專利名稱：選擇性衍射光學(xué)元件和包括該選擇性衍射光學(xué)元件的系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及選擇性衍射光學(xué)元件和包括該選擇性衍射光學(xué)元件的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
超高性能的衍射光學(xué)元件(DOE)的制造公差可能影響成品率。具體地說，例如零級(zero order)、極平衡(pole balance)、光強分布等性能指標對任何制造偏差都高度敏感，并且需要精確地加以控制。通常，現(xiàn)有的與制造具有例如無零級、良好的極平衡、精確的極 光強分布等超高性能指標的DOE有關(guān)的技術(shù)方案需要在制造DOE期間在工藝窗口(processwindow)中進行精確測量和控制(dial),和/或從制成的DOE中選擇滿足性能規(guī)范的部件子集。然而，在工藝窗口中進行精確測量和控制以提供超高性能需要各種部件、時間、適當?shù)臏y量和評估、以及高性能工具作業(yè)的集合。此外，對制成的部件進行選擇以獲得超高性能的DOE可能比較昂貴、浪費，而且不能保證重復(fù)成功。另外，DOE可以是如下系統(tǒng)中的部件該系統(tǒng)具有隨著時間流逝而劣化的其它光學(xué)部件或者具有隨著時間流逝而改變的光學(xué)要求，但可能并不期望設(shè)計新的DOE和/或更換 D0E。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的實施例提供基本克服了現(xiàn)有技術(shù)的一個或多個上述缺點的DOE和包括該DOE的系統(tǒng)。因此，實施例的一個特征是在DOE中使用多個互補的衍射區(qū)域來補償性能劣化。實施例的另一個特征是為DOE提供具有相似光學(xué)功能或不同光學(xué)功能的衍射區(qū)域，光學(xué)功能可以通過改變照射光束的橫向位置來單獨選擇或組合。實施例的另一個特征是以允許通過改變照射光束的橫向位置而選擇性地調(diào)節(jié)光學(xué)性能(例如，調(diào)諧光學(xué)性能或起到不同的光學(xué)作用)的方式分割D0E。通過提供如下的選擇性衍射光學(xué)元件，可以實現(xiàn)上述以及其它特征中的至少一者，所述選擇性衍射光學(xué)元件包括第一衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第一設(shè)計；以及第二衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第二設(shè)計，所述第一設(shè)計與所述第二設(shè)計是不同的，其中，通過改變照射光束的橫截面的位置，所述選擇性衍射光學(xué)元件輸出沿著所述照射光束的光軸對準的期望比例的兩種衍射圖案。所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計可以就所述選擇性衍射光學(xué)元件的期望輸出而言是互補的，例如，可以就極強度、零級衍射、和/或極形狀而言是互補的。
所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域可以直接鄰接，可以沿一定程度在上方直接延伸，或可以經(jīng)由混合衍射區(qū)域而鄰接。所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域可以沿著第一橫向和第二橫向中的一者被隔開。所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域尺寸相同。所述期望比例可以是所述兩種衍射圖案的組合。所述第一衍射區(qū)域可以生成第一雙極，所述第二衍射區(qū)域可以生成與所述第一雙極正交的第二雙扱。所述第一衍射區(qū)域可以生成雙扱，所述第二衍射區(qū)域可以生成四扱。所述選擇性衍射光學(xué)元件可以包括第三衍射區(qū)域，所述第三衍射區(qū)域位于基板的第一表面上且具有第三設(shè)計，所述第三設(shè)計與所述第一設(shè)計及所述第二設(shè)計均不同。所述選擇性衍射光學(xué)元件可以包括第四衍射區(qū)域，所述第四衍射區(qū)域位于基板的第一表面上且具有第四設(shè)計，所述第四設(shè)計與所述第一設(shè)計至所述第三設(shè)計均不同。第一區(qū)域與第二區(qū)域可以沿著第一橫向彼此隔開，第三區(qū)域與第四區(qū)域可以沿著所述第一橫向彼此隔開，并且所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域可以沿著第二橫向與所述第三區(qū)域及所述第四區(qū)域隔開，所述第二橫向與所述第一橫向正交。所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計可以是互補的，所述第三設(shè)計和所述第四設(shè)計可以是互補的。