專利名稱：具有多重半透過部分的半色調(diào)掩膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用狹縫式或堆疊式半透過部分或其組合而形成有半透明區(qū)域的半色調(diào)掩膜，其中，精細(xì)圖案的圖案密度被調(diào)節(jié)以提高透射率調(diào)節(jié)的效率。
背景技術(shù)：
如圖1所示，在利用光刻過程進(jìn)行圖案化時(shí)所使用的常規(guī)的光掩膜包括透明襯底 1、形成在透明襯底1上能夠完全透光的光透射部分3、能夠完全阻擋光的光阻擋部分2、以及具有能夠部分透光的半色調(diào)層的半透過部分16。由于常規(guī)的掩膜僅可以完成一層圖案，因此常規(guī)的掩膜僅可以用于由曝光-顯影-蝕刻形成的光刻過程的一個(gè)周期中。更具體地，TFT(薄膜晶體管，Thin Film Transistor)和CF(彩色濾光片，Color Filter)被沉積/涂覆為多層，并且每個(gè)沉積/涂覆層通過光刻過程被圖案化。同時(shí)，如果在光刻過程中減少即使一個(gè)周期，也可以獲得很大的經(jīng)濟(jì)效益。然而，由于常規(guī)的掩膜被配置為僅完成一層圖案，因此常規(guī)的掩膜不經(jīng)濟(jì)。此外，必須完成若干色調(diào)以形成多重半透過部分，從而導(dǎo)致延長過程和交付時(shí)間的問題。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題同時(shí)，如圖2所示，被稱作灰色調(diào)掩膜的不同類型的光掩膜被研制為包括形成在透明襯底11上的用于完全透光的透射部分13、用于完全阻擋光的光阻擋層12以及通過減少輻照光的量而透射光的狹縫圖案14。然而，由于灰色調(diào)掩膜利用穿過精細(xì)圖案的光的衍射來調(diào)節(jié)光量，因此灰色調(diào)掩膜因完成狹縫圖案的限制而在可調(diào)節(jié)的透射光的量方面受限制。灰色調(diào)掩膜的另一缺點(diǎn)是，如果灰色調(diào)掩膜的尺寸大于預(yù)定尺寸，則不能完成同樣的圖案?；疑{(diào)掩膜的又一缺點(diǎn)是，由于灰色調(diào)掩膜利用光的衍射，因此在將多重半透過部分實(shí)現(xiàn)為狹縫式時(shí)幾乎不能控制曝光。技術(shù)方案本發(fā)明被公開以避免上述缺點(diǎn)，并且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種使用狹縫式半透過部分或堆疊式半透過部分或兩者結(jié)合而形成有半透明區(qū)域的半色調(diào)掩膜，其中，調(diào)節(jié)精細(xì)圖案的圖案密度以提高透射率調(diào)節(jié)的效率。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種在狹縫式半透過部分的離散空間中填充有半透過材料的半色調(diào)掩膜，以形成能夠控制3個(gè)或更多個(gè)互不相同的透射率的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)主要方面，提供具有至少一個(gè)或更多個(gè)半透過部分的半色調(diào)掩膜，所述半色調(diào)掩膜能夠通過調(diào)節(jié)形成所述半透過部分的精細(xì)圖案的圖案密度來調(diào)節(jié)透射率。在一些示例性實(shí)施例中，在所述半色調(diào)掩膜中的所述半透過部分可以具有在半透過膜上形成精細(xì)圖案的結(jié)構(gòu)、在光阻擋層上形成精細(xì)圖案的結(jié)構(gòu)并且該結(jié)構(gòu)上形成有半透過膜、或這兩種結(jié)構(gòu)的復(fù)合結(jié)構(gòu)。在一些示例性實(shí)施例中，所述半透過膜可以采用具有在4 75%范圍內(nèi)的透射率的半透過材料。在一些示例性實(shí)施例中，可以在0. Ιμπι 1.3μπι的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所述精細(xì)圖案的線寬。