專利名稱：抗蝕劑剝離劑組合物和使用該組合物的抗蝕劑的剝離方法
技術領域：
本發(fā)明涉及照相平版印刷工藝中的光致抗蝕劑和其殘渣(以下，有時將它們簡稱為抗蝕劑。)的剝離劑組合物以及使用該組合物的抗蝕劑的剝離方法。更詳細地說，本發(fā)明涉及如下的抗蝕劑剝離劑組合物和抗蝕劑的剝離方法所述抗蝕劑剝離劑組合物能夠?qū)雽w領域的照相平版印刷工藝中的抗蝕劑剝離，進而其不對處于該抗蝕劑的下部的氧化硅膜等造成不良影響，能夠?qū)⒖刮g劑剝離；所述抗蝕劑的剝離方法的特征在于使用上述組合物。
背景技術：
在例如集成電路、晶體管等半導體制造過程中，光致抗蝕劑被用于形成微細圖案的照相平版印刷工藝等中。例如在硅基板上以所期望的圖案形成氧化硅膜的情況下，通過例如以下工序?qū)暹M行處理。即，首先，在硅基板的表面形成氧化硅膜，在該氧化硅膜上涂布光致抗蝕劑后，形成抗蝕劑膜。接下來，使用與所期望的圖案對應的光掩模進行曝光、 顯影，從而得到所期望的圖案。進而，對于得到了所期望的圖案的該基板，以該圖案為掩模， 通過等離子體摻雜等蝕刻工序除去不要的氧化膜。最后，進行抗蝕劑的除去和基板表面的清洗，從而可以得到形成有所期望的圖案的氧化硅膜。作為除去上述蝕刻工序后再不需要的抗蝕劑的方法，主要已知基于氧等離子體灰化等灰化的干式灰化方式(例如專利文獻1等)和在含有各種添加劑的剝離溶劑中浸漬等濕式方式這兩種方法。作為干式灰化方式的一例的氧等離子體灰化是利用氧氣等離子體和抗蝕劑的反應將抗蝕劑分解、灰化并除去的方法，該方法被稱為無公害法，但在通過灰化除去抗蝕劑時，若不精確地檢測反應終點，則具有基板表面容易受到損傷的問題和基板表面容易附著、殘存顆粒的問題。并且，還具有需要通常用于產(chǎn)生等離子體的昂貴設備等問題。 另一方面，作為濕式方式，已知下述方法例如作為無機系剝離溶劑，利用通過熱濃硫酸和過氧化氫的反應得到的過一硫酸(卡羅酸)的強氧化力而將抗蝕劑無機物化(灰化)，從而將其除去(例如專利文獻2等)。但是，該方法必須使用高溫的濃硫酸，不僅具有危險性高的問題，而且具有強氧化力的熱混合酸在金屬表面生成無用的氧化物或者將金屬溶解，因此還存在無法適用于具有例如鋁布線等金屬布線的基板的問題。在這種狀況下，尋求一種基于簡便且有效的方法的抗蝕劑的剝離方法，該方法不會產(chǎn)生上述干式灰化方式的問題，而且也不存在以濕式方式為代表的無機系剝離溶劑所具有的溶解金屬布線等問題，人們希望存在滿足該要求的試劑?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開平54911 號公報專利文獻2 日本特開平3-115850號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明是鑒于上述情況而進行的，提供如下的半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物和抗蝕劑的剝離方法所述半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物能夠?qū)雽w領域的照相平版印刷工藝中的抗蝕劑簡便且容易地剝離，該組合物還能夠?qū)⒖刮g劑剝離，而不對處于抗蝕劑的下部的氧化硅膜、通過等離子體摻雜而產(chǎn)生的注入(4 > ^，)層、基板上所具有的金屬布線等造成不良影響；所述抗蝕劑的剝離方法的特征在于使用該組合物。用于解決問題的方案本發(fā)明是半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物的發(fā)明，其特征在于，該組合物含有〔 I〕碳自由基產(chǎn)生劑、〔II〕酸、〔III〕還原劑、以及〔IV〕有機溶劑，且PH小于7。并且，本發(fā)明是抗蝕劑的剝離方法的發(fā)明，其特征在于，該方法使用半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物，該半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物含有〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑、(II) 酸、〔III〕還原劑、以及〔IV〕有機溶劑，且PH小于7。發(fā)明效果本發(fā)明的抗蝕劑剝離劑組合物能夠?qū)雽w領域的照相平版印刷工藝中的抗蝕劑簡便且容易地剝離，通過組合使用〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑、〔II〕酸、〔III〕還原劑、以及〔IV〕 有機溶劑，能夠?qū)⒖刮g劑剝離，而不會對處于抗蝕劑的下部的氧化硅膜和注入層、以及基板上所具有的金屬布線造成不良影響。并且，本發(fā)明的抗蝕劑的剝離方法是用于簡便且容易地剝離抗蝕劑的有效方法， 通過使用上述組成的剝離劑，如上所述，不會對處于抗蝕劑的下部的氧化硅膜等造成不良影響，能夠容易地將抗蝕劑剝離。