專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及取向膜的涂敷區(qū)域的控制。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置一般具有在ー對(duì)基板之間封入有液晶層的結(jié)構(gòu)。ー對(duì)基板中的一方是形成有多個(gè)柵極配線(xiàn)、多個(gè)源極配線(xiàn)、多個(gè)像素電極和多個(gè)TFT等的TFT基板。ー對(duì)基板 中的另一方是形成有多個(gè)像素電極共用的共用電極的相對(duì)基板。液晶層被框狀的密封構(gòu)件包圍密封于TFT基板和相對(duì)基板之間。在TFT基板和相對(duì)基板中，在液晶層側(cè)的表面設(shè)置有對(duì)該液晶層中的液晶分子的取向進(jìn)行限制的取向膜。取向膜包括例如聚酰亞胺等的樹(shù)脂膜，對(duì)其表面進(jìn)行了摩擦處理、光取向處理。取向膜是通過(guò)在TFT基板和相對(duì)基板的表面上涂敷液狀的聚酰亞胺，然后燒制使其固化而形成的。聚酰亞胺可以通過(guò)例如柔版印刷法、噴墨印刷法等進(jìn)行涂敷。在此，在利用了上述噴墨法的取向膜的形成エ序中，需要相對(duì)降低該取向膜材料的粘性，以使向基板噴出并命中的聚酰亞胺等取向膜材料在基板表面上充分?jǐn)U展。然而，低粘性的取向膜材料在基板表面上會(huì)容易地?cái)U(kuò)展，因此容易擴(kuò)展至本來(lái)不需要密封構(gòu)件的形成區(qū)域。對(duì)此，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I和2中提出了在TFT基板的密封構(gòu)件形成區(qū)域和進(jìn)行顯示的像素區(qū)域之間形成槽結(jié)構(gòu)，在該槽內(nèi)匯集取向膜材料，由此防止過(guò)剩的取向膜材料的擴(kuò)展。_7] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)I :特開(kāi)2004-361623號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :特開(kāi)2007-322627號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題但是，在如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)I和2所述形成用于匯集取向膜材料的槽結(jié)構(gòu)的構(gòu)成中，為確保匯集取向膜材料的容積，需要相對(duì)較寬地設(shè)置槽結(jié)構(gòu)的形成區(qū)域。其結(jié)果是，從像素區(qū)域到密封構(gòu)件形成區(qū)域的距離變長(zhǎng)，因此難以縮小形成于像素區(qū)域的周?chē)倪吙驙畹姆秋@示區(qū)域的寬度。另ー方面，也已知在密封構(gòu)件形成區(qū)域中形成多個(gè)電極部，使上述電極部通過(guò)分散混入于密封構(gòu)件的導(dǎo)電性顆粒來(lái)與相對(duì)基板的共用電極導(dǎo)通。在此，參照作為放大俯視圖的圖9和作為放大截面圖的圖10說(shuō)明本發(fā)明要解決的問(wèn)題和作為相關(guān)技術(shù)的液晶顯示裝置的密封形成區(qū)域的構(gòu)成。如圖10所不，液晶顯不裝直100具有相互相對(duì)的TFT基板101和相對(duì)基板102。在TFT基板101的密封形成區(qū)域中形成有第I電極103和覆蓋它的層間絕緣膜104。在層間絕緣膜104中，在與第I電極103的一部分重疊的位置貫通形成有開(kāi)ロ部105。如圖9所示，開(kāi)ロ部105從基板法線(xiàn)方向看形成為矩形。并且，在TFT基板101上以直接覆蓋層間絕緣膜104的表面、開(kāi)ロ部105的內(nèi)壁面以及露出于開(kāi)ロ部105內(nèi)的第I電極103的方式形成有第2電極106。由此，第2電極106與第I電極103電連接。上述第2電極106包含例如ITO (Indium Tin Oxide :銦錫氧化物)等的透明導(dǎo)電膜。另外，在TFT基板101上不設(shè)置如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)I和2那樣的槽結(jié)構(gòu)。在上述層間絕緣膜104上以覆蓋第2電極106的方式形成有取向膜107。