專利名稱：導(dǎo)電光學(xué)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電光學(xué)元件。具體地，本發(fā)明涉及具有防反射功能的導(dǎo)電光學(xué)元件。
背景技術(shù)：
近年來，已在移動(dòng)設(shè)備或移動(dòng)電話設(shè)備所包括的顯示裝置上安裝了用于輸入信息的電阻式觸摸板(resistive touch panel)。電阻式觸摸板具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中相對(duì)配置兩個(gè)導(dǎo)電光學(xué)元件。導(dǎo)電光學(xué)元件用作觸摸板的電極，并且包括諸如高分子膜或玻璃基板的透明基板、以及在基板上形成并且由諸如ITO (銦錫氧化物)的具有高折射率(例如大約 1. 9至2. 1)的材料制成的透明導(dǎo)電膜。如上所述，因?yàn)橛|摸板通常安裝在顯示裝置上，所以要求不降低顯示裝置的顯示質(zhì)量。然而，因?yàn)閷?dǎo)電光學(xué)元件的折射率大約在2. 0附近，所以當(dāng)在顯示裝置的顯示表面上安裝觸摸板時(shí)，增加了反射光，劣化了顯示裝置的顯示質(zhì)量。此外，在觸摸板用途的導(dǎo)電光學(xué)元件中，所需的表面電阻值根據(jù)不同的觸摸板系統(tǒng)而不同。例如，在數(shù)字電阻式觸摸板或模擬電阻式面板中，要求一百Ω/□至數(shù)百Ω/口的大范圍的表面電阻。由于表面電阻值取決于導(dǎo)電光學(xué)元件的透明導(dǎo)電膜的厚度，所以，為了獲得上述范圍的表面電阻，需要使導(dǎo)電膜厚度更大。然而，當(dāng)膜厚如上所述地變大時(shí)，反射光就增加，而顯示裝置的圖像質(zhì)量劣化。即，難以使大范圍的表面電阻與高透射特性同時(shí)得以 兩足。通常，為了提高導(dǎo)電光學(xué)元件的透射特性，采用形成防反射膜的技術(shù)。例如，在專利文獻(xiàn)1中，提出了一種觸摸板用途的透明導(dǎo)電光學(xué)元件，其中在基板和透明導(dǎo)電膜之間設(shè)置了防反射膜。通過連續(xù)層壓多個(gè)具有不同折射率的介電膜形成該防反射膜。然而，通過使用該技術(shù)，難以使大范圍的表面電阻與高透射特性同時(shí)得以滿足；而所期望的是，這兩種特性能同時(shí)得以滿足?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利申請(qǐng)公開第2003-136625號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題因此，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種導(dǎo)電光學(xué)元件，其能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻，并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的透射特性。解決問題的手段為了解決上述問題，第一發(fā)明為一種導(dǎo)電光學(xué)元件，其具有防反射功能，包括基板，具有表面，
多個(gè)結(jié)構(gòu)體，以小于等于可見光波長的微小間距配置在基板的表面上，以及透明導(dǎo)電膜，形成在結(jié)構(gòu)體上，其中透明導(dǎo)電膜具有模仿結(jié)構(gòu)體的形狀的形狀，結(jié)構(gòu)體的縱橫比為0. 2以上且1. 28以下，以及透明導(dǎo)電膜的膜厚為9nm以上且50nm以下。第二發(fā)明為一種觸摸板，包括第一導(dǎo)電光學(xué)元件，以及第二導(dǎo)電光學(xué)元件，面向該第一導(dǎo)電光學(xué)元件，其中第一導(dǎo)電光學(xué)元件和第二導(dǎo)電光學(xué)元件中至少一個(gè)包括基板，具有表面，多個(gè)結(jié)構(gòu)體，以小于等于可見光波長的微小間距配置在基板的表面上，以及透明導(dǎo)電膜，形成在結(jié)構(gòu)體上，透明導(dǎo)電膜具有模仿結(jié)構(gòu)體的形狀的形狀，結(jié)構(gòu)體的縱橫比為0. 2以上且1. 28以下，以及透明導(dǎo)電膜的膜厚為9nm以上且50nm以下。第三發(fā)明為一種液晶顯示裝置，包括液晶單元，包括第一主表面和第二主表面，第一偏光器，形成在第一主表面上，第二偏光器，形成在第二主表面上，以及觸摸板，配置在液晶單元和第一偏光器之間，其中觸摸板包括第一導(dǎo)電光學(xué)元件，以及第二導(dǎo)電光學(xué)元件，面向該第一導(dǎo)電光學(xué)元件，第一導(dǎo)電光學(xué)元件和第二導(dǎo)電光學(xué)元件中的至少一個(gè)包括基板，具有表面，多個(gè)結(jié)構(gòu)體，以小于等于可見光波長的微小間距配置在基板的表面上，以及透明導(dǎo)電膜，形成在該結(jié)構(gòu)體上，透明導(dǎo)電膜具有模仿結(jié)構(gòu)體的形狀的形狀，結(jié)構(gòu)體的縱橫比為0. 2以上且1. 28以下，以及透明導(dǎo)電膜的膜厚為9nm以上且50nm以下。第四發(fā)明為一種導(dǎo)電光學(xué)元件，包括基板，具有表面，以及透明導(dǎo)電層，形成在基板的表面上，其中透明導(dǎo)電層具有這樣的表面，多個(gè)結(jié)構(gòu)體以小于等于可見光波長的微小間距在該表面上形成，以及該結(jié)構(gòu)體具有透明導(dǎo)電性。
在本發(fā)明中，優(yōu)選以四方點(diǎn)陣狀或類四方點(diǎn)陣狀周期性地配置主結(jié)構(gòu)體。此處，四方點(diǎn)陣表示具有正四方形狀的點(diǎn)陣。類四方點(diǎn)陣與具有正四方形狀的點(diǎn)陣不同，并且表示具有變形(扭曲，distorted)的四方點(diǎn)陣狀的點(diǎn)陣。例如，在結(jié)構(gòu)體成直線配置的情況下，類四方點(diǎn)陣表示這樣的變形的四方點(diǎn)陣，其通過沿軌跡的直線配置方向(軌跡方向)擴(kuò)大具有正四方形狀的點(diǎn)陣獲得。在結(jié)構(gòu)體以曲折方式排列的情況下，類四方點(diǎn)陣表示這樣的四方點(diǎn)陣，其通過沿結(jié)構(gòu)體的曲折排列而變形具有正四方形狀的點(diǎn)陣獲得?？蛇x地，其表示這樣的四方點(diǎn)陣，其通過以下方法變形具有正四方形狀的點(diǎn)陣而獲得，即沿直線配置方向(軌跡方向)將其擴(kuò)大、并且沿結(jié)構(gòu)體的曲折排列而將其變形。在本發(fā)明中，優(yōu)選以六方點(diǎn)陣或類六方點(diǎn)陣狀周期性地配置結(jié)構(gòu)體。此處，六方點(diǎn)陣表示具有正六方形狀的點(diǎn)陣。類六方點(diǎn)陣與具有正六方形狀的點(diǎn)陣不同，并且表示具有變形的正六方形狀的點(diǎn)陣。例如，在結(jié)構(gòu)體成直線配置的情況下，類六方點(diǎn)陣表示這樣的變形的六方點(diǎn)陣，其通過沿軌跡的直線配置方向(軌跡方向)擴(kuò)大具有正六方形狀的點(diǎn)陣獲得。在結(jié)構(gòu)體以曲折方式排列的情況下，類六方點(diǎn)陣表示這樣的六方點(diǎn)陣，其通過沿結(jié)構(gòu)體的曲折排列而變形具有正六方形狀的點(diǎn)陣獲得?？蛇x地，其表示這樣的六方點(diǎn)陣，其通過以下方法變形具有正六方形狀的點(diǎn)陣而獲得，即沿直線配置方向(軌跡方向)將其擴(kuò)大、并且沿結(jié)構(gòu)體的曲折排列而將其變形。在本發(fā)明中，橢圓不僅包括數(shù)學(xué)定義的標(biāo)準(zhǔn)橢圓，而且也包括添加一些變形的橢圓。圓形形狀不僅包括數(shù)學(xué)定義的標(biāo)準(zhǔn)圓(正圓)，而且也包括添加一些變形的圓形。此外，結(jié)構(gòu)體為凸?fàn)罨虬紶畹慕Y(jié)構(gòu)體。在本發(fā)明中，由于透明導(dǎo)電膜的膜厚在9nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻。此外，由于結(jié)構(gòu)體的縱橫比在0.63以上且1. 12以下的范圍內(nèi)，并且透明導(dǎo)電膜的表面形狀模仿結(jié)構(gòu)體的形狀，所以能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的透射特性。本發(fā)明的效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻，并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的透射特性。


圖IA是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖IB是示出了圖IA所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖IC是圖IB 的軌跡T1、T3、…的截面圖。圖ID是圖IB的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。圖IE是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖IB的軌跡Τ1、Τ3、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。圖IF是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖IB的軌跡Τ2、Τ4、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。圖2是示出了圖IA中所示導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。圖3Α是圖IA中所示導(dǎo)電光學(xué)元件在軌跡的延伸方向上的截面圖。圖:3Β是圖IA 中所示導(dǎo)電光學(xué)元件在θ方向上的截面圖。圖4是示出了圖IA中所示導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。圖5是示出了圖IA中所示導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。
圖6是示出了圖IA中所示導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。圖7是用于說明在結(jié)構(gòu)體的邊界不清楚的情況下結(jié)構(gòu)體底面的設(shè)置方法的示圖。圖8A至圖8D是示出了當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率變化時(shí)的底面形狀的示圖。圖9A示出了具有圓錐形狀或圓錐臺(tái)形狀(截頂圓錐形狀)的結(jié)構(gòu)體的配置的一個(gè)實(shí)例的示圖。圖9B示出了具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺(tái)形狀(截頂橢圓錐形狀)的結(jié)構(gòu)體的配置的一個(gè)實(shí)例的示圖。圖IOA是示出了用于制造導(dǎo)電光學(xué)元件的輥型母版(roll master)的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。圖IOB是示出了圖IOA所示的輥型母版的局部放大平面圖。圖11是示出了輥型母版曝光裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意圖。圖12A至圖12C是用于說明制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的方法的步驟圖。圖13A至圖13C是用于說明制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的方法的步驟圖。圖14A至圖14B是用于說明制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的方法的步驟圖。圖15A是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖15B是示出了圖15A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖15C是圖 15B的軌跡T1、T3、…的截面圖。圖15D是圖15Β的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。圖15Ε是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖15Β的軌跡Τ1、Τ3、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。圖 15F是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖15Β的軌跡Τ2、Τ4、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。圖16是示出了當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率變化時(shí)的底面形狀的示圖。圖17Α是示出了用于制造導(dǎo)電光學(xué)元件的輥型母版的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。 圖17Β是示出了圖17Α所示的輥型母版的局部放大平面圖。圖18Α是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖18Β是示出了圖18Α所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖18C是圖18Β的軌跡Τ1、Τ3、…的截面圖。圖18D是圖18Β的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。圖19Α是示出了用于制造導(dǎo)電光學(xué)元件的盤狀母版(disk master)的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。圖19B是示出了圖19A所示的盤狀母版的局部放大平面圖。圖20是示出了盤狀母版曝光裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意圖。圖21是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意平面圖。圖21B是示出了圖21A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖22A是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖22B是示出了圖22A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖22C是圖22B的軌跡T1、T3、…的截面圖。圖22D是圖22Β的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。圖23是示出了圖22Α所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。圖24Α是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖24Β是示出了圖24Α所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖，而圖24C 是圖MB的軌跡Tl、Τ3、…的截面圖。圖24D是圖MB的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。
圖25是示出了圖24A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。圖沈是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的折射率分布的一個(gè)實(shí)例的示圖。圖27示出了結(jié)構(gòu)體的形狀的一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖2名k至圖^C是用于說明變化點(diǎn)的定義的示圖。圖四是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖30是示出了根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖31A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。圖31B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖32A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的修改例的透視圖。 圖32B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的修改例的截面圖。圖33A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。圖3 是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖34是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。圖35是示出了根據(jù)實(shí)施例1至3的導(dǎo)電光學(xué)片(conductive opticalsheet)的表面電阻與膜厚之間的關(guān)系的示圖。圖36是示出了根據(jù)實(shí)施例1至3的導(dǎo)電光學(xué)片的透射特性的示圖。圖37是示出了根據(jù)實(shí)施例4至11的導(dǎo)電光學(xué)片的“ΙΤ0膜厚X表面電阻”與“縱橫比”之間的關(guān)系的示圖。圖38是示出了當(dāng)將ITO膜的膜厚換算為30nm時(shí)，“ITO膜厚X表面電阻”與“縱橫比”之間的關(guān)系的示圖。圖39是示出了實(shí)施例12至17和比較例1至5的導(dǎo)電光學(xué)片的平均反射率的示圖。圖40是示出了實(shí)施例12至17和比較例1至5的導(dǎo)電光學(xué)片的平均透射率的示圖。
