專利名稱：用于提供光學衰減的涂層光纖及相關(guān)的裝置、連接及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于通訊至光纖或來自光纖的光的光學衰減。
背景技術(shù)：
光纖可在各種應(yīng)用中用來傳輸或處理光。應(yīng)用的范例包括輸送光至整合光學組件 (或于基材上形成的裝置)及從整合光學組件(或于基材上形成的裝置)接收光，并在分波長多任務(wù)(wavelength-division multiplex)光學通訊裝置及系統(tǒng)中傳輸信息頻道。其它范例包括將光纖開關(guān)矩陣裝置或光纖陣列組成陣列連接器，且產(chǎn)生用于光學放大或激光器振蕩的光學增益。光纖主要用做「光管」(light pipes)以將光限制在光纖的范圍內(nèi)并將光由一點傳送至另一點。典型的光纖可簡化為包含光纖核心及圍繞著光纖核心的包覆層(cladding layer)。光纖核心的折射率大于包覆層的折射率以將限制光。在與光纖核心的縱向光纖軸所成的最大角度內(nèi)耦合至光纖核心的光線會在光纖核心與包覆層的交界處發(fā)生全反射。全反射(total internal reflection,TIR)為當光線由大于臨界角的角度(相對于表面的法向量)照射至媒介邊界時發(fā)生的光學現(xiàn)象。若在邊界的另一側(cè)的材料的折射率較低，則光線無法通過且所有光線都會被反射。在入射角大于臨界角時會發(fā)生TIR。IlR將一或多個選定光纖模態(tài)(mode)的光線的光學能量限制在一定的空間中，以將光學能量沿著光纖核心引導。光纖連結(jié)的光功率水平為光學光源的光功率水平的函數(shù)。光學光源的光功率水平可能需為大于預設(shè)的最小光功率水平以最小化因光偵測器噪聲所產(chǎn)生的偵測錯誤。然而， 在許多光纖連結(jié)中，光功率水平必需被控制在不超過預設(shè)最大光功率水平，以使功率水平符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。因此，光功率水平被控制在可將偵測錯誤最小化的最小光功率水平與符合人眼安全的最大功率之間。然而，將最大光功率水平限制在一預定的最大光功率水平(如符合人眼安全要求)可能使光纖連結(jié)的性能受限。以垂直共振腔面射型激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers,VCSELs)為例，所述激光器在一特定的光功率水平操作時效率最佳。偏離此最佳功率可能減低效率、速度及可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
實施方式中公開的實施例包括用于將射入光纖或由光纖接收光的光學衰減的涂層光纖及相關(guān)的設(shè)備、連結(jié)以及方法。在一實施例中，光纖包括一光纖端。例如，光纖端可為光源端，所述光源端經(jīng)配置而位于(或安裝于)鄰接一光學光源以接收由光學光源發(fā)出的光；及(或)為偵測器端，所述偵測器端經(jīng)配置而位于(或安裝于)鄰接一光偵測器，偵測器接收來自光纖的光。涂層材料配置于所述光纖端的至少一部分上且經(jīng)配置以使導向所述光纖端的光的一部分光學衰減。以此為例，光學光源可被控制以產(chǎn)生以較高光功率水平導向光纖的光，并同時限制光纖中的最大光功率水平。例如，光纖的光功率可被限制以符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。然而，有時可能需要將光學光源以超過所述限制的最大光功率輸出水平操作。例如，當光學光源被驅(qū)動于超過一定的臨界驅(qū)動電流時，所述光學光源的線性性質(zhì)會提高。另外，以較高的光功率驅(qū)動光學光源可產(chǎn)生遠場光型(far-field light pattern)，所述遠場光型可激發(fā)少數(shù)或一些預定集合的模態(tài)(mode)或模態(tài)組。限制在多模光纖連結(jié)中受激發(fā)的模態(tài)或模態(tài)組的數(shù)量可減少模態(tài)色散(modal dispersion)并因此增加光纖連結(jié)的帶寬。做為另一范例，過驅(qū)動(overdrive)光學光源可補償可能會降低光功率的各種情況，例如受光學光源的溫度或老化的影響。除此之外，也可能需要將涂層材料配置在光纖的偵測器端以使得光會光學衰減。 將涂層材料配置在光纖的偵測器端以使得光會光學衰減，可限制光纖的光偵測器所偵測到的光的特定模態(tài)或模態(tài)組，可減少模態(tài)色散并因此增加帶寬性能。涂層材料的材料種類及(或)涂層材料的厚度可被選擇性地控制，以控制涂層材料所提供的光學衰減量。涂層材料的厚度可由涂層材料移除工藝來控制，或是以沉積所需的涂層材料的厚度的工藝來控制(舉例)。在其它實施例中，配置在光纖端的涂層材料可以光學衰減圖案的方式配置。所述光學衰減圖案可使光的特定的模態(tài)或模態(tài)組衰減或被擋住，同時讓其它模態(tài)及模態(tài)組通過涂層材料。以此方法，光學衰減圖案可用以限制在光纖中被激發(fā)的模態(tài)或模態(tài)組的數(shù)量，并(或)限制光偵測器所偵測到的模態(tài)或模態(tài)組以限制模態(tài)色散，且因此增加帶寬性能。在另一實施例中，提供一種提供光纖連結(jié)的光學衰減的方法。所述方法包括提供具有一光纖端的光纖。所述光纖端可為光源端及(或)偵測器端。涂層材料配置在光纖端的至少一部分上，且經(jīng)配置以使導向所述光學端的光的一部分光學衰減。所述光纖端經(jīng)斜切以提供用以反射光的反射面。若光纖端為光源端，則被反射的光可為自光源接收的光；若光纖端為偵測器端，則被反射的光為反射至光偵測器的傳播光。光纖端的斜切可以激光切割或拋光所述光纖端(舉例)的方式執(zhí)行。其它特征及優(yōu)點會在接下來的實施方式中詳述，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可由此處所述的文字敘述及實施例(包括接下來的實施方式、權(quán)利要求書以及所附的圖式)的實行中了解這些特征及優(yōu)點。還需了解以上的描述及接下來的實施方式中所呈現(xiàn)的實施例為提供概述及架構(gòu)， 以理解所公開的內(nèi)容的本質(zhì)及特性。此處包含的附圖為提供更深入的了解，且附圖并入本說明書并構(gòu)成說明書的一部分。圖式說明各種實施例，且與文字說明一起用于解釋所公開的概念的原理及操作。


