專利名稱：雙股電纜和并入雙股電纜的8字形緊套電纜和分叉電纜的制作方法
技術領域：
本公開一般涉及光纖雙股電纜和包括多模光纖的組件。
背景技術：
隨著光學網絡(諸如，數據中心)部署的日新月異，需要提高光纖組件的性能、可 管理性、彎曲容限、可操縱性和柔韌性，一般來講，所述光纖組件諸如電纜、電纜組件和網絡元件。不同于長距離的應用，數據中心等通常使用多模光纖而不是單模光纖。因為多模光纖具有相對較大的芯，所以多模光纖較單模光纖而言對引起光學衰減的事件更敏感，所述單模光纖具有較小的芯。在數據中心應用中，較大體積的電纜限制數據中心裝備間的氣流，從而提高了數據中心的冷卻成本。較小的雙股電纜可以用來增加數據容量，而不會不適當地增加冷卻成本。一種傳統(tǒng)雙股電纜具有一對光纖，所述光纖設置于電纜腔體中。然而，光纖可以變?yōu)槔p繞在一起，從而引起衰減損失。另一種雙股電纜(即，“8字形緊套”電纜)包括一個光纖，所述光纖處于電纜的每一個單腳件中。8字形緊套電纜具有相對較大的橫截面，盡管所述電纜用來傳輸數據的容量已給定。第三種傳統(tǒng)雙股電纜具有捆綁成帶狀的兩個光纖。然而，帶狀化的光纖可能難以彼此分離以供接頭連接。

發(fā)明內容
根據一個實施方式，一種雙股電纜包括聚合物護套；一對光波導管，所述光波導管處于護套中；以及應變消除元件，所述應變消除元件封閉于護套內且接觸光波導管。電纜可以具有較低△衰減，以使得當環(huán)繞5. 8mm心軸包覆電纜四次時，由包覆造成的△衰減在1300nm處和在850nm處皆小于I. Odb。根據一個方面，應變消除元件可以包括多個可拉伸紗，從而允許光纖在電纜護套的內部內來回移動，以便減小光纖上的彎曲應力?？衫旒喍堕_且填充電纜空閑空間，但不至于到可拉伸紗不適當地限制光纖移動的程度，所述可拉伸紗可能沒有被搓成股。電纜護套內部的空閑空間可能占據電纜截面面積的至少13%。根據另一個實施方式，根據本發(fā)明實施方式的多個雙股電纜可以封閉于護套中，以形成分叉電纜。根據又一個實施方式，根據本發(fā)明實施方式的一對雙股電纜可以由網狀物接合，以形成8字形緊套電纜。通過參照下列附圖閱讀實施方式的以下詳細說明，本領域技術人員將認識到上述優(yōu)點和其它優(yōu)點以及各種額外實施方式的益處。


下文參照圖更詳細地闡釋了本發(fā)明實施方式，所述圖示出了示范性實施方式。圖I為本文中所公開的多模光纖的示范性實施方式中玻璃部分的橫截面的折射率分布示意圖(未按比例繪制)，其中低折射率環(huán)形部分與芯偏移且由外環(huán)形部分環(huán)繞。圖2為圖I的光波導光纖的橫截面圖的示意圖(未按比例繪制)。圖3為根據第一實施方式的雙股電纜的橫截面圖。圖4為各種電纜在繞心軸包覆時在850nm和1300nm處的A衰減繪圖，所述心軸的彎曲半徑為5. 8mm。圖5為圖3的電纜和傳統(tǒng)8字形緊套電纜在跨壓測試中的抗壓性繪圖。
圖6圖示圖3的電纜,所述電纜接頭連接至LC Duplex Uniboot連接器。圖7為并入多個雙股電纜的分叉電纜的橫截面圖。圖8為8字形緊套電纜的橫截面圖。