具體實(shí)施例方式將參考附圖以下列順序描述本發(fā)明的實(shí)施方式。1.第一實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體以直線并且以六方點(diǎn)陣方式二維排列的實(shí)例參見圖1)2.第二實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體以直線并且以四方點(diǎn)陣方式二維排列的實(shí)例參見圖 15)3.第三實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體以弧形方式并且以六方點(diǎn)陣方式二維排列的實(shí)例參見圖⑶4.第四實(shí)施方式(結(jié)構(gòu)體曲折排列的實(shí)例參見圖21)5.第五實(shí)施方式(在基板表面上形成凹狀結(jié)構(gòu)體的實(shí)例參見圖22)6.第六實(shí)施方式(折射率分布具有S形狀的實(shí)例參見圖
7.第七實(shí)施方式(排列了具有透明導(dǎo)電性的結(jié)構(gòu)體的實(shí)例參見圖四)8.第八實(shí)施方式(在導(dǎo)電光學(xué)元件的兩個(gè)主表面上形成結(jié)構(gòu)體的實(shí)例參見圖 30)9.第九實(shí)施方式(對(duì)觸摸板的應(yīng)用例參見圖31A和圖31B)10.第十實(shí)施方式(在觸摸板的觸摸表面上形成結(jié)構(gòu)體的實(shí)例參見圖33A和圖 33B)11.第十一實(shí)施方式(內(nèi)部觸摸板的實(shí)例參見圖34)<1.第一實(shí)施方式〉[導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)]圖IA是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖IB是示出了圖IA所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖IC是圖IB 中軌跡T1、T3、…的截面圖。圖ID是圖IB中軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。圖IE是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖IB的軌跡Τ1、Τ3、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。圖IF是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖IB的軌跡Τ2、Τ4、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。圖2和圖4至圖6是示出了圖IA中所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。圖3Α是示出了圖IA 中所示的導(dǎo)電光學(xué)元件在軌跡的延伸方向(X方向(下文中也適當(dāng)?shù)胤Q為軌跡方向))上的截面圖。圖:3Β是示出了圖IA中所示的導(dǎo)電光學(xué)元件在θ方向上的截面圖。導(dǎo)電光學(xué)元件1為具有透明性的導(dǎo)電光學(xué)元件，并且優(yōu)選應(yīng)用于觸摸板等。導(dǎo)電光學(xué)元件1包括基板2、為了減少反射的多個(gè)結(jié)構(gòu)體3和透明導(dǎo)電膜4，基板2具有兩個(gè)相對(duì)的主表面，多個(gè)結(jié)構(gòu)體3為在一個(gè)主表面上以小于等于可見光波長的微小間距配置的凸部，而透明導(dǎo)電膜4在這些結(jié)構(gòu)體3上形成。透明導(dǎo)電膜4具有模仿基板2的形成結(jié)構(gòu)體 3的凹凸表面的形狀。此外，從降低表面電阻的角度考慮，優(yōu)選進(jìn)一步設(shè)置在結(jié)構(gòu)體3上形成的金屬膜5。導(dǎo)電光學(xué)元件1具有這樣的功能，其防止在圖2的Z方向上穿過基板2的光從結(jié)構(gòu)體3和其附近的空氣之間的界面反射。結(jié)構(gòu)體3的縱橫比(高度H/平均配置間距(pitch)P)優(yōu)選在0. 2以上且1. 78以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 2以上且1.觀以下的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在0. 63以上且1. 28以下的范圍內(nèi)。透明導(dǎo)電膜4的膜厚優(yōu)選在9nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)。在結(jié)構(gòu)體3的縱橫比小于0. 2并且透明導(dǎo)電膜4的膜厚超過50nm的情況下，結(jié)構(gòu)體之間的凹部被透明導(dǎo)電膜4填充，并且存在這樣的趨勢(shì)，即防反射性及透射特性降低。同時(shí)，在結(jié)構(gòu)體3的縱橫比超過1. 78并且透明導(dǎo)電膜4的膜厚小于9nm的情況下，結(jié)構(gòu)體3的斜面變陡，并且透明導(dǎo)電膜4的膜厚變得更小，因此存在這樣的趨勢(shì)，即表面電阻降低。即，在縱橫比和膜厚滿足上述數(shù)值范圍的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻(例如100 Ω / 口以上且5000 Ω / 口以下)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的防反射特性和透射特性。在處于結(jié)構(gòu)體3的頂部的透明導(dǎo)電膜4的膜厚為D1，處于結(jié)構(gòu)體3的斜面的透明導(dǎo)電膜4的膜厚為D2，并且在結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電膜4的膜厚為D3的情況下，優(yōu)選滿足以下關(guān)系D1 > D3 > D2。在結(jié)構(gòu)體3的斜面上的膜厚D2優(yōu)選在9nm以上且30nm以下的范圍內(nèi)。在透明導(dǎo)電膜4的膜厚D1、D2、D3滿足上述關(guān)系并且透明導(dǎo)電膜4的膜厚D2滿足上述數(shù)值范圍的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻，并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的防反射特性和透射特性。
從能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻并實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射特性和透射特性的角度考慮， 優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體3的頂部的膜厚Dl在25nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)，在結(jié)構(gòu)體3的斜面上的膜厚D2在9nm以上且30nm以下的范圍內(nèi)，并且在結(jié)構(gòu)體之間的膜厚D3在9nm以上且 50nm以下的范圍內(nèi)。在使用根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件作為數(shù)字式觸摸板的上部電極或下部電極的情況下，導(dǎo)電光學(xué)元件1的表面電阻優(yōu)選在500 Ω / 口以下的范圍內(nèi)。為了滿足表面電阻范圍并且實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的透射特性，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3的縱橫比在0. 2以上且1. 28以下的范圍內(nèi)，并且透明導(dǎo)電膜4的膜厚在9nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)。結(jié)構(gòu)體3的高度H優(yōu)選處于IOOnm以上且320nm以下的范圍內(nèi)。結(jié)構(gòu)體3的平均配置間距P優(yōu)選在ISOnm以上且 350nm以下的范圍內(nèi)。在使用根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件作為模擬式觸摸板的上部電極或下部電極的情況下，導(dǎo)電光學(xué)元件1的表面電阻優(yōu)選在200 Ω / 口以上且1000 Ω / □以下的范圍內(nèi)。為了滿足表面電阻范圍并且實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的透射特性，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3的縱橫比在0. 2以上且1.觀以下的范圍內(nèi)，并且透明導(dǎo)電膜4的膜厚在9nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)。結(jié)構(gòu)體3的高度H優(yōu)選在IOOnm以上且320nm以下的范圍內(nèi)。結(jié)構(gòu)體3的平均配置間距P優(yōu)選在180nm以上且350nm以下的范圍內(nèi)。在使用根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件作為靜電式觸摸板的上部電極或下部電極的情況下，導(dǎo)電光學(xué)元件1的表面電阻優(yōu)選在250 Ω / 口以上且3000 Ω / □以下的范圍內(nèi)。為了滿足表面電阻范圍并且實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的透射特性，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3的縱橫比在0.2以上且1. 28以下的范圍內(nèi)，并且透明導(dǎo)電膜4的膜厚在9nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)。結(jié)構(gòu)體3的高度H優(yōu)選在IOOnm以上且320nm以下的范圍內(nèi)。結(jié)構(gòu)體3的平均配置間距P優(yōu)選在大于等于180nm以上且350nm以下的范圍內(nèi)。透明導(dǎo)電膜4的表面電阻優(yōu)選在100Ω/□以上且5000Ω/□以下的范圍內(nèi)。這是因?yàn)?，通過該范圍的表面電阻，透明導(dǎo)電光學(xué)元件1能夠用作各種類型的觸摸板中每一種的上部電極或下部電極。在下文中，將依次描述構(gòu)成導(dǎo)電光學(xué)元件1的基板2、結(jié)構(gòu)體3、透明導(dǎo)電膜4和金屬膜5。(基板)基板2例如為具有透明性的透明基板?；?的材料例如主要包含具有透明性的塑料材料或玻璃，但是不特別限于這些材料。作為玻璃，例如使用鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬玻璃、石英玻璃、液晶玻璃等(參見 "Kagaku Binran (Handbook of Chemistry)，，，Pure Chemistry, P. 1-537, The Chemical Society of Japan編輯)。作為塑料材料，從諸如光學(xué)性質(zhì)(如透明性、反射率和散射)，此外耐沖擊性、耐熱性以及耐久性的角度考慮，優(yōu)選(甲基)丙烯酸類樹脂，如聚甲基丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯與乙烯基單體(例如其他烷基(甲基)丙烯酸酯或苯乙烯)的共聚物；聚碳酸酯類樹脂，如聚碳酸酯或二甘醇雙烯丙基碳酸酯(CR-39)；以及熱固性(甲基) 丙烯酸類樹脂，如(溴化)雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物，或(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的乙烷改性單體的聚合物和共聚物；聚酯(特別是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和不飽和聚酯)、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、多芳基化合物、聚醚砜、聚醚酮、環(huán)烯烴聚合物(產(chǎn)品名稱ART0N，ZE0N0R)等。此外，考慮到耐熱性，可以使用芳綸類樹脂。在使用塑料材料作為基板2的情況下，為了進(jìn)一步提高塑料表面的表面能、涂覆特性、滑動(dòng)特性、平坦性等，可設(shè)置基底涂層作為表面處理。作為基底涂層，例如可使用有機(jī)烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯、聚氨酯等。此外，為了實(shí)現(xiàn)類似于提供基底涂層的效果，可對(duì)結(jié)構(gòu)體2的表面進(jìn)行電暈放電或UV照射處理。在基板2為塑料膜的情況下，可以通過以下方法獲得基板2:例如，涂覆上述樹脂， 在將其用溶液稀釋后以膜的形式形成膜并干燥等。此外，基板2的厚度例如為大約25 μ m 至 500 μ m0作為基板2的形狀，例如可以采用片狀、板狀或塊狀，但不限于這些形狀。此處，將 “片”定義為包括“膜”。(基板)在基板2的表面上，排列多個(gè)作為凸部的結(jié)構(gòu)體3。結(jié)構(gòu)體3以小于等于為了減少反射的光的波段的小配置間距(例如，與可見光的波長相同程度的配置間距)周期性且二維地排列。此處，配置間距指的是平均配置間距P。為了減少反射的光的波段例如為紫外光的波段、可見光的波段或者紅外光的波段。此處，紫外光的波段為IOnm至360nm的波段， 可見光的波段為360nm至830nm的波段，而紅外光的波段為830nm至Imm的波段。具體地， 結(jié)構(gòu)體3的平均配置間距優(yōu)選在ISOnm以上且350nm以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在IOOnm以上且320nm以下的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在IlOnm以上且^Onm以下的范圍內(nèi)。當(dāng)配置間距小于ISOnm時(shí)，存在難以制造結(jié)構(gòu)體3的趨勢(shì)。同時(shí)，當(dāng)配置間距超過350nm時(shí)，存在可能產(chǎn)生可見光衍射的趨勢(shì)。導(dǎo)電光學(xué)元件1的各個(gè)結(jié)構(gòu)體3具有在基板2的表面上構(gòu)成多列軌跡Tl、T2、 T3、···(下文中，也統(tǒng)稱為“軌跡T”)的配置模式。在本發(fā)明中，軌跡表示結(jié)構(gòu)體3排列并且形成連續(xù)的直線的部分。此外，列方向表示與在基板2的成型表面上的軌跡延伸方向(X 方向)正交的方向。結(jié)構(gòu)體3在相鄰軌跡T之間以半間距交錯(cuò)構(gòu)造的位置而配置。具體地，在兩個(gè)相鄰軌跡T之間，在一個(gè)軌跡(例如Tl)上配置的結(jié)構(gòu)體3的中間位置(半間距交錯(cuò)位置)處， 配置另一個(gè)軌跡(例如T2)的結(jié)構(gòu)體3。結(jié)果，如圖IB所示，結(jié)構(gòu)體3被配置為使得在三列相鄰軌跡(Ti至T3)中形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案，其中結(jié)構(gòu)體3的中心位于各個(gè)點(diǎn)al至a7。在該實(shí)施方式中，六方點(diǎn)陣圖案表示具有正六方形狀的點(diǎn)陣。此外，類六方點(diǎn)陣圖案與具有正六方形狀的點(diǎn)陣圖案不同，并且表示將其沿軌跡延伸方向(X軸方向)擴(kuò)大的變形的六方點(diǎn)陣圖案。在結(jié)構(gòu)體3被配置為形成類六方點(diǎn)陣圖案的情況下，如圖IB所示，在一個(gè)軌跡 (例如Tl)上的結(jié)構(gòu)體3的配置間距Pl (al與a2之間的距離)優(yōu)選比兩個(gè)相鄰軌跡(例如Tl和T2)之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距(即結(jié)構(gòu)體3在相對(duì)于軌跡延伸方向的士 θ方向上的配置間距Ρ2(例如，al與a7、a2與a7之間的距離))更大。通過如上所述配置結(jié)構(gòu)體 3，能夠獲得結(jié)構(gòu)體3的填充密度的進(jìn)一步提高。從易于形成的角度考慮，結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選具有錐體形狀，或者通過沿軌跡方向擴(kuò)大或縮小錐體形狀而獲得的錐體形狀。結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選具有軸對(duì)稱錐體形狀，或者通過沿軌跡方向擴(kuò)大或縮小錐體形狀而獲得的錐體形狀。在接合相鄰結(jié)構(gòu)體3的情況下，除了接合于相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部，結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選具有軸對(duì)稱錐體形狀，或者通過沿軌跡方向擴(kuò)大或縮小錐體形狀而獲得的錐體形狀。作為錐體形狀，例如可采用圓錐形狀、圓錐臺(tái)形狀、橢圓錐形狀以及橢圓錐臺(tái)形狀。此處，如上所述，除了圓錐形狀和圓錐臺(tái)形狀之外，錐體形狀在概念上還包括橢圓錐形狀和橢圓錐臺(tái)形狀。