專利名稱：光刻設(shè)備以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備以及一種用于制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。光刻術(shù)被廣泛認(rèn)為是制造集成電路(IC)和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。 然而，隨著使用光刻術(shù)形成的特征的尺寸變得越來越小，對(duì)于實(shí)現(xiàn)將要制造的微型的IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)來說，光刻術(shù)正變成更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式(I)所示
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，布置成將圖案從圖案形成裝置投影到襯底上并且具有照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置成調(diào)節(jié)輻射束并將輻射束引導(dǎo)到圖案形成裝置上，其中照射系統(tǒng)包括第一反射部件和第二反射部件，所述第一反射部件布置成將輻射束的輻射引導(dǎo)到第二反射部件上并且包括多個(gè)可移動(dòng)反射元件，每個(gè)可移動(dòng)反射元件能夠至少在第一位置和第二位置之間移動(dòng)以便改變照射模式，第二反射部件與照射系統(tǒng)的光瞳平面相關(guān)聯(lián)；和控制系統(tǒng)，布置成將多個(gè)可移動(dòng)反射元件設(shè)置到各自的期望位置以便實(shí)現(xiàn)期望的照射模式，并且進(jìn)一步布置成在可移動(dòng)反射元件中的第一個(gè)可移動(dòng)反射元件有缺陷和不能被設(shè)置到相應(yīng)的期望位置的情況下將可移動(dòng)反射元件中的第二個(gè)可移動(dòng)反射元件設(shè)置到與其期望位置不同的校正位置，以便至少部分地緩解可移動(dòng)反射元件中的第一個(gè)可移動(dòng)反射元件的有害影響。
2.如權(quán)利要求I所述的光刻設(shè)備，其中控制系統(tǒng)布置成使得可移動(dòng)反射元件中的第二個(gè)可移動(dòng)反射元件，是在其期望位置上將輻射引導(dǎo)至光瞳平面中的第二點(diǎn)的可移動(dòng)反射元件，所述第二點(diǎn)與光瞳平面中已經(jīng)通過可移動(dòng)反射元件中的第一個(gè)可移動(dòng)反射元件將輻射所引導(dǎo)至的第一點(diǎn)相對(duì)置。
3.如權(quán)利要求I或2所述的光刻設(shè)備，其中控制系統(tǒng)布置成使得在可移動(dòng)反射元件中的第一個(gè)可移動(dòng)反射元件將輻射引導(dǎo)至光瞳平面中的第一點(diǎn)的情況下，可移動(dòng)反射元件中的第二個(gè)可移動(dòng)反射元件被設(shè)置到校正位置以使得其將輻射引導(dǎo)至光瞳平面中與第一點(diǎn)相對(duì)置的第二點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的光刻設(shè)備，其中第二點(diǎn)相對(duì)于照射系統(tǒng)的光軸與第一點(diǎn)相對(duì)置。
5.如權(quán)利要求2或3所述的光刻設(shè)備，其中第二點(diǎn)相對(duì)于位于光瞳平面中且通過照射系統(tǒng)的光軸的虛擬線與第一點(diǎn)相對(duì)置。
6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中控制系統(tǒng)布置成在可移動(dòng)反射元件中的第一個(gè)可移動(dòng)反射元件引導(dǎo)輻射以便引起第一焦闌誤差的情況下，將可移動(dòng)反射元件中的第二個(gè)可移動(dòng)反射元件設(shè)置到校正位置以引導(dǎo)輻射而引起與第一焦闌誤差相反的第二焦闌誤差。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中控制系統(tǒng)布置成在可移動(dòng)反射元件中的第一個(gè)可移動(dòng)反射元件沿使輻射不到達(dá)襯底的方向引導(dǎo)輻射的情況下將可移動(dòng)反射元件中的第二個(gè)可移動(dòng)反射元件設(shè)置到校正位置以使得其引導(dǎo)輻射而使得輻射不到達(dá)襯。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中控制系統(tǒng)還包括存儲(chǔ)器，配置成存儲(chǔ)用于識(shí)別有缺陷的可移動(dòng)反射元件和所述有缺陷的可移動(dòng)反射元件的缺陷位置的信息；和比較器，配置成將有缺陷的可移動(dòng)反射元件的缺陷位置與有缺陷的反射元件的期望位置對(duì)比；和其中控制系統(tǒng)布置成僅在缺陷位置不等同于有缺陷的可移動(dòng)反射元件的期望位置的情況下將可移動(dòng)反射元件中的第二個(gè)可移動(dòng)反射元件設(shè)置到校正位置。