圖1說明一范例光纖連結(jié)，所述光纖連結(jié)包含配置于射出光至光纖的光源端的光學光源與在光纖的偵測器端偵測所述光的光偵測器之間的光纖。圖2為圖1中的光纖的光源端的放大側(cè)視圖。
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圖3為配置于范例光纖的光源端上的范例涂層材料的側(cè)視圖，涂層用于使從光學光源朝向光纖射出的光光學衰減。圖4為圖3的光纖的側(cè)視圖，其中涂層材料在涂層材料的一部分被選擇性的移除以提供所需的光學衰減之前配置至光纖上。圖5說明例示性的激光移除圖4中的光纖上所配置的涂層材料的一選擇性部分以提供所需的涂層材料厚度并提供所需的光學衰減。圖6為范例的選擇性光學衰減圖案的側(cè)視圖，圖案配置于一范例光纖的光源端的涂層材料上，且其經(jīng)配置以阻擋或衰減特定的模態(tài)及(或)模態(tài)組而使這些模態(tài)及(或) 模態(tài)組在光纖中不被激發(fā)。圖7為另一范例選擇性光學衰減圖案的側(cè)視圖，配置于一范例光纖的光源端的涂層材料上，且圖案經(jīng)配置以減少在光纖中被激發(fā)的模態(tài)及(或)模態(tài)組的數(shù)量。圖8為一范例選擇性光學衰減圖案的側(cè)視圖，圖案配置于一范例光纖的偵測器端的涂層材料上，且圖案經(jīng)配置以阻擋或衰減光的較低階的模態(tài)或模態(tài)組。圖9-11為額外的側(cè)視圖，說明依圖8中的配置于一范例光纖的偵測器端的涂層材料上的選擇性光學衰減圖案，阻擋或衰減光的較低階的模態(tài)或模態(tài)組。圖12為為另一范例選擇性光學衰減圖案的側(cè)視圖，所述圖案配置于一范例光纖的偵測器端的涂層材料上，且圖案經(jīng)配置以阻擋或衰減光的較高階的模態(tài)或模態(tài)組。
具體實施例方式現(xiàn)在參照實施例做詳細說明，實施例的范例說明于所附的圖式中，其中僅有部分實施例，而并非全部的實施例皆被說明。實際上，本發(fā)明的概念可以各種不同方式實施，而不應(yīng)被認定為限于此處的實施例，提供實施例是為了使得本公開滿足適用的法律要求。相似的元件符號盡可能用以表示相似的元件或部件。在實施方式中所公開的實施例包括具有涂層的光纖及相關(guān)的裝置、連結(jié)以及使射入光纖的光或從光纖接收的光會光學衰減的方法。在一實施例中，光纖包括光纖端。例如， 光纖端可為光源端，所述光源端經(jīng)配置以位于(或安裝于)鄰接一光學光源處以接收由所述光學光源所射出的光；及(或)為一偵測器端，所述偵測器端經(jīng)配置以位于(或安裝于) 鄰接一光偵測器處，而所述光偵測器接收來自光纖的光。涂層材料配置于所述光纖端的至少一部分且經(jīng)配置以使導向所述光纖端的光的一部分光學衰減。以此為例，光學光源可被控制在高輸出光功率水平下產(chǎn)生導向光纖的光，并限制光纖中的最大光功率水平。例如，光纖可被限制以符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。然而，有時可能需要將光學光源以超過所述限制的最大光功率輸出水平操作。例如，當光學光源被驅(qū)動于超過一定的臨界驅(qū)動電流時，所述光學光源的線性性質(zhì)會增進。另外，以較高的光功率水平驅(qū)動光學光源可產(chǎn)生遠場光型，所述遠場光型可激發(fā)少數(shù)或一些預定組的模態(tài)或模態(tài)組。限制在多模光纖連結(jié)中受激發(fā)的模態(tài)或模態(tài)組的數(shù)量可減少模態(tài)色散并因此增加光纖連結(jié)的帶寬。做為另一范例，將光學光源過驅(qū)動可補償可能會降低光功率的各種情況，例如受光學光源的溫度或老化的影響。除此之外，也可能需要將涂層材料配置在光纖的偵測器端以使得光會光學衰減。 將涂層材料配置在光纖的偵測器端以使得光會光學衰減，可限制光纖的光偵測器所偵測到的光的特定模態(tài)或模態(tài)組，可減少模態(tài)色散并因此增加帶寬性能。在討論在光纖上配置涂層材料以提供光學衰減之前，先參照圖1及2討論一范例光纖連結(jié)。此處，圖1說明一范例光纖連結(jié)10。光纖連結(jié)10包含光纖12，光纖12包含一內(nèi)核14。本實施例中的光纖12為多模光纖，意即內(nèi)核14中存在有多重傳播路徑，路徑由光射入配置于光纖的光源端18的面15的射入角所界定。然而，在光纖連結(jié)10中還可使用單模光纖。在圖1中僅說明光纖12的內(nèi)核14，但應(yīng)了解在光纖12中具有包覆層(圖未示) 以包覆內(nèi)核14以使光在沿光纖12傳播時大致將光限制在內(nèi)核14中。包覆層包覆光纖12 的內(nèi)核14的范例說明于圖2的光纖12中，詳述于后。請參照圖1，在此實施例中，光學光源16配置在光纖12的光源端18以將光17L在第一區(qū)(I)射入光纖12。光17L從光學光源16使用全反射(TIR)的方式耦接至光纖12。 在此，光纖12的光源端18由一激光以一角度斜切(也就是激光切割)(此后稱為切割光纖端20、斜切光纖端20，或激光切割光纖端20)以將光17R內(nèi)部反射至光纖12的內(nèi)核14。光學光源16可以垂直共振腔面射型激光器(VCSEL)為例，或其它光學光源。在第二區(qū)(II) 中，光17R于光纖12的內(nèi)核14傳播直到光到達光纖12的偵測器端22，偵測器端相對于光源端18。