此外，圓錐臺(tái)形狀表示通過截去圓錐形狀的頂部獲得的形狀，而橢圓錐臺(tái)形狀表示截去橢圓錐的頂部而獲得的形狀。結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選具有這樣的錐體形狀，其所具有的底面的在軌跡的延伸方向上的寬度比在與延伸方向正交的列方向上的寬度更大。具體地，如圖2和圖4所示，結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選具有這樣的錐體結(jié)構(gòu)，其所具有的底面具有包括長軸和短軸的橢圓形狀、長圓形狀或卵形形狀，并且該結(jié)構(gòu)體3具有橢圓錐形狀，其包括具有曲面的頂部。此外，如圖5所示，其優(yōu)選具有這樣的錐體結(jié)構(gòu)，其所具有的底面具有包括長軸和短軸的橢圓形狀、長圓形狀或卵形形狀，并且其具有包括平坦頂部的圓錐臺(tái)形狀。這是因?yàn)檫@樣的形狀能夠提高列方向上的填充率。從提高反射性的角度考慮，優(yōu)選這樣的錐體形狀，其包括具有輕微傾斜的頂部，并且斜度從中部至底部(參見圖4)逐漸變陡。此外，從提高反射特性和透射特性的角度考慮，優(yōu)選這樣的錐體形狀，其中部的斜度比底部和頂部的斜度更陡(參見圖幻，或者優(yōu)選這樣的錐體形狀，其具有平坦的頂部(參見圖幻。在結(jié)構(gòu)體3具有圓錐形狀或圓錐臺(tái)形狀的情況下，底面的長軸方向優(yōu)選平行于軌跡的延伸方向。在圖2等圖中，結(jié)構(gòu)體3具有相同的形狀，但是結(jié)構(gòu)體3的形狀不限于此，并且可在基板表面上形成具有兩種以上形狀的結(jié)構(gòu)體3。此外，結(jié)構(gòu)體3可與基板2整體形成。此外，如圖2和圖4至圖6所示，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體3的部分或全部周邊設(shè)置突出部 6。這是由于，通過該方式，即使結(jié)構(gòu)體3的填充率低，也能夠?qū)⒎瓷渎室种茷榈?。特別地， 例如圖2、圖4和圖5所示，在相鄰結(jié)構(gòu)體3之間設(shè)置突出部6。此外，如圖6所示，可在結(jié)構(gòu)體3的部分或全部周邊設(shè)置細(xì)長的突出部6。細(xì)長的突出部6例如在從結(jié)構(gòu)體3的頂部至底部的方向上延伸。突出部6的形狀可以為三角形截面、矩形截面等，但是不限于這些特定形狀，并且能夠考慮易于成形而選擇。此外，結(jié)構(gòu)體3的周邊的部分或所有表面可做得不平坦，并且可形成微細(xì)的凹凸。特別地，例如，相鄰結(jié)構(gòu)體3之間的表面可做得不平坦，并且可形成微細(xì)的凹凸。此外，例如，可在在結(jié)構(gòu)體3的表面上，在頂部形成微孔。結(jié)構(gòu)體3在軌跡的延伸方向上的高度Hl優(yōu)選小于結(jié)構(gòu)體3在列方向上的高度H2。 即，結(jié)構(gòu)體3的高度H1、H2優(yōu)選滿足關(guān)系Hl <H2。這是因?yàn)?，如果結(jié)構(gòu)體3被配置為滿足關(guān)系Hl彡H2，則在軌跡延伸方向上的配置間距Pl應(yīng)更長，并且因此在軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體3的填充率降低。當(dāng)填充率如上所述降低時(shí)，反射特性可能降低。應(yīng)注意，并非所有結(jié)構(gòu)體3的縱橫比總是相同，而它們可被構(gòu)造為使得各結(jié)構(gòu)體3 具有一定的高度分布(例如，縱橫比的范圍大約為0.2至1.78)。通過設(shè)置具有該高度分布的結(jié)構(gòu)體3，能夠降低反射特性對(duì)波長的依賴性。因此，能夠獲得具有優(yōu)良的防反射特性的導(dǎo)電光學(xué)元件1。此處，高度分布意思是在基板2的表面上設(shè)置具有兩種以上高度(深度)的結(jié)構(gòu)體3。即，其是指在基板2的表面上設(shè)置具有作為基準(zhǔn)的高度的結(jié)構(gòu)體3以及具有與這些結(jié)構(gòu)體3的高度不同的高度的結(jié)構(gòu)體3。例如，在基板2的表面上周期性或非周期性(隨機(jī))設(shè)置具有與基準(zhǔn)不同的高度的結(jié)構(gòu)體3。周期性的方向例如為軌跡的延伸方向、列方向等。優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體3的周邊部分上提供襟(hem)部3a。這是因?yàn)?，在?dǎo)電光學(xué)元件的制造過程中，結(jié)構(gòu)體3能夠容易地從模具等剝離。此處，襟部3a指的是設(shè)置在結(jié)構(gòu)體3的底部的周邊部分上的突出部。從上述剝離特性的角度考慮，襟部3a優(yōu)選具有這樣的曲面， 其具有在從結(jié)構(gòu)體3的頂部至底部的方向上逐漸減小的高度。應(yīng)注意，可只在結(jié)構(gòu)體3的部分周邊部分上設(shè)置襟部3a，但是從提高上述剝離特性的角度考慮，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體3的所有周邊部分上設(shè)置襟部3a。此外，在結(jié)構(gòu)體3為凹部的情況下，襟部為設(shè)置在作為結(jié)構(gòu)體3 的凹部的開口周邊上的曲面。結(jié)構(gòu)體3的高度(深度)優(yōu)選設(shè)置在70nm以上且320nm以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在 70nm以上且320nm以下的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在IlOnm以上且^Onm以下的范圍內(nèi)。在結(jié)構(gòu)體3的高度小于70nm的情況下，存在反射率增加的趨勢(shì)。在結(jié)構(gòu)體3的高度超過320nm 的情況下，存在難以獲得預(yù)定電阻的趨勢(shì)。應(yīng)注意，在本發(fā)明中，縱橫比由下式(1)定義?？v橫比=H/P(1)其中，H:結(jié)構(gòu)體的高度，P:平均配置間距(平均周期)此處，平均配置間距P由下式( 定義。平均配置間距P = (Pl+P2+P2)/3 (2)其中，Pl 軌跡的延伸方向(軌跡延伸方向周期)上的配置間距，P2 與軌跡的延伸方向成士 θ角的方向上的配置間距(應(yīng)注意，θ = 60° -δ，此處δ優(yōu)選為0° < δ ^ 11°，更優(yōu)選3°彡δ彡6° ) (Θ方向周期)。在結(jié)構(gòu)體3被配置為形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案的情況下，將結(jié)構(gòu)體3 的高度H作為結(jié)構(gòu)體3在列方向上的高度。由于結(jié)構(gòu)體3在軌跡延伸方向(X方向)上的高度比其在列方向(Y方向)上的高度小，并且此外，結(jié)構(gòu)體3的除了在軌跡延伸方向上的部分之外的部分的高度大約與其在列方向上的高度相同，所以亞波長結(jié)構(gòu)體的高度由列方向上的高度來表示。應(yīng)注意，在結(jié)構(gòu)體3為凹部的情況下，假定上述公式(1)中的結(jié)構(gòu)體的高度H為結(jié)構(gòu)體的深度H。當(dāng)假定同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為Ρ1，并且相鄰兩個(gè)軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為Ρ2時(shí)，比率Ρ1/Ρ2優(yōu)選滿足關(guān)系1. 00 ( Ρ1/Ρ2 < 1. 2或1. 00 < Pl/ Ρ2 ^ 1. 2，并且更優(yōu)選滿足關(guān)系1. 00 ^ Ρ1/Ρ2 < 1. 1或1. 00 < Ρ1/Ρ2 < 1. 1。根據(jù)該數(shù)值范圍，能夠提高具有橢圓錐形或橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的填充率，因此能夠提高防反射性?；灞砻嫔系慕Y(jié)構(gòu)體3的填充率范圍在65%以上，優(yōu)選73%以上，更優(yōu)選86%以上，其中上限為100%。當(dāng)填充率在該范圍時(shí)，能夠提高防反射特性。為了提高填充率，優(yōu)選地，通過接合相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部、調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率等，為結(jié)構(gòu)體3增加變形。此處，結(jié)構(gòu)體3的填充率(平均填充率)具有如下所述獲得的值。首先，通過使用掃描電子顯微鏡(SEM Scanning Electron Microscope)以頂視圖拍攝導(dǎo)電光學(xué)元件1的表面的照片。然后，從拍攝的SEM照片中隨機(jī)選擇單位點(diǎn)陣Uc，并且測(cè)量單位點(diǎn)陣Uc的配置間距Pl和軌跡間距Tp (參見圖1B)。此外，通過圖像處理，測(cè)量位于單位點(diǎn)陣Uc中間的結(jié)構(gòu)體3的底面的面積S。然后，通過使用測(cè)得的配置間距P1、軌跡配置間距Tp、底面的面積S，基于下式C3)獲得填充率。填充率=(S(hex.)/S(unit)) XlOO (3)單位點(diǎn)陣面積S(unit)= Ρ1Χ2Τρ單位點(diǎn)陣中結(jié)構(gòu)體的底面的面積S(hex. ) = 2S對(duì)于從拍攝的SEM照片中隨機(jī)選取的十個(gè)單位點(diǎn)陣執(zhí)行上述填充率計(jì)算處理。然后，簡(jiǎn)單平均(算術(shù)平均)測(cè)得的值，從而獲得填充率的平均率作為基板表面的結(jié)構(gòu)體3的填充率。關(guān)于當(dāng)結(jié)構(gòu)體3相互重疊或者當(dāng)結(jié)構(gòu)體3之間存在諸如突出部6的副結(jié)構(gòu)體時(shí)的填充率，能夠通過以下方法獲得填充率，即，將相對(duì)于結(jié)構(gòu)體3的高度的5%高度的部分作為閾值，判定面積比。圖7是用于說明結(jié)構(gòu)體3的邊界不清晰的情況下的填充率計(jì)算方法的示圖。在結(jié)構(gòu)體3的邊界不清晰的情況下，通過截面SEM觀察，如圖7所示，在對(duì)應(yīng)于結(jié)構(gòu)體3的高度 H的5% (= (d/h) X 100)的部分作為閾值的情況下，高度d被換算為結(jié)構(gòu)體3的直徑，從而獲得填充率。在結(jié)構(gòu)體3的底面為橢圓的情況下，對(duì)長軸和短軸執(zhí)行相同的處理。圖8是示出了當(dāng)結(jié)構(gòu)體3的底面的橢圓率改變時(shí)的底面形狀的示圖。圖8A至圖 8D中所示的橢圓的橢圓率分別為100 %、110 %、120 %和141 %。通過以該方式改變橢圓率， 能夠改變基板表面上的結(jié)構(gòu)體的填充率。在基板3形成類六方點(diǎn)陣圖案的情況下，結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率e優(yōu)選為100%< e < 150%以下。這是因?yàn)?，根?jù)該范圍，能夠提高結(jié)構(gòu)體 3的填充率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的防反射特性。此處，在結(jié)構(gòu)體底面在軌跡方向(X方向)上的直徑為a、而在與其正交的列方向 (Y方向)上的直徑為b的情況下，橢圓率e定義為(a/b)X100。應(yīng)注意，結(jié)構(gòu)體3的直徑 a、b為如下獲得的值。通過使用掃描電子顯微鏡(SEM Scanning Electron Microscope) 以頂視圖拍攝導(dǎo)電光學(xué)元件1的表面的照片，然后從拍攝的SEM照片中隨機(jī)提取十個(gè)結(jié)構(gòu)體3。然后，測(cè)量各個(gè)所提取的結(jié)構(gòu)體3的底面的直徑a、b。此外，簡(jiǎn)單平均(算術(shù)平均) 各個(gè)所測(cè)量的值a、b，從而獲得直徑a、b的平均值，并且將它們作為結(jié)構(gòu)體3的直徑a、b。圖9A示出了具有圓錐形狀或圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的配置的一個(gè)實(shí)例。圖9B示出了具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的配置的一個(gè)實(shí)例。如圖9A和圖9B所示， 結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選接合為使得它們的底部相互重疊。特別地，結(jié)構(gòu)體3的底部?jī)?yōu)選與部分或全部相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部相接合。更特別地，結(jié)構(gòu)體3的底部?jī)?yōu)選在軌跡方向、在θ方向或者這兩個(gè)方向上相互接合。更特別地，結(jié)構(gòu)體3的底部?jī)?yōu)選在軌跡方向、在θ方向或者這兩個(gè)方向上相互接合。圖9Α和圖9Β示出了相鄰結(jié)構(gòu)體3的所有底部都接合的實(shí)例。通過以該方式接合結(jié)構(gòu)體3，能夠提高結(jié)構(gòu)體3的填充率?？紤]到折射率，結(jié)構(gòu)體優(yōu)選以在光路長度的使用環(huán)境下的光的波段的最大值的1/4以下的部分接合。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的防反射特性。如圖9Β所示，同一軌跡中的相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部相互重疊，并且形成第一接合部， 并且，相鄰軌跡中的相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部相互重疊，并且形成第二接合部。在第一接合部a 和第二接合部b的交點(diǎn)上形成交點(diǎn)部C。交點(diǎn)部c的位置例如低于第一接合部a和第二接合部b的位置。在具有圓錐形狀或圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的底部接合的情況下，例如，高度以接合部a、接合部b和交點(diǎn)部c的順序減小。
直徑2r與配置間距Pl的比率((2r/Pl) X 100)為85%以上，優(yōu)選90%以上，而更優(yōu)選95%以上。這是因?yàn)椋ㄟ^這些范圍，能夠提高結(jié)構(gòu)體3的填充率，并且能夠提高防反射特性。當(dāng)該比率((2r/Pl)X100)變大，而結(jié)構(gòu)體3的重疊變得太大時(shí)，存在防反射特性降低的趨勢(shì)。因此，為了考慮到折射率、以在光路長度的使用環(huán)境下的光的波長的最大值的 1/4以下的部分接合結(jié)構(gòu)體，優(yōu)選設(shè)置比率((2r/Pl)X100)的上限值。此處，配置間距Pl 為結(jié)構(gòu)體3在軌跡方向上的配置間距，而直徑2r為結(jié)構(gòu)體底面在軌跡方向上的直徑。應(yīng)注意，在結(jié)構(gòu)體底面具有圓形的情況下，直徑2r為直徑，并且，在結(jié)構(gòu)體底面具有橢圓形狀的情況下，直徑2r為長軸直徑。(透明導(dǎo)電膜)作為構(gòu)成透明導(dǎo)電膜4的材料，例如采用銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋅氧化物(ZnO)、 AZO(Al2O3，ai0)、SZ0、FT0、Sn02、GZ0、IZ0(In203，ZnO)等，并且從高可靠性、低電阻等的角度考慮，優(yōu)選ΙΤ0。優(yōu)選地，透明導(dǎo)電膜4模仿結(jié)構(gòu)體3的表面形狀形成，從而不會(huì)抑制結(jié)構(gòu)體3的防反射效果，并且結(jié)構(gòu)體3和透明導(dǎo)電膜4的表面形狀具有大致相同的形狀。這是因?yàn)?，可以抑制由于透明?dǎo)電膜4的形成而引起的折射率分布的變化，并且能夠保持優(yōu)良的防反射特性和/或透射特性。構(gòu)成透明導(dǎo)電膜4的材料優(yōu)選是非晶和多晶的混合狀態(tài)。 這是因?yàn)?，在結(jié)構(gòu)體3的高度小的情況下，也能夠形成具有不會(huì)抑制結(jié)構(gòu)體3的防反射效果的膜厚的透明導(dǎo)電膜4。即，這是因?yàn)橥该鲗?dǎo)電膜4能夠保持模仿結(jié)構(gòu)體3的形狀的形狀。透明導(dǎo)電膜4的膜厚優(yōu)選在9nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)。在本說明書中，透明導(dǎo)電膜4的膜厚是在結(jié)構(gòu)體3的頂部的透明導(dǎo)電膜4的平均膜厚。具體地，通過以下步驟獲得透明導(dǎo)電膜4的膜厚。首先，切割導(dǎo)電光學(xué)元件1，以包括結(jié)構(gòu)體3的頂部，通過透射電子顯微鏡(TEM transmission Electron Microscope)拍攝其截面照片，并且從該拍攝的 TEM照片測(cè)量在結(jié)構(gòu)體3的頂部的透明導(dǎo)電膜4的膜厚。對(duì)于從該導(dǎo)電光學(xué)元件1中隨機(jī)選取的十個(gè)位置重復(fù)執(zhí)行該測(cè)量，將所測(cè)得的值簡(jiǎn)單平均(算術(shù)平均)從而獲得平均膜厚， 并且將該平均膜厚作為透明導(dǎo)電膜4的膜厚。(金屬膜)優(yōu)選還在結(jié)構(gòu)體3上設(shè)置金屬膜5。這是因?yàn)?，電阻能夠降低，可以使透明?dǎo)電膜 4更薄，或者，在僅通過透明導(dǎo)電膜4導(dǎo)電性未達(dá)到足夠值時(shí)，能夠彌補(bǔ)導(dǎo)電性。