專利名稱：畫素陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型關(guān)于一種畫素陣列基板的結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種將修補(bǔ)線設(shè)置于擬畫 素區(qū)的畫素陣列基板的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示器系廣泛地應(yīng)用于液晶熒幕以及液晶電視等產(chǎn)品，并且朝著大 尺寸的趨勢(shì)發(fā)展。然而，大尺寸液晶顯示器需要長(zhǎng)度較長(zhǎng)的線路，例如掃描線以及資料線， 來驅(qū)動(dòng)各個(gè)畫素單元的薄膜電晶體。因此，在制造過程中容易于主要線路中形成斷線缺陷。在面板的生產(chǎn)過程中，畫素常易受到制程污染或是靜電破壞，造成線缺陷(line defect)與點(diǎn)缺陷(pixel defect)，所謂的線缺陷意指某信號(hào)線斷路，而點(diǎn)缺陷則意指因薄 膜電晶體異常的短路或斷路所造成的畫素缺陷。一般來說，為了修補(bǔ)線缺陷，會(huì)在制作基板時(shí)在基板上預(yù)先設(shè)計(jì)修補(bǔ)線，修補(bǔ)線的 位置通常在基板的周邊電路區(qū)域，當(dāng)發(fā)現(xiàn)資料線產(chǎn)生斷路時(shí)，則可以使用激光光束將斷路 的資料線與修補(bǔ)線熔接在一起，使得資料線可通過修補(bǔ)線重新導(dǎo)通，資料信號(hào)也因而能傳 送到所有與此資料線相連的畫素的源極電極。然而，當(dāng)面板不斷地朝向大尺寸發(fā)展時(shí)，修補(bǔ)線的走線路徑將隨之增加。當(dāng)修補(bǔ)線 的長(zhǎng)度增加時(shí)，控制信號(hào)傳輸于修補(bǔ)線上的電阻也隨之增加。因此對(duì)于大尺寸的液晶顯示 面板，如何能改善傳輸于修補(bǔ)線上的信號(hào)衰減并維持液晶顯示裝置的制造成本便是目前面 板產(chǎn)業(yè)即需解決的課題
發(fā)明內(nèi)容由于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供了一種畫素陣列基板的結(jié)構(gòu)，其 可降低位于畫素陣列基板上的修補(bǔ)線的總電阻值。本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例提出一種畫素陣列基板，包含一基板，其上定義有一 主動(dòng)區(qū)以及一擬畫素區(qū)，其中擬畫素區(qū)至少位于主動(dòng)區(qū)的一側(cè)并與主動(dòng)區(qū)鄰接，多條資料 線，設(shè)置于基板的主動(dòng)區(qū)，且各條資料線分別延伸至擬畫素區(qū)，多條掃描線，設(shè)置于基板的 主動(dòng)區(qū)，且各條掃描線與各條資料線彼此交錯(cuò)而于主動(dòng)區(qū)內(nèi)定義出多個(gè)畫素，多個(gè)畫素電 極，分別設(shè)置于基板的主動(dòng)區(qū)的各個(gè)畫素內(nèi)，一第一周邊區(qū)，位于主動(dòng)區(qū)的一第一邊緣并與 每一條資料線平行，一第二周邊區(qū)，位于主動(dòng)區(qū)的一第二邊緣，其中第二邊緣與第一邊緣垂 直，且部分的第二周邊區(qū)與擬畫素區(qū)重迭，一第三周邊區(qū)，位于主動(dòng)區(qū)的一第三邊緣，其中 第三邊緣與第二邊緣平行。畫素陣列基板另包含一第一修補(bǔ)線，包含至少一第一修補(bǔ)線段， 位于第一周邊區(qū)內(nèi)，一第二修補(bǔ)線段，位于擬畫素區(qū)內(nèi)，且第二修補(bǔ)線段與第一修補(bǔ)線段電 性連接以及一第三修補(bǔ)線段，位于第三周邊區(qū)內(nèi)，且第三修補(bǔ)線段與第一修補(bǔ)線段電性連 接。畫素陣列基板另包含一第二修補(bǔ)線，包含一第四修補(bǔ)線段，位于第二周邊區(qū)內(nèi)，第四修 補(bǔ)線段與源極驅(qū)動(dòng)晶片部分重迭，一第五修補(bǔ)線段，位于第二周邊區(qū)的電路板上以及一第 六修補(bǔ)線段，由第一周邊區(qū)延伸至第二周邊區(qū)并且電性連接第五修補(bǔ)線段與第一修補(bǔ)線段。