具有低粘性的取向膜材料在圖9中從下側(cè)的像素區(qū)域(未圖示)在同圖中向上側(cè)擴(kuò)展的結(jié)果是，取向膜107覆蓋第2電極106且形成于開(kāi)ロ部105的周?chē)w。另ー方面，在相對(duì)基板102上，在TFT基板101側(cè)形成有包含ITO等的共用電極108。共用電極108的一部分與第2電極106相対。分散有多個(gè)導(dǎo)電性顆粒109的密封構(gòu)件110介于相對(duì)基板102和TFT基板101之間。導(dǎo)電性顆粒109與共用電極108導(dǎo)通。但是，如上所述，作為絕緣膜的取向膜107擴(kuò)展至密封形成區(qū)域并覆蓋著第2電極106，因此取向膜107介于第2電極106和導(dǎo)電性顆粒109之間的結(jié)果是，存在會(huì)阻礙通過(guò)導(dǎo)電性顆粒109的第2電極106和共用電極108的導(dǎo)通的問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于，盡可能地縮小液晶顯示裝置的非顯示區(qū)域并要確保ー對(duì)基板間的電連接。用于解決問(wèn)題的方案為達(dá)成上述目的，本發(fā)明以如下液晶顯示裝置為對(duì)象，上述液晶顯示裝置具備第I基板；第2基板，其與上述第I基板相對(duì)配置液晶層，其設(shè)置于上述第I基板和第2基板之間；以及密封構(gòu)件，其設(shè)置于上述第I基板和第2基板之間，包圍密封上述液晶層。并且，上述第I基板和第2基板分別具有作為顯示區(qū)域的像素區(qū)域和作為非顯示區(qū)域的邊框區(qū)域，上述非顯示區(qū)域是該像素區(qū)域的外側(cè)周?chē)膮^(qū)域，其包含上述密封構(gòu)件的形成區(qū)域，在上述第I基板和第2基板的上述液晶層側(cè)，以從上述像素區(qū)域向上述密封構(gòu)件的形成區(qū)域側(cè)擴(kuò)展的方式形成有通過(guò)具有流動(dòng)性的取向膜材料的固化而形成的取向膜，在上述第I基板和上述第2基板的各密封構(gòu)件的形成區(qū)域中分別形成有用于通過(guò)導(dǎo)電材料相互電連接的電極部，在上述第I基板和上述第2基板中的至少一方形成有對(duì)固化前的上述取向膜材料的流動(dòng)進(jìn)行限制的限制結(jié)構(gòu)部，上述限制結(jié)構(gòu)部至少配置于上述電極部和上述像素區(qū)域之間，以使上述電極部的至少一部分從上述取向膜露出。-作用-接著，對(duì)本發(fā)明的作用進(jìn)行說(shuō)明。在制造液晶顯示裝置的情況下，固化前的取向膜材料以從像素區(qū)域向密封構(gòu)件的形成區(qū)域側(cè)擴(kuò)展的方式形成。并且，通過(guò)限制結(jié)構(gòu)部對(duì)到達(dá)密封構(gòu)件形成區(qū)域的取向膜材料的流動(dòng)進(jìn)行限制的結(jié)果是，電極部的至少一部分不被取向膜覆蓋而露出。因此，上述電極部的一部分和導(dǎo)電材料因它們之間不隔著取向膜而相互電連接。并且，即使不在像素區(qū)域和密封構(gòu)件形成區(qū)域之間設(shè)置用于匯集取向膜材料的槽結(jié)構(gòu)等，第I基板的電極部和第2基板的電極部也能夠通過(guò)導(dǎo)電材料進(jìn)行電連接，因此能使邊框區(qū)域大幅變窄并確保上述第I基板與第2基板的電連接。發(fā)明效果、
根據(jù)本發(fā)明，即使不在像素區(qū)域和密封構(gòu)件形成區(qū)域之間設(shè)置用于匯集取向膜材料的槽結(jié)構(gòu)等，第I基板的電極部和第2基板的電極部也能夠通過(guò)導(dǎo)電材料進(jìn)行電連接，因此能夠使邊框區(qū)域大幅變窄并確保上述第I基板和第2基板的電連接。


圖I是示出本實(shí)施方式I的TFT基板的概略構(gòu)成的俯視圖。圖2是放大示出本實(shí)施方式I的TFT基板的焊盤(pán)附近的俯視圖。圖3是示出流向本實(shí)施方式I的TFT基板的焊盤(pán)的取向膜材料的俯視圖。圖4是放大示出本實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的截面構(gòu)成的截面圖。圖5是放大示出本實(shí)施方式2的相對(duì)基板中的與焊盤(pán)相対的區(qū)域的俯視圖。 圖6是放大示出本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的截面構(gòu)成的截面圖。 