專利名稱：Ffs型tft-lcd陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及液晶顯示器技術(shù)，尤其涉及一種邊緣場效應(yīng)(Fringe Field Switching，簡稱 FFS)型薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)陣列基板。
背景技術(shù)：
為了擴大IXD的視角，在IXD領(lǐng)域發(fā)展出了平面控制模式(In Plane Switching, 簡稱IPS) LCD。與扭曲向列(Twisted Nematic，簡稱TN)型LCD相比，IPS型LCD消除了扭 曲排列，具有極好的視角特性。然而，IPS型IXD的公共電極和像素電極設(shè)置在同一塊基板上，而且像素電極是梳 狀結(jié)構(gòu)，公共電極和像素電極上加電時，部分液晶分子不發(fā)生旋轉(zhuǎn)，開口率較低。為了提高 開口率，又發(fā)展出了 FFS型IXD。FFS型IXD中，將像素電極設(shè)置成平面電極，像素電極和公共電極之間形成的電 場，既有水平分量又有垂直分量，使得大多數(shù)液晶分子能夠發(fā)生扭轉(zhuǎn)，而且增加了像素電極 和公共電極之間的存儲電容，從而提高了開口率。然而，目前FFS型IXD中，在一個子像素區(qū)域內(nèi)，不同位置液晶分子受到的電場作 用大小不同，液晶分子偏轉(zhuǎn)的角度大小也就不同，但是各個液晶分子都是以同一種方式在 偏轉(zhuǎn)，不利于抵消液晶分子的光程差，從而不利于有效地消除顏色漂移(顏色漂移是指從 不同視角觀察到的顏色不一致)。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種FFS型TFT-IXD陣列基板，用以解決現(xiàn)有的FFS型IXD無法 有效消除顏色漂移的問題。本實用新型提供了一種FFS型TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線 和數(shù)據(jù)線限定的子像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極、公共電極和薄膜晶體管，所述像素電極和 /或公共電極上開設(shè)有使像素電極與公共電極之間形成具有多個方向水平電場的數(shù)個半環(huán) 形槽。其中，所述半環(huán)形槽可以開設(shè)在像素電極上，像素電極上的數(shù)個半環(huán)形槽包括開 口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽和開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)?；蛘?，所述半環(huán)形槽可以開設(shè)在公共電極上，公共電極上的數(shù)個半環(huán)形槽包括開 口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽和開口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。或者，所述半環(huán)形槽可以開設(shè)在像素電極和公共電極上； 開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽和開 口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽和開 口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個 第四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。 或者，開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形 槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個 第四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一例?；蛘?，開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形 槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個 第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)?；蛘撸_設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽 或開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)， 數(shù)個第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽和開 口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個 第四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)?；蛘?，開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽 和開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)， 數(shù)個第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽或開 口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個 第四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。開設(shè)在所述像素電極上的半環(huán)形槽和開設(shè)在所述公共電極上的半環(huán)形槽可以相 互錯開。其中，所述第一方向為與陣列基板的垂直線平行且朝向陣列基板頂端的方向；所 述第二方向為與陣列基板的垂直線平行且朝向陣列基板底端的方向。本實用新型提供的FFS型TFT-IXD陣列基板，通過將像素電極和/或公共電極設(shè) 置成包括數(shù)個半環(huán)形槽的圖形，像素電極與公共電極之間能夠形成多個方向的水平電場， 例如，在像素電極形成有半環(huán)形槽的部分，與數(shù)據(jù)線平行的部分能夠與公共電極形成一種 方向的電場，與柵線平行的部分能夠與公共電極形成另一種方向的電場，與數(shù)據(jù)線和柵線 成一定夾角的部分還能與公共電極形成其他方向的電場，這樣就能夠提供多疇液晶工作模 式，擴大視角，消除顏色漂移。