S卩，本發(fā)明人為了達到上述目的進行了反復深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過制成至少含有〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑、〔II〕酸、〔III〕還原劑、以及〔IV〕有機溶劑的組合物，能夠?qū)⒖刮g劑剝離；而且，首次發(fā)現(xiàn)通過使用含有上述成分的組合物，即使不采用等離子體灰化等使用大型或昂貴的裝置的方法也能夠?qū)⒖刮g劑剝離，另外，與使用卡羅酸的現(xiàn)有浸漬方法相比， 不僅能夠穩(wěn)和且簡便地將抗蝕劑剝離，而且還能夠?qū)⒃摻M合物制成不含有會溶解金屬的成分的組成，因此即使對于具有鋁布線等金屬布線的基板也可以適用，由此完成了本發(fā)明。并且，本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)與過氧化氫和臭氧等產(chǎn)生氧自由基的化合物相比，本發(fā)明的抗蝕劑剝離劑組合物中的碳自由基產(chǎn)生劑不易產(chǎn)生在金屬布線的表面形成氧化膜等不良影響，因此不會對鋁布線等金屬布線造成不良影響，能夠?qū)⒖刮g劑剝離。另外，本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的抗蝕劑剝離劑組合物由于不需要含有例如氫氟酸或其鹽等產(chǎn)生氟離子(氟化物離子)的化合物，不具有氫氟酸等所產(chǎn)生的腐蝕作用，因此不僅具有操作容易、且廢液處理容易等優(yōu)點，而且作為例如形成有氧化膜(氧化硅膜)的硅基板那樣的有可能被氫氟酸等腐蝕的半導體基板上的抗蝕劑剝離劑特別有用。
具體實施例方式作為本發(fā)明的半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物中的〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑，可以舉出通過加熱或光照射而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物，具體可以舉出例如2，2’ -偶氮二(4-甲氧基-2，4-二甲基戊腈)、2，2’_偶氮二(2，4_二甲基戊腈)、2，2’_偶氮二 O-甲基丙腈)、2，2’_偶氮二 (2-甲基丁腈)、1，1，_偶氮雙(環(huán)己烷-1-甲腈)、1-[(1_氰基-1-甲基乙基)偶氮]甲酰胺等偶氮腈系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2’-偶氮二 {2-甲基-N-[l， 1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮二 {2-甲基-N-[2-(1-羥基丁基)] 丙酰胺}、2，2’ -偶氮二 [2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙酰胺]、2，2’ -偶氮二 [N_(2_丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’ -偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’ -偶氮二(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)等偶氮酰胺系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2’-偶氮二甲基丙脒)二氫氯化物、2，2’ -偶氮二 [N-(2-羧基乙基)-2-甲基丙脒]四水合物等鏈狀偶氮脒系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2’ -偶氮二 [2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’ -偶氮二 [2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸氫鹽、2，2’ -偶氮二 [2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷] 二水合物、2，2’ -偶氮二 {2-[1-(2-羥基乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷} 二氫氯化物、2， 2’ -偶氮二 [2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’ -偶氮二(1-亞氨基-1-吡咯烷基-2-甲基丙烷)二氫氯化物等環(huán)狀偶氮脒系碳自由基產(chǎn)生劑；例如二甲基_2，2’ -偶氮二甲 基丙酸酯)等偶氮酯系碳自由基產(chǎn)生劑；例如4，4’-偶氮二(4-氰基戊?；?等偶氮腈羧酸系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2’ -偶氮二(2，4，4_三甲基戊烷)等偶氮烷基系碳自由基產(chǎn)生劑；例如分子內(nèi)具有偶氮基的二甲基聚硅氧烷化合物等大分子偶氮系碳自由基產(chǎn)生劑等通過加熱而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物；例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷基醚系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯基乙烷-1-酮等芐基縮酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如二苯甲酮、4，4’ -雙(二乙基氨基)二苯甲酮、丙烯酸化二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸甲酯、2-苯甲?