圖7是示出其它實(shí)施方式中的TFT基板的焊盤(pán)附近的與圖2相當(dāng)?shù)母┮晥D。圖8是示出其它實(shí)施方式中的TFT基板的焊盤(pán)附近的與圖2相當(dāng)?shù)母┮晥D。圖9是放大示出作為相關(guān)技術(shù)的液晶顯示裝置的密封形成區(qū)域的俯視圖。圖10是放大示出作為相關(guān)技術(shù)的液晶顯示裝置的密封形成區(qū)域的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。此外，本發(fā)明不限于下面的實(shí)施方式。發(fā)明的實(shí)施方式I圖I 圖4示出本發(fā)明的實(shí)施方式I。圖I是示出本實(shí)施方式I的TFT基板的概略構(gòu)成的俯視圖。圖2是放大示出本實(shí)施方式I的TFT基板的焊盤(pán)附近的俯視圖。圖3是示出流向本實(shí)施方式I的TFT基板的焊盤(pán)的取向膜材料的俯視圖。圖4是放大示出本實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的截面構(gòu)成的截面圖。如圖I和圖4所示，液晶顯示裝置I具有作為第I基板的TFT基板11、作為與TFT基板11相對(duì)配置的第2基板的相對(duì)基板12以及設(shè)置于TFT基板11和相對(duì)基板12之間的液晶層13。另外，液晶顯不裝置I具有設(shè)置于TFT基板11和相對(duì)基板12之間并包圍密封液晶層13的密封構(gòu)件14。如圖I所示，密封構(gòu)件14形成為大致矩形框狀，含有例如環(huán)氧樹(shù)脂等紫外線(xiàn)熱兩用固化型樹(shù)脂，并且分散混入有作為導(dǎo)電材料的多個(gè)導(dǎo)電性顆粒29和玻璃纖維30。導(dǎo)電性顆粒29的外徑是5 iim左右，玻璃纖維30的直徑是4 iim左右。另外，密封構(gòu)件14的線(xiàn)寬是例如0. 5mm左右。另外，在圖2和圖3等中，為便于說(shuō)明而僅圖示I個(gè)導(dǎo)電性顆粒29，省略其它多個(gè)導(dǎo)電性顆粒的圖示。TFT基板11和相對(duì)基板12分別具有作為顯示區(qū)域的像素區(qū)域31和作為非顯示區(qū)域的邊框區(qū)域32，上述非顯示區(qū)域是像素區(qū)域31的外側(cè)周?chē)膮^(qū)域。在邊框區(qū)域32中含有與像素區(qū)域31隔著規(guī)定的間隔設(shè)置的密封構(gòu)件形成區(qū)域34 (密封構(gòu)件14的形成區(qū)域)。另外，在TFT基板11和相對(duì)基板12的液晶層13側(cè)，具有流動(dòng)性的取向膜材料24固化從而形成的取向膜23以從像素區(qū)域31向密封構(gòu)件14的形成區(qū)域側(cè)擴(kuò)展的方式形成。取向膜23包括聚酰亞胺等樹(shù)脂材料，用于限制液晶層13的液晶分子的初始取向。取向膜材料24是通過(guò)對(duì)聚酰亞胺等添加溶劑使其粘性降低而成的。在取向膜材料24中可以應(yīng)用例如JSR株式會(huì)社制造的粘度是6. 5m Pa s的垂直取向膜材料。(相對(duì)基板)如圖4所示，相對(duì)基板12具有作為支撐基板的玻璃基板22。在玻璃基板22的TFT基板11側(cè)以IOOnm左右的厚度形成有作為包括ITO等的透明導(dǎo)電膜的電極部的共用電極26。共用電極26的厚度是IOOnm左右。(TFT 基板)
在TFT基板11的像素區(qū)域31中將多個(gè)像素(未圖示)配置為矩陣狀。在各像素中分別形成有包括IT0(Indium Tin Oxide :銦錫氧化物)等的透明導(dǎo)電膜的像素電極(未圖示)。另外，在各像素中形成有作為與上述像素電極連接的開(kāi)關(guān)元件的TFT(Thin-FilmTransistor :薄膜晶體管，未圖示)。而且，在TFT基板11上形成有與上述TFT連接的柵極配線(xiàn)(未圖示)和源極配線(xiàn)(未圖示)等。另外，如圖4所示，TFT基板11具有作為支撐基板的玻璃基板21，在該玻璃基板21的相對(duì)基板12側(cè)表面上形成有多個(gè)柵極配線(xiàn)和下部電極40。下部電極40以規(guī)定的間隔配置于密封構(gòu)件形成區(qū)域34，由與柵極配線(xiàn)相同的材料形成。即，下部電極40包括例如厚度為IOOnm的Ti膜、層疊于其表面的厚度為300nm的Al膜以及進(jìn)ー步層疊于其表面的厚度為50nm的Ti膜。