專利名稱：一種像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示面板及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示面板及制作方法。
背景技術(shù)：
目前應(yīng)用比較廣泛的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)大多為全透式液晶顯示器，這種液晶顯示器在戶外太陽光下使用時(shí)，對(duì)比度較差，造成其顯示面板的可讀性不佳。為了解決全透式液晶顯示器的缺陷，半透半反式液晶顯示器應(yīng)運(yùn)而生；半透半反式液晶顯示器通過增加其顯示面板的反光率，來增加液晶顯示器在室外顯示時(shí)的對(duì)比度，以使得其顯示面板在室外也可以保持優(yōu)良的可讀性。如圖I所示，現(xiàn)有技術(shù)中半透半反式TFT-IXD陣列基板001上的像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管的柵極11，柵絕緣層12，有源層13，薄膜晶體管源極14、漏極15，鈍化層16，有機(jī)層17，像素電極18和反射層19 ;且該像素結(jié)構(gòu)可以分為三個(gè)區(qū)域薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域。圖I所示的像素結(jié)構(gòu)的制作方法如下步驟I、在陣列基板上制作柵金屬薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成薄膜晶體管的柵極11及柵線；步驟2、在完成步驟I的陣列基板上制作氮化硅薄膜，形成柵絕緣層12，并制作半導(dǎo)體薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成有源層13 ；步驟3、在完成步驟2的陣列基板上制作源漏金屬薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成薄膜晶體管的源極14、漏極15，以及數(shù)據(jù)線；步驟4、在完成步驟3的陣列基板上制作氮化硅薄膜，并通過掩膜光刻工藝在該氮化硅薄膜上制作過孔，形成鈍化層16 ；步驟5、在完成步驟4的陣列基板上制作有機(jī)膜，并通過灰階掩膜光刻工藝形成有機(jī)層17 ；步驟6、在完成步驟5的陣列基板上制作像素電極薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成像素電極18 ；步驟7、在完成步驟6的陣列基板上制作反射金屬薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成反射層19。由上述制作方法得知，現(xiàn)有技術(shù)在制作圖I所示的像素結(jié)構(gòu)的過程中需要經(jīng)過7次掩膜光刻工藝，這就導(dǎo)致了制作工藝的復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示面板及制作方法，用以簡(jiǎn)化半透半反式液晶顯示器陣列基板上像素結(jié)構(gòu)的制作工藝。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種像素結(jié)構(gòu)，包括薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域，所述反射區(qū)域包括有機(jī)、層、反射層和像素電極，所述透射區(qū)域包括像素電極；所述反射區(qū)域的像素電極和所述透射區(qū)域的像素電極呈一體結(jié)構(gòu)，且呈一體結(jié)構(gòu)的像素電極與所述薄膜晶體管的柵極相連接；所述反射區(qū)域的有機(jī)層先于所述薄膜晶體管的柵極制作在陣列基板上；所述反射區(qū)域的反射層與所述薄膜晶體管的柵極利用同種金屬同層制作完成。一種液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及兩基板間的液晶層；在陣列基板上形成有像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域，所述反射區(qū)域包括有機(jī)層、反射層和像素電極，所述透射區(qū)域包括像素電極；所述反射區(qū)域的像素電極和所述透射區(qū)域的像素電極呈一體結(jié)構(gòu)，且呈一體結(jié)構(gòu)的像素電極與所述薄膜晶體管的柵極相連接；所述反射區(qū)域的有機(jī)層先于所述薄膜晶體管的柵極制作在陣列基板上；所述反射區(qū)域的反射層與所述薄膜晶體管的柵極利用同種金屬同層制作完成。 