所述第一設(shè)計至所述第四設(shè)計可以均生成單極。所·述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計可以均生成第一雙極，所述第三設(shè)計和所述第四設(shè)計可以均生成與所述第一雙極正交的第二雙扱。所述選擇性衍射光學(xué)元件可以包括第五衍射區(qū)域，所述第五衍射區(qū)域位于基板的第一表面上且具有第五設(shè)計，所述第五設(shè)計與所述第一設(shè)計至所述第四設(shè)計均不同，所述第五衍射區(qū)域位于所述第一衍射區(qū)域至所述第四衍射區(qū)域之間的交叉部處。所述第一區(qū)域至所述第四區(qū)域可以沿著第一橫向與鄰接區(qū)域隔開。通過提供如下的光學(xué)系統(tǒng)，可以實現(xiàn)上述以及其它特征中的至少ー者，所述光學(xué)系統(tǒng)包括光源，其用于輸出照射光束；以及選擇性衍射光學(xué)元件，其用于接收所述照射光束。所述選擇性衍射光學(xué)元件包括第一衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第一設(shè)計；以及第ニ衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第二設(shè)計，所述第一設(shè)計與所述第ニ設(shè)計是不同的，其中，通過改變照射所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域的所述照射光束的橫截面的位置，所述選擇性衍射光學(xué)元件輸出沿著所述照射光束的光軸對準的期望比例的兩種衍射圖案。所述期望比例可以是所述兩種衍射圖案的組合。所述光學(xué)系統(tǒng)可以是光刻系統(tǒng)中的照明系統(tǒng)。所述光源是可以単一光源。所述光學(xué)系統(tǒng)可以包括致動器，所述致動器用于使所述照射光束沿著第一橫向和第二橫向中的至少ー者相對于所述選擇性衍射光學(xué)元件移動。通過提供如下的選擇性衍射光學(xué)元件，可以實現(xiàn)上述以及其它特征中的至少ー者，所述選擇性衍射光學(xué)元件包括第一衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第一設(shè)計；以及第ニ衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第二設(shè)計，所述第一設(shè)計和所述第ニ設(shè)計就所述選擇性衍射光學(xué)元件的期望輸出而言是互補的。


通過參考附圖詳細描述示例性實施例，使得本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更容易理解本發(fā)明的上述以及其它特征和優(yōu)點。
圖I示出根據(jù)實施例的使用選擇性DOE的系統(tǒng)的示意性透視圖；圖2至圖11示出根據(jù)實施例的選擇性DOE的設(shè)計及其輸出；以及圖12示出使用根據(jù)實施例的選擇性DOE的光刻系統(tǒng)的示意性側(cè)視圖。
具體實施例方式下面將參考附圖來更全面地描述實施例，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來實施，而且不應(yīng)理解為限于本文所提供的實施例。相反地，提供這些實施例是為了使文中公開的內(nèi)容詳盡且完整，以便本領(lǐng)域的技術(shù)人員完全理解本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了圖示清楚，可能夸大層及區(qū)域的尺寸。
圖I示出根據(jù)實施例的包括選擇性DOE 10的系統(tǒng)100的示意性透視圖。系統(tǒng)100可以包括光源20、選擇性DOE 10以及標靶30。標靶30可以位于系統(tǒng)100內(nèi)部或外部。經(jīng)由DOE 10照射標靶30。光源20、選擇性DOE 10和標靶30中的至少一者可以相對于其它部件移動。光源20可以是單一光源，并且可以輸出單束光束；或者可以穿過例如蠅眼透鏡等光學(xué)元件以便由單一光源產(chǎn)生多束光束。為了便于說明，僅示出了最少數(shù)量的元件。然而，可以將選擇性DOE 10用作包括透鏡、光束整形器、止擋器等的更為復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)的一部分。如圖I所示，系統(tǒng)100可以包括致動器40，致動器40構(gòu)造成使選擇性DOE 10沿著X方向、y方向和z方向中的任意一者相對于光源20移動。盡管致動器40被圖不成與選擇性DOE 10相連，但另外地或可選地，致動器40可以與光源20相連，如虛線所示。沿z方向的移動，即沿光軸的移動將改變從光源20入射到選擇性DOE 10上的光束12的尺寸。