專(zhuān)利名稱(chēng)：借助傅里葉濾光和圖像比較的掩模檢查的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體上涉及光刻術(shù)，更具體地涉及一種用于掩模檢查的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常應(yīng)用到所述襯底的目標(biāo)部分上) 的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱(chēng)為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。還可以通過(guò)將所述圖案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。為了使更小的特征成像，已經(jīng)提出使用波長(zhǎng)在5-20nm的范圍內(nèi)的極紫外輻射 (EUV)(尤其是13. 5納米)或帶電粒子束(例如離子束和電子束)，作為光刻設(shè)備中的曝光輻射。這些類(lèi)型的輻射需要設(shè)備中的束路徑被抽真空以防止被吸收。因?yàn)闆](méi)有用于制造對(duì)于EUV輻射的折射式的光學(xué)元件的已知材料，所以EUV光刻設(shè)備在輻射、照射以及投影系統(tǒng)中使用反射鏡。這樣的反射鏡極易受污染，由此減小了它們的反射性，因此減小了設(shè)備的生產(chǎn)量。另外，用于EUV的源可能產(chǎn)生碎片，應(yīng)當(dāng)避免其進(jìn)入到照射系統(tǒng)中。隨著IC的尺寸的減小以及被從掩模轉(zhuǎn)移到襯底上的圖案變得更加復(fù)雜，檢測(cè)與形成在掩模上的圖案相關(guān)的不規(guī)則物、缺陷等(此處在下文稱(chēng)作缺陷)變得越來(lái)越重要。因此，形成在掩模上的特征中的缺陷轉(zhuǎn)換成形成在襯底上的圖案缺陷。掩模缺陷可能來(lái)自各種源，諸如例如掩模坯料上的涂層中的缺陷、掩模車(chē)間中的掩模圖案化過(guò)程以及在晶片制造設(shè)施中的掩模處理和污染物缺陷。因此，針對(duì)缺陷檢查掩模對(duì)于最小化或消除不期望的顆粒和污染物以防止影響掩模圖案到襯底上的轉(zhuǎn)移是重要的。使用圖案成像和分析系統(tǒng)針對(duì)于任何可能的缺陷檢查掩模。一種檢測(cè)缺陷的方式是通過(guò)比較光學(xué)圖像與名義上相同的圖案。所比較的光學(xué)圖像之間的差別可以示出缺陷區(qū)域。檢測(cè)缺陷的另一方式是通過(guò)比較所檢查的圖案與設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)，差別顯示缺陷區(qū)域。然而，圖案成像和分析系統(tǒng)易于是慢的、昂貴的，且分辨率可能是有限的。激光掃描系統(tǒng)用于檢查掩模以檢測(cè)由污染物顆粒產(chǎn)生的缺陷的出現(xiàn)。污染物通過(guò)檢測(cè)由顆粒產(chǎn)生的散射光來(lái)檢測(cè)。這些系統(tǒng)尤其用于檢查掩模坯料或保護(hù)掩模圖案的薄膜。然而，激光掃描系統(tǒng)在顆粒尺寸分辨率上是受限制的，尤其是在EUV圖案化的掩模上。 圖案被蝕刻到吸收層中，其具有相當(dāng)大的散射橫截面。由吸收層中的圖案產(chǎn)生的散射光可能使得其不能檢測(cè)由小的顆粒產(chǎn)生的散射光。已經(jīng)提出傅里葉濾光片用于阻擋從蝕刻的圖案散射的光且通過(guò)從隨機(jī)的缺陷散射的光。然而，傅里葉濾光片是針對(duì)特定圖案的，且必須被針對(duì)每一圖案進(jìn)行調(diào)節(jié)。已經(jīng)提出可編程傅里葉濾光片，但是僅對(duì)蝕刻的圖案進(jìn)行過(guò)濾是不夠充分的。

發(fā)明內(nèi)容
考慮前述，所需要的是用于掩模檢查的改善的方法和系統(tǒng)，以增強(qiáng)缺陷檢測(cè)和改善對(duì)于小的顆粒的檢測(cè)靈敏度。本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種掩模檢查系統(tǒng)，包括第一檢測(cè)器、動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片、控制器和第二檢測(cè)器。第一檢測(cè)器位于掩模檢查系統(tǒng)的傅里葉平面處且配置成檢測(cè)通過(guò)掩模的一部分所產(chǎn)生的圖案化的光的第一部分。動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片配置成基于圖案化的光的所檢測(cè)的第一部分由控制器進(jìn)行控制。第二檢測(cè)器配置成檢測(cè)由掩模的所述部分所產(chǎn)生的且透射穿過(guò)動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片的圖案化的光的第二部分。在一個(gè)例子中，分束器可以用于制造圖案化的光的第一和第二部分。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種用于針對(duì)于缺陷檢查掩模的方法，包括下述步驟。檢測(cè)由掩模產(chǎn)生的圖案化的光的第一部分的傅里葉圖像?；谒鶛z測(cè)的傅里葉圖像控制傅里葉濾光片。使用傅里葉濾光片對(duì)圖案化的光的第二部分進(jìn)行濾光。檢測(cè)經(jīng)過(guò)濾光的第二部分。在一個(gè)例子中，所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分與另一經(jīng)過(guò)濾光的圖案化的光進(jìn)行比較。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種光刻系統(tǒng)，包括支撐件、襯底臺(tái)、投影系統(tǒng)和上述的掩模檢查系統(tǒng)。支撐件配置成支撐圖案形成結(jié)構(gòu)，其配置成圖案化輻射束。襯底臺(tái)配置成保持襯底。投影系統(tǒng)配置成將圖案化的束投影到襯底的目標(biāo)部分上。本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明的各實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作在下文參考附圖進(jìn)行了詳細(xì)描述。注意到，本發(fā)明不限于此處描述的特定實(shí)施例。這樣的實(shí)施例在此處顯示出僅用于說(shuō)明的目的。基于此處包含的教導(dǎo)，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白另外的實(shí)施例。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件。圖IA和IB分別示出了反射式和透射式光刻設(shè)備。圖2示出了示例性的EUV光刻設(shè)備。圖3示出掩模檢查系統(tǒng)的一實(shí)施例。圖4示出可以用在掩模檢查系統(tǒng)中的掩模圖案圖像去除系統(tǒng)的一實(shí)施例。圖5詳細(xì)示出掩模檢查系統(tǒng)的另一實(shí)施例。圖6示出用于檢查掩模的方法的一實(shí)施例。
圖7示出掩模檢查系統(tǒng)的另一實(shí)施例。圖8A示出光刻設(shè)備的曝光階段的一實(shí)施例。圖8B示出光刻設(shè)備的檢查階段的一實(shí)施例。圖9A示出光刻設(shè)備的曝光階段的另一實(shí)施例。圖9B示出光刻設(shè)備的檢查階段的另一實(shí)施例。在結(jié)合附圖時(shí)，將從下文闡述的詳細(xì)描述更加明白本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，其中相同的參考標(biāo)記在全文中表示相應(yīng)的元件。在附圖中，相同的參考標(biāo)號(hào)通常表示一致的、功能上類(lèi)似的和/或結(jié)構(gòu)上類(lèi)似的元件。元件首次出現(xiàn)的附圖由相應(yīng)的參考標(biāo)號(hào)中的最左邊的數(shù)字示出。
具體實(shí)施例方式綜述本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)了包括本發(fā)明的特征的一個(gè)或更多的實(shí)施例。所公開(kāi)的實(shí)施例僅示例說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明的范圍不限于所公開(kāi)的實(shí)施例。本發(fā)明由隨附的權(quán)利要求限定。所描述的實(shí)施例和在說(shuō)明書(shū)中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用表示所述的實(shí)施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每一實(shí)施例不一定包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。然而，這樣的措辭不一定表示同一實(shí)施例。另外，在關(guān)于實(shí)施例描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解，不論是否明確地進(jìn)行了描述，關(guān)于其它實(shí)施例實(shí)施這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)。本發(fā)明的實(shí)施例可以在硬件、固件、軟件或其的任意組合中實(shí)施。本發(fā)明的實(shí)施例還可以實(shí)施為儲(chǔ)存在機(jī)器可讀介質(zhì)上的指令，其可以通過(guò)一個(gè)或更多的處理器來(lái)讀取和執(zhí)行。機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括用于儲(chǔ)存或傳輸成機(jī)器(例如計(jì)算裝置)可讀的形式的信息的任何機(jī)制。