另外，如圖I所示，在玻璃基板21的邊框區(qū)域32中形成有包含與上述柵極配線(xiàn)相同的材料的多個(gè)引出配線(xiàn)17。引出配線(xiàn)17的一部分與上述下部電極40連接。引出配線(xiàn)17的線(xiàn)寬是IOiim左右。如圖4所示，在玻璃基板21的表面形成有覆蓋上述柵極配線(xiàn)和下部電極40的柵極絕緣膜41。柵極絕緣膜41包括例如SiO2等的氧化膜，形成為0. 4 ii m左右的厚度。在柵極絕緣膜41的表面形成有作為保護(hù)膜的鈍化膜42。鈍化膜42包括例如SiN等的無(wú)機(jī)I吳，形成為0. 25 ii m左右的厚度。在鈍化膜42的表面形成有覆蓋上述下部電極40等的層間絕緣膜43。層間絕緣膜43含有例如光固化性丙烯酸樹(shù)脂，形成為2. 5 ii m左右的厚度。在TFT基板11的密封構(gòu)件形成區(qū)域34中，作為包括ITO等的透明導(dǎo)電膜的電極部的多個(gè)焊盤(pán)20形成于層間絕緣膜43的表面。焊盤(pán)20形成為IOOnm左右的厚度，如圖I所示，沿著密封構(gòu)件14以規(guī)定的間隔配置。該焊盤(pán)20用于通過(guò)密封構(gòu)件14的導(dǎo)電性顆粒29與相對(duì)基板12的共用電極26進(jìn)行電連接。另外，多個(gè)焊盤(pán)20與下部電極40分別相對(duì)配置。在此，在層間絕緣膜43、鈍化膜42以及柵極絕緣膜41中形成有狹縫狀的開(kāi)ロ部44以使下部電極40露出。并且，各焊盤(pán)20沿著層間絕緣膜43的表面和開(kāi)ロ部44的內(nèi)側(cè)表面進(jìn)行成膜。S卩，在開(kāi)ロ部44的內(nèi)側(cè)利用焊盤(pán)20的凹陷的表面形成有凹槽45。由此，各焊盤(pán)20通過(guò)開(kāi)ロ部44對(duì)與上述焊盤(pán)20相対的下部電極40電連接。這樣，在本實(shí)施方式I中的TFT基板11上形成有包括上述凹槽45的限制結(jié)構(gòu)部60。將限制結(jié)構(gòu)部60至少配置于焊盤(pán)20和上述像素區(qū)域31之間，對(duì)固化前的取向膜材料24的流動(dòng)進(jìn)行限制，以使焊盤(pán)20的至少一部分從取向膜23露出。本實(shí)施方式的限制結(jié)構(gòu)部60包括覆蓋焊盤(pán)20的至少一部分的矩形環(huán)狀的凹槽45。由此，在被環(huán)狀的凹槽45包圍的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，焊盤(pán)20從取向膜23露出。上述凹槽45具有構(gòu)成該凹槽45的內(nèi)壁面的傾斜部46，該傾斜部46的一部分被取向膜23覆蓋。即，傾斜部46具有構(gòu)成凹槽45的槽邊部分的弧形的凸表面，支撐著取向膜23的端緣部分。這樣，在凹槽45的內(nèi)部不形成取向膜23，該凹槽45的底面從取向膜23露出。
如圖3所示，上述焊盤(pán)20的尺寸是縱向長(zhǎng)度為500 U m左右而橫向長(zhǎng)度為3140 ii m左右。凹槽45的槽寬是50 ii m左右，凹槽45的外邊緣和焊盤(pán)20的外邊緣的距離是20 y m左右。由此，焊盤(pán)20在凹槽45的內(nèi)側(cè)以縱向長(zhǎng)度是360 u m左右和橫向長(zhǎng)度是3000 y m左右的大小從取向膜23露出。另外，在密封構(gòu)件形成區(qū)域34中的上述層間絕緣膜43的表面以覆蓋焊盤(pán)20和凹槽45的方式形成有密封構(gòu)件14。這樣，密封構(gòu)件14的導(dǎo)電性顆粒29被從取向膜23露出的焊盤(pán)20和相對(duì)基板12的共用電極26夾持，這些焊盤(pán)20與共用電極26電連接。-制造方法-接著，對(duì)上述液晶顯示裝置I的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。將框狀的密封構(gòu)件14形成于TFT基板11或者相對(duì)基板12，在該密封構(gòu)件14的內(nèi)側(cè)滴注液晶，然后將上述TFT基板11和相對(duì)基板12相互貼合，由此制造液晶顯不裝置I。在制造TFT基板11的情況下，首先，將下部電極40與柵極配線(xiàn)(未圖示)同時(shí)形成于作為透明基板的玻璃基板21的表面。然后，形成覆蓋它們的柵極絕緣膜41、硅膜(i層，n+相)(未圖示)、源極配線(xiàn)(未圖示)以及鈍化膜42。接著，形成覆蓋這些TFT等的層間絕緣膜43。層間絕緣膜43能夠使用光固化性丙烯酸樹(shù)脂等感光性有機(jī)材料、非感光性絕緣膜來(lái)形成。