專利名稱：一種用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量 結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)伴隨集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步，線寬的不斷縮小，半導(dǎo)體器件的面 積正變得越來(lái)越小，半導(dǎo)體的布局已經(jīng)從普通的單一功能分離器件，演變成整合高密度多 功能的集成電路；由最初的IC (集成電路)隨后到LSI (大規(guī)模集成電路)，VLSI (超大規(guī) 模集成電路)，直至今天的ULSI (特大規(guī)模集成電路)，器件的面積進(jìn)一步縮小，功能更為全 面強(qiáng)大?？紤]到工藝研發(fā)的復(fù)雜性，長(zhǎng)期性和高昂的成本等等不利因素的制約，如何在現(xiàn)有 技術(shù)水平的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高器件的集成密度，縮小芯片的面積，在同一枚硅片上盡可能 多的得到有效的芯片數(shù)，從而提高整體利益，將越來(lái)越受到芯片設(shè)計(jì)者，制造商的重視。其 中光刻工藝就擔(dān)負(fù)著關(guān)鍵的作用，對(duì)于光刻技術(shù)而言分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度即是其中的重中之 重。分辨率半導(dǎo)體生產(chǎn)中使用的光刻技術(shù)主要基于光學(xué)的衍射原理。光學(xué)的衍射是 光通過(guò)不透明體邊緣、穿過(guò)狹縫或從劃有平行直線的表面反射時(shí)產(chǎn)生偏折和出現(xiàn)一些彼此 平行的亮帶和暗帶。當(dāng)光線通過(guò)掩膜版時(shí)，由于受到掩膜版結(jié)構(gòu)的影響，使光線發(fā)生偏折， 根據(jù)掩膜版結(jié)構(gòu)的尺寸大小從而產(chǎn)生數(shù)量不同的衍射級(jí)數(shù)，基本的計(jì)算工式P*Sin α = η* λ (公式 1)P是結(jié)構(gòu)的透明區(qū)域和不透明部分的寬度的總和；α是衍射角度；λ是光刻機(jī)使 用的波長(zhǎng)；η即是衍射級(jí)數(shù)。根據(jù)數(shù)值孔徑，分辨率的概念和計(jì)算公式NA = N*Sin α(公式 2)R = ΚΙ* λ /NA(公式 3)NA(Numerical Aperture)是光刻機(jī)鏡頭能力的重要表征，數(shù)值越高其帶來(lái)的分辨 率R越高，Kl是系數(shù)因子，與工藝的能力，設(shè)備的波長(zhǎng)，數(shù)值孔徑等的基本參數(shù)相關(guān)，N是光 學(xué)鏡頭和硅片之間介質(zhì)的折射率，折射率越大所得的數(shù)值孔徑也越高。通常干法光刻技術(shù) 的介質(zhì)是空氣，因此數(shù)值孔徑的大小僅與最大捕獲衍射角相關(guān)。當(dāng)數(shù)值孔徑為某個(gè)定值時(shí) 通過(guò)公式2可以得到最大捕獲衍射角，由此帶入公式1得到可以被鏡頭收集的衍射級(jí)數(shù)。收 集的衍射級(jí)數(shù)越多，結(jié)構(gòu)的逼真程度越高，由此得到的空間圖像對(duì)比度也會(huì)大大提高。隨后 空間圖像被光敏材料吸收，通過(guò)顯影成像。隨著浸沒(méi)式曝光的技術(shù)的引入，數(shù)值孔徑已經(jīng)突 破了傳統(tǒng)的概念，這大大提升了分辨率的表現(xiàn)。對(duì)準(zhǔn)精度對(duì)準(zhǔn)精度顧名思義即是用來(lái)表征結(jié)構(gòu)的相互之間疊加、重合的準(zhǔn)確性。 半導(dǎo)體工藝越來(lái)越復(fù)雜，這導(dǎo)致僅僅依靠幾層工藝的疊加已經(jīng)不能滿足多功能、高密度的 需求，而多層工藝的相互組合關(guān)鍵就在于是否能夠準(zhǔn)確的重合。通常情況下，對(duì)準(zhǔn)精度是 最小線寬的1/3左右，隨著線寬越來(lái)越小，器件密度不斷提高，對(duì)準(zhǔn)精度的規(guī)格也越發(fā)的嚴(yán)格。另外，復(fù)雜的工藝還引入了如應(yīng)力形變、膜厚變化、形貌漂移等的不利因素，并且光刻設(shè) 備、測(cè)試設(shè)備的測(cè)量誤差，自身誤差也將導(dǎo)致更多的不確定因素。因此在獲得測(cè)量數(shù)據(jù)后， 測(cè)量結(jié)果是否可信也成為一個(gè)必須面對(duì)的問(wèn)題。業(yè)界通常采用的方法是引入刻蝕后的再測(cè) 定以確定光刻后的光學(xué)測(cè)量是否真實(shí)可行，但是此種方法極易導(dǎo)致硅片報(bào)廢，損失較大而 且周期流程較長(zhǎng)，不利于大生產(chǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)，以能 夠克服現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)量方法導(dǎo)致硅片損失大，周期流程長(zhǎng)、不利于大生產(chǎn)的缺陷。為解決以上技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)，為中 心軸對(duì)稱圖形，包括前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)兩部分，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì) 所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)在X軸方向和Y軸方向上有偏移量。進(jìn)一步的，針對(duì)所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)， 所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括至少一條矩形圖形條。進(jìn)一步的，針對(duì)所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)由光刻膠構(gòu)成，所述當(dāng)前層 對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括至少一條矩形圖形條。進(jìn)一步的，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)為正方形，分為橫向區(qū)域和縱向區(qū)域。進(jìn)一步的，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)等分為四個(gè)區(qū)域，其中至少一個(gè)區(qū)域?yàn)闄M向區(qū)域，至少一 個(gè)為縱向區(qū)域。進(jìn)一步的，針對(duì)所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述橫向區(qū)域內(nèi)，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和所述當(dāng) 前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)均與X軸平行，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)有所述Y軸 方向偏移量。