專利名稱：光刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種光刻設(shè)備。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應用到襯底上(通常到所述襯底的目標部分上)的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版(reticle)的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單獨的襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。還可以通過將所述圖案壓印(imprinting)到所述襯底上，將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。已提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸沒在具有相對高的折射率的液體(例如，水) 中，以填充介于投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙。由于曝光輻射在液體中具有更短的波長，所以上述做法的關(guān)鍵在于能夠使更小的特征成像。(液體的作用還可以看作是增加系統(tǒng)的有效NA并且增大焦深)。還可以推薦使用其他浸沒液體，包括其中懸浮固體微粒 (例如，石英)的水。然而，將襯底或者襯底和襯底臺浸沒在液體溶池中(例如，見美國專利 US4509852)意味著在掃描曝光過程中必須要加速大體積的液體。這需要另外的或者更大功率的電動機，并且液體中的湍流可能導致不期望的或者不可預料的影響。提出來的解決方法之一是液體供給系統(tǒng)通過使用液體限制系統(tǒng)只將液體提供在襯底的局部區(qū)域上(通常襯底具有比投影系統(tǒng)最終元件更大的表面積)以及投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間。提出來的一種用于設(shè)置上述設(shè)備的方法在申請?zhí)枮閃099/49504的PCT 專利申請中公開了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對于最終元件移動的方向， 通過至少一個入口 IN供給到襯底上，在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)下面后，液體通過至少一個出口 OUT去除。也就是說，當襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時，液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X—側(cè)去除。圖2是所述配置的示意圖，其中液體通過入口 IN供給，并在元件的另一側(cè)通過出口 OUT去除，所述出口 OUT與低壓力源相連。在圖2的展示中，雖然液體沿著襯底相對于最終元件的移動方向供給，但不是必需的?？梢栽谧罱K元件周圍設(shè)置各種方向和
3數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個實施例，其中在最終元件的周圍在每一側(cè)以規(guī)則的圖案設(shè)置了四個入口和出口。在圖4中示出了另一個采用液體局部供給系統(tǒng)的浸沒光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PL每一側(cè)上的兩個槽狀入口 IN供給，由設(shè)置在入口 IN沿徑向向外的位置上的多個分散的出口 OUT去除。所述入口 IN和出口 OUT可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PL的一側(cè)上的一個槽狀入口 IN提供，由位于投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)上的多個分散的出口 OUT去除，這引起投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口 IN和出口 OUT組合可能依賴于襯底W的移動方向(另外的入口 IN和出口 OUT組合是非活動的)。在公開號為EP1420300的歐洲專利申請和公開號為US2004-0136494的美國專利申請(在此以引用的方式將該兩個申請的內(nèi)容整體并入本文中)中公開了成對或者雙臺浸沒式光刻設(shè)備的方案。這樣的設(shè)備設(shè)置有兩個用于支撐襯底的工作臺。水平檢測在沒有浸沒液體的工作臺的第一位置進行，曝光在具有浸沒液體的工作臺的第二位置進行?？商鎿Q地，所述設(shè)備只有一個工作臺。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種液體供給系統(tǒng)，在所述系統(tǒng)中，降低了氣體混入其中的可能性和/或減少了位于襯底和投影系統(tǒng)之間的液體容器中的液體損失。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括阻擋構(gòu)件，設(shè)置用于在投影系統(tǒng)和襯底之間圍成空隙并且至少部分地將液體限制在所述空隙中，所述阻擋構(gòu)件包括抽取器，用于將液體從阻擋構(gòu)件和所述襯底之間去除；板，設(shè)置在所述抽取器和所述襯底之間， 以使得對所述空隙開放的第一通道形成于所述抽取器和所述板之間，并且使對所述空隙開放的第二徑向延伸通道形成于所述板和所述襯底之間。