在一些示例性實(shí)施例中，所述半透過材料是可以具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中的一種作為主要元素的材料，或者是混合有至少兩種或更多種所述元素的復(fù)合材料，或者是向所述具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中的一種作為主要元素的材料或所述復(fù)合材料中加入Cox、 Ox、Nx中的至少一種的材料。在本發(fā)明的另一主要方面，提供一種具有多重半透過部分的半色調(diào)掩膜的制造方法，其中，所述半色調(diào)掩膜包括調(diào)節(jié)光透射率的精細(xì)圖案，并且其中，通過在0. Ιμπι 1. 3 μ m的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所述精細(xì)圖案的線寬，來調(diào)節(jié)所述光透射率以及調(diào)節(jié)所述精細(xì)圖案的圖案密度。在本發(fā)明的又一主要方面，提供一種半色調(diào)掩膜，其中，所述半色調(diào)掩膜包括形成在透明襯底上的光透射部分、光阻擋部分和半透過部分，其中所述半透過部分包括在狹縫中填充有半色調(diào)材料的多重半色調(diào)部分。在一些示例性實(shí)施例中，所述半透過部分可以包括至少一個(gè)或更多的多重半色調(diào)部分，其中，所述半透過部分可以進(jìn)一步包括形成有半透過材料層的單個(gè)半色調(diào)部分或僅形成有狹縫的狹縫式半色調(diào)部分中的至少一個(gè)。在一些示例性實(shí)施例中，所述多重半色調(diào)部分可以包括具有預(yù)定的離散空間的狹縫式光阻擋壁，其中，半透過材料層可以形成在所述狹縫式光阻擋壁和所述光阻擋部分之間的離散空間中。在一些示例性實(shí)施例中，半透過材料層可以形成在所述狹縫式光阻擋壁和所述光阻擋部分上。在一些示例性實(shí)施例中，所述半透過材料層可以是具有Mo、Si、Ta、W、Al、Cr、Hf、 Zr、Me、V、Ni、Nb、Co和Ti作為主要元素并且結(jié)合有至少兩種或更多種主要元素材料或主要元素的復(fù)合材料，或者是向所述主要元素或復(fù)合材料中加入Cox、0X、NX中的至少一種的材料，其中χ是自然數(shù)?？梢酝ㄟ^以下制造方法制造根據(jù)本發(fā)明的具有上述結(jié)構(gòu)的半色調(diào)掩膜。在本發(fā)明的再一主要方面，提供一種半色調(diào)掩膜的制造方法，其中第一步驟是在堆疊有光阻擋層的透明襯底上涂覆光刻膠；第二步驟是通過曝光和顯影所述光刻膠來進(jìn)行圖案化；第三步驟是通過蝕刻所述光阻擋層來形成狹縫式光阻擋壁和光透過部分；以及第四步驟是通過在所述狹縫式光阻擋壁中堆疊半透過材料層來形成多重半色調(diào)部分。在一些示例性實(shí)施例中，所述第四步驟包括在所述光阻擋層的上表面上堆疊半透過材料層(al)，通過在所述半透過材料層上涂覆所述光刻膠來進(jìn)行圖案化(a2)，以及選擇性地移除通過被圖案化的部分填充在光透射部分或所述狹縫式光阻擋壁中的所述半透過材料層(a3)。在一些示例性實(shí)施例中，在所述第三步驟和所述第四步驟之后，可以進(jìn)一步包括在蝕刻所述光阻擋層或所述半透過材料層之后進(jìn)行的移除所述光刻膠的步驟。有益效果本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，可以調(diào)節(jié)精細(xì)圖案的圖案密度，以提高形成有狹縫式半透過部分、堆疊式半透過部分或其結(jié)合的半色調(diào)掩膜中的透射率的調(diào)節(jié)效率。另一優(yōu)點(diǎn)是，通過不依靠單獨(dú)的制造過程而調(diào)節(jié)圖案密度，可以準(zhǔn)確地控制半透過區(qū)域的透射率。又一優(yōu)點(diǎn)是，多個(gè)半色調(diào)掩膜在狹縫式半透過部分的離散空間中填充有半透過材料，以形成能夠控制3個(gè)或更多個(gè)互不相同的透射率的結(jié)構(gòu)。再一優(yōu)點(diǎn)是，通過利用狹縫中的衍射現(xiàn)象以及利用半透過材料層進(jìn)行控制的透射率可以提供高質(zhì)量的多個(gè)半色調(diào)掩膜，以極大地提高考慮到缺陷的透射率的設(shè)計(jì)自由度和正確性自由度，從而提高加工產(chǎn)率、縮短加工周期并且提高曝光后的產(chǎn)品質(zhì)量。


