專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體 管液晶顯示面板及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
目前TFT IXD大規(guī)模生產(chǎn)過程中，生產(chǎn)、測試和搬送過程都不可避免地會引入靜 電，摩擦和接觸可產(chǎn)生瞬時千伏電壓，可以產(chǎn)生約20A的大電流，而玻璃基板屬非導(dǎo)體，不 利于靜電的釋放，靜電積累(ESC)與靜電釋放(ESD)過程比較容易造成鈍化層(PVX)的擊 穿，直接形成數(shù)據(jù)線或柵線的短路或造成部分TFT的損壞，從而影響良品率。另外，在TFT IXD生產(chǎn)工藝過程中，為了提高生產(chǎn)效率，很多產(chǎn)品在工藝設(shè)計上采 用Au-Ball ( 一般是在塑料材料外部包裹鎳(Ni)和金(Au)層)的技術(shù)，Au-Ball可以代替 傳統(tǒng)的導(dǎo)電銀膠工藝，在導(dǎo)通彩膜基板公共電極與陣列基板公共電極的同時，減少工藝步 驟，提高生產(chǎn)效率。但是由于彩膜基板表面上的公共電極(通常為ITO材料)通過Au-Ball 容易和數(shù)據(jù)引線或柵線引線發(fā)生靜電擊穿現(xiàn)象，形成數(shù)據(jù)線亮線或柵線亮線。其根本原因 是因?yàn)樵诠に囘^程中引入的外部靜電擊穿了數(shù)據(jù)線引線或柵線引線上面的鈍化層(PVX)， 造成數(shù)據(jù)線弓丨線或柵線引線與彩膜基板公共電極線通過Au-Bal 1導(dǎo)通。在一般工藝過程中，Au-Ball直接摻雜在封框膠中進(jìn)行涂布，Au-Ball在封框膠中 形成分散粒子，在陣列基板與彩膜基板組裝成盒過程中，Au-Ball粒子受到擠壓，通過充分 接觸彩膜基板公共電極與陣列基板公共電極形成導(dǎo)通作用，在這過程中不可避免地形成了 Au-Ball在數(shù)據(jù)線引線或柵線引線區(qū)域與PVX的直接接觸，工藝過程中遇到靜電很容易擊 穿PVX層。圖1所示為常用TFT IXD結(jié)構(gòu)，包括陣列基板1和彩膜基板2，陣列基板1和彩膜 基板2通過封框膠3 (摻雜Au-Ball)貼合，在陣列基板邊緣和彩膜基板邊緣之間，有多個數(shù) 據(jù)線引線區(qū)域4和多個柵線引線區(qū)域5。圖2是圖1中數(shù)據(jù)線引線區(qū)域4的放大示意圖。 圖3為圖2中A-A向截面圖。結(jié)合圖2、圖3，陣列基板1上的數(shù)據(jù)引線7與彩膜基板2上 的公共電極14交疊部分通過封框膠3中的Au-Balll2接觸，此時只有數(shù)據(jù)引線7上面的鈍 化層10起隔離作用。在成盒工藝后，Au-Ball 12受到擠壓后，Au-Ball 14與鈍化層10充 分接觸，而數(shù)據(jù)引線7在陣列工藝中形成的鈍化層10厚度約為0. 3um，因此在數(shù)據(jù)信號與公 共電極信號之間的電場作用下，主要是Au-Ball與數(shù)據(jù)引線或柵線引線之間的強(qiáng)電場下， 容易造成鈍化層10的擊穿，進(jìn)而形成彩膜基板公共電極與交疊部分的數(shù)據(jù)引線短路，造成 顯示不良，靜電擊穿部位參見圖3的位置13所示。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器，能夠防止 采用Au-Ball技術(shù)后，在工藝過程中發(fā)生數(shù)據(jù)線引線或柵線引線與彩膜基板的公共電極之 間因靜電擊穿造成短路，導(dǎo)致良品率降低。[0007]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜 基板之間用封框膠貼合，所述封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵 線引線處的Au-Ball與所述彩膜基板的公共電極層絕緣。所述彩膜基板上，位于所述封框膠區(qū)域的對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共 電極層被去除掉。所述彩膜基板上，位于所述封框膠區(qū)域的對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共 電極層上形成有絕緣層。所述彩膜基板上，位于所述封框膠區(qū)域的對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共 電極層上形成有絕緣層，且所述公共電極層與其他區(qū)域的公共電極層斷開。所述陣列基板上，位于所述封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線與所述封框膠中 的Au-Ball電連接。所述陣列基板上，位于所述封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線通過導(dǎo)電薄膜層 與所述封框膠中的Au-Ball電連接。所述導(dǎo)電薄膜層為ITO層。所述絕緣層為樹脂層。