專利名稱：使用利文森型掩模的圖形形成方法及該掩模的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖形形成方法以及利文森(levenson)型掩模的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路等的半導(dǎo)體裝置中，存在在形成電極或者布線等中使用光刻技 術(shù)的情況。在光刻法步驟中，進(jìn)行曝光步驟，通過(guò)光掩模在抗蝕劑上以預(yù)定的形狀曝光?？?蝕劑例如以感光樹(shù)脂形成，通過(guò)曝光步驟后進(jìn)行顯影，成型為預(yù)定的形狀。曝光步驟中使用的掩模具有透光部以及遮光部。為了提高分辨率，在光致掩模上 具有使透過(guò)透光部的光的相位發(fā)生變化的相移掩模。相移掩模上包含利文森型掩模或者半 色調(diào)型掩模。這些光掩模利用光的干涉作用以提高分辨率。對(duì)于利文森型掩模來(lái)說(shuō)，例如在正型抗蝕劑中，在將配置于襯底表面的抗蝕劑加 工成預(yù)定形狀時(shí)，在一個(gè)部分的兩側(cè)，在一側(cè)形成使光透過(guò)的透光部。在另一側(cè)，形成相對(duì) 于一個(gè)透光部的光的相位使相位反轉(zhuǎn)的透光部。利文森型掩模是如下的光掩模以一個(gè)部 分兩側(cè)的光的相位相互反轉(zhuǎn)的方式而形成，由此在一個(gè)部分可提高分辨率。半色調(diào)型掩模是如下的光掩模在將配置于襯底表面的抗蝕劑加工成預(yù)定形狀 時(shí)，相對(duì)于在一個(gè)部分或者一個(gè)部分周?chē)囊徽呱闲纬傻耐腹獠?，在形成于另一者上的?光部中使一部分光透過(guò)，同時(shí)使相位反轉(zhuǎn)，由此，在所述一個(gè)部分上提高分辨率。在特開(kāi)2002-2^181號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了如下的利文森型掩模在透光襯底上形成 孤立圖形要素形成用的遮光部、和形成周期圖形要素用的多個(gè)遮光部。該利文森型掩模在 形成孤立圖形要素用的遮光部的兩側(cè)配置相移部和透光部。以遮光部覆蓋透光襯底的剩余 部。公開(kāi)了孤立圖形要素形成用的相移部的寬度與形成周期圖形要素用的相移部的寬度大 致相等的技術(shù)。在特開(kāi)2003-168640號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了如下的半導(dǎo)體裝置的制造方法與通過(guò)相 移掩模形成的細(xì)微線圖形在一定范圍內(nèi)相鄰的移相圖形的相位，彼此分配反轉(zhuǎn)的相位。公 開(kāi)了優(yōu)選配置為夾持相位邊緣形成的細(xì)微線圖形，設(shè)置至少四個(gè)移相圖形，相鄰的移相圖 形彼此一定為相反相位。在光刻法中，公知如下方法為了在襯底表面形成細(xì)微部分，而進(jìn)行多次曝光。例如，在特開(kāi)平1H83904號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了如下的曝光方法，其包含高分辨率 曝光，使用相移圖形，對(duì)光致抗蝕劑層轉(zhuǎn)印線寬度控制性嚴(yán)格的部位的圖形；通常曝光，由 掩模圖形的遮光部對(duì)通過(guò)高分辨率曝光已經(jīng)被圖形轉(zhuǎn)印后的光致抗蝕劑層部分進(jìn)行保護(hù)， 并且，不使用相移圖形，即可對(duì)光致抗蝕劑層轉(zhuǎn)印線寬控制性不嚴(yán)格的部位的圖形。
此外，在美國(guó)專利第5858580號(hào)說(shuō)明書(shū)中，公開(kāi)了使用兩個(gè)掩模工藝的技術(shù)。第一 掩模是相移掩模，第二掩模是單一相位結(jié)構(gòu)的掩模。單一相位結(jié)構(gòu)的掩模進(jìn)行曝光，以消除 相移區(qū)域。在單一相位結(jié)構(gòu)的掩模中，在通過(guò)相移掩模形成的部分以外的區(qū)域進(jìn)行曝光，以 不在不希望的部分上形成。并且，在特開(kāi)平H83925號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了一種曝光方法，第一區(qū)域進(jìn)行密集構(gòu) 圖，第二區(qū)域以比第一區(qū)域粗的方式進(jìn)行構(gòu)圖，其中，第一區(qū)域以具有使曝光的相位反轉(zhuǎn)的 相移圖形的掩模圖形進(jìn)行曝光，第二區(qū)域以由透光區(qū)域和非透光區(qū)域構(gòu)成的掩模圖形進(jìn)行
曙光ο此外，在特開(kāi)2004-247606號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了如下的半導(dǎo)體裝置的制造方法在形 成由柵電極以及柵極布線構(gòu)成的柵極時(shí)，通過(guò)使用作為第一掩模的二元(binary mask)掩 ?；蛘甙肷{(diào)掩模和作為第二掩模的利文森型掩模的二重曝光處理，只形成柵電極圖形之 后，通過(guò)使用作為第三掩模的二元掩模或者半色調(diào)掩模的曝光處理，從而形成柵極布線圖 形。如上所述，使用相移掩模或者進(jìn)行多次曝光，由此，形成包含最小尺寸較小的部分 的圖形。但是，例如在半導(dǎo)體裝置中，存在進(jìn)一步細(xì)微化的傾向，現(xiàn)狀是希望以較高的尺寸 精度更好地形成更細(xì)微的圖形。在利文森型掩模中，在透光板的表面上配置例如鉻膜等遮光膜。在遮光膜上形成 使光透過(guò)用的開(kāi)口部。開(kāi)口部大致分為同相位開(kāi)口部和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。同相位開(kāi)口部是 無(wú)需使光的相位發(fā)生變化即可透過(guò)的區(qū)域，由透光板的主表面構(gòu)成。在反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部中， 在透光板上形成凹部或者配置移相器。通過(guò)反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的光發(fā)生相位反轉(zhuǎn)。作為反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部，在透光板上形成有凹部的利文森型掩模上，具有以擴(kuò)展到 遮光膜的端部下側(cè)的方式形成了凹部的凹槽部。在該利文森型掩模中，如果反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口 部彼此相鄰，則凹槽部彼此相鄰。隨著半導(dǎo)體裝置的細(xì)微化，凹槽部彼此的距離變小。結(jié)果 存在如下問(wèn)題配置在透光板表面的遮光膜與透光板的接觸面積變小，遮光膜剝落。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可形成細(xì)微圖形的圖形形成方法。此外，其目的在于 提供一種可形成細(xì)微圖形的利文森型掩模的制造方法?；诒景l(fā)明的一方面的圖形形成方法是包含具有第一最小尺寸的第一圖形和具 有第二最小尺寸的第二圖形的圖形形成方法，包括使用利文森型掩模進(jìn)行曝光的第一曝光 步驟和使用半色調(diào)型掩模進(jìn)行曝光的第二曝光步驟。在所述第二最小尺寸為所述第一最 小尺寸的1.3倍以上時(shí)，將所述第二曝光步驟的曝光量設(shè)為所述第一曝光步驟的曝光量以 下。基于本發(fā)明的另一方面的圖形形成方法是包含具有第一最小尺寸的第一圖形和 具有第二最小尺寸的第二圖形的圖形形成方法，包括使用利文森型掩模進(jìn)行曝光的第一曝 光步驟和使用半色調(diào)型掩模進(jìn)行曝光的第二曝光步驟。在所述第二最小尺寸為所述第一最 小尺寸的1.0倍以上、1. 1倍以下時(shí)，將所述第二曝光步驟的曝光量設(shè)定得比所述第一曝光 步驟的曝光量大?；诒景l(fā)明的其他方面的利文森掩模的制造方法中，該利文森型掩模具有透光板和配置在所述透光板的主表面并且具有多個(gè)開(kāi)口部的遮光膜，所述開(kāi)口部包含同相位開(kāi)口 部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部，在所述反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部中，在所述主表面上形成凹部，所述凹部具 有以延伸到所述反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的端部下的方式形成的凹槽部，為了在被處理物上形成第 一圖形，成對(duì)設(shè)定了所述同相位開(kāi)口部和所述反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。包含在所述第一圖形兩側(cè) 確定所述同相位開(kāi)口部以及所述反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的開(kāi)口部設(shè)定步驟。所述開(kāi)口部設(shè)定步驟 包含如下步驟，即按照所述對(duì)相互之間的距離接近的順序，在所述對(duì)之間相互對(duì)置的所述 開(kāi)口部的至少一個(gè)上設(shè)定所述同相位開(kāi)口部?；诒景l(fā)明的其他方面的利文森型掩模的制造方法，是用于在元件區(qū)域形成激活 區(qū)上形成第一圖形、在元件分離區(qū)域形成第二圖形的半導(dǎo)體裝置制造中的利文森型掩模的 制造方法。包含在所述第一圖形兩側(cè)設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部作為開(kāi)口部的 開(kāi)口部設(shè)定步驟。所述開(kāi)口部設(shè)定步驟在通過(guò)所述開(kāi)口部曝光的部分相互之間配置所述第 二圖形，通過(guò)開(kāi)口部曝光的部分與所述第二圖形的距離實(shí)質(zhì)上是對(duì)所述第二圖形的尺寸變 動(dòng)產(chǎn)生影響的距離以下時(shí)，包括在所述第二圖形的兩側(cè)設(shè)定所述同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相 位開(kāi)口部的步驟。包括以可形成所述第二圖形的方式擴(kuò)大所述同相位開(kāi)口部以及所述反轉(zhuǎn) 相位開(kāi)口部的擴(kuò)大步驟。本發(fā)明的所述以及其他的目的、特征、情況以及優(yōu)點(diǎn)可參照附圖理解的關(guān)于本發(fā) 明的以下詳細(xì)說(shuō)明而得知。