一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟Al、在陣列基板上制作有機(jī)膜，并通過掩膜光刻工藝形成有機(jī)層；步驟A2、在完成步驟Al的陣列基板上制作柵金屬薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成柵線、薄膜晶體管的柵極及反射層；在完成步驟A2的陣列基板上依次形成柵絕緣層，有源層，源漏金屬層，鈍化層以及像素電極。本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示面板及制作方法，通過先在陣列基板上形成有機(jī)層，之后再利用同種金屬制作柵金屬薄膜，并通過一次掩膜光刻工藝形成柵線、薄膜晶體管的柵極及反射層；由于反射層和柵線、薄膜晶體管的柵極利用一次掩膜光刻工藝制作完成，較現(xiàn)有技術(shù)而言，就可以簡(jiǎn)化半透半反式液晶顯示器陣列基板上像素結(jié)構(gòu)的制作工藝，進(jìn)而可以節(jié)省生產(chǎn)成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板上一種像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板上另一種像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的剖視圖。附圖標(biāo)記001-陣列基板，002-彩膜基板，003-液晶層；11-薄膜晶體管的柵極，12-柵絕緣層，13-有源層，14-薄膜晶體管的源極，15-薄膜晶體管的漏極，16-鈍化層，17-有機(jī)層，18-像素電極，19-反射層。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。為了簡(jiǎn)化半透半反式液晶顯示器陣列基板001上像素結(jié)構(gòu)的制作工藝，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域，所述反射區(qū)域包括有機(jī)層17、反射層19和像素電極18，所述透射區(qū)域包括像素電極18 ；所述反射區(qū)域的像素電極和所述透射區(qū)域的像素電極呈一體結(jié)構(gòu)，且呈一 體結(jié)構(gòu)的像素電極18與所述薄膜晶體管的柵極11相連接；所述反射區(qū)域的有機(jī)層17先于所述薄膜晶體管的柵極11制作在陣列基板001上；所述反射區(qū)域的反射層19與所述薄膜晶體管的柵極11利用同種金屬同層制作完成。所述同種金屬可以是鑰、銅、鋁或鋁釹合金等金屬中的一種或其他合金金屬；所述利用同種金屬同層制作具體為在形成有有機(jī)層17的陣列基板001上沉積或?yàn)R射鑰、銅、鋁或鋁釹合金等金屬中的一種或其他合金金屬制作柵金屬薄膜，通過一次掩膜光刻工藝形成反射層19、薄膜晶體管的柵極11，同時(shí)形成柵線。由于本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)將反射層19與薄膜晶體管的柵極11利用同種金屬同層制作完成，故可以減少一次掩膜工藝，簡(jiǎn)化了陣列基板001上像素結(jié)構(gòu)的制作工藝，從而可以節(jié)約生產(chǎn)成本。如圖2所示，所述反射區(qū)域的像素電極18和反射層19之間可以只形成有柵絕緣層12 ;制作這種像素結(jié)構(gòu)，在形成鈍化層時(shí)需要先在形成有源漏金屬層的陣列基板001上制作絕緣薄膜例如氮化硅薄膜，之后利用掩膜板按照?qǐng)D2中鈍化層16的形狀圖形化絕緣薄膜，形成圖2所示的鈍化層16，此時(shí)反射區(qū)域的像素電極18和反射層19之間沒有鈍化層，只有柵絕緣層12。另外，所述反射區(qū)域的像素電極18和反射層19之間可以形成有柵絕緣層12和鈍化層16兩層；制作這種像素結(jié)構(gòu)，在形成鈍化層16時(shí)需要先在形成有源漏金屬層的陣列基板001上制作絕緣薄膜例如氮化硅薄膜，之后利用掩膜板按照?qǐng)D3中鈍化層16的形狀圖形化絕緣薄膜，即只在薄膜晶體管的漏極15和像素電極18的連接處形成過孔，從而形成圖3所示的鈍化層16，此時(shí)反射區(qū)域的像素電極18和反射層19之間可以形成有柵絕緣層12和鈍化層16兩層。優(yōu)選的，所述反射層19的截面為波浪形、鋸齒波形或三角波形；形成這種形狀的反射層19，可以使得由外界的入射光在反射層19形成漫反射，使得反射光在各個(gè)視角上更加均勻。