光17R以沿著光纖12向下傳播，按一連串的直線沿內(nèi)核14傳播，如圖1所示，此可為當使用步階式折射率(st印-index)內(nèi)核時的情況。這些直線還可用以粗略表示漸變式折射率(graded index)內(nèi)核輪廓中的光的非直線路徑。光偵測器M配置于光纖12的偵測器端22以偵測在光纖12中傳播的光17R。斜切光纖端沈還配置在光纖12的偵測器端22以將光17R轉(zhuǎn)向下而成為光17D，并在第三區(qū)(III)進入光偵測器M以進行偵測。圖2說明圖1的光纖12的光源端18的放大側(cè)視圖，以提供本例中光纖12的斜切光纖端20的更多細節(jié)。如圖2中所示，光纖12經(jīng)定位，從而使斜切光纖端20與光學光源 16對齊以接收由光學光源16射出的光17L。在本實施例中，光纖12經(jīng)配置以垂直于接收光纖12的光纖軸A1而射出的光17L。光學光源16配置于基材觀上，其中光纖12可對準光學光源16以可有效率的將光訊號由光學光源16傳送至光纖12?？商峁┬鼻泄饫w端20的角度θ 1，使得由光學光源16射出的光17L可通過全反射方式在斜切光纖端20反射而成為光17R并轉(zhuǎn)向至光纖12的內(nèi)核14。例如，在一實施例中，斜切光纖端20的角度θ 1可約為 45度(或為其它角度)以提供改進的的光學性能(例如減少逆反射(back reflection), 在多模光纖中增加帶寬等)。在光17R沿內(nèi)核14向偵測器端22傳播時，光17R由斜切光纖端20反射，并因包覆光纖12的內(nèi)核14的包覆層30的反射而大致上留在內(nèi)核14中(請一并參照圖1)。由于在本實施例中的來自光學光源16的光17L以發(fā)散角發(fā)散，因此光17L會以涵蓋在一范圍內(nèi)的角度射入內(nèi)核14。因此，光17L會以與光纖軸A1所夾成的發(fā)射角射出斜切光纖端20而成為光17R。結(jié)果會激發(fā)多模光纖12的多模態(tài)或模態(tài)組且因此造成模態(tài)色散。 模態(tài)組為在內(nèi)核14中具有相同傳播路徑的光線群(family)，從而所述光線會同時到達偵測器端22而形成一群組。模態(tài)色散會限制光纖連結(jié)10的帶寬。此外，模態(tài)色散會因光纖 12的長度增長而增加。在許多的光纖連結(jié)中(包括單模及多模的光纖連結(jié)兩者)，如圖1和2中的光纖連結(jié)10，來自光纖而被光偵測器所接收的光的光功率水平可被控制。光的光功率水平可被控制在大于預定的最小光功率水平，以將由噪聲所造成的位錯誤(包括光偵測器錯誤)減到最小。例如，圖1中光偵測器M所接收的光17D可能被要求要達到或大于-IOdBm的光功率水平以提供高達每秒200億位((ibps)的帶寬。為了將接收的光的光功率水平控制在大于一預定的最小光功率水平，可控制一光學光源以控制射入光纖的內(nèi)核的光的光功率。如此，光學光源可被控制以在光源最大輸出功率水平將光射入光纖中。然而，許多光纖連結(jié)及相關(guān)的應(yīng)用會限制光學光源的最大光功率水平，例如需符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。例如，最大光功率水平可能為+3cffim。如此，光學光源可被控制以在光源最大及最小預定光功率水平之間的光功率水平將光射入光纖中。有許多原因使光學光源需要以在超過所述最大光功率水平或所述光纖連結(jié)的限制的操作點上驅(qū)動。例如，當光學光源被驅(qū)動于超過一定的臨界驅(qū)動電流時，所述光學光源的線性性質(zhì)會增進，造成更開(open)的眼圖(eye diagram)以在高操作頻率時有較佳的性能。此外，在多模光纖連結(jié)中，將光學光源以較高的光功率水平驅(qū)動可產(chǎn)生遠場光型，所述遠場光型可激發(fā)少數(shù)或預定組的模態(tài)或模態(tài)組。例如，VCSEL光學光源的遠場光型的形狀以驅(qū)動電流的函數(shù)的方式改變。限制在多模光纖連結(jié)中受激發(fā)的模態(tài)或模態(tài)組的數(shù)量可減少模態(tài)色散并因此增加光纖連結(jié)的帶寬。并且，有時可能需要使光學光源Hf^nSVCSEL) 過驅(qū)動以補償會降低光功率的各種情況。例如，溫度的變化可能改變給定驅(qū)動電流至光學光源的光功率輸出。而且，基于半導體的光學光源(例如為VCSEL)的光功率水平可能因半導體老化效應(yīng)而隨時間減低。為了要以較高的輸出光功率水平操作光學光源且限制光纖連結(jié)中的最大光功率水平，可使用光學衰減。在此，圖3說明一光纖連結(jié)34的范例實施例的側(cè)視圖，其中光學衰減配置于光學光源38與光纖40之間。在此實施例中(會于后文詳述)光學衰減以涂層材料36的方式提供。涂層材料36為涂布或增加至光纖40的至少一部分上的材料。在此實施例中，經(jīng)配置的涂層材料36在光纖40的一外表面39上。涂層材料36具有吸收光的特性以提供光學衰減。在此實施例中，提供光學衰減的涂層材料36的一部分37配置于光學光源38及光纖40之間的光徑45中，而由光學光源38射出的光42L在到達光纖40之前通過所述光徑45。結(jié)果為所述涂層材料36的吸收特性使射入光纖40的光42L衰減。涂層材料36的光吸收特性及配置于所述光徑45中的涂層材料36的所述部分37 的厚度，控制射入光纖40的光42L的光學衰減的量。可控制涂層材料36的部分37的厚度以控制光42L的光衰減量。涂層材料36使光42L光學衰減為光學衰減后的光42L’，如圖 3中所示。如此，可以超出光纖連結(jié)34的最大光功率水平的較高輸出光功率水平來驅(qū)動光學光源38以射出光42L，但光學衰減后的光42L’及由光學衰減后的光42L’反射得到的光 42R卻不會超出光纖連結(jié)34的最大光功率水平。如前文的論述，光纖連結(jié)34可具有預定的最大光功率水平以符合某些規(guī)格及要求(例如人眼安全或避免光偵測器飽和)，其中所述預定的最大光功率水平低于所述光學光源38可提供的最大輸出光功率水平。