所述液晶層317表面的中線處。在第二實施例中，由于所述第一電極315和第二電極307、309的材料均優(yōu)選為透明的氧化銦錫(ITO)。若第一電極315形成在與上基板323相對的下基板322的表面，那么在本實施例中優(yōu)選為采用沉積工藝同時在兩相鄰的間隔體311、312相對的內(nèi)側(cè)壁和相鄰兩間隔體311、312間的下基板322表面沉積導(dǎo)電層(未圖示)，然后采用圖形掩膜化的方法刻蝕形成第一電極315和第二電極307、309 ；若第一電極315形成在與下基板322相對的上基板323的表面，那么在本實施例中則需要采用沉積工藝和圖形掩膜化的方法分別形成第一電極315和第二電極307、309。需要說明的是，在其他實施例中，若第二電極307、309采用不透明的鋁或鋁合金材料，那么也需要采用沉積工藝和圖形掩膜化的方法分別形成第一電極315和第二電極 307,309ο需要說明的是，在其他實施例中，所述間隔體311、312也可以均形成在與第一基板322相對的第二基板323的表面；所述間隔體311、312中的一個也可以形成在第一基板 322表面，而另一個形成在與第一基板322相對的第二基板323的表面。然后，執(zhí)行步驟S607，安裝所述第一基板322和第二基板323，在所述多個間隔體 311、312、第一基板322和第二基板323形成的空腔內(nèi)填充液晶層317。在第一基板322與第二基板323安裝完成之后，間隔體311、312會抵靠在第一基板322與第二基板323的表面，會在兩基板之間限定一個底部窄頂部寬的等腰提型區(qū)域。這個區(qū)域隨后會填充入液晶分子，形成用于透光或阻止光透過的液晶層317。所述液晶層317 中的液晶分子在電場的驅(qū)動下發(fā)生偏轉(zhuǎn)。請參考圖9，在像素單元內(nèi)，當(dāng)所述第一電極315形成在相鄰兩間隔體311、312間的第一基板322表面，本發(fā)明第二實施例液晶顯示裝置的形成方法的具體步驟為執(zhí)行步驟S701，提供第一基板和第二基板；執(zhí)行步驟S703，在所述第一基板表面形成多個間隔體；執(zhí)行步驟S705，在第二基板表面形成第一電極；執(zhí)行步驟S707，在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；執(zhí)行步驟S709，安裝所述第一基板和第二基板，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。上述步驟完成之后，本發(fā)明第二實施例液晶顯示裝置制作完成。采用本發(fā)明第二實施例制作的液晶顯示裝置，與第一實施例不同，僅在相鄰兩間隔體間的第一基板或第二基板表面形成第一電極315，所述第二電極307、309與第一電極315之間形成電場，也可以達(dá)到本發(fā)明的目的，提高了液晶顯示裝置的開口率和透過率。而且所述第一電極315采用透明的氧化銦錫(indium tin oxides，ΙΤΟ)，也有助于提高液晶顯示裝置的透過率。圖10是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的透過率曲線圖。請參照圖10，現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的每個像素單元內(nèi)包含有第一間隔體703、第二間隔體704、第三間隔體705、第一電極707、第二電極709、第三電極711和第四電極713。第一電極707、第二電極709為像素電極，第三電極711和第四電極713為公共電極。所述像素電極和公共電極之間形成電場。所述第一電極707、第二電極709、第三電極711和第四電極713的材料均為透明的氧化銦錫(ΙΤ0)。所述第一電極707、第二電極709與第三電極711、第四電極713的電壓分別為5V和0V，上下基板之間的距離為3. 5微米，第一間隔體703和第二間隔體704之間的中心距離為51微米，間隔體703、704、705的側(cè)壁與上下基板之間的夾角為45°。透過率曲線701反映的是其下方的液晶顯示裝置各處的透過率大小，其中X軸表示與液晶顯示裝置某處對應(yīng)的位置信息，Y軸表示透過率大小。從透過率曲線55可以看出第三間隔體705上方區(qū)域Ql對光的透過率遠(yuǎn)小于其他區(qū)域。綜合各區(qū)域的透過率，得出整個液晶顯示裝置的透過率為14.6%。圖11為本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置透過率曲線圖。其中像素電極和公共電極的材料均為透明的氧化銦錫(ITO)，像素電極和公共電極的電壓分別為5V和0V，上下基板之間的距離為3. 5微米，兩間隔體之間的中心距離為51微米，間隔體側(cè)壁與上下基板之間夾角為45°。請參考圖11，并與圖10相比較，可發(fā)現(xiàn)，雖然透過率曲線801還是存在透過率減小的區(qū)域Q2，但是整個液晶顯示裝置的透過率已顯著提高，達(dá)到沈.44%。由此可知，本發(fā)明的第一實施例確實可以提高液晶顯示裝置的透過率。圖12為本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置透過率曲線圖。其中像素電極和公共電極的材料均為透明的氧化銦錫(ITO)，像素電極和公共電極的電壓分別為5V和0V，上下基板之間的距離為3. 5微米，兩間隔體之間的中心距離為51微米，間隔體側(cè)壁與上下基板之間夾角為45°。請參考圖12，并與圖10相比較，可見透過率曲線中雖然也存在透過率表笑的區(qū)域Q3，但透過率也已顯著提高，達(dá)到沈.22%。由此可知，本發(fā)明的第二實施例確實可提高液晶顯示裝置的透過率。另外，與圖11相比較，圖11中第一實施例的液晶顯示裝置的透過率略大于第二實施例的液晶顯示裝置的透過率，這是因為在第一實施例中雖然透明電極會吸收一小部分光，但是由于其電場強(qiáng)度更強(qiáng)，液晶分子的運(yùn)動更加迅速，有助于提高液晶顯示裝置的透過率。因此，第一實施例的液晶顯示裝置的透過率略高于第二實施例液晶顯示裝置的透過率。本發(fā)明第一實施例的方案優(yōu)于第二實施例的方案。