專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術，更具體地，本發(fā)明涉及一種水平場反轉型的液晶顯示
直O(jiān)
背景技術：
大體而言，基于液晶分子偏轉方式的不同，液晶顯示裝置(以下簡稱LCD)可分為兩大類第一類為液晶分子沿與基板垂直的平面偏轉，第二類為液晶分子沿與基板平行的平面偏轉。典型的第一類型LCD為扭轉列向型液晶顯示裝置(簡稱TN-LCD)，其具有的兩電極分別設置于兩極板上。TN-IXD的液晶分子一般配置為以90度偏轉，具有高透光率、低功率耗損、工藝容易等特點。然而，由于靠近兩極板表面處的液晶指向相互垂直，使得其顯示窄的視角。典型的第二類型IXD為橫向電場偏轉型液晶顯示裝置(簡稱IPS-IXD)與邊緣場偏轉型液晶顯示裝置(簡稱FFS-LCD)，它們的兩電極形成于同一基板上，以及液晶指向沿與基板平行的平面偏轉。由于在電壓關閉的狀態(tài)時，液晶指向系水平排列或平行于基板，因而其視角特性得以改善。并且由于兩電極之間區(qū)域的電場平行于顯示器的基板，也就是使液晶指向于平行基板的平面偏轉使其獲得高透光率。然而，于兩電極表面上方區(qū)域的電場具有很強的垂直電極表面的分量，此強的垂直電極表面的分量會使液晶分子在垂直于基板的方向上傾斜而非使其于平行基板的平面扭轉，進而導致于電極表面上方形成低穿透率的區(qū)域?，F(xiàn)有技術中提出了一種水平場反轉型(Horizontal Field Switching)的液晶顯示裝置，雖然實現(xiàn)廣視角，提高了液晶顯示裝置的穿透率，但由于其在結構方面的限制，需要更高的電壓驅動，無法與目前的商用集成電路匹配。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是現(xiàn)有技術的水平電場反轉型液晶顯示裝置的驅動電壓較高，不能與目前的商用集成電路匹配。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置，包括第一基板、與第一基板相對設置的第二基板和填充于第一基板和第二基板之間的液晶層，其特征在于所述液晶顯示裝置還包括多個設置于第一和第二基板之間的間隔體，相鄰間隔體的相對側壁分別設置有第一電極和第二電極以形成橫向電場驅動所述液晶分子偏轉?？蛇x的，所述第一基板包括玻璃基板、形成于玻璃基板上的陣列層和形成于陣列層上的鈍化層?？蛇x的，所述第一電極和第二電極之間的最大距離為8 15微米?？蛇x的，所述液晶顯示裝置包括多個像素單元，每個像素單元包括三個或三個以上所述間隔體，以及相鄰間隔體相對側壁上設置的第一電極和第二電極。
可選的，所述多個像素單元成矩陣排列，同一列像素單元沿數(shù)據(jù)線方向排列，所述間隔體為沿列向延伸的條狀間隔體?？蛇x的，同一列相鄰兩個像素單元的相鄰兩間隔體之間形成有空隙?？蛇x的，所述像素單元中的間隔體均形成于第一基板上。可選的，所述第一電極為像素電極，第二電極為公共電極?？蛇x的，當像素單元中的間隔體側壁上設置的電極均為公共電極時，所述間隔體形成于第二基板上；當像素單元中的間隔體側壁上設置的電極為一個像素電極和一個公共電極或均為像素電極時，所述間隔體形成于第一基板上?？蛇x的，所述間隔體呈提形，所述提形的腰與第一基板或第二基板形成一個夾角， 所述夾角大于或等于45度而小于90度。可選的，所述間隔體在過孔區(qū)域內和/或靠近過孔區(qū)域的部分呈寬度相等或不等的指狀，所述間隔體的指狀部分之間的間隙相等或不等?？蛇x的，構成所述間隔體的材料為有機膜材料或氮化硅材料。可選的，構成所述第一電極與第二電極的材料為透明的氧化銦錫或不透明的金
jM ο與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明通過在一個像素單元中設置三個或三個以上間隔體來減小相鄰間隔體相對側壁上設置的像素電極和公共電極之間的距離， 進而使得在像素電極和公共電極之間加較小驅動電壓的情況下在這兩個電極之間產生較大的電場，降低相對設置的像素電極和公共電極之間液晶分子翻轉所需的驅動電壓，使所制造液晶顯示裝置與目前的商用集成電路匹配。