；?、4-苯甲?；?lián)苯、4-苯甲酰基二苯基醚、1，4_ 二苯甲酰基苯、甲基苯硫基)苯基]苯基甲烷等二苯甲酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如對二甲氨基苯甲酸乙酯、對二甲氨基苯甲酸異戊酯乙基酯等氨基苯甲酸酯系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4_ (2-羥基乙氧基) 苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-l-{444-(2-羥基-2-甲基丙?；?芐基]苯基} -2-甲基丙烷-1-酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮等1，2-羥基烷基苯酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉代丙烷-1-酮、2-芐基-2- 二甲基氨基-1-(4-嗎啉苯基)_ 丁酮-1、2-( 二甲氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1- -(4-嗎啉基)苯基]-1- 丁酮等1，2-氨基烷基苯酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，4，6-三甲基苯甲酰基苯基乙氧基氧化膦、2，4，6_三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、雙(2，4，6_三甲基苯甲?；? 苯基氧化膦等酰基氧化膦系碳自由基產(chǎn)生劑；例如乙基蒽醌等蒽醌系碳自由基產(chǎn)生劑；例如氯噻噸酮、二乙基噻噸酮、異丙基噻噸酮等噻噸酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如10- 丁基氯吖啶酮等吖啶酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2，-雙(ο-氯苯基)-4，5，4’，5’ -四苯基-1， 2，-聯(lián)咪唑、2，2，-雙(ο-氯苯基)-4，5，4，，5，-四(3，4，5-三甲氧基苯基)-1，2，-聯(lián)咪唑等咪唑系碳自由基產(chǎn)生劑；例如1，2-辛烷二酮-144-(苯硫基)-2-(0-苯甲?；?]、 乙酮-1- [9-乙基-6- (2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-1-(ο-乙?；?等肟酯系碳自由基產(chǎn)生劑；例如雙(115-2，4-環(huán)戊二烯-1-基)-雙(2，6_ 二氟-3-(1Η-吡咯-1-基) 苯基)鈦等環(huán)戊二烯鈦系碳自由基產(chǎn)生劑等通過光照射而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物。 并且，這些碳自由基產(chǎn)生劑可以單獨使用一種，也可以適宜組合兩種以上使用。
這些〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑中，優(yōu)選例如2，2’ -偶氮二甲氧基-2，4_ 二甲基戊腈)、2，2’-偶氮二(2，4- 二甲基戊腈)、2，2’-偶氮二甲基丙腈)、2，2’-偶氮二甲 基丁腈)、ι，Γ-偶氮雙(環(huán)己烷-ι-甲腈)、ι-[(ι-氰基-ι-甲基乙基)偶氮]甲酰胺等偶氮腈系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2’ -偶氮二 {2-甲基-N-[l，1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮二 {2-甲基-N-[2- (1-羥基丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮二 [2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙酰胺]、2，2’ -偶氮二 [N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’ -偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)等偶氮酰胺系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2，2’_偶氮二甲基丙脒)二氫氯化物、2，2’_偶氮二 [N-(2-羧基乙基)-2-甲基丙脒]四水合物等鏈狀偶氮脒系碳自由基產(chǎn)生劑；例如二甲基-2，2’ -偶氮二 O-甲基丙酸酯)等偶氮酯系碳自由基產(chǎn)生劑等通過加熱而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物；例如2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯基乙烷-1-酮等芐基縮酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2_羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1- {4-[4- (2-羥基-2-甲基丙酰基)芐基]苯基} -2-甲基丙烷-1-酮、