具體實施例方式在下文中，現將參照附圖更全面地描述實施方式，在所述附圖中圖示了示范性實施方式。然而，本公開的實施可以體現為許多不同形式，而不應該理解為限于本文中所闡述的實施方式。提供示范性實施方式，以使本公開將既透徹又完整，并且本公開將全面表達權利要求書的范圍且使本領域的普通技術人員能夠制造、使用且實施示范性實施方式。在各種附圖中，相同的元件符號代表相同的構件。本發(fā)明公開了多模光纖電纜和其它組件，所述多模光纖電纜和其它組件具有抗巨大彎曲的光纖。因為多模組件保留且提供了傳統(tǒng)多模光纖組件不可獲得的光學性能，所以所述多模組件為有利的。本文中所公開的多模光纖組件為高階模式提供了穩(wěn)定性，所述高階模式即使在較短長度中也不穩(wěn)定。一般來說，由多模光纖組件傳輸的高階模式對巨大彎曲和/或其它擾動更敏感。例如，所公開的多模光纖組件較傳統(tǒng)多模光纖組件而言提供了改進的性能。因而，本文中所公開的多模組件允許安裝、布線、松弛存儲、較高密度等的攻擊性彎曲，進而允許技工和未經訓練的個人進行粗糙安裝。多模光纖組件包括多模光纖帶、光纖跨接件(諸如，單或雙互連電纜和跨接件以及較高光纖數跨接組件)、模塊、光纖軟導線、具有一或更多個硬化連接器的組件等。圖I圖示多模光纖100的實施方式中玻璃部分的橫截面的折射率分布示意圖，所述多模光纖100包括玻璃芯20和玻璃包層200，所述包層包括內環(huán)形部分30、低折射率環(huán)形部分50和外環(huán)形部分60。圖2為圖I的光波導光纖的橫截面圖的示意圖(未按比例繪制)。芯20具有外半徑Rl和最大折射率A，g卩，A 1MAX。內環(huán)形部分30具有寬度W2和外半徑R2。低折射率環(huán)形部分50具有最小折射率A百分比A3MIN、寬度W3和外半徑R3。低折射率環(huán)形部分50圖示為被內環(huán)形部分30偏移或隔離于芯20。環(huán)形部分50環(huán)繞且接觸內環(huán)形部分30。外環(huán)形部分60環(huán)繞且接觸環(huán)形部分50。覆層200由至少一個涂層210環(huán)繞，在一些實施方式中，涂層210可以包括低模量主要涂層和高模量次要涂層。內環(huán)形部分30的折射率分布A 2 (r)具有最大相對折射率A 2MAX和最小相對折射率A 2MIN，其中在一些實施方式中，A2MAX= A 2MIN。低折射率環(huán)形部分50的折射率分布A3(r)具有最小相對折射率A3MIN。外環(huán)形部分60的折射率分布A4(r)具有最大相對折射率A 4MAX和最小相對折射率A 4MIN，其中在一些實施方式中，A 4MAX = A4MIN。優(yōu)選地，A IMAX > A 2MAX > A 3MIN。在一些實施方式中，內環(huán)形部分30具有大體上恒定的折射率分布，如圖I所圖示，所述折射率分布具有常數A2(r);在這些實施方式的一些實施方式中，A2(r) =0%。在一些實施方式中，外環(huán)形部分60具有大體上恒定的折射率分布，如圖I所圖示，所述折射率分布具有常數A4(r);在這些實施方式的一些實施方式中，A4(r) =0%。芯20具有完全正的折射率分布，其中A l(r) >0%。Rl被定義為半徑，在所述半徑下芯的折射率A首先達到數值0.05%，從而從中線向外輻射。優(yōu)選地，芯20大體上不含有氟，并且更優(yōu)選地，芯20不含有氟。在一些實施方式中，優(yōu)選地，內環(huán)形部分30的相對折射率分布A2(r)具有小于0.05%的最大絕對幅度，并且A2MAX<0.05%且A2MIN > -0. 05%，并且低折射率環(huán)形部分50開始于包層的相對折射率首先達到數值小于-0. 05%處,從而從中線向外福射。在一些實施方式中,夕卜環(huán)形部分60的相對折射率分布A4(r)具有小于0. 05%的最大絕對幅度，并且A4MAX < 0. 05%且A 4MIN > -0. 05%，并 且低折射率環(huán)形部分50結束于包層的相對折射率首先達到數值大于-0. 05%處，從而從發(fā)現A3MIN處的半徑向外輻射。