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置的像素單元結構示意圖；圖2為圖1所示液晶顯示裝置的像素單元沿A-A’線的剖面結構示意圖；圖3為圖1所示液晶顯示裝置的像素單元沿C-C’線的剖面結構示意圖；圖4為本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置的像素單元結構示意圖；圖5為圖4所示液晶顯示裝置的像素單元沿B-B’線的剖面結構示意圖；圖6為圖4所示液晶顯示裝置的像素單元沿D-D’線的剖面結構示意圖；圖7為本發(fā)明第三實施例的一列像素單元之間位置關系的結構示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。正如背景技術部分所述，現(xiàn)有技術中的面內偏轉型的液晶顯示裝置雖然實現(xiàn)了廣視角，提高了液晶顯示裝置的穿透率，但由于其在結構方面的限制，需要更高的電壓驅動， 無法與目前的商用集成電路匹配。本發(fā)明的技術方案通過在一個像素單元中設置三個或三個以上間隔體來減小像素單元內相鄰間隔體相對側壁上設置的像素電極和公共電極之間的距離，使像素電極和公共電極之間的最大距離為8 15微米，進而使在像素電極和公共電極之間加較小驅動電壓的情況下在這兩個電極之間產生較大的電場，降低相對設置的像素電極和公共電極之間液晶分子翻轉所需的驅動電壓，使所制造液晶顯示裝置與目前的商用集成電路匹配。另外，本發(fā)明還將過孔區(qū)域的間隔體設計成寬度相等或不等的指狀，且使間隔體的指狀部分之間的間隙相等或不等，從而增加過孔區(qū)域的間隔體與設置在所述過孔區(qū)域間隔體上的電極之間的接觸面，防止電極在過孔區(qū)域處斷裂。下面通過3個實施例進行詳細說明，其中第一實施例和第二實施例以內部含有三個間隔體的像素單元為例說明，第三實施例以一列像素單元為例說明。第一實施例圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置的像素單元結構示意圖。圖2為圖 1所示液晶顯示裝置的像素單元沿A-A’線的剖面結構示意圖。圖3為圖1所示液晶顯示裝置的像素單元沿C-C’線的剖面結構示意圖。請參照圖2，液晶顯示裝置由第一基板126與第二基板1 之間夾持液晶組裝而成。在本實施例中，第一基板1 為其上形成有作為像素開關的薄膜晶體管(TFT，未圖示) 以驅動顯示裝置的薄膜晶體管基板，第二基板1 為其上形成有彩色濾光片(未圖示)以顯示色彩的濾光片基板。第一基板126上形成有間隔體102、104和106，第一基板1 與第二基板1 相互組裝后，第一基板126上的間隔體102、104和106會抵靠在第二基板1 上，以維持相對設置的兩個基板之間的均勻間隔尺寸。第一基板1 上的間隔體102、104和106呈提形，所述提形的腰與第一基板1 或第二基板1 形成一個夾角，所述夾角大于或等于45度而小于90度。第一基板126與第二基板1 組裝完成后，在間隔體102和104、間隔體104和106之間填充入液晶分子130， 形成用于透光或阻止光透過的液晶層。無論有無電場的作用，液晶分子230的指向始終與屏幕(即第二基板228)平行；電場的作用使得液晶分子230在平行于屏幕的平面內轉動。在間隔體102和104相對的兩個側壁表面上分別設置有第一電極103和第二電極 105，在間隔體104和106相對的兩個側壁表面上分別設置有第二電極107和第一電極109， 其中第一電極103和第二電極105、第二電極107和第一電極109之間的最大距離為8 15微米。如圖2所示，第一電極103和第二基板128的交界線與第二電極105和第二基板 1 的交界線平行，該兩條平行交界線的距離就是第一電極103和第二電極105之間的最大距離；第二電極107和第一電極109之間的最大距離也是如此。從圖1和圖2可以看出，一個像素單元包括間隔體102及其上的第一電極103、間隔體104及其上的第二電極105和107、間隔體106及其上的第一電極109，以及間隔體102、 104和106之間的液晶分子與第一基板1 和第二基板128。
間隔體102、104、106可以為有機膜、氮化硅或類似的絕緣材料。在間隔體102、 104、106的形成過程中，間隔體102、104、106的側壁與第一基板126之間形成一個夾角，這個夾角優(yōu)選為大于或等于45度而小于90度，可以使得第一電極103和第二電極105、第二電極107和第一電極109之間形成的橫向電場較平直，較少垂直分量，同時可以降低制作的難度。在本實施例中，第一電極103和109為像素電極，第二電極105和107為公共電極。像素電極和公共電極的材料為透明的氧化銦錫(ITO)，通過PVD (Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)的方式沉積在間隔體上。