圖1和圖2是圖示現(xiàn)有技術(shù)的半色調(diào)掩膜和灰色調(diào)掩膜的概念圖；圖3和圖4是解釋根據(jù)精細(xì)圖案的光透射率調(diào)節(jié)原理的概念圖；圖5是本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造過程流程圖；圖6和圖7是在數(shù)量上圖示根據(jù)半色調(diào)掩膜的圖案密度調(diào)節(jié)的透射率變化的圖表，所述半色調(diào)掩膜是通過圖5中的過程制造的；圖8和圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的半色調(diào)掩膜的制造過程的流程圖和過程圖；圖10是圖示根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的多個(gè)半色調(diào)掩膜的主要部件的示意圖。
具體實(shí)施例方式將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的配置和操作。(第一示例性實(shí)施例)本發(fā)明的主旨是提供一種半色調(diào)掩膜，所述半色調(diào)掩膜通過布置精細(xì)圖案而形成有半透過區(qū)域，能夠通過調(diào)節(jié)精細(xì)圖案的圖案密度來調(diào)節(jié)精確的光透射率。參照?qǐng)D3，解釋調(diào)節(jié)半色調(diào)掩膜的透射率的基本原理。半色調(diào)掩膜包括形成在襯底200上的半透過層210以及完全阻擋光的光阻擋層 220。半透過層210可以通過在光阻擋層上形成精細(xì)圖案或者在半透過膜上形成光阻擋層來完成。所示的半透過層示出2個(gè)半透過區(qū)域A、B，光透射率在所述半透過區(qū)域A、B中被調(diào)節(jié)。參照?qǐng)D4，其中半透過區(qū)域A被放大，在襯底上的阻擋層或半透過層210上的具有預(yù)定線寬(XI，X2，X3. )(11)的精細(xì)圖案形成有空間(Sl，S2，S3..Sn)。在對(duì)半色調(diào)掩膜進(jìn)行曝光的情形中，如圖所示，由于被改變的光透射率，因此光敏材料(PR)的形狀在顯影后被改變。具體地，精細(xì)圖案寬度的調(diào)節(jié)作為透射率調(diào)節(jié)的重要因素。精細(xì)圖案的密度是每單位面積被精細(xì)圖案占據(jù)的比率，并且是基于附圖中每整個(gè)單位面積的比率從多個(gè)線寬(XI， X2,X3.Xn)的和計(jì)算的值，其中圖案密度與光透射率成反比例。
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圖5是本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造過程的流程圖。首先，為了形成具有圖3所示的結(jié)構(gòu)的半色調(diào)掩膜，襯底200被覆以光阻擋材料 220膜，在光阻擋材料220上涂覆光刻膠230。然后，包括曝光過程P3、顯影/蝕刻P4和剝離/清洗過程P5，通過這些過程可以制造形成有精細(xì)圖案的常規(guī)半色調(diào)掩膜。具體地，在形成本發(fā)明中的精細(xì)圖案時(shí)優(yōu)選的是，精細(xì)圖案的線寬在0. Ιμπι 1. 3 μ m的范圍內(nèi)變化。更具體地，形成有精細(xì)圖案的半透過區(qū)域被涂覆有半透過膜M0。