在使用感光性有機(jī)材料的情況下，可以通過(guò)例如旋涂法(也能通過(guò)狹縫涂法、噴墨法。)使有機(jī)材料形成在玻璃基板21上以使表面變平坦。其后，通過(guò)光刻法和蝕刻，對(duì)層間絕緣膜43、鈍化膜42以及柵極絕緣膜41貫通形成狹縫狀的開(kāi)ロ部44。下部電極40露出于開(kāi)ロ部44的內(nèi)側(cè)。另ー方面，在使用非感光性絕緣膜來(lái)形成層間絕緣膜43的情況下，通過(guò)例如CVD法(也能通過(guò)濺射法、涂敷型材料的涂敷。)在玻璃基板21上以相等的膜厚形成絕緣材料層，然后在該絕緣材料層的表面對(duì)整個(gè)面涂敷感光性抗蝕劑。接著，通過(guò)光刻法形成規(guī)定的抗蝕劑圖案。其后，進(jìn)行絕緣材料層的蝕刻(濕式蝕刻或者干式蝕刻)，除去上述抗蝕劑圖案，由此形成上述開(kāi)ロ部44。接著，在上述層間絕緣膜43的表面形成ITO層，通過(guò)光刻和蝕刻對(duì)它進(jìn)行圖案化，由此將多個(gè)焊盤(pán)20與像素電極(未圖示)同時(shí)形成。從而，在開(kāi)ロ部44的內(nèi)側(cè)利用焊盤(pán)20的凹陷的表面形成作為限制結(jié)構(gòu)部60的凹槽45。其后，通過(guò)噴墨法提供聚酰亞胺等具有流動(dòng)性的取向膜材料24以覆蓋多個(gè)焊盤(pán)20和像素電極等。如圖3所示，取向膜材料24從像素區(qū)域31流向邊框區(qū)域32，在到達(dá)凹槽45的傾斜部46吋，該取向膜材料24的端緣部被上述傾斜部46支撐。
其結(jié)果是，如圖4所示，在凹槽45的傾斜部46附近，取向膜材料24堆在相對(duì)基板12側(cè)后被堵塞。從而，取向膜材料24的流動(dòng)被限制為沿著凹槽45，在被該凹槽45包圍的區(qū)域迂回流動(dòng)。其后，燒制取向膜材料24，由此形成取向膜23。從而，制造TFT基板11。-實(shí)施方式I的效果-因此，根據(jù)該實(shí)施方式1，在焊盤(pán)20和像素區(qū)域31之間形成作為限制結(jié)構(gòu)部60的凹槽45，因此能夠通過(guò)凹槽45對(duì)從像素區(qū)域31到達(dá)密封構(gòu)件形成區(qū)域34的取向膜材料24的流動(dòng)進(jìn)行限制，能夠使焊盤(pán)20的一部分不被取向膜23覆蓋而露出。因此，能夠使焊盤(pán)20的一部分與密封構(gòu)件14的導(dǎo)電性顆粒29不隔著取向膜23而直接連接。因此，根據(jù)本實(shí)施方式1，在像素區(qū)域31和密封構(gòu)件形成區(qū)域34之間，即使不設(shè)置 用于匯集取向膜材料24的槽結(jié)構(gòu)等，也能夠通過(guò)導(dǎo)電性顆粒29將TFT基板11的焊盤(pán)20與相對(duì)基板12的共用電極26電連接，因此能夠使邊框區(qū)域32大幅變窄并確保上述TFT基板11與相對(duì)基板12的電連接。而且，限制結(jié)構(gòu)部60包括包圍焊盤(pán)20的至少一部分的環(huán)狀的凹槽45，因此能夠使該焊盤(pán)20的一部分可靠地從取向膜23露出。況且，限制結(jié)構(gòu)部60兼作將焊盤(pán)20與下部電極40的連接結(jié)構(gòu)，因此不需要僅為設(shè)置限制結(jié)構(gòu)部60而使非顯示區(qū)域増大，從而能夠進(jìn)ー步縮小邊框區(qū)域32。發(fā)明的實(shí)施方式2圖5和圖6示出本發(fā)明的實(shí)施方式2。圖5是放大示出與本實(shí)施方式2的相對(duì)基板中的焊盤(pán)相対的區(qū)域的俯視圖。圖6是放大示出本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的截面構(gòu)成的截面圖。此外，在以后的各實(shí)施方式中，對(duì)與圖I 圖4相同的部分附上相同的符號(hào)，省略其具體說(shuō)明。在上述實(shí)施方式I中，對(duì)將限制結(jié)構(gòu)部60形成于TFT基板11的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是本實(shí)施方式2除TFT基板11以外也將限制結(jié)構(gòu)部60形成于相對(duì)基板12。 (TFT 基板)即，TFT基板11具有與上述實(shí)施方式I同樣的構(gòu)成。如圖6所不,將凹槽45的槽寬規(guī)定為50 ii m左右，以使密封構(gòu)件14的玻璃纖維30能夠收納于凹槽45內(nèi)。