抗彎曲多模光纖可以包括漸變折射率芯區(qū)和包層區(qū)，所述包層區(qū)環(huán)繞且直接鄰接于芯區(qū)，所述包層區(qū)包括低折射率環(huán)形部分，所述低折射率環(huán)形部分相對于包層的另一個部分而言包括低相對折射率。優(yōu)選地，包層的低折射率環(huán)形部分與芯間隔開來。優(yōu)選地，芯的折射率分布具有拋物線或大體上彎曲的形狀。低折射率環(huán)形部分可以(例如)包括a)包括多個空隙的玻璃，或b)摻雜有一或更多個減少摻雜劑(諸如，單獨的氟、硼或氟、硼的混合物)的玻璃。低折射率環(huán)形部分可以具有小于約-0. 2%的折射率A和至少約I微米的寬度，其中低折射率環(huán)形部分與所述芯間隔至少約0. 5微米。在一些實施方式中，抗彎曲多模光纖包括具有空隙的包層，在一些優(yōu)選實施方式中，空隙非周期性地位于低折射率環(huán)形部分內?！胺侵芷谛缘匚挥凇币馑贾福绻厝」饫w的橫截面(諸如，垂直于縱軸的橫截面)，那么在光纖中的一部分上(例如，在低折射率環(huán)形區(qū)內)會隨機地或非周期性地分布非周期性設置的空隙。在沿光纖長度的不同點處截取的類似橫截面將展現隨機分布的不同橫截面孔圖案，即，各種橫截面將具有不同孔圖案，其中對于每一個此類橫截面來說空隙的分布和空隙的大小不會正好匹配。也就是說，空隙為非周期性的，即，空隙不會周期性地設置于光纖結構內。這些空隙沿光纖長度(即，通常平行于縱軸)拉伸(拉長)，但是這些空隙不會使整個光纖的整個長度延伸達到傳輸光纖的典型長度。據信，空隙沿光纖長度延伸小于約20米的距離，更優(yōu)選地為延伸小于約10米的距離，甚至更優(yōu)選地為延伸小于約5米的距離，且在一些實施方式中，為延伸小于I米的距離。本文中所公開的多模光纖展現出極低的彎曲誘發(fā)衰減，尤其為極低的大彎曲誘發(fā)衰減。在一些實施方式中，在芯中較低的最大相對折射率提供了較高帶寬，同時還提供了較低彎曲損失。因而，多模光纖可以包括漸變折射率玻璃芯；并且內部包層環(huán)繞且接觸芯，且第二包層包括低折射率環(huán)形部分，所述低折射率環(huán)形部分環(huán)繞內部包層，所述低折射率環(huán)形部分具有小于約-0.2%的折射率△和至少I微米的寬度，其中所述內部包層的寬度為至少約0. 5微米且光纖進一步展現I圈、IOmm直徑心軸包覆衰減增加小于或等于約0. 4分貝/圈(在850nm處)，數值孔徑(NA)大于0. 14，更優(yōu)選地為NA大于0. 17，甚至更優(yōu)選地為NA大于0. 18且最優(yōu)選地為NA大于0. 185，并且過度填滿帶寬大于I. 5GHz_km (在850nm處)。舉例來說，多模光纖100的數值孔徑介于約0. 185與約0. 215之間?？梢灾圃?0微米直徑芯多模光纖，從而提供過度填滿(overfilled ；0FL)帶寬大于I. 5GHz-km,更優(yōu)選地為大于2. OGHz-km,甚至更優(yōu)選地為大于3. OGHz-km且最優(yōu)選地為大于4. OGHz-km(在850nm波長處)。舉例來說,可以實現這些較高帶寬同時仍然保持I圈、IOmm直徑心軸包覆衰減增加小于0. 5dB (在850nm波長處)，更優(yōu)選地為小于0. 3dB,甚至更優(yōu)選地為小于0. 2dB且最優(yōu)選地為小于0. 15dB。還可以實現這些較高帶寬同時還保持I圈、20mm直徑心軸包覆衰減增加小于0. 2dB (在850nm波長處)，更優(yōu)選地為小于0. IdB且最優(yōu)選地為小于0. 