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括液體供給系統(tǒng)，所述液體供給系統(tǒng)設(shè)置用于為位于投影系統(tǒng)和襯底之間的空隙提供液體，所述液體供給系統(tǒng)包括設(shè)置用于在所述液體供給系統(tǒng)和所述襯底之間形成密封的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括分隔器，所述分隔器設(shè)置用于將液體供給系統(tǒng)和所述襯底之間的間隙分成兩個，以使得在使用中，所述液體形成兩個彎月面，其中一個在分隔器上方，一個在分隔器下方。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括液體供給系統(tǒng)，所述液體供給系統(tǒng)包括在投影系統(tǒng)和襯底之間圍成空隙的阻擋構(gòu)件，所述阻擋構(gòu)件設(shè)置用于在所述阻擋構(gòu)件和所述襯底之間形成非接觸密封；液體去除裝置，設(shè)置用于去除液體，所述液體去除裝置圍繞所述空隙，并且具有沿徑向方向延伸的入口，所述液體去除裝置的去除能力依賴于所述入口被液體覆蓋的程度；以及沿徑向向內(nèi)延伸的凸出物，所述凸出物定位在所述入口和所述襯底之間，用于將入口和襯底之間的區(qū)域分成兩部分。根據(jù)另一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括阻擋構(gòu)件，設(shè)置用于在投影系統(tǒng)和襯底之間圍成空隙并且至少部分地將液體限制在所述空隙中，所述阻擋構(gòu)件包括可移動的表面，并且設(shè)置成在使用中使得在空隙中的液體的彎月面在所述表面和所述襯底之間延伸； 以及控制器，適用于控制可移動表面沿一方向移動，其中部件沿與襯底的移動方向大致相同的方向相對于所述投影系統(tǒng)移動，該部件的移動速度在襯底移動的至少一部分期間等于或小于襯底速度的兩倍。根據(jù)另一個方面，提供一種光刻設(shè)備，包括阻擋構(gòu)件，設(shè)置用于在投影系統(tǒng)和襯底之間圍成空隙并且設(shè)置成至少部分地將液體限制在所述空隙中，所述阻擋構(gòu)件包括可在大致平行于襯底的上表面的平面內(nèi)移動的板，所述板朝中心位置偏移，并設(shè)置使得在使用中在空隙中的所述液體的彎月面在板和襯底之間延伸。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種裝置制造方法，包括使用阻擋構(gòu)件將液體限制在投影系統(tǒng)和襯底之間的空隙中；相對投影系統(tǒng)移動所述襯底；當襯底被移動時，沿一方向移動阻擋構(gòu)件的表面，其中部件沿與襯底的移動方向大致相同的方向移動，在襯底移動的至少一部分期間，所述表面的移動速度等于或小于襯底速度的兩倍，以使得在所述表面和襯底之間的液體的彎月面上的作用力比所述表面沒有移動時的作用力要?。灰约皩D案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上。


在此僅借助示例，參照所附示意圖對本發(fā)明的實施例進行描述，在所附示意圖中， 相同的附圖標記表示相同的部分，且其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設(shè)備；圖2和圖3示出用于光刻投影設(shè)備的液體供給系統(tǒng)；圖4示出了另一種用于光刻投影設(shè)備的液體供給系統(tǒng)；圖5示出了又一種用于光刻投影設(shè)備的液體供給系統(tǒng)的橫截面；圖6示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；圖7示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；圖8示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；圖9示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；圖IOa-C示意性示出了位于投影系統(tǒng)PL下面的襯底W和板200的移動；圖lla-c示意性示出了位于投影系統(tǒng)PL下面的襯底W和板200的移動；圖12示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；圖13示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；圖14示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；圖15也示出了本發(fā)明在圖14中示出的實施例的橫截面；圖16示出了本發(fā)明的實施例的橫截面；以及圖17也示出了本發(fā)明在圖16中示出的實施例的橫截面。