圖2和圖3所示的像素結(jié)構(gòu)，只是在制作鈍化層時(shí)所使用的掩膜不同而已，兩者在制作方法上并無本質(zhì)區(qū)別，均可以參考如下像素結(jié)構(gòu)的制作方法，該制作方法包括步驟Al、在陣列基板001上制作有機(jī)膜，并通過掩膜光刻工藝形成有機(jī)層17 ；所述掩膜光刻工藝一般包括涂膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝。需要說明的是本發(fā)明實(shí)施例中的所有掩膜光刻工藝包括兩種一種是使用普通的掩膜板，另一種是使用灰階掩膜板；利用灰階掩模板進(jìn)行光刻的工藝也稱為灰階掩膜工藝。在工業(yè)生產(chǎn)中，具體使用普通的掩膜板還是灰階掩膜板要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。
優(yōu)選的，此步驟可以為在陣列基板001上制作有機(jī)膜，并通過灰階掩膜光刻工藝形成截面頂端為波浪形、鋸齒波形或三角波形的有機(jī)層17。這樣是為了在進(jìn)行步驟A2形成反射層19時(shí)，使得反射層19的截面為波浪形、鋸齒波形或三角波形。步驟A2、在完成步驟Al的陣列基板001上制作柵金屬薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成柵線、薄膜晶體管的柵極11及反射層19 ；由于此步驟只制作了一層?xùn)沤饘俦∧?，然后通過掩膜光刻工藝形成柵線、薄膜晶體管的柵極11及反射層19 ;所以稱薄膜晶體管的柵極11和反射層19為利用同種金屬同層制作完成。在完成步驟A2的陣列基板001上依次形成有柵絕緣層12，有源層13，源漏金屬層，鈍化層以及像素電極18 ;在步驟A2之后形成的各層都可以按照現(xiàn)有技術(shù)中的工藝完成，具體可以包括
步驟A3、在完成步驟A2的陣列基板001上制作絕緣薄膜，作為柵絕緣層12 ;并在形成有柵絕緣層的陣列基板上制作半導(dǎo)體薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成有源層13 ;在形成有半導(dǎo)體薄膜的陣列基板001上制作源漏金屬薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成源漏金屬層；所述源漏金屬層包括薄膜晶體管的源極14、漏極15 ；步驟A4、在完成步驟A3的陣列基板001上制作絕緣薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成圖2或圖3所示的鈍化層16 ;當(dāng)然，如2或圖3中的鈍化層16的形狀及大小只是作為示例，而并不局限于圖中所示。步驟A5、在完成步驟A4的陣列基板001上制作像素電極薄膜，并通過掩膜光刻工藝形成像素電極18。通過以上步驟容易得出，步驟A3進(jìn)行兩次掩膜工藝，其他步驟均是進(jìn)行一次掩膜工藝，故制作本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)只需要進(jìn)行6次掩膜光刻工藝，顯然可以比現(xiàn)有技術(shù)中少一次掩膜光刻工藝，從而簡(jiǎn)化制作工藝；另外，由于減少了掩膜板的使用，故可以減少生產(chǎn)成本。另外，為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化制作工藝，形成有源層13和源漏金屬層的步驟可以包括在形成有柵絕緣層12的陣列基板001上制作半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜，并通過一次掩膜光刻工藝形成有源層13、源漏金屬層。具體地，上述制作方法中步驟A3為，在完成步驟A2的陣列基板001上制作絕緣薄膜，作為柵絕緣層12 ;并在形成有柵絕緣層的陣列基板上制作半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜，并通過一次掩膜光刻工藝形成有源層13、源漏金屬層。由于制作有源層13和源漏金屬層可以通過一次掩膜光刻工藝完成，故制作本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)可以使用5次掩膜光刻工藝完成，從而進(jìn)一步簡(jiǎn)化了制作工藝。如圖4所示,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板,該液晶顯示面板包括陣列基板001、彩膜基板002以及兩基板間的液晶層003 ;在陣列基板001上形成有像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域，所述反射區(qū)域包括有機(jī)層17、反射層19和像素電極18，所述透射區(qū)域包括像素電極18 ；所述反射區(qū)域的像素電極18和所述透射區(qū)域的像素電極18呈一體結(jié)構(gòu)，且呈一體結(jié)構(gòu)的像素電極18與所述薄膜晶體管的柵極11相連接；所述反射區(qū)域的有機(jī)層17先于所述薄膜晶體管的柵極11制作在陣列基板001上；所述反射區(qū)域的反射層19與所述薄膜晶體管的柵極11利用同種金屬同層制作完成。