進(jìn)一步的，所述Y軸方向偏移量為-10000微米至+10000微米。進(jìn)一步的，針對(duì)所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述縱向區(qū)域內(nèi)，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和所述當(dāng) 前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)均與Y軸平行，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)有所述X軸 方向偏移量。進(jìn)一步的，所述X軸方向偏移量為-10000微米至+10000微米。綜上所述，本實(shí)用新型中所述用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)中所述前層被對(duì)準(zhǔn)圖 形相對(duì)于當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)圖形在X軸、Y軸方向上分別引入了偏移量，通過(guò)工藝制作后的測(cè)量結(jié) 果與預(yù)設(shè)偏移量的比較，可以測(cè)出并校正工藝或測(cè)量等方面產(chǎn)生誤差，提高測(cè)試精度和可 信度，減少了工藝的負(fù)面影響。所述測(cè)量結(jié)構(gòu)避免了硅片的報(bào)廢，減小損失，縮短了周期流程較長(zhǎng)，且圖形簡(jiǎn)單， 便于制作，可重復(fù)使用，有利于大量生產(chǎn)。本實(shí)用新型中用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)可應(yīng) 用于光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、套準(zhǔn)標(biāo)記、游標(biāo)標(biāo)記、目測(cè)標(biāo)記、線寬測(cè)量標(biāo)記等。

圖la、圖Ib和圖Ic為本實(shí)用新型中用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)的布局方式的 三個(gè)實(shí)施例。圖2a 圖2d為本實(shí)用新型中所述測(cè)量結(jié)構(gòu)的前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)于當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)分別沿X軸、Y軸方向引入偏移量的組合示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本實(shí)用新型的內(nèi) 容作進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本實(shí)用新型并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通及說(shuō)人員所 熟知的一般替換也涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本實(shí)用新型利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)例時(shí)，為了 便于說(shuō)明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。本實(shí)用新型的中心思想是將用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)分為前層被對(duì)準(zhǔn)圖形 和當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)圖形兩部分，在工藝制作時(shí)將所述前層被對(duì)準(zhǔn)圖形相對(duì)于所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)圖 形在X軸、Y軸方向上分別引入偏移量，通過(guò)對(duì)工藝制作后的測(cè)量結(jié)果與預(yù)設(shè)偏移量進(jìn)行比 較，即可測(cè)出并校正工藝或測(cè)量等方面產(chǎn)生誤差，進(jìn)而提高測(cè)試精度和可信度。結(jié)合上述中心思想，本實(shí)用新型提出一種用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)，為中心 軸對(duì)稱圖形，包括前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1和當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2兩部分組成，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)的邊長(zhǎng) 為0. 01微米至1000微米，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1相對(duì)所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2在X軸方向 和Y軸方向上有偏移量。進(jìn)一步的，針對(duì)所述測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1由當(dāng)前光刻工藝層的材料 構(gòu)成，在本實(shí)用新型中，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的深度范圍為0. 1微米至100微米，所述前層 被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1包括至少一條矩形圖形條。在滿足結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的情況下，所述每條矩形圖形條 的長(zhǎng)度范圍為0. 01微米至10000微米，寬度范圍為0. 01微米至10000微米。若所述前層 被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1包括一條以上矩形圖形條時(shí)，所述每條矩形圖形條之間的距離為0.01微米到 10000微米，上述數(shù)值范圍為工藝中常用數(shù)值范圍，此外，其他滿足工藝制作能力和測(cè)量范 圍的情況下的尺寸設(shè)計(jì)都是包含在本實(shí)用新型的思想范圍內(nèi)。進(jìn)一步的，針對(duì)所述測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2由光刻膠構(gòu)成，在本實(shí)用新 型中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的深度范圍為0. 1微米至100微米，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2包 括至少一條矩形圖形條，所述每條矩形圖形條的長(zhǎng)度范圍為0. 