1-羥基環(huán)己基苯基甲酮等1，2-羥基烷基苯酮系碳自由基產(chǎn)生劑；例如2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉代丙烷-1-酮、2-芐基-2- 二甲基氨基-1-(4-嗎啉苯基)-丁酮-1、
2-( 二甲氨基)-2- [ (4-甲基苯基)甲基]-1- [4- (4-嗎啉基)苯基]-1- 丁酮等1，2-氨基烷基苯酮系碳自由基產(chǎn)生劑等在波長為200 750nm的光照射下適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物。需要說明的是，上述〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑之中，通過加熱而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物中包括也能通過光照射而產(chǎn)生碳自由基的化合物，偶氮腈系碳自由基產(chǎn)生劑、偶氮酰胺系碳自由基產(chǎn)生劑、鏈狀偶氮脒系碳自由基產(chǎn)生劑、環(huán)狀偶氮脒系碳自由基產(chǎn)生劑、偶氮酯系碳自由基產(chǎn)生劑等就相當于也能受到光的作用而產(chǎn)生碳自由基的化合物，它們在波長為200 750nm的光照射下也能適宜地產(chǎn)生碳自由基。即，通過加熱而適宜地產(chǎn)碳自由基的化合物如后所述通常僅通過加熱就能夠產(chǎn)生碳自由基，但上述偶氮腈系碳自由基產(chǎn)生齊U、偶氮酰胺系碳自由基產(chǎn)生劑、鏈狀偶氮脒系碳自由基產(chǎn)生劑、環(huán)狀偶氮脒系碳自由基產(chǎn)生劑、偶氮酯系碳自由基產(chǎn)生劑等也能通過光照射而產(chǎn)生碳自由基的化合物不僅可以利用僅加熱的方法產(chǎn)生碳自由基，還可以利用僅通過光照射的方法、或?qū)⒓訜崤c光照射合用的方法來產(chǎn)生碳自由基。另一方面，所謂通過光照射而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物是指通過光照射能夠容易地產(chǎn)生碳自由基的化合物，并不表示受到加熱不產(chǎn)生碳自由基。即，上述的通過光照射而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物是也能通過加熱而產(chǎn)生碳自由基的化合物。 這樣，通過光照射而適宜地產(chǎn)生碳自由基的化合物是能夠僅通過光照射而產(chǎn)生碳自由基的化合物，但僅通過加熱、或者將加熱與光照射合用也能夠產(chǎn)生碳自由基。并且，從工業(yè)上的易獲得性、經(jīng)濟性、能夠短時間有效地剝離防反射膜層等方面出發(fā)，這些優(yōu)選的具體例中的碳自由基產(chǎn)生劑是有用的。本發(fā)明的〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑的作用尚未明確，但認為其可能具有以下作用分解抗蝕劑和抗蝕劑固化膜表面，促進后述的有機溶劑向抗蝕劑內(nèi)部滲透，促進該抗蝕劑等在該溶劑中的可溶化。作為本發(fā)明的半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物中的〔II〕酸，只要具有使溶液的PH呈酸性的作用則沒有特別限定，具體可以舉出例如鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸等無機酸； 例如甲酸、乙酸、三氟乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸等脂肪族單羧酸；例如草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、富馬酸等脂肪族二羧酸；例如乳酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸等脂肪族羥基羧酸；例如烏頭酸等脂肪族三羧酸；例