請繼續(xù)參照圖3，由涂層材料36的所述部分37所提供的光學衰減配置于光纖40 的光源端44。在此實施例中光學光源38配置于基材46上。光纖40可對準光學光源38以可有效率地將來自光學光源38的光42L傳送至光纖40。如圖3中所示，在此實施例中，光 42L從光學光源38射入光纖40，入射角度垂直于一光纖軸A2,并進入所述光纖40的包覆層 48。其它相對于基材46的發(fā)射角及光纖角也有可能。涂層材料36配置在包覆層48與光學光源38之間以使光42L在到達包覆層48之前必須通過涂層材料36的所述部分37。包覆層48包覆著光纖40的內(nèi)核50。光42L被光學衰減為光學衰減的光42L’，如圖3中所示。光學衰減的總量為涂層材料36的種類及厚度的函數(shù)，范例會于后詳述。光學衰減后的光42L，經(jīng)過包覆層48并進入光纖40的內(nèi)核50，并在內(nèi)核處以全反射在光纖40的斜切光纖端M的斜切端面52被反射。結(jié)果為，反射光42R被以與光纖40的光纖軸A2不平行的角度轉(zhuǎn)向至光纖40的內(nèi)核50。因光42L經(jīng)光學衰減，光學光源38可經(jīng)控制，以在較反射入光纖40的內(nèi)核50的反射光42R的光功率水平高的光輸出功率水平射出光42L。例如(如上述)為了增進性能或光纖連結(jié)的帶寬，可能需要在較高的光功率水平驅(qū)動光學光源38以產(chǎn)生光42L。若輸出光功率水平因任何原因超出所需的(或經(jīng)設(shè)計的)光纖連結(jié)的最大光功率水平，由涂層材料36的所述部分37所提供的光學衰減可經(jīng)設(shè)計使光42L光學衰減為經(jīng)光學衰減的光42L’ 以減少進入光纖40的包覆層48及(或)內(nèi)核50的光42L的光功率水平。由于在本實施例中的來自光學光源38的光42L以發(fā)散角發(fā)散，因此經(jīng)光學衰減的光42L，會以涵蓋在一范圍內(nèi)的角度射入光纖40的內(nèi)核50。因此，經(jīng)光學衰減的光42L，由射出斜切光纖端面52以一較大的出射角射出而成為反射光42R。結(jié)果會激發(fā)光纖40的多模態(tài)或模態(tài)組且因此造成模態(tài)色散。模態(tài)組為在內(nèi)核50中具有相同傳播路徑的光線群，使得光線同時到達光纖40的偵測器端。模態(tài)色散會限制光纖連結(jié)34的帶寬。此外，模態(tài)色散會因光纖40的長度增長而增加。光42L還可由光學光源38以較小的出射角射出而進入光纖40的內(nèi)核50，以減少內(nèi)核50中被激發(fā)的模態(tài)或模態(tài)組并藉此減少模態(tài)色散。此實施例中的涂層材料36整合至光纖40的斜切光纖端M，如圖3所示。斜切光纖端M可以激光切割或由拋光工藝切割，如上所述。斜切光纖端或光纖端上的面可依已知的切割方法由激光處理形成。例如，可使用具有可變式擴束器(beam expander)的二氧化碳激光器及焦距25毫米(mm)的聚焦鏡的激光器切割機臺。因此，當光纖被用激光切割時， 光纖或光纖端還可稱為激光切割光纖，或激光切割端。激光處理可用來在單一光纖或一組排列成一維或二維陣列的光纖上形成一斜面(angled facet)。具有激光切割端(具有一角度)的光纖可應(yīng)用于許多方面。例如，如VCSEL的光源垂直的發(fā)出光，而因此在某些應(yīng)用中因精簡化的考慮而需要旋轉(zhuǎn)直角(或稱90度)。具有角度的激光切割端的光纖還可用以使光直角旋轉(zhuǎn)以進入光偵測器，例如圖1所示的光偵測器對。在此實施例中，涂層材料36配置于光纖40中包覆層48之外表面56上，如圖3所示。在制作時，涂層材料36可在光纖40的斜切之前或之后涂布至光纖40的包覆層48之外表面56上。涂層材料36可涂布于整個外表面36或外表面36的一部分。在此實施例中，若涂層材料36的涂布在斜切之前，涂層材料36材料會留在包覆層48之外表面上。在其它實施例中，若光纖40或光纖40的光源端不具有包覆層48，則涂層材料36可例如配置于光纖40的內(nèi)核50之外表面57上。涂層材料36還可通過激光燒蝕(ablation)或拋光作業(yè)的方式，涂布至因局部移除部分或全部光纖40的光源端44附近的包覆層48而造成的光纖表面。將涂層材料36涂布至光纖40上的工藝包括(但不限于此)下列浸泡涂布 (dip coating)、噴涂(spraying) >|jlJIJ| (brushing)、網(wǎng) ￡口 (screen printing)、 || 及化學氣相沉積。涂層材料36的類型對光學衰減的影響依涂層材料36的光吸收特性而定。例如，涂層材料36可為耐性涂層材料，如金屬或碳基材料，所述材料使光在一設(shè)定的厚度可通過，但會光學衰減。金屬的范例包括(但不限于)鈦、鋁及金。其它范例包括(但不限于)充滿可吸收或散射光的粒子的聚合物涂層，以及可散射光的折射光柵或粗糙表面。聚合物的范例包括(但不限于)丙烯酸脂(acrylate)、鐵氟龍(PTFE)及尼龍(nylon)。當涂布于薄層以使涂布有涂層材料36的光纖40的總厚度最小化時，可能需要提供具有良好的光吸收能力的涂層材料36。涂層材料36還可為可吸收或散射液體，液體涂布在光纖40上以提供光學衰減。 例如，光纖可為隨機空氣線光纖(RAL)而不是非隨機空氣線光纖，其中毛細力會將液態(tài)涂層吸入光徑45上的一組RAL通道中。通過調(diào)整液體的吸收及散射的特性，或是控制液體在 RAL通道中分布的方式可改變光學衰減。在特定的實施例中，涂層材料36可由提供其它優(yōu)點及目的的材料中選出。例如， 涂層材料36可為聚合物或丙烯酸脂層，所述聚合物或丙烯酸脂層保護光纖40之外表面39 使其不受傷害且(或)可保存光纖40的機械強度。涂層材料36的種類還可由提供光纖 40密封或阻障層及(或)增加光纖40耐久性的材料中選出。