01微米至10000微米，寬度 范圍為0. 01微米至10000微米。在滿足結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的情況下，所述每條矩形圖形條的長(zhǎng)度范 圍為0. 01微米至10000微米，寬度范圍為0. 01微米至10000微米。若所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié) 構(gòu)1包括一條以上矩形圖形條時(shí)，所述每條矩形圖形條之間的距離為0.01微米到10000微 米。上述數(shù)值范圍為工藝中常用數(shù)值范圍，此外，其他滿足工藝制作能力和測(cè)量范圍的情況 下的尺寸設(shè)計(jì)都是包含在本實(shí)用新型的思想范圍內(nèi)。進(jìn)一步的，圖la、圖Ib和圖Ic為本實(shí)用新型中用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)的布 局方式的三個(gè)實(shí)施例，參考圖Ia 圖lc，在本實(shí)用新型中，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)采用正方形，將正 方形分為橫向區(qū)域10和縱向區(qū)域20，其中較好的，是將所述測(cè)量結(jié)構(gòu)等分為四個(gè)區(qū)域，至 少一個(gè)區(qū)域?yàn)闄M向區(qū)域10，至少一個(gè)區(qū)域?yàn)榭v向區(qū)域20。圖Ia所示，所述橫向區(qū)域10與 所述縱向區(qū)域20在相鄰的區(qū)域；圖Ib所示，所述橫向區(qū)域10與所述縱向區(qū)域20在相對(duì)角 的區(qū)域；圖Ic所示，兩個(gè)橫向區(qū)域10位于對(duì)角的區(qū)域，兩個(gè)縱向區(qū)域20位于兩個(gè)對(duì)角的區(qū) 域。此外，橫向區(qū)域和縱向區(qū)域的其他劃分方式和位置都包含在本實(shí)用新型的思想范圍內(nèi)。進(jìn)一步的，以圖Ic中所述測(cè)量結(jié)構(gòu)的布局方式的實(shí)施例為例，設(shè)計(jì)出所述測(cè)量結(jié) 構(gòu)的前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)于當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)分別沿X軸方向、Y軸方向引入偏移量的組合。
5參考圖lc，針對(duì)所述測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述橫向區(qū)域10內(nèi)的所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1和所述當(dāng)前層 對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2均與X軸平行，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1有Y軸方 向偏移量1，所述Y軸方向偏移量1的范圍為-10000微米至+10000微米。進(jìn)一步的，針對(duì)所述測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述縱向區(qū)域20內(nèi)的所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1和所 述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2均與Y軸平行，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1有 X軸方向偏移量χ。所述X軸方向偏移量χ為-10000微米至+10000微米。此外，上述數(shù)值 范圍為工藝中常用數(shù)值范圍，此外，對(duì)于所述X軸方向的偏移量χ和所述Y軸方向的偏移量 y在滿足工藝制作能力和測(cè)量范圍的情況下的其他尺寸設(shè)計(jì)都是包含在本實(shí)用新型的思想 范圍內(nèi)。參考圖2a 圖2d，如圖2a所示，在橫向區(qū)域10中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì) 于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿Y軸有正向偏移量y ；在縱向區(qū)域20中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2 相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿X軸有正向偏移量χ。同樣，如圖2b所示，在橫向區(qū)域10 中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿Y軸有負(fù)向偏移量y ；在縱向區(qū) 域20中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿X軸有正向偏移量χ。如 圖2c所示，在橫向區(qū)域10中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿Y軸 有正向偏移量y ；在縱向區(qū)域20中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿 X軸有負(fù)向偏移量χ。如圖2d所示，在橫向區(qū)域10中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述 前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿Y軸有負(fù)向偏移量y ；在縱向區(qū)域20中，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì) 于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿X軸有負(fù)向偏移量χ。所述用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)的使用方法為在工藝設(shè)備上預(yù)設(shè)所述前層被 對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1和所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2之間的偏移量，例如在橫向區(qū)域設(shè)置所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿Y軸有正向偏移量y” Y1為10微米，在另一個(gè)橫向 區(qū)域預(yù)設(shè)設(shè)置所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿Y軸有負(fù)向偏移量y2， Y2為-10微米，則通過(guò)工藝設(shè)備刻蝕、光刻步驟后形成所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1和所述當(dāng)前層 對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2，使用測(cè)量工具測(cè)量所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1實(shí)際 偏移量，例如，實(shí)際測(cè)量的正向偏移量I1為8微米，負(fù)向偏移量y2為12微米，則可以判斷測(cè) 量工具存在2微米的測(cè)量誤差，則對(duì)測(cè)量工具進(jìn)行進(jìn)一步的檢測(cè)、修正；若實(shí)際測(cè)量的正向 偏移量I1為12微米，負(fù)向偏移量y2為10微米，則可以判斷工藝設(shè)備存在正向2微米的偏 差，則對(duì)工藝設(shè)備進(jìn)行進(jìn)一步的檢測(cè)、修正。