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種液晶顯示器，包括上述的薄膜晶體管液晶顯示面 板。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器，包括陣列基板 和彩膜基板，陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框 膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線處的Au-Ball與彩膜基板的公共電極層絕緣。這樣，由于 Au-Ball通過導(dǎo)電薄膜直接與數(shù)據(jù)線引線和柵線引線電連接，且又與彩膜基板相應(yīng)的公共 電極絕緣，因而不會帶電，有效消除了 Au-Ball與數(shù)據(jù)線引線和柵線引線之間發(fā)生靜電釋 放(ESD)的條件，從而防止了靜電擊穿造成的短路，提高了良品率。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅 是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提 下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為薄膜晶體管液晶顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中數(shù)據(jù)線引線區(qū)域4的放大示意圖；圖3為圖2的A-A向截面圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的 截面示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的 另一截面示意圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的 又一截面示意圖；[0025]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的 放大示意圖；圖8為圖7的B-B向截面圖；圖9為圖7的C-C向截面圖；圖10為圖7的另一 B-B向截面圖；圖11為圖7的另一 C-C向截面圖；圖12為圖7的又一 B-B向截面圖；圖13為圖7的又一 C-C向截面圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的 實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下 所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。位于封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線位置處的Au-Ball與彩膜基板的公共電 極層絕緣。具體的，Au-Ball與彩膜基板的公共電極層的絕緣，可以是通過將彩膜基板上的， 位于封框膠區(qū)域的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共電極層去除掉實(shí)現(xiàn)的。以數(shù)據(jù)線引線 區(qū)域?yàn)槔?，如圖4所示，陣列基板1部分與現(xiàn)有技術(shù)相同，彩膜基板2則去掉了封框膠區(qū)域3 的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線7 (圖中只對其中一條數(shù)據(jù)線引線標(biāo)號，其余未標(biāo)，文中數(shù)據(jù)線引線7均 指各條數(shù)據(jù)線引線)的公共電極層。再有，Au-Ball與彩膜基板的公共電極層的絕緣，還可以是通過在彩膜基板上，位 于封框膠區(qū)域的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共電極層上形成絕緣層實(shí)現(xiàn)的。以數(shù)據(jù)線 引線區(qū)域?yàn)槔?，如圖5所示，陣列基板1部分與現(xiàn)有技術(shù)相同，彩膜基板2的位于封框膠區(qū) 域3的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線7的公共電極層14上形成有絕緣層15，例如樹脂層等。進(jìn)一步地，如圖6所示，在彩膜基板2的位于封框膠區(qū)域3的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線7 的公共電極層14'上形成絕緣層15之后，又用激光切割等的方式使將該部分公共電極層 14'與其他區(qū)域的公共電極層14斷開。這樣進(jìn)一步保證了 Au-Ball 12與公共電極層14 的絕緣。柵線引線該部分的構(gòu)造與數(shù)據(jù)線引線的構(gòu)造類似，不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板， 陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù) 線引線、柵線引線處的Au-Ball與彩膜基板的公共電極層絕緣。