根據(jù)本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例，當(dāng)一資料線發(fā)生缺陷時(shí)，電性連接第二修補(bǔ) 線段與資料線的一第一端，以及電性連接第三修補(bǔ)線段與資料線的一第二端。根據(jù)本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例，當(dāng)一資料線發(fā)生缺陷時(shí)，電性連接第四修補(bǔ) 線段和第五修補(bǔ)線段、電性連接第四修補(bǔ)線段與資料線的一第一端，以及電性連接第三修 補(bǔ)線段與資料線的一第二端。在本實(shí)用新型中，特別將部分的修補(bǔ)線放置于擬畫素區(qū)，如此可縮短修補(bǔ)線的長(zhǎng) 度，再者，由于擬畫素區(qū)無顯示功能，因此修補(bǔ)線放置在擬畫素區(qū)不會(huì)影響后續(xù)形成的面板 的開口率，也可以減少周邊區(qū)的面積。

10、100、畫素陣列基板12基板[0021]200,300,[0022]400,500[0023]14主動(dòng)區(qū)16擬畫素區(qū)[0024]18資料線18斷線的資和[0025]20掃描線22畫素[0026]24擬畫素26薄膜電晶體[0027]28畫素電極30共通線[0028]32第一周邊區(qū)34第一邊緣[0029]36第二周邊區(qū)38第二邊緣[0030]40第三周邊區(qū)42第三邊緣[0031]44閘極驅(qū)動(dòng)晶片46源極驅(qū)動(dòng)晶片[0032]48可撓性基板50電路板[0033]52,152第一修補(bǔ)線54、154第一修補(bǔ)線段[0034]56,156第二修補(bǔ)線段58,158第三修補(bǔ)線段[0035]62,162第二修補(bǔ)線64、164第四修補(bǔ)線段[0036]66、166第五修補(bǔ)線段68、168第六修補(bǔ)線段[0037]70、72、170、連接點(diǎn)[0038]172、270、[0039]2具體實(shí)施方式
在說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域中具 有通常知識(shí)者應(yīng)可理解，制造商可能會(huì)用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及權(quán)利 亞球書并不以名稱的差異來作為區(qū)別元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)別 的基準(zhǔn)。在通篇說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中所提及的「包含」為一開放式的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成 「包含但不限定于」。此外，「電性連接」一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。因 此，若文中描述一第一裝置電性連接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接于該第 二裝置，或通過其他裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。在下文的各實(shí)施例，對(duì)于相 同元件使用相同元件標(biāo)注。另外，需注意的是圖式僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的第一較佳實(shí)施例繪示的畫素陣列基板。圖2為圖1中的 畫素的放大示意圖。圖3為圖1中的擬畫素的放大示意圖。如圖1所示，一畫素陣列基板10包含一基板12其上定義有一主動(dòng)區(qū)14以及一擬 畫素區(qū)(dummy pixel region) 16，其中擬畫素區(qū)16至少位于主動(dòng)區(qū)14的一側(cè)并與主動(dòng)區(qū) 14鄰接。