如下文參考圖2至圖11詳細論述的，選擇性D0E10可以包括具有不同衍射圖案的鄰接區(qū)域，例如相鄰區(qū)域，從而，沿X方向和/或y方向(即，與光軸Z的方向垂直)的移動改變選擇性DOE 10上的光束12的橫截面的位置，由此可以改變由選擇性D0E10輸出的光束22，而不會導(dǎo)致z方向上產(chǎn)生對準不良。因此，可以相對于光束12改變根據(jù)實施例的選擇性DOE 10的橫向位置，從而改變從選擇性DOE 10輸出的光束22。例如，可以精確地調(diào)節(jié)選擇性DOE 10，以獲得超高性能。另外地或可選地，可以將選擇性DOE 10設(shè)計成產(chǎn)生具有相似功能或不同功能的多種輸出，并且仍然允許在每個輸出區(qū)域中進行細微調(diào)整。一旦調(diào)整適當，就可以可靠地固定選擇性DOE 10。選擇性DOE 10對制造公差較不敏感。因此，可以把根據(jù)實施例的設(shè)計成功地應(yīng)用到具有多種缺陷的區(qū)域中。各個區(qū)域相對于理想?yún)^(qū)域可能有很大不同，這種不同可以通過調(diào)整選擇性DOE 10來補償以調(diào)節(jié)整體性能。與透鏡或光束整形器相反，選擇性DOE 10的橫向移動不會使照射光束的光軸對準不良。例如，可以利用互補衍射區(qū)域并相對于照射光束移動選擇性DOE 10來完成調(diào)整。此外，這種橫向移動可以對特定的性能參數(shù)提供精確控制，允許對選擇性DOE 10進行調(diào)節(jié)來補償光學(xué)系統(tǒng)的其它參數(shù)，并且提供不可能以具有單一設(shè)計的DOE實現(xiàn)的超高整體性能。選擇性DOE 10的詳細示例性設(shè)計如圖2至圖11所示?？傮w而言，根據(jù)實施例的選擇性DOE 10包括位于平面基板的表面上的兩個或更多個區(qū)域。這些區(qū)域與特定的光學(xué)功能相對應(yīng)。多個區(qū)域允許使用例如相長或相消的干渉和/或疊加等補償光學(xué)技術(shù)在輸出瞳孔平面上產(chǎn)生光強變化。區(qū)域的被照射面積將在選擇性DOE 10的輸出平面中產(chǎn)生成比例的貢獻。這些區(qū)域可以被陸變間斷部(abrupt discontinuity),例如沿X方向或y方向的線隔開；或者可以具有混合間斷部，其中，鄰接區(qū)域的某平均值可以提供區(qū)域之間的過渡。如圖2所示，選擇性DOE IOa可以包括被陡變間斷部Qa隔開的兩個獨立的并排的區(qū)域Aa和Ba。在圖2的具體實例中，有意地將不期望的零級補償相位引入兩個區(qū)域Aa和Ba的設(shè)計中，如圖2 (a)和圖2 (b)所示。可以用光束12以正確的比例照射區(qū)域Aa和Ba，以便從選擇性DOE IOa輸出的光束22中將零級光移除，如圖2 (c)所示。在本實例中，通過使選擇性DOE IOa相對于光束12橫向地移動來獲得適當?shù)谋壤?。在本具體實例中，雖然區(qū)域Aa和Ba的設(shè)計的零級的相對振幅可以是任意的,但零級的相對相位應(yīng)當是互補的，例如，當存在兩個區(qū)域時使相對相位差180°，更普遍地當存在n個區(qū)域時使相對相位差 360° Au如圖3所示，選擇性DOE IOb可以包括被陡變間斷部Qb隔開的兩個獨立的并排的 區(qū)域Ab和Bb。在圖3的具體實例中，通過有意地將極平衡引入兩個區(qū)域Ab和Bb的設(shè)計中，可以實現(xiàn)極平衡，如圖3 (a)和圖3 (b)所示。然后，如圖3 (c)所示，通過用光束12以正確的比例照射區(qū)域Ab和Bb，使得選擇性DOE IOb輸出的光束22中的極得到平衡。在本具體實例中，雖然區(qū)域Ab和Bb的設(shè)計的相對極平衡可以是任意的，但應(yīng)當是互補的，也就是朝相反的方向。選擇性DOE IOc可以包括多于兩個區(qū)域。圖4所示的選擇性DOE IOc具有均被陡變過渡部Qc隔開的四個象限Ac、Be、Ce和Dc。在圖4的具體實例中，使用了交叉的雙極(dipole),其中，區(qū)域Ac和Be提供極不平衡(pole imbalance)的左右雙極，如圖4 (a)和圖4 (b)所示，區(qū)域Ce和Dc提供極不平衡的上下雙極，如圖4 (c)和圖4 (d)所示。雖然與區(qū)域Ac、Bc及Cc、Dc相關(guān)聯(lián)的相對極不平衡可以是任意的，但應(yīng)當是互補的，也就是朝相反的方向。同樣，區(qū)域Ac、Cc與區(qū)域Bc、Dc應(yīng)該具有相似的極偏移方向和比例?？梢匀我飧淖儏^(qū)域Ac、Bc相對于Cc、Dc的相對功率平衡(relative power balance),以產(chǎn)生與各軸線相關(guān)聯(lián)的不同光強。如圖4 (e)所示，可以利用如圖4的上部所示地定位的光束12使雙極平衡。如圖4 (f)至圖4 (g)所示，通過移動光束12在選擇性DOE IOc上的位置，可以實現(xiàn)不同的雙極平衡，即雙極不平衡。例如，如圖4 (f)所示，可以使左右雙極相對于彼此平衡且上下雙極相對于彼此平衡，但左右雙極對與上下雙極對之間不平衡。