9.一種用于制造器件的光刻方法，所述方法包括步驟將輻射束引導(dǎo)到第一反射部件使得其被第一反射部件反射并入射到第二反射部件，輻射束隨后入射到圖案形成裝置上，并且第一反射部件包括多個(gè)可移動(dòng)反射元件，每個(gè)可移動(dòng)反射元件至少能夠在第一位置和第二位置之間移動(dòng)以便改變圖案形成裝置的照射模式，在可移動(dòng)反射元件中的第一個(gè)可移動(dòng)反射元件有缺陷和不能被設(shè)置到期望位置以限定期望的照射模式的情況下，將可移動(dòng)反射元件中的第二個(gè)可移動(dòng)反射元件設(shè)置到與用于限定期望的照射模式的其期望位置不同的校正位置，以至少部分地緩解可移動(dòng)反射元件中的有缺陷的可移動(dòng)反射元件的有害影響；使用圖案形成裝置對(duì)輻射束進(jìn)行圖案化；和將圖案化的輻射束投影到襯底上。
10.如權(quán)利要求9所述的光刻方法，其中位于其期望位置的第二可移動(dòng)反射元件將輻射引導(dǎo)至位于第二反射部件上的第二點(diǎn)，所述第二點(diǎn)與第二反射部件上已經(jīng)通過第一可移動(dòng)反射元件將輻射所引導(dǎo)至的第一點(diǎn)相對(duì)置。
11.如權(quán)利要求9或10所述的光刻方法，其中第一可移動(dòng)反射元件將輻射引導(dǎo)至第二反射部件上的第一點(diǎn)，并且第二可移動(dòng)反射元件被設(shè)置至校正位置使得其將輻射引導(dǎo)至第二反射部件上與第一點(diǎn)相對(duì)置的第二點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求10或11所述的光刻方法，其中第二點(diǎn)相對(duì)于照射系統(tǒng)的光軸與第一點(diǎn)相對(duì)置，第一反射部件和第二反射部件形成所述照射系統(tǒng)的一部分。
13.如權(quán)利要求10或11所述的光刻方法，其中第二點(diǎn)相對(duì)于位于第二反射部件上且通過第二反射部件中心的虛擬線與第一點(diǎn)相對(duì)置。
14.如權(quán)利要求9-13中任一項(xiàng)所述的光刻方法，其中第一可移動(dòng)反射元件引導(dǎo)輻射以便引起第一焦闌誤差，并且第二可移動(dòng)反射元件設(shè)置到校正位置以引導(dǎo)輻射以引起與第一焦闌誤差相反的第二焦闌誤差。
15.如權(quán)利要求9-14中任一項(xiàng)所述的光刻方法，其中第一可移動(dòng)反射元件沿使輻射不到達(dá)襯底的方向引導(dǎo)輻射，并且第二可移動(dòng)反射元件設(shè)置到校正位置使得其引導(dǎo)輻射而使得輻射不到達(dá)襯底。
16.如權(quán)利要求9-15中任一項(xiàng)所述的光刻方法，還包括步驟存儲(chǔ)用于識(shí)別有缺陷的可移動(dòng)反射元件和所述有缺陷的可移動(dòng)反射元件的缺陷位置的信息；將有缺陷的可移動(dòng)反射元件的缺陷位置與有缺陷的反射元件的期望位置對(duì)比；和僅在缺陷位置不等同于有缺陷的可移動(dòng)反射元件的期望位置時(shí)將第二可移動(dòng)反射元件設(shè)置到校正位置。
全文摘要
在光刻設(shè)備中，使用場(chǎng)反射鏡設(shè)置照射模式，場(chǎng)反射鏡包括多個(gè)可移動(dòng)琢面以引導(dǎo)輻射至光瞳琢面反射鏡上的可選定位置。在一場(chǎng)琢面反射鏡有缺陷且不能被設(shè)置到期望位置的情形中，可移動(dòng)琢面反射鏡中的另一個(gè)被設(shè)置到與其期望位置不同的校正位置，以便至少部分地緩解有缺陷的琢面反射鏡的有害影響。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102612667SQ201080051846
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月18日
發(fā)明者G·德維里斯, J·范斯庫(kù)特, 克恩·萬英根謝諾 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司