需要說明的是，作為另外的實施方式，像素電極和公共電極的材料也可為不透明的金屬，如鋁或鋁合金。第一電極103和第二電極105、第二電極107和第一電極109在薄膜晶體管控制下分別在第一電極103和第二電極105、第二電極107和第一電極109之間產生水平電場。水平電場沿著平行于第一基板126、第二基板128的方向驅動液晶層的液晶分子，所以不管在何種狀態(tài)下液晶分子的指向始終都與屏幕(即第二基板128)平行，只是在加電/常規(guī)狀態(tài)下液晶分子的偏轉方向有所不同。因為避免了液晶分子在豎直方向(即，與第一基板126、 第二基板1 垂直的方向)上的偏轉，所以液晶顯示裝置可以達到較大的視角。由于第一電極103、第二電極105和107、第一電極109分別設置在間隔體102、104和106的側壁，而不是第一基板126或第二基板1 上，穿行于第一基板126與第二基板128的光線已然無須穿透第一電極103和109、第二電極105和107，因而即便為不透明材料第一電極和第二電極也不會阻礙光線。不僅如此，由于第一電極103和109、第二電極105和107傾斜設置，因而不透明的第一電極、第二電極可阻擋二者在基板上的投影區(qū)域的光線透過，而二者在基板上的投影區(qū)域正是電場垂直分量較大的區(qū)域，也是引起漏光的區(qū)域，所以通過設置不透明的電極將這部分區(qū)域遮擋，在某種程度上也可提高對比度。所述第一基板1 包括玻璃基板124、形成在玻璃基板IM上的陣列層123、以及形成在陣列層123上的鈍化層122。陣列層123形成有柵線(未畫出)、數(shù)據(jù)線132及與柵線和數(shù)據(jù)線電性相連的用作開關器件的薄膜晶體管(未圖示)。所述柵線、數(shù)據(jù)線132與薄膜晶體管上覆蓋有黑矩陣，所述黑矩陣由包括碳顆粒的黑樹脂構成，由于碳顆粒具有吸光特性，所以黑矩陣可以防止光泄露。請參照圖3，第一電極103和109為像素電極，這兩個電極在圖1液晶顯示裝置的過孔區(qū)域120中通過過孔140與薄膜晶體管的源/漏極134連接，以實現(xiàn)第一電極103和 109的電位連接；在第二電極105和107均為公共電極，這兩個電極在圖1液晶顯示裝置的過孔區(qū)域120中連接在一起，通過過孔142與普通公共電極136連接，以實現(xiàn)第二電極105 和107的電位連接。當?shù)谝浑姌O103和109、第二電極105和107與電位連接后，在第一電極103和第二電極105、第二電極107和第一電極109之間存在電勢差，產生水平電場，以保持第一電極 103和第二電極105、第二電極107和第一電極109之間的液晶分子不管在何種狀態(tài)下始終都與屏幕(即第二基板128)平行。需要說明的是，在液晶顯示裝置內，間隔體102、104和106并不會貫穿整個單位像素，如圖1中所示，而是在間隔體102、104和106靠近薄膜晶體管一端留有空隙，液晶分子130可通過該空隙在各個單位像素之間流通，從而保證液晶分子的均勻性。另外，如圖1所示，所述間隔體102分為10 和102b兩部分，102b在過孔區(qū)域120內和/或靠近過孔區(qū)域120 ；間隔體104分為10 和104b兩部分，104b在過孔區(qū)域120內和/或靠近過孔區(qū)域 120 ；以及間隔體106分為106a和106b兩部分，106b在過孔區(qū)域120內和/或靠近過孔區(qū)域120。過孔區(qū)域120內和/或靠近過孔區(qū)域120的間隔體102b、104b和106b的設置第一電極或第二電極的兩側呈寬度相等或不等的指狀，且使間隔體102b、104b和106b的指狀部分之間的間隙相等或不等，從而使間隔體102b、104b和106b與設置在間隔體102b、104b 和106b上的第一電極或第二電極之間的接觸面變得平緩，防止該處第一電極或第二電極斷裂。在本發(fā)明的另一個實施例中，還可以將間隔體104上的電極設置為兩個像素電極，此時，間隔體102、106與間隔體104相對一側的電極為公共電極；或者將間隔體104上的電極設置為一個像素電極和一個公共電極，那么，與間隔體104上像素電極相對的電極為公共電極，與間隔體104上公共電極相對的電極為像素電極。在該實施例中，像素電極與液晶顯示裝置中薄膜晶體管的源/漏極連接，公共電極與普通公共電極連接。在本實施例通過將在一個像素單元內設置三個間隔體來減小相鄰間隔體相對側壁上設置的像素電極和公共電極之間的距離，從而減小像素電極和公共電極之間液晶分子翻轉所需的電壓，使液晶顯示裝置能夠利用目前商用集成電路驅動。