如圖5所示，可以設(shè)計包括交叉雙極的選擇性DOE IOd來調(diào)節(jié)極寬度。選擇性DOEIOd可以包括具有四個區(qū)域Ad、Bd、Cd和Dd的象限，四個區(qū)域Ad、Bd、Cd和Dd均被陡變過渡部Qd隔開。在圖5的具體實例中，使用了交叉的雙極，其中，區(qū)域Ad和Bd提供極不平衡的左右雙極，如圖5 (a)和圖5 (b)所示；區(qū)域Cd和Dd也提供極不平衡的左右雙極，如圖5(c)和圖5 (d)所示。雖然與區(qū)域Ad、Bd及Cd、Dd相關(guān)聯(lián)的相對極不平衡可以是任意的，但應(yīng)當是互補的，也就是朝相反的方向。可以任意改變區(qū)域Ad、Bd相對于Cd、Dd的相對功率平衡，以產(chǎn)生與各雙極對相關(guān)聯(lián)的不同光強。另外，可以分別選擇不同的設(shè)計。如圖5 (e)至圖5 (g)所示，可以基于光束12的位置來改變選擇性DOE IOd的輸出。例如，當光束12僅入射到選擇性DOE IOd的上半部時，選擇性DOE IOd可以輸出狹窄平衡的雙極，如圖5 Ce)所示。當光束12入射到選擇性DOE IOd的全部象限上時，選擇性DOE IOd可以輸出寬而平衡的雙極，如圖5 (f)所示。當光束12僅入射到選擇性DOE IOd的下半部時，選擇性DOE IOd可以輸出平衡的四極(quadrupole),如圖5 (g)所示。如圖6所示，選擇性DOE IOe可以包括單極，該單極設(shè)計成用于調(diào)節(jié)極強度。具體地說，選擇性DOE IOe可以包括四個區(qū)域Ae、Be、Ce和De，所有區(qū)域被位于區(qū)域之間的陡變過渡部Qe隔開。與區(qū)域Ae、Be、Ce及De相關(guān)聯(lián)的相對極強度可以是離散的，如圖6 (a)至圖6 (d)所示。就相對強度而言，A B=C D0可以任意改變區(qū)域Ae、Be相對于Ce、De的相對功率平衡，以產(chǎn)生與各軸線相關(guān)聯(lián)的不同光強，如圖6 (e)和圖6 (f)所示。不同的設(shè)計不限于單極，而可以代表整個場圖案。如圖7所示，選擇性DOE IOf可以包括兩個區(qū)域Af和Bf，區(qū)域Af和Bf輸出交叉的雙極。這些區(qū)域Af和Bf可以被不規(guī)則離散邊界Qf隔開，從而形成區(qū)域Cf，區(qū)域Cf具有兩個區(qū)域Af和Bf的構(gòu)成部分。區(qū)域Cf的尺寸可以由光束12的尺寸確定。當光束12完 全處于單一區(qū)域Af或Bf中時，選擇性DOE IOf的輸出將是例如圖7 (a)和圖7 (b)所示的Af設(shè)計和Bf設(shè)計的輸出。當光束12處于過渡區(qū)域Cf中時，選擇性DOE IOf的輸出可能如圖7 (c)所示。如圖8所示，選擇性DOE IOg可以包括兩個區(qū)域Ag和Bg，區(qū)域Ag和Bg輸出交叉的雙極。這些區(qū)域Ag和Bg可以被不規(guī)則離散邊界Qg隔開，從而形成區(qū)域Cg，區(qū)域Cg具有兩個區(qū)域Ag和Bg的構(gòu)成部分。區(qū)域Cg的尺寸可以由光束12的尺寸確定。當光束12完全處于單一區(qū)域Ag或Bg中時，選擇性DOE IOg的輸出將是例如圖8 (a)和圖8 (b)所示的Ag設(shè)計和Bg設(shè)計的輸出。當光束12的一部分照射混合區(qū)域Cg時，選擇性DOE IOg的輸出可能將等量功率分配到四個極上，如圖8 (c)所示；或者將不等量功率分配到正交的雙極上，如圖8 Cd)所示。圖9至圖11示出根據(jù)實施例的用于圖案區(qū)域的構(gòu)造，其與上述象限式構(gòu)造及二等分式構(gòu)造不同。如圖9所示,選擇性DOE IOh可以包括圖案區(qū)域Ah、Bh和Ch,區(qū)域Ah、Bh和Ch具有不相等的面積。在本具體實施例中，區(qū)域Ch是等邊三角形，區(qū)域Ah、Bh均等地補全選擇性DOE IOh的正方形。在另一個實施例中，選擇性DOElOh可以具有區(qū)域Ah、Bh和Ch，區(qū)域Ah、Bh和Ch以基本相同的角度(例如，大約120° )對向。如圖10所示，選擇性DOE IOi可以包括設(shè)置在象限中的四個區(qū)域Ai、Bi、Ci、Di，第五個區(qū)域Ei設(shè)置在四個區(qū)域Ai、Bi、Ci、Di的交叉部處，例如，選擇性DOE IOi的中央處。如圖11所示，選擇性DOE IOj可以包括設(shè)置成豎直疊堆的四個區(qū)域Aj、Bj、Cj、Dj。當要在不同的區(qū)域中設(shè)置具有不同極尺寸的圖案時，會特別傾向于使用設(shè)置成豎直疊堆的選擇性DOE IOj0例如，如圖11 (a)所示，區(qū)域Aj可以輸出具有25°極的四極，區(qū)域Bj可以輸出具有30°極的四極，區(qū)域Cj可以輸出具有35°極的四極，區(qū)域Dj可以輸出具有40°極的四極。當照射光束12重疊在多于一個區(qū)域上時，可以與上述重疊成比例地調(diào)節(jié)極尺寸。當然，可以根據(jù)需要采用不同的增量和區(qū)域數(shù)量?？梢允褂眠x擇性DOE的系統(tǒng)的具體實例是光刻系統(tǒng)。