這樣，由于Au-Ball通過導(dǎo) 電薄膜直接與數(shù)據(jù)線引線和柵線引線電連接，且又與彩膜基板相應(yīng)的公共電極絕緣，因而 不會帶電，有效消除了 Au-Ball與數(shù)據(jù)線引線和柵線引線之間發(fā)生靜電釋放(ESD)的條件， 從而防止了靜電擊穿造成的短路，提高了良品率。[0041]實(shí)施例二本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。對于彩膜基板，通過在彩膜基板位于封框膠區(qū)域的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線和柵線引線的 公共電極層上形成絕緣層或?qū)⑾鄳?yīng)區(qū)域的公共電極層去除掉的方式，實(shí)現(xiàn)陣列基板上位于 封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線位置處的Au-Ball與彩膜基板的公共電極層絕緣。對于陣列基板，可以用現(xiàn)有的4mask工藝形成。具體的先在玻璃基板上形成第一導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理得到包括柵線、柵電極和 柵線引線的圖形。再在形成上述圖形的基板上形成柵絕緣層之后，在柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層薄 膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和第二導(dǎo)電薄膜，在第二導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠，之后通過構(gòu)圖工藝 處理得到有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線引線的圖形。該源電極、漏電極和有源 層、柵電極構(gòu)成薄膜晶體管。然后，在數(shù)據(jù)線上形成鈍化層，并在其上涂覆光刻膠，通過構(gòu)圖工藝形成過孔。這 里，在形成該漏電極過孔的同時，可以通過該構(gòu)圖工藝處理刻蝕掉數(shù)據(jù)線引線上方的位于 封框膠區(qū)域的鈍化層，使得位于封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線露出，如圖7所示。圖7為圖1中數(shù)據(jù)線引線區(qū)域4的另一放大示意圖。在圖7中，刻蝕掉了數(shù)據(jù)線 引線7上方的位于封框膠區(qū)域3的鈍化層(圖中未表示)，得到了露出該數(shù)據(jù)線引線7的過 孔8。相應(yīng)的，通過該構(gòu)圖工藝得到數(shù)據(jù)線引線過孔的同時，還需將柵線上方的位于封 框膠區(qū)域的鈍化層、柵絕緣層刻蝕掉，得到露出柵線引線的過孔。得到數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的位于封框膠區(qū)域的過孔后，對過孔不做處理，以使成 盒時相應(yīng)區(qū)域的Au-Ball直接接觸過孔位置的數(shù)據(jù)線引線或柵線引線，實(shí)現(xiàn)Au-Ball與數(shù) 據(jù)線引線或柵線引線的電連接。此外，在得到數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的位于封框膠區(qū)域的過孔后，還可以在該過孔 中涂覆導(dǎo)電薄膜。這樣，一方面導(dǎo)電薄膜具有導(dǎo)電性可以使得引線和Au-Ball電連接 ’另一 方面導(dǎo)電薄膜還可以保護(hù)引線，防止其受到腐蝕。由于此后的步驟是在鈍化層上沉積ITO層，則可以將ITO層涂覆到數(shù)據(jù)線引線、柵 線引線的位于封框膠區(qū)域的過孔中，作為導(dǎo)電薄膜。將做好的陣列基板和彩膜基板通過封框膠進(jìn)行貼合，以數(shù)據(jù)線引線區(qū)域?yàn)槔?用圖8、9進(jìn)行說明，其中，圖8為圖7的B-B向截面圖，圖9為圖7的C-C向截面圖。在圖8、圖9中，下部為陣列基板，包括玻璃基板1、數(shù)據(jù)線引線7 (圖中只對其中一 條數(shù)據(jù)線引線標(biāo)號，其余未標(biāo)，下文數(shù)據(jù)線引線7均指各條數(shù)據(jù)線引線)、以及形成于數(shù)據(jù) 線和數(shù)據(jù)線引線上方的鈍化層10。通過上述制造工藝，數(shù)據(jù)線引線7上方的位于封框膠3 區(qū)域的鈍化層被刻蝕掉，填充有導(dǎo)電薄膜層(ΙΤ0層)11。圖8、圖9上部為彩膜基板2。該 彩膜基板2上的位于封框膠3區(qū)域內(nèi)的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線7的公共電極層14被去除掉。