作為另外的實施方式， 一個像素單元還可以設置三個以上的間隔體，相鄰間隔體相對的兩個側壁表面分別設置像素電極和公共電極，這樣可以減小相鄰間隔體相對電極之間的距離，進而可以適當減小液晶顯示裝置的驅動電壓。第二實施例圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置的像素單元結構示意圖。圖5為圖 4所示液晶顯示裝置的像素單元沿B-B’線的剖面結構示意圖。圖6為圖4所示液晶顯示裝置的像素單元沿D-D’線的剖面結構示意圖。請參照圖4，液晶顯示裝置由第一基板226與第二基板2 之間夾持液晶組裝而成。在本實施例中，第一基板226為其上形成有薄膜晶體管(未圖示)以驅動顯示裝置的薄膜晶體管基板，第二基板2 為其上形成有彩色濾光片(未圖示)以顯示色彩的濾光片基板。第一基板2 上形成有間隔體202和206，第二基板2 上形成間隔體204。第一基板2 上的間隔體202和206會抵靠在第二基板2 上，第二基板228的間隔體204會抵靠第一基板2 上。間隔體202、204和206的設置，可以維持兩個對立的基板之間的均勻間隔尺寸。第一基板2 上的間隔體202和206、第二基板228的間隔體204均呈提形，只是這間隔體202和206與間隔體204在豎直方向上放置的方向不同。在第一基板202與第二基板201組裝完成后，在間隔體202和204、間隔體204和206之間填充入液晶分子230，形成用于透光或阻止光透過的液晶層。無論有無電場的作用，液晶分子230的指向始終與屏幕(即第二基板228)平行；電場的作用使得液晶分子230在平行于屏幕的平面內轉動。在間隔體202和204相對的兩個側壁表面上分別沉積有第一電極203和第二電極 205，在間隔體204和206相對的兩個側壁表面上分別設置有第二電極207和第一電極209。其中，第一電極203和第二電極205以及第二電極207和第一電極209之間的最大距離都為8 15微米。一個像素單元包括間隔體202及其上的第一電極203、間隔體204及其上的第二電極205和207、間隔體206及其上的第一電極209，以及間隔體202、204和206之間的液晶分子與第一基板2 和第二基板2 構成一個像素單元。間隔體202、204、206可以為有機膜、氮化硅或類似的絕緣材料。在間隔體202、 204,206的形成過程中，間隔體202、206的側壁與第一基板2 之間以及間隔體204的側壁與第二基板2 之間形成一個夾角，這個夾角優(yōu)選為大于或等于45度而小于90度，可以使得第一電極203和第二電極205、第二電極207和第一電極209之間形成的橫向電場較平直，較少垂直分量，同時可以降低制作的難度。在本實施例中，第一電極203和209為像素電極，第二電極205和207為公共電極。像素電極和公共電極的材料為透明的氧化銦錫(ITO)，通過PVD (Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)的方式沉積在間隔體上。需要說明的是，作為另外的實施方式，像素電極和公共電極的材料也可為不透明的金屬，如鋁或鋁合金。第一電極203和第二電極205、第二電極207和第一電極209在薄膜晶體管控制下分別在第一電極203和第二電極205、第二電極207和第一電極209之間產生水平電場。 水平電場沿著平行于第一基板226、第二基板228的方向驅動液晶層的液晶分子，所以不管在何種狀態(tài)下液晶分子的指向始終都與屏幕(即第二基板228)平行，只是在加電/常規(guī)狀態(tài)下液晶分子的偏轉方向有所不同。因為避免了液晶分子在豎直方向(即與第一基板226、 第二基板2 垂直的方向)上的偏轉，所以液晶顯示裝置可以達到較大的視角。由于第一電極203、第二電極205和207、第一電極209分別設置在間隔體202、204和206的側壁，而不是第一基板2 或第二基板2 上，穿行于第一基板226與第二基板228的光線已然無須穿透第一電極203和209、第二電極205和207，因而即便為不透明材料第一電極和第二電極也不會阻礙光線。由于第一電極203和209、第二電極205和207傾斜設置，因而不透明的第一電極、 第二電極可阻擋電極正下方的光線透過，而電極正下方正是電場垂直分量較大的區(qū)域，也是引起漏光的區(qū)域，所以通過設置不透明的電極將這部分區(qū)域遮擋，在某種程度上也可提高對比度。所述第一基板2 包括玻璃基板224、形成在玻璃基板2 上的陣列層223、以及形成在陣列層223上的鈍化層222。