綜上所述，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置及其形成方法，通過將現(xiàn)有技術(shù)像素單元中，設(shè)置于像素單元兩側(cè)的間隔體內(nèi)表面上的透明電極保持不變，而把最中間的間隔體去掉，分別設(shè)置兩個透明電極于上基板、下基板相對的表面，或設(shè)置一個透明電極在上基板、下基板中的任意一塊基板面向所述液晶層的表面。該技術(shù)方案采用透明的電極取代了部分的間隔體，光線更容易透過，大幅度提高了液晶顯示器的開口率，從而實現(xiàn)穿透率的提升。本發(fā)明雖然已較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括第一基板；與所述第一基板相對設(shè)置的第二基板；設(shè)置于所述第一基板和所述第二基板間的多個間隔體；填充于所述多個間隔體、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔內(nèi)的液晶層；其特征在于，所述液晶顯示裝置包括多個像素單元，每個像素單元內(nèi)包括至少兩個間隔體；位于相鄰兩間隔體間的所述第一基板和/或所述第二基板面向所述液晶層的表面的第一電極；位于相鄰兩間隔體相對側(cè)壁的第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極位于像素單元內(nèi)第一基板或第二基板面向所述液晶層的表面。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極位于相鄰兩間隔體間的第一基板和/或第二基板面向所述液晶層的表面的中線處。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極和/或第二電極的材料為透明的氧化銦錫。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二電極的材料為不透明的鋁或鋁合金。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述間隔體呈提型。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述提型的腰與第一基板或第二基板形成一夾角，所述夾角大于或等于45度而小于90度。
10.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述間隔體的材料為有機(jī)膜材料或氮化硅材料。
11.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述間隔體兩端抵靠在所述第一基板與所述第二基板的表面。
12.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一基板為陣列基板，包含有襯底、位于在襯底上的柵電極層和掃描線層、覆蓋所述柵電極層、掃描線層和襯底的絕緣層、位于絕緣層上的數(shù)據(jù)線層、源電極層和漏電極層、以及覆蓋所述數(shù)據(jù)線層、源電極層和漏電極層的鈍化層。
13.—種如權(quán)利要求1 12中的任一項所述的液晶顯示裝置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多個間隔體；在相鄰兩間隔體間的第一基板表面形成第一電極，并在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；在相鄰兩間隔體間的第二基板表面形成第一電極；安裝所述第一基板和所述第二基板，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。
14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置的形成方法，其特征在于，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。
15.一種如權(quán)利要求1 12中的任一項所述的液晶顯示裝置的形成方法，包括 提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多個間隔體；在相鄰兩間隔體間的第一基板表面形成第一電極，并在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；安裝所述第一基板和所述第二基板，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。
16.一種如權(quán)利要求1 12中的任一項所述的液晶顯示裝置的形成方法，包括 提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多個間隔體； 在第二基板表面形成第一電極； 在所述間隔體的側(cè)壁形成第二電極；安裝所述第一基板和所述第二基板，使所述第一電極位于相鄰所述間隔體的中間位置，并在所述多個間隔體、第一基板和第二基板形成的空腔內(nèi)填充液晶層。
17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置的形成方法，其特征在于，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置，包括第一基板、與所述第一基板相對設(shè)置的第二基板、設(shè)置于所述第一基板和所述第二基板間的多個間隔體、填充于相鄰兩個所述間隔體、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔內(nèi)的液晶層，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括多個像素單元，每個像素單元內(nèi)包括至少兩個間隔體、位于相鄰兩間隔體間的所述第一基板和/或所述第二基板面向所述液晶層表面的第一電極、位于相鄰兩間隔體相對側(cè)壁的第二電極。本發(fā)明的液晶顯示裝置采用透明電極取代了現(xiàn)有技術(shù)中的部分間隔體，開口率和透過率高。
文檔編號G02F1/1339GK102566147SQ201010609238
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月27日
發(fā)明者任嬌燕, 凌志華, 霍思濤 申請人:上海天馬微電子有限公司