金屬膜5例如在結(jié)構(gòu)體3和透明導(dǎo)電膜4之間的界面上、透明導(dǎo)電膜4的表面、以及這兩者上形成。此外，可使用透明導(dǎo)電膜4隔著金屬膜4層壓的層壓結(jié)構(gòu)。金屬膜5的膜厚沒有特別限制，但例如可選擇大約幾nm。由于金屬膜5的導(dǎo)電性高，所以通過幾nm的膜厚就能夠?qū)崿F(xiàn)足夠的表面電阻。此外，幾nm幾乎不會(huì)引起諸如金屬膜5的吸收和反射的光學(xué)效果。作為構(gòu)成金屬膜5的材料，優(yōu)選使用具有高導(dǎo)電性的金屬類材料。作為這樣的材料，例如可以采用選自由Ag、Al、Cu、Ti、Au、Pt和Nb組成的組中的至少一種。在這些材料中，從高導(dǎo)電性、使用經(jīng)驗(yàn)等角度考慮，優(yōu)選Ag。在金屬膜自身能夠保證表面電阻但是非常薄的情況下，金屬膜5 具有島狀結(jié)構(gòu)，并且難以確保導(dǎo)電性。在該情況下，為了電連接島上的金屬膜5，在金屬膜5 的上層上形成透明導(dǎo)電膜4也很重要。作為在結(jié)構(gòu)體上層壓的透明導(dǎo)電膜4和金屬膜5的具體實(shí)例，例如使用ITO膜/Ag膜和ITO膜/Ag膜/ITO膜。[輥型母版的結(jié)構(gòu)]圖10示出了用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電光學(xué)元件的輥型母版的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。如圖10所示，輥型母版11具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中，例如多個(gè)作為凹部的結(jié)構(gòu)體13 在母版12的表面上以與諸如可見光的光的波長相同程度的間距配置。母版12具有圓柱形或筒形。作為母版12的材料，例如可以使用玻璃，但是不特別限于該材料。使用隨后描述的輥型母版曝光裝置，空間連接二維圖案，對(duì)于一個(gè)軌跡同步極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào) (polarity-reversion formatter)和記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器以產(chǎn)生信號(hào)，并且以CAV和適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給間距執(zhí)行圖案化。結(jié)果，能夠記錄六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案。通過適當(dāng)設(shè)置極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率和輥的rpm，可以在期望的記錄區(qū)域上形成具有恒定的空間頻率的點(diǎn)陣圖案。[導(dǎo)電光學(xué)元件的制造方法]然后，參考圖11至圖14，將描述如上所述構(gòu)造的導(dǎo)電光學(xué)元件1的制造方法。根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的制造方法包括在母版上形成抗蝕層的抗蝕膜形成步驟、通過使用輥型母版曝光裝置在抗蝕膜上形成蛾眼圖案潛像的曝光步驟、對(duì)形成有潛像的抗蝕層進(jìn)行顯影的顯影步驟。此外，包括通過使用等離子體蝕刻的制造輥型母版的蝕刻步驟、利用紫外線固化樹脂制造復(fù)制基板的復(fù)制步驟、以及在復(fù)制基板上的執(zhí)行透明導(dǎo)電膜的膜形成的膜形成步驟。(曝光裝置的結(jié)構(gòu))首先，將參考圖11，描述在蛾眼圖案的曝光步驟中使用的輥型母版曝光裝置的結(jié)構(gòu)。輥型母版曝光裝置基于光盤記錄裝置構(gòu)造。激光源21是用于對(duì)作為記錄介質(zhì)的母版12的表面上形成的抗蝕膜曝光的光源， 并且振蕩具有例如波長λ = 266nm的用于記錄的激光15。從激光源21輸出的作為平行光束的激光15以直線傳播，并且進(jìn)入電光調(diào)制器(Ε0Μ 電光調(diào)制器)22。穿過電光調(diào)制器22 的激光15由反光鏡23反射，并且被引導(dǎo)至調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。反光鏡23由偏光分束器構(gòu)成，并且具有反射一種偏光分量而允許另一種偏光分量穿過的功能。穿過反光鏡23的偏光分量被光電二極管M接收，并且基于所接收的信號(hào)， 控制電光調(diào)制器22，并且執(zhí)行激光15的相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，激光15被聚光鏡沈會(huì)聚在由玻璃((SiO2)等制成的聲光調(diào)制器(Α0Μ 聲光調(diào)制器)27上。在由聲光調(diào)制器27進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制并發(fā)散后，激光15通過透鏡觀變?yōu)槠叫泄馐?。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25輸出的激光15被反光鏡31反射，并且在移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32上被水平且平行地引導(dǎo)。移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32包括擴(kuò)束器33和物鏡34。被引導(dǎo)至移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光15通過擴(kuò)束器33而形成所期望的光束形狀，并且此后，經(jīng)由物鏡34照射到母版12上的抗蝕層上。 母版12安裝在連接主軸馬達(dá)的轉(zhuǎn)臺(tái)36上。而且，當(dāng)旋轉(zhuǎn)母版12并且在母版12的高度方向上移動(dòng)激光15時(shí)，用激光15間歇地照射抗蝕層，從而執(zhí)行抗蝕層的曝光步驟。形成的潛像具有大致橢圓形狀，其在圓周方向上具有長軸。激光15的移動(dòng)由移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32在箭頭 R方向上的移動(dòng)來執(zhí)行。曝光裝置包括控制機(jī)構(gòu)37，其用于在抗蝕層上形成與圖IB所示的六方點(diǎn)陣或類六方點(diǎn)陣的二維圖案相對(duì)應(yīng)的潛像。控制機(jī)構(gòu)37包括格式器四和驅(qū)動(dòng)器30。格式器四包括極性反轉(zhuǎn)部，并且該極性反轉(zhuǎn)部控制激光15對(duì)抗蝕層的照射定時(shí)。一接收到極性反轉(zhuǎn)部的輸出后，驅(qū)動(dòng)器30就控制聲光調(diào)制器27。
在輥型母版曝光裝置中，為一個(gè)軌跡同步極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)和記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器，以產(chǎn)生信號(hào)，從而空間連接二維圖案，并且聲光調(diào)制器27執(zhí)行強(qiáng)度調(diào)制。通過以恒定角速度(CAV)、適當(dāng)?shù)膔pm、適當(dāng)?shù)恼{(diào)制頻率以及適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給間距進(jìn)行圖案化，可以記錄六方點(diǎn)陣或類六方點(diǎn)陣圖案。例如，如圖IOB所示，為了獲得圓周方向上的315nm的周期，以及與圓周方向成大約60°方向(大約-60°方向)上的300nm的周期，進(jìn)給間距可為25Inm(畢達(dá)哥拉斯法則，Pythagorean law) 0極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率通過輥的rpm 改變(例如 1800rpm、900rpm、450rpm、225rpm)。例如，相對(duì)于 1800rpm、900rpm、450rpm 和 225rpm的輥的rpm，極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率分別為37. 70MHz、18. 85MHz、9. 34MHz和 4.71MHz。在所期望的記錄區(qū)域中，能夠通過以下方法形成具有均勻空間頻率(圓周方向 315nm周期，對(duì)于圓周方向大約60°的方向(大約-60°方向)300nm周期)的類六方點(diǎn)陣圖案通過移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32上的擴(kuò)束器(BEX) 33將遠(yuǎn)紫外激光擴(kuò)大至五倍光束直徑，利用經(jīng)由具有數(shù)值孔徑(NA)O. 9的物鏡34的光照射母版12上的抗蝕層，并且形成微細(xì)的潛像。(抗蝕膜形成步驟)首先，如圖12A所示，準(zhǔn)備筒形母版12。母版12例如為玻璃母版。然后，如圖12B 所示，在母版12的表面上形成抗蝕層14。作為抗蝕層14的材料，例如可使用任何有機(jī)抗蝕劑和無機(jī)抗蝕劑。作為有機(jī)抗蝕劑，例如可使用酚醛樹脂類抗蝕劑或化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑。此外，作為無機(jī)抗蝕劑，例如可使用由一種或兩種以上過渡金屬(例如鎢和鉬)制成的金屬氧化物。(曝光步驟)然后，如圖12C所示，通過使用上述輥型母版曝光裝置，旋轉(zhuǎn)母版12，并且用激光 (曝光光束)15照射抗蝕層14。在該情況下，當(dāng)在母版12的高度方向(平行于圓柱形或筒形母版12的中心軸的方向)上移動(dòng)激光15的同時(shí)，間歇地執(zhí)行激光15的照射，由此將抗蝕層14的整個(gè)表面都曝光。結(jié)果，在抗蝕層14的整個(gè)表面上以與可見光波長相同程度的間距形成對(duì)應(yīng)于激光15的路徑的潛像16。以例如這樣的方式配置潛像16，即在母版表面上形成多個(gè)軌跡，并且形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案。潛像16具有例如橢圓形狀，其具有沿軌跡延伸方向的長軸方向。(顯影步驟)然后，在旋轉(zhuǎn)母版12的同時(shí)，將顯影劑滴落在抗蝕層14上，并且如圖13A所示，對(duì)抗蝕層14進(jìn)行顯影處理。如圖所示，在通過正型抗蝕劑(positive resist)形成抗蝕層14 時(shí)，暴露給激光15的曝光部分相比于非曝光部分具有更快的顯影劑分解速度，從而在抗蝕層14上形成對(duì)應(yīng)于潛像(曝光部分)16的圖案。(蝕刻步驟)然后，在母版12上形成的抗蝕層14的圖案(抗蝕圖案)被用作掩模，并且蝕刻處理母版12的表面。結(jié)果，如圖1 所示，形成具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺(tái)形狀并且具有沿軌跡延伸方向的長軸方向的凹部，即結(jié)構(gòu)體13。蝕刻方法例如通過干蝕刻執(zhí)行。在該情況下，通過可選地執(zhí)行蝕刻處理和灰化(磨光，ashing)處理，可以形成例如錐體狀結(jié)構(gòu)體13 的圖案。此外，可以制造具有抗蝕層14的3倍以上深度(選擇比3以上)的玻璃母版，并且可以獲得結(jié)構(gòu)體3的高縱橫比。作為于干蝕刻，優(yōu)選通過使用輥蝕刻裝置的等離子體蝕刻。輥蝕刻裝置是具有圓柱形電極的等離子體蝕刻裝置，并且被構(gòu)造為使得圓柱形電極插入筒形母版12的中空腔內(nèi)，并且對(duì)母版12的柱表面執(zhí)行等離子體蝕刻。如上所述，例如，可以獲得這樣的輥型母版11，其具有包括深度為大約120nm至大約350nm的凹狀的六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案。(復(fù)制步驟)然后，例如，輥型母版11和基板2 (諸如在其上涂有轉(zhuǎn)印材料的片)互相緊密接觸，并且在它們被紫外線照射并固化時(shí)剝離。結(jié)果，如圖13C所示，在基板2的一個(gè)主表面上形成作為凸部的多個(gè)結(jié)構(gòu)體，并且形成了諸如蛾眼紫外線固化復(fù)制片的導(dǎo)電光學(xué)元件1。轉(zhuǎn)印材料例如由紫外線固化材料和引發(fā)劑制成，并且根據(jù)需要可包括填料、功能添加劑等。紫外線固化材料例如由單官能團(tuán)單體、雙官能團(tuán)單體、多官能團(tuán)單體等制成，并且具體地，由以下材料中的一種制成或其中多種進(jìn)行混合而獲得。作為單官能團(tuán)單體，例如采用羧酸(丙烯酸)、羥基(2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基、脂環(huán)(異丁基丙烯酸酯、叔丁基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯、十二烷丙烯酸酯、十八烷丙烯酸酯、異冰片丙烯酸酯、環(huán)己基丙烯酸酯)、其他官能團(tuán)單體O-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基烯丙酸酯、四氫化糠基丙烯酸酯、苯偶酰丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥丙基丙烯酸酯、3-全氟丁基-2-羥丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸)、2，4，6-三溴苯丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯甲基丙烯酸酯、2- (2,4,6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、2_乙基己基丙烯酸酯等。作為雙官能團(tuán)單體，例如采用三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、尿烷丙烯酸酯等。作為多官能團(tuán)單體，例如采用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。作為引發(fā)劑，例如采用2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯乙烷-1-酮、1_羥基-環(huán)己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。作為填料，能夠使用任何無機(jī)顆粒和有機(jī)顆粒。作為無機(jī)顆粒，例如采用金屬氧化物顆粒，如 SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2 或 Al2O3。作為功能添加劑，例如使用均化劑(leveling agent)、表面調(diào)節(jié)劑、消泡劑等。作為基板2的材料，例如采用甲基丙烯酸甲酯(共)聚物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纖維素二乙酸酯、纖維素三乙酸酯、纖維素乙酸丁酸酯、聚酯、 聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚氨酯、玻璃等?；?的成型方法沒有限制，其可為注射成型體、擠出成型體或鑄塑成型體。根據(jù)需要，可在基板表面上施加表面處理，如電暈處理。(金屬膜的膜形成步驟)然后，如圖14A所示，根據(jù)需要，在形成有結(jié)構(gòu)體3的基板2的凹凸表面上，形成金屬膜5。作為金屬膜5的膜形成方法，除了 CVD方法(Chemical Vapor D印osition (化學(xué)氣相沉積方法)用于通過使用化學(xué)反應(yīng)從氣相沉積薄膜的技術(shù))，諸如熱CVD、等離子體CVD 以及光學(xué)CVD之外，還例如使用PVD方法(Physical Vapor D印osition (物理氣相沉積方法)用于通過在基板上在真空中絮凝物理蒸發(fā)的材料形成薄膜的技術(shù))，如真空沉積、等離子體輔助沉積、濺射以及離子鍍。(透明導(dǎo)電膜的膜形成步驟)然后，如圖14B所示，在形成有結(jié)構(gòu)體3的基板2的凹凸表面上，形成透明導(dǎo)電膜。 作為透明導(dǎo)電層4的膜形成方法，例如采用類似于上述金屬膜的膜形成方法的方法。然后， 根據(jù)需要，對(duì)透明導(dǎo)電膜4執(zhí)行退火處理。結(jié)果，透明導(dǎo)電膜4為非晶和多晶的混合狀態(tài)。 如上所述，獲得了所需的導(dǎo)電光學(xué)元件1。根據(jù)第一實(shí)施方式，由于在形成有結(jié)構(gòu)體3的基板2的凹凸表面上形成了膜厚為 9nm以上且50nm以下的透明導(dǎo)電膜4，所以能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻。此外，由于結(jié)構(gòu)體 4的縱橫比在0. 63以上且1. 28以下的范圍內(nèi)，并且透明導(dǎo)電膜4的表面形狀模仿結(jié)構(gòu)體3 的形狀，所以能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的透射特性。優(yōu)選地，在基板2上配置多個(gè)結(jié)構(gòu)體3，以使得它們被配置為在基板2的表面上形成多個(gè)軌跡，并且使它們形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案。結(jié)果，能夠提供具有高透射性、低反射光以及較少反射的導(dǎo)電光學(xué)元件1。由于通過在表面上形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體3獲得了防反射功能，所以波長依賴性低。角度依賴性比光學(xué)膜型透明導(dǎo)電膜的更低。不使用多層光學(xué)膜、使用納米壓印技術(shù)、并且采用高產(chǎn)膜結(jié)構(gòu)，由此能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的量產(chǎn)性和低成本。