同樣在縱向區(qū)域預(yù)設(shè)所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)2相 對(duì)于所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)1沿X軸一定偏移量，工藝制作后進(jìn)行測(cè)量可以判斷出工藝設(shè)備 或測(cè)量工具在X軸方向的偏差。綜上所述，本實(shí)用新型中用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)包括所述前層被對(duì)準(zhǔn)圖形 1和當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)圖形2兩部分，所述前層被對(duì)準(zhǔn)圖形1相對(duì)于當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)圖形2在X軸、Y 軸方向上分別引入了偏移量，通過(guò)對(duì)工藝制作后的測(cè)量結(jié)果與預(yù)設(shè)偏移量進(jìn)行比較，可以 測(cè)出并校正工藝或測(cè)量等方面產(chǎn)生誤差，進(jìn)而提高測(cè)試精度和可信度，減少了工藝的負(fù)面影響。所述測(cè)量結(jié)構(gòu)避免了硅片的報(bào)廢，減小損失，縮短了周期流程較長(zhǎng)，且圖形簡(jiǎn)單， 便于制作，可重復(fù)使用，有利于大量生產(chǎn)。本實(shí)用新型中用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、套準(zhǔn)標(biāo)記、游標(biāo)標(biāo)記、目測(cè)標(biāo)記、線寬測(cè)量標(biāo)記等。 雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更 動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)，為中心軸對(duì)稱圖形，其特征在于，包括前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)兩部分，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)在X軸方向和Y軸方向上有偏移量。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括至少一條矩 形圖形條。
3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)由光刻膠構(gòu)成，所 述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括至少一條矩形圖形條。
4.如權(quán)利要求1所述測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)為正方形，分為橫向區(qū)域和 縱向區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)等分為四個(gè)區(qū)域，其中至 少一個(gè)區(qū)域?yàn)闄M向區(qū)域，至少一個(gè)為縱向區(qū)域。
6.如權(quán)利要求4或5所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述橫向區(qū)域內(nèi)，所述前層被對(duì) 準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)均與X軸平行，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)有所述Y軸方向偏移量。
7.如權(quán)利要求6所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Y軸方向偏移量為-10000微米至 +10000 微米。
8.如權(quán)利要求4或5所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述縱向區(qū)域內(nèi)，所述前層被對(duì) 準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)均與Y軸平行，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)有所述X軸方向偏移量。
9.如權(quán)利要求8所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述X軸方向偏移量為-10000微米至 +10000 微米。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種用于測(cè)量套準(zhǔn)精度的測(cè)量結(jié)構(gòu)，包括前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)兩部分組成，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)為中心軸對(duì)稱圖形，所述前層被對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)相對(duì)所述當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)在X軸和Y軸方向上有偏移。所述前層被對(duì)準(zhǔn)圖形相對(duì)于當(dāng)前層對(duì)準(zhǔn)圖形在X軸、Y軸方向上分別引入了偏移量后，通過(guò)工藝制作后的測(cè)量結(jié)果與預(yù)設(shè)偏移量的比較，可以測(cè)出并校正工藝或測(cè)量等方面產(chǎn)生誤差，提高測(cè)試精度和可信度，減少了工藝的負(fù)面影響，并且避免了硅片的報(bào)廢，減小損失，縮短了周期流程較長(zhǎng)，且圖形簡(jiǎn)單，便于制作，可重復(fù)使用，有利于大量生產(chǎn)。所述測(cè)量結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、套準(zhǔn)標(biāo)記、游標(biāo)標(biāo)記、目測(cè)標(biāo)記、線寬測(cè)量標(biāo)記等。
文檔編號(hào)G03F9/00GK201740972SQ20102024656
公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者朱駿 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司