例如，機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)；隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)；磁盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)；光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)；閃存裝置；電學(xué)、光學(xué)、聲學(xué)或其它形式的傳播信號(hào)(例如載波、紅外信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等)等。另外，固件、軟件、例行程序、指令可以在此被描述成執(zhí)行特定的動(dòng)作。然而，應(yīng)當(dāng)理解，這樣的描述僅是為了方便，這樣的動(dòng)作事實(shí)上由計(jì)算裝置、處理器、 控制器或執(zhí)行固件、軟件、例行程序、指令等的其它裝置所導(dǎo)致。然而，在更加詳細(xì)地描述這樣的實(shí)施例之前，顯示可以實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的示例環(huán)境是有教導(dǎo)性的。I.示例性光刻環(huán)境A.示例性反射型和透射型光刻系統(tǒng)圖IA和IB分別示意性地示出光刻設(shè)備100和光刻設(shè)備100’。光刻設(shè)備100和 100’中每個(gè)包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo) (例如，深紫外(DUV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模、掩模版、或動(dòng)態(tài)圖案形成裝置)MA并與配置用于精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片) W，并與配置用于精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連。光刻設(shè)備100和100’還具有投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。在光刻設(shè)備100中，圖案形成裝置MA和投影系統(tǒng)PS足反射性的，在光刻設(shè)備100’中，圖案形成裝置MA和投影系統(tǒng)PS是透射性的。所述照射系統(tǒng)IL可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射B。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴(lài)于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備100和100，的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其它條件的方式保持圖案形成裝置 MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。 所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”MA應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束B(niǎo)的橫截面上賦予輻射束B(niǎo)、以便在襯底W的目標(biāo)部分C上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束 B的圖案可能與在目標(biāo)部分C上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的(例如圖IB中的光刻設(shè)備100’中)或反射式的(如在圖IA的光刻設(shè)備100中)。圖案形成裝置MA的示例包括掩模版、掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的掩模類(lèi)型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜， 以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束B(niǎo)。術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)"PS可以包括任意類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、 或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類(lèi)的其他因素所適合的。真空環(huán)境可以用于EUV或電子束，這是因?yàn)槠渌鼩怏w可能吸收太多的輻射或電子。因此可以在真空壁和真空泵的幫助下將真空環(huán)境提供至整個(gè)束路徑。光刻設(shè)備100和/或光刻設(shè)備100’可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和 /或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))WT的類(lèi)型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的襯底臺(tái)WT，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它襯底臺(tái)WT用
于曙光O參照?qǐng)DIA和1B，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備100和100’可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO考慮成形成光刻設(shè)備100或100’的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD(圖1B)的幫助，將所述輻射束B(niǎo)從所述源SO 傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備100、100’的組成部分 (例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱(chēng)作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD(圖1B)。 通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍 (一般分別稱(chēng)為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件(圖1Β)，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束B(niǎo)，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。參考圖1A，所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。在光刻設(shè)備100 中，輻射束B(niǎo)被從圖案形成裝置MA(例如掩模)反射。在已經(jīng)從圖案形成裝置MA(例如掩模)反射之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B(niǎo)聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C 定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器 IFl用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位圖案形成裝置MA(例如掩模)。可以使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA(例如掩模)和襯底 I參考圖1B，所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模MA)上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA 之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分 C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖IB中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺(tái)MT可以?xún)H與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的。可以使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類(lèi)似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺龉饪淘O(shè)備100和100’用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。 然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT 相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái)) MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo) 的圖案投影到目標(biāo)部分C上?？梢圆捎妹}沖輻射源S0，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如在本文所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用所述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、 量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)己處理層的襯底。在另外的實(shí)施例中，光刻設(shè)備100包括極紫外(EUV)源，其配置用于產(chǎn)生用于EUV 光刻術(shù)的EUV輻射束。