優(yōu)選地，統(tǒng)一軌跡中的結(jié)構(gòu)體3的配置間距Pl比兩個(gè)相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距P2更大。通過該方式，能夠提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的填充率， 因此可以提高防反射特性。在各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在基板表面上形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案的情況下，比率 P1/P2 優(yōu)選滿足關(guān)系 1. 00 ^ P1/P2 < 1. 2 或 1. 00 < P1/P2 ^ 1. 2，更優(yōu)選 1. 00 ^ Pl/ P2彡1. 1或1.00<P1/P2彡1. 1，其中，在同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為P1，并且兩個(gè)相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為P2。通過該數(shù)值范圍，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的填充率，因而可以提高防反射特性。在各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在基板表面上形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案的情況下，優(yōu)選每個(gè)結(jié)構(gòu)體3都具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀(具有沿軌跡延伸方向的長軸方向)，并且中部的斜度形成為比端部和底部的斜度更陡。通過該形狀，可以提高防反射特性和透射特性。在各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在基板表面上形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案的情況下，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3在軌跡的延伸方向上的高度或深度比結(jié)構(gòu)體3在軌跡的列方向上的高度或深度更小。在該關(guān)系不滿足的情況下，由于需要使軌跡的延伸方向上的配置間距更長，所以在軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體的填充率降低。填充率以該方式降低導(dǎo)致反射特性降低。在各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在基板表面上形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案的情況下，優(yōu)選同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體3的配置間距Pl比兩個(gè)相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距P2更大。通過該方式，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的填充率，因此可以提高防反射特性。在各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在基板表面上形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案的情況下，比率P1/P2優(yōu)選滿足關(guān)系1. 4 < P1/P2 ( 1. 5，其中，在同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為 P1，并且兩個(gè)相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為P2。通過該數(shù)值范圍，可以提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的填充率，因而可以提高防反射特性。在各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在基板表面上形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案的情況下，優(yōu)選每個(gè)結(jié)構(gòu)體3都具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀(具有沿軌跡延伸方向的長軸方向)，并且中部的斜度形成為比端部和底部的斜度更陡。通過該形狀，可以提高防反射特性和透射特性。在各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在基板表面上形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案的情況下，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3在相對(duì)于軌跡的45°方向或大約45°方向上的高度或深度比結(jié)構(gòu)體3在軌跡的列方向上的高度或深度更小。在該關(guān)系不滿足的情況下，因?yàn)樵谙鄬?duì)于軌跡的45°方向或大約45°方向上的配置間距應(yīng)更長，所以在相對(duì)于軌跡的45°方向或大約45°方向上的結(jié)構(gòu)體3的填充率降低。填充率以該方式降低會(huì)導(dǎo)致反射特性降低。在基板表面上以微小間距設(shè)置的多個(gè)結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選形成多列軌跡，并且在三列相鄰軌跡中形成六方點(diǎn)陣圖案、類六方點(diǎn)陣圖案、四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案。通過這樣的圖案，可以增加表面上的結(jié)構(gòu)體3的填充密度，由此增加可見光等的防反射效率，并且可以實(shí)現(xiàn)防反射特性優(yōu)良且透射性極高的導(dǎo)電光學(xué)元件。透明光學(xué)元件1優(yōu)選通過結(jié)合光盤狀母版制造處理和蝕刻處理的方法來制造。能夠在短時(shí)間內(nèi)高效率地制造光學(xué)裝置的母版，并且可以響應(yīng)基板2的尺寸增大，由此可增加導(dǎo)電光學(xué)元件1的生產(chǎn)率。<2.第二實(shí)施方式>[導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)]圖15A是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖15B是示出了圖15A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖15C是圖15B的軌跡Tl、T3、…的截面圖。圖15D是圖15B的軌跡T2、T4、…的截面圖。圖15E 是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖15B的軌跡Tl、T3、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。 圖15F是示出了用于形成對(duì)應(yīng)于圖15B的軌跡T2、T4、…的潛像的激光的調(diào)制波形的簡(jiǎn)化線圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1不同在于，各個(gè)結(jié)構(gòu)體3在三列相鄰軌跡中形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案。在該實(shí)施方式中，類四方點(diǎn)陣圖案與正四方點(diǎn)陣圖案不同，并且表示在軌跡的延伸方向(X軸方向)上進(jìn)行擴(kuò)大的變形的四方點(diǎn)陣圖案。結(jié)構(gòu)體3的高度和深度沒有限制，并且例如為大約IOOnm至^Onm。在相對(duì)于軌跡 (大約)45°方向上的間距P2例如為大約200nm至300nm。結(jié)構(gòu)體3的縱橫比(高度/配置間距)例如為大約0. 54至1. 13。此外，各個(gè)結(jié)構(gòu)體3的所有縱橫比不限于相同，而是它們可被構(gòu)造為使得各個(gè)結(jié)構(gòu)體3具有一定的高度分布。優(yōu)選在同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體3的配置間距Pl比兩個(gè)相鄰軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距P2更大。此外，P1/P2優(yōu)選滿足關(guān)系1. 4 < P1/P2 ( 1. 5，其中，在同一軌跡中的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為P1，而在相鄰兩個(gè)軌跡之間的結(jié)構(gòu)體3的配置間距為P2。通過該數(shù)值范圍，能夠提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3的填充率，因此可以提高防反射特性。此外，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3在相對(duì)于軌跡的45°方向或大約45°方向上的高度或深度比結(jié)構(gòu)體3在軌跡延伸方向上的高度或深度更小。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3在傾斜于軌跡延伸方向的配置方向(Θ方向)上的高度H2比結(jié)構(gòu)體3在軌跡延伸方向上的高度Hl更小。既，結(jié)構(gòu)體3的高度H1、H2滿足關(guān)系Hl >H2。在結(jié)構(gòu)體3配置為形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案的情況下，結(jié)構(gòu)體3的高度H為結(jié)構(gòu)體3在延伸方向(軌跡方向)上的高度。圖16是示出了當(dāng)結(jié)構(gòu)體3的底面的橢圓率變化時(shí)的底面形狀的示圖。橢圓31、32 和33的橢圓率分別為100%、163. 3%和141%。通過以該方式改變橢圓率，可以改變基板表面上的結(jié)構(gòu)體3的填充率。在結(jié)構(gòu)體3形成四方點(diǎn)陣或類四方點(diǎn)陣圖案的情況下，結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率優(yōu)選為180%。這是因?yàn)?，通過該范圍，可以提高結(jié)構(gòu)體3的填充率，并且可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射特性?；灞砻嫔系慕Y(jié)構(gòu)體3的填充率的范圍在65%以上，優(yōu)選73%以上，更優(yōu)選86% 以上，其中上限為100%。在填充率在該范圍內(nèi)的情況下，可以提高防反射性。此處，結(jié)構(gòu)體3的填充率(平均填充率)為按照以下方法獲得的值。首先，使用掃描電子顯微鏡(SEM Scanning Electron Microscope)以頂視圖拍攝導(dǎo)電光學(xué)元件1的表面的照片。然后，從拍攝的SEM照片中隨機(jī)選擇單位點(diǎn)陣Uc，并且測(cè)量單位點(diǎn)陣Uc的配置間距Pl和軌跡間距Tp (參見圖15B)。然后，通過圖像處理測(cè)量包括在單位點(diǎn)陣Uc中的四個(gè)結(jié)構(gòu)體3任何一個(gè)的底面的面積S。然后，通過使用所測(cè)得的配置間距P1、軌跡間距Tp、底面的面積S，基于下式C3)獲得填充率。填充率=(S(tetra)/S(unit))XlOO (2)單位點(diǎn)陣面積:S(unit)= 2X ((PlXTp) X (1/2)) = PlXTp單位點(diǎn)陣中結(jié)構(gòu)體的底面的面積S(tetra) =S對(duì)于從拍攝的SEM照片中隨機(jī)選取的十個(gè)單位點(diǎn)陣執(zhí)行上述填充率計(jì)算處理。然后，簡(jiǎn)單平均(算術(shù)平均)所測(cè)得的值，從而獲得填充率的平均率作為基板表面的結(jié)構(gòu)體3 的填充率。直徑2r與配置間距Pl的比率((2r/Pl) X100)為64%以上，優(yōu)選為69%以上，并且更優(yōu)選為73%以上。這是因?yàn)?，通過該范圍，能夠提高結(jié)構(gòu)體3的填充率，并且能夠提高防反射特性。此處，配置間距Pl為在軌跡方向上的結(jié)構(gòu)體3的配置間距，而直徑2r為結(jié)構(gòu)體底面在軌跡方向上的直徑。應(yīng)注意，當(dāng)結(jié)構(gòu)體底面具有圓形時(shí)，直徑2r為直徑，而在結(jié)構(gòu)體底面具有橢圓形狀時(shí)，直徑2r為長軸直徑。[輥型母版的結(jié)構(gòu)]圖17示出了用于制造具有上述結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)電光學(xué)元件的輥型母版的結(jié)構(gòu)體的一個(gè)實(shí)例的示圖。該輥型母版與第一實(shí)施方式中的不同在于，凹狀結(jié)構(gòu)體13在其表面上形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案。使用輥型母版曝光裝置，空間連接二維圖案，對(duì)于一個(gè)軌跡同步極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)和記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器以生成信號(hào)，并且以CAV和適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給間距執(zhí)行圖案化。結(jié)果，可以記錄四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案。通過適當(dāng)設(shè)置極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率和輥的rpm，優(yōu)選在母版12的抗蝕層的所期望的記錄區(qū)域上、通過激光照射形成具有恒定的空間頻率的點(diǎn)陣圖案。<3.第三實(shí)施方式〉
[導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)]圖18A是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖18B是示出了圖18A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖18C是圖18B的軌跡T1、T3、…的截面圖。圖18D是圖18Β的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。根據(jù)第三實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同在于，軌跡T具有弧形形狀，并且結(jié)構(gòu)體3以弧形形狀方式配置。如圖18Β所示，結(jié)構(gòu)體3被配置為使得在三列相鄰軌跡(Tl至Τ3)中，形成類六方點(diǎn)陣圖案，其中結(jié)構(gòu)體3的中心位于各個(gè)點(diǎn)al至a7 中。此處，類六方點(diǎn)陣圖案與正六方點(diǎn)陣圖案不同，并且表示沿軌跡T的弧形形狀的變形的六方點(diǎn)陣圖案?？蛇x地，其與正六方點(diǎn)陣圖案不同，并且表示沿軌跡T的弧形形狀變形并沿軌跡的延伸方向(X軸方向)進(jìn)行放大的六方點(diǎn)陣圖案。除了以上說明以外，導(dǎo)電光學(xué)元件1的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式的類似，所以省略其說明。[盤狀母版結(jié)構(gòu)體]圖19A和圖19B示出了用于制造具有上述結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)電光學(xué)元件的盤狀母版的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。如圖19A和圖19B所示，盤狀母版41具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中在圓盤形的母版42的表面上排列了多個(gè)作為凹部的結(jié)構(gòu)體43。結(jié)構(gòu)體13以小于導(dǎo)電光學(xué)元件1的使用環(huán)境下的光的波段的間距(例如與可見光的波長的程度相同)二維地排列。結(jié)構(gòu)體43例如以同心或螺旋形軌跡配置。除了以上說明以外，盤狀母版41的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式的輥型母版11的類似，所以省略其說明。[導(dǎo)電光學(xué)元件的制造方法]首先，將參考圖20，描述用于制造具有上述結(jié)構(gòu)體的盤狀母版41的曝光裝置。移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32包括擴(kuò)束器33、反光鏡38和物鏡34。被引導(dǎo)至移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光15通過擴(kuò)束器33而形成所期望的光束形狀，并且此后，經(jīng)由物鏡34照射到圓盤形的母版42上的抗蝕層上。