圖12示出使用根據(jù)實施例的選擇性DOE 10的光刻系統(tǒng)200的示意性側(cè)視圖。光刻系統(tǒng)200可以包括激光器220、包括選擇性DOE的照明系統(tǒng)210、標線片230 (或標線片支架)、投射系統(tǒng)240以及待以光刻方式圖案化的晶片250 (或晶片支架)。照明系統(tǒng)210還可以包括如圖I所示的致動器40。還可以根據(jù)實施例如上所述地對選擇性D0E10進行調(diào)整以與特定激光器、特定標線片、和/或要在晶片上形成的特定圖案一起使用。盡管圖案區(qū)域之間的過渡部在上文中示例性地描述并圖示為包括相等比例的兩種圖案的陡變線過渡部或混合區(qū)域，但也可以以不同的方式實施從一個圖案區(qū)域到另ー個圖案區(qū)域的過渡部。例如，過渡部可以包括啁啾帶(chirped strip)、半調(diào)(halftoned)組合、多個中間設(shè)計的混合等。此外，盡管以上論述了調(diào)整光強分布和極平衡，但也可以調(diào)整從選擇性DOE輸出的光束的其它特征，例如，極化。此外，選擇性DOE不限于正方形。因此，根據(jù)實施例，可以允許調(diào)整沿著X方向和y方向中的至少ー者具有不同衍射區(qū)域的選擇性D0E，以對制造誤差和/或不同功能進行補償。以上公開了本發(fā)明的示例性實施例，盡管使用了特定的術(shù)語，但應(yīng)該將這些術(shù)語用于理解為一般的描述性含義，而不是為了限制本發(fā)明。例如，應(yīng)該理解的是，可以基于期望的輸出范圍，根據(jù)實施例來采用多個衍射區(qū)域。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是， 可以在不脫離以下權(quán)利要求書所設(shè)定的本發(fā)明精神和范圍的情況下在形式上和細節(jié)上做出多種變型。
權(quán)利要求
1.一種選擇性衍射光學(xué)元件，包括 第一衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第一設(shè)計；以及第二衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第二設(shè)計，所述第一設(shè)計與所述第二設(shè)計是不同的，其中，通過改變照射光束的橫截面的位置，所述選擇性衍射光學(xué)元件輸出沿著所述照射光束的光軸對準的期望比例的兩種衍射圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計就所述選擇性衍射光學(xué)元件的期望輸出而言是互補的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計就極強度而言是互補的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計就零級衍射而言是互補的。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計就極形狀而言是互補的。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域直接鄰接。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域經(jīng)由混合衍射區(qū)域而鄰接。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域沿著第一橫向和第二橫向中的一者被隔開。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域的尺寸相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述期望比例是所述兩種衍射圖案的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一衍射區(qū)域生成第一雙極，所述第二衍射區(qū)域生成與所述第一雙極正交的第二雙極。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一衍射區(qū)域生成雙極，所述第二衍射區(qū)域生成四極。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性衍射光學(xué)元件，還包括 第三衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第三設(shè)計，所述第三設(shè)計與所述第一設(shè)計及所述第二設(shè)計均不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的選擇性衍射光學(xué)元件，還包括 第四衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第四設(shè)計，所述第四設(shè)計與所述第一設(shè)計至所述第三設(shè)計均不同。