可提供光學衰減及密封的涂層材料36例如包括(但不限于)碳基涂層及金屬基涂層，如鋁基或鈦基涂層。涂層材料36還可為金屬纖維層，可通過在光電封裝中將涂有金屬纖維涂層的光纖40焊入一通孔 (feed-through hole)而形成密封。如上述，在由光學光源38射出的光42L及光纖40之間的光徑45上的涂層材料36 的所述部分37的厚度，還可控制光42L的光學衰減的總量。如此，光42L的光學衰減的量可由調(diào)整涂層材料36的所述部分37的厚度來控制。例如，在制造時可使用涂層材料移除工藝以將涂層材料36的厚度W1減少為厚度W2以提供涂層材料36的所述部分37并藉此調(diào)整光42L的光學衰減，如圖3所示。如圖3所示，在光纖40的光源端44的涂層材料36的所述部分37已被移除以將涂層材料36的厚度減至光學光源38與光纖40之間的光徑45 上的涂層材料36的厚度W2。與未移除所述部分37而使光42L通過厚度為W1的涂層材料 36的所述部分37的情況相較下，此步驟可減少由光學光源38射入光纖40的包覆層48的光42L的光學衰減量。至于厚度的范例，在碳基涂層的情況中，厚度W1可為200微米(μ m)，而厚度W2可為10 μ m，其中光42L因通過涂層材料36的所述部分37而從3dBm光學地衰減為光學衰減后的OdBm的光42L’。在涂層移除后留在光纖40與光學光源38之間的光徑45上的涂層材料36的所述部分37，可以任何厚度提供以達到所需的光學衰減性能。若在制造光纖40時執(zhí)行了涂層材料移除工藝，則在光學光源38及光纖40之間的光徑45上留下的涂層厚度可被微調(diào)以用于任何所需的應(yīng)用上。可在制造工藝中留下不同的厚度以用于不同的應(yīng)用。如上所述，涂層材料移除工藝可在制造時用來移除配置于光纖40上的涂層材料 36的所述部分37以減少厚度，并因此減少由涂層材料36所提供的光學衰減性能。圖4說明圖3的光纖40，其中斜切端面52已被配置在光纖40的斜切光纖端M上且涂層材料36 已涂布至包覆層48之外表面56上。斜切端面52例如可通過對光纖40進行激光切割或拋光的方式來提供。若使用激光切割，涂層材料36可選用非聚合物材料(如碳或金屬)，如此當光纖40需被斜切的部分在受激光照射時，涂層材料36不會改變形狀或分解。涂層材料移除工藝接著在涂層材料36的所述部分37上執(zhí)行，以使所述部分37具有光學光源38及光纖40之間的光徑45上的涂層材料36的厚度W2 (見圖幻。涂層移除工藝可包括(但不限于)激光燒蝕、化學蝕刻、機械摩擦以及拋光。例如，圖5說明涂層移除裝置及移除圖3及圖4的光纖40的涂層材料36的所述部分37以將厚度減少至厚度W2 (圖;3)并增加光纖40的光學衰減性能的工藝。涂層材料 36的所述部分37的厚度可在光纖40的光源端44附近選擇性地減少，以使得當光纖40在對準光學光源38時光徑45上會配置有所需的光學衰減。如圖5所說明，提供激光器60。 激光器60例如為在波長10. 6 μ m操作的二氧化碳激光器。在此例中，激光器60經(jīng)定位以發(fā)射激光束62至需被移除厚度至厚度W2的涂層材料36的所述部分37。激光束62將涂層材料36的部分燒蝕以依需求減少涂層材料的厚度。在此實施例中，激光器60經(jīng)控制以使激光束62被導向光纖40及光學光源38之間的光徑45上的涂層材料36的所述部分37。 經(jīng)移除以選擇性地控制改變剩余厚度的涂層材料36的所述部分37，可通過調(diào)整施加至涂層材料36上的激光束62的強度及時間的方式來改變。激光器60還可將激光束62以平行而非垂直于光軸A2的方式導向涂層材料36 (如圖5所示)以移除涂層材料36的所述部分 37。或者，激光器60還可將激光束62由光纖40兩側(cè)的任一側(cè)導向涂層材料36，方向為進出圖5的頁面的方向。再次的，還可使用其它的移除工藝，且在此公開的光纖、涂層移除裝置及工藝實施例并不限于激光移除或燒蝕。除了涂層移除工藝外，其它工藝還可用來將涂層材料配置于光纖上以提供光學衰減，其中包括圖3中的光學衰減。例如，可在涂層材料36上使用與涂層材料36兼容的化學處理以將涂層材料36的部分移除來控制厚度。還可使用微影光罩及 (或)蝕刻工藝。涂層材料36的厚度還可通過控制涂布至光纖40上的涂層材料36的厚度至所需的厚度來控制，而不執(zhí)行移除工藝。在此例中，涂層材料可涂布至整個光纖或光纖的一部分，例如為圖3中的光纖40的光源端44。光纖上的涂層配置或沉積工藝的例子包括 (但不限于)浸泡涂布(dip coating)、噴涂(spraying)、刷鍍(brushing)、網(wǎng)印(screen printing)、濺鍍及化學氣相沉積?？蛇x擇涂層材料36的種類以幫助移除工藝來控制厚度。 例如，對氧化的涂層材料36(例如為碳或涂層金屬)進行的激光輔助氧化(laser-assisted oxidation)可用來控制涂層材料36的厚度。不論光纖上配置的涂層材料的厚度是如何提供或控制的，由光纖的本體上所配置的涂層材料來提供光學衰減具有一些不受限的優(yōu)點。例如，若涂層材料與光纖的本體整合在一起，則涂層材料所提供的光學衰減的作用與光學光源相對于光纖的位置及光源光場結(jié)構(gòu)無關(guān)。若涂層材料涂布至整個光纖的周圍，則涂層材料所提供的光學衰減會自動對準至光纖以簡化光纖的組裝工藝。若涂層材料因其它因素需要配置于光纖的周圍(如使用密封封裝通孔密封的金屬化或密封纖維涂層材料)，則相同的涂層材料可被選擇性地移除以控制光學衰減而不需額外的材料或部件。此外，以光纖涂層材料做為光學衰減器即不需在光學光源或光纖與光學光源之間加上額外的部件。如上所述，光纖上所配置的涂層材料的一部分可被移除至所需的厚度以提供射入光纖中的光的光學衰減。同樣如上述，若沉積工藝可控制涂層材料的沉積以達到所需的光學衰減性能需要的厚度，則涂層材料的厚度可由不使用移除工藝的沉積工藝來提供。以涂層材料移除工藝來控制配置于光纖上的涂層材料的厚度以提供光學衰減可有替代或額外的功能或好處。