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是 本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖Ia為本實用新型FFS型TFT -IXD陣列基板第一實施例的平面圖；圖Ib為圖Ia中Al-Al向剖面圖；圖2a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第一次構(gòu)圖工藝后的平 面圖；圖2b為圖2a中A2-A2向剖面圖；圖3a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第二次構(gòu)圖工藝后的平 面圖；圖3b為圖3a中A3-A3向剖面圖；圖4a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第三次構(gòu)圖工藝后的平 面圖；圖4b為圖4a中A4-A4向剖面圖；圖5a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第四次構(gòu)圖工藝后的平 面圖；圖5b為圖5a中A5-A5向剖面圖；圖6為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第二實施例的平面示意圖；圖7為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第二實施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面 圖；圖8為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第二實施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面 圖；圖9為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第二實施例第四次構(gòu)圖工藝后的平面 圖。
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新 型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描 述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤?例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于 本實用新型保護的范圍。圖Ia為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例的平面圖，圖Ib為圖Ia 中Al-Al向剖面圖。該實施例FFS型TFT-IXD陣列基板的結(jié)構(gòu)包括柵線3a和數(shù)據(jù)線7c， 柵線3a和數(shù)據(jù)線7c限定的子像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極9a、公共電極2a和TFT，TFT包 括柵電極3b、源電極7a、和漏電極7b，柵電極3b形成在基板1，并與柵線3a連接；柵絕緣層 4形成在柵電極3b上并覆蓋整個基板1 ；由半導(dǎo)體層5和摻雜半導(dǎo)體層6組成的有源層形 成在柵絕緣層4上并位于柵電極3b的上方；源電極7a形成在摻雜半導(dǎo)體層6上，一端位于 柵電極3b的上方，另一端與數(shù)據(jù)線7c連接，漏電極7b形成在摻雜半導(dǎo)體層6上，一端位于 柵電極3b的上方，另一端與像素電極9a連接，源電極7a與漏電極7b之間形成TFT溝道區(qū) 域，TFT溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層6被完全刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層5，使TFT 溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層5暴露出來；鈍化層8形成在源電極7a、漏電極7b以及TFT溝道區(qū)域上并覆蓋整個基板1，在漏電極7b位置開設(shè)有使像素電極9a與漏電極7b連接的鈍化層過 孔8a。當(dāng)柵電極3b上施加電壓時，可以使源電極7a和漏電極7b導(dǎo)通。像素電極9a上開設(shè)有數(shù)個半環(huán)形槽，使設(shè)置有半環(huán)形槽的像素電極9a和公共電 極2a之間形成具有多個方向的水平電場。
本實用新型的各實施例中，半環(huán)形可以是截取自圓形或橢圓形中的一部分形狀， 不一定是圓形或橢圓形的一半。具體地，數(shù)個半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的第一半環(huán)形槽IOa和數(shù)個開口朝 向第二方向的第二半環(huán)形槽10b，其中數(shù)個第一半環(huán)形槽IOa設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)(如 上側(cè))，數(shù)個第二半環(huán)形槽IOb設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)(如下側(cè))。圖2a 圖5b為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例制備過程的示意 圖，下面通過該實施例的制備過程進一步說明本實施例的技術(shù)方案，在以下說明中，本實用 新型所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，其中光刻膠以 正性光刻膠為例。圖2a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第一次構(gòu)圖工藝后的平 面圖，圖2b為圖2a中A2-A2向剖面圖。采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板1上 沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，基板1可以采用玻璃基板或石英基板，透明導(dǎo)電薄膜的材料可以 使用氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，或其它高分子透明材料。使用普通掩模板通過構(gòu)圖 工藝對透明導(dǎo)電薄膜進行構(gòu)圖，在基板上形成包括公共電極2a的圖形，如圖2a和圖2b所