通常，將EUV源配置在輻射系統(tǒng)(參見(jiàn)下文)中，且對(duì)應(yīng)的照射系統(tǒng)配置成調(diào)節(jié)EUV源的EUV輻射束。B.示例性EUV光刻設(shè)備圖2示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的示例性EUV光刻設(shè)備200。在圖2中， EUV光刻設(shè)備200包括輻射系統(tǒng)42、照射光學(xué)單元44以及投影系統(tǒng)PS。輻射系統(tǒng)42包括輻射源S0，其中可以通過(guò)放電等離子體形成輻射束。在一實(shí)施例中，EUV輻射可以通過(guò)(例如來(lái)自Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽的)氣體或蒸汽來(lái)產(chǎn)生EUV輻射，其中產(chǎn)生非常熱的等離子體來(lái)發(fā)射在電磁光譜的EUV范圍中的輻射?？梢酝ㄟ^(guò)例如放電產(chǎn)生至少部分地電離的等離子體來(lái)產(chǎn)生非常熱的等離子體。為了有效地產(chǎn)生輻射，可能需要分壓為例如10 的Xe， Li, Sn蒸汽或任何其它的適合的氣體或蒸汽。由輻射源SO發(fā)射的輻射從源腔47經(jīng)由定位在源腔47中或后面的氣體阻擋件或污染物阱49穿到收集器腔48中。在一實(shí)施例中，氣體阻擋件49可以包括通道結(jié)構(gòu)。收集器腔48包括輻射收集器50 (其還可以被稱(chēng)作收集器反射鏡或收集器)，其可以由掠入射收集器形成。輻射收集器50具有上游輻射收集器側(cè)50a和下游輻射收集器側(cè) 50b，通過(guò)收集器50的輻射可以被反射離開(kāi)光柵光譜濾光片51以被聚焦在收集器腔48中的孔闌處的虛源點(diǎn)52處。輻射收集器50對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。來(lái)自收集器腔48的輻射束56在照射光學(xué)單元44中被經(jīng)由正入射反射器53和M 反射到定位在掩模版或掩模臺(tái)MT上的掩模版或掩模(未顯示)上。形成了圖案化的束57， 其在投影系統(tǒng)PS中被經(jīng)由反射元件58和59成像到被支撐在晶片平臺(tái)或襯底臺(tái)WT上的襯底(未顯示)上。在不同實(shí)施例中，照射光學(xué)單元44和投影系統(tǒng)PS可以包括比圖2中示出的更多(或更少)的元件。例如，可以依賴(lài)于光刻設(shè)備的類(lèi)型而可選地設(shè)置光柵光譜濾光片51。另外，在一實(shí)施例中，照射光學(xué)單元44和投影系統(tǒng)PS可以包括比圖2中示出的更多的反射鏡。例如，除反射元件58和59之外，投影系統(tǒng)PS還可以包括一至四個(gè)反射元件。 在圖2中，參考標(biāo)號(hào)180表示兩個(gè)反射器之間的空間，例如反射器142和143之間的空間。在一實(shí)施例中，替代掠入射反射鏡或除掠入射反射鏡之外，收集器反射鏡50還可以包括正入射收集器。另外，收集器反射鏡50盡管被參考具有反射器142、143和146的巢狀收集器進(jìn)行描述，但是在此處進(jìn)一步被用作收集器的例子。另外，替代光柵51，如在圖2中示意性地示出的，還可以應(yīng)用透射式光學(xué)濾光片。 EUV透射性的光學(xué)濾光片以及UV輻射透射性較差的或甚至基本上吸收UV輻射的光學(xué)濾光片對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。因此，“光柵光譜純度濾光片，，的使用在此處還可以可更換地表示成“光譜純度濾光片”，其包括光柵或透射式濾光片。雖然未在圖2中示出，但是 EUV透射式光學(xué)濾光片可以被包括作為另外的光學(xué)元件，例如配置在照射單元44和/或投影系統(tǒng)PS中的收集器反射鏡50或光學(xué)EUV透射式濾光片的上游。相對(duì)于光學(xué)元件的術(shù)語(yǔ)“上游”和“下游”分別表示為一個(gè)或更多的光學(xué)元件的位于一個(gè)或更多的另外的光學(xué)元件的“光學(xué)上游”和“光學(xué)下游”的位置。遵循輻射束越過(guò)的光刻設(shè)備200的光路，與第二光學(xué)元件相比更靠近源SO的第一光學(xué)元件配置在第二光學(xué)元件的上游；第二光學(xué)元件配置在第一光學(xué)元件的下游。例如收集器反射鏡50配置在光學(xué)濾光片51的上游，而光學(xué)元件53配置在光學(xué)濾光片51的下游。在圖2中示出的所有光學(xué)元件(和未在該實(shí)施例的示意圖中示出的另外的光學(xué)元件)對(duì)于由例如Sn的源SO產(chǎn)生的污染物的沉積可能是易受損壞的。這可能是輻射收集器 50的情形，且如果設(shè)置了的話，還可能是光譜純度濾光片51的情形。因此，可以采用清洗裝置來(lái)清洗這些光學(xué)元件中的一個(gè)或更多個(gè)，以及可以將清洗方法應(yīng)用至這些光學(xué)元件，而且還可以應(yīng)用至正入射反射器53和M和反射元件58和59或其它光學(xué)元件，例如另外的反射鏡、光柵等。輻射收集器50可以是掠入射收集器，在這樣的實(shí)施例中，收集器50被沿著光軸0 對(duì)準(zhǔn)。源SO或其像還可以沿著光軸0定位。輻射收集器50可以包括反射器142、143和 146 (也稱(chēng)為“殼”或包括多個(gè)Wolter型反射器的Wolter型反射器)。反射器142、143和 146可以是巢狀的且圍繞光軸0是可旋轉(zhuǎn)地對(duì)稱(chēng)的。在圖2中，內(nèi)部反射器由參考標(biāo)號(hào)142 表示，中間反射器由參考標(biāo)號(hào)143表示，外部反射器由參考標(biāo)號(hào)146表示。輻射收集器50 包圍特定的體積，即在外部反射器146內(nèi)的體積。通常，在外部反射器146中的體積被圓周地密封，盡管可以設(shè)置小的開(kāi)口。反射器142、143和146可以分別包括至少一部分代表一個(gè)反射層或多個(gè)反射層的表面。因此，反射器142、143和146 (或在具有多于3個(gè)反射器或殼的輻射收集器的實(shí)施例中的另外的反射器)至少部分地設(shè)計(jì)用于反射和收集來(lái)自源SO的EUV輻射，反射器142、 143和146中的至少一部分可以不被設(shè)計(jì)成反射和收集EUV輻射。例如，反射器的后側(cè)的至少一部分可以不被設(shè)計(jì)成反射和收集EUV輻射。在這些反射層的表面上，可以另外地設(shè)置有用于保護(hù)的覆蓋層或作為設(shè)置在這些反射層的表面的至少一部分上的光學(xué)濾光片的覆蓋層ο輻射收集器50可以放置在源SO的附近或放置在源SO的像上。每一反射器142、 143和146可以包括至少兩個(gè)相鄰的反射表面，更加遠(yuǎn)離源SO的反射表面與更靠近源SO的反射表面相比，被設(shè)置成相對(duì)于光軸0成更小的角度。這樣，掠入射收集器50配置成產(chǎn)生沿著光軸0傳播的(E)UV輻射束。至少兩個(gè)反射器可以被基本上同軸地設(shè)置且圍繞光軸0基本上旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)地延伸。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，輻射收集器50可以具有在外部反射器146的外表面上的另外的特征，或在外部反射器146的周?chē)牧硗獾奶卣鳎绫Ｗo(hù)性保持器、加熱器等。在此處描述的實(shí)施例中，術(shù)語(yǔ)“透鏡”和“透鏡元件”，在可以允許的情況下，可以表示各種類(lèi)型的光學(xué)元件中的任一個(gè)或組合，包括折射性、反射性、磁性、電磁性和靜電光學(xué)部件。另外，此處使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包括全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有波長(zhǎng)λ為365，248，193，157或126nm)、極紫外(EUV或軟X射線)輻射(例如具有在5-20nm的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)，例如13. 5nm)或在小于5nm波長(zhǎng)下工作的硬X射線以及粒子束(諸如離子束或電子束)。通常，具有在約780-3000nm(或更大)的波長(zhǎng)的輻射被認(rèn)為是頂輻射。UV表示具有大約100-400nm的波長(zhǎng)的輻射。在光刻術(shù)中，通常還將其應(yīng)用至可以由汞放電燈產(chǎn)生的波長(zhǎng)G-線436nm ；H-線405nm ；和/或I-線365nm。真空UV或 VUV (即由空氣吸收的UV)表示具有大約100-200nm的波長(zhǎng)的輻射。深UV (DUV)通常表示具有從的范圍的波長(zhǎng)的輻射，且在一實(shí)施例中，準(zhǔn)分子激光器可以產(chǎn)生在光刻設(shè)備中使用的DUV輻射。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，具有在例如5-20nm的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射與特定波長(zhǎng)帶的輻射相關(guān)，其至少一部分在5-20nm的范圍內(nèi)。II.掩模檢查系統(tǒng)的實(shí)施例圖3是掩模檢查系統(tǒng)300的一實(shí)施例的視圖。掩模檢查系統(tǒng)300包括掩模圖案成像去除系統(tǒng)303和檢測(cè)器305。掩模圖案圖像去除系統(tǒng)303接收來(lái)自掩模301的散射光 302。散射光302包括來(lái)自掩模301的圖案(未顯示)的散射光和來(lái)自在掩模301上的任何可能的不規(guī)則物、缺陷等(在下文稱(chēng)為缺陷)的散射光。掩模圖案圖像去除系統(tǒng)303基本上去除來(lái)自掩模301的圖案的所有散射光。因此，檢測(cè)器305基本上僅檢測(cè)來(lái)自掩模301 上的可能的缺陷的散射光308。