例如，可將單一厚度的涂層材料涂布至光纖上，其中可依需求控制并調(diào)整移除的涂層材料的厚度以依所處理的光纖的應(yīng)用來微調(diào)至所需的光學衰減量。選擇性地控制光學光源與光纖間的光徑上的涂層材料移除以使光纖僅有某些模態(tài)或模態(tài)組被光學光源激發(fā)，以下舉例詳述。以上參照圖3-5所討論的實施例包括將涂層材料36的所述部分37移除至一致或?qū)嵸|(zhì)上一致的殘留厚度以提供光學衰減。如此一來，在光徑45上由殘留的涂層材料36所提供的光學衰減，可對于由光學光源38射出而進入光纖40的光42L的不同階(order)或模態(tài)而一致或?qū)嵸|(zhì)上一致。然而，還可移除配置于光纖上的涂層材料的特定區(qū)域或多個區(qū)域以提供特定的光學衰減圖形或屏蔽，使射入光纖的光的不同階或模態(tài)并非被一致地光學衰減。如此，圖6和7說明光纖的實施例，其中配置于光纖附近的涂層材料的一部分被依所需的光學衰減圖案及屏蔽而選擇性地移除。結(jié)果，光纖被配置使得從光學光源射出而進入光纖的光的不同階或模態(tài)會不一致地光學衰減?，F(xiàn)在看到圖6，提供另一范例光纖連結(jié)70的側(cè)視圖，其中用來提供光學衰減的涂層材料配置在光纖74與光學光源72之間。光學光源72及光纖74可為與上述說明于圖 3-5中的光學光源38及光纖40相同或類似的光學光源及光纖。如此，光纖74可被安裝于基材75上以使光纖74的光源端76與光學光源72對準，而使來自光學光源72的光78L可有效率的由光學光源72傳輸至光纖74。如圖6所說明，在此實施例中，光78L沿垂直于光纖A3的光徑73由光學光源72 射入光纖74，并進入所述光纖74的包覆層80。包覆層80包覆光纖74的內(nèi)核82。光78L 在通過可進行光學衰減的涂層材料84時被光學衰減為光學衰減的光78L’ ；更詳細而言，光 78L通過涂層材料84上的環(huán)狀屏蔽或圖案86，其中涂層材料84被選擇性移除或沉積至一所需厚度以提供所需的光學衰減量，如上所述。涂層材料84的種類以及用于提供所需厚度的涂層材料84的移除或沉積工藝可為前述的任一工藝。經(jīng)光學衰減的光78L’接著通過包覆層80并進入光纖74的內(nèi)核82，在此光通過全反射方式被光纖74的斜切光纖端90的斜切端面88反射為光78R。結(jié)果，反射光78R被以非平行于光纖74的光纖軸A3的角度轉(zhuǎn)向至光纖74的內(nèi)核82。在此實施例中，配置在涂層材料84上的環(huán)狀圖案86由移除涂層材料84的中間部或點94附近的環(huán)狀區(qū)域92的涂層材料84的一部分而形成。當光纖74與光學光源72對準時(例如為圖6中所示)涂層材料84的中間部94經(jīng)配置以阻擋自光學光源72射出的光78L或使光大幅光學衰減，光78L在一般狀況下會被斜切端面88反射并以大致上或?qū)嵸|(zhì)上平行于光纖軸A3的角度被導向內(nèi)核82。在此實施例中，所述角度對應(yīng)至較低階的傳輸光纖模態(tài)(guide fiber mode)的傳播方向。因此，此實施例中配置于光纖74上的涂層材料 84上的環(huán)狀圖案86經(jīng)配置以阻擋或過濾較低階模態(tài)的光。由光學光源72射出的光78L 以較高的角度通過涂層材料84的環(huán)狀區(qū)域92，并可通過至光纖74而成為經(jīng)光學衰減的光 78L’。如此造成光纖74中的較高階模態(tài)或模態(tài)被激發(fā)，所述激發(fā)可限制模態(tài)色散并增進光纖連結(jié)70的光纖連結(jié)帶寬。圖7中說明一實施例，其中涂層材料屏蔽或圖案配置于光纖上的涂層材料，并經(jīng)配置以阻擋或大幅光學衰減自光學光源72射出的光78L，光78L在一般狀況下會被反射并以大致上或?qū)嵸|(zhì)上不平行于光纖的光纖軸的角度導向光纖。此角度對應(yīng)至較高階的傳輸光纖模態(tài)的傳播方向。如此可提供(如圖7中所示)包含圖6的光纖74的光纖連結(jié)70’。在圖7中所說明與圖6中相似的元件以相同的元件符號表示。而在實施例中，不同的光學衰
11減屏蔽或圖案96系配置在光徑73上的涂層材料84。光學衰減圖案96可為與圖6中配置于涂層材料84上的環(huán)狀圖案86相反的圖案。在本實施例中的光學衰減圖案96為環(huán)狀凹陷圖案，所述圖案包括由涂層材料84上所移除的開口 98且經(jīng)配置為一所需的厚度以使光 78L可被以垂直或?qū)嵸|(zhì)上垂直于光纖軸A3的角度導向內(nèi)核82并通過包覆層80而成為經(jīng)光學衰減的光78L’。此圖案還可做成非環(huán)狀，或截面為凹陷狀以外的其它輪廓(profile)。例如，輪廓可為一致深度的局部區(qū)域。按角度導向至光纖軸A3的光78L被環(huán)繞著開口 98且厚度較厚的光學衰減圖案96的部分100阻擋或被大幅光學衰減。如此造成光纖74中較低階的模態(tài)或模態(tài)組被激發(fā)，所述激發(fā)可限制模態(tài)色散并增進光纖連結(jié)70’的光纖連結(jié)帶寬。經(jīng)設(shè)計以在不同射出角以不同的程度阻擋光或光學衰減的光學衰減屏蔽或圖案還可配置于光纖的接收端。此包括(但不限于)分別說明于圖6及7中的配置于光纖40 及74上的環(huán)狀圖案86及凹陷圖案。為此，圖8-11說明將光學衰減屏蔽及圖案配置于光纖的接收端以使向光偵測器傳播的光光學衰減的范例。此光學衰減可減少被導向的光的光功率，或使光光學衰減或阻擋特定的光的光纖模態(tài)或模態(tài)組。圖8說明具有涂布至光纖110的涂層材料112的光纖110的接收器端108的側(cè)視圖。在此實施例中，涂層材料112涂布至包覆光纖110的內(nèi)核118的包覆層116的外表面 114上，與前述的實施例類似。光120R由光學光源(圖未示)射入光纖110而使光120R 在光纖110的內(nèi)核118中傳播。光可通過如圖6或任何其它上述所公開的實施例中所提供的光學光源處射入光纖110，其中光被射出后經(jīng)全反射反射至光纖的內(nèi)核。