圖1是實(shí)施方式1中形成的抗蝕劑圖形的概要平面圖。圖2是實(shí)施方式1的利文森型掩模的概要平面圖。圖3是實(shí)施方式1的利文森型掩模的概要剖面圖。圖4是實(shí)施方式1的半色調(diào)型掩模的概要平面圖。圖5是說(shuō)明實(shí)施方式1的曝光量的圖表。圖6是說(shuō)明實(shí)施方式1的ILS值的圖表。圖7是降低實(shí)施方式1的半色調(diào)型掩模的曝光量比例時(shí)的概要平面圖。圖8是進(jìn)行實(shí)施方式1的抗蝕劑試驗(yàn)時(shí)的概要立體圖。圖9是表示實(shí)施方式1的抗蝕劑試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖10是說(shuō)明實(shí)施方式2的第一試驗(yàn)結(jié)果的曝光量的圖表。圖11是說(shuō)明實(shí)施方式2的第一試驗(yàn)結(jié)果的ILS值的圖表。圖12是說(shuō)明實(shí)施方式2的第二試驗(yàn)結(jié)果的曝光量的圖表。圖13是說(shuō)明實(shí)施方式2的第二試驗(yàn)結(jié)果的ILS值的圖表。圖14是說(shuō)明實(shí)施方式2的第三試驗(yàn)結(jié)果的曝光量的圖表。圖15是說(shuō)明實(shí)施方式2的第三試驗(yàn)結(jié)果的ILS值的圖表。圖16是實(shí)施方式3中形成的抗蝕劑圖形的概要平面圖。圖17是實(shí)施方式3的利文森型掩模的概要平面圖。圖18是實(shí)施方式3的半色調(diào)型掩模的概要平面圖。圖19是說(shuō)明實(shí)施方式3的第一試驗(yàn)結(jié)果的曝光量的圖表。圖20是說(shuō)明實(shí)施方式3的第二試驗(yàn)結(jié)果的曝光量的圖表。
圖21是實(shí)施方式4中形成的抗蝕劑圖形的概要平面圖。圖22是實(shí)施方式4的利文森型掩模的概要平面圖。圖23是實(shí)施方式4的利文森型掩模的概要剖面圖。圖M是實(shí)施方式4的比較例的利文森型掩模的概要平面圖。圖25是實(shí)施方式4的比較例的利文森型掩模的概要剖面圖。圖沈是對(duì)實(shí)施方式4的利文森型掩模的開(kāi)口部的區(qū)域設(shè)定同相位開(kāi)口部和反轉(zhuǎn) 相位開(kāi)口部的方法的說(shuō)明圖。圖27是實(shí)施方式5中形成的抗蝕劑圖形的概要平面圖。圖觀是實(shí)施方式5的利文森型掩模的概要平面圖。圖四是實(shí)施方式5的半色調(diào)型掩模的概要平面圖。圖30是在實(shí)施方式5的利文森型掩模的開(kāi)口部的區(qū)域設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反 轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部時(shí)的第一步驟說(shuō)明圖。圖31是在實(shí)施方式5的利文森型掩模的開(kāi)口部的區(qū)域設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反 轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部時(shí)的第二步驟說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式1
參照?qǐng)D1到圖9，對(duì)基于本發(fā)明實(shí)施方式1的圖形形成方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式 中，以半導(dǎo)體裝置的制造方法為例進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，使用相移掩模中利文森型掩 模和半色調(diào)型掩模，并進(jìn)行多次曝光。圖1是表示配置在本實(shí)施方式的被處理物表面的圖形的概要平面圖。在本實(shí)施方 式中，在作為被處理物的襯底9的表面上形成了抗蝕劑圖形10。本實(shí)施方式的襯底9在硅 晶片的表面上配置了多晶硅等的導(dǎo)電膜。并且，在多晶硅膜的表面以膜厚80nm形成了有機(jī) 防反射膜。在本實(shí)施方式中，進(jìn)行配置在該有機(jī)防反射膜上的抗蝕劑的構(gòu)圖?？刮g劑圖形 10是形成在襯底9表面上的光致抗蝕劑。在本實(shí)施方式中，使用正型抗蝕劑?？刮g劑圖形10包括第一圖形部IOa和第二圖形部10b。第一圖形部IOa例如是場(chǎng) 效應(yīng)晶體管的柵電極的部分。第二圖形部IOb例如是用于連接?xùn)烹姌O的布線部的部分。第 一圖形部IOa是要求細(xì)微線或者尺寸精度的部分的圖形。第二圖形部IOb是尺寸比第一圖 形部IOa大或者尺寸精度要求比第一圖形部IOa寬松的圖形。在本發(fā)明中，最小尺寸是作為目的圖形的尺寸中最小直徑(跨度)的尺寸。第一圖 形IOa具有第一最小尺寸Dminl。本實(shí)施方式的第一最小尺寸是在第一圖形部IOa延伸方向 垂直的寬度。第二圖形部IOb具有第二最小尺寸Dmin2。本實(shí)施方式的第二最小尺寸是從第 一圖形部IOa延伸的部分的寬度。在本實(shí)施方式，以比第二最小尺寸小的方式形成第一最 小尺寸。為了形成具有上述形狀的光致抗蝕劑，進(jìn)行光刻步驟。在光刻步驟中，例如，在作 為襯底上的被加工膜的導(dǎo)電膜的表面上均勻地配置感光性樹(shù)脂的抗蝕劑膜，曝光后進(jìn)行顯 影，由此，可在所希望形狀的部分殘留抗蝕劑。并且，將殘留的抗蝕劑作為掩模，對(duì)被加工膜 進(jìn)行刻蝕，由此，可將被加工膜刻蝕成所希望的形狀。在本實(shí)施方式中，以利文森型掩模進(jìn)行形成第一圖形部IOa用的曝光。以半色調(diào)型掩模進(jìn)行形成第二圖形部IOb用的曝光。圖2中示出本實(shí)施方式的利文森型掩模的概要平面圖。圖3中示出圖2的III-III 線的橫剖面視圖。利文森型掩模例如具有以石英玻璃等形成的透光板19。在透光板19的表面配置 了用于遮光的遮光膜1。遮光膜1例如以Cr膜形成。遮光膜1具有開(kāi)口部作為使光通過(guò)用的透光區(qū)域。在本實(shí)施方式中，開(kāi)口部具有 同相位開(kāi)口部Ia以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部lb。同相位開(kāi)口部Ia以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部Ib配置 在對(duì)應(yīng)于第一圖形部IOa (參照?qǐng)D1)的部分的兩側(cè)。在同相位開(kāi)口部Ia中，以平面狀形成透光板19的平面。利文森型掩模的透光區(qū)域 中同相位區(qū)域由透光板19的主表面構(gòu)成。在反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部Ib中，透光板19的平面形成 了凹部M。利文森型掩模的透光區(qū)域中反轉(zhuǎn)相位區(qū)域由形成在透光板19的凹部M構(gòu)成。 凹部M以通過(guò)反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部Ib的光的相位反轉(zhuǎn)的方式來(lái)形成。例如，凹部M以如下方 式形成通過(guò)反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部Ib的光與通過(guò)同相位開(kāi)口部Ia的光相比，相位錯(cuò)開(kāi)180°。本實(shí)施方式的凹部M具有為了提高尺寸精度而形成的凹槽部Ma。凹槽部Ma以 延伸到端部?jī)?nèi)側(cè)的方式形成在遮光膜1的反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部Ib的端部。即，遮光膜1在反轉(zhuǎn) 相位開(kāi)口部Ib處具有成為檐的部分。本實(shí)施方式的利文森型掩模為了使光的相位反轉(zhuǎn)，在透光板上形成了凹部，但是， 并不特別限定，例如，也可以在反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口的透光板的表面上配置使相位反轉(zhuǎn)用的移相