具體實施例方式圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外 (DUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；以及投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨立地傾斜每一個小反射鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。應該將這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。 這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在將一個或更多個其他臺用于曝光的同時，在一個或更多個臺上執(zhí)行預備步驟參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。 所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。 通過第二定位裝置PW和定位傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個定位傳感器(圖1中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對于所述輻射束B的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊 (粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記P1、P2占據(jù)了專用目標部分，但是他們可以位于目標部分之間的空隙(這些公知為劃線對齊標記)上。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少一種1.在步進模式中，在將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上的同時，將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時，對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進行掃描(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。 在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止狀態(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時，對所述襯底臺WT 進行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。另一種采用已經(jīng)提出的局部液體供給系統(tǒng)方案的浸沒式光刻方案是提供具有阻擋構(gòu)件的液體供給系統(tǒng)，所述阻擋構(gòu)件沿著位于投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空隙的邊界的至少一部分延伸。所述方案顯示在圖5中。所述阻擋構(gòu)件相對于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本是靜止的，盡管在Z方向可能有一定的相對移動(在光軸方向上)。

阻擋構(gòu)件12在介于投影系統(tǒng)PL的最終元件和襯底W之間的空隙11中至少包括部分液體。襯底上的非接觸密封16可以形成于投影系統(tǒng)的像場周圍，以使液體限制在介于襯底表面和投影系統(tǒng)的最終元件之間的空隙中。所述空隙至少部分地由定位于投影系統(tǒng)PL 的最終元件下面和周圍的阻擋構(gòu)件12形成。液體由液體入口 13帶入到投影系統(tǒng)以下的空隙中并且位于阻擋構(gòu)件12以內(nèi)，并可以由液體出口 13去除。阻擋構(gòu)件12可以延伸到略微高于投影系統(tǒng)的最終元件的位置上，且液體平面上升至高于最終元件，以形成液體緩沖。在實施例中，阻擋構(gòu)件12在上端具有內(nèi)圓周，其與投影系統(tǒng)或者投影系統(tǒng)的最終元件的形狀完全一致，例如可以是圓形的。在底部，內(nèi)圓周與像場的形狀完全一致，例如可以是矩形，但不是必需的。液體被氣體密封16保持在空隙11中，在使用中，所述氣體密封16形成于阻擋構(gòu)件12的底部和襯底W的表面之間。所述氣體密封由氣體(例如空氣或者合成空氣，但在實施例中，是N2或者其他的惰性氣體)形成，所述氣體通過氣體入口 15在壓力作用下提供到介于阻擋構(gòu)件12和襯底之間的間隙，并通過出口 14抽取。設(shè)置氣體入口 15中的過壓、出口 14上的真空水平以及所述間隙的幾何形狀，以使形成向內(nèi)的高速氣流從而限制所述液體。上述入口 /出口可以是圍繞空隙11的環(huán)形槽，氣流16能夠有效地將液體保持在空隙 11中。這樣的系統(tǒng)已經(jīng)在公開號為US2004-0207824的美國專利申請中公開了，在此以引用的方式將該申請的內(nèi)容整體并入本文中。圖6示出了作為液體供給系統(tǒng)一部分的阻擋構(gòu)件10。在實施例中，阻擋構(gòu)件10沿著投影系統(tǒng)PL的最終元件的周圍延伸，以使得阻擋構(gòu)件在整體形狀上基本是環(huán)形。投影系統(tǒng)PL可以不是圓形的，阻擋構(gòu)件10的外邊緣也可以不是圓形的，以使所述阻擋構(gòu)件不一定是環(huán)形的，它也可以是其他形狀，只要其具有中心開口，通過所述中心開口，投影束可以經(jīng)過所述中心開口中保持的液體射出投影系統(tǒng)PL的最終元件，并到達所述襯底W上。在此描述的阻擋構(gòu)件是圓形的(僅是該形狀容易制作)，并且沿徑向進行了表示(即，向光軸內(nèi)和光軸外)。