05dB,并且I圈、15mm直徑 心軸包覆衰減增加小于0. 2dB (在850nm波長處)，優(yōu)選地為小于0. IdB且更優(yōu)選地為小于0.05dB。此類光纖進一步能夠提供數值孔徑(NA)大于0. 17，更優(yōu)選地為NA大于0. 18且最優(yōu)選地為NA大于0. 185。同時，此類光纖進一步能夠展現OFL帶寬大于約500MHz-km(在1300nm處)，更優(yōu)選地為大于約600MHz_km，甚至更優(yōu)選地為大于約700MHz-km。同時，此類光纖進一步能夠展現最小計算有效模型帶寬(minimum calculated effective modal bandwidth ；Min EMBc)帶寬大于約 L 5MHz_km,更優(yōu)選地為大于約I. 8MHz-km且最優(yōu)選地為大于約2. OMHz-km(在850nm處)。優(yōu)選地，本文中所公開的多模光纖展現光譜衰減小于3dB/km(在850nm處)，優(yōu)選地為小于2. 5dB/km(在850nm處)，甚至更優(yōu)選地為小于2. 4dB/km(在850nm處)且更優(yōu)選地為小于2. 3dB/km(在850nm處)。優(yōu)選地，本文中所公開的多模光纖展現光譜衰減小于I. 0dB/km(在1300nm處)，優(yōu)選地為小于0. 8dB/km(在1300nm處)，甚至更優(yōu)選地為小于 0. 6dB/km(在 1300nm 處)。在一些實施方式中，芯從中線向外輻射狀延伸半徑Rl，其中10微米< Rl ( 40微米，更優(yōu)選地為，20微米< Rl < 40微米。在一些實施方式中，22微米< Rl < 34微米。在一些優(yōu)選實施方式中，芯的外半徑介于約22微米與28微米之間。在一些其它優(yōu)選實施方式中，芯的外半徑介于約28微米與34微米之間。在一些實施方式中，芯的最大相對折射率小于或等于I. 2%且大于0. 5%,更優(yōu)選地為大于0. 8%。在其它實施方式中，芯的最大相對折射率小于或等于I. 1%且大于0. 9%。在一些實施方式中，光纖展現I圈、IOmm直徑心軸衰減增加不大于I. OdB，優(yōu)選地為不大于0. 6dB,更優(yōu)選地為不大于0. 4dB,甚至更優(yōu)選地為不大于0. 2dB且更優(yōu)選地為不大于0. ldB，所有波長介于800nm與1400nm之間。光纖100還公開于2008年10月14日提交的美國專利申請第12/250，987號和2008年12月12日提交的美國專利申請第12/333，833號中，所述公開皆以引用的方式并入本文。圖3為根據一個實施方式的雙股電纜400的橫截面。電纜400包括電纜護套410 ；應變消除構件420，應變消除構件420封閉于電纜護套410中；以及兩個光波導管，所述光波導管封閉于電纜護套410內。在所圖示的實施方式中，雖然光波導管對應于圖I至圖2中所示的光纖100，但是可以使用其它彎曲不敏感光纖。電纜護套410具有厚度412。電纜400具有直徑450和截面面積452，截面面積452是由電纜護套410的外部周長界定。因為電纜400的橫截面可能不會為完美圓形，所以如本文所用的術語“直徑”表示標稱直徑或平均直徑。在所圖示的實施方式中，應變消除構件420包括縱向延伸的可拉伸紗，所述縱向延伸的可拉伸紗占據電纜護套410中的空閑空間區(qū)422。電纜護套410是由聚合物構造。