7J\ ο圖3a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第二次構(gòu)圖工藝后的平 面圖，圖3b為圖3a中A3-A3向剖面圖。在完成圖2a所示圖形的基板上，采用磁控濺射、 熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板1上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?，柵金屬薄膜的材料可以使用鉬、 鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金屬，或以上金屬組成的多層薄膜。使用普通掩模板通過構(gòu)圖工 藝對柵金屬薄膜進行構(gòu)圖，在基板1上形成包括柵線3a和柵電極3b的圖形，如圖3a和圖 3b所示。圖4a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第三次構(gòu)圖工藝后的平 面圖，圖4b為圖4a中A4-A4向剖面圖。在完成圖3a所示圖形的基板上，采用化學(xué)氣相沉積 或其它成膜方法依次沉積柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜。然后采用磁 控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層源漏金屬薄膜，源漏金屬薄膜的材料可以使用鉬、 鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金屬，或以上金屬組成的多層薄膜。采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板 通過構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜進行構(gòu)圖，形成包括數(shù) 據(jù)線7c、源電極7a、漏電極7b和TFT溝道區(qū)域圖形，其中，柵絕緣層4形成在柵電極3b上 并覆蓋整個基板1 ；由半導(dǎo)體層5和摻雜半導(dǎo)體層6組成的有源層形成在柵絕緣層4上并 位于柵電極3b的上方；源電極7a形成在摻雜半導(dǎo)體層6上，一端位于柵電極3b的上方，另 一端與數(shù)據(jù)線7c連接，漏電極7b形成在摻雜半導(dǎo)體層6上，一端位于柵電極3b的上方，與 源電極7a相對設(shè)置，源電極7a與漏電極7b之間形成TFT溝道區(qū)域，TFT溝道區(qū)域的摻雜 半導(dǎo)體層6被完全刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層5，使TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層5 暴露出來，如圖4a和圖4b所示。本實施例第三次構(gòu)圖工藝是一種多步刻蝕工藝，與現(xiàn)有技術(shù)四次構(gòu)圖工藝中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形的過程相同，工藝過程具體為首先在 源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對光刻膠進行曝光，使光刻 膠形成包括完全曝光區(qū)域、未曝光區(qū)域和半曝光區(qū)域，其中未曝光區(qū)域?qū)?yīng)于包括數(shù)據(jù)線、 源電極、漏電極的圖形所在的區(qū)域，半曝光區(qū)域?qū)?yīng)于包括TFT溝道區(qū)域的圖形所在的區(qū) 域，完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域。顯影處理后，未曝光區(qū)域的光刻膠厚度沒有 變化，形成光刻膠完全保留區(qū)域，完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，形成光刻膠完全去除 區(qū)域，半曝光區(qū)域的光刻膠厚度變薄，形成光刻膠半保留區(qū)域。通過第一次刻蝕工藝完全刻 蝕掉完全曝光區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和半導(dǎo)體層薄膜，形成包括有源層 和數(shù)據(jù)線的圖形。通過灰化工藝，去除半曝光區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬薄 膜。通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉半曝光區(qū)域的源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜，并 刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層薄膜，暴露出半導(dǎo)體層薄膜，形成包括源電極、漏電極和TFT溝 道區(qū)域的圖形。最后剝離剩余的光刻膠，完成本實施例第三次構(gòu)圖工藝。圖5a為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第一實施例第四次構(gòu)圖工藝后的平 面圖，圖5b為圖5a中A5-A5向剖面圖。在完成圖4a所示圖形的基板上，采用化學(xué)氣相沉 積或其它成膜方法沉積一層鈍化層8，鈍化層薄膜的材料可以為氮化硅(SiNx)等。使用普 通掩模板通過構(gòu)圖工藝對鈍化層薄膜進行構(gòu)圖，在漏電極7b位置形成包括鈍化層過孔8a 的圖形，如圖5a和圖5b所示。最后，在完成圖5a所示圖形的基板上，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉 積一層透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜的材料可以使用氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，或 其它高分子透明材料。使用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝在子像素區(qū)域形成包括像素電極9a 圖形，像素電極9a通過鈍化層過孔8a與漏電極7b連接，且像素電極9a上開設(shè)有數(shù)個半環(huán) 形槽，半環(huán)形槽內(nèi)的像素電極被刻蝕掉，暴露出像素電極下方的公共電極2a，如圖Ia和Ib 所示。具體地，數(shù)個半環(huán)形槽包括數(shù)個開口朝向第一方向的第一半環(huán)形槽IOa和數(shù)個開 口朝向第二方向的第二半環(huán)形槽10b，其中數(shù)個第一半環(huán)形槽IOa設(shè)置在子像素區(qū)域的一 側(cè)(如上側(cè))，數(shù)個第二半環(huán)形槽IOb設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)(如下側(cè))。數(shù)個第一半 環(huán)形槽IOa和數(shù)個第二半環(huán)形槽IOb的布局可以關(guān)于子像素區(qū)域的中線0對稱(中線0如 圖Ia中所示)，中線0把子像素區(qū)域縱向分成兩部分。