多條資料線18和多條掃描線20彼此交錯(cuò)排列于畫素陣列基板10上并且在主動(dòng) 區(qū)14內(nèi)定義出多個(gè)畫素22且在擬畫素區(qū)16中定義出多個(gè)擬畫素24。圖2和圖3詳細(xì)地 繪示出畫素和擬畫素的差異，如圖2所示，畫素22中具有資料線18、掃描線20、薄膜電晶體 26、畫素電極28和共通線30，如圖3所示，擬畫素24內(nèi)有資料線18、掃描線20、薄膜電晶體 26，而沒有畫素電極28和共通線30，因此，畫素22具有顯示圖像的功用，而擬畫素24則沒 有顯示圖像的功能，由于擬畫素24沒有顯像功能，因此，在本實(shí)用新型中將修補(bǔ)線設(shè)置于 擬畫素24中，例如圖2中的修補(bǔ)線56，詳細(xì)的修補(bǔ)線走線方式，將于后文詳述。此外，擬畫 素的主要功用在于平衡位在主動(dòng)區(qū)14邊緣的畫素的電阻和電容值，使得在主動(dòng)區(qū)14中的 各個(gè)畫素的電阻和電容值大致上相同。此外，一第一周邊區(qū)32，位于主動(dòng)區(qū)14的一第一邊緣34并與資料線18平行，一第 二周邊區(qū)36，位于主動(dòng)區(qū)14的一第二邊緣38，其中第二邊緣38與第一邊緣34垂直，并且 第二周邊區(qū)36和擬畫素區(qū)16部分重迭，一第三周邊區(qū)40，位于主動(dòng)區(qū)14的一第三邊緣 42，其中第三邊緣42與第二邊緣38平行。在本實(shí)施例中，前述的第一周邊區(qū)32、第二周邊 區(qū)36、第三周邊區(qū)40所涵蓋的范圍包含了主動(dòng)區(qū)14外圍的基板12以及不在基板12上的 部分。根據(jù)本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，畫素陣列基板10具有兩個(gè)第一周邊區(qū)32分別位 于主動(dòng)區(qū)14的相對(duì)兩側(cè)，其中的一個(gè)第一周邊區(qū)32上會(huì)設(shè)置至少一閘極驅(qū)動(dòng)晶片44，用 來輸入信號(hào)至掃描線20。再者，畫素陣列基板10另包含至少一源極驅(qū)動(dòng)晶片46、一可撓性 基板48以及一電路板50設(shè)置于第二周邊區(qū)36內(nèi)，源極驅(qū)動(dòng)晶片46設(shè)置于可撓性基板48 上，并與可撓性基板48共同形成一個(gè)組合元件，可撓性基板48的一側(cè)與電路板50接合，另 一側(cè)與基板12接合，而源極驅(qū)動(dòng)晶片46可經(jīng)由可撓性基板48與電路板50電性連接，此外 可撓性基板48和源極驅(qū)動(dòng)晶片46所構(gòu)成的組合元件，可以為單個(gè)或是多個(gè)，分別排列在第 二邊緣38外。另外，畫素陣列基板10上另設(shè)有一第一修補(bǔ)線52，第一修補(bǔ)線52分為至少一第一 修補(bǔ)線段54，一第二修補(bǔ)線段56和一第三修補(bǔ)線段58，其中第二修補(bǔ)線段56與第一修補(bǔ)
5線段54電性連接而第三修補(bǔ)線段58與第一修補(bǔ)線段54電性連接。第一修補(bǔ)線段54可以 選擇性地設(shè)置于有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的第一周邊區(qū)32內(nèi)或是沒有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的第一 周邊區(qū)32內(nèi)，在圖1中以第一修補(bǔ)線段54設(shè)置于有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的第一周邊區(qū)32內(nèi) 為例，第一修補(bǔ)線段54可以為多數(shù)條導(dǎo)電線，并且各條導(dǎo)電線藉由閘極驅(qū)動(dòng)晶片44之內(nèi)的 電路彼此電性連接。