將陣列基板和彩膜基板通過封框膠3貼合后，封框膠3中的Au-Ball 12通過導(dǎo)電 薄膜層(ΙΤ0層)11直接與數(shù)據(jù)線引線7電連接。由于彩膜基板2上相應(yīng)位置的公共電極 層14已被去除掉，則與數(shù)據(jù)線引線7通過導(dǎo)電薄膜層(ΙΤ0層)11電連接的Au-Ball 12與彩膜基板2上的公共電極層14絕緣。柵線引線該部分的構(gòu)造與數(shù)據(jù)線引線的構(gòu)造類似，不再贅述。這樣，在數(shù)據(jù)信號、柵線信號與公共電極信號之間的強(qiáng)電場下，由于有效消除了 Au-Ball與數(shù)據(jù)線引線和柵線引線之間發(fā)生靜電釋放(ESD)的條件，因此，Au-Ball就不會 擊穿鈍化層，進(jìn)而彩膜基板公共電極與交疊部分的引線也不會出現(xiàn)短路，從而提高了良品率。實(shí)施例三本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。針對陣列基板，其制造工藝與上述實(shí)施例二相同，數(shù)據(jù)線引線上方的位于封框膠 區(qū)域的鈍化層被刻蝕掉，填充有ITO層；柵線引線上方的位于封框膠區(qū)域的鈍化層、柵絕緣 層被刻蝕掉，填充有ITO層。針對彩膜基板，在彩膜基板上位于封框膠區(qū)域的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線和柵線引線的公 共電極層上再形成一層絕緣層，例如樹脂層等。如圖10、圖11所示，其中，圖10為圖7的B-B向截面圖，圖11為圖7的C-C向截面圖。在圖10、圖11中，下部為陣列基板，包括玻璃基板1、數(shù)據(jù)線引線7(圖中只對其中 一條數(shù)據(jù)線引線標(biāo)號，其余未標(biāo)，下文數(shù)據(jù)線引線7均指各條數(shù)據(jù)線引線)、以及形成于數(shù) 據(jù)線和數(shù)據(jù)線引線上方的鈍化層10。通過制造工藝，數(shù)據(jù)線引線7上方的位于封框膠3區(qū) 域的鈍化層被刻蝕掉，填充有導(dǎo)電薄膜層(ΙΤ0層)11。圖10、圖11上部為彩膜基板2。該 彩膜基板2上的位于封框膠3區(qū)域內(nèi)的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線7的公共電極層14上形成有絕緣 層15。該絕緣層15可以是涂覆的樹脂層。將陣列基板和彩膜基板通過封框膠3貼合后，封框膠3中的Au-Ball 12通過導(dǎo)電 薄膜層(ΙΤ0層)11直接與數(shù)據(jù)線引線7電連接。由于彩膜基板2上相應(yīng)位置的公共電極 層14上形成有絕緣層15，則與數(shù)據(jù)線引線7通過導(dǎo)電薄膜層(ΙΤ0層)11電連接的Au-Ball 12與彩膜基板2上的公共電極層14絕緣。柵線引線該部分的構(gòu)造與數(shù)據(jù)線引線的構(gòu)造類似，不再贅述。這樣，在數(shù)據(jù)信號、柵線信號與公共電極信號之間的強(qiáng)電場下，由于有效消除了 Au-Ball與數(shù)據(jù)線引線和柵線引線之間發(fā)生靜電釋放(ESD)的條件，因此，Au-Ball就不會 擊穿鈍化層，進(jìn)而彩膜基板公共電極與交疊部分的引線也不會出現(xiàn)短路，從而提高了良品率。實(shí)施例四本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。陣列基板的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例二、三完全相同。彩膜基板的結(jié)構(gòu)，與上述實(shí)施例三 稍有不同，是在位于封框膠區(qū)域的對應(yīng)數(shù)據(jù)線引線和柵線引線的公共電極層上形成一層絕 緣層之后，又用激光切割等的方式使將該部分公共電極層與其他區(qū)域的公共電極層斷開。如圖12、圖13所示，其中，圖12為圖7的B-B向截面圖，圖13為圖7的C-C向截 面圖。[0071]圖12、圖13上部為彩膜基板2。該彩膜基板2上的位于封框膠3區(qū)域內(nèi)的對應(yīng)數(shù) 據(jù)線引線7的公共電極層14'上形成有絕緣層15。該絕緣層15可以是涂覆的樹脂層。并 且，用激光切割等方式，使上述區(qū)域的公共電極層14'與其他區(qū)域的公共電極層14斷開。將陣列基板和彩膜基板通過封框膠3貼合后，封框膠3中的Au-Ball 12通過導(dǎo)電 薄膜層(ΙΤ0層)11直接與數(shù)據(jù)線引線7電連接。由于彩膜基板2上相應(yīng)位置的公共電極 層14'上形成有絕緣層15，且公共電極層14'與公共電極層14斷開，則與數(shù)據(jù)線引線7通 過導(dǎo)電薄膜層(ΙΤ0層)11電連接的Au-Ball 12與彩膜基板2上的公共電極層14絕緣。柵線引線該部分的構(gòu)造與數(shù)據(jù)線引線的構(gòu)造相同，不再贅述。