6如乙酰甲酸等脂肪族氧代羧酸；例如苯甲酸等芳香族單羧酸；例如鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸等芳香族二羧酸；例如水楊酸、沒食子酸等芳香族羥基羧酸；例如苯六甲酸等芳香族六羧酸等有機酸。并且，只要顯示酸性，則上述〔II〕酸也可以為鹽的形式，作為該酸鹽的具體例，可以舉出例如銨鹽、例如鈉鹽、鉀鹽等堿金屬鹽等。并且，這些酸可以單獨使用一種，也可以適宜組合兩種以上使用。需要說明的是，為了便于說明，結(jié)構中具有1個以上羥基的羧酸無論羧基的數(shù)目均分類為羥基羧酸。這些〔II〕酸中，優(yōu)選有機酸，其中從具有即使少量使用也可以在溶液中顯示適度的酸性的性質(zhì)、且從工業(yè)上的易獲得性、經(jīng)濟性等方面出發(fā)，更優(yōu)選乙酸、三氟乙酸、草酸、 檸檬酸。無機酸通常以水溶液的形式供給，若對具有金屬布線的基板使用這樣的無機酸，則由于無機酸所含有的大量的水與酸的作用而可能會引起金屬布線的腐蝕，因此在對這樣的基板進行抗蝕劑的剝離時，不優(yōu)選使用無機酸。另外，若對具有金屬布線的基板使用無機酸或有機酸的堿金屬鹽，則可能會引起半導體基板上的電氣特性的劣化，因此在對這樣的基板進行抗蝕劑的剝離時，不優(yōu)選使用無機酸或有機酸的堿金屬鹽。本發(fā)明的〔II〕酸的作用也尚未明確，但認為其可能具有促進抗蝕劑和抗蝕劑固化膜在有機溶劑中的可溶化的作用。作為本發(fā)明的半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物中的〔III〕還原劑，只要是具有還原作用的化合物則沒有特別限定，可以舉出通常在該領域使用的還原劑。具體可以舉出例如胼或其衍生物；例如羥胺或其衍生物；例如亞硫酸鈉、亞硫酸銨等亞硫酸鹽；例如硫代亞硫酸鈉、硫代亞硫酸銨等硫代亞硫酸鹽；例如甲醛、乙醛等醛；例如甲酸、草酸、琥珀酸、 乳酸、蘋果酸、檸檬酸、乙酰甲酸等具有還原性的羧酸；例如抗壞血酸或抗壞血酸酯、異抗壞血酸或異抗壞血酸酯等抗壞血酸衍生物；例如阿拉伯糖、木糖、核糖等具有還原性的五碳糖；例如葡萄糖、甘露糖、果糖、半乳糖等具有還原性的六碳糖等單糖等。并且，這些還原劑可以單獨使用一種，也可以適宜組合兩種以上使用。需要說明的是，上述還原劑中，例如甲酸、草酸、琥珀酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、乙酰甲酸等具有還原性的羧酸也顯示出上述酸的作用，因此也可以單獨使用這些具有還原性的羧酸作為酸和還原劑這兩種構成成分。上述衍生物中，作為胼衍生物的具體例，可以舉出例如硫酸胼、單鹽酸胼等化合物。并且，作為羥胺衍生物的具體例，可以舉出例如通式[1]
權利要求
1.一種半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物，其特征在于，其含有〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑、 〔II〕酸、〔III〕還原劑、以及〔IV〕有機溶劑，且PH小于7。
2.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，其進一步含有〔V〕水。
3.如權利要求2所述的組合物，其特征在于，其進一步含有〔VI〕表面活性劑。
4.如權利要求1所述的組合物，其中，上述〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑是在波長為200nm 750nm的光照射下產(chǎn)生碳自由基的化合物。
5.如權利要求1所述的組合物，其中，上述〔II〕酸為有機酸。
6.如權利要求1所述的組合物，其中，上述〔II〕酸為選自由乙酸、三氟乙酸、草酸和檸檬酸組成的組中的至少一種。
7.如權利要求1所述的組合物，其中，上述〔III〕還原劑為選自由羥胺衍生物、抗壞血酸和抗壞血酸酯組成的組中的至少一種。
8.如權利要求1所述的組合物，其中，pH為0 4的范圍。
9.如權利要求1所述的組合物，其中，上述半導體基板為形成有氧化膜的硅基板。
10.如權利要求1所述的組合物，其中，上述半導體基板為形成有氧化膜的硅基板，抗蝕劑形成于該氧化膜的上部。
11.如權利要求9所述的組合物，其中，上述形成有氧化膜的硅基板進行了等離子體摻ο
12.如權利要求9所述的組合物，其中，上述形成有氧化膜的硅基板具有金屬布線。
13.如權利要求12所述的組合物，其中，上述金屬布線為鋁布線、鎢布線或銅布線。
14.如權利要求2所述的組合物，其中，上述〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑的重量％為0.1重量％ 10重量％，上述〔II〕酸的重量％為0. 1重量％ 5重量％，上述〔III〕還原劑的重量％為0. 01重量％ 10重量％，上述〔IV〕有機溶劑的重量％為60重量％ 99重量％以及上述〔V〕水的重量％為0.01重量％ 30重量％。
15.如權利要求1所述的組合物，其實質(zhì)上不含產(chǎn)生氟離子的化合物。
16.一種抗蝕劑的剝離方法，其特征在于，其使用權利要求1所述的組合物。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物和以使用該組合物為特征的抗蝕劑的剝離方法，所述半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物能夠簡便且容易地將半導體領域的照相平版印刷工藝中的抗蝕劑剝離。本發(fā)明是關于半導體基板用抗蝕劑剝離劑組合物的發(fā)明，其特征在于，該組合物含有〔I〕碳自由基產(chǎn)生劑、〔II〕酸、〔III〕還原劑、以及〔IV〕有機溶劑，且pH小于7；并且本發(fā)明是關于抗蝕劑的剝離方法的發(fā)明，其特征在于，該方法使用該組合物。
文檔編號G03F7/42GK102483591SQ20108003822
公開日2012年5月30日 申請日期2010年9月1日 優(yōu)先權日2009年9月2日
發(fā)明者柿沢政彥, 水田浩德 申請人:和光純藥工業(yè)株式會社