(相對(duì)基板)如圖6所示，相對(duì)基板12具有作為支撐基板的玻璃基板22。在玻璃基板22的TFT基板11側(cè)以IOOnm左右的厚度形成有包括ITO等的透明導(dǎo)電膜的共用電極26。在玻璃基板22的表面上形成有構(gòu)成彩色濾光片(未圖示)的多個(gè)著色層(未圖示)和作為遮光膜的黑矩陣(未圖示)，在該彩色濾光片的表面形成有共用電極26。上述著色層是透過(guò)R(紅)、G(緑)或者B(藍(lán))的光的濾光片，在相對(duì)基板12的像素區(qū)域31中矩陣狀配置。上述黑矩陣被形成為用于對(duì)相鄰著色層彼此之間進(jìn)行遮光并且對(duì)邊框區(qū)域32進(jìn)行遮光。另外，密封構(gòu)件14與形成于上述TFT基板11的相同，被配置于邊框區(qū)域32的密封構(gòu)件形成區(qū)域34。在該相對(duì)基板12的液晶層13側(cè)，也以從像素區(qū)域31向密封構(gòu)件形成區(qū)域34側(cè)擴(kuò)展的方式形成有與形成于TFT基板11的取向膜相同的取向膜材料24固化而形成的取向膜23。 并且，在玻璃基板22的表面，以向TFT基板11側(cè)突出并且成肋狀地延伸的方式形成有作為限制結(jié)構(gòu)部60的凸條部36。如圖2、圖5以及圖6所示，從TFT基板11或者相對(duì)基板12的表面的法線(xiàn)方向看，凸條部36被配置于上述凹槽45的槽內(nèi)。即，如圖5所示，凸條部36形成為覆蓋共用電極26的一部分的矩形環(huán)狀。由此，在被環(huán)狀的凸條部36包圍的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，共用電極26從取向膜23露出。凸條部36具有例如包括與藍(lán)色的著色層相同的材料的基體部37和覆蓋該基體部37的被覆部38。被覆部38包括光感光性丙烯酸樹(shù)脂，上述光感光性丙烯酸樹(shù)脂與形成于相對(duì)基板12的用于對(duì)液晶分子進(jìn)行垂直取向控制的肋(未圖示)或者光間隔物(未圖示)為相同材料。凸條部36具有構(gòu)成該凸條部36的外壁面 的傾斜部39，該傾斜部39的一部分被取向膜23覆蓋。如圖6所示，凸條部36的截面形成為從相對(duì)基板12側(cè)向TFT基板11側(cè)寬度逐漸縮小的大致錐狀。并且，環(huán)狀的凸條部36的外側(cè)(在圖6中為左側(cè))的傾斜部39被取向膜23覆蓋，另ー方面，內(nèi)側(cè)(在圖6中為右側(cè))的傾斜部39的一部分從取向膜23露出。即，上述內(nèi)側(cè)的傾斜部39支撐著取向膜23的端緣部分。在此，也如圖6所示，基體部37的厚度是2.5 iim左右，寬度是30 iim左右。另外，被覆部38在基體部37上的厚度是4 ii m左右，寬度是30 y m左右。另外，在密封構(gòu)件形成區(qū)域34中的共用電極26的表面，以覆蓋凸條部36的方式形成有密封構(gòu)件14。這樣，密封構(gòu)件14的導(dǎo)電性顆粒29被從取向膜23露出的共用電極26和TFT基板11的焊盤(pán)20夾持，這些焊盤(pán)20與共用電極26被電連接。-制造方法-接著，對(duì)上述液晶顯示裝置I的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。TFT基板11通過(guò)與上述實(shí)施方式I同樣的方法來(lái)制造。另ー方面，在制造相對(duì)基板12的情況下，在作為透明基板的玻璃基板22的表面形成彩色濾光片(未圖示)。這時(shí)，在形成彩色濾光片的著色層(未圖示)的同時(shí)，在密封構(gòu)件形成區(qū)域34中的玻璃基板22的表面由與該著色層相同的材料來(lái)形成基體部37。接著，以覆蓋基體部37和上述彩色濾光片的方式形成共用電極26，在該共用電極26的表面堆積例如光感光性丙烯酸樹(shù)脂，然后對(duì)它進(jìn)行光刻，由此同時(shí)形成覆蓋基體部37的被覆部38以及光間隔物(未圖示)或者液晶分子的垂直取向控制用的肋。其后，通過(guò)噴墨法提供聚酰亞胺等具有流動(dòng)性的取向膜材料24以使其覆蓋上述彩色濾光片等。取向膜材料24從像素區(qū)域31流向邊框區(qū)域32，在到達(dá)凸條部36吋，該取向膜材料24的端緣部被凸條部36的內(nèi)側(cè)的傾斜部39支撐。其結(jié)果是，如圖6所示，取向膜材料24堆在凸條部36的相對(duì)基板12側(cè)并被堵塞。