陣列層223上形成有柵線(未畫出)、數(shù)據(jù)線232及與柵線和數(shù)據(jù)線電性相連的用作開關器件的薄膜晶體管(未圖示)。所述柵線、數(shù)據(jù)線232與薄膜晶體管上覆蓋有黑矩陣，所述黑矩陣由包括碳顆粒的黑樹脂構成，由于碳顆粒具有吸光特性，所以黑矩陣可以防止光泄露。請參照圖6，第一電極203和209為像素電極，這兩個電極在圖4液晶顯示裝置的過孔區(qū)域220中通過過孔240與薄膜晶體管的漏極234連接， 以實現(xiàn)第一電極203和209的電位連接；第二電極205和207均為公共電極，這兩個電極設置于第二基板2 上的間隔體204上，其電位由第二基板2 提供。當?shù)谝浑姌O203和209、第二電極205和207與電位連接后，在第一電極203和第二電極205、第二電極207和第一電極209之間存在電勢差，產生水平電場，以保持第一電極 203和第二電極205、第二電極107和第一電極109之間的液晶分子不管在何種狀態(tài)下始終都與屏幕(即第二基板228)平行。
需要說明的是，在液晶顯示裝置內，間隔體202、204和206并不會貫穿整個單位像素，如圖4中所示，而是在間隔體202、204和206靠近薄膜晶體管一端留有空隙，液晶分子 230可通過該空隙在各個單位像素之間流通，從而保證液晶分子的均勻性。另外，如圖4所示，所述間隔體202分為20 和202b兩部分，202b在過孔區(qū)域220內和/或靠近過孔區(qū)域220 ；間隔體204分為20 和204b兩部分，204b在過孔區(qū)域220內和/或靠近過孔區(qū)域 220 ；以及間隔體206分為206a和206b兩部分，206b在過孔區(qū)域220內和/或靠近過孔區(qū)域220。過孔區(qū)域220內的間隔體202b、204b和206b的設置第一電極或第二電極的兩側呈寬度相等或不等的指狀，且使間隔體202b、204b和206b的指狀部分之間的間隙相等或不等，從而使間隔體202b、204b和206b與設置在間隔體202b、204b和206b上的第一電極或第二電極之間的接觸面變得平緩，防止該處第一電極或第二電極斷裂。在本實施例中，將兩側均為公共電極的間隔體設置在第二基板上，該間隔體上公共電極的電位由第二基板提供。同時，通過將像素單元內相鄰間隔體相對側面上像素電極和公共電極之間的最大距離控制在8至15微米范圍內，降低像素電極和公共電極之間液晶分子翻轉所需的電壓，進而使液晶顯示裝置能夠利用目前商用集成電路驅動。第三實施例圖7為本發(fā)明第三實施例的一列像素單元之間位置關系的結構示意圖。請參照圖 7，其中，橫向延伸的線為柵線1，縱向延伸的線為數(shù)據(jù)線2。圖7中只是出了像素陣列中一列的三個相鄰像素單元301、302和303。像素單元301包括間隔體301a、301b、301c ；像素單元302包括間隔體3(^a、302b、302c ；像素單元303包括間隔體303a、303b和303c。所有間隔體均設計為提形，長度方向沿著數(shù)據(jù)線2。上述間隔體上設置有電極3，相鄰間隔體相對的兩個側壁表面分別為像素電極和公共電極。像素單元301還包括間隔體30Ia和30Ib、 301b和301c相對側壁表面上的電極，以及間隔體之間的液晶分子(未圖示)；像素單元302 還包括間隔體30 和302b、302b和302c相對側壁表面上的電極，以及相對電極之間的液晶分子；像素單元303還包括間隔體303a和303b、303b和303c相對側壁表面上的電極， 以及相對電極之間的液晶分子(未圖示)構成一個像素單元。圖7中三個像素單元排成一列，每個像素單元內設置有三個間隔體。沿數(shù)據(jù)線2方向延伸的間隔體301a、301b和301c 并不會貫穿整個像素單元，因而，位于同一列并相鄰的間隔體301b和302b之間會存在空隙 310，液晶分子可通過該空隙310在各個間隔體之間流通，從而保證液晶分子的均勻性。在其他的實施例中，一個像素單元內還可以設置三個以上間隔體，以減小相對電極之間的距離，進而減小液晶顯示器的驅動電壓。綜上，本發(fā)明通過在一個像素單元中設置三個或三個以上間隔體來減小相鄰間隔體相對側壁上設置的像素電極和公共電極之間的距離，進而使得在像素電極和公共電極之間加較小驅動電壓的情況下在這兩個電極之間產生較大的電場，降低相對設置的像素電極和公共電極之間液晶分子翻轉所需的驅動電壓，使所制造液晶顯示裝置與目前的商用集成電路匹配。另外，本發(fā)明還將過孔區(qū)域的間隔體設計成寬度相等或不等的指狀，且使間隔體的指狀部分之間的間隙相等或不等，從而使間隔體與設置在所述間隔體上的電極之間的接觸面變得平緩，防止該處電極在過孔區(qū)域處斷裂。雖然本發(fā)明己以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應