所述半透過膜可以被用作氧化鉻膜，并且半透過材料可以是具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中的一種作為主要元素的材料，或者是混合有至少兩種或多種所述元素的復(fù)合材料，或者是向主要元素材料或復(fù)合材料中加入Cox、Ox、Nx的材料。更具體的，堆疊的半透過區(qū)域的組合物可以是任意組合物，只要它可以僅透射預(yù)定波段的部分光。例如，堆疊的半透過區(qū)域可以是來自由Crx0y、CrxCOy, CrxOyNz, SixOy, SixOyNx, SixCOy, SixCOyNz, MoxSiy, MoxOy, MoxOyNz, MoxCOy, MoxOyNz, MoxSiyOz, MoxSiyOzN, MoxSiyCOzN, MoxSiyCOz, TaxOy, TaxOyNz, TaxCOy, TaxOyNz, AlxOy, AlxCOy, AlxOyNz, AlxCOyNz, TixOy, Tix0yNz、TixCOy或其結(jié)合所組成的組中的任意一種的組合物，其中下標(biāo)x、y和ζ是自然數(shù)并且限定每種化學(xué)元素的數(shù)量。接著，半透過膜MO的上表面可以再次被涂覆以光刻膠250，被圖案化、曝光、顯影、蝕刻(Ql Q3)，然后光刻膠被剝離以形成本發(fā)明的半色調(diào)掩膜OH)?，F(xiàn)在，將參照?qǐng)D6描述根據(jù)本發(fā)明的通過經(jīng)由圖5的過程實(shí)現(xiàn)的透射率調(diào)節(jié)的半色調(diào)掩膜的特征。圖6圖示了涂覆在精細(xì)圖案上的半透過膜具有50%的透射率，并且形成光阻擋層的光阻擋材料是Cr的曲線圖，其中示出了每種圖案密度的透射率變化。如圖所示，可以注意到，當(dāng)圖案密度以形式比率增加時(shí)，光透射率減小。為了調(diào)節(jié)圖案密度，在0. Ιμπι 1.3μπι的范圍內(nèi)改變或調(diào)節(jié)精細(xì)圖案的線寬，其中，0. Ιμπι的線寬差可以使光透射率在數(shù)量上變化14%。變化的透射率可以被總結(jié)為如圖 7所示的質(zhì)變。本發(fā)明通過由此描述的在數(shù)量上改變的精細(xì)圖案的線寬可以容易地改變透射率， 這不僅可以獲得定量的線寬變化，還可以極大地減少制造過程。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)還在于降低缺陷率，由此增加產(chǎn)品產(chǎn)量。(第二示例性實(shí)施例)本發(fā)明的主旨是提供具有多重半色調(diào)部分的光掩膜結(jié)構(gòu)，其中，半透過材料被填充在狹縫式半透過部分的離散空間中。圖8和圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的光掩膜的制造過程的流程圖和過程圖。現(xiàn)在，將參照該過程圖描述通過根據(jù)本發(fā)明的制造方法完成的光掩膜結(jié)構(gòu)的示例性實(shí)施例。參照?qǐng)D8和圖9，光掩膜的制造方法的特征在于在堆疊有光阻擋層的透明襯底上涂覆光刻膠(第一步驟)；通過曝光和顯影光刻膠進(jìn)行圖案化(第二步驟)；通過蝕刻光阻擋層形成狹縫式光阻擋壁和光透過部分(第三步驟)；以及通過在狹縫式光阻擋壁中堆疊半透過材料層形成多重半色調(diào)部分(第四步驟)。
更具體的，在第一步驟(Si)中，所述制造方法可以包括形成空白的掩膜，其中透明襯底110被覆以光阻擋層120膜。形成光阻擋層的材料可以是能夠阻擋光的任意材料， 但是優(yōu)選是Cr和CrxOy中的任意一種或兩者的結(jié)合，其中χ和y是根據(jù)元素的結(jié)合而變化的自然數(shù)。接著，在第二步驟(S2)，涂覆光刻膠130，然后光刻膠130被曝光、顯影并圖案化為預(yù)定圖案。通過圖案化的圖案131蝕刻光阻擋層120，以形成半透過部分123，該半透過部分123形成有光透射部分122和狹縫式光阻擋壁121。在下文中，半透過材料141可以被填充在狹縫式光阻擋壁121中，以形成多重半色調(diào)部分H(S41)。就是說，根據(jù)本發(fā)明的多重半色調(diào)部分H具有半透過材料被填充在狹縫式光阻擋壁中的這樣一種結(jié)構(gòu)。