實例I如圖3所圖示的電纜400的直徑450為2. Omm,截面面積452為3. 4mm2,且護套壁厚度412為0. 30mm。應變消除構件420是由1420旦沒有被搓成股的芳族聚酰胺可拉伸紗的四個末端形成，從而占據電纜內部中的標稱面積0.9032mm2。光波導管100占據面積0. 0982mm2,留下0. 5280mm2的空閑空間422。護套410是由PVC制成。根據上述實施方式，空閑空間422允許光纖100在電纜護套410的內部內來回移動，以便減小光纖上的彎曲應力?？衫旒?20抖開且填充空閑空間422，但不至于到可拉伸紗420不適當地限制光纖100移動的程度，所述可拉伸紗420可能沒有被搓成股。所圖示的實施方式的直徑450為2. 0mm。可使用的示范性替代直徑450為2. 9mm、2. 4mm 和 L 65mm。圖4為各種電纜在環(huán)繞心軸包覆時在850nm和1300nm處的A衰減繪圖，所述心 軸的彎曲半徑為5. 8mm。通常，將光纖100用于如圖I所圖示的電纜400的數據在850nm處由兀件符號480表且在1300nm處由兀件符號482表不。剩余數據表不并入傳統(tǒng)多模光纖的類似電纜的△衰減值。如圖4所圖示，對環(huán)繞5. 8mm彎曲半徑的四個完全包覆物來說且在850nm和1300nm處，由包覆造成的電纜400的A衰減小于I. OdB,更具體地說，小于0. 5dB。對環(huán)繞5. 8mm彎曲半徑的兩個完全包覆物來說且在850nm和1300nm處，由包覆造成的電纜400的A衰減小于I. OdB，更具體地說，小于0. 5dB,且更具體地說，小于0. 25dB。電纜400還易于接近光纖100，其中截面面積452相對較小同時保持著對由彎曲造成的衰減的較高耐性。雖然上述實施方式描述為并入光纖100作為波導管，但是可以使用替代性光波導管。例如，可以使用購自紐約康寧的Corning Incorporated且名稱為ClearCurve⑧的光纖。圖5為電纜400和傳統(tǒng)8字形緊套電纜在跨壓測試中的抗壓性繪圖。在跨壓測試中，在兩個平坦的鋼板之間，將電纜交叉放置為“X”圖案。隨后，隨著板上的負載增加，測量電纜的光學衰減。電纜400中的衰減小于8字形緊套電纜中的衰減，即使使用較少材料來形成電纜400也是如此。圖6圖示接頭連接至LC Duplex Uniboot連接器500的電纜400。較傳統(tǒng)8字形緊套電纜而言，將電纜400與連接器500配對起來更方便。圖7為如圖3中所示并入多個雙股電纜400 (或“分叉單元”)的分叉或展開電纜600的橫截面圖。雙工單元400封閉于外部護套610內，外部護套610界定電纜內部612。所圖示的電纜600包括十二個雙工單元400，總光纖數為二十四。雙工單元400可以具有較圖3中所示實例而言較小的直徑。為此，有時將展開電纜中的電纜稱為“分叉單元”而不是“電纜”。例如，并入分叉電纜600中的雙工單元400的直徑可以為2. Omm或小于2. 0mm。雙工單元400的壁厚度可以小于0. 25mm，甚至可以小于0. 20mm。為了提高抗拉強度，分叉電纜600可以包括中心強度構件,諸如涂層玻璃纖維強化塑料(glass-reinforced plastic ；GRP)桿。實例2分叉電纜600包括十二個雙股電纜或單元400，其中外直徑為I. 65mm且護套壁厚度為0. ISmm0應變消除構件420是由沒有被搓成股的芳族聚酰胺可拉伸紗形成。單元護套410是由PVC制成。圖8為8字形緊套電纜700的橫截面圖，8字形緊套電纜700由第一雙股電纜702和第二雙股電纜或單元704組成，第二雙股電纜或單元704接合至第一電纜702。8字形緊套電纜700適于以下應用，諸如交叉連接跨接板。每一個雙股電纜702、704在大小、成分和形狀上可能與雙股電纜400類似或相同，并且每一個雙股電纜702、704包括厚度714的電纜護套712且由網狀物716接合。