-V^r ^t ο圖4示出本實(shí)施方式的半色調(diào)型掩模的概要平面圖。半色調(diào)型掩模在透光板19的 表面上形成了遮光部fe。遮光部fe以完全遮擋光的方式來(lái)形成。遮光部fe例如由Cr膜 形成。在利文森型掩模中為了不在曝光后的部分進(jìn)行曝光而形成了遮光部fe。遮光部fe 對(duì)應(yīng)于利文森型掩模的開(kāi)口部來(lái)形成。在遮光板19的表面，配置了形成抗蝕劑圖形10的 第二圖形部IOb (參照?qǐng)D1)用的半色調(diào)部恥。對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形的第二圖形部IOb的形 狀形成了半色調(diào)部恥。使曝光的一部分光透過(guò)地形成了本實(shí)施方式的半色調(diào)部恥。以使透過(guò)的光的相位 反轉(zhuǎn)的方式形成了半色調(diào)部5b。本實(shí)施方式的半色調(diào)部恥包括配置在透光板19表面的移 相器。作為半色調(diào)部，不限于配置移相器，也可以形成為使曝光后的一部分光透過(guò)并且相位 發(fā)生反轉(zhuǎn)。參照?qǐng)D1，在本實(shí)施方式中，以第一圖形部IOa的第一最小尺寸Dminl比第二圖形部 IOb的第二最小尺寸Dmin2小的方式進(jìn)行曝光。在本實(shí)施方式中，以第二最小尺寸Dmin2是第 一最小尺寸Dminl的1. 3倍以上的方式形成抗蝕劑圖形10。形成第一圖形部IOa的第一最 小尺寸Dminl為70nm的抗蝕劑圖形10。首先，以膜厚ISOnm在有機(jī)防反射膜的表面上涂敷作為感光性樹(shù)脂的丙稀系正型 抗蝕劑。對(duì)該抗蝕劑膜進(jìn)行曝光前加熱處理。然后，進(jìn)行形成第一圖形部IOa用的第一曝光步驟。第一曝光步驟使用利文森型 掩模進(jìn)行曝光。在第一曝光步驟中，使用具有同相位開(kāi)口部Ia和反相位開(kāi)口部Ib的利文 森型掩模(參照?qǐng)D2)來(lái)進(jìn)行。在本實(shí)施方式的第一曝光步驟中，使用ArF準(zhǔn)分子激光器(193 nm)對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行曝光。本實(shí)施方式的利文森型掩模的遮光膜1的同相位開(kāi)口部Ia的寬度以及反相位開(kāi) 口部Ib的(參照?qǐng)D2)的寬度分別是140nm。同相位開(kāi)口部Ia和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部Ib的距離 是 140nm。在 NA (Numerical Aperture 數(shù)值孔徑)為 0. 82,Conv. ( σ =0. 40)的條件下以 該利文森型掩模進(jìn)行曝光。此處，NA為數(shù)值孔徑。Conv.是通常照明的圓形開(kāi)口光圈。ο 是從襯底(晶片)一側(cè)觀察時(shí)的照明光學(xué)NA和投影鏡頭系統(tǒng)NA之比。然后，進(jìn)行形成第二圖形部IOb用的第二曝光步驟。第二曝光步驟使用半色調(diào)型 掩模進(jìn)行曝光。在第二曝光步驟中，使用具有遮光部fe和半色調(diào)部恥的半色調(diào)型掩模(參 照?qǐng)D4)進(jìn)行。在第二曝光步驟中，遮擋圖4的遮光部如的部分。即，為了在第一曝光步驟中進(jìn) 行了曝光后的范圍內(nèi)不進(jìn)行再次曝光，進(jìn)行第二曝光步驟。在圖4所示的半色調(diào)部恥中， 一部分光透過(guò)，并且光的相位反轉(zhuǎn)。在本實(shí)施方式中，使用具有透射率為6%的半色調(diào)部的掩模。在第二曝光步驟中， 在NA為0. SOXonv. ( σ =0. 85)的條件下進(jìn)行曝光。將第二曝光步驟中的抗蝕劑的曝光量 設(shè)定為比第一曝光步驟中的抗蝕劑的曝光量小。即，進(jìn)行曝光步驟以便使用半色調(diào)型掩模 對(duì)抗蝕劑等的被照射物進(jìn)行的曝光量在使用利文森型掩模進(jìn)行的曝光量以下。在第一曝光步驟以及第二步驟之后，進(jìn)行抗蝕劑膜的顯影，形成了圖1所示的圖 形。在本實(shí)施方式中，在第一曝光步驟之后進(jìn)行第二曝光步驟，但是，也可以先進(jìn)行第二曝 光步驟。即，可以先進(jìn)行通過(guò)半色調(diào)型掩模的曝光。在第一曝光步驟中，通過(guò)了同相位開(kāi)口部Ia的光相位不改變地進(jìn)行曝光。通過(guò)了 反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部Ib的光相位發(fā)生反轉(zhuǎn)。在第一圖形部IOa的部分產(chǎn)生光的干涉。因此，能 夠抑制第一圖形部IOa部分的曝光，可提高第一圖形部IOa的尺寸精度?；蛘?，可以形成細(xì) 微的第一圖形部10a。在本實(shí)施方式中，采用了如下的多次曝光法使用利文森型掩模對(duì)抗蝕劑圖形10 中的第一圖形部IOa進(jìn)行曝光，使用半色調(diào)型掩模對(duì)第二圖形部IOb進(jìn)行曝光。在多次曝 光法中存在如下情況首先進(jìn)行曝光后的部分的潛像往往會(huì)受到此后進(jìn)行曝光時(shí)光的灰霧 的影響。例如，在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1，抗蝕劑圖形10的第一圖形部IOa的潛像在此后 使用半色調(diào)型掩模進(jìn)行曝光時(shí)受到影響。例如，存在如下情況使用半色調(diào)型掩模進(jìn)行曝光 的第二曝光步驟的曝光量過(guò)多時(shí)，第一圖形部IOa的尺寸精度惡化。圖5示出本實(shí)施方式的曝光試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖5是本實(shí)施方式的抗蝕劑圖形的 第一圖形部IOa (參照?qǐng)D1)的合成光學(xué)圖像的圖表。橫軸表示從第一圖形部IOa的寬度方 向的中心朝向?qū)挾确较蛲鈧?cè)的距離。0的位置是第一圖形部的寬度方向的中心?？v軸表示 利文森型掩模以及半色調(diào)型掩模的光強(qiáng)度。在曝光試驗(yàn)中，分別改變利文森型掩模以及半色調(diào)型掩模的曝光量的比例，進(jìn)行 曝光。此外，對(duì)于只使用利文森型掩模進(jìn)行曝光的情形也進(jìn)行了試驗(yàn)。參照?qǐng)D5可知，利文森型掩模的曝光量的比例越小，合成光學(xué)圖像的傾斜度越小， 潛像惡化。即，利文森型掩模的曝光量的比例越低，越容易受到半色調(diào)型掩模的曝光量的影 響，尺寸精度惡化。例如，在距離第一圖形部中心的距離稍大于0.03 μ m的范圍內(nèi)(在抗蝕劑圖形的第一圖形部的線寬度大于0. 06 μ m的范圍內(nèi))，為了得到與使用了利文森型掩模時(shí)大致相 同的傾斜度的合成光學(xué)圖像，需要使利文森型掩模的曝光量至少為半色調(diào)型掩模的曝光量 0. 8倍以上。并且，通過(guò)使利文森型掩模的曝光量為半色調(diào)型掩模的曝光量的1. 0倍以上， 由此，能夠可靠地得到具有與只使用利文森型掩模時(shí)相同程度以上的尺寸精度的潛像。然后，作為確定曝光量比例的基準(zhǔn)，采用ILS (Image Log Slope)值。ILS值表示 像強(qiáng)度的對(duì)數(shù)的梯度，以ILS值=(I/Is) X (ΔΙ/Δχ)來(lái)定義。此處，Is是切片(slice) 值，(△ Ι/ΔΧ)是成為光線強(qiáng)度線的切片值的點(diǎn)中光強(qiáng)度的梯度。在本實(shí)施方式中，作為計(jì)算出切片值的線寬度的代表值，使用0.08μπι。在設(shè)計(jì)規(guī) 則(設(shè)計(jì)基準(zhǔn))為65nm的裝置中，電極或者布線等的線寬度大致為60nm以上、70nm以下。 此時(shí)的抗蝕劑膜的線寬度大致為80nm，由此，決定出計(jì)算切片值的線寬度的代表值。即，該 線寬度是設(shè)計(jì)規(guī)則為65nm的半導(dǎo)體裝置通用的線寬度。該線寬度中，采用距離線寬度的中 心-0. 04 μ m以上、+ 0. 04 μ m以下位置的范圍作為切片值。圖6表示說(shuō)明使利文森型掩模和半色調(diào)型掩模的曝光量比例變化時(shí)的ILS值的圖 表。橫軸表示曝光量比例，縱軸表示ILS值。通過(guò)增加利文森型掩模的曝光量比例，由此， ILS值增加。如上所述，根據(jù)圖5的圖表，若利文森型掩模和半色調(diào)型掩模的曝光量比例是 1:1，可得到優(yōu)良的合成潛像。在圖6中，曝光量比例是1:1的ILS值是只使用利文森型掩 模的ILS值的約0. 8倍，約為34。即，ILS值若為約34以上，可確保合成光學(xué)圖像的曝光量 的充分的傾斜度，可形成尺寸精度優(yōu)良的第一圖形部。或者可形成細(xì)微的第一圖形部。如上所述，優(yōu)選利文森型掩模的曝光量為半色調(diào)型掩模的曝光量的1. 0倍以上。 但是，若降低半色調(diào)型掩模的曝光量，則半色調(diào)型掩模的遮光部的尺寸變小。其結(jié)果是，存 在遮光部成為掩模制造范圍以下的大小的情況，不能制造成為掩模制造范圍以下的大小的 掩模。若考慮掩模的制造，則利文森型掩模的曝光量?jī)?yōu)選為半色調(diào)型掩模的曝光量的1.0 倍以上、1.2倍以下。使利文森型掩模的曝光量為半色調(diào)型掩模的曝光量以上，在以半色調(diào)型掩模形成 的第二圖形部的最小尺寸為以利文森型掩模形成的第一圖形部的最小尺寸的1.3倍以上 的情況下是有用的。曝光步驟中，存在曝光裝置的聚焦裕度成為問(wèn)題的情況。即，存在如 下情況產(chǎn)生使曝光裝置的調(diào)焦變動(dòng)時(shí)的尺寸變動(dòng)未收納在允許范圍內(nèi)的問(wèn)題。該聚焦裕 度的問(wèn)題在第二最小尺寸小于第一最小尺寸的1.3倍時(shí)變得顯著。第二最小尺寸為第一 最小尺寸的1. 3倍以上的情況下，通過(guò)使利文森型掩模的曝光量為半色調(diào)型掩模的曝光量 以上，由此，可形成尺寸精度優(yōu)良的第一圖形部?