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 第一區(qū)域與第二區(qū)域沿著第一橫向被彼此隔開，第三區(qū)域與第四區(qū)域沿著所述第一橫向被彼此隔開，并且所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域沿著第二橫向與所述第三區(qū)域及所述第四區(qū)域隔開，所述第二橫向與所述第一橫向正交。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中，所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計是互補的，所述第三設(shè)計和所述第四設(shè)計是互補的。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一設(shè)計至所述第四設(shè)計分別生成單極。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計均生成第一雙極，所述第三設(shè)計和所述第四設(shè)計均生成與所述第一雙極正交的第二雙極。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的選擇性衍射光學(xué)元件，還包括 第五衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第五設(shè)計，所述第五設(shè)計與所述第一 設(shè)計至所述第四設(shè)計均不同，所述第五衍射區(qū)域位于所述第一衍射區(qū)域至所述第四衍射區(qū)域之間的交叉部處。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的選擇性衍射光學(xué)元件，其中， 所述第一衍射區(qū)域至所述第四衍射區(qū)域沿著第一橫向與鄰接區(qū)域隔開。
21.—種光學(xué)系統(tǒng),包括 光源，其用于輸出照射光束；以及 選擇性衍射光學(xué)元件，其用于接收所述照射光束，所述選擇性衍射光學(xué)元件包括 第一衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第一設(shè)計； 以及 第二衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第二設(shè)計，所述第一設(shè)計與所述第二設(shè)計是不同的，其中，通過改變照射所述第一衍射區(qū)域和所述第二衍射區(qū)域的所述照射光束的橫截面的位置，所述選擇性衍射光學(xué)元件輸出沿著所述照射光束的光軸對準的期望比例的兩種衍射圖案。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中， 所述期望比例是所述兩種衍射圖案的組合。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中， 所述光學(xué)系統(tǒng)是光刻系統(tǒng)中的照明系統(tǒng)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中， 所述光源是單一光源。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光學(xué)系統(tǒng)，還包括 致動器，其用于使所述照射光束沿著第一橫向和第二橫向中的至少ー者相對于所述選擇性衍射光學(xué)元件移動。
26.一種選擇性衍射光學(xué)元件，包括 第一衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第一設(shè)計；以及第二衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第二設(shè)計，所述第一設(shè)計和所述第二設(shè)計就所述選擇性衍射光學(xué)元件的期望輸出而言是互補的。
全文摘要
一種選擇性衍射光學(xué)元件包括第一衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第一設(shè)計；以及第二衍射區(qū)域，其位于基板的第一表面上且具有第二設(shè)計，第一設(shè)計與第二設(shè)計是不同的，其中，通過改變照射光束的橫截面的位置，該選擇性衍射光學(xué)元件輸出沿著所述照射光束的光軸對準的兩種衍射圖案的期望組合。
文檔編號G02B27/10GK102763021SQ201080063463
公開日2012年10月31日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月16日
發(fā)明者艾倫·D·卡特曼, 賈里德·斯塔克 申請人:數(shù)字光學(xué)東方公司