然而，所述術(shù)語應當更一般地解釋為包括具有其他更一般的幾何形狀軌跡的遠離所述光軸或者朝向所述光軸的移動，但在其他軌跡中，所述方向可能不精確地穿過所述光軸ο阻擋構(gòu)件10的作用是保持或限制位于投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的空隙內(nèi)的液體，以使得投影束可以穿過所述液體。所述液體的上液面很容易被存在的阻擋構(gòu)件限制，在空隙內(nèi)的液面也被保持，以使得所述液體不會從阻擋構(gòu)件10的頂部溢出。在實施例中，密封設(shè)置在阻擋構(gòu)件10的底部和襯底W之間。在圖6中，所述密封是非接觸密封并且由多個部件構(gòu)成。在沿著投影系統(tǒng)PL的光軸徑向向外處，設(shè)置流動板50，所述流動板50延伸到所述空隙內(nèi)(不過沒有到達投影束的路徑上)，這有助于保持流出入口 20的浸沒液體在所述空隙上的平行流動。流動控制板在其上具有通孔55，用于減小阻擋構(gòu)件10相對于投影系統(tǒng) PL和/或襯底W的沿光軸方向的移動阻力。在沿著阻擋構(gòu)件10的底部徑向向外移動處，設(shè)置有入口 60，所述入口 60提供基本平行于光軸的、朝向襯底方向的液流。該液流用于填充襯底W邊緣和襯底臺WT之間的任何間隙，所述襯底臺WT用于支撐所述襯底。如果所述間隙沒有被填滿液體，則當襯底W的邊緣穿過密封時，就可能在位于投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的空隙內(nèi)的液體中產(chǎn)生氣泡。由于這會導致圖像質(zhì)量的惡化，因而是不被期望的。
抽取器組件70位于入口 60的徑向向外的位置上，所述抽取器組件70設(shè)置用于抽取位于阻擋構(gòu)件10和襯底W之間的液體。下面將更詳細介紹抽取器70，所述抽取器70形成結(jié)構(gòu)的一部分，所述結(jié)構(gòu)用于在阻擋構(gòu)件10和襯底W之間形成非接觸密封。凹陷80位于抽取器組件的徑向向外的位置上，所述凹陷80通過入口 82連接到大氣，通過出口 84連接到低壓源。氣刀90位于凹陷80的徑向向外的位置上。抽取器、凹陷和氣刀的布置在申請日為2005年1月14日申請?zhí)枮?0/643626的美國專利申請中有詳細描述，在本文中以引用的方式將該申請的內(nèi)容整體并入本文中。然而，在上述申請中，抽取器組件的布置是不同的。抽取器組件70包括液體去除裝置或者抽取器或者出口 100，諸如在公開號為 US2006-0038968的美國專利申請中公開的那樣，在本文中以引用的方式將該申請的內(nèi)容整體并入本文中?？梢允褂萌魏晤愋偷囊后w抽取器。在實施例中，液體去除裝置100包括出口，所述出口覆蓋在多孔材料110中，所述材料用于從氣體中分離液體以進行單液相液體抽取。在多孔材料110下游的腔120保持在小的負壓下，并且充滿了液體。在腔120內(nèi)的負壓使得在多孔材料的孔中形成彎月面阻止周圍氣體(例如，空氣)被抽到液體去除裝置 100的腔120內(nèi)。然而，當多孔材料110與液體接觸時，不會形成用于限制流動的彎月面，液體可以自由流動到液體去除裝置100的腔120內(nèi)。多孔材料110沿著阻擋構(gòu)件10 (并且圍繞所述間隙)沿徑向向內(nèi)延伸，并且抽取速率根據(jù)多孔材料110被液體覆蓋的程度變化。期望對介于阻擋構(gòu)件10和襯底W之間的液體的彎月面進行控制。在襯底W的掃描期間(在該期間襯底在阻擋構(gòu)件10和投影系統(tǒng)PL下面移動)，彎月面可以在移動的襯底W所施加的拉力作用下拉向或者拉離光軸。這可能導致液體損失而引起液體的揮發(fā)，因而冷卻襯底并且引起后續(xù)的收縮和重疊誤差?？商鎿Q地或者附加地，在液滴和抗蝕劑光化學物質(zhì)相互作用后可能遺留液體應力。另一個潛在的問題是將氣體(例如，空氣)混入在投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的空隙中，這可能在彎月面被拉入所述空隙時，產(chǎn)生氣泡或者并使投影圖像質(zhì)量惡化。在實施例中，板200設(shè)置在液體去除裝置100和襯底W之間，以使得液體抽取功能和彎月面控制功能可以相互分離，并且可以針對所述每一個功能對所述阻擋構(gòu)件10進行優(yōu)化。粘性拉力長度可能 在彎月面沒有斷裂時對可能的最大掃描速度具有很大的影響， 所述粘性拉力長度是指在所述空隙的起始處(即，從流動控制板50的徑向最內(nèi)邊緣)與介于阻擋構(gòu)件10和襯底W之間的彎月面之間的距離。通過保持低的所述粘性拉力長度以減小或最小化所述彎月面上的拉力，可以減小或最小化粘性拉力的積累。然而，粘性拉力長度也可能產(chǎn)生阻力，所述阻力迫使流體進入上通道220 (下面將進行描述)。部分地由于空間的限制，不可能將抽取器組件70設(shè)置成與所述空隙的邊界更加接近。在阻擋構(gòu)件10和襯底W之間的所述間隙的高度也對阻力產(chǎn)生影響。這樣，最優(yōu)的間隙高度和長度可能是由阻力之間的平衡決定的，所述阻力由間隙尺寸、粘性摩擦力(間隙越小=粘性梯度越大=粘性摩擦力越大)、動態(tài)壓力(空隙越大=要回轉(zhuǎn)的液體量越大)和毛細壓力(空隙越大=用于抵抗載荷的毛細壓力越小)。為了處理這些問題，板200被定位在液體去除裝置100和襯底W之間。板200可以是從阻擋構(gòu)件10的垂直表面沿徑向向內(nèi)凸出的凸出物的形式，所述阻擋構(gòu)件10位于抽取器元件70沿徑向向外的位置處。