；蛘呖尚纬杉?xì)微的第一圖形部。并且，在 65nm的設(shè)計(jì)規(guī)則的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，對(duì)于使線寬變得細(xì)微特別有用。在本實(shí)施方式中，以使得利文森型掩模的曝光量成為半色調(diào)型掩模的曝光量以上 的方式進(jìn)行曝光，由此，可提高利文森型掩模的部分的潛像的對(duì)比度，可提供細(xì)微的半導(dǎo)體 裝置?；蛘呖商峁┏叽缇鹊玫教岣叩陌雽?dǎo)體裝置。為了減小半色調(diào)型掩模的曝光量，除了減弱光源的光強(qiáng)度或者縮短曝光時(shí)間的方 法之外，還有采用光學(xué)鄰近校正(OPC :0ptical Proximity Correction)的方法。圖7示出為了減小曝光量而采用了光學(xué)鄰近校正的半色調(diào)型掩模的概要平面圖。 在形成于透光板19表面的半色調(diào)部上，減小半色調(diào)部恥，形成半色調(diào)部5c。這樣，設(shè)定使 半色調(diào)部減小的偏移，由此，可減小針對(duì)被照射物的曝光量。作為半色調(diào)部的掩模偏移量的目標(biāo)，例如，在半色調(diào)部彼此的間隔為2000nm以上、最小寬度為70nm以上的作為基準(zhǔn)圖形 的孤立圖形中，將掩模偏移設(shè)定為單側(cè)5nm以上、IOnm以下。曝光步驟中使用的抗蝕劑的種類也影響光學(xué)潛像。然后，對(duì)所使用的抗蝕劑的種 類進(jìn)行說(shuō)明。圖8示出說(shuō)明抗蝕劑的光學(xué)鄰近效應(yīng)(OPE =Optical Proximity Effect)的依賴 性的基準(zhǔn)圖形的概要立體圖。在基準(zhǔn)圖形中，通過(guò)半色調(diào)型掩模沈?qū)刮g劑27進(jìn)行曝光。 半色調(diào)型掩模沈具有半色調(diào)部^a。以直線狀形成半色調(diào)部^^。以延伸方向相互平行的方式形成半色調(diào)部^a。抗蝕 劑27的曝光區(qū)域27a分別為線狀。在這樣的基準(zhǔn)圖形中，將半色調(diào)部26a彼此的距離設(shè)為 間隔尺寸S。此外，將半色調(diào)部26a的寬度設(shè)為W。將曝光區(qū)域27a的寬度設(shè)為⑶(Critical Dimension:臨界尺寸)值。在本實(shí)施方式中，使用掃面儀型的曝光裝置，CD值為半色調(diào)部 26a的寬度W的大致1/4。圖9示出兩種抗蝕劑的CD值特性的圖表。在本實(shí)施方式中使用了丙稀系正型抗 蝕劑作為抗蝕劑膜。橫軸是間隔尺寸S，縱橫是CD值。在間隔尺寸S較小的部分，各個(gè)CD 值急劇上升。抗蝕劑A的(⑶值的最大值-⑶值的最小值)比抗蝕劑B (⑶值的最大值-⑶值 的最小值)大。即，抗蝕劑A光學(xué)鄰近效應(yīng)比抗蝕劑B大。這樣，OPE特性因抗蝕劑的種類 而不同。因此，優(yōu)選選擇OPE特性優(yōu)良的抗蝕劑。例如，(CD值的最大值-CD值的最小值) 的值較大的抗蝕劑的情況下，若形成間距較小的圖形，則存在從期待值較大偏移的可能性。 因此，在進(jìn)行了光學(xué)鄰近校正的情況下，在間距較小的圖形中，存在變成掩模制造范圍以下 的尺寸的可能性。在圖9中，與抗蝕劑A相比，優(yōu)選使用抗蝕劑B。作為抗蝕劑選擇OPE特性優(yōu)良的抗蝕劑，由此，能夠使曝光量比例的選擇寬度變 大，可不變更所制造圖形的期待值來(lái)變更曝光量比例。實(shí)施方式2
參照?qǐng)D10到圖15，對(duì)基于本發(fā)明的實(shí)施方式2的圖形形成方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方 式中，與實(shí)施方式1相同，包含使用利文森型掩模進(jìn)行曝光的第一曝光步驟和使用半色調(diào) 型掩模進(jìn)行曝光的第二曝光步驟。此外，第二圖形的第二最小尺寸為第一圖形的第一最小 尺寸的1.3倍以上時(shí)，與實(shí)施方式1相同，將第二曝光步驟的曝光量設(shè)為第一曝光步驟的曝 光量以下。在本實(shí)施方式中，在第二曝光步驟中，通過(guò)使用降低半色調(diào)部的透射率的半透射 型掩模進(jìn)行曝光。在本實(shí)施方式中，通過(guò)與實(shí)施方式1相同的試驗(yàn)方法進(jìn)行了試驗(yàn)。圖10是表示說(shuō)明本實(shí)施方式的第一試驗(yàn)結(jié)果的第一圖表。圖11表示說(shuō)明本實(shí)施 方式的第一試驗(yàn)的結(jié)果的第二圖表。在第一試驗(yàn)中，以1:1的比例設(shè)定使用利文森型掩模 進(jìn)行的第一曝光步驟的曝光量和使用半色調(diào)型掩模進(jìn)行的第二曝光步驟的曝光量。求出使 半色調(diào)型掩模的半色調(diào)部的透射率從6%變化到0%時(shí)的各個(gè)位置的曝光量。圖10表示由利文森型掩模形成的抗蝕劑圖形的第一圖形(參照?qǐng)D1)的合成光學(xué) 圖像的圖表。橫軸表示距離由利文森型掩模形成的直線狀部分的寬度方向中心部的距離， 縱軸表示光強(qiáng)度。通過(guò)降低半色調(diào)型掩模的透射率，位置為O μ m的光強(qiáng)度接近0。圖11表示第一試驗(yàn)的ILS值的圖表。橫軸表示半色調(diào)型掩模的半色調(diào)部的透射 率，縱軸表示ILS值。半色調(diào)型掩模的半色調(diào)部的透射率為0%的掩模成為不具有半色調(diào)部的遮光的通常的掩模。如圖11所示，通過(guò)降低半色調(diào)部的透射率，由此，有ILS值變大的傾向。可知通過(guò) 降低半色調(diào)部的透射率，第一圖形部的尺寸精度提高。參照?qǐng)D11，在利文森型掩模的曝光量 和半色調(diào)型掩模的曝光量之比為1:1的情況下，通過(guò)使半色調(diào)型掩模的透射率為6%以下， 由此，可使ILS值為約；34以上。圖12表示說(shuō)明本實(shí)施方式的第二試驗(yàn)的結(jié)果的第一圖表。圖13表示說(shuō)明本實(shí)施 方式的第二試驗(yàn)的結(jié)果的第二圖表。在第二試驗(yàn)中，與第一試驗(yàn)相比，可相對(duì)減少利文森型 掩模的曝光量。第二試驗(yàn)中，將利文森型掩模的曝光量和半色調(diào)型掩模的曝光量之比設(shè)為 0. 8:1，進(jìn)行試驗(yàn)。圖12表示由利文森型掩模形成的抗蝕劑圖形的第一圖形部分的合成光學(xué)圖像。 圖13中示出第二試驗(yàn)的ILS值的圖表。參照?qǐng)D12，通過(guò)降低半色調(diào)型掩模的透射率，由此， 位置為Oym的光強(qiáng)度接近0。參照?qǐng)D13，將利文森型掩模的曝光量和半色調(diào)型掩模的曝光 量之比設(shè)為0. 8:1的情況下，通過(guò)使半色調(diào)型掩模的透射率為4%以下，可使ILS值約為34 以上。圖14表示說(shuō)明本實(shí)施方式的第三試驗(yàn)的結(jié)果的第一圖表。圖15示出說(shuō)明本實(shí)施 方式的第三試驗(yàn)的結(jié)果的第二圖表。在第三試驗(yàn)中，與第二試驗(yàn)相比，相對(duì)地進(jìn)一步減少利 文森型掩模的曝光量。在第三試驗(yàn)中，將利文森型掩模的曝光量和半色調(diào)型掩模的曝光量 之比設(shè)為0.6:1，并進(jìn)行了試驗(yàn)。圖14示出由利文森型掩模形成的抗蝕劑圖形的第一圖形部分的合成圖像的圖 表。圖5示出第三試驗(yàn)的ILS值的圖表。參照?qǐng)D14，通過(guò)降低半色調(diào)型掩模的半色調(diào)部的 透射率，由此，位置為Oym的光強(qiáng)度接近0。此外，參照?qǐng)D15，將利文森型掩模的曝光量和 半色調(diào)型掩模的曝光量之比設(shè)為0. 6:1時(shí)，使半色調(diào)型掩模的透射率為4%以下，由此，能夠 使ILS值為；34以上。這樣，即使改變利文森型掩模和半色調(diào)型掩模的曝光量比例，對(duì)應(yīng)地調(diào)整半色調(diào) 型掩模的半色調(diào)部的透射率，由此，能夠提供由利文森型掩模形成的圖形的尺寸精度。其他的結(jié)構(gòu)、作用、效果以及方法與實(shí)施方式1相同，因此，此處不重復(fù)說(shuō)明。實(shí)施方式3