本實用新型第一實施例提供了一種FFS型TFT-IXD陣列基板，通過在像素電極上 開設(shè)數(shù)個半環(huán)形槽，使像素電極與公共電極之間形成包括多個方向的水平電場，能夠提供 多疇液晶工作模式，擴大視角，消除顏色漂移。此外，對于常黑模式的液晶顯示器，在不加電時，像素電極與公共電極之間多個方 向的電場相互影響，使得液晶分子不致于發(fā)生較大角度的偏轉(zhuǎn)，因此本實施例能夠有效消 除漏光現(xiàn)象。本發(fā)明實施例中，公共電極和像素電極的結(jié)構(gòu)，除了可以像圖Ia所示的那樣，將 公共電極設(shè)置在像素電極的下方，還可以將公共電極設(shè)置在像素電極上方。例如，可以在基 板上先形成像素電極，再在基板上形成公共電極，這樣，在垂直于基板的方向上，公共電極 位于像素電極的上方。圖6為本實用新型FFS型TFT-LCD陣列基板第二實施例的平面示意圖，本實施例與第一實施例所示的FFS型TFT-LCD陣列基板的區(qū)別之處在于第二實施例中，公共電極 2a上也開設(shè)有數(shù)個階梯形狀的半環(huán)形槽。公共電極上的數(shù)個半環(huán)形槽包括開口朝向第一方 向的第三半環(huán)形槽IOc和開口朝向第二方向的第四半環(huán)形槽IOb。本實 用新型的各個實施例中，第一方向可以為與陣列基板的垂直線平行且朝向陣 列基板頂端的方向；第二方向可以為與陣列基板的垂直線平行且朝向陣列基板底端的方 向。圖7為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第二實施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面 圖。在基板1上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?，使用普通掩模板通過第一次構(gòu)圖工藝對柵金屬薄膜 進行構(gòu)圖，在基板1上形成包括柵線3a和柵電極3b的圖形。再在基板1上沉積一層透明 導(dǎo)電薄膜，使用普通掩膜板通過第二次構(gòu)圖工藝對透明導(dǎo)電薄膜進行構(gòu)圖，在基板1上形 成包括公共電極2a的圖形。公共電極2a上也開設(shè)有數(shù)個半環(huán)形槽，具體地，包括第三半環(huán) 形槽IOc和第四半環(huán)形槽10d，其中數(shù)個第三半環(huán)形槽IOc設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)(如上 側(cè))，數(shù)個第四半環(huán)形槽IOd設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)(如下側(cè))。圖8為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第二實施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面 圖。在完成圖7所示圖形的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層 薄膜和源漏金屬薄膜。采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過第三次構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層薄膜、 摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜進行構(gòu)圖，在基板上形成包括數(shù)據(jù)線7c、源電極7a、漏 電極7b和TFT溝道區(qū)域圖形，其中源電極7a和漏電極7b之間的摻雜半導(dǎo)體層薄膜被完全 刻蝕掉，暴露出半導(dǎo)體層薄膜。圖9為本實用新型FFS型TFT-IXD陣列基板第二實施例第四次構(gòu)圖工藝后的平面 圖。在完成圖8所示圖形的基板上，沉積一層鈍化層薄膜，使用普通掩模板通過第四次構(gòu)圖 工藝對鈍化層薄膜進行構(gòu)圖，在漏電極7b位置形成包括鈍化層過孔8a的圖形。最后，在完成圖9所示圖形的基板上，沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，使用普通掩模板通 過第五次構(gòu)圖工藝在子像素區(qū)域形成包括像素電極9a圖形，像素電極9a通過鈍化層過孔 8a與漏電極7b連接如圖6所示。其中，像素電極9a的圖形包括數(shù)個半環(huán)形槽。具體地，包 括數(shù)個第一半環(huán)形槽IOa和數(shù)個第二半環(huán)形槽10b。第三實施例中公共電極和像素電極的 圖形均包括數(shù)個半環(huán)形槽，公共電極上的第三半環(huán)形槽IOc和第四半環(huán)形槽10d，與像素電 極上的第一半環(huán)形槽IOa和第二半環(huán)形槽IOb間隔設(shè)置，相互錯開，以保證公共電極和像素 電極之間能夠形成水平電場。對于本發(fā)明提供的FFS型TFT-IXD，還可以將公共電極上設(shè)置成包括數(shù)個半環(huán)形 槽的圖形，而像素電極上不設(shè)置半環(huán)形槽，這樣，公共電極和像素電極之間也能夠形成多個 方向的水平電場，提供多疇液晶工作模式。如果像素電極和公共電極上均設(shè)置半環(huán)形槽，那么除了可以是如10所示的結(jié)構(gòu)， 還可以是半環(huán)形槽開設(shè)在像素電極和公共電極上；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開 口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)；開設(shè) 在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第四半環(huán)形槽 設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。這種結(jié)構(gòu)中，在像素電極上設(shè)置有開口朝向第一方向的第一 半環(huán)形槽，而沒有設(shè)置開口朝向第二方向的第二半環(huán)形槽。在公共電極上設(shè)置有開口朝向 第二方向的第四半環(huán)形槽，而沒有設(shè)置開口朝向第一方向的第三半環(huán)形槽。[0063]或者，可以將半 環(huán)形槽開設(shè)在像素電極和公共電極上；開設(shè)在公共電極上的半環(huán) 形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的 一側(cè)；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第 二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。