第二修補(bǔ)線段56位于擬畫素區(qū)16內(nèi)并且選擇性地至少與一條資料線 18重迭，視不同的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，第二修補(bǔ)線段56可以有不同的長(zhǎng)度，舉例而言，第二修補(bǔ)線56 可以橫跨整個(gè)擬畫素區(qū)16而且選擇性地與所有的資料線18重迭，也可以橫跨部分?jǐn)M畫素 區(qū)16而且選擇性地與部分的資料線18重迭。第三修補(bǔ)線段58位于第三周邊區(qū)40內(nèi)并且 選擇性地至少與一條資料線18重迭，第三修補(bǔ)線段58也可以有不同的長(zhǎng)度，在圖1中所繪 示的是以第二修補(bǔ)線56橫跨部分?jǐn)M畫素區(qū)16且第三修補(bǔ)線段58橫跨大部分的第三周邊 區(qū)40。另外，第一修補(bǔ)線52可修補(bǔ)一條斷線的資料線，其修補(bǔ)方式將于后文詳述。圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的第二較佳實(shí)施例繪示的畫素陣列基板。如圖4所示，畫 素陣列基板100上設(shè)置有一第一修補(bǔ)線152，第一修補(bǔ)線152同樣具有第一修補(bǔ)線段154， 一第二修補(bǔ)線段156和一第三修補(bǔ)線段158，不同于第一較佳實(shí)施例的作法，第二較佳實(shí)施 例中的第一修補(bǔ)線段154設(shè)置于沒有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的第一周邊區(qū)32內(nèi)，并且第一修補(bǔ) 線段154為單條連續(xù)導(dǎo)電線，其余元件位置及功能大致與第一較佳實(shí)施例中的相同，在此 不再贅述。圖5為根據(jù)本實(shí)用新型的第三較佳實(shí)施例繪示的畫素陣列基板，其中具有相同功 能的元件將以相同的符號(hào)標(biāo)示。第三較佳實(shí)施例為第一較佳實(shí)施例的變化型，第三較佳實(shí) 施例和第一較佳實(shí)施例的相異之處在于第三實(shí)施例中的畫素陣列基板200較第一較佳實(shí) 施例的畫素陣列基板10多了一條第二修補(bǔ)線62，其余元件位置及功能大致與第一較佳實(shí) 施例中的相同，在此不再贅述。如圖5所示，畫素陣列基板200另包含一第二修補(bǔ)線62，第 二修補(bǔ)線62包含一第四修補(bǔ)線段64、一第五修補(bǔ)線段66和一第六修補(bǔ)線段68，第四修補(bǔ) 線段64設(shè)置于第二周邊區(qū)36內(nèi)，由基板12延伸至可撓性基板48和源極驅(qū)動(dòng)晶片46，并且 部分的第四修補(bǔ)線段64連接可撓性基板48而且選擇性地與源極驅(qū)動(dòng)晶片46電連接，第五 修補(bǔ)線段66設(shè)置于第二周邊區(qū)36內(nèi)的電路板50，并且第五修補(bǔ)線段66和第四修補(bǔ)線64 段電性連接，第六修補(bǔ)線段68系由第一周邊區(qū)32延伸至第二周邊區(qū)36中的電路板50，并 且第六補(bǔ)線段68的兩端分別電性連接第五修補(bǔ)線段66與第一修補(bǔ)線段54。在本實(shí)施例 中，第四修補(bǔ)線段64較佳設(shè)置于第二周邊區(qū)36中對(duì)應(yīng)第二邊緣38的中間部分，而且第四 修補(bǔ)線段64可以為多數(shù)條，分別位于不同的可撓性基板48和源極驅(qū)動(dòng)晶片46所構(gòu)成的組 合元件上，而第一修補(bǔ)線52中的第二修補(bǔ)線段56較佳設(shè)置于對(duì)應(yīng)于第二邊緣38的末端處 的擬畫素區(qū)16，并且第二修補(bǔ)線段56和第四修補(bǔ)線段64不重迭。如此配置特別適合用于 大尺寸的基板，其可以避免第二修補(bǔ)線段56橫跨過多的資料線18，造成寄生電容過高的情 形。另外，第一修補(bǔ)線52和第二修補(bǔ)線62彼此電性連接，因此用于修補(bǔ)一條斷線的資料線 18，舉例而言，若是斷線的資料線18的末端位于第二邊緣38的中間部分，則利用第二修補(bǔ) 線62結(jié)合第一修補(bǔ)線52中的第一修補(bǔ)線段54和第三修補(bǔ)線段58來修補(bǔ)；若是斷線的資 料線18的末端位于第二邊緣38靠近末端的部分，則利用第一修補(bǔ)線來52修補(bǔ)，其修補(bǔ)方 式將于后文詳述。