專利名稱：光刻工藝中自動(dòng)批量建立層間誤差測(cè)量程式的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種光刻工藝中自動(dòng)批量建立層間誤差測(cè)量程 式的方法。
背景技術(shù)：
使用量測(cè)機(jī)臺(tái)建立量測(cè)程式對(duì)光刻層間的誤差進(jìn)行量測(cè)，這在光刻工藝中已經(jīng)被 普遍使用。但是大部分量測(cè)程式需要通過在硅晶圓上手動(dòng)建立量測(cè)程式來進(jìn)行，而且針對(duì) 每一個(gè)產(chǎn)品要單獨(dú)的去建立每一個(gè)程式，這樣不僅引入了人為誤差，而且增加了量測(cè)時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提出一種光刻工藝中的光刻層間誤 差的量測(cè)方法，具體技術(shù)方案如下一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，其包括步驟1)制作光刻信息文檔。信息文檔包括產(chǎn)品的光刻信息；曝光區(qū)域尺寸；切割道尺 寸以及量測(cè)標(biāo)記在曝光域中的坐標(biāo)等晶圓布局參數(shù)。這些信息文檔是以固定的格式(包括 字體大小，字體顏色，表格形式等等)制作成Word文檔，excel表格或是TXT文檔等各種形 式，以方便計(jì)算機(jī)程序識(shí)別。2)把光刻信息轉(zhuǎn)換成程式參數(shù)文件。利用計(jì)算機(jī)程序進(jìn)行轉(zhuǎn)換，具體方法是把光 刻信息文檔中的相關(guān)參數(shù)通過計(jì)算機(jī)程序先轉(zhuǎn)換成程序變量，然后由程序?qū)⑦@些變量寫成 量測(cè)機(jī)臺(tái)可以識(shí)別的程式參數(shù)文件。本步驟中提到的計(jì)算機(jī)程序，在現(xiàn)有技術(shù)中很多見，常 用的是使用Perl語(yǔ)言編寫的計(jì)算機(jī)程序，來把步驟1)中的參數(shù)編入?yún)?shù)文件中。3)建立通用的量測(cè)程式的模板，具體包括3. 1)對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)通用的基準(zhǔn)圖案在光掩模板設(shè)計(jì)圖中固定位置畫一個(gè)基準(zhǔn)圖案，作為將來量測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)識(shí)別用的 標(biāo)記。將這個(gè)圖案以及這個(gè)圖案在曝光域的坐標(biāo)導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)中。由于該基準(zhǔn)圖 案位于產(chǎn)品光罩的固定位置上，因此當(dāng)這個(gè)圖案曝到硅晶片以后，通過蝕刻工藝就會(huì)在在 每個(gè)曝光區(qū)域的相對(duì)應(yīng)的固定位置上。而量測(cè)機(jī)臺(tái)可以將數(shù)據(jù)庫(kù)中的圖案與晶片上的圖案 進(jìn)行比較來做識(shí)別，以確定量測(cè)區(qū)域的坐標(biāo)系，從而通過基準(zhǔn)圖案與量測(cè)標(biāo)記的相對(duì)坐標(biāo) 來找到量測(cè)位置。由于這個(gè)基準(zhǔn)圖案對(duì)于每一個(gè)產(chǎn)品每一光刻層制程來說都是一樣的，所 以只需一次導(dǎo)入一個(gè)基準(zhǔn)圖案，就可以適用于大部分的產(chǎn)品的幾乎所有光刻層的制程。3. 2)通過對(duì)產(chǎn)品量測(cè)設(shè)定通用的環(huán)境參數(shù)，例如是否開啟光路偏差矯正功能，是 否使用手動(dòng)輔助量測(cè)功能，是否打開自動(dòng)截圖功能等等。4)把所述程式參數(shù)導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)，在數(shù)據(jù)庫(kù)中，根據(jù)所述量測(cè)程式的模 板和程式參數(shù)生成各個(gè)產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的量測(cè)程式，最終導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)相應(yīng)產(chǎn)品進(jìn)行量測(cè)。該 數(shù)據(jù)庫(kù)由四部分組成1.晶圓布局參數(shù)；2.量測(cè)標(biāo)記坐標(biāo)設(shè)定；3.基準(zhǔn)圖案辨識(shí)設(shè)定；4.設(shè)定環(huán)境參數(shù)設(shè)定；根據(jù)上述生成的文件和模板，量測(cè)機(jī)臺(tái)可以自動(dòng)將其整合成量測(cè)程式。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過制作光刻信息文檔，量測(cè)模板以及所編寫的計(jì)算機(jī) 程序，利用計(jì)算機(jī)可以自動(dòng)批量生成量測(cè)程式，無需硅晶圓，無需手動(dòng)操作，可以降低制成 時(shí)間，提高效率，減少人為操作失誤。


圖1是本發(fā)明的方法流程示意圖；圖2是具體實(shí)施例中步驟3)的基準(zhǔn)圖案設(shè)計(jì)圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1，一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，包括步驟1)制作光刻信息文檔；2)把光刻信息轉(zhuǎn)換成程式參數(shù)文件；3)建立通用的量測(cè)程式的模板，包括3. 1)對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)通用的基準(zhǔn)圖案；先在光掩模板設(shè)計(jì)圖中固定位置畫一個(gè)基準(zhǔn)圖案，作為量測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)識(shí)別用的標(biāo) 記；再把所述基準(zhǔn)圖案及其在曝光域的坐標(biāo)導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)中；3. 2)對(duì)產(chǎn)品量測(cè)設(shè)定通用的環(huán)境參數(shù)；4)把所述程式參數(shù)導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)，在數(shù)據(jù)庫(kù)中，根據(jù)所述量測(cè)程式的模 板和程式參數(shù)生成各個(gè)產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的量測(cè)程式，最終導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)相應(yīng)產(chǎn)品進(jìn)行量測(cè)；通過將上述生成的文件和模板，量測(cè)機(jī)臺(tái)可以自動(dòng)將其整合成光刻層間誤差的量 測(cè)程式。