9當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，其包括；第一基板、與第一基板相對設置的第二基板和填充于第一基板和第二基板之間的液晶層，其特征在于所述液晶顯示裝置還包括多個設置于第一和第二基板之間的間隔體，相鄰間隔體的相對側壁上分別設置有第一電極和第二電極以形成橫向電場驅動所述液晶分子偏轉。
2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一基板包括玻璃基板、形成于玻璃基板上的陣列層和形成于陣列層上的鈍化層。
3.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極和第二電極之間的最大距離為8 15微米。
4.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括多個像素單元，每個像素單元包括三個或三個以上所述間隔體，以及相鄰間隔體相對側壁上設置的第一電極和第二電極。
5.如權利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述多個像素單元成矩陣排列，同一列像素單元沿數(shù)據(jù)線方向排列，所述間隔體為沿列向延伸的條狀間隔體。
6.如權利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，同一列相鄰兩個像素單元的相鄰兩間隔體之間形成有空隙。
7.如權利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素單元中的間隔體均形成于第一基板上。
8.如權利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極為像素電極，第二電極為公共電極。
9.如權利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于，當像素單元中的間隔體側壁上設置的電極均為公共電極時，所述間隔體形成于第二基板上；當像素單元中的間隔體側壁上設置的電極為一個像素電極和一個公共電極或均為像素電極時，所述間隔體形成于第一基板上。
10.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述間隔體呈提形。
11.如權利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述提形的腰與第一基板或第二基板形成一個夾角，所述夾角大于或等于45度而小于90度。
12.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述間隔體在過孔區(qū)域內和/或靠近過孔區(qū)域的部分呈寬度相等或不等的指狀。
13.如權利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述間隔體的指狀部分之間的間隙相等或不等。
14.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，構成所述間隔體的材料為有機膜材料或氮化硅材料。
15.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，構成所述第一電極與第二電極的材料為透明的氧化銦錫或不透明的金屬。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，包括，第一基板、與第一基板相對設置的第二基板、填充于第一基板和第二基板之間的液晶層、多個設置于第一和第二基板之間的間隔體和設置于相鄰間隔體相對側壁上的第一電極和第二電極。本發(fā)明通過在一個像素單元中設置三個或三個以上間隔體來減小相鄰間隔體相對側壁上設置的像素電極和公共電極之間的距離，降低所制造液晶顯示裝置的驅動電壓，使所制造液晶顯示裝置與目前的商用集成電路匹配。
文檔編號G02F1/1343GK102540587SQ20101061677
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權日2010年12月30日
發(fā)明者霍思濤 申請人:上海天馬微電子有限公司