參照?qǐng)D16到圖20，對(duì)基于本發(fā)明的實(shí)施方式3的圖形形成方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方 式的圖形形成方法中，與實(shí)施方式1相同，包含用利文森型掩模進(jìn)行曝光的第一曝光步驟 和使用半色調(diào)型掩模進(jìn)行曝光的第二曝光步驟。在本實(shí)施方式中，在第二圖形的第二最小 尺寸為第一圖形的第一最小尺寸的1. 0倍以上、1. 1倍以下時(shí)，將第二曝光步驟的曝光量設(shè) 定為比第一曝光步驟的曝光量大。圖16是本實(shí)施方式的抗蝕劑圖形的概要平面圖。在襯底9的表面形成抗蝕劑圖 形11 13?？刮g劑圖形13配置在被抗蝕劑圖形11和抗蝕劑圖形12夾持的位置?？刮g劑 圖形13由半色調(diào)型掩模形成?？刮g劑圖形11包括第一圖形部Ila和第二圖形部lib?？刮g劑圖形12包括第一 圖形部1 和第二圖形部12b。第二圖形部1111 是由利文森型掩模形成的部分。第一 圖形部llb、12b是由半色調(diào)型掩模形成的部分。第一圖形部IlaUh例如是成為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極的部分。激活區(qū)50例如是在襯底9的表面注入雜質(zhì)、成為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的區(qū)域?？刮g劑 圖形13的部分例如形成布線。在本實(shí)施方式中，著眼于由通過(guò)利文森型掩模形成的抗蝕劑圖形所夾持的抗蝕劑 圖形13。由抗蝕劑圖形13形成的襯底9表面的布線圖形例如直線狀部分的寬度(對(duì)應(yīng)于圖 16的抗蝕劑圖形13的寬度Ll的部分的寬度)是70nm。圖17示出本實(shí)施方式的利文森型掩模的概要平面圖。利文森型掩模包括遮光膜 2。遮光膜2具有同相位開(kāi)口部h、2c和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部2b、2d。同相位開(kāi)口部加和反轉(zhuǎn) 相位開(kāi)口部2b成為一對(duì)，由此，在同相位開(kāi)口部加和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部2b之間形成作為布 線圖形的抗蝕劑圖形11的第一圖形部11a。同樣，同相位開(kāi)口部2c和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部2d 成為一對(duì)，由此，形成抗蝕劑圖形12的第一圖形部12a (參照?qǐng)D16)。圖18示出本實(shí)施方式的半色調(diào)型掩模的概要平面圖。半色調(diào)型掩模包括透光板 19。在透光板19的表面形成了遮光部6a、6c。遮光部6a、6c以稍稍使光透過(guò)的方式形成。 在透光板19的表面形成了半色調(diào)部6b、6d、6e。遮光部6a、6c以對(duì)應(yīng)于利文森型掩模的開(kāi) 口部的方式來(lái)形成。半色調(diào)部6b、6d以分別對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形11、12的第二圖形部lib、 12b的方式來(lái)形成。半色調(diào)部6e以對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形13的方式來(lái)形成(參照?qǐng)D16)。這樣， 以利文森型掩模進(jìn)行曝光的抗蝕劑圖形13的直線狀部分被以利文森型掩模進(jìn)行曝光的抗 蝕劑圖形11、12的第一圖形部lla、12a夾持。在使用這些利文森型掩模和半色調(diào)型掩模、將曝光量的比例設(shè)為1:1進(jìn)行曝光的 情況下，例如，配置在對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形13寬度方向的長(zhǎng)度Ll的利文森型掩模的開(kāi)口部之 間、以半色調(diào)型掩模形成的布線圖形的遮光部寬度為90nm (參照?qǐng)D16)。圖19表示利文森型掩模和半色調(diào)型掩模的曝光量比例為1:1時(shí)合成光圖像的圖 表。橫軸是以圖16的A-A線切斷時(shí)的剖面的位置?？v軸表示合成光學(xué)圖像的光強(qiáng)度。在 圖19中，A部分是圖16的抗蝕劑圖形13的部分。光強(qiáng)度的最小值Liiin是0. 123。然后，對(duì)利文森型掩模和半色調(diào)型掩模的曝光量比例為0.6:1時(shí)的曝光情況進(jìn)行 說(shuō)明。即，相對(duì)地降低利文森型掩模的曝光量。此時(shí)，配置在對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形13寬度方 向的長(zhǎng)度Ll的利文森型掩模的曝光量的開(kāi)口部間、并以半色調(diào)型掩模形成的布線圖形的 遮光部寬度為IlOnm (參照?qǐng)D16)。圖20表示利文森型掩模和半色調(diào)型掩模的曝光量比例為0. 6:1時(shí)合成光圖像的 圖表。A部分是圖16的抗蝕劑圖形13的部分。光強(qiáng)度的最小值Liiin是0.063，可確保較 小的值。參照?qǐng)D19以及圖20，相對(duì)于半色調(diào)型掩模的曝光量，提高利文森型掩模的曝光量 的比例，產(chǎn)生不能充分降低由半色調(diào)型掩模形成的圖形的光強(qiáng)度的最小Liiin。使用利文森 型掩模進(jìn)行第一曝光步驟，對(duì)應(yīng)該由半色調(diào)型掩模形成的潛像產(chǎn)生影響，應(yīng)該由半色調(diào)型 掩模形成的圖形的光強(qiáng)度的最小值kin變大。其結(jié)果是，例如，在由半色調(diào)型掩模形成的部分引起斷線這樣的不良。即，在第一 曝光步驟中的曝光處理時(shí)，作為最佳條件設(shè)定曝光量和焦點(diǎn)，但是，存在由于裝置等原因引 起的某些影響焦點(diǎn)(調(diào)焦)變動(dòng)的情況，在變動(dòng)后的狀態(tài)下進(jìn)行曝光的情況。此時(shí)，由相移掩 模形成的潛像影響到由半色調(diào)型掩模形成的潛像，導(dǎo)致在由半色調(diào)型掩模形成的圖形上產(chǎn) 生不良的情況發(fā)生。
包括形成具有第一最小尺寸的第一圖形和具有第二最小尺寸的第二圖形的步驟， 在第二最小尺寸為第一最小尺寸的1. 1倍以下時(shí)產(chǎn)生該不良。此時(shí)，半色調(diào)型掩模的第二 曝光步驟的曝光量設(shè)定為比利文森型掩模的第一曝光步驟的曝光量大。通過(guò)該方法，能夠 抑制由半色調(diào)型掩模形成的第二圖形中的、與由利文森型掩模形成的第一圖形相鄰的圖形 的不良。特別地，能夠抑制被第一圖形夾持的第二圖形的不良。例如，在圖16中，可抑制由抗蝕劑圖形11、12的第一圖形部lla、12a夾持的抗蝕 劑圖形13的直線狀的部分的斷線。在本實(shí)施方式中，可提高以半色調(diào)型掩模形成的潛像的對(duì)比度，并可抑制由半色 調(diào)型掩模形成的圖形的不良?；蛘?，在使用半色調(diào)型掩模的第二曝光步驟中，可抑制曝光時(shí) 的聚焦裕度。然后，對(duì)本實(shí)施方式記載的圖形的形成方法、實(shí)施方式1以及2記載的圖形形成方 法的使用狀態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。形成設(shè)置有場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極長(zhǎng)度中最小的柵極長(zhǎng)度為70nm的半導(dǎo)體裝置A 以及半導(dǎo)體裝置B。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極由利文森型掩模形成，布線部以半色調(diào)型掩模形 成。此處，對(duì)于半導(dǎo)體裝置A，以IOOnm設(shè)定布線部的最小尺寸。以曝光的潛像形成的 工藝裕度較大的方式配置半導(dǎo)體裝置A的布線部。半導(dǎo)體裝置A的柵極長(zhǎng)所要求的尺寸精 度成為嚴(yán)格的條件。另一方面，在半導(dǎo)體裝置B中，以與柵極長(zhǎng)的最小尺寸相同的70nm來(lái) 設(shè)定布線部的最小尺寸。對(duì)于半導(dǎo)體裝置B的布線部來(lái)說(shuō)，曝光的潛像形成的工藝裕度較 小。但是，所述尺寸由于制造工藝的分散，在完成的狀態(tài)下存在士 10%左右的分散。在上述情況下，對(duì)于半導(dǎo)體裝置A，如實(shí)施方式1所示，使半色調(diào)型掩模的曝光量 為利文森型掩模的曝光量以下，由此，可在布線部的潛像形成的工藝裕度的范圍內(nèi)，形成具 有較高尺寸精度的柵電極。對(duì)于半導(dǎo)體裝置B，如本實(shí)施方式所示，使半色調(diào)型掩模的曝光量比利文森型掩模 的曝光量大，由此，可確保形成布線部時(shí)的潛像形成的工藝裕度。對(duì)于其他的結(jié)構(gòu)、作用、效果以及方法，與實(shí)施方式1以及2相同，所以，此處不重 復(fù)說(shuō)明。實(shí)施方式4
參照?qǐng)D21到圖26，對(duì)基于本發(fā)明實(shí)施方式4的利文森型掩模的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖21表示本實(shí)施方式中形成的抗蝕劑圖形的概要平面圖。在本實(shí)施方式中，使用 利文森型掩模以及半色調(diào)型掩模。在襯底9的表面通過(guò)多晶硅等導(dǎo)電膜(未圖示)形成了抗 蝕劑圖形11 13?？刮g劑圖形11包括第一圖形部Ila和第二圖形部lib?？刮g劑圖形12 包括第二圖形部1 和第二圖形部12b。使用利文森型掩模形成第一圖形部lla、12a。并且，將第一圖形部11a、1 作為掩 模對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，由此，例如形成為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極。激活區(qū)50例如成為場(chǎng)效 應(yīng)晶體管的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域。使用半色調(diào)型掩模形成第2圖形部llb、12b。使用半 色調(diào)型掩模形成抗蝕劑圖形13。抗蝕劑圖形13例如形成為布線。在本實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)于第一圖形部Ila和抗蝕劑圖形13的直線狀部分的距離L2 的距離是160nm。例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極與布線的距離是160nm。