半透過材料可以優(yōu)選是具有Mo、Si、Ta、W、Al、Cr、Hf、&、Me、V、Ni、Nb、Co 和 Ti 中的一種作為主要元素的材料，或者可以是混合有至少兩種或多種所述元素的合成材料，或者可以是向單一主要元素材料或復(fù)合材料中加入CoX、0x、Nx中至少一種的材料。半透過材料可以是來自由 Crx0y、CrxC0y、CrxOyNz, SixOy, SixOyNz, SixCOy, SixC0yNz、MoxSiy、MoxOy、MoxOyNz、 MoxCOy, MoxOyNz, MoxSiyOz, MoxSiyOzN, MoxSiyCOzN, MoxSiyCOz, TaxOy, TaxOyNz, TaxCOy, TaxOyNz, AlxOy, AlxCOy, Alx0yNz、AlxCOyNz> TixOy, TixOyNz, TixCOy 或其結(jié)合所組成的組中的任意一種的組合物，其中下標(biāo)χ、y和ζ是自然數(shù)并且限定每種化學(xué)元素的數(shù)量。在下文中，將描述第四步驟(S4)，其中將解釋形成包括多重半色調(diào)部分H的3個(gè)或更多個(gè)半透過部分的過程。更具體的，盡管通過利用第三步驟(S； )的將半透過材料填充在狹縫式光阻擋壁 121中的過程可以變化地實(shí)施形成多重半色調(diào)部分的方法，但是本示例性實(shí)施例將引入利用單個(gè)過程和利用光刻膠完成每個(gè)都具有不同透射率的多重半透過部分的過程。首先，在第三步驟(S； )中形成的光阻擋層的上表面被涂覆有半透過材料層 140(S41)，并且光刻膠150接著被涂覆在半透過材料層140的上表面上。在具有可變透射率的區(qū)域上進(jìn)行選擇性的圖案化(S43)，通過被圖案化的圖案在半透過材料層上進(jìn)行選擇性的蝕刻，移除光刻膠并且在透明襯底被露出的區(qū)域上形成光透射部分W，以完成形成有狹縫式半色調(diào)部分Z的光掩膜(所述狹縫式半色調(diào)部分Z僅形成有狹縫式光阻擋壁)、形成有半色調(diào)材料膜的單個(gè)半色調(diào)部分Y、以及形成有狹縫式光阻擋壁和該半透過材料的多重半色調(diào)部分X (S44)。圖10是圖示根據(jù)上述制造過程形成有多重半色調(diào)部分的光掩膜的主要部分的示意圖。如圖10所示，通過下述步驟完成根據(jù)本發(fā)明的半色調(diào)掩膜在襯底110上形成光透射部分W，在光透射部分W處透明襯底被露出，以及形成具有3個(gè)或更多個(gè)每個(gè)都具有不同的可控透射率的部分的結(jié)構(gòu)，其中形成僅形成有狹縫式光阻擋壁的狹縫式半色調(diào)部分Z、 形成有半色調(diào)材料膜143的單個(gè)半色調(diào)部分Y和形成有狹縫式光阻擋壁和半透過材料的多重半色調(diào)部分X。就是說，如圖10所示，如果光透射部分W具有100%的透射率，則狹縫式半色調(diào)部分Z、單個(gè)半色調(diào)部分Y和多重半色調(diào)部分X分別具有互不相同的透射率，并且輻照的光可以根據(jù)曝光具有不同的波段。盡管沒有限制，但是所輻照的光一般具有在300nm 440nm 范圍內(nèi)的波段。可以利用任意的半透過部分，只要部分輻照光可以透射過該半透過部分，并且盡管對(duì)光透射的量沒有限制，但是優(yōu)選地，應(yīng)該有10% 99%的輻照光被可控制地透射。應(yīng)該顯然的是，上述各種結(jié)構(gòu)的半色調(diào)部分可以包括至少一個(gè)或更多的多重半色調(diào)部分，并且可以被改變?yōu)椴煌瑪?shù)量和結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。根據(jù)本示例性實(shí)施例的光掩膜的結(jié)構(gòu)可以利用自身能夠完全阻擋光的光阻擋層 120，并且根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造過程，光阻擋層120可以在其上完成有半透過材料層144。