其后，通過(guò)燒制取向膜材料24來(lái)形成取向膜23。從而，制造相對(duì)基板12。-實(shí)施方式2的效果_因此，根據(jù)該實(shí)施方式2，在TFT基板11中形成作為限制結(jié)構(gòu)部60的凹槽45，使焊盤(pán)20從取向膜23露出，由此能夠獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。除此以外，在相對(duì)基板12上形成作為限制結(jié)構(gòu)部60的凸條部36，使共用電極26露出于與焊盤(pán)20相対的區(qū)域，由此使共用電極26和導(dǎo)電性顆粒29可靠地接觸，從而相對(duì)基板12和TFT基板11能夠可靠地電連接。
而且，限制結(jié)構(gòu)部60包括包圍共用電極26的一部分的環(huán)狀的凸條部36，因此能夠使該共用電極26的一部分可靠地從取向膜23露出。況且，將凸條部36構(gòu)成為從基板表面的法線(xiàn)方向看被配置于TFT基板11的凹槽45的槽內(nèi)，由此可以更可靠地防止TFT基板11中的取向膜材料24向凹槽45內(nèi)流入。除此以外，即使在密封構(gòu)件14中含有玻璃纖維30，也能夠如圖6所示將該玻璃纖維30收納于凹槽45內(nèi)，因此能夠抑制因在TFT基板11和相對(duì)基板12之間夾持有玻璃纖維30而導(dǎo)致的単元厚度(液晶層13的厚度)的不均。其它實(shí)施方式在上述實(shí)施方式I和2中，說(shuō)明了將作為限制結(jié)構(gòu)部60的凹槽45和凸條部36分別形成為無(wú)間斷的連續(xù)的環(huán)狀的例子，但本發(fā)明不限于此，例如，如作為與圖2相當(dāng)?shù)膱D的圖7所示，也可以將限制結(jié)構(gòu)部60 (凹槽45和凸條部36)配置為從TFT基板11或者相對(duì)基板12的表面的法線(xiàn)方向看形成為コ字狀，并且該限制結(jié)構(gòu)部60的兩個(gè)端部向與像素區(qū) 域31相反的ー側(cè)(也就是說(shuō)圖7中的上側(cè))延伸。另外，除此以外，如作為與圖2相當(dāng)?shù)膱D的圖8所示，限制結(jié)構(gòu)部60 (凹槽45和凸條部36)也可以形成為從TFT基板11或者相對(duì)基板12的表面的法線(xiàn)方向看是缺損了與像素區(qū)域31相反的ー側(cè)的一部分的環(huán)狀。即使如此，也可以獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。另外，在上述各實(shí)施方式中，說(shuō)明了限制結(jié)構(gòu)部60包括一重凹槽45、凸條部36的例子，但本發(fā)明不限于此，也可以是多個(gè)凹槽45或者凸條部36以二重、三重被分別并行配置多個(gè)的構(gòu)成。另外，只要將限制結(jié)構(gòu)部60形成于TFT基板11和相對(duì)基板12中的至少一方即可，但從TFT基板11和相對(duì)基板12的可靠的電連接的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選將限制結(jié)構(gòu)部60設(shè)置于各基板11、12的雙方。另外，在上述實(shí)施方式I和2中，說(shuō)明了通過(guò)密封構(gòu)件14的導(dǎo)電性顆粒29使TFT基板11和相對(duì)基板12導(dǎo)通的例子，但不限于此，通過(guò)例如導(dǎo)電膏等其它導(dǎo)電材料使上述TFT基板11和相對(duì)基板12導(dǎo)通的構(gòu)成也同樣能夠應(yīng)用本發(fā)明。エ業(yè)上的可利用件如上所述，本發(fā)明對(duì)液晶顯示裝置是有用的。附圖標(biāo)記說(shuō)明I液晶顯示裝置
IITFT基板(第I基板)
12相對(duì)基板(第2基板)
13液晶層
14密封構(gòu)件
20焊盤(pán)(電極部) 23取向膜
24取向膜材料
26共用電極(電極部)
29導(dǎo)電性顆粒(導(dǎo)電材料)
31像素區(qū)域
32邊框區(qū)域
34密封構(gòu)件形成區(qū)域
36凸條部(限制結(jié)構(gòu)部)
37基體部
38被覆部 39、46 傾斜部
40下部電極
43層間絕緣膜
44開(kāi)ロ部
45凹槽(限制結(jié)構(gòu)部)
60限制結(jié)構(gòu)部
權(quán)利要求