圖4是掩模圖案圖像去除系統(tǒng)403的一實(shí)施例的視圖。例如，掩模圖案圖像去除系統(tǒng)403可以用作圖3中的掩模圖案圖像去除系統(tǒng)303。掩模圖案圖像去除系統(tǒng)403包括分束器411、檢測(cè)器413、控制器415和動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417。在一實(shí)施例中，分束器411接收來(lái)自掩模(例如圖3的掩模301)的散射光402。分束器411將散射光402分成第一部分402A和第二部分402B。分束器411將第一部分402A 引導(dǎo)至檢測(cè)器413，將第二部分402B引導(dǎo)至動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417。檢測(cè)器413和動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417沿著散射光402行進(jìn)的方向定位在相對(duì)于分束器411的上游。分束器的分割比例(例如有多少束402形成402A，有多少束402形成402B)可以依賴(lài)于圖3的檢測(cè)器 413或檢測(cè)器305(例如該分割比例可以依賴(lài)于檢測(cè)器的靈敏度)。在一實(shí)施例中，檢測(cè)器413定位在掩模圖案圖像去除系統(tǒng)403的傅里葉平面處。在一個(gè)示例中，檢測(cè)器413包括CCD照相機(jī)。然而，還可以使用其它類(lèi)型的檢測(cè)器。在一個(gè)例子中，控制器415連接至檢測(cè)器413。控制器415配置成接收來(lái)自檢測(cè)器413的信號(hào)414，其代表所檢測(cè)的第一部分402A?？刂破?15還可以從所檢測(cè)的第一部分402A分析掩模的圖案的傅里葉場(chǎng)測(cè)量?？刂破?15可以使用傅里葉場(chǎng)測(cè)量以產(chǎn)生控制信號(hào)416，其被用于動(dòng)態(tài)控制動(dòng)態(tài)的傅里葉濾光片417。在一個(gè)例子中，動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417包括，但不限于數(shù)字反射鏡陣列、光閥陣列等。在通過(guò)接收控制信號(hào)416進(jìn)行配置之后，動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417接收來(lái)自分束器411 的第二部分402B。動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417配置成基本上去除由掩模圖案產(chǎn)生的散射光。因此，從動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417出射的散射光408包括基本上僅來(lái)自在掩模上存在的任何可能的缺陷的散射光。
在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自所檢測(cè)的第一部分402A(在檢測(cè)器413處所檢測(cè)到)的掩模圖案的傅里葉場(chǎng)測(cè)量可以包括掩模圖案的空間頻率、幅值和相位信息。在一個(gè)實(shí)施例中， 控制器415可以使用這一信息來(lái)動(dòng)態(tài)控制動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片417。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)使光的一些空間頻率通過(guò)和去掉光的一些其它的空間頻率來(lái)完成傅里葉濾光。在一個(gè)例子中，傅里葉濾光片417可以基于在傅里葉場(chǎng)測(cè)量處測(cè)量的掩模圖案的空間頻率、幅值和相位信息基本上去掉由掩模圖案產(chǎn)生的散射光的空間頻率，因此基本上去除由掩模圖案產(chǎn)生的散射光。另外或可替代地，通過(guò)從傅里葉濾光片417中的傅里葉濾光，來(lái)自存在于掩模上的任何可能的缺陷的散射光的空間頻率可以基本上通過(guò)，且因此僅來(lái)自存在于掩模上的任何可能的缺陷的散射光可以基本上通過(guò)傅里葉濾光片417。在一個(gè)例子中，掩模檢查系統(tǒng)303或403與之前的系統(tǒng)相比能夠更加精確地且以更高的分辨率檢測(cè)在掩模的區(qū)域上的任何可能的缺陷。例如，缺陷尺寸檢測(cè)靈敏度可以相對(duì)于僅使用傅里葉濾光的系統(tǒng)提高超過(guò)10倍。另外，本發(fā)明的一些實(shí)施例可以相對(duì)于之前的系統(tǒng)改善估計(jì)的檢查時(shí)間。圖5是掩模檢查系統(tǒng)500的另一實(shí)施例的視圖。掩模檢查系統(tǒng)500包括可選的成像光學(xué)裝置521和523、分束器511、第一檢測(cè)器513、控制器515、動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517、第二檢測(cè)器519、可選的掩?？钻@或隔板525以及可選的數(shù)據(jù)分析裝置533。掩模501包括圖案(未顯示)和可能的缺陷(未顯示)。如下文討論的，照射掩模 501。來(lái)自掩模501的散射光502被分束器511接收。在一個(gè)實(shí)施例中，成像光學(xué)裝置521 配置成收集散射光502，且可以在分束器511接收散射光502之前去除零級(jí)衍射光。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模檢查系統(tǒng)500可選地包括照射源5 和反射裝置531。照射源5 和反射裝置531可以照射掩模501。在這一實(shí)施例中，掩模501是反射性掩模。掩模 501可以例如是EUV反射掩模。照射光可以基本上垂直地從掩模501的表面反射。照射源 529可以包括，但不限于，激光照射源、EUV照射源等?？商娲兀诹硪粚?shí)施例中，掩模檢查系統(tǒng)500可選地包括用于照射掩模501的照射源527。在這一實(shí)施例中，掩模501是透射式掩模。照射光可以基本上垂直地在掩模501 的表面上被接收。照射源527可以包括，但不限于，激光照射源等。在一個(gè)例子中，來(lái)自掩模501的散射光502被分束器511接收，且被分成散射光的第一部分502A和散射光的第二部分502B。通過(guò)分束器511將第一部分502A引導(dǎo)至檢測(cè)器 513。檢測(cè)器513定位在掩模檢查系統(tǒng)500的傅里葉平面處且配置成檢測(cè)散射光的第一部分 502A。在一個(gè)例子中，控制器515耦接至檢測(cè)器513，且配置成接收代表散射光的所檢測(cè)的第一部分502A的信號(hào)514?？刂破?15配置成測(cè)量散射光的所檢測(cè)的第一部分502A的傅里葉場(chǎng)，以產(chǎn)生控制信號(hào)516。基于傅里葉場(chǎng)的測(cè)量，控制器515使用信號(hào)516來(lái)配置和控制動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517。在一個(gè)例子中，動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517還接收來(lái)自分束器511的散射光的第二部分502B。動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517配置成從散射光的第二部分502B基本上去除由掩模501 的圖案產(chǎn)生的所有散射光。因此，從動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517出射的散射光508基本上僅包括由可能存在于掩模501上的任何可能的缺陷產(chǎn)生的散射光。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模檢查系統(tǒng)500包括可選的掩?？钻@或隔板525。掩?？钻@525放置在中間像平面上，以限定檢查的起始部(leading part)和結(jié)束部(trailing part)。檢查的起始部被定義成散射光從掩模501行進(jìn)至在傅里葉平面處的檢測(cè)器513的區(qū)域。檢查的結(jié)束部被定義為散射光從掩模501行進(jìn)至動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517的區(qū)域。掩模孔闌525可以被調(diào)節(jié)以補(bǔ)償在檢測(cè)器513檢測(cè)散射光的第一部分502A的時(shí)間周期或時(shí)間段和基于控制信號(hào)516配置動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517的時(shí)間周期或時(shí)間段之間可能發(fā)生的任何時(shí)間延遲。例如，分析傅里葉場(chǎng)測(cè)量和控制動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517可以略微在對(duì)散射光的第二部分502B進(jìn)行動(dòng)態(tài)濾光之前發(fā)生。掩模孔闌525可以包括，但不限于，隔板、遮蔽器葉片等。在一個(gè)例子中，在散射光的第二部分502B穿過(guò)動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517之后，散射光的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508被檢測(cè)器519檢測(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)器519可以放置在掩模檢查系統(tǒng)500的像平面處。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模檢查系統(tǒng)500可以包括可選的成像光學(xué)裝置523，其被用于處理和引導(dǎo)散射光的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508到檢測(cè)器519上。 