所述凸出物或者板200分隔器或者具有將介于液體去除裝置100和襯底W之間的空隙分割成兩個通道(上通道220和下通道230)的作 用的任何其他元件，其中上通道220位于板200的上表面和液體去除裝置100之間，而下通道230位于板200的底表面和襯底W之間。每個通道在其徑向最內(nèi)端都是開放的，通向所述空隙。所述板的厚度不是很嚴格的。盡管在圖6中示出上通道220沿水平方向延伸，但并不是必需的。在圖6中上通道220沿水平方向延伸的原因是因為部件的結(jié)構(gòu)配置。不過上通道220也可以沿垂直方向或者介于垂直方向和水平方向之間的任何方向延伸。在上通道220內(nèi)作用在液體上的重力壓力很小，如果需要，可以通過施加負壓(例如，通過液體去除裝置100本身或者通過下面要描述的諸如通氣孔250的另外的通道)而抵消。在實施例中，位于液體去除裝置100和板200之間的上通道220比位于板200和襯底W之間的下通道230要窄。下通道的高度介于250mm和50 μ m之間，或者介于100 μ m 和60 μ m之間，該高度依賴于設(shè)計(來自流動圖案的粘性拉力長度)、流體參數(shù)(粘性，密度，表面張力)和/或表面性能(由結(jié)合能量表面/液體和液體表面張力造成的接觸角)。 例如，通過使上通道220比下通道窄2-3倍，能夠使上通道220具有更強的毛細效應?？商鎿Q地或者附加地，上通道220可以由比下通道230更親液的表面形成。然而，上通道220也可以比下通道230更寬。如果上通道220太窄，則由于摩擦阻力太大并且板200和抽取器 120之間的彎月面承載了足夠大的流體壓力，在所述通道的液體不會流動。這樣，如果上通道220制作得比下通道230寬(例如在150 μ m范圍內(nèi))，所述下通道可能在60 μ m,這些難題就可以解決了。當通道寬度高于250 μ m時，毛細效應就會降低。為了提高毛細效應，上通道220可以被制成親液的或者可以制作接近所述彎月面的高度臺階，以使得該通道在沿徑向向內(nèi)方向上要比在沿徑向向外方向上寬?？梢詫⒇搲菏┘釉谏贤ǖ?20中，而不是將其通過通氣孔250 (例如，通過孔250) 通向大氣。通過這種方式，上通道220可以做的更寬。這樣，存在兩個彎月面310，320。第一彎月面310定位在板200上面，并且在多孔材料110和板200的上表面之間延伸；第二彎月面320定位在板200的下面，并且在板200 和襯底W之間延伸。抽取器組件70可以被最優(yōu)化以控制第一彎月面優(yōu)化地抽取液體并且控制第二彎月面320的位置，以使得用于第二彎月面的粘性拉力長度減小。而且，抽取器組件70(尤其是板200)的特性可以被最優(yōu)化使其積極地促使彎月面320保持粘附于板200 上，以使得在阻擋構(gòu)件10下面的襯底W的掃描速度可以增加。作用于第二彎月面320上的毛細作用力是向外的，并且與鄰近所述彎月面的液體中的負壓平衡，以使得所述彎月面可以基本保持靜止。通過減小彎月面與表面之間的接觸角，可以調(diào)整作用在彎月面上更高的負載(例如，通過粘性拉力和慣性)。在圖6中示出基本的抽取器組件70。通氣孔250設(shè)置在板200的徑向向外的最末端，以使得第一彎月面310可以自由地在多孔材料110下向內(nèi)或向外移動，這樣液體去除裝置100的抽取速率可以根據(jù)多孔材料110被液體覆蓋的程度而改變。正如圖6所示，第二彎月面320粘附在板200的下部最內(nèi)邊緣。在圖6中，板200的內(nèi)部最下邊緣設(shè)置有尖銳的邊緣，以將第二彎月面320基本鎖定在合適的位置。在實施例中，邊緣的半徑小于0. 1mm，小于50 μ m，小于20 μ m或者大約是 10 μ m?；炬i定第二彎月面320的可替代的方法是改變板200的表面的表面性能，其中第二彎月面粘附在所述板200上。例如，由于第二彎月面的形狀需要改變以使其從親液表面通到疏液表面，所以在板200的徑向向外的方向上從親液的表面變成疏液的表面也可以導致第二彎月面320由于這種變化被鎖定。另一種替代方式是將板200的表面從粗糙表面變?yōu)楣饣砻?。當粗糙表面完全浸濕時，所述粗糙表面可以用作彎月面俘獲。如果所述表面沒有完全浸濕，且所述液體僅在粗糙表面的最高處，則粗糙表面可以用作在諸如所謂的荷 葉效應中的疏液表面。電子潤濕可以用于局部俘獲所述彎月面。這種方法的優(yōu)點是它可以打開或者關(guān)閉。

在圖7和圖8中示出了另外兩個實施例，所述實施例在使用中對于防止第二彎月面320向外移動是有用的。在圖7中，板200的底表面成一定角度以使得它與襯底W之間的距離在向外的方向上(離開光軸的方向)增加了。這樣，第二彎月面320的長度需要為第二彎月面向外的移動增加，并且沒有積極意義。相反，板200具有相對于液體去除裝置成一定角度的上表面，以使得在板200的上表面和液體去除裝置100之間距離進一步減小以遠離光軸。這促使第一彎月面310向外移動，以使得液體去除裝置的抽取能力增加?；緦澰旅?20鎖定在合適位置的另一個或者可替代的方法是提供在板200的底表面和襯底W之間的距離的臺階式變化，以使得為了越過臺階280，第二彎月面320的長度必須極大增加。第二彎月面320的這種在長度上的增加需要能量，因此對于鎖定第二彎月面320的位置是有用的。圖9示出了實施例，所述實施例除了下面描述的內(nèi)容之外，與之前的一個或者多個實施例都是一樣的。在該實施例中，板200在基本平行于襯底W的平面上是可平移的。當襯底向如箭頭410所示的右手側(cè)方向移動時，板200也以等于或者小于所述襯底W速度的兩倍的速度向如箭頭400所示的右手側(cè)移動。這是由圖9中不同大小的箭頭表示的。當然這兩個移動都是相對于投影設(shè)備PL和阻擋構(gòu)件10的。在該相對速度范圍內(nèi)，襯底W和板 200之間的速度差減小了。