此外，在本實(shí)施方式中，第一圖形部1 和抗蝕劑圖形13的直線狀部分的距離與第一圖形部Ila和抗蝕劑圖 形13的直線狀部分的距離相同。在本實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)于第一圖形部lla、12a的寬度L3形成的線的寬度是60nm。 此外，對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形13的直線狀部分的寬度形成的線的寬度與對(duì)應(yīng)于寬度L3的寬度 相同。例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極的寬度是60nm。圖22示出本實(shí)施方式的利文森型掩模的概要平面圖。圖23示出圖22中的 XXIII-XXI11線的橫剖面視圖。本實(shí)施方式的利文森型掩模在透光板21表面具有遮光膜3。形成遮光膜3以遮斷 光。遮光膜3具有同相位開(kāi)口部3a、3c和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部!3b、3d。在本實(shí)施方式中，以同相 位開(kāi)口部3a、3c彼此鄰接的方式來(lái)形成。參照?qǐng)D23，在遮光板21的表面上形成了遮光膜3。在同相位開(kāi)口部3a、3c上，配 置了透光板21的主表面。在反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部:3b、3d的透光板21表面分別形成了凹部22。 形成凹部22，以使通過(guò)反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部!3b、3d的光的相位錯(cuò)開(kāi)半個(gè)波長(zhǎng)。即，以波長(zhǎng)反轉(zhuǎn)的 方式來(lái)形成。凹部22具有凹槽部22a。在利文森型掩模中，需要在所形成的線圖形等圖形 兩側(cè)配置同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。即，需要夾持由同相位開(kāi)口部和反轉(zhuǎn)相位開(kāi) 口部形成的圖形。利文森型掩模的制造步驟需要對(duì)所形成的圖形設(shè)定開(kāi)口部。在利文森型掩模的制 造方法中，包括設(shè)定同相位開(kāi)口部和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的開(kāi)口部設(shè)定步驟。通過(guò)成對(duì)設(shè)定一 個(gè)同相位開(kāi)口部和一個(gè)反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部，從而能夠在此后的曝光中形成一個(gè)圖形。對(duì)應(yīng)于 所設(shè)定的反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的襯底表面上形成凹部。在本實(shí)施方式中包括如下步驟按同相 位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部對(duì)中對(duì)的彼此距離接近的順序，對(duì)之間相對(duì)置的開(kāi)口部的至 少一個(gè)上設(shè)定同相位開(kāi)口部。參照?qǐng)D22在對(duì)應(yīng)于每個(gè)抗蝕劑圖形11以及抗蝕劑圖形12的部分的兩側(cè)形成開(kāi) 口部。此處，在參考對(duì)之間相對(duì)置的開(kāi)口部彼此的距離L4的情況下，與其他的部分相比，對(duì) 之間的距離最近。此時(shí)，在至少一者上設(shè)定同相位開(kāi)口部。在本實(shí)施方式中，在對(duì)之間相對(duì) 置的開(kāi)口部的兩者上形成了同相位開(kāi)口部3a、3c。本實(shí)施方式的半色調(diào)型掩模的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式3的掩模相同。圖M示出作為本實(shí)施方式的比較例的利文森型掩模的概要平面圖。圖25示出圖 24的XXV-XXV線的橫剖面圖。參照?qǐng)D24，作為比較例的利文森型掩模，在開(kāi)口部上設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn) 相位開(kāi)口部的設(shè)定方法不同。同相位開(kāi)口部3a與反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部北是成對(duì)的。此外，同 相位開(kāi)口部3c與反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部3d是成對(duì)的。在比較例的利文森型掩模中，兩個(gè)對(duì)之間 相對(duì)置的開(kāi)口部設(shè)定為反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部:3b、3d。對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形13兩側(cè)的開(kāi)口部設(shè)定為 反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部:3b、3d。參照?qǐng)D25，在同相位開(kāi)口部3a、3c上設(shè)置透光板21的主表面。在反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部 !3b、3d上，在透光板21的主表面上形成了凹部23。在利文森型掩模的制造步驟中，例如在透光板的表面上形成具有開(kāi)口部的遮光 膜。然后，進(jìn)行干法刻蝕，由此，在遮光膜的開(kāi)口部下側(cè)形成凹槽部。例如，在比較例中，從反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部3b、3d的邊緣到內(nèi)側(cè)形成了 IOOnm的凹槽部23a。反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部北和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部3d的距離是400nm。此時(shí)，遮光膜3和透光板 21的接觸寬度L5變?yōu)?00nm。這樣，接觸寬度L5與反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部北以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口 部3d的距離的比例是1/2以下時(shí)，若凹槽部相互對(duì)置，則遮光膜3和透光板21的接觸面積 變小，存在遮光膜部分剝離的情況。特別是，線圖形等的細(xì)微化在發(fā)展，開(kāi)口部彼此的距離 變小，則顯著產(chǎn)生遮光部部分剝離的不良情況。在設(shè)定開(kāi)口部的開(kāi)口部設(shè)定步驟中，按照同相位開(kāi)口部和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的對(duì)之 間的距離接近的順序，在對(duì)之間相對(duì)置的開(kāi)口部的至少一者上設(shè)定同相位開(kāi)口部，由此可 在對(duì)之間相對(duì)置的部分抑制遮光膜的剝離。在本實(shí)施方式中，在對(duì)之間相對(duì)置的兩側(cè)的開(kāi) 口部設(shè)定同相位開(kāi)口部。參照?qǐng)D23以及圖M，設(shè)定了相互對(duì)置的同相位開(kāi)口部3a和同相 位開(kāi)口部3c。因此，能夠使被同相位開(kāi)口部3a和同相位開(kāi)口部3c夾持的遮光膜3的部分 與遮光板12的接觸面積變大，可抑制遮光膜3的剝離。在對(duì)利文森型掩模的開(kāi)口部區(qū)域設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的方法 中，例如可采用移相器配置DA (Design Automation 自動(dòng)化設(shè)計(jì))系統(tǒng)。通過(guò)在應(yīng)用移相 器配置DA中應(yīng)用本申請(qǐng)的開(kāi)口部的設(shè)定方法，可設(shè)定利文森型掩模的開(kāi)口部的種類。圖沈示出本實(shí)施方式的開(kāi)口部的設(shè)定方法的例子。對(duì)預(yù)先形成的抗蝕劑圖形設(shè) 定光透過(guò)的開(kāi)口部區(qū)域，對(duì)于各個(gè)開(kāi)口部的區(qū)域設(shè)定同相位開(kāi)口部或者反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。首先，將同相位開(kāi)口部和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部作為一對(duì)進(jìn)行觀察時(shí)，選定對(duì)之間的距 離最近的部分。在該部分中，在對(duì)置的兩個(gè)對(duì)所包含的四個(gè)開(kāi)口部區(qū)域中相互對(duì)置的兩個(gè) 開(kāi)口部區(qū)域設(shè)定同相位開(kāi)口部。然后，設(shè)定對(duì)應(yīng)于所設(shè)定的同相位開(kāi)口部的對(duì)的反轉(zhuǎn)相位 開(kāi)口部。然后，判別是否存在所設(shè)定的反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部和其他反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的距離較 近、產(chǎn)生遮光膜剝離的危險(xiǎn)。當(dāng)存在產(chǎn)生遮光膜剝離的情況下，將所設(shè)定的兩個(gè)同相位開(kāi)口 部中的一者變?yōu)榉崔D(zhuǎn)相位開(kāi)口部、并將成對(duì)的開(kāi)口部變更為同相位開(kāi)口部。即，所設(shè)定的反 轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部和其他的反轉(zhuǎn)開(kāi)口部的距離非常接近時(shí)，使所述變更還原，并進(jìn)入到下一步