在這一示例性的配置中，散射光的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508基本上僅包括由掩模501的任何可能的缺陷產(chǎn)生的散射光。由掩模501的圖案產(chǎn)生的散射光基本上被動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片 517濾掉。在一個(gè)例子中，掩模檢查系統(tǒng)500還包括數(shù)據(jù)分析裝置533。數(shù)據(jù)分析裝置533 連接至檢測(cè)器519，且配置成接收代表散射光的所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508的信號(hào) 532，用于進(jìn)一步的分析。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)分析裝置533配置成將散射光的所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508與另一散射光進(jìn)行比較。在一個(gè)實(shí)施例中，另一散射光之前已經(jīng)被掩模檢查系統(tǒng)500檢測(cè)，且已經(jīng)被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)庫(kù)534中。在另一例子中，所述另一散射光可以來(lái)自掩模501的同一區(qū)域或可以來(lái)自具有類(lèi)似圖案的另一掩模(未顯示)的相同的區(qū)域。另外或可替代地，所述另一散射光可以來(lái)自具有基本上相同的圖案的掩模的另一區(qū)域。在另一實(shí)施例中，所述另一散射光可以是存儲(chǔ)在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)534中的參考數(shù)據(jù)。 在另一實(shí)施例中，如在圖7中更詳細(xì)地說(shuō)明的，基本上在散射光的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508 由檢測(cè)器519檢測(cè)的同時(shí)檢測(cè)所述另一散射光。另外或可替代地，數(shù)據(jù)分析裝置533配置成將散射光的已檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508與另一散射光相減。所述另一散射光可以包括任何上述的散射光。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)分析裝置533配置成在相減之前對(duì)所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508或其表達(dá)進(jìn)行歸一化。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)分析裝置533配置成在裝置533將信號(hào)532與所述另一散射光比較之前可選地對(duì)表示散射光的所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分508的信號(hào)532進(jìn)行歸一化。這可以改善對(duì)在掩模上的可能的缺陷的檢測(cè)。在一個(gè)例子中，通過(guò)將信號(hào)532與另一散射光比較，數(shù)據(jù)分析裝置533能夠去除由掩模501的圖案產(chǎn)生的可能穿過(guò)動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片517的任何剩余的散射光。因此，掩模檢查系統(tǒng)500增強(qiáng)了對(duì)可能存在于掩模501上的任何可能的缺陷的檢測(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中， 數(shù)據(jù)分析裝置533配置成對(duì)警報(bào)系統(tǒng)536進(jìn)行初始化，該警報(bào)系統(tǒng)536向使用者或系統(tǒng)警告掩模501包括缺陷。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)分析裝置533配置成確定掩模501上的缺陷的尺寸和位置。依賴(lài)于相對(duì)于掩模501的圖案的缺陷的尺寸和位置，以及缺陷的重要程度， 掩模501可以被替換或被移除用于清洗過(guò)程。在一個(gè)例子中，在掩模檢查系統(tǒng)500中使用的照射光的波長(zhǎng)和檢查通道的數(shù)值孔徑可以被計(jì)算或調(diào)整，用于改善掩模檢查系統(tǒng)500的缺陷檢測(cè)能力。照射光的波長(zhǎng)越短，掩模檢查系統(tǒng)500的分辨率越高。另外，檢查通道的數(shù)值孔徑越高，掩模檢查系統(tǒng)500的分辨率越高。例如，可以使用193nm或的照射光和數(shù)值孔徑為約0. 95的檢查通道。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模檢查系統(tǒng)500可以用作連接至光刻設(shè)備中的曝光工具的檢查模塊，例如在圖IA或IB中所顯示的。在這一實(shí)施例中，掩?？梢赞D(zhuǎn)移到模塊上，可以在掩模上進(jìn)行檢查，可以將掩模轉(zhuǎn)移到用于光刻過(guò)程的曝光工具。可替代地，在另一實(shí)施例中， 掩模檢查系統(tǒng)500可以與光刻設(shè)備是分離的。在一個(gè)例子中，掩模檢查系統(tǒng)500可以用于檢查任何光學(xué)掩模，例如掩模檢查系統(tǒng)500可以用于檢查在真空中的圖案化的EUV掩模，掩模檢查系統(tǒng)500可以用于檢查EUV 掩模的前側(cè)或后側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模501上的圖案是周期性的圖案。圖6是用于針對(duì)缺陷檢查掩模的方法600的實(shí)施例的視圖?？梢允褂美缦鄬?duì)于圖3、4或5在上文描述的掩模檢查系統(tǒng)300、403或500來(lái)進(jìn)行方法600。在步驟601中，用輻射束照射掩模的區(qū)域。在步驟603中，由檢測(cè)器接收由掩模的所述區(qū)域產(chǎn)生的散射光的第一部分來(lái)檢測(cè)散射光的第一部分的傅里葉圖像。在步驟605中，使用散射光的第一部分的所檢測(cè)的傅里葉圖像來(lái)設(shè)置和控制動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片。在步驟607中，散射光的第二部分穿過(guò)動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，由掩模的所述區(qū)域的圖案產(chǎn)生的散射光基本上被從散射光的第二部分去除。在步驟609中，由檢測(cè)器接收和檢測(cè)散射光的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分，所述經(jīng)過(guò)濾光的第二部分基本上包括由掩模的所述區(qū)域上的任何可能的缺陷產(chǎn)生的散射光。在可選的步驟611中，散射光的所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分與另一圖案化的光進(jìn)行比較。通過(guò)比較，可以去除由掩模的所述區(qū)域的圖案產(chǎn)生的、可能已經(jīng)穿過(guò)濾光片的任何剩余的散射光。因此，改善了缺陷的檢測(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，散射光的所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分與另一圖案化的光的比較可以包括，但不限于，將散射光的所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分與另一圖案化的光相減。在一個(gè)實(shí)施例中，之前已經(jīng)由掩模檢查系統(tǒng)檢測(cè)所述另一散射光，且將另一散射光存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中。所述另一散射光可以來(lái)自同一掩模的同一區(qū)域，或可以來(lái)自具有類(lèi)似的圖案的另一掩模的相同區(qū)域。另外地或可替代地，所述另一散射光可以來(lái)自具有大致相同的圖案的同一掩模的另一區(qū)域。在另一實(shí)施例中，所述另一散射光可以是存儲(chǔ)在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中的參考數(shù)據(jù)。在另一實(shí)施例中，如在圖7中更詳細(xì)地說(shuō)明的，可以連續(xù)地且大致同時(shí)地檢測(cè)散射光的經(jīng)過(guò)濾光的第二部分和所述另一散射光。圖7是掩模檢查系統(tǒng)700的視圖。掩模檢查系統(tǒng)700可以包括至少兩個(gè)光學(xué)通道 703A和70 。每一光學(xué)通道703A或70 可以包括掩模檢查系統(tǒng)，例如在圖3、4和5中顯示的掩模檢查系統(tǒng)300、403和500。傅里葉平面檢測(cè)器(例如圖4的檢測(cè)器413)可以放置在傅里葉平面707處。掩模檢查系統(tǒng)700可以用于分別檢查掩模圖案701A和701B上的檢查區(qū)705A和 705B。在一個(gè)例子中，除去可能存在于掩模圖案701A和701B上的任何可能的缺陷之外，掩模圖案70IA和70IB具有基本上相同的圖案。可以分別由光學(xué)通道703A和70 將照射束730A和730B引導(dǎo)至掩模圖案701A和701B上的檢查區(qū)705A和705B。來(lái)自檢查區(qū)705A和 705B的散射光702A和702B被引導(dǎo)至光學(xué)通道703A和70!3B。在一個(gè)例子中，如上文所討論的，相對(duì)于圖3-6，在每一光學(xué)通道中，通過(guò)使用動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片(未顯示)從整個(gè)散射光基本上去除從其各自的檢查區(qū)的圖案散射的光，以隔離包括關(guān)于缺陷的信息的散射光。