每一個電纜702、704包括一個應變消除構件720和兩個光波導管100，應變消除構件720封閉于電纜護套712中。根據上述實施方式，雙股電纜或單元護套中的空閑空間允許光纖100在電纜護套712的內部內來回移動，以便減小光纖 上的彎曲應力?？衫旒?20抖開且填充空閑空間，但不至于到可拉伸紗720不適當地限制光纖100移動的程度，可拉伸紗720可能沒有被搓成股。根據本發(fā)明實施方式的一個方面，可拉伸紗可能占據的截面面積小于電纜截面面積的33%，或者甚至低至或小于截面面積的30%。同時，護套內的空閑空間可能高至或大于電纜截面面積的13%，或者甚至高至15%。本文中所公開的多模光纖電纜可以具有任何適當的等級，諸如直立、增壓、通用、低煙無齒(low-smoke zero-halogen ；LSZH)等。同樣地，任何適當類型的材料可以用于保護性覆蓋物(即，緩沖層或護套)，諸如聚氨酯(polyurethanes ;PU)、聚氯乙烯(poly vinyl chloride ;PVC)、聚乙烯(polyethylenes ;PE)、聚丙烯(polyproplyenes ;PP)、紫外線(ultraviolet ;UV)固化材料等,這取決于所要的構造和特征。舉例來說，多模光纖100可以包括壓力漸增緩沖層，所述壓力漸增緩沖層的外部直徑為約900微米。通常，本說明書中所公開的雙股電纜可以具有1.6mm、2. Omm和2. 8mm的外直徑。導電線或雙絞線對可以代替分叉電纜600中的一或更多個雙股電纜。環(huán)型通量(encircled flux ;EF)發(fā)射用于測試本文中所公開的多模光纖組件的光學性能。EF發(fā)射進入多模光纖的芯，從而以特定分布(S卩，從光纖中心在給定半徑內的特定功率百分比)來填充光纖芯。更具體地說，在光纖的發(fā)射末端，由光學信號的近場測量來決定EF。測量出的近場結果為遠離芯的光學中心的半徑r的函數I (r)，所述結果用于產生由以下方程式⑴給定的EF函數。
r
^xl{x)dxEF(r)^\-方程式(I)
^xl{x)dx
0“R”為積分極限，所述積分極限被定義為標稱芯半徑的I. 15倍。EF發(fā)射為一組特定的輻射狀控制點，所述特定輻射狀控制點是由針對特定輻射狀控制點的環(huán)型通量值的EF上限和EF下限定義。受命的EF發(fā)射在針對特定控制點所定義的上限和下限內下降，否則所述發(fā)射為過度填滿或未填滿。較傳統(tǒng)多模光纖組件而言，所述多模光纖組件的光學性能令人驚嘆。執(zhí)行測試以量化本文中所公開的多模光纖組件的改進的性能。具體來說，將多模光纖組件的性能與傳統(tǒng)多模光纖組件進行比較，傳統(tǒng)多模光纖組件具有50微米芯多模光纖，所述50微米芯多模光纖可購自紐約康寧的Corning, Inc.且商品名稱為InfiniCor^SX+。進行不同類型的測試以評估在技工所遇到的不同條件下的性能。例如，進行測試以決定多模光纖組件的插入損失。插入損失為出現于配對光纖連接器之間的光學衰減，且插入損失用于決定光學網絡中的預算損失。例如，光學網絡的設計可以考慮到總插入損失為0. 5dB，并且如果每一個配對光纖連接器對的平均插入損失為0. ldB，那么設計將限于最多五個光纖連接器對，以滿足光學網絡的損失預算。因而，改進后的插入損失對于光學網絡來說是有價值的。還執(zhí)行彎曲性能測試以決定多模光纖組件在被包覆成為相對較小的彎曲直徑時的性能。在彎曲期間保留多模光纖組件的光學性能是有利的，因為在布線、松弛存儲等期間，光學網絡通常包括許多彎曲。