馬聚ο然后，對(duì)于未設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的區(qū)域，重復(fù)同樣的操作。這 樣，對(duì)于所有的開(kāi)口部區(qū)域設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。在圖沈所示的例子中，按照對(duì)之間的距離接近的順序設(shè)定了同相位開(kāi)口部，但 是，并不限于該方式，選擇對(duì)之間的距離為預(yù)定值以下的距離，對(duì)于其中對(duì)之間存在以半色 調(diào)型掩模形成的圖形的部分，可以優(yōu)先設(shè)定同相位開(kāi)口部。此外，在反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部上，在透光板的表面形成凹部以外，在透光板的主表面上 配置移相器。因此，在形成凹部或者配置移相器時(shí)，存在產(chǎn)生制造誤差的情況。即，存在因 利文森型掩模的制造誤差引起的相位差發(fā)生偏移的情況。因此，在形成于反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部 之間所夾持部分的圖形上，存在受到相位差偏移的影響、尺寸精度變差的情況。但是，如本實(shí)施方式所示，從對(duì)之間的距離接近的部分依次使由半色調(diào)型掩模形 成的圖形的至少一者為同相位開(kāi)口部，由此，可抑制制造這些掩模時(shí)的制造誤差引起的相 位偏移的曝光，可提高尺寸精度。對(duì)于其他的結(jié)構(gòu)、作用、效果以及方法，因?yàn)榕c實(shí)施方式1到3相同，故此處不重復(fù) 說(shuō)明。
實(shí)施方式5
參照?qǐng)D27到圖31，對(duì)基于本發(fā)明的實(shí)施方式5的圖形形成方法以及利文森型掩模的制 造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖27是以本實(shí)施方式的利文森型掩模形成的抗蝕劑圖形的概要平面圖。在襯底 9的表面上形成了抗蝕劑圖形11 13。在抗蝕劑圖形11和抗蝕劑圖形12之間形成抗蝕 劑圖形13?？刮g劑圖形的第一圖形部Ila以及抗蝕劑圖形12的第一圖形部1 是由利文 森型掩模形成的部分。抗蝕劑圖形13包括第一圖形部13a以及第二圖形部13b。在本實(shí)施方式中，以利 文森型掩模形成第一圖形部13a。以半色調(diào)型掩模形成第二圖形部13b。在本實(shí)施方式中，使用形成在多晶硅等的導(dǎo)電膜(未圖示)上的抗蝕劑圖形11、12 的第一圖形部lla、12a，形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極，使用抗蝕劑圖形13形成布線。第一圖 形部IlaUh的兩側(cè)是形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極區(qū)域等激活區(qū)50?？刮g劑圖形11、12形成 在形成有元件的元件區(qū)域51。元件分離區(qū)域52是未形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管等元件的區(qū)域?？?蝕劑圖形13形成在元件分離區(qū)域52。圖觀示出本實(shí)施方式的利文森型掩模的概要平面圖。對(duì)于本實(shí)施方式的利文森 型掩模來(lái)說(shuō)，在遮光膜4上形成用于形成抗蝕劑圖形11的第一圖形部1 Ia的同相位開(kāi)口部 4a以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部4b。此外，形成了用于形成抗蝕劑圖形12的同相位開(kāi)口部如和反 轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部4d。在本實(shí)施方式中，對(duì)于抗蝕劑圖形13中的直線狀的第一圖形部1 來(lái)說(shuō)，用利文 森型掩模來(lái)形成。此處，在被抗蝕劑圖形11和抗蝕劑圖形12夾持的抗蝕劑圖形13中，本 來(lái)是由半色調(diào)型掩模形成的部分。在本實(shí)施方式中，擴(kuò)大配置在夾持抗蝕劑圖形13的位置 上的反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部4b和同相位開(kāi)口部如的大小。由通過(guò)反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部4b以及通過(guò) 同相位開(kāi)口部4c的光，形成抗蝕劑圖形13的第一圖形部13a (參照?qǐng)D27)。圖四示出本實(shí)施方式的半色調(diào)型掩模的概要平面圖。在透光板19的表面形成了 遮光部7a。以覆蓋抗蝕劑圖形11的第一圖形部11a、抗蝕劑圖形12的第一圖形部12a以 及抗蝕劑圖形13的第一圖形部13a (參照?qǐng)D27)的方式形成遮光部7a。遮光部7a以對(duì)應(yīng) 于利文森型掩模的開(kāi)口部如 4d的方式來(lái)形成(參照?qǐng)D觀)。半色調(diào)部7b、7c以對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形11、12的第二圖形部llb、12b的方式來(lái)形 成。半色調(diào)部7d以對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形13的第二圖形部13b的方式來(lái)形成(參照?qǐng)D27)。參照?qǐng)D27，當(dāng)形成在元件分離區(qū)域52上的抗蝕劑圖形13和利文森型掩模的曝光 區(qū)域在預(yù)定距離以內(nèi)時(shí)，通過(guò)半色調(diào)型掩模的曝光形成抗蝕劑圖形13的全部，通過(guò)反轉(zhuǎn)開(kāi) 口部4b以及同相位開(kāi)口部如進(jìn)行照射的曝光對(duì)抗蝕劑13的第一圖形部13a的影響變大。 其結(jié)果是，存在抗蝕劑圖形13的第一圖形部13a的尺寸變動(dòng)較大的情況。在所述預(yù)定的距離內(nèi)時(shí)，對(duì)配置在應(yīng)該由半色調(diào)型掩模形成的布線圖形外側(cè)的同 相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的大小進(jìn)行擴(kuò)大，并由利文森型掩模形成布線圖形。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下步驟形成在元件分離區(qū)域上的圖 形中，應(yīng)該由半色調(diào)型掩模形成的第二圖形和通過(guò)利文森型掩模的開(kāi)口部進(jìn)行曝光的區(qū)域 的距離是實(shí)質(zhì)上對(duì)第二圖形的尺寸變動(dòng)產(chǎn)生影響的距離時(shí)，由利文森型掩模形成第二圖形 部分。
S卩，在本實(shí)施方式中，在要求應(yīng)該由利文森型掩模形成的細(xì)微的圖形或者尺寸精 度的圖形以外的圖形中，若與由利文森型掩模形成的圖形的距離為預(yù)定的范圍以內(nèi)，則以 利文森型掩模進(jìn)行曝光，形成該圖形。圖30以及圖31示出說(shuō)明本實(shí)施方式中的利文森型掩模的制造方法中設(shè)定開(kāi)口部 的開(kāi)口部設(shè)定步驟的概要平面圖。在本實(shí)施方式中，由計(jì)算機(jī)設(shè)定對(duì)應(yīng)于所形成的抗蝕劑 圖形的利文森型掩模的開(kāi)口部。計(jì)算機(jī)包括用于設(shè)定利文森型掩模的開(kāi)口部的程序。圖30是計(jì)算機(jī)的對(duì)應(yīng)部的說(shuō)明圖。對(duì)掩模對(duì)應(yīng)部31設(shè)定抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部41 43。此處，抗蝕劑對(duì)應(yīng)部41、42是對(duì)應(yīng)于圖27的抗蝕劑圖形11、12的部分?？刮g劑圖形對(duì) 應(yīng)部13是對(duì)應(yīng)于圖27的抗蝕劑圖形13的部分。然后，在抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部41、42的周?chē)謩e設(shè)定激活區(qū)對(duì)應(yīng)部44。激活區(qū)對(duì)應(yīng) 部44是對(duì)應(yīng)于圖27的激活區(qū)50的部分。然后，在抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部41的兩側(cè)，設(shè)定同相位開(kāi)口部31a和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部 31b。