1.ー種液晶顯示裝置，其特征在干， 具備 第I基板； 第2基板，其與上述第I基板相對(duì)配置； 液晶層，其設(shè)置于上述第I基板和第2基板之間；以及 密封構(gòu)件，其設(shè)置于上述第I基板和第2基板之間，包圍密封上述液晶層， 上述第I基板和第2基板分別具有作為顯示區(qū)域的像素區(qū)域和作為非顯示區(qū)域的邊框區(qū)域，上述非顯示區(qū)域是該像素區(qū)域的外側(cè)周?chē)膮^(qū)域，其包含上述密封構(gòu)件的形成區(qū)域，在上述第I基板和第2基板的上述液晶層側(cè)，以從上述像素區(qū)域向上述密封構(gòu)件的形成區(qū)域側(cè)擴(kuò)展的方式形成有通過(guò)具有流動(dòng)性的取向膜材料的固化而形成的取向膜， 在上述第I基板和上述第2基板的各密封構(gòu)件的形成區(qū)域中分別形成有用于通過(guò)導(dǎo)電材料相互電連接的電極部， 在上述第I基板和上述第2基板中的至少一方形成有對(duì)固化前的上述取向膜材料的流動(dòng)進(jìn)行限制的限制結(jié)構(gòu)部，上述限制結(jié)構(gòu)部至少配置于上述電極部和上述像素區(qū)域之間，以使上述電極部的至少一部分從上述取向膜露出。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在干， 上述限制結(jié)構(gòu)部形成為包圍上述電極部的至少一部分的環(huán)狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在干， 上述限制結(jié)構(gòu)部被配置為從上述第I基板或者上述第2基板的表面的法線(xiàn)方向看形成為コ字狀，并且該限制結(jié)構(gòu)部的兩個(gè)端部向與上述像素區(qū)域相反的ー側(cè)延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在干， 上述限制結(jié)構(gòu)部形成為從上述第I基板或者上述第2基板的表面的法線(xiàn)方向看是缺損了與上述像素區(qū)域相反的ー側(cè)的一部分的環(huán)狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在干， 在上述第I基板形成有下部電極、覆蓋該下部電極的層間絕緣膜以及以露出上述下部電極的方式貫通形成于該層間絕緣膜的狹縫狀的開(kāi)ロ部， 上述第I基板的電極部形成于上述層間絕緣膜的表面并且通過(guò)上述開(kāi)ロ部與上述下部電極連接， 上述限制結(jié)構(gòu)部包括形成于上述第I基板并且形成于上述開(kāi)ロ部的內(nèi)側(cè)的凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在干， 上述凹槽具有構(gòu)成該凹槽的內(nèi)壁面的傾斜部， 上述凹槽的傾斜部的一部分被上述取向膜覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在干， 上述限制結(jié)構(gòu)部包括形成于上述第2基板并且向上述第I基板側(cè)突出的凸條部。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在干， 上述限制結(jié)構(gòu)部包括形成于上述第2基板并且向上述第I基板側(cè)突出的凸條部， 上述凸條部從上述第I基板或者上述第2基板的表面的法線(xiàn)方向看被配置于上述凹槽的槽內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的所述的液晶顯示裝置，其特征在干，上述凸條部具有構(gòu)成該凸條部的外壁面的傾斜部，上述凸條部的傾斜部的至少一部分被上述取向膜覆蓋
全文摘要
提供一種液晶顯示裝置，在第1基板和第2基板的各密封構(gòu)件的形成區(qū)域中分別形成有用于通過(guò)導(dǎo)電材料相互電連接的電極部。在第1基板和第2基板中的至少一方形成有對(duì)固化前的取向膜材料的流動(dòng)進(jìn)行限制的限制結(jié)構(gòu)部，該限制結(jié)構(gòu)部被至少配置于電極部和像素區(qū)域之間，以使電極部的至少一部分從取向膜露出。
文檔編號(hào)G02F1/1345GK102656510SQ201080056709
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月14日
發(fā)明者森脅弘幸 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社