母版42安裝在連接至主軸馬達(dá)35的轉(zhuǎn)臺(tái)(未示出)上。此外，在旋轉(zhuǎn)母版42并且在母版42的旋轉(zhuǎn)半徑方向上移動(dòng)激光15的同時(shí)，用激光間歇地照射母版 42上的抗蝕層，由此執(zhí)行抗蝕層的曝光步驟。形成的潛像具有大致橢圓形狀，其具有沿圓周方向的長軸。激光15的移動(dòng)由移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32在箭頭R方向上的移動(dòng)來進(jìn)行。圖20中所示的曝光裝置包括控制機(jī)構(gòu)37，其用于在抗蝕層上形成如圖18B所示的六方點(diǎn)陣或類六方點(diǎn)陣的二維圖案化潛像。控制機(jī)構(gòu)37包括格式器四和驅(qū)動(dòng)器30。格式器四包括極性反轉(zhuǎn)部，該極性反轉(zhuǎn)部控制激光15對(duì)于抗蝕層的照射定時(shí)。在接收到極性反轉(zhuǎn)部的輸出后，驅(qū)動(dòng)器30就控制聲光調(diào)制器27?？刂茩C(jī)構(gòu)37分別對(duì)于一個(gè)軌跡同步AOM 27對(duì)激光15的強(qiáng)度調(diào)制、主軸馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)rpm以及移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的移動(dòng)速度，從而空間連接潛像的二維圖案。將母版42的旋轉(zhuǎn)控制為恒定的角速度(CAV)。此外，以通過主軸馬達(dá)的母版42的適當(dāng)rpm、通過AOM 27的激光強(qiáng)度的適當(dāng)頻率調(diào)制以及通過移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光15的適當(dāng)進(jìn)給間距，來執(zhí)行圖案化。結(jié)果，在抗蝕層上形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案的潛像。此外，逐漸改變極性反轉(zhuǎn)部的控制信號(hào)，以使得空間頻率(潛像的圖案密度，Pl 330，P2 :300nm,Pl :315nm，P2 :275nm 或 Pl :300nm，P2 :265nm)均一。更特別地，在對(duì)于一個(gè)軌跡改變抗蝕層上激光15的照射周期的同時(shí)，執(zhí)行曝光，并且控制機(jī)構(gòu)37執(zhí)行激光15的頻率調(diào)制，使得Pl在每個(gè)軌跡T中都大約為330nm(或315nm，300nm)。S卩，控制調(diào)制，以使得隨著軌跡位置遠(yuǎn)離圓盤形的母版42的中心，激光的照射周期更短。結(jié)果，可以在基板的整個(gè)表面上形成具有均一空間頻率的納米圖案。下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的制造方法的一個(gè)實(shí)例。首先，除了使用具有上述結(jié)構(gòu)的曝光裝置而對(duì)形成在圓盤形的母版上的抗蝕層進(jìn)行曝光之外，盤狀母版41類似于第一實(shí)施方式來制造。然后，將盤狀母版41和基板2(諸如涂覆有紫外線固化樹脂的丙烯酸樹脂片)互相緊密接觸，并且在將它們用紫外線照射并且紫外線固化樹脂固化后，將基板2從盤狀母版41剝離。結(jié)果，可以獲得在表面上排列了多個(gè)結(jié)構(gòu)體3的圓盤形光學(xué)裝置。然后，根據(jù)需要，在形成有多個(gè)結(jié)構(gòu)體3的光學(xué)裝置的凹凸表面上形成金屬膜5之后，形成透明導(dǎo)電膜4。結(jié)果，可以獲得圓盤形的導(dǎo)電光學(xué)元件1。 然后，從圓盤形的導(dǎo)電光學(xué)元件1，切出具有預(yù)定形狀(如矩形)的導(dǎo)電光學(xué)元件1。結(jié)果， 制造了所需的導(dǎo)電光學(xué)元件1。根據(jù)第三實(shí)施方式，類似于結(jié)構(gòu)體3直線排列的情況，其生產(chǎn)率高，并且可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良的防反射特性的導(dǎo)電光學(xué)元件1。<4.第四實(shí)施方式〉圖21是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖21B是示出了圖21A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。根據(jù)第四實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同在于，以曲折軌跡 (下文中，稱為波動(dòng)軌跡)排列結(jié)構(gòu)體3。基板2上各個(gè)軌跡的波動(dòng)優(yōu)選互相同步。換句話說，這些波動(dòng)優(yōu)選為同步的波動(dòng)。通過使波動(dòng)互相同步，保持了六方點(diǎn)陣或類六方點(diǎn)陣的單位點(diǎn)陣形狀，并且能夠保持高的填充率。波動(dòng)軌跡的波形例如為正弦波、三角波等。波動(dòng)軌跡的波形不限于周期性波形，并且可為非周期性波形。波動(dòng)軌跡的波動(dòng)振幅選擇為例如約士 10 μ m。除了上述說明以外，第四實(shí)施方式類似于第一實(shí)施方式。根據(jù)第四實(shí)施方式，由于結(jié)構(gòu)體3排列在波動(dòng)軌跡上，所以可以抑制產(chǎn)生外觀上的凹凸(不均勻)。<5.第五實(shí)施方式>圖22A是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖22B是示出了圖22A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖22C是圖22B的軌跡T1、T3、…的截面圖。圖22D是圖22Β的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。圖23是示出了圖22Α所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。根據(jù)第五實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同在于，在基板表面上排列了多個(gè)作為凹部的結(jié)構(gòu)體3。結(jié)構(gòu)體3的形狀是通過反轉(zhuǎn)第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)體3的凸?fàn)疃@得的凹狀。應(yīng)注意，在結(jié)構(gòu)體3為上述凹部的情況下，作為凹部的結(jié)構(gòu)體3的開口部(凹部的口部)被定義為底部，而基板2的深度方向上的最低部(凹部的最深部)被定義為頂部。即，通過作為非實(shí)體的空間的結(jié)構(gòu)體3定義頂部和底部。此外，根據(jù)第五實(shí)施方式，由于結(jié)構(gòu)體為凹部，式(1)等中的結(jié)構(gòu)體3的高度H為結(jié)構(gòu)體3的深度H。
除了上述說明以外，第五實(shí)施方式類似于第一實(shí)施方式。在第五實(shí)施方式中，在第一實(shí)施方式中為凸?fàn)畹慕Y(jié)構(gòu)體3的形狀被反轉(zhuǎn)為凹狀， 因此其可以實(shí)現(xiàn)類似于第一實(shí)施方式的效果。<6.第六實(shí)施方式>圖24A是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的示意性平面圖。圖24B示出圖24A所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大平面圖。圖24C是圖 MB的軌跡T1、T3、…的截面圖。圖24D是圖MB的軌跡Τ2、Τ4、…的截面圖。圖25是示出了圖24Α所示的導(dǎo)電光學(xué)元件的局部放大透視圖。導(dǎo)電光學(xué)元件1包括基板2、形成在基板2的表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體3、以及形成在這些結(jié)構(gòu)體3上的透明導(dǎo)電膜4。此外，從提高表面電阻的角度考慮，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體3和透明導(dǎo)電膜4之間進(jìn)一步設(shè)置金屬膜5。結(jié)構(gòu)體3為錐體形狀的凸部。相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部接合，以使得它們的底部相互重疊。在相鄰的結(jié)構(gòu)體3中，最相鄰的結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選在軌跡方向上配置。這是因?yàn)?，在以下所述的制造方法中，易于在該位置配置最相鄰的結(jié)構(gòu)體3。導(dǎo)電光學(xué)元件1具有防止進(jìn)入設(shè)置有結(jié)構(gòu)體3的基板表面的光被反射的功能。在下文中，如圖24Α所示，在基板2的一個(gè)主表面上的兩個(gè)正交的軸被稱為X軸和Y軸，并且垂直于基板 2的一個(gè)主表面的軸被稱為Z軸。此外，在結(jié)構(gòu)體3之間存在間隙部加的情況下，優(yōu)選在間隙部加上設(shè)置微細(xì)的凹凸形狀。通過設(shè)置微細(xì)的凹凸形狀，能夠進(jìn)一步降低導(dǎo)電光學(xué)元件 1的反射率。圖沈示出了根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的折射率分布的一個(gè)實(shí)例的示圖。如圖26所示，結(jié)構(gòu)體3的相對(duì)于深度方向(在圖24Α中的-Z軸方向)的有效折射率變化為朝向基板2逐漸增加，并且畫出S形狀的曲線。即，折射率分布具有一個(gè)拐點(diǎn) N。該拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)于結(jié)構(gòu)體3的側(cè)面的形狀。通過改變有效折射率，對(duì)于光的邊界變得不清晰， 由此減少了反射光，并且可以提高導(dǎo)電光學(xué)元件1的防反射特性。有效折射率相對(duì)于深度方向的改變優(yōu)選單調(diào)遞增。此處，S形狀包括反S形狀，即Z形狀。此外，有效折射率相對(duì)于深度方向的改變優(yōu)選比結(jié)構(gòu)體3的頂部側(cè)和基板側(cè)中至少一側(cè)的有效折射率的斜度的平均值更快，并且更優(yōu)選比結(jié)構(gòu)體3的頂部側(cè)和基板側(cè)這兩側(cè)的上述平均值都更快。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射特性。結(jié)構(gòu)體3的底部例如接合至相鄰結(jié)構(gòu)體3的部分或全部底部。通過接合結(jié)構(gòu)體的底部，結(jié)構(gòu)體3的有效折射率相對(duì)于深度方向的改變能夠平滑。結(jié)果，可以獲得S形狀的折射率分布。此外，通過接合結(jié)構(gòu)體的底部，可以增加結(jié)構(gòu)體的填充率。應(yīng)注意，在圖24Β中， 當(dāng)所有的相鄰結(jié)構(gòu)體3都接合時(shí)接合部的位置都由黑點(diǎn)標(biāo)記“ ”表示。具體地，接合部形成在所有的相鄰結(jié)構(gòu)體3之間、同一軌跡中的相鄰結(jié)構(gòu)體3之間(例如，al和a2之間)、 或相鄰軌跡中的結(jié)構(gòu)體3之間(例如，al和a7之間，a2和a7之間)。為了獲得平滑的折射率分布并且實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射特性，優(yōu)選在所有的相鄰結(jié)構(gòu)體3之間形成接合部。為了通過使用下述制造方法容易地形成接合部，接合部?jī)?yōu)選在同一軌跡的相鄰結(jié)構(gòu)體3之間形成。在結(jié)構(gòu)體3以六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案周期性地配置的情況下，例如，它們以結(jié)構(gòu)體3六次對(duì)稱的方位接合。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體3接合為使得它們的底部相互重疊。通過以該方式接合結(jié)構(gòu)體3，可以獲得具有S形狀的折射率分布，并且可以提高結(jié)構(gòu)體3的填充率。結(jié)構(gòu)體優(yōu)選以考慮到折射率的光路長度的使用環(huán)境下的光的波段的最大值的1/4以下的部分來接合。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射特性。適當(dāng)?shù)?，結(jié)構(gòu)體3的高度優(yōu)選相應(yīng)于透射光的波長范圍來設(shè)置。具體地，結(jié)構(gòu)體3 的高度優(yōu)選為使用環(huán)境下的光的波段的最大值的5/14以上且10/7以下，更優(yōu)選為上述最大值的2/5以上且10/7以下，并且進(jìn)一步優(yōu)選為上述最大值的3/7以上且10/7以下。當(dāng)其被設(shè)為最大值的5/14以上時(shí)，在可見光范圍400nm至700nm中的幾乎全部范圍內(nèi)，反射率都被抑制為0. 3%以下。當(dāng)其被設(shè)為最大值的2/5以上時(shí)，在可見光范圍400nm至700nm中的幾乎全部范圍內(nèi)，反射率都被抑制為0. 以下。在上述制造方法中，當(dāng)被設(shè)置為最大值的10/7以下時(shí)，易于形成結(jié)構(gòu)體3。在透射可見光的情況下，結(jié)構(gòu)體3的高度優(yōu)選為IOOnm 至320nm。結(jié)構(gòu)體3的縱橫比(高度H/平均配置間距P)優(yōu)選設(shè)置在0. 2以上且1. 78以下的范圍內(nèi)。作為結(jié)構(gòu)體3的材料，例如優(yōu)選主要包含可由紫外線或電子束固化的電離放射線固化樹脂、或者可通過加熱固化的熱固性樹脂的材料，并且最優(yōu)選主要包含能夠由紫外線固化的紫外線固化樹脂的材料。圖27是示出了結(jié)構(gòu)體的形狀的一個(gè)實(shí)例的放大截面圖。結(jié)構(gòu)體3的側(cè)面優(yōu)選朝向基板2逐漸擴(kuò)大，并且優(yōu)選以繪出圖沈所示的S形曲線的平方根形狀的方式變化。通過該側(cè)面形狀，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射性，并且可以提高結(jié)構(gòu)體3的轉(zhuǎn)印特性。結(jié)構(gòu)體3的頂部3t例如具有平面(平坦)形狀或漸縮至尖端的凸?fàn)?。在結(jié)構(gòu)體3 的頂部3t具有平面形狀的情況下，優(yōu)選使得結(jié)構(gòu)體頂部的平面面積^與單位點(diǎn)陣的面積S 的面積比(St/幻隨著結(jié)構(gòu)體3的高度增加而更小。通過該方式，可以提高導(dǎo)電光學(xué)元件1 的防反射特性。此處，單位點(diǎn)陣?yán)鐬榱近c(diǎn)陣、類六方點(diǎn)陣等。結(jié)構(gòu)體底面的面積比(結(jié)構(gòu)體底面的面積Sb與單位點(diǎn)陣S的面積比(Sb/S))優(yōu)選接近頂部3t的面積比。此外，在結(jié)構(gòu)體3的頂部3t上，可形成折射率比結(jié)構(gòu)體3更低的低折射率層，并且通過形成該低折射率層，可以降低反射率。不包括頂部3t和底部北的結(jié)構(gòu)體3的側(cè)面優(yōu)選包括在從頂部3t至底部北的方向上順次的一對(duì)第一變化點(diǎn)1 和第二變化點(diǎn)此。結(jié)果，結(jié)構(gòu)體3的相對(duì)于深度方向(圖 24A中的-Z軸方向)的有效折射率可以包括一個(gè)拐點(diǎn)。此處，如下定義第一變化點(diǎn)和第二變化點(diǎn)。如圖28A和圖28B所示，當(dāng)結(jié)構(gòu)體3的頂部3t和底部北之間的側(cè)面通過多個(gè)曲面從結(jié)構(gòu)體3的頂部3t至底部北不連續(xù)地接合的方式形成的情況下，接合點(diǎn)為變化點(diǎn)。 變化點(diǎn)對(duì)應(yīng)于拐點(diǎn)。雖然無法在接合點(diǎn)準(zhǔn)確地執(zhí)行微分，但這樣的極限的拐點(diǎn)也稱作拐點(diǎn)。 在結(jié)構(gòu)體3具有上述曲面的情況下，優(yōu)選地，在從結(jié)構(gòu)體3的頂部3t至底部北的斜度從作為界限的第一變化點(diǎn)1 起變得更緩之后，其從作為界限的第二變化點(diǎn)1 起變得更陡。如圖28C所示，當(dāng)結(jié)構(gòu)體3的側(cè)面從頂部3t至底部北通過多個(gè)平滑曲面從結(jié)構(gòu)體3的頂部3t至底部北連續(xù)并平滑地接合的方式形成的情況下，變化點(diǎn)定義如下。如圖 28C所示，曲面上最接近于存在于結(jié)構(gòu)體的側(cè)面上的兩個(gè)拐點(diǎn)上的各切線互相交叉的交點(diǎn)的點(diǎn)稱為變化點(diǎn)。結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選在頂部3t和底部北之間的側(cè)面上包括臺(tái)階U。通過如上所述設(shè)置臺(tái)階M，可以獲得上述折射率曲線。即，結(jié)構(gòu)體3的相對(duì)于深度方向的有效折射率可以朝向基板2逐漸增加，并且能夠改變?yōu)槔L出S形的曲線。作為臺(tái)階，例如采用傾斜臺(tái)階或平行臺(tái)階，并且優(yōu)選傾斜臺(tái)階。這是因?yàn)?，如果臺(tái)階^為傾斜臺(tái)階，能夠獲得比臺(tái)階^為平行臺(tái)階的情況下更好的轉(zhuǎn)印特性。傾斜臺(tái)階表示，其不是平行于基板表面的臺(tái)階，而是以側(cè)面在從結(jié)構(gòu)體3的頂部至底部的方向上伸展的方式傾斜的臺(tái)階。平行臺(tái)階表示平行于基板表面的臺(tái)階。此處，臺(tái)階M為通過上述第一變化點(diǎn)1 和第二變化點(diǎn)1 設(shè)置的部分。應(yīng)注意，假定臺(tái)階M不包括頂部3t的平坦表面以及結(jié)構(gòu)體之間的曲面或平坦表面。從易于形成的角度考慮，結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選具有軸對(duì)稱錐體形狀(除了接合至相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部之外)，或者為通過在軌跡方向上擴(kuò)大或縮小錐體形狀而獲得的錐體形狀。作為錐體形狀，例如可采用圓錐形狀、圓錐臺(tái)形狀、橢圓錐形狀、橢圓錐臺(tái)形狀等。此處，如上所述，除了圓錐形狀和圓錐臺(tái)形狀之外，錐體形狀還概念地包括橢圓錐形狀和橢圓錐臺(tái)形狀。此外，圓錐臺(tái)形狀表示通過截去圓錐形狀的頂部所獲得的形狀，而橢圓錐臺(tái)形狀表示通過截去橢圓錐的頂部獲得的形狀。應(yīng)注意，結(jié)構(gòu)體3的整體形狀不限于這些形狀，并且可以為結(jié)構(gòu)體3的相對(duì)于深度方向的有效折射率朝向基板2逐漸增加并且以S形狀改變的形狀。此外，錐體形狀不僅包括完全的錐體形狀，而是如上所述，還包括在側(cè)面上具有臺(tái)階M 的錐體形狀。具有橢圓錐形狀的結(jié)構(gòu)體3具有包括橢圓形狀、長圓形狀或卵形形狀的錐體結(jié)構(gòu) (其具有包括長軸和短軸的底面)，并且具有包括頂部變窄并漸縮至尖端的凸?fàn)畹慕Y(jié)構(gòu)。具有橢圓錐臺(tái)形狀的結(jié)構(gòu)體3為具有包括橢圓形狀、長圓形狀或卵形形狀的底面(其具有長軸和短軸)的錐體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)體，并且具有作為平坦表面的頂部。在結(jié)構(gòu)體3為圓錐形狀或圓錐臺(tái)形狀的情況下，結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選通過結(jié)構(gòu)體3的底面的長軸方向?yàn)檐壽E延伸方向(X 軸方向)的方式而在基板表面上形成。