檢測(cè)從檢查區(qū)705A和705B得到的經(jīng)過(guò)濾光的散射光 (未顯示)。使用數(shù)據(jù)分析裝置(未顯示)彼此比較所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的散射光的表達(dá)。通過(guò)比較所述表達(dá)，去除了可能已經(jīng)通過(guò)動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片的來(lái)自檢查區(qū)705A和705B的圖案的可能的剩余的散射光。例如，改善了對(duì)可能存在于檢查區(qū)705A和705B上的且不是檢查區(qū)705A和705B的共同特征的任何可能的缺陷的檢測(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以從掩模平臺(tái)坐標(biāo)和照射束參考來(lái)測(cè)量檢查區(qū)域705A和705B的位置。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)通道703A和70 同步地檢查掩模圖案701A和701B。得到的來(lái)自光學(xué)通道703A和70 的所檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的傅里葉圖案化的光的表達(dá)連續(xù)地彼此比較。在一個(gè)實(shí)施例中，承載掩模圖案70IA和70IB的掩模板包括掩模對(duì)準(zhǔn)鍵709。掩模對(duì)準(zhǔn)鍵709可以用于對(duì)準(zhǔn)光學(xué)通道703A和7(X3B。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)對(duì)準(zhǔn)由檢查區(qū)705A和705B的圖案所產(chǎn)生的剩余的散射光的表達(dá)，來(lái)實(shí)現(xiàn)光學(xué)通道703A和70 之間的對(duì)準(zhǔn)的精細(xì)調(diào)節(jié)。在另一實(shí)施例中，可以通過(guò)減小光學(xué)通道703A和7(X3B中的傅里葉濾光片的效率來(lái)增強(qiáng)由檢查區(qū)705A和705B的圖案所產(chǎn)生的剩余的散射光，用于改善對(duì)準(zhǔn)。在一個(gè)實(shí)施例中，由在光學(xué)通道703A和70 的傅里葉平面707處的檢測(cè)器(未顯示)檢測(cè)的散射光的表達(dá)的平均值用于配置和控制光學(xué)通道703A和70 的動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片(未顯示)。在另一實(shí)施例中，僅光學(xué)通道703A和7(X3B中的一個(gè)包括在傅里葉平面 707處的檢測(cè)器(未顯示)。所述一個(gè)檢測(cè)器用于配置和控制兩個(gè)光學(xué)通道703A和70 中的動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片(未顯示)。在另一實(shí)施例中，在兩個(gè)通道703A和7(X3B中檢測(cè)的經(jīng)過(guò)濾光的散射光的表示在彼此比較之前被歸一化處理。如果動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片是不可用的， 那么在一個(gè)實(shí)施例中，固定的預(yù)設(shè)的傅里葉平面阻擋濾光片可以被匹配和用在每一光學(xué)通道703A和7(X3B中。然而，使用固定的預(yù)設(shè)的傅里葉平面阻擋濾光片代替動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，可以減小濾光效率和降低掩模檢查系統(tǒng)700的有效性。在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用掃描器704A和704B來(lái)分別沿不同的掃描方向掃描在掩模圖案70IA和70IB上方的光學(xué)通道703A和70 。在一個(gè)例子中，掃描器704A和704B 可以同步地掃描在掩模圖案70IA和70IB上方的光學(xué)通道703A和70 。在另一實(shí)施例中， 可以沿著掃描方向移動(dòng)掩模圖案701A和701B，使得它們可以由光學(xué)通道703A和70 進(jìn)行掃描。圖8A是光刻設(shè)備的曝光階段800的一實(shí)施例的視圖。圖8B是光刻設(shè)備的檢查階段800'的一實(shí)施例的視圖。圖8A和8B是掩模檢查系統(tǒng)807可以如何與光刻設(shè)備工作的一個(gè)例子的視圖，例如通過(guò)在圖8A的曝光期間的位置和在圖8B的檢查期間的位置之間移動(dòng)掩模檢查系統(tǒng)807來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖8A是曝光階段800的視圖。在曝光階段800中，照射源 805可以照射掩模801的目標(biāo)部分(未顯示)。在被掩模801反射之后，圖案化的光被聚焦到襯底803的目標(biāo)部分(未顯示)上，以形成襯底803上的圖案或特征。在曝光階段800 的期間，掩模檢查系統(tǒng)807是離線的或被移動(dòng)離開(kāi)來(lái)自掩模801的圖案化的束。
圖8B是檢查階段800'的視圖。在檢查階段800'中，可以將掩模檢查系統(tǒng)807移動(dòng)到在掩模801和襯底803之間的圖案化束的束路徑中。在一個(gè)例子中，掩模檢查系統(tǒng)807 可以包括例如在圖3，4，5，和7中顯示的掩模檢查系統(tǒng)300、403或500。在檢查階段800' 中，照射源805照射掩模801。來(lái)自掩模801的散射光被掩模檢查系統(tǒng)807接收和處理，以檢測(cè)可能存在于掩模801上的任何可能的缺陷。圖9A是光刻設(shè)備的曝光階段900的另一實(shí)施例的視圖。圖9B是光刻設(shè)備的檢查階段900'的另一實(shí)施例的視圖。圖9A和9B示出掩模檢查系統(tǒng)907可以如何與光刻設(shè)備工作的另一例子，例如通過(guò)將掩模901從如在圖9A中所看到的曝光位置移動(dòng)至如圖9B中所看到的檢查位置。在曝光階段900期間，照射源905可以照射掩模901的目標(biāo)部分(未顯示)。在被從掩模901反射之后，圖案化的光被聚焦到襯底903的目標(biāo)部分(未顯示)上， 以形成襯底903上的圖案或特征。在曝光階段900期間，掩模檢查系統(tǒng)907是離線的，或被從圖案化的束的路徑移除。圖9B是檢查階段900'的視圖。在檢查階段900'中，掩模901可以被移動(dòng)以進(jìn)行檢查。在檢查階段900'期間，掩模被照射源909照射。來(lái)自掩模901的散射光被掩模檢查系統(tǒng)907接收和處理以檢測(cè)可能存在于掩模901上的任何可能的缺陷。掩模檢查系統(tǒng) 907可以包括例如在圖3、4、5和7中顯示的掩模檢查系統(tǒng)300、403或500。III.結(jié)論盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、 量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將此處的公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻術(shù)的情形中使用本發(fā)明的實(shí)施例， 但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明可以用于其他應(yīng)用中，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過(guò)施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來(lái)使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有為或具有約365、355、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有在5-20nm的范圍內(nèi)的波長(zhǎng))以及粒子束(諸如離子束或電子束)。在上下文允許的情況下，所述術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示各種類(lèi)型的光學(xué)部件中的任何一種或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開(kāi)的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或者采取具有在其中存儲(chǔ)的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的形式(例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))。以上的描述是說(shuō)明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不背離下文所闡述的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下，可以對(duì)所述的本發(fā)明進(jìn)行修改。應(yīng)當(dāng)理解，具體實(shí)施方式