例如，如果板以襯底W的速度的一半被移動，這意味著由于襯底相對于所述板的速度減小了一半，使所述彎月面320破碎的最大的掃描速度增加2倍。所述第一彎月面310只經(jīng)歷板的移動?？赡苡斜匾谧钃鯓?gòu)件的側(cè)壁上設(shè)置與通氣孔250相等價的通氣孔，而不是穿過所述板200設(shè)置。所述板的低速(即直到等于襯底的速度)與更高的速度(直到兩倍于襯底的速度)具有相同的優(yōu)勢，但是低速更容易實現(xiàn)。在實踐中，所述板可以以任何減小板200的密封表面與襯底W之間的相對速度的速度移動。在掃描過程中，為了防止所述板沿某方向的累積移動，所述板只在襯底W的快速移動時移動，并且之后可以在稍慢的移動中或者在沒有移動期間被逐漸地移回中心位置。 這樣，在Y掃描中，所述板可以在迂回中簡單地向上或向下移動，在X掃描中，所述板可以隨襯底一起移動。在Y掃描中，所述板可以移回其原始位置以防止在X方向上的累積移動。所述板的移動可以主動的，也可以是被動的。在所述板主動移動的情況下，設(shè)置控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)與光刻設(shè)備的總控制器交換數(shù)據(jù)以協(xié)調(diào)板200和襯底W的移動。板 200可以是被(例如，壓電致動器，線性電機等)激勵的。在所述板被動移動的實施例中， 所述板可以通過彈簧連接到阻擋構(gòu)件10上以定位在X-Y方向上。在可移動板200和襯底 W之間的摩擦力可以為使所述板沿與襯底W相同方向的移動提供足夠的作用力。通過在板 200的邊緣上增加親液涂層，增加了由襯底W通過液體施加在所述板上的作用力。選擇所述彈簧的強度以使所述板只在高速步進移動中移動。圖10和11示出了兩個上面描述的移動的板的實際的實施例，其中所述板的移動是主動的，也就是說它是在致動器的作用下移動的。圖IOa示出了襯底W在投影系統(tǒng)PL下的移動，圖IOb示出了板200在靜態(tài)阻擋構(gòu)件10和投影系統(tǒng)PL下的移動。襯底在投影系統(tǒng) PL下從位置1到位置2(圖IOa)被掃描，以使得當圖案形成裝置被掃描過時顯示陰影矩形塊。在該掃描過程中，板200沿從位置1到位置2的對角線路徑而行(慢慢地)(圖IOb)。 在步進運動中(2-3-4)，要減小步進運動過程中板200和襯底W的相對速度，所述板也可以如圖IOb所示的(2-3-4)從左側(cè)移動到右側(cè)移動。為了使所述板在適當位置以在掃描的最后再次沿X方向移動，來減小在X步進過程中襯底對于所述板的相對速度，在從4-5的掃描中，板200慢慢地穿過另一條對角線路徑。圖IOc示出了襯底W和板200的絕對速度以及襯底W與板200的相對速度。從該圖中容易看出可移動板的實施例是如何降低襯底W相對于板200的相對速度的，以及所述實施例如何在彎月面損壞之前使襯底W產(chǎn)生更大的速度而帶來更大的生產(chǎn)率的。圖lla-c示出了的原理與圖10a_c示出的相似，除了更長時間的掃描以允許兩倍曝光。盡管描述的所述實施例是關(guān)于彎月面存在于所述板上方和下方的情況，但不是必需如此，并且所述原理可以用于其他的應用，尤其是在浸沒式光刻領(lǐng)域。在可替代的實施例中，省略了板200，并且阻擋構(gòu)件10的底表面以與上述板相同的方式使用。如果在阻擋構(gòu)件 10上設(shè)置更大的中心開口，通過所述開口投影束PB可以投影到所述襯底W上，則為了降低襯底W相對于阻擋構(gòu)件10的密封表面的相對速度，阻擋構(gòu)件10可以自己沿與襯底W相同的方向移動。在實施例中，由于控制器具有關(guān)于所述襯底在曝光過程中要經(jīng)歷的移動的數(shù)據(jù)， 使其能夠在襯底相對于投影系統(tǒng)的緩慢的移動中，移動可移動板/構(gòu)件靠近極限位置(或者回到中心位置)，以針對將來襯底相對于投影系統(tǒng)的高速移動，使板/構(gòu)件的可能的移動最大化，因而所述控制器可以預見將來密封表面所需的可能移動。圖12示出了實施例，所述實施例除了下面描述的內(nèi)容之外，與之前的一個或者多個實施例都是一樣的。在該實施例和下面參考圖13描述的實施例中，采用測量以降低在第二彎月面320后介于板構(gòu)件200和襯底W之間的流體輪廓上的液力負載。將逆流施加到在板200附近介于板200和襯底W之間的液體中，以在彎月面之后產(chǎn)生渦流。所述渦流幫助將彎月面從襯底W提升。結(jié)果，彎月面毀壞的可能性被降低或者最小化。渦流(用箭頭505示出)是通過在板底表面、分隔器、凸出物或者可移動密封表面200中設(shè)置一個或多個出口端口 500引起的，其中可移動密封表面200與襯底W相面對。 出口端口 500由低壓源保持在負壓下，所述低壓源提供的壓力在0. 5到1. 5個大氣壓之間， 或者0. 5到1. 0個大氣壓之間，所述壓力低于空隙內(nèi)的液體的壓力；以使得液體被從介于板構(gòu)件200和襯底W(如箭頭515所示)之間的空隙被抽吸出來。這樣，與上述的一個或多個實施例相比，第二彎月面320所在的位置沿徑向更向外。彎月面基本被彎月面鎖定特征 510鎖定在所需位置，所述彎月面鎖定特征510可以采用任何形式，例如諸如上面描述的那些形式。在實施例中，特征510是半徑大約ΙΟμπι的鋒利邊緣。在圖13中示出的實施例與參照圖12介紹的實施例是一樣的，僅是在圖12中的出口端口 500被一個或多個入口端口 600代替。液體的噴射通過入口端口 600供給，并能夠產(chǎn)生渦流505，所述渦流505可以降低或者最小化彎月面的毀壞可能性。入口端口 600與部件沿徑向向內(nèi)成一定角度并且垂直向下朝向襯底W，以使得具有沿徑向向內(nèi)進入所述空隙的液體部件。