此外，在彎曲期間保留光學性能可以為光纖硬件提供更緊的布線、增大的密度和/或更小的占地面積。使用多模光纖組件來執(zhí)行插入損失測試，以與傳統(tǒng)多模光纖組件進行比較，如上所述。一般來說，較類似的傳統(tǒng)多模光纖組件而言，多模光纖組件具有約二分之一或小于二分之一的插入損失。舉例來說，本文中所公開的多模光纖組件的插入損失為每配對連接器 對約0. 04dB或小于0. 04dB，這為類似的傳統(tǒng)多模光纖配對的插入損失的約一半。上文說明了各種實施方式，所述各種實施方式在本文僅用于舉例。雖然已參照優(yōu)選實施方式和優(yōu)選實施方式的實例描述了多模光纖電纜組件，在所述多模光纖電纜組件的至少一部分中包括彎曲性能光纖，但是其它實施方式和實例可以執(zhí)行類似的功能和/或實現類似的結果。所有此類等效實施方式和實例均屬于本公開的精神和范圍內，且旨在由所附權利要求書所涵蓋。
權利要求
1.一種雙股電纜(400)，所述雙股電纜(400)具有截面面積，所述電纜包括 聚合物護套(410)； 一對光波導管(100)，所述光波導管(100)封閉于所述護套內；以及 應變消除元件(420)，所述應變消除元件(420)封閉于所述護套內且接觸所述光波導管，其中 當環(huán)繞5. 8mm心軸包覆所述電纜四次時，由所述包覆造成的A衰減在1300nm處和在850nm處皆小于I. Odb。
2.如權利要求I所述的雙股電纜(400)，其中當環(huán)繞5.8_心軸包覆所述電纜四次時， 由所述包覆造成的A衰減在1300nm處和在850nm處皆小于0. 5db。
3.如權利要求I至2所述的雙股電纜(400)，其中所述應變消除元件(410)包括多個可拉伸紗。
4.如權利要求3所述的雙股電纜(400)，其中所述可拉伸紗沒有被搓成股。
5.如權利要求3至4所述的雙股電纜(400)，其中對于約2.Omm的電纜直徑來說，所述可拉伸紗的截面面積小于I. 1_2。
6.如權利要求3至4所述的雙股電纜(400)，其中對于約2.Omm的電纜直徑(450)來說，所述可拉伸紗的截面面積小于I. 0_2。
7.如權利要求3至6所述的雙股電纜(400)，其中所述可拉伸紗所占據的截面面積小于所述電纜的所述截面面積的33%。
8.如權利要求3至6所述的雙股電纜(400)，其中所述可拉伸紗所占據的截面面積小于所述電纜的所述截面面積的30%。
9.如權利要求I至8所述的雙股電纜(400)，其中所述電纜護套內部的空閑空間占據所述電纜的所述截面面積的至少13%。
10.如權利要求I至8所述的雙股電纜(400)，其中所述電纜護套內部的空閑空間占據所述電纜的所述截面面積的至少15%。
11.一種8字形緊套電纜(700)，所述8字形緊套電纜(700)包括如權利要求I至10中任一項所述的兩個雙股電纜(400)，所述雙股電纜(400)由網狀物(716)接合。
12.—種雙股電纜(400)，所述雙股電纜(400)具有截面面積，所述電纜包括 聚合物護套(410)，所述聚合物護套(410)的直徑小于3. Omm; 一對光波導管(100)，所述光波導管(100)封閉于所述護套內；以及應變消除元件(420)，所述應變消除元件(420)由可拉伸紗組成，所述應變消除元件(420)封閉于所述護套內且接觸所述光波導管，其中 所述可拉伸紗所占據的截面面積小于所述電纜的所述截面面積的33%，以及 所述聚合物護套內部的空閑空間占據所述電纜的所述截面面積的至少13%。
13.如權利要求12所述的雙股電纜(400)，其中當環(huán)繞5.8_心軸包覆所述電纜四次時，由所述包覆造成的A衰減在1300nm處和在850nm處皆小于I. Odb。