部分，而不是發(fā)明內(nèi)容和摘要部分是要用于解釋權(quán)利要求。發(fā)明內(nèi)容和摘要部分可以闡述一個(gè)或更多的本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但不是如由發(fā)明人所設(shè)想的本發(fā)明的所有示例性實(shí)施例，因此不是要以任何方式限制本發(fā)明和隨附的權(quán)利要求。在顯示特定功能的實(shí)施及其關(guān)系的功能性構(gòu)建塊的幫助下，在上文描述了本發(fā)明的實(shí)施例。為了便于描述，在此處隨意地定義了這些功能性構(gòu)建塊的界限。只要特定功能及其關(guān)系能夠被適合地執(zhí)行，可以定義可替代的界限。對(duì)特定實(shí)施例的上述描述如此全面地揭示了本發(fā)明的一般性質(zhì)，使得其它人可以在沒(méi)有過(guò)多的試驗(yàn)的情況下通過(guò)應(yīng)用本領(lǐng)域中的知識(shí)容易地針對(duì)各種應(yīng)用修改和/或改編這樣的特定實(shí)施例，而不背離本發(fā)明的一般設(shè)想。因此，這樣的改編和修改基于此處顯示的教導(dǎo)和引導(dǎo)，將處于所公開(kāi)的實(shí)施例的等價(jià)物的意思和范圍內(nèi)。應(yīng)當(dāng)理解，此處的措詞或術(shù)語(yǔ)是為了描述的目的，而不是限制性的，使得鑒于上述教導(dǎo)和引導(dǎo)，可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員解釋本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)的術(shù)語(yǔ)或措詞。本發(fā)明的覆蓋度和范圍不應(yīng)當(dāng)由任何上述的示例性實(shí)施例限制，而是僅根據(jù)隨附的權(quán)利要求和它們的等同物來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包括第一檢測(cè)器，定位在傅里葉平面處且配置成檢測(cè)由掩模的一部分產(chǎn)生的圖案化的光的第一部分；動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片；控制器，配置成基于所述圖案化的光的第一部分控制所述動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片； 第二檢測(cè)器，配置成在由所述掩模的所述部分產(chǎn)生的圖案化的光的第二部分透射穿過(guò)所述動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片之后檢測(cè)所述第二部分；和數(shù)據(jù)分析裝置，配置成將所述圖案化的光的第二部分與另一圖案化的光進(jìn)行比較。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括分束器，配置成對(duì)所述圖案化的光進(jìn)行分光且朝向所述第一檢測(cè)器引導(dǎo)所述圖案化的光的第一部分、朝向所述第二檢測(cè)器引導(dǎo)所述圖案化的光的第二部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，還包括在所述分束器和所述第一檢測(cè)器之間的第一隔板；和在所述分束器和所述第二檢測(cè)器之間的第二隔板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片是數(shù)字反射鏡陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片是光閥陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述第一檢測(cè)器是CCD照相機(jī)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括第三檢測(cè)器，定位在第二傅里葉平面處且配置成檢測(cè)由第二掩模的一部分所產(chǎn)生的第二圖案化的光的第一部分； 第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片；第二控制器，配置成基于由所述第二掩模的所述部分所產(chǎn)生的第二圖案化的光的第一部分控制所述第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片；和第四檢測(cè)器，配置成在所述第二圖案化的光的第二部分透射穿過(guò)所述第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片之后檢測(cè)所述第二部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述掩模和所述第二掩模具有基本上相同的掩模圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述數(shù)據(jù)分析裝置配置成將所述圖案化的光的第二部分與所述第二圖案化的光的第二部分進(jìn)行比較。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述數(shù)據(jù)分析裝置配置成連續(xù)地將所述圖案化的光的第二部分與所述第二圖案化的光的第二部分進(jìn)行比較。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中表示由第二掩模的一部分所產(chǎn)生的所述另一圖案化的光的信息被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中；和所述掩模和所述第二掩模具有基本上相同的掩模圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中表示所述掩模的第二部分所產(chǎn)生的所述另一圖案化的光的信息被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中；和所述掩模的所述部分和第二部分具有基本上相同的掩模圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括第三檢測(cè)器，定位在第二傅里葉平面處且配置成檢測(cè)由所述掩模的第二部分所產(chǎn)生的第二圖案化的光的第一部分； 第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片；第二控制器，配置成基于所述第二圖案化的光的第一部分控制所述第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片；和第四檢測(cè)器，配置成在所述第二圖案化的光的第二部分透射穿過(guò)所述第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片之后檢測(cè)所述第二圖案化的光的所述第二部分；其中所述數(shù)據(jù)分析裝置配置成將所述圖案化的光的第二部分與所述第二圖案化的光的第二部分進(jìn)行比較，和其中所述掩模的所述部分和所述掩模的第二部分具有基本上相同的掩模圖案。
14.一種方法，包括步驟檢測(cè)由掩模所產(chǎn)生的圖案化的光的第一部分的傅里葉圖像；基于所檢測(cè)的傅里葉圖像控制傅里葉濾光片；使用所述傅里葉濾光片來(lái)對(duì)所述圖案化的光的第二部分進(jìn)行濾光；檢測(cè)經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分；和將經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分與另一圖案化的光進(jìn)行比較。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括步驟在所述比較步驟之前對(duì)經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分進(jìn)行歸一化。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括步驟檢測(cè)由第二掩模所產(chǎn)生的第二圖案化的光的第一部分的第二傅里葉圖像； 基于所檢測(cè)的傅里葉圖像控制第二傅里葉濾光片；使用所述第二傅里葉濾光片來(lái)對(duì)所述第二圖案化的光的第二部分進(jìn)行濾光；和檢測(cè)所述第二圖案化的光的經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述掩模和所述第二掩模具有基本上相同的掩模圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述比較步驟包括將所述圖案化的光的經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分與所述第二圖案化的光的經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分進(jìn)行比較。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中在所述比較步驟之前，所述方法還包括步驟 對(duì)所述圖案化的光的經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分和所述第二圖案化的光的經(jīng)過(guò)濾光的所述第二部分進(jìn)行歸一化。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括步驟基于所述傅里葉圖像和所述第二傅里葉圖像生成平均的傅里葉圖像；和基于所述平均的傅里葉圖像來(lái)控制所述傅里葉濾光片和所述第二傅里葉濾光片。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在所述第二部分的濾光步驟之前進(jìn)行對(duì)所述第一部分的傅里葉圖像的檢測(cè)。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括步驟 測(cè)量在所述掩模上的缺陷部位的位置。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括步驟 檢測(cè)所述缺陷部位是否位于所述掩模的關(guān)鍵部分上。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括步驟在控制所述傅里葉濾光片之前對(duì)所檢測(cè)的傅里葉圖像進(jìn)行歸一化。