概括來說，本方法是將各個(gè)產(chǎn)品的光刻信息制作成固定格式的文檔，并針對(duì)大部 分產(chǎn)品建立一個(gè)通用的量測(cè)程式的模板，通過編寫的計(jì)算機(jī)程序轉(zhuǎn)化成相關(guān)的程式參數(shù)并 導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)，該數(shù)據(jù)庫(kù)可通過程式參數(shù)與程式模板將自動(dòng)生成各個(gè)產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的 量測(cè)程式。將生成好的量測(cè)程式導(dǎo)入到量測(cè)機(jī)臺(tái)端進(jìn)行量測(cè)。下面結(jié)合例子對(duì)本方法進(jìn)行說明，本例的機(jī)臺(tái)是由美國(guó)科天公司生產(chǎn)的 ARCHER10。1)制作光刻信息文檔，格式如下晶圓布局參數(shù)Wafer MapScribe width :80umChip Size :X = 1891. OOOum Y = 1571. OOOumShot Array :X = 9 Y = 9Shot Size :X = 23572. 000 Y = 31289. 000Total Chip Numbers :8802Shot shift :X :-702 Y :-11537. 5
Wafer Edge :3200umNotch in bottom量測(cè)坐標(biāo)位置如表1 :表 權(quán)利要求
1.一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，其特征是包括步驟1)制作光刻信息文檔；2)把光刻信息轉(zhuǎn)換成程式參數(shù)文件；3)建立通用的量測(cè)程式的模板，包括 3. 1)對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)通用的基準(zhǔn)圖案；先在光掩模板設(shè)計(jì)圖中固定位置畫一個(gè)基準(zhǔn)圖案，作為量測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)識(shí)別用的標(biāo)記； 再把所述基準(zhǔn)圖案及其在曝光域的坐標(biāo)導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)中； 3. 2)對(duì)產(chǎn)品量測(cè)設(shè)定通用的環(huán)境參數(shù)；4)把所述程式參數(shù)導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)，在數(shù)據(jù)庫(kù)中，根據(jù)所述量測(cè)程式的模板和 程式參數(shù)生成各個(gè)產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的量測(cè)程式，最終導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)相應(yīng)產(chǎn)品進(jìn)行量測(cè)；根據(jù)上述生成的文件和模板，量測(cè)機(jī)臺(tái)自動(dòng)將其整合成光刻層間誤差的量測(cè)程式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，其特征是所述步驟1)中，信息文檔包括產(chǎn)品的光刻信息；曝光區(qū)域尺寸、切割道尺寸，以及量測(cè)標(biāo)記在曝光 域中的坐標(biāo)等晶圓布局參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，其特征是所述步驟2)中，把光刻信息轉(zhuǎn)換成程式參數(shù)文件是利用計(jì)算機(jī)程序進(jìn)行轉(zhuǎn)換，具體方法是，把光刻信 息文檔中的相關(guān)參數(shù)通過計(jì)算機(jī)程序先轉(zhuǎn)換成程序變量，然后由程序?qū)⑦@些變量寫成量測(cè) 機(jī)臺(tái)可以識(shí)別的程式參數(shù)文件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，其特征是所述步驟3)中，對(duì)產(chǎn)品量測(cè)設(shè)定通用的環(huán)境參數(shù)，包括是否開啟光路偏差矯正功能、是否使用手動(dòng)輔 助量測(cè)功能，和是否打開自動(dòng)截圖功能。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，其特征是所述步驟4)中，所述數(shù)據(jù)庫(kù)由四部分組成1)晶圓布局參數(shù)；幻量測(cè)標(biāo)記坐標(biāo)設(shè)定；幻基準(zhǔn)圖案辨識(shí)設(shè)定；4)設(shè)定環(huán)境參數(shù)設(shè)定。
全文摘要
一種光刻工藝中的光刻層間誤差的量測(cè)方法，包括步驟1)制作光刻信息文檔；2)把光刻信息轉(zhuǎn)換成程式參數(shù)文件；3)建立通用的量測(cè)程式的模板；4)把所述程式參數(shù)導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)的數(shù)據(jù)庫(kù)，在數(shù)據(jù)庫(kù)中，根據(jù)所述量測(cè)程式的模板和程式參數(shù)生成各個(gè)產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的量測(cè)程式，最終導(dǎo)入量測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)相應(yīng)產(chǎn)品進(jìn)行量測(cè)；根據(jù)上述生成的文件和模板，量測(cè)機(jī)臺(tái)可以自動(dòng)將其整合成光刻層間誤差的量測(cè)程式。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過制作光刻信息文檔，量測(cè)模板以及所編寫的計(jì)算機(jī)程序，利用計(jì)算機(jī)可以自動(dòng)批量生成量測(cè)程式，無需硅晶圓，無需手動(dòng)操作，可以降低制成時(shí)間，提高效率，減少人為操作失誤。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102109772SQ201110032430
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者岳力挽, 陸向宇, 陳駱 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司