14.如權利要求12至13所述的雙股電纜(400)，其中所述可拉伸紗包括芳族聚酰胺紗。
15.如權利要求12至14所述的雙股電纜(400)，其中所述可拉伸紗沒有被搓成股。
16.如權利要求12至15所述的雙股電纜(400)，其中對于約2.Omm的電纜直徑來說，所述可拉伸紗的截面面積小于1.1_2。
17.如權利要求12至16所述的雙股電纜(400)，其中所述電纜護套內部的空閑空間占據所述電纜的所述截面面積的至少15%。
18.—種8字形緊套電纜(700)，所述8字形緊套電纜(700)包括如權利要求12至17中任一項所述的兩個雙股電纜(400)，所述雙股電纜(400)由網狀物接合。
19.一種8字形緊套電纜(700)，所述8字形緊套電纜(700)具有截面面積，所述電纜包括 第一雙股電纜(702)和第二雙股電纜(704)，所述第一雙股電纜包括 聚合物護套，所述聚合物護套的直徑小于3. Omm ； 一對光波導管(100)，所述光波導管(100)封閉于所述護套內；以及應變消除元件(720)，所述應變消除元件(720)包括可拉伸紗，所述應變消除元件(720)封閉于所述護套內且接觸所述光波導管，其中 所述可拉伸紗所占據的截面面積小于所述電纜的所述截面面積的33%，以及 所述電纜護套內部的空閑空間占據所述電纜的所述截面面積的至少13% ;以及 網狀物(716)，所述網狀物(716)連接所述第一雙股電纜和所述第二雙股電纜。
20.如權利要求19所述的8字形緊套電纜(700)，其中所述應變消除元件包括芳族聚酰胺紗。
21.如權利要求19至20所述的8字形緊套電纜(700)，其中所述可拉伸紗沒有被搓成股。
22.—種分叉電纜￠00)，所述分叉電纜(600)包括 分叉電纜護套(610);以及 多個雙股電纜(400)，每一個雙股電纜包括 聚合物雙股電纜護套，所述聚合物雙股電纜護套的直徑小于3. Omm且所述聚合物雙股電纜護套的厚度為0. 25mm或小于0. 25mm ； 一對光波導管(100),所述光波導管(100)封閉于所述雙股電纜護套內；以及應變消除元件，所述應變消除元件包括可拉伸紗，所述應變消除元件封閉于所述雙股電纜護套內且接觸所述光波導管，其中 所述可拉伸紗所占據的截面面積小于所述雙股電纜的所述截面面積的33%。
23.如權利要求22所述的分叉電纜(600)，其中每一個雙股電纜護套內部的空閑空間占據所述雙股電纜的所述截面面積的至少13%。
24.如權利要求22至23所述的分叉電纜(600)，其中所述可拉伸紗沒有被搓成股。
25.如權利要求22至24所述的分叉電纜(600)，其中每一個雙股電纜護套的直徑為2. 8mm 或小于 2. 8mm。
26.如權利要求22至24所述的分叉電纜(600)，其中每一個雙股電纜護套的直徑為2.Omm 或小于 2. Omnin
27.如權利要求22至26所述的分叉電纜￠00)，其中所述多個雙股電纜包括至少六個雙股電纜。
28.如權利要求22至26所述的分叉電纜￠00)，其中所述多個雙股電纜包括至少十二個雙股電纜。
全文摘要
互連電纜使用彎曲不敏感光纖和電纜護套中相對較大的空閑空間區(qū)域，來減小彎曲誘發(fā)的Δ衰減。可以包括可拉伸紗作為應變消除元件，但是可以相對松散地包裹可拉伸紗以阻止彎曲誘發(fā)的衰減。
文檔編號G02B6/44GK102754006SQ201080011458
公開日2012年10月24日 申請日期2010年2月16日 優(yōu)先權日2009年2月16日
發(fā)明者威廉·C·赫爾利, 柯蒂斯·P·庫依 申請人:康寧光纜系統(tǒng)有限責任公司