圖6為根據(jù)本實(shí)用新型的第四較佳實(shí)施例繪示的畫素陣列基板，第四較佳實(shí)施例為第二較佳實(shí)施例和第三實(shí)施例的綜合變化型，第四實(shí)施例中的畫素陣列基板300較第二 較佳實(shí)施例的畫素陣列基板100多了一條第二修補(bǔ)線162，而第四較佳實(shí)施例中的第二修 補(bǔ)線162的相對(duì)位置和第三實(shí)施例的第二修補(bǔ)線62大致相同，其余元件的位置，已在前文 實(shí)施例中敘述，在此不再贅述，如圖6所示，第二修補(bǔ)線162包含一第四修補(bǔ)線段164、一第 五修補(bǔ)線段166和一第六修補(bǔ)線段168，第六修補(bǔ)線段168連接位于沒有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44 的第一周邊區(qū)32內(nèi)之第一修補(bǔ)線段154和第五修補(bǔ)線段166。雖然上述四個(gè)實(shí)施例中僅說明了修補(bǔ)單條斷線的資料線的畫素陣列基板結(jié)構(gòu)，但 第一、二、三和四實(shí)施例可以相互結(jié)合，使得可修補(bǔ)的資料線數(shù)目增加。圖7為根據(jù)本實(shí)用新型的第五較佳實(shí)施例所繪示的修補(bǔ)畫素陣列基板的方法，其 中具有相同功能的元件將以相同的符號(hào)標(biāo)示，為使圖示簡(jiǎn)單明了，在圖7中省略主動(dòng)區(qū)中 功能正常的資料線、掃描線、薄膜電晶體、畫素電極和共通線，僅繪示斷線的資料線。如圖7 所示，一畫素陣列基板400同時(shí)具有二條第一修補(bǔ)線52、152，詳細(xì)來說，第五較佳實(shí)施例的 畫素陣列基板400是由第一實(shí)施例和第二實(shí)施例結(jié)合而來，詳細(xì)的第一修補(bǔ)線52、152的位 置，請(qǐng)參閱圖1和圖4及其前文敘述，本實(shí)施中的第一修補(bǔ)線52通過具有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44 的第一周邊區(qū)32，第一修補(bǔ)線152通過沒有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的第一周邊區(qū)32，第一修補(bǔ)線 52、152分別可修補(bǔ)一條斷線的資料線18’，此外，第一修補(bǔ)線52負(fù)責(zé)修補(bǔ)靠近閘極驅(qū)動(dòng)晶 片44的斷線的資料線18’，而第一修補(bǔ)線152負(fù)責(zé)修補(bǔ)遠(yuǎn)離閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的斷線的資料 線18’。舉例而言，當(dāng)遠(yuǎn)離閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的一資料線18’發(fā)生斷線時(shí)，電性連接資料線 18’的一端和第二修補(bǔ)線段156，以及電性連接資料線18’的另一端和第三修補(bǔ)線段158，若 是第二修補(bǔ)線段156與斷線的資料線18’部分重迭，且第三修補(bǔ)線段158與斷線的資料線 18’部分重迭時(shí)，可利用激光光束熔接斷線的資料線18’的一端和第二修補(bǔ)線段156，以及 熔接斷線的資料線18’的另一端和第三修補(bǔ)線段158以形成連接點(diǎn)70、72。若是第二修補(bǔ) 線段156和第三修補(bǔ)線段158不重迭，則可使用激光化學(xué)氣相沉積制程(laser CVD)，形成 一連接線(圖未示)連接資料線18’的一端和第二修補(bǔ)線段154，以及形成另一連接線連接 資料線18’的另一端和第三修補(bǔ)線段158。圖8為根據(jù)本實(shí)用新型的第六較佳實(shí)施例所繪示的修補(bǔ)畫素陣列基板的方法，其 中具有相同功能的元件將以相同的符號(hào)標(biāo)示，為使圖示簡(jiǎn)單明了，在圖8中省略主動(dòng)區(qū)中 功能正常的資料線、掃描線、薄膜電晶體、畫素電極和共通線，僅繪示斷線的資料線。