此外，狹縫式光阻擋壁121也可以在其上完成有半透過材料層144。這是因?yàn)榘ǘ询B過程，以便根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例將半透過材料層填充在狹縫式光阻擋壁的離散空間中。具體地，多重半色調(diào)部分X由這樣一種結(jié)構(gòu)形成，其中狹縫式光阻擋壁被插入單個(gè)半色調(diào)部分以形成每個(gè)都具有不同透射率的復(fù)合式半透過部分，由此可以增加除了單個(gè)半色調(diào)部分和狹縫式半色調(diào)部分之外的能夠調(diào)節(jié)透射率的區(qū)域，由此考慮到缺陷的透射率的設(shè)計(jì)自由度和正確性自由度可以被極大地提高，從而可以提高加工產(chǎn)率、縮短加工周期并且提高產(chǎn)品曝光后的質(zhì)量。工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明的工業(yè)應(yīng)用性是，可以調(diào)節(jié)精細(xì)圖案的圖案密度，以提高形成有狹縫式半透過部分、堆疊式半透過部分或其結(jié)合的半色調(diào)掩膜中的透射率的調(diào)節(jié)效率。另一工業(yè)應(yīng)用性是，通過不依靠單獨(dú)的制造過程而調(diào)節(jié)圖案密度，可以準(zhǔn)確地控制半透過區(qū)域的透射率。又一工業(yè)應(yīng)用性是，多個(gè)半色調(diào)掩膜在狹縫式半透過部分的離散空間中填充有半透過材料，以形成能夠控制3個(gè)或更多個(gè)互不相同的透射率的結(jié)構(gòu)。再一工業(yè)應(yīng)用性是，通過利用狹縫中的衍射現(xiàn)象以及利用半透過材料層進(jìn)行控制的透射率，可以提供高質(zhì)量的多個(gè)半色調(diào)掩膜，以極大地提高考慮到缺陷的透射率的設(shè)計(jì)自由度和正確性自由度，從而提高加工產(chǎn)率、縮短加工周期并且提高曝光后的產(chǎn)品質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種半色調(diào)掩膜，其中，具有至少一個(gè)或更多個(gè)半透過部分的所述半色調(diào)掩膜能夠通過調(diào)節(jié)形成所述半透過部分的精細(xì)圖案的圖案密度來調(diào)節(jié)透射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜，其中，在所述半色調(diào)掩膜中的所述半透過部分具有在半透過膜上形成精細(xì)圖案的結(jié)構(gòu)、在光阻擋層上形成精細(xì)圖案的結(jié)構(gòu)并且該結(jié)構(gòu)上形成有半透過膜、或這兩種結(jié)構(gòu)的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜，其中，所述半透過膜采用具有在4 75%范圍內(nèi)的透射率的半透過材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜，其中，在0.1 μ m 1. 3 μ m的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所述精細(xì)圖案的線寬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜，其中，所述半透過材料是具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、 Al中的一種作為主要元素的材料，或者是混合有至少兩種或更多種所述元素的復(fù)合材料， 或者是向所述具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中的一種作為主要元素的材料或所述復(fù)合材料中加入Cox、Ox、Nx中的至少一種的材料。