此外，在抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部42的兩側(cè)，設(shè)定同相位開(kāi)口部31c和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部31d?？刮g劑圖形對(duì)應(yīng)部43被反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部31b和同相位開(kāi)口部31c夾持。此處，設(shè) 想抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部43和反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部31b的距離L6以及抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部43和同 相位開(kāi)口部31c的距離L7中的至少一個(gè)在預(yù)定的距離以內(nèi)的情形。即，設(shè)想通過(guò)開(kāi)口部曝 光后的部分與抗蝕劑圖形的距離的設(shè)計(jì)值在預(yù)定范圍以內(nèi)的情形。本實(shí)施方式的預(yù)定距離 使用了 0.3Χλ/ΝΑ。λ是進(jìn)行曝光時(shí)的光源的波長(zhǎng)，NA是開(kāi)口數(shù)。本實(shí)施方式的預(yù)定距 離是清晰度限度左右的尺寸。當(dāng)配置在本來(lái)應(yīng)由半色調(diào)型掩模形成的抗蝕劑圖形兩側(cè)所對(duì)應(yīng)的部分的開(kāi)口部 與抗蝕劑圖形的距離在所述預(yù)定距離以內(nèi)時(shí)，在抗蝕劑圖形兩側(cè)的開(kāi)口部同為同相位開(kāi)口 部時(shí)，可以將一者變?yōu)榉崔D(zhuǎn)相位開(kāi)口部。圖31是在計(jì)算機(jī)的對(duì)應(yīng)部設(shè)定假激活區(qū)的步驟的說(shuō)明圖。在本實(shí)施方式中，為 了對(duì)利文森型掩模的開(kāi)口部設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部，采用移相器配置DA (Design Automation 自云力Ui殳it)系統(tǒng)。分別設(shè)定對(duì)應(yīng)于抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部41、42的激活區(qū)對(duì)應(yīng)部44?？刮g劑圖形對(duì)應(yīng)部 43包括第一圖形對(duì)應(yīng)部43a、第二圖形對(duì)應(yīng)部43b、43c。所述距離L6以及距離L7中的至少一個(gè)在所述預(yù)定距離內(nèi)時(shí)，在形成抗蝕劑圖形 對(duì)應(yīng)部43的區(qū)域設(shè)定假激活區(qū)45。在抗蝕劑圖形對(duì)應(yīng)部43的第一圖形對(duì)應(yīng)部43a的正下 層以假設(shè)形成激活區(qū)的方式來(lái)設(shè)定。例如，設(shè)定假激活區(qū)45，以第一圖形對(duì)應(yīng)部43a是柵電 極的方式進(jìn)行設(shè)定。通過(guò)設(shè)定假激活區(qū)45，第一圖形對(duì)應(yīng)部43a被判斷為例如形成柵電極，并識(shí)別為 第一圖形對(duì)應(yīng)部43a是應(yīng)該由利文森型掩模形成的圖形。在利文森型掩模中，判斷為應(yīng)該 在第一圖形對(duì)應(yīng)部43a的兩側(cè)設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。通過(guò)圖30所示的 反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部31b以及同相位開(kāi)口部31c的曝光形成第一圖形13a，擴(kuò)大反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部 31b以及同相位開(kāi)口部31c。基于同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部的數(shù)據(jù)，制造圖觀所 示的利文森型掩模。在本實(shí)施方式中，使用了設(shè)定利文森型掩模的開(kāi)口部的種類以及大小的計(jì)算機(jī)程 序。存在形成在元件分離區(qū)域的圖形中由利文森型掩模形成的圖形之間所夾持的部分，在所述預(yù)定距離內(nèi)的情況下，設(shè)定假激活區(qū)，擴(kuò)大開(kāi)口部。通過(guò)設(shè)定假激活區(qū)，由此可容易地 形成擴(kuò)大后的同相位開(kāi)口部或者反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。在本實(shí)施方式中，通過(guò)計(jì)算機(jī)程序，判斷為應(yīng)該使同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi) 口部變大，擴(kuò)大同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。作為擴(kuò)大這些開(kāi)口部的方法，不限于該 方式，首先，在該第一圖形對(duì)應(yīng)部的兩側(cè)設(shè)定同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部，連接相互 接觸的開(kāi)口部之間，由此，也可以擴(kuò)大同相位開(kāi)口部以及反轉(zhuǎn)相位開(kāi)口部。在本實(shí)施方式中，形成在元件分離區(qū)域的布線圖形以利文森型掩模形成，由此，可 提高所述布線圖形的尺寸精度。此外，可提高聚焦裕度，并能夠形成高成品率的電路圖形。在所述的各個(gè)實(shí)施方式的圖中，對(duì)相同或者相當(dāng)?shù)牟糠指兑酝环?hào)。按照本發(fā)明可提供一種能夠形成細(xì)微圖形的圖形形成方法。此外，可提供一種能 夠形成細(xì)微圖形的利文森型掩模的制造方法。對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但是應(yīng)該理解為，這只是示例，并不是限定，發(fā)明的精 神和范圍僅由技術(shù)方案的范圍進(jìn)行限定。
權(quán)利要求
1.一種圖形形成方法，該圖形包含第一圖形和第二圖形，該第一圖形具有作為跨越尺 寸中最小尺寸的第一最小尺寸，該第二圖形具有作為跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺 寸，其中，包含第一曝光步驟，使用利文森型掩模，進(jìn)行形成所述第一圖形的曝光；第二曝光步 驟，使用半色調(diào)型掩模，進(jìn)行形成所述第二圖形的曝光，所述第二最小尺寸為所述第一最小尺寸的1.3倍以上的情況下，所述第二曝光步驟的 曝光量在所述第一曝光步驟的曝光量以下。
2.如權(quán)利要求1記載的圖形形成方法，其中使用所述半色調(diào)型掩模進(jìn)行所述第二曝光步驟，該半色調(diào)型掩模具有成為比所述第一 曝光步驟的曝光量少的曝光量的透射率。
3.如權(quán)利要求1或2記載的圖形形成方法，用于基于65nm以下的設(shè)計(jì)基準(zhǔn)進(jìn)行半導(dǎo)體 裝置的制造，其中由下式求出的ILS值為34以上ILS 值=(I/Is) X ( ΔΙ/Δχ)…(1)其中，Is是線形圖形的寬度SOnm的切片值、Δ I/ Δ χ是成為光強(qiáng)度線的切片值的點(diǎn)的梯度。
4.如權(quán)利要求1或2記載的圖形形成方法，其中所述利文森型掩模以及半色調(diào)型掩模中的至少一種掩模，使用形成為具有光學(xué)鄰近校 正的掩模。
5.一種圖形形成方法，該圖形包含第一圖形和第二圖形，該第一圖形具有作為跨越尺 寸中最小尺寸的第一最小尺寸，該第二圖形具有作為跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺 寸，其中，包含第一曝光步驟，使用利文森型掩模，進(jìn)行形成所述第一圖形的曝光；第二曝光步 驟，使用半色調(diào)型掩模，進(jìn)行形成所述第二圖形的曝光，所述第二最小尺寸為所述第一最小尺寸的1.0倍以上、1. 1倍以下的情況下，將所述第 二曝光步驟的曝光量設(shè)定為比所述第一曝光步驟的曝光量大。
6.如權(quán)利要求5記載的圖形形成方法，其中所述利文森型掩模以及半色調(diào)型掩模中的至少一種掩模，使用形成為具有光學(xué)鄰近校 正的掩模。
全文摘要
本發(fā)明涉及使用利文森型掩模的圖形形成方法及該掩模的制造方法，該圖形形成方法，包括具有第一最小尺寸(Dmin1)的第一圖形部(10a)和第二最小尺寸(Dmin2)的第二圖形部(10b)，其中包括使用利文森型掩模進(jìn)行曝光的第一曝光步驟和使用半色調(diào)型掩模進(jìn)行曝光的第二曝光步驟。第二最小尺寸(Dmin2)為第一最小尺寸(Dmin1)的1.3倍以上時(shí)，第二曝光步驟的曝光量設(shè)為第一曝光步驟的曝光量以下。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102073224SQ201110040479
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月15日
發(fā)明者奧野滿, 茂庭明美 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社