這種結(jié)構(gòu)中，在公共電極上設(shè)置有開口朝向第一 方向的第三半環(huán)形槽，而沒有設(shè)置開口朝向第二方向的第四半環(huán)形槽；在像素電極上設(shè)置 有開口朝向第二方向的第二半環(huán)形槽，而沒有設(shè)置開口朝向第一方向的第一半環(huán)形槽?；蛘?，可以將半環(huán)形槽開設(shè)在像素電極和公共電極上；開設(shè)在像素電極上的半環(huán) 形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽或開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形 槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的 另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽和開口 朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第 四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。在這種結(jié)構(gòu)中，在像素電極上設(shè)置有第一半環(huán)形 槽和第二半環(huán)形槽中的一種，在公共電極上則設(shè)置了第三半環(huán)形槽和第四半環(huán)形槽?；蛘?，可以將半環(huán)形槽開設(shè)在像素電極和公共電極上；開設(shè)在像素電極上的半環(huán) 形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽和開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形 槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的 另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽或開口 朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第 四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。在這種結(jié)構(gòu)中，在像素電極上設(shè)置了第一半環(huán)形 槽和第二半環(huán)形槽，在公共電極上則設(shè)置了第三半環(huán)形槽和第四半環(huán)形槽中的一種。上述的各個實施例FFS型TFT-IXD陣列基板的制備過程中，其中有源層、源電極、 漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形制備工藝采用了多步刻蝕工藝。在實際使用中，前述實施例中 的第三次構(gòu)圖工藝也可以采用普通掩模板通過二次構(gòu)圖工藝完成，即通過一次采用普通掩 模板的構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形，通過另一次采用普通掩模板的構(gòu)圖工藝形成包括 數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的圖形。具體地，首先采用化學(xué)氣相沉積或其它成 膜方法依次沉積柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜，使用普通掩模板對半 導(dǎo)體層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜進行構(gòu)圖，形成包括有源層的圖形。之后采用磁控濺射、熱 蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層源漏金屬薄膜，使用普通掩模板對源漏金屬薄膜進行構(gòu)圖， 形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的圖形。此外，前述的實施例中形成公共電極、柵線和柵電極圖形的過程也可以采用一次 構(gòu)圖工藝。具體地，首先采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法在基板上依次沉積透明導(dǎo)電 薄膜和柵金屬薄膜，然后采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成包 括完全曝光區(qū)域、半曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域，其中未曝光區(qū)域包括對應(yīng)于柵線和柵電極圖 形所在的區(qū)域，半曝光區(qū)域包括對應(yīng)于公共電極圖形所在的區(qū)域，完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)于上 述圖形以外區(qū)域；顯影處理后，完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，未曝光區(qū)域的光刻膠完 全保留，半曝光區(qū)域光刻膠的厚度變??；通過第一次刻蝕工藝刻蝕掉完全曝光區(qū)域的柵金 屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括柵線和柵電極的圖形；通過灰化工藝去除半曝光區(qū)域的 光刻膠，包括出該區(qū)域的柵金屬薄膜；通過第二次刻蝕工藝刻蝕掉柵金屬薄膜，形成包括公 共電極的圖形，其中柵線和柵電極下方保留有透明導(dǎo)電薄膜。[0068]本實用新型提供的FFS型TFT-IXD陣列基板，通過將像素電極和/或公共電極設(shè) 置成包括數(shù)個半環(huán)形槽的圖形，像素電極與公共電極之間能夠形成多個方向的水平電場， 例如，在像素電極形成有半環(huán)形槽的部分，與數(shù)據(jù)線平行的部分能夠與公共電極形成一種 方向的電場，與柵線平行的部分能夠與公共電極形成另一種方向的電場，與數(shù)據(jù)線和柵線 成一定夾角的部分還能與公共電極形成其他方向的電場，這樣就能夠提供多疇液晶工作模 式，擴大視角，消除顏色漂移。 