結(jié)構(gòu)體3的截面面積在結(jié)構(gòu)體3的深度方向上改變，以對(duì)應(yīng)于上述折射率分布。結(jié)構(gòu)體3的截面面積優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體3的深度方向上單調(diào)遞增。此處，結(jié)構(gòu)體3的截面面積表示與排列有結(jié)構(gòu)體3的基板表面平行的截面面積。結(jié)構(gòu)體的截面面積優(yōu)選在深度方向上變化，以使得在不同深度的位置的結(jié)構(gòu)體3截面面積比率相應(yīng)于上述與該位置對(duì)應(yīng)的有效折射率分布。包括上述臺(tái)階的結(jié)構(gòu)體3例如為使用如下制造的母版、通過形狀轉(zhuǎn)印而獲得的。 即，在制造母版的蝕刻步驟中，適當(dāng)?shù)赝ㄟ^調(diào)整蝕刻處理以及灰化處理的處理時(shí)間，制造具有形成在結(jié)構(gòu)體(凹部)的側(cè)面上的臺(tái)階的母版。根據(jù)第六實(shí)施方式，結(jié)構(gòu)體3具有錐體形狀，并且結(jié)構(gòu)體3的相對(duì)于深度方向的有效折射率朝向基板2逐漸增加，并改變以繪制S形的曲線。結(jié)果，由于結(jié)構(gòu)體3的形狀效果， 對(duì)于光的邊界變得不清晰，因而減少了反射光。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射特性。特別地， 在結(jié)構(gòu)體3的高度大的情況下，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的防反射特性。具體地，在結(jié)構(gòu)體3的高度優(yōu)選為使用環(huán)境下的光的波段的最大值的5/14以上且10/7以下、更優(yōu)選2/5以下且10/7以下、進(jìn)一步優(yōu)選3/7以上且10/7以下的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)特別優(yōu)良的防反射特性。此外，由于相鄰結(jié)構(gòu)體3的底部以底部相互重疊的方式互相接合，所以能夠增加結(jié)構(gòu)體3的填充率， 并且可以容易地形成結(jié)構(gòu)體3。結(jié)構(gòu)體3的相對(duì)于深度方向的有效折射率曲線優(yōu)選以S形狀改變，并且結(jié)構(gòu)體優(yōu)選以(類)六方點(diǎn)陣或(類)四方點(diǎn)陣陣列配置。此外，各個(gè)結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選具有軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，或者通過在軌跡方向上放大或縮小軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)而獲得的結(jié)構(gòu)。此外，相鄰結(jié)構(gòu)體3優(yōu)選在基板附近接合。通過該結(jié)構(gòu)，易于制造防反射結(jié)構(gòu)體，并且可以制造高性能防反射結(jié)構(gòu)體。在使用結(jié)合光盤母版制造處理和蝕刻處理的方法制造導(dǎo)電光學(xué)元件1的情況下， 與通過使用電子束曝光制造導(dǎo)電光學(xué)元件1的情況相比，能夠顯著縮短母版制造處理(曝光時(shí)間)所需的時(shí)間。因此，可以顯著提高導(dǎo)電光學(xué)元件1的生產(chǎn)率。在結(jié)構(gòu)體3的頂部的形狀不是尖銳的而是平面形狀時(shí)，可以提高導(dǎo)電光學(xué)元件1 的耐久性。此外，也可以提高結(jié)構(gòu)體3對(duì)于輥型母版11的剝離特性。在結(jié)構(gòu)體3的臺(tái)階為傾斜臺(tái)階時(shí)，與平行臺(tái)階的情況相比，可以提高轉(zhuǎn)印特性。<7.第七實(shí)施方式>圖四是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。如圖四所示，導(dǎo)電光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同在于，其在基板2上包括透明導(dǎo)電層8，并且在透明導(dǎo)電層8的表面上形成了多個(gè)具有透明導(dǎo)電性的結(jié)構(gòu)體3。透明導(dǎo)電層8包括選自由導(dǎo)電高分子、銀類填料、碳納米管以及ITO粉末組成的組中的至少一種材料。作為導(dǎo)電高分子，例如可以使用導(dǎo)電高分子材料，如聚噻吩類、聚苯胺類、聚吡咯類等， 并且優(yōu)選使用聚噻吩類導(dǎo)電高分子材料。作為聚噻吩類導(dǎo)電高分子材料，優(yōu)選使用通過在 PEDOT (聚乙烯二氧噻吩)中摻雜PSS (聚苯乙烯磺酸鹽)獲得的PED0T/PSS類材料。第七實(shí)施方式能夠?qū)崿F(xiàn)類似于上述第一實(shí)施方式的效果。<8.第八實(shí)施方式>圖30是示出了根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。如圖30所示，導(dǎo)電光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式不同在于，其在與形成有結(jié)構(gòu)體3的一個(gè)主表面(第一主表面)相反的另一主表面(第二主表面)上也具有結(jié)構(gòu)體3。在導(dǎo)電光學(xué)元件1的兩個(gè)主表面上的結(jié)構(gòu)體3的配置圖案、縱橫比等并不需要相同，而是可根據(jù)期望的特性選擇不同的配置圖案、縱橫比等。例如，主表面的配置圖案可為類六方點(diǎn)陣圖案，而另一主表面的配置圖案可為類四方點(diǎn)陣圖案。根據(jù)第七實(shí)施方式，因?yàn)樵诨?的兩個(gè)主表面上都形成了多個(gè)結(jié)構(gòu)體3，所以可以將防光反射的功能賦予導(dǎo)電光學(xué)元件1的光入射表面和光出射表面。結(jié)果，可進(jìn)一步提高光透射特性。<9.第九實(shí)施方式>圖31A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。圖31B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。觸摸板50是所謂的電阻式觸摸板。作為電阻式觸摸板，可以采用模擬電阻式觸摸板和數(shù)字電阻式觸摸板中的任一種。觸摸板50包括第一導(dǎo)電光學(xué)元件51和面向該第一導(dǎo)電光學(xué)元件51的第二導(dǎo)電光學(xué)元件52。第一導(dǎo)電光學(xué)元件51和第二導(dǎo)電光學(xué)元件52通過配置在它們的周邊部分之間的接合單元陽而結(jié)合在一起。對(duì)于結(jié)合單元陽，例如使用粘漿、膠帶等。從提高耐磨損性的角度考慮，觸摸板50優(yōu)選在第一導(dǎo)電光學(xué)元件51的觸摸側(cè)表面上包括硬涂層7。優(yōu)選向硬涂層7的表面賦予耐污性。觸摸板50例如通過結(jié)合層53結(jié)合至顯示裝置M。作為結(jié)合層53的材料，例如可以使用丙烯酸樹脂、橡膠或硅類粘合劑等，而從透光性的角度考慮， 優(yōu)選丙烯酸樹脂粘合劑。(顯示裝置)作為顯示裝置M，例如可以使用各種顯示裝置，如液晶顯示器、CRT(陰極射線管)顯示器、等離子體顯示器(Plasma Display Panel :PDP)、電致發(fā)光(Electro Luminescence :EL)顯示器、表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)身寸顯示器(Surface-conduction Electron-emitter Display :SED)(導(dǎo)電光學(xué)元件)作為第一導(dǎo)電光學(xué)元件51和第二導(dǎo)電光學(xué)元件52中的至少一個(gè)，使用根據(jù)第一至第七實(shí)施方式中的任何一種導(dǎo)電光學(xué)元件1。在使用根據(jù)第一至第七實(shí)施方式中的任何一種導(dǎo)電光學(xué)元件1作為兩個(gè)導(dǎo)電光學(xué)元件的情況下，作為兩個(gè)導(dǎo)電光學(xué)元件，可使用根據(jù)不同實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1。第一導(dǎo)電光學(xué)元件51包括第一基板2，該第一基板具有面對(duì)第二導(dǎo)電光學(xué)元件52 的對(duì)向表面；以及第一透明導(dǎo)電膜4，其形成在第一基板2的對(duì)向表面上。第二導(dǎo)電光學(xué)元件52包括第二基板2，該第二基板具有面對(duì)第一導(dǎo)電光學(xué)元件51的對(duì)向表面；以及第二透明導(dǎo)電膜4，其形成在第二基板的對(duì)向表面上。在第一和第二基板2的對(duì)向表面中的至少一個(gè)上，形成通過凸部或凹部以小于等于可見光的波長的微小間距構(gòu)成的多個(gè)結(jié)構(gòu)體3。從防反射特性和透射特性的角度考慮，優(yōu)選在兩個(gè)導(dǎo)電光學(xué)元件上都形成結(jié)構(gòu)體3。在結(jié)構(gòu)體3 上形成的第一或第二透明導(dǎo)電膜4具有模仿結(jié)構(gòu)體3的形狀的形狀。根據(jù)第九實(shí)施方式，由于在第一導(dǎo)電光學(xué)元件51和第二導(dǎo)電光學(xué)元件52的對(duì)向表面中的至少一個(gè)上形成了多個(gè)結(jié)構(gòu)體3，所以可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良的防反射特性和透射特性的觸摸板50。因此，可以提高顯示裝置M的可視性。特別地，可以提高在室外顯示裝置 54的可視性。(修改例)圖32A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的修改例的透視圖。圖32B 是示出了根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的觸摸板的修改例的截面圖。觸摸板50優(yōu)選包括通過結(jié)合層60等結(jié)合至第一導(dǎo)電光學(xué)元件51的觸摸側(cè)表面的偏光器58。在以該方式設(shè)置偏光器58的情況下，作為第一導(dǎo)電光學(xué)元件51和第二導(dǎo)電光學(xué)元件52的基板2，優(yōu)選使用λ/4相位差膜。通過以該方式使用偏光器58和作為λ/4 相位差膜的基板2，可以降低反射率，并且可以增加可視性。在第一導(dǎo)電光學(xué)元件51的觸摸側(cè)表面上，優(yōu)選形成單層或多層的防反射層(未示出)。這是因?yàn)榭梢越档头瓷渎?，并且可以增加可視性。此外，在第一?dǎo)電光學(xué)元件51的觸摸側(cè)表面上，可進(jìn)一步設(shè)置通過結(jié)合層61等結(jié)合在一起的前面板(表面構(gòu)件)59。在前面板59的兩個(gè)主表面中的至少一個(gè)上，類似于第一導(dǎo)電光學(xué)元件51，可形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體3。 此外，可通過結(jié)合層57將玻璃基板56結(jié)合至第二導(dǎo)電光學(xué)元件52的結(jié)合至顯示裝置M 等的表面上。在第一導(dǎo)電光學(xué)元件51和第二導(dǎo)電光學(xué)元件52中至少一個(gè)的周邊部分上，也優(yōu)選形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體3。這是因?yàn)?，由于固著效?yīng)(anchor effect)，可以提高第一導(dǎo)電光學(xué)元件51或第二導(dǎo)電光學(xué)元件52與結(jié)合層55之間的緊密接觸特性。
此外，在第二導(dǎo)電光學(xué)元件52結(jié)合顯示裝置M等的表面上，也優(yōu)選形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體3。這是因?yàn)?，由于多個(gè)結(jié)構(gòu)體3的固著效應(yīng)，所以可以提高觸摸板50和結(jié)合層53之間的粘附性。<10.第十實(shí)施方式〉圖33A是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的透視圖。圖3 是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。第十實(shí)施方式與第九實(shí)施方式的不同在于，對(duì)于作為接觸表面?zhèn)鹊牡谝粚?dǎo)電光學(xué)元件51，根據(jù)第八實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1。作為在顯示裝置M側(cè)的第二導(dǎo)電光學(xué)元件52，也優(yōu)選設(shè)置根據(jù)第八實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)元件1。這是因?yàn)?，可以提高觸摸板50和結(jié)合層53之間的緊密接觸性。根據(jù)第十實(shí)施方式，由于多個(gè)結(jié)構(gòu)體3也在第一導(dǎo)電光學(xué)元件51的觸摸表面?zhèn)壬闲纬?，所以能夠?qū)崿F(xiàn)比第九實(shí)施方式更好的優(yōu)良的防反射特性和透射特性。優(yōu)選這樣的結(jié)構(gòu)，其中，在形成有多個(gè)結(jié)構(gòu)體3的基板2的凹凸表面上，形成諸如透明導(dǎo)電膜4的導(dǎo)電膜、具有高導(dǎo)電性的金屬膜、或金屬膜5和透明導(dǎo)電膜4的層壓膜。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)體3的設(shè)計(jì)及導(dǎo)電膜的膜厚，實(shí)現(xiàn)低反射特性和高透射特性，并且能夠?qū)崿F(xiàn)期望的電阻。例如，通過調(diào)整結(jié)構(gòu)體3的縱橫比以及透明導(dǎo)電膜的膜厚等，可以將導(dǎo)電光學(xué)元件1的表面電阻控制在幾百Ω/ □至幾千Ω/ □的大表面電阻范圍內(nèi)。此外，在保持上述表面電阻的范圍的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)低反射特性和高透射特性。因此，可以抑制由于安裝觸摸板所導(dǎo)致的顯示裝置的顯示質(zhì)量下降。在形成導(dǎo)電膜的配線的諸如數(shù)字式電阻式觸摸板或靜電式觸摸板的傳統(tǒng)的觸摸板中，由于導(dǎo)電膜和基板的反射率彼此不同，所以導(dǎo)電膜的配線可見，并且顯示裝置的顯示質(zhì)量可能降低。相反，根據(jù)第一實(shí)施方式的觸摸板，不管導(dǎo)電膜是否存在，由于實(shí)現(xiàn)低反射特性和高透射特性，所以配線不可見，或者配線不明顯可見得足以將其忽視。<11.第i^一實(shí)施方式〉圖34是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例的截面圖。如圖；34所示，液晶顯示裝置70包括液晶面板(液晶單元)和觸摸板50，該液晶面板包括第一和第二主表面、形成在第一主表面上的第一偏光器72、形成在第二主表面上的第二偏光器73，該觸摸板配置在液晶面板71和第一偏光器72之間。觸摸板50為液晶顯示器集成型觸摸板(稱為內(nèi)部觸摸板)。