如圖8 所示，一畫素陣列基板500同時(shí)具有兩條第一修補(bǔ)線52、152和兩條第二修補(bǔ)線62、162，詳 細(xì)來說，第五較佳實(shí)施例的畫素陣列基板是由第三實(shí)施例和第四實(shí)施例結(jié)合而來，而關(guān)于 第一修補(bǔ)線52、152和第二修補(bǔ)線62、162的詳細(xì)位置，請(qǐng)參閱圖1、4、5、6。如圖8所示，畫 素陣列基板500具有兩條第一修補(bǔ)線52、152，其中一條第一修補(bǔ)線52通過具有間極驅(qū)動(dòng) 晶片44的第一周邊區(qū)32，另一條第一修補(bǔ)線152通過沒有閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的第一周邊區(qū) 32，另外畫素陣列基板500亦具有兩條第二修補(bǔ)線62、162，一條第二修補(bǔ)線62與第一修補(bǔ) 線52電性連接，另一條第二修補(bǔ)線162與第一修補(bǔ)線152電性連接，在本實(shí)施例中畫素陣 列基板500可同時(shí)修補(bǔ)兩條斷線的資料線18’，若是斷線的資料線18’的末端位于第二邊緣 38的一端附近，則可選擇使用兩條第一修補(bǔ)線52、152的其中一條來進(jìn)行修補(bǔ)，若是斷線的 資料線18’的末端位于第二邊緣38中間部分，則利用兩條第二修補(bǔ)線62、162的其中一條 并配合部分之第一修補(bǔ)線52、152來修補(bǔ)，舉例而言，如圖8所示，當(dāng)末端位于第二邊緣38的一端且靠近閘極驅(qū)動(dòng)晶片44的一資料線18’發(fā)生斷線時(shí)，采用第一修補(bǔ)線52修補(bǔ)，例如 利用激光光束熔接法或是激光化學(xué)氣相沉積制程，電性連接資料線18’的一端和第一修補(bǔ) 線52中的第二修補(bǔ)線段56以及電性連接資料線18的另一端和第一修補(bǔ)線52中的第三修 補(bǔ)線段58，以形成連接點(diǎn)170、172，當(dāng)末端在第二邊緣38的中間部分的資料線18’也發(fā)生 斷線時(shí)，則必須使用第二修補(bǔ)線62、162進(jìn)行修補(bǔ)，由于第一修補(bǔ)線52已被前述末端位于第 二邊緣38的一端之資料線18’使用，且第一修補(bǔ)線52和第二修補(bǔ)線62電性連接，因此資 料線18’必須使用第一修補(bǔ)線152和第二修補(bǔ)線162進(jìn)行修補(bǔ)，其修補(bǔ)方式可利用激光光 束熔接法或是激光化學(xué)氣相沉積制程，電性連接資料線18’的一端和第四修補(bǔ)線段164以 及資料線18’的另一端和第三修補(bǔ)線段158，以形成連接點(diǎn)270、272。綜上而言，本實(shí)用新型將修補(bǔ)線段設(shè)置于擬畫素區(qū)，因此修補(bǔ)線段不需走線至可 撓性基板和源極驅(qū)動(dòng)晶片，可以大幅減少修補(bǔ)線段的長(zhǎng)度進(jìn)而降低修補(bǔ)線段的電阻值。此 外，對(duì)于大尺寸的基板，對(duì)于修補(bǔ)位于基板中間的資料線的修補(bǔ)線段，其可采用走線至可撓 性基板和源極驅(qū)動(dòng)晶片的方式，而修補(bǔ)位于基板兩邊的資料線的修補(bǔ)線段，則可選擇走線 至擬畫素區(qū)的方式。以上所述僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所做的均等 變化與修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型的涵蓋范圍。