6.一種具有多重半透過部分的半色調(diào)掩膜的制造方法，其中，所述半色調(diào)掩膜包括調(diào)節(jié)光透射率的精細(xì)圖案，并且其中，通過在0. 1 μ m 1. 3 μ m的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所述精細(xì)圖案的線寬，來調(diào)節(jié)所述精細(xì)圖案的圖案密度以及調(diào)節(jié)所述光透射率。
7.一種半色調(diào)掩膜，其中，所述半色調(diào)掩膜包括形成在透明襯底上的光透射部分、光阻擋部分和半透過部分，其中所述半透過部分包括在狹縫中填充有半色調(diào)材料的多重半色調(diào)部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半色調(diào)掩膜，其中，所述半透過部分包括至少一個(gè)或更多的多重半色調(diào)部分，其中，所述半透過部分進(jìn)一步包括形成有半透過材料層的單個(gè)半色調(diào)部分或僅形成有狹縫的狹縫式半色調(diào)部分中的至少一個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半色調(diào)掩膜，其中，所述多重半色調(diào)部分包括具有預(yù)定的離散空間的狹縫式光阻擋壁，其中，半透過材料層形成在所述狹縫式光阻擋壁和所述光阻擋部分之間的離散空間中。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半色調(diào)掩膜，其中，半透過材料層形成在所述狹縫式光阻擋壁和所述光阻擋部分上。
11.根據(jù)權(quán)利要求7、8、9和10中的任意一項(xiàng)所述的半色調(diào)掩膜，其中，所述半透過材料層是具有Mo、Si、Ta、W、Al、Cr、Hf、Zr、Me、V、Ni、Nb、Co和Ti作為主要元素并且結(jié)合有至少兩種或更多種主要元素材料或主要元素的復(fù)合材料，或者是向所述主要元素或復(fù)合材料中加入Cox、Ox、Nx中的至少一種的材料，其中χ是自然數(shù)。
12.一種半色調(diào)掩膜的制造方法，其中第一步驟是在堆疊有光阻擋層的透明襯底上涂覆光刻膠；第二步驟是通過曝光和顯影所述光刻膠來進(jìn)行圖案化；第三步驟是通過蝕刻所述光阻擋層來形成狹縫式光阻擋壁和光透過部分；以及第四步驟是通過在所述狹縫式光阻擋壁中堆疊半透過材料層來形成多重半色調(diào)部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，所述第四步驟包括在所述光阻擋層的上表面上堆疊半透過材料層(al)，通過在所述半透過材料層上涂覆所述光刻膠來進(jìn)行圖案化 (a2)，以及選擇性地移除通過被圖案化的部分填充在光透射部分或所述狹縫式光阻擋壁中的所述半透過材料層(a3)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的制造方法，其中，在所述第三步驟和所述第四步驟之后，進(jìn)一步包括在蝕刻所述光阻擋層或所述半透過材料層之后進(jìn)行的移除所述光刻膠的步馬聚ο
全文摘要
本發(fā)明提供一種半色調(diào)掩膜，其中，具有至少一個(gè)或更多個(gè)半透過部分的所述半透過掩膜能夠通過調(diào)節(jié)形成所述半透過部分的精細(xì)圖案的圖案密度來調(diào)節(jié)透射率，由此可以調(diào)節(jié)精細(xì)圖案的圖案密度，以提高形成有狹縫式半透過部分、堆疊式半透過部分或其結(jié)合的半色調(diào)掩膜中的透射率的調(diào)節(jié)效率，并且通過不依靠單獨(dú)的制造過程而調(diào)節(jié)圖案密度，可以準(zhǔn)確地控制半透過區(qū)域的透射率。
文檔編號(hào)G03F1/32GK102439519SQ201080022197
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月21日
發(fā)明者徐忠源, 徐栽镕, 洪鎮(zhèn)澔, 金鐘善 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司