離開垂直軸沿徑向向內(nèi)10到60度的角度范圍是合適的。在上面描述的實施例中，產(chǎn)生的渦流505是用于穩(wěn)定后退的彎月面的渦流。如果襯底W正在阻擋構(gòu)件10的下面彎月面沿徑向向外的位置處移動(也就是，沿徑向向外拉動彎月面的 底部使其越過彎月面鎖定特征510)，則彎月面就在后退。在彎月面前進的情況下(其中粘附到襯底W上的彎月面底部被更朝向投影系統(tǒng)PL下方拉)，或者通過出口端口 500排出浸沒液體，或者通過入口端口 600抽吸浸沒液體以倒轉(zhuǎn)渦流505的方向，可能是有益的。在圖14中示出的實施例除了下面所描述的內(nèi)容之外，與上面描述的一個或者多個實施例都是一樣的。在圖14中，只示出了板200和襯底W。這是由于只討論不同的彎月面鎖定特征510。所述彎月面鎖定特征可以用于本文所述的任何實施例中。在圖14中，氣體入口和/或出口端口 700設(shè)置在邊緣710上，第二彎月面320被基本鎖定所述邊緣710上。在圖14所示的情況下，襯底W在圖中從右側(cè)向左側(cè)相對于板200 移動。這樣，所述彎月面(所謂的后退彎月面)就會感受到由與襯底W的表面的摩擦力引起的拉力作用。通過向入口 /出口端口 700施加負壓(例如，大約IOmbar)產(chǎn)生氣流750 以避免彎月面的損壞。所述氣流750沿徑向向內(nèi)并且撞擊彎月面320，之后被垂直部件引導至入口和/或出口端口 700。作用在彎月面320上的摩擦力在彎月面上施加拉力以穩(wěn)定彎月面的位置。結(jié)果，所述彎月面發(fā)生損壞所對應的移動速度顯著增加了。這樣，掃描速度可以極大增加。圖15示出了所述彎月面正在前進的實施例。換句話說，襯底W正在圖中從左側(cè)向右側(cè)相對于板200移動，因而產(chǎn)生作用在所述彎月面320上的力，所述作用力試圖拉動所述彎月面離開邊緣710和入口 /出口端口 700。在這種情況下，可以在入口 /出口端口 700上施加過壓(例如，IOmbar)，以使得形成氣流760，所述氣流760向下移動并且之后沿徑向向外遠離所述彎月面320。這也可以在彎月面前進時幫助穩(wěn)定所述彎月面?？梢栽O(shè)置控制器用于控制何時在入口 /出口端口 700上施加過壓或者負壓。所述控制器可以接收輸入(例如，控制信號)，所述輸入也可以被發(fā)送到用于將襯底W定位在投影系統(tǒng)PL下面的定位器?；谒鲂畔ⅲ隹刂破骺梢杂嬎阍谧钃鯓?gòu)件10周圍的任何位置上的彎月面是否在局部前進或者后退，以及是否需要在局部區(qū)域上給入口 /出口端口施加負壓或者過壓以穩(wěn)定所述彎月面。圖16和17中示出的實施例除了下面描述的內(nèi)容之外，與上面描述的一個或者多個實施例都是一樣的。在圖16和17中只示出了板200和襯底W。這是因為只討論了不同的彎月面鎖定特征510。所述彎月面鎖定特征可以用于本文所述的任何實施例中。在該實施例中，使用了被動的裝置用于鎖定所述彎月面的位置，并且結(jié)合使用了之前提到的兩種技術(shù)。圖16示出了后退的彎月面的情況，而圖17示出了前進的彎月面的情況。沿著板200的底部是臺階800，這樣板200的外底部要比板200的底表面的沿徑向向內(nèi)部分低(也就是離襯底W更近)。在板200的底表面上沿邊緣800徑向向外的區(qū)域做成疏液的區(qū)域，這意味著浸沒液體與表面的接觸角度大于45°，70°，80°，90°，100°，110°或者120°。這樣，在圖16 示出的后退的情況下，是由疏液的區(qū)域810和邊緣800組合用于將彎月面鎖定到板200上，在圖17示出的前進的情況下，主要是邊緣800用于鎖定彎月面的位置。
如果合適的話，本文所描述的一個或多個實施例的一個或多個特征都可以添加至IJ，或者可替換地應用到或者組合到本文所述的一個或多個其他實施例中。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但應當理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應用，例如，集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解的是，在這種替代應用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”和“管芯”分別認為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、 量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學光刻的情況中使用本發(fā)明的實施例，但應該理解的是，本發(fā)明可以用于其他應用中，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓撲限定了在襯底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓撲印刷到提供給所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、 壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5_20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。