這樣，在數(shù)據(jù)信號、柵線信號與公共電極信號之間的強(qiáng)電場下，由于有效消除了 Au-Ball與數(shù)據(jù)線引線和柵線引線之間發(fā)生靜電釋放(ESD)的條件，因此，Au-Ball就不會 擊穿鈍化層，進(jìn)而彩膜基板公共電極與交疊部分的引線也不會出現(xiàn)短路，從而提高了良品 率。實(shí)施例五本實(shí)用新型實(shí)施例提供的液晶顯示器，其面板采用的是上述實(shí)施例一、實(shí)施例二、 實(shí)施例三、實(shí)施例四中的任意一個所提供的薄膜晶體管液晶顯示面板。其面板的具體構(gòu)造 在上述實(shí)施例中均有說明，在此不再贅述。利用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的液晶顯示器，彩膜基板 公共電極與交疊部分的引線不會出現(xiàn)短路，從而減少了顯示不良率。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限 于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變 化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述 權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基 板之間用封框膠貼合，所述封框膠中摻雜有Au-Ball，其特征在于，位于封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù) 線引線、柵線引線處的Au-Ball與所述彩膜基板的公共電極層絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板上，位 于所述封框膠區(qū)域的對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共電極層被去除掉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征正于，所述彩膜基板上，位 于所述封框膠區(qū)域的對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共電極層上形成有絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征正于，所述彩膜基板上，位 于所述封框膠區(qū)域的對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線引線、柵線引線的公共電極層上形成有絕緣層，且所 述公共電極層與其他區(qū)域的公共電極層斷開。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述絕緣層為樹 月旨層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一個所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述陣 列基板上，位于所述封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線與所述封框膠中的Au-Ball電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述陣列基板上，位 于所述封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線通過導(dǎo)電薄膜層與所述封框膠中的Au-Ball電 連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜層為 ITO 層。
9.一種液晶顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一所述的薄膜晶體管液晶顯示 面板。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器，涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)領(lǐng)域，能夠防止采用Au-Ball技術(shù)后，在工藝過程中發(fā)生數(shù)據(jù)線引線或柵線引線與彩膜基板的公共電極之間因靜電擊穿造成短路，導(dǎo)致良品率降低。該薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，所述封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框膠區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線、柵線引線處的Au-Ball與所述彩膜基板的公共電極層絕緣。本實(shí)用新型實(shí)施例用于制造薄膜晶體管液晶顯示面板。
文檔編號G02F1/1339GK201876644SQ20102062619
公開日2011年6月22日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者王振偉, 馬俊才 申請人:北京京東方光電科技有限公司