光120R經(jīng)光纖 110的接收器端108上所配置的斜切端面122以全反射反射而成為光120C?？墒褂萌魏吻笆鲇糜趯⑿鼻卸嗣媾渲糜诠饫w的光源端的工藝，將斜切端面122配置于光纖110的接收器端108。在本實施例中，光纖110安裝在基材IM上或安裝于基材IM附近并對準一光偵測器126，使得光120C可被導向光偵測器126。在此實施例中，環(huán)狀屏蔽或環(huán)狀圖案1 配置于涂層材料112上以選擇性地控制光120C的光學衰減。環(huán)狀圖案1 可配置于涂層材料112上，環(huán)狀圖案1 相同或類似于圖6中的光纖74的光源端76上的涂層材料84所配置的環(huán)狀圖案86。環(huán)狀圖案1 通過移除涂層材料112的中間部或點132附近的一環(huán)狀區(qū)域130中的涂層材料112的一部分而配置在涂層材料112上。所述移除可依例如前述的任何方法完成。當光纖110與光學光偵測器1 對準時(例如為圖8中所示)，涂層材料112的中間部132經(jīng)配置以阻擋或大幅光學衰減光120R，光120R在一般狀況下會被斜切端面122反射并以大致上垂直或?qū)嵸|(zhì)上垂直于光纖110的光纖軸A4的角度被導向光偵測器126。在此實施例中，所述角度對應(yīng)至較低階的經(jīng)導向光纖模態(tài)或模態(tài)組的傳播方向。因此，此實施例中配置于光纖110上的涂層材料112上的環(huán)狀圖案1 經(jīng)配置以阻擋或過濾較低階模態(tài)的光。按較高的角度被光纖110 的斜切端面122反射的光120R會通過涂層材料112上所配置的環(huán)狀區(qū)域130，并可通過至光偵測器1 而成為經(jīng)光學衰減的光120C’。如此，不論光120R是否有激發(fā)光纖中的較低階模態(tài)或模態(tài)組，此較低階模態(tài)或模態(tài)組會被光學衰減或阻擋而無法進入光偵測器126。如此可限制模態(tài)色散并增進光纖110的光纖連結(jié)帶寬。圖9-11說明圖8中具有可光學衰減或阻擋光120R的其它模態(tài)或模態(tài)組的環(huán)狀圖案128的光纖110的側(cè)視圖以為范例。圖9說明配置于光纖110上的涂層材料112的環(huán)狀圖案1 如何阻擋光120C的某些較低階模態(tài)或模態(tài)組。在此實施例中，光120R在內(nèi)核118中按大略平行于光纖軸A4的角度傳播，以激發(fā)光纖110中較低階的模態(tài)或模態(tài)組。被光纖 110的斜切端面122反射的某些光被環(huán)狀圖案1 的中間部132光學衰減或阻擋，如圖8所示。然而，被經(jīng)光學衰減的光120C”的其它較低模態(tài)或模態(tài)組通過環(huán)狀區(qū)域130而到達中間部132的側(cè)面。但光纖110與光偵測器1 對準而使經(jīng)光學衰減的光120C”不會到達光偵測器1 而可有效地被過濾。如此可限制模態(tài)色散并增進光纖110的光纖連結(jié)帶寬。圖10-11還說明置于光纖110上的涂層材料112的環(huán)狀圖案1 如何阻擋光120C 的某些較高階模態(tài)或模態(tài)組(例如負角度)，同時使120C的其它較高階模態(tài)或模態(tài)組被光偵測器1 偵測到。被光纖110的斜切端面122反射的某些120C光被環(huán)狀圖案128的中間部132光學衰減或阻擋，如圖8所示。光纖110與光偵測器1 對準而使經(jīng)光學衰減的光120C”的一些較高階模態(tài)或模態(tài)組通過穿過環(huán)狀區(qū)域130而到達中間部132的側(cè)面，并打到光偵測器126。但經(jīng)光學衰減的光120C”雖還經(jīng)過環(huán)狀圖案128的環(huán)狀區(qū)域130但不會到達光偵測器1 而可被有效地過濾。如此可限制模態(tài)色散并增進光纖110的光纖連結(jié)帶寬。光學衰減屏蔽或圖案還可配置在光纖的接收器端以阻擋或光學衰減光的較低階模態(tài)或模態(tài)組。就此而言，圖12說明具有涂布至光纖140上的涂層材料142的光纖140的接收器端130的側(cè)視圖。在此實施例中，涂層材料142涂布至包覆著光纖140的內(nèi)核148 的包覆層146的外表面144上，與前述的實施例類似。由于從光學光源(圖未示)射入光纖140的光的緣故，使得光150R在光纖140的內(nèi)核148中傳播。光可通過如圖6或任何其它上述所公開的實施例中所提供的光學光源射入光纖140，其中光被射出后經(jīng)全反射反射至光纖的內(nèi)核。光150R經(jīng)光纖140的接收器端138上所配置的斜切端面152以全反射反射而成為光150C。斜切端面152可由任何前述用于將斜切端面配置于光纖的光源端的工藝而配置于光纖140的接收器端138上。在本實施例中，光纖140安裝在基材巧4上，并對準光偵測器156以使光150C可被導向光偵測器156。在此實施例中，光學衰減圖案158可配置于光纖140的接收器端138上所配置的涂層材料142，光學衰減圖案158為與圖8中配置于涂層材料112上的環(huán)狀圖案1 相反的圖案及(或)相同或類似于圖7中的涂層材料84上所配置的光學衰減圖案96。就此而言，在本實施例中的光學衰減圖案158為環(huán)狀凹陷圖案，包括由涂層材料142上所移除的開口 160且經(jīng)配置為一所需的厚度，以使自斜切端面152被反射的光150C可垂直或大致上垂直于光纖140的光纖軸A5而通過所述位置，成為光150C’。因此，在實施例中，光150C’中較低階的模態(tài)或模態(tài)組可通過涂層材料142。光纖140可對準光偵測器156以使光150C’ 可到達光偵測器156。被以不垂直或不實質(zhì)上垂直于光纖140的光軸A5的角度反射的光 150R會被開口 160周圍具有較厚的厚度的光學衰減圖案158的部分162阻擋或大幅的光學衰減。