在上下文允許的情況下，所述術(shù)語“透鏡”可以表示各種類型的光學部件中的任何一種或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式的光學部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實施例，但是應該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或者采取具有在其中存儲的這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的形式(例如，半導體存儲器、磁盤或光盤)。本發(fā)明的一個或多個實施例可以用于任何浸沒式光刻設(shè)備，尤其是(但不限于)， 上面提到的那些類型的浸沒光刻設(shè)備，而不論浸沒液體是以溶池的形式還是只應用襯底的局部表面區(qū)域上。其中設(shè)計的液體供給系統(tǒng)應當被廣義地理解。在某些實施例中，其可以為介于投影系統(tǒng)以及襯底和/或襯底臺之間的空隙提供液體的一種機構(gòu)或者結(jié)構(gòu)的組合。 它可以包括一個或多個結(jié)構(gòu)、一個或多個液體入口、一個或多個氣體入口、一個或多個氣體出口和/或一個或多個液體出口的組合，用于為所述空隙提供液體。在實施例中，該空隙的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分，或者該空隙的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺，或者所述空隙可以包圍襯底和/或襯底臺。所述液體供給系統(tǒng)還可以進一步視情況地包括一個或多個元件，用于控制液體的位置，數(shù)量，質(zhì)量，形狀，流量或者其他特征。在所述設(shè)備中使用的浸沒液體可以根據(jù)期望的性能和所使用的曝光輻射波長具有不同的成分。對于193nm的曝光波長來說，可以采用超純凈水或者基于水的合成物，基于這種原因，浸沒液體有時以可以使用水或與水有關(guān)的術(shù)語表示，例如水利的，厭水的，濕度等等。 以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應當理解，在不背離所附的權(quán)利要求的保護范圍的條件下，可以對本發(fā)明進行修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括阻擋構(gòu)件，所述阻擋構(gòu)件設(shè)置用于在投影系統(tǒng)和襯底之間圍成空隙并且至少部分地將液體限制在所述空隙中，所述阻擋構(gòu)件包括抽取器，所述抽取器用于將液體從所述阻擋構(gòu)件和所述襯底之間去除，以及板，所述板設(shè)置在所述抽取器和所述襯底之間，以使得對所述空隙開放的第一通道形成于所述抽取器和所述板之間，并且使對所述空隙開放的第二徑向延伸通道形成于所述板和所述襯底之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一通道是沿徑向延伸的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中所述第一通道比第二通道窄。
4.根據(jù)權(quán)利要求1，2或3所述的設(shè)備，其中所述第一通道沿徑向向外的方向變窄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的設(shè)備，其中所述第二通道沿徑向向外的方向變覓ο
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的設(shè)備，其中所述板具有彎月面鎖定特征，使其積極地防止粘附到所述特征上的彎月面沿徑向向外移動所述特征。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述特征包括端口，所述端口設(shè)置成連接到負壓源、過壓源，或者這兩者，以在所述彎月面上產(chǎn)生氣流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中端口圍繞整個阻擋構(gòu)件延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述端口包括多個獨立可控部分，以使得所述端口的一部分可以接通負壓，而另一部分可以接通過壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的設(shè)備，其中所述板的底表面具有形成于其上的臺階，以使得所述第二通道沿臺階徑向向外變寬。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的阻擋構(gòu)件(10)。所述阻擋構(gòu)件包括位于底表面上的抽取器組件(70)，所述抽取器組件(70)設(shè)置成面對襯底(W)。所述抽取器組件包括板(200)，所述板(200)設(shè)置成將位于液體去除裝置和所述襯底之間的空隙分成兩部分，使得彎月面(310)形成于位于液體去除裝置和所述板之間的上通道(220)中，并且使得彎月面(320)形成于位于所述板下面的所述板和襯底之間的下通道(230)中。
文檔編號G03F7/20GK102156391SQ20111011569
公開日2011年8月17日 申請日期2006年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者J·J·奧騰斯, J·P·M·斯穆勒斯, M·H·A·李德斯, M·巴克斯, M·里龐, N·R·肯佩, N·騰凱特, S·舒勒普沃夫 申請人:Asml荷蘭有限公司