權(quán)利要求一種畫素陣列基板，其特征在于包含一基板，其上定義有一主動(dòng)區(qū)以及一擬畫素區(qū)，其中該擬畫素區(qū)至少位于該主動(dòng)區(qū)的一側(cè)并與該主動(dòng)區(qū)鄰接；多條資料線，設(shè)置于所述基板的主動(dòng)區(qū)和擬畫素區(qū)；多條掃描線，設(shè)置于所述基板的主動(dòng)區(qū)和擬畫素區(qū)，且該些掃描線與所述資料線彼此交錯(cuò)而在所述主動(dòng)區(qū)內(nèi)定義出多個(gè)畫素；多個(gè)畫素電極，分別設(shè)置于所述基板的主動(dòng)區(qū)的各該畫素內(nèi)；一第一周邊區(qū)，位于所述主動(dòng)區(qū)的一第一邊緣并與該些資料線平行；一第二周邊區(qū)，位于所述主動(dòng)區(qū)的一第二邊緣，其中該第二邊緣與所述第一邊緣垂直，且部分該第二周邊區(qū)與所述擬畫素區(qū)重迭；一第三周邊區(qū)，位于所述主動(dòng)區(qū)的一第三邊緣，其中該第三邊緣與所述第二邊緣平行；一第一修補(bǔ)線，包含至少一第一修補(bǔ)線段，位于所述第一周邊區(qū)內(nèi)；一第二修補(bǔ)線段，位于所述擬畫素區(qū)內(nèi)，且該第二修補(bǔ)線段與所述第一修補(bǔ)線段電性連接；以及一第三修補(bǔ)線段，位于所述第三周邊區(qū)內(nèi)，且該第三修補(bǔ)線段與所述第一修補(bǔ)線段電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的畫素陣列基板，其特征在于所述第二修補(bǔ)線段與至少一所述 資料線部分重迭，且所述第三修補(bǔ)線段與至少一所述資料線部分重迭。
3.如權(quán)利要求1所述的畫素陣列基板，其特征在于另包含至少一閘極驅(qū)動(dòng)晶片，設(shè)置 于所述第一周邊區(qū)內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的畫素陣列基板，其特征在于所述第一修補(bǔ)線段包含多條第一 修補(bǔ)線段，且該些第一修補(bǔ)線段通過所述間極驅(qū)動(dòng)晶片電性連接。
5.如權(quán)利要求1所述的畫素陣列基板，其特征在于另包含有至少一源極驅(qū)動(dòng)晶片以 及一電路板，設(shè)置于該第二周邊區(qū)內(nèi)，其中該源極驅(qū)動(dòng)晶片與該電路板電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的畫素陣列基板，其特征在于另包含 一第二修補(bǔ)線，包含一第四修補(bǔ)線段，位于所述第二周邊區(qū)內(nèi)，該第四修補(bǔ)線段與所 述源極驅(qū)動(dòng)晶片部分重迭；一第五修補(bǔ)線段，位于所述第二周邊區(qū)的電路板上；以及一第六修補(bǔ)線段，由所述第一周邊區(qū)延伸至所述第二周邊區(qū)并且電性連接所述第五修 補(bǔ)線段與第一修補(bǔ)線段。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種畫素陣列基板，包含一基板具有一主動(dòng)區(qū)以及一擬畫素區(qū)，一第一周邊區(qū)，位于主動(dòng)區(qū)的第一邊緣并與資料線平行，一第二周邊區(qū)，位于主動(dòng)區(qū)的與第一邊緣垂直的第二邊緣，一第三周邊區(qū)，位于主動(dòng)區(qū)的與第二邊緣平行第三邊緣，一第一修補(bǔ)線分為第一修補(bǔ)線段、第二修補(bǔ)線段和第三修補(bǔ)線段，第一修補(bǔ)線段分別和第二修補(bǔ)線段和第三修補(bǔ)線段電性連接，其中第一修補(bǔ)線段設(shè)置于第一周邊區(qū)內(nèi)，第二修補(bǔ)線段設(shè)置于擬畫素區(qū)內(nèi)，第三修補(bǔ)線段設(shè)置于第三周邊區(qū)內(nèi)。本實(shí)用新型可以大幅減少修補(bǔ)線段的長(zhǎng)度進(jìn)而降低修補(bǔ)線段的電阻值。
文檔編號(hào)G02F1/13GK201740952SQ201020297858
公開日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2010年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月19日
發(fā)明者鄧印翔 申請(qǐng)人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司