25.一種光刻系統(tǒng)，包括支撐件，配置成支撐圖案形成結(jié)構(gòu)，所述圖案形成結(jié)構(gòu)配置成在曝光階段和檢查階段中的至少一個(gè)期間對(duì)輻射束進(jìn)行圖案化； 襯底臺(tái)，配置成保持襯底；投影系統(tǒng)，配置成在所述曝光階段期間將圖案化的束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；和圖案形成結(jié)構(gòu)檢查系統(tǒng)，配置成在所述檢查階段期間檢查所述圖案形成結(jié)構(gòu)的區(qū)域， 包括分束器，配置成接收來(lái)自所述圖案形成結(jié)構(gòu)的區(qū)域的圖案化的光，且配置成將所述圖案化的光分成所述圖案化的光的第一部分和所述圖案化的光的第二部分，第一檢測(cè)器，定位在傅里葉平面處且配置成檢測(cè)由所述分束器所引導(dǎo)的第一部分； 動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，控制器，配置成基于所述圖案化的光的所檢測(cè)的第一部分來(lái)控制所述動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，第二檢測(cè)器，配置成在所述圖案化的光的第二部分透射穿過(guò)所述動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片之后檢測(cè)所述第二部分，和數(shù)據(jù)分析裝置，配置成將所述圖案化的光的第二部分與另一圖案化的光進(jìn)行比較。
26.一種掃描檢測(cè)系統(tǒng)，包括第一光學(xué)裝置通道，在第一光學(xué)裝置通道中，第一檢測(cè)器定位在第一傅里葉平面處且配置成檢測(cè)由具有第一掩模圖案的掩模的第一部分所產(chǎn)生的第一圖案化的光的第一傅里葉場(chǎng)，且第一動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片定位在第一主成像路徑中；和第一控制器，配置成基于所述第一圖案化的光的第一傅里葉場(chǎng)來(lái)控制所述第一動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，使得所述第一動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片基本上去除由所述第一掩模圖案產(chǎn)生的第一圖案化的光和由所述第一掩模圖案所產(chǎn)生的在所述第一主成像路徑中的第二圖案化的光。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的掃描檢測(cè)系統(tǒng)，還包括第二光學(xué)裝置通道，在第二光學(xué)裝置通道中，第二檢測(cè)器定位在第二傅里葉平面處且配置成檢測(cè)由具有第二掩模圖案的掩模的第二部分所產(chǎn)生的第一圖案化的光的第二傅里葉場(chǎng)，且第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片定位在第二主成像路徑中；和第二控制器，配置成基于由所述掩模的第二部分所產(chǎn)生的所述第一圖案化的光的第二傅里葉場(chǎng)來(lái)控制所述第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，使得所述第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片基本上去除由所述第二掩模圖案產(chǎn)生的第一圖案化的光和由所述第二掩模圖案所產(chǎn)生的在所述第二主成像路徑中的第二圖案化的光，其中所述第一和第二掩模圖案是基本上相同的。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的掃描檢測(cè)系統(tǒng)，還包括第一掃描器，配置成沿著掃描方向掃描在所述掩模上方的所述第一光學(xué)裝置通道，以針對(duì)于一個(gè)或更多的缺陷顆粒來(lái)檢查所述掩模，且提供來(lái)自所述第一光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第一傅里葉圖像；和第二掃描器，配置成沿著所述掃描方向掃描在所述掩模上方的所述第二光學(xué)裝置通道，以與所述第一掃描器同步地針對(duì)于一個(gè)或更多的缺陷顆粒檢查所述掩模，且提供來(lái)自所述第二光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第二傅里葉圖像。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的掃描檢測(cè)系統(tǒng)，還包括比較器，配置成將在各自的像平面中的來(lái)自所述第一光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第一傅里葉圖像與來(lái)自所述第二光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第二傅里葉圖像進(jìn)行比較，以識(shí)別不是所述第一和第二光學(xué)裝置通道的共同特征的顆粒缺陷，且去除第一和第二掩模圖案圖像的剩余部分。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的掃描檢測(cè)系統(tǒng)，還包括減法器，配置成同步地歸一化和減去各自的像平面圖像以去除對(duì)于所述第一和第二光學(xué)裝置通道所共同的所述第一和第二掩模圖案圖像的剩余部分，以提供在所述掩模上的非共同的缺陷圖案。
31.一種方法，包括步驟使用在第一光學(xué)裝置通道處的第一檢測(cè)器來(lái)檢測(cè)由具有第一掩模圖案的掩模的第一部分所產(chǎn)生的第一圖案化的光的第一傅里葉場(chǎng)；和使用第一控制器、基于所述第一圖案化的光的第一傅里葉場(chǎng)控制定位在第一主成像路徑中的第一動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，使得所述第一動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片基本上去除由所述第一掩模圖案產(chǎn)生的第一圖案化的光和由所述第一掩模圖案所產(chǎn)生的在所述第一主成像路徑中的第二圖案化的光，其中所述第一檢測(cè)器位于第一傅里葉平面處。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，還包括使用在第二光學(xué)裝置通道處的第二檢測(cè)器來(lái)檢測(cè)由具有第二掩模圖案的掩模的第二部分所產(chǎn)生的第一圖案化的光的第二傅里葉場(chǎng)；和使用第二控制器、基于由所述掩模的第二部分所產(chǎn)生的第一圖案化的光的第二傅里葉場(chǎng)來(lái)控制定位在第二主成像路徑中的第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片，使得所述第二動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片基本上去除由所述第二掩模圖案產(chǎn)生的第一圖案化的光和由所述第二掩模圖案所產(chǎn)生的在所述第二主成像路徑中的第二圖案化的光，其中所述第一和第二掩模圖案是基本上相同的；其中所述第二檢測(cè)器定位在第二傅里葉平面處。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的系統(tǒng)，還包括使用第一掃描器沿著掃描方向掃描在所述掩模上方的所述第一光學(xué)裝置通道，以針對(duì)于一個(gè)或更多的缺陷顆粒檢查所述掩模，且提供來(lái)自所述第一光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第一傅里葉圖像；和使用第二掃描器沿著所述掃描方向掃描在所述掩模上方的所述第二光學(xué)裝置通道，以與所述第一掃描器同步地針對(duì)于一個(gè)或更多的缺陷顆粒來(lái)檢查所述掩模，且提供來(lái)自所述第二光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第二傅里葉圖像。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，還包括使用比較器將在各自的像平面中的來(lái)自所述第一光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第一傅里葉圖像與來(lái)自第二光學(xué)裝置通道的經(jīng)過(guò)濾光的第二傅里葉圖像進(jìn)行比較，以識(shí)別不是所述第一和第二光學(xué)裝置通道的共同特征的顆粒缺陷，且去除第一和第二掩模圖案圖像的剩余部分。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，還包括使用減法器同步地歸一化和減去各自的像平面圖像以去除對(duì)于所述第一和第二光學(xué)裝置通道所共同的所述第一和第二掩模圖案圖像的剩余部分，以提供在所述掩模上的非共同的缺陷圖案。
全文摘要
具有傅里葉濾光和圖像比較的掩模檢查系統(tǒng)可以包括第一檢測(cè)器、動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片、控制器和第二檢測(cè)器。第一檢測(cè)器可以位于檢查系統(tǒng)的傅里葉平面處且可以檢測(cè)由掩模的區(qū)域所產(chǎn)生的圖案化的光的第一部分?？梢曰趫D案化的光的所檢測(cè)的第一部分由控制器控制動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片。第二檢測(cè)器可以檢測(cè)由掩模的所述部分所產(chǎn)生的且透射穿過(guò)動(dòng)態(tài)傅里葉濾光片的圖案化的光的第二部分。另外，掩模檢查系統(tǒng)可以包括數(shù)據(jù)分析裝置，用于比較圖案化的光的第二部分與另一圖案化的光。因此，掩模檢查系統(tǒng)能夠更加精確地且以更高分辨率檢測(cè)在掩模的區(qū)域上的任何可能的缺陷。
文檔編號(hào)G03F1/00GK102395923SQ201080016447
公開(kāi)日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2010年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月13日
發(fā)明者哈里·休厄爾, 埃里克·凱蒂, 邁克爾·納爾遜 申請(qǐng)人:Asml控股股份有限公司