因此，在此實施例中，光150C’中較高階的模態(tài)或模態(tài)組會被阻擋而無法通過涂層材料142及到達光偵測器156，或是被大幅的光學衰減。如此可限制模態(tài)色散并增進光纖140 的光纖連結(jié)帶寬。此處所公開的實施例并不受限于任何特定的光纖連結(jié)、光纖、斜切、涂層材料及 (或)涂層材料沉積或移除工藝。且可使用可提供所需的光學衰減特性的任何種類的涂層材料，并可使用可提供所需的光學衰減特性的任何厚度的涂層材料，且可使用可提供所需的光學衰減特性的任何種類的涂層屏蔽或圖案。還可使用任何種類的光學光源及光偵測ο如上所述，此除所公開的經(jīng)切割的光纖端可以激光切割エ藝配置或形成在各別的光纖或光纖陣列上。還可使用拋光エ藝來提供斜切。斜切エ藝可在涂層材料配置于光纖上之前或之后執(zhí)行及/或在移除涂層材料的一部分以提供所需的光學衰減之前或之后執(zhí)行。 単一或多個激光切割面可配置或形成于陣列光纖的末端，還可形成于各別的光纖末端上。 一光纖陣列可包含多個光纖，每個都具有一外表面、一內(nèi)核以及具有一或多個此處公開的類型的激光切割面的一切割(例如為激光切割)光纖端。此外，此處所使用的“光纖纜線”及(或)“光纖”等用語旨在包括所有種類的單?；蚨嗄５墓獠▽?，包括一或多個裸光纖、松管(loose-tube)光纖、緊密緩沖 (tight-buffered)光纖、帶狀(ribbonized)光纖、彎曲不敏感(bend-insensitive)光纖或任何其它適于用來傳輸光訊號的媒介。彎曲不敏感光纖的一例為由康寧公司所制造的 Cl ear Curve :光纖。熟知本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可想到在此所述的許多的修改及其它實施例及具有先前的敘述及相關(guān)圖式中所提供的優(yōu)點的相關(guān)實施例。因此，需了解此處的說明及權(quán)利要求書并不限于公開的特定實施例，且實施例的修改及其它實施例應(yīng)被包括在后附的權(quán)利要求書的范疇中。實施例的修改及變化若落于后附的權(quán)利要求書及其等效的范圍中，還應(yīng)包括于實施例中。雖然此處使用了特定的用語，但這些用語僅用以描述并應(yīng)做廣義的解釋，而不應(yīng)用以限制。
權(quán)利要求
1.一種光纖設(shè)備，包含光纖，具有光纖端；以及涂層材料，配置于所述光纖端的至少一部分上且經(jīng)配置以使導向至所述光學端的光的一部分光學衰減。
2.如權(quán)利要求1所述的光纖設(shè)備，其中所述涂層材料包括由包含碳、金屬及聚合物的群組所組成的材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光纖設(shè)備，其中所述涂層材料提供密封給所述光纖。
4.如權(quán)利要求1到3所述的光纖設(shè)備，其中所述涂層材料以第一厚度提供以控制導向至所述光纖端的光的所述部分的光學衰減，其中所述第一厚度在10微米至200微米之間。
5.如權(quán)利要求1到4所述的光纖設(shè)備，其中所述光纖端經(jīng)斜切。
6.如權(quán)利要求1到5所述的光纖設(shè)備，還包含光學衰減圖案，所述光學衰減圖案配置于所述涂層材料的至少一部分以選擇性地光學衰減導向所述光纖端的光的所述部分。
7.如權(quán)利要求6所述的光纖設(shè)備，其中所述光學衰減圖案包含環(huán)狀圖案或凹陷圖案。
8.如權(quán)利要求6所述的光纖設(shè)備，其中所述光學衰減圖案經(jīng)配置以使導向所述光學端的光的所述部分的至少一發(fā)散角光學衰減。
9.一種提供光學衰減給光纖鏈路的方法，包含提供具有光纖端的光纖；將涂層材料配置于所述光纖端的至少一部分上，所述光纖端經(jīng)配置而使導向所述光纖端的光的一部分光學衰減；以及斜切所述光纖端。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中配置所述涂層材料的步驟包含將所述涂層材料配置在所述光纖端的整個外表面上。
11.如權(quán)利要求9或10所述的方法，還包含移除所述涂層材料的一部分至所需的厚度的步驟。
12.如權(quán)利要求9到11所述的方法，更包含配置光學衰減圖案于所述涂層材料的至少一部分上。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中配置所述光學衰減圖案的步驟包含由下列群組中選出的方法移除所述涂層材料的所述至少一部分；在所述涂層材料的所述至少一部分上蝕刻圖案；以及在所述涂層材料的所述至少一部分上使用化學處理。
14.如權(quán)利要求12或13所述的方法，其中所述光學衰減圖案包含環(huán)狀圖案或凹陷圖案。
15.如權(quán)利要求12到14所述的方法，還包含所述光學衰減圖案使導向所述光學端的光的所述部分的至少一發(fā)散角光學衰減的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用以使導向至光纖或來自光纖的光會光學衰減的涂層光纖及相關(guān)裝置、連結(jié)以及方法。在一實施例中，光纖包括一光纖端。光纖端可為光源端及(或)偵測器端，且可經(jīng)斜切。涂層材料配置于光纖端的至少一部分上，且經(jīng)配置以使導向光纖端的光的一部分光學衰減。涂層材料的材料種類及(或)涂層材料的厚度可被選擇性地控制以控制光學衰減的量。涂層材料的厚度還可被控制以提供涂層材料的所需厚度至光纖端的至少一部分上。涂層材料還可選擇性地被圖案化以增進多模光纖連結(jié)的帶寬。
文檔編號G02B6/42GK102597836SQ201080046530
公開日2012年7月18日 申請日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月15日
發(fā)明者杰弗里·A·德梅里特, 詹姆斯·S·薩瑟蘭 申請人:康寧公司