(液晶面板)作為液晶面板71，例如可以使用采用諸如扭轉(zhuǎn)向列(Twisted Nematic :TN)模式、超扭轉(zhuǎn)向列(Super Twisted Nematic :STN)模式、垂直取向(VerticallyAligned VA)模式、平行陣列(IN-Plane Switching =IPS)模式、光學(xué)補(bǔ)償彎曲取向(Optically Compensated Birefringence :0CB)模式、鐵電(Ferroelectric Liquid Crystal :FLC)模式、高分子分散型液晶(PolymerDispersed Liquid Crystal =PDLC)或相變賓主(Phase Change Guest Host =PCGH)模式的顯示模式的液晶面板。(偏光器)第一偏光器72和第二偏光器73通過結(jié)合層74、75以它們的透射軸彼此正交的方式結(jié)合至液晶面板71的第一和第二主表面。第一偏光器72和第二偏光器73使入射光的一種正交偏光分量透過，并且通過吸收而截止另一分量。作為第一偏光器72和第二偏光器73，例如，可以使用在聚乙烯醇(PVA)類膜上以單軸方向排列的碘絡(luò)合物或二色性染料的偏光器。在第一偏光器72和第二偏光器73的兩個(gè)表面上，優(yōu)選設(shè)置諸如三醋酸纖維素 (TAC)膜的保護(hù)層。(觸摸板)作為觸摸板50，可以使用類似于第九或第十實(shí)施方式的觸摸板。根據(jù)第十一實(shí)施方式，采用了這樣的結(jié)構(gòu)，其中偏光器72由液晶面板71和觸摸板 50所共用，因此可以提高光學(xué)性質(zhì)。實(shí)施例下文中，將通過實(shí)施例具體描述本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。(高度H、平均配置間距P、縱橫比)在以下實(shí)施例中，如下獲得導(dǎo)電光學(xué)片的結(jié)構(gòu)體的高度H、配置間距P和縱橫比。首先，在未形成ITO膜的狀態(tài)中，通過原子力顯微鏡(AFM =AtomicForce Microscope)拍攝光學(xué)片的表面形狀的照片。然后，基于拍攝的AFM圖像及其截面輪廓，獲得結(jié)構(gòu)體的配置間距P1、配置間距P2以及高度H。對(duì)于從光學(xué)片隨機(jī)選擇的十個(gè)位置重復(fù)執(zhí)行這些測(cè)量，測(cè)得的值經(jīng)簡(jiǎn)單平均(算術(shù)平均)從而獲得平均配置間距P1、平均配置間距P2和平均高度H，并且這些平均值分別被用作為配置間距P1、配置間距P2和高度H。然后，通過使用這些(平均)配置間距P1、(平均)配置間距P2和(平均)高度H，獲得了縱橫比(=高度H/平均配置間距P)。此處，平均配置間距P = (Pl+P2+P3)/3。在以下實(shí)施例中，如下獲得透明導(dǎo)電膜的膜厚。首先，切割導(dǎo)電光學(xué)片，以包括結(jié)構(gòu)體的頂部，通過透射電子顯微鏡(TEM Transmission Electron Microscope)拍攝截面照片，并且基于拍攝的TEM照片，測(cè)量結(jié)構(gòu)體頂部的透明導(dǎo)電膜的膜厚。對(duì)于從導(dǎo)電光學(xué)片隨機(jī)選取的十個(gè)位置重復(fù)執(zhí)行測(cè)量，測(cè)得值經(jīng)簡(jiǎn)單平均(算術(shù)平均)從而獲得平均膜厚，并且將該平均膜厚作為透明導(dǎo)電膜的膜厚。<1.導(dǎo)電光學(xué)片的光學(xué)性質(zhì)〉(實(shí)施例1)首先，制備具有U6nm外徑的玻璃輥型母版，并且如下將抗蝕層附著至玻璃輥型母版的表面。即，用稀釋劑將光致抗蝕劑稀釋至1/10，并且通過浸漬法將稀釋的抗蝕劑以大約70nm的厚度涂在玻璃輥型母版的圓柱表面上，由此附著了抗蝕層。然后，通過將作為記錄介質(zhì)的玻璃輥型母版運(yùn)送至圖11所示的輥型母版曝光裝置，并且將抗蝕層曝光，在抗蝕層上圖案化形成了作為一個(gè)螺旋連續(xù)并且在三列相鄰軌跡中形成六方點(diǎn)陣圖案的潛像圖案。具體地，用具有0. 50mW/m功率的激光照射要形成六方點(diǎn)陣曝光圖案的區(qū)域，其中玻璃輥型母版表面通過該激光曝光以形成凹狀六方點(diǎn)陣曝光圖案。應(yīng)注意，在軌跡列的列方向上的抗蝕層的厚度大約為60nm，而在軌跡延伸方向上的抗蝕層厚度大約為50nm。然后，對(duì)玻璃輥型母版的抗蝕層執(zhí)行顯影處理，并且曝光部分的抗蝕層溶解從而執(zhí)行顯影。具體地，在未示出的顯影機(jī)器的轉(zhuǎn)臺(tái)上安裝未顯影的玻璃輥型母版，并且在將其與轉(zhuǎn)臺(tái)一起旋轉(zhuǎn)時(shí)，將顯影劑滴加在玻璃輥型母版的表面上，從而將表面的抗蝕層顯影。結(jié)果，獲得了抗蝕層具有六方點(diǎn)陣圖案的開口的抗蝕玻璃母版。然后，通過使用輥型蝕刻設(shè)備，在CHF3氣氛環(huán)境中執(zhí)行等離子體蝕刻。結(jié)果，在玻璃輥型母版的表面上，僅在從抗蝕層露出的六方點(diǎn)陣圖案部分中進(jìn)行蝕刻，而不在抗蝕層起掩模作用的其他區(qū)域進(jìn)行蝕刻，并且在玻璃輥型母版上形成橢圓錐形狀的凹部。在該情況下，由蝕刻時(shí)間期間調(diào)整蝕刻量(深度)。最后，通過由02灰化完全除去抗蝕層，獲得具有凹狀六方點(diǎn)陣圖案的蛾眼玻璃輥型母版。在列方向上的凹部的深度比在軌跡延伸方向上的凹部的深度更大。然后，上述蛾眼玻璃輥型母版和涂有紫外線固化樹脂的TAC (三醋酸纖維素)片相互緊密接觸，并且在它們被紫外線照射并固化時(shí)剝離。結(jié)果，獲得了在一個(gè)主表面上排列多個(gè)結(jié)構(gòu)體的光學(xué)片。光學(xué)片上的結(jié)構(gòu)體的高度H為170nm，配置間距為270nm，并且縱橫比為0. 63。然后通過濺射方法，在結(jié)構(gòu)體上形成具有20nm膜厚的ITO膜。通過上述方式，制造了所需的導(dǎo)電光學(xué)片。(實(shí)施例2)除了調(diào)整曝光步驟和蝕刻步驟的條件，結(jié)構(gòu)體高度H為200nm、配置間距為240nm、 并且縱橫比為0. 83以外，類似于實(shí)施例1來制造導(dǎo)電光學(xué)片。(實(shí)施例3)除了調(diào)整曝光步驟和蝕刻步驟的條件，結(jié)構(gòu)體高度H為^Onm、配置間距為250nm、 并且縱橫比為1. 12以外，類似于實(shí)施例1來制造導(dǎo)電光學(xué)片。(表面電阻的評(píng)價(jià))如上所述制造的導(dǎo)電光學(xué)片的表面電阻由四端子法測(cè)量。圖35示出表面電阻和 ITO膜厚之間的關(guān)系。(透射率的評(píng)價(jià))如上所述制造的導(dǎo)電光學(xué)片的透射率通過使用JASCO Corporation制造的評(píng)價(jià)設(shè)備(V-550)來評(píng)價(jià)。結(jié)果如圖36所示。(透明導(dǎo)電膜的狀態(tài)評(píng)價(jià))如下評(píng)價(jià)如上所述制造的導(dǎo)電光學(xué)片的導(dǎo)電膜的狀態(tài)。首先，切割光學(xué)導(dǎo)電片，并且通過使用透射電子顯微鏡(TEM)觀察其截面。此外基于以下基準(zhǔn)，評(píng)價(jià)ITO膜的膜形成狀態(tài)。0 =ITO膜模仿TAC膜的凹凸表面形成。X =ITO膜未模仿TAC膜的凹凸表面形成。表1示出了根據(jù)實(shí)施例1至3的導(dǎo)電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)。[表 1]
透明導(dǎo)電平板換算配置間距尚度縱橫表面電阻導(dǎo)電膜層的材料膜厚[nm]P[nm]H[nm]比(Ω/α)的狀態(tài)實(shí)施例1ITO202701700.63500O實(shí)施例2ITO202402000.83700O實(shí)施例3ITO202502801.121800O 參考表1和圖35，應(yīng)理解，通過在0. 63至1. 12的范圍內(nèi)改變結(jié)構(gòu)體的縱橫比，能夠?qū)崿F(xiàn)300 Ω / □至2000 Ω / □的大范圍的表面電阻。參考表1和圖36，應(yīng)理解，通過使ITO膜具有模仿TAC膜的凹凸表面的形狀，雖然在導(dǎo)電光學(xué)片的一個(gè)主表面上形成了透明導(dǎo)電膜，但可以抑制反射率的增加，并且可以獲得大約95%的高透射率。如上所述，通過在0. 63至1. 12的范圍內(nèi)改變結(jié)構(gòu)體的縱橫比，并且通過引起ITO 膜具有模仿TAC膜的凹凸表面的形狀，可以實(shí)現(xiàn)300 Ω / □至2000 Ω / □的大范圍的表面電阻，并且可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的透射特性。(實(shí)施例4)首先，類似于實(shí)施例1來制造光學(xué)片，只是調(diào)整曝光步驟和蝕刻步驟的條件，且結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。配置圖案六方點(diǎn)陣圖案配置間距P:270nm高度 H:170nm縱橫比0.63然后，通過濺射方法，在光學(xué)片的凹凸表面上形成透明導(dǎo)電膜，從而制造導(dǎo)電光學(xué)
片。以下，示出了透明導(dǎo)電膜的膜形成條件。
輸入功率:3kff
膜厚32. 50nm
(實(shí)施例5)
類似于實(shí)施例4來制造光學(xué)片，只是結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。
配置圖案六方點(diǎn)陣圖案
配置間距P :240nm
高度 H :150nm
縱橫比0. 63
(實(shí)施例6)
類似于實(shí)施例4來制造光學(xué)片，只是結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。
配置圖案六方點(diǎn)陣圖案
配置間距P :240nm
高度 H :200nm
縱橫比0. 83
(實(shí)施例7)
類似于實(shí)施例4來制造光學(xué)片，只是結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。
配置圖案六方點(diǎn)陣圖案
配置間距P :225nm
高度 H :240nm
縱橫比:1.07
(實(shí)施例8)
類似于實(shí)施例4來制造光學(xué)片，只是結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。
配置圖案六方點(diǎn)陣圖案
配置間距P:270nm高度 H:170nm縱橫比0.63然后，通過濺射方法，在光學(xué)片的凹凸表面上形成透明導(dǎo)電膜，從而制造導(dǎo)電光學(xué)片。以下，示出了透明導(dǎo)電膜的膜形成條件。輸入功率3kW膜厚43. 50nm(實(shí)施例9)類似于實(shí)施例8來制造光學(xué)片，只是結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。配置圖案六方點(diǎn)陣圖案配置間距P:240nm高度 H:150nm縱橫比0.63(實(shí)施例10)類似于實(shí)施例4來制造光學(xué)片，只是結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。配置圖案六方點(diǎn)陣圖案配置間距P:250nm, ] H :320nm縱橫比1.28然后，通過濺射方法，在光學(xué)片的凹凸表面上形成透明導(dǎo)電膜，從而制造導(dǎo)電光學(xué)片。以下，示出了透明導(dǎo)電膜的膜形成條件。輸入功率4kW膜厚56.96nm(實(shí)施例11)類似于實(shí)施例4來制造光學(xué)片，只是結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)為如下。配置圖案六方點(diǎn)陣圖案配置間距P:270nm高度 H:300nm縱橫比1.11 然后，通過濺射方法，在光學(xué)片的凹凸表面上形成透明導(dǎo)電膜，從而制造導(dǎo)電光學(xué)片。以下，示出了透明導(dǎo)電膜的膜形成條件。輸入功率4kW膜厚42.72nm(表面電阻)如上所述制造的導(dǎo)電光學(xué)片的表面電阻通過四端子法測(cè)量。然后，獲得通過以 30nm膜厚將所測(cè)得的表面電阻標(biāo)準(zhǔn)化而獲得的值。然后，獲得膜厚和表面電阻的乘積。結(jié)果如表2所示。圖37示出了實(shí)施例4至11的導(dǎo)電光學(xué)片的“ΙΤ0膜厚X表面電阻”與“縱橫比”之間的關(guān)系。圖38示出了當(dāng)ITO膜的膜厚被換算為30nm時(shí)，實(shí)施例4至11的導(dǎo)電光學(xué)片的“ΙΤ0膜厚X表面電阻”與“縱橫比”之間的關(guān)系。
表2示出了實(shí)施例4至11的導(dǎo)電光學(xué)片的結(jié)構(gòu)和評(píng)價(jià)結(jié)果。表權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電光學(xué)元件，具有防反射功能，包括 基板，具有表面；多個(gè)結(jié)構(gòu)體，以小于等于可見光的波長的微小間距配置在所述基板的表面上；以及透明導(dǎo)電膜，形成在所述結(jié)構(gòu)體上，其中， 所述透明導(dǎo)電膜具有模仿所述結(jié)構(gòu)體的形狀的形狀， 所述結(jié)構(gòu)體的縱橫比為0. 2以上且1. 28以下，以及所述透明導(dǎo)電膜的膜厚為9nm以上且50nm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中，所述透明導(dǎo)電膜的表面電阻為100 Ω / □以上且5000 Ω / □以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中， 所述透明導(dǎo)電膜包含銦錫氧化物或鋅氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中， 所述透明導(dǎo)電膜處于非晶和多晶的混合狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中，滿足關(guān)系Dl > D3 > D2，其中在所述結(jié)構(gòu)體的頂部的膜厚是D1，在所述結(jié)構(gòu)體的斜面的膜厚是D2，在所述結(jié)構(gòu)體之間的膜厚是D3，以及在所述結(jié)構(gòu)體的斜面的膜厚D2為9nm以上且30nm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中，在所述結(jié)構(gòu)體的頂部的透明導(dǎo)電膜的膜厚Dl在25nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)， 在所述結(jié)構(gòu)體的斜面的透明導(dǎo)電膜的膜厚D2在9nm以上且30nm以下的范圍內(nèi)，以及在所述結(jié)構(gòu)體之間的透明導(dǎo)電膜的膜厚D3在9nm以上且50nm以下的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，還包括 導(dǎo)電膜，形成在所述結(jié)構(gòu)體上，其中，所述導(dǎo)電膜包括具有高導(dǎo)電性的金屬類材料，并且具有模仿所述結(jié)構(gòu)體的形狀的形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中，所述金屬包括選自由Ag、Pt、Al、Au和Cu組成的組中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中，所述結(jié)構(gòu)體被配置為在所述基板的所述表面上形成多個(gè)軌跡，并且形成六方點(diǎn)陣圖案、類六方點(diǎn)陣圖案、四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案，以及所述結(jié)構(gòu)體具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀，所述橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀具有沿所述軌跡的延伸方向的長軸方向。
10.一種導(dǎo)電光學(xué)元件，包括 基板，具有表面；以及透明導(dǎo)電層，形成在所述基板的表面上，其中，所述透明導(dǎo)電層具有這樣的表面，多個(gè)結(jié)構(gòu)體以小于等于可見光的波長的微小間距形成在所述表面上，以及所述結(jié)構(gòu)體具有透明導(dǎo)電性。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電光學(xué)元件，其中，所述透明導(dǎo)電層和所述結(jié)構(gòu)體包括選自由導(dǎo)電高分子、銀類填料、碳納米管以及銦錫氧化物粉末組成的組中的至少一種材料。
全文摘要
本發(fā)明提供了能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍的表面電阻，并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的透射特性的導(dǎo)電光學(xué)元件。該導(dǎo)電光學(xué)元件包括基板，具有表面；多個(gè)結(jié)構(gòu)體，以小于等于可見光的波長的微小間距配置在基板的表面上；以及透明導(dǎo)電膜，形成在結(jié)構(gòu)體上。透明導(dǎo)電膜具有模仿結(jié)構(gòu)體的形狀的形狀。結(jié)構(gòu)體的縱橫比為0.2以上且1.28以下，并且透明導(dǎo)電膜的膜厚為9nm以上且50nm以下。
文檔編號(hào)G02B1/11GK102326137SQ20108000859
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者林部和彌, 梶谷俊一, 遠(yuǎn)藤惣銘 申請(qǐng)人:索尼公司