最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案而非對其進行限 制，盡管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理 解其依然可以對本實用新型的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替 換亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本實用新型技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種FFS型TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的子像素 區(qū)域內(nèi)形成有像素電極、公共電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述像素電極和/或公共電 極上開設(shè)有使像素電極與公共電極之間形成具有多個方向水平電場的數(shù)個半環(huán)形槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半環(huán)形槽開設(shè)在 像素電極上，像素電極上的數(shù)個半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽和開 口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個 第二半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半環(huán)形槽開設(shè)在 公共電極上，公共電極上的數(shù)個半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽和開 口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個 第四半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半環(huán)形槽開設(shè)在 像素電極和公共電極上；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽和開口朝 向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第二 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽和開口朝 向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第四 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半環(huán)形槽開設(shè)在 像素電極和公共電極上；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽，數(shù)個第一 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第四 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半環(huán)形槽開設(shè)在 像素電極和公共電極上；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽，數(shù)個第三 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第二 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一例。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半環(huán)形槽開設(shè)在 像素電極和公共電極上；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽或開口朝 向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第二 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽和開口朝 向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第四 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述半環(huán)形槽開設(shè)在 像素電極和公共電極上；開設(shè)在像素電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第一半環(huán)形槽和開口朝 向第二方向的數(shù)個第二半環(huán)形槽，數(shù)個第一半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第二 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)；開設(shè)在公共電極上的半環(huán)形槽包括開口朝向第一方向的數(shù)個第三半環(huán)形槽或開口朝 向第二方向的數(shù)個第四半環(huán)形槽，數(shù)個第三半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的一側(cè)，數(shù)個第四 半環(huán)形槽設(shè)置在子像素區(qū)域的另一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4-8中任一權(quán)利要求所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，開 設(shè)在所述像素電極上的半環(huán)形槽和開設(shè)在所述公共電極上的半環(huán)形槽相互錯開。
10.根據(jù)權(quán)利要求2-8中任一權(quán)利要求所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于， 所述第一方向為與陣列基板的垂直線平行且朝向陣列基板頂端的方向；所述第二方向為與 陣列基板的垂直線平行且朝向陣列基板底端的方向。
專利摘要本實用新型提供一種FFS型TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的子像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極、公共電極和薄膜晶體管，所述像素電極和/或公共電極上開設(shè)有使像素電極與公共電極之間形成具有多個方向水平電場的數(shù)個半環(huán)形槽。本實用新型提供的FFS型TFT-LCD陣列基板，通過將像素電極和/或公共電極設(shè)置成包括數(shù)個半環(huán)形槽的圖形，像素電極與公共電極之間能夠形成多個方向的水平電場，這樣就能夠提供多疇液晶工作模式，擴大視角，消除顏色漂移。
文檔編號G02F1/1368GK201853033SQ20102059216
公開日2011年6月1日 申請日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者李文兵 申請人:京東方科技集團股份有限公司