優(yōu)選的，所述反射層19的截面為波浪形、鋸齒波形或三角波形。圖4所示的液晶顯示面板陣列基板001上形成的像素結(jié)構(gòu)是參考圖2得到的，當(dāng)然參考圖3所示像素結(jié)構(gòu)也是可以的；其中圖2中反射區(qū)域的像素電極18和反射層19之間形成有柵絕緣層12，圖3中反射區(qū)域的像素電極18和反射層19之間形成有柵絕緣層12和鈍化層16兩層。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板，在制作陣列基板001上的像素結(jié)構(gòu)的過程中，將反射層19與薄膜晶體管的柵極11利用同種金屬同層制作完成，故可以減少一次掩膜工藝，簡(jiǎn)化了陣列基板001上像素結(jié)構(gòu)的制作工藝，從而可以節(jié)約生產(chǎn)成本。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.ー種像素結(jié)構(gòu)，包括薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域，其特征在于，所述反射區(qū)域包括有機(jī)層、反射層和像素電極，所述透射區(qū)域包括像素電極； 所述反射區(qū)域的像素電極和所述透射區(qū)域的像素電極呈一體結(jié)構(gòu)，且呈一體結(jié)構(gòu)的像素電極與所述薄膜晶體管的柵極相連接；所述反射區(qū)域的有機(jī)層先于所述薄膜晶體管的柵極制作在陣列基板上；所述反射區(qū)域的反射層與所述薄膜晶體管的柵極利用同種金屬同層制作完成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射區(qū)域的像素電極和反射層之間形成有柵絕緣層，或形成有柵絕緣層和鈍化層兩層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射層的截面為波浪形、鋸齒波形或三角波形。
4.ー種液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及兩基板間的液晶層；在陣列基板上形成有像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域，其特征在于，所述反射區(qū)域包括有機(jī)層、反射層和像素電極，所述透射區(qū)域包括像素電極； 所述反射區(qū)域的像素電極和所述透射區(qū)域的像素電極呈一體結(jié)構(gòu)，且呈一體結(jié)構(gòu)的像素電極與所述薄膜晶體管的柵極相連接；所述反射區(qū)域的有機(jī)層先于所述薄膜晶體管的柵極制作在陣列基板上；所述反射區(qū)域的反射層與所述薄膜晶體管的柵極利用同種金屬同層制作完成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述反射區(qū)域的像素電極和反射層之間形成有柵絕緣層，或形成有柵絕緣層和鈍化層兩層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述反射層的截面為波浪形、鋸齒波形或三角波形。
7.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括步驟Al、在陣列基板上制作有機(jī)膜，并通過掩膜光刻エ藝形成有機(jī)層； 步驟A2、在完成步驟Al的陣列基板上制作柵金屬薄膜，并通過掩膜光刻エ藝形成柵線、薄膜晶體管的柵極及反射層； 在完成步驟A2的陣列基板上依次形成有柵絕緣層，有源層，源漏金屬層，鈍化層以及像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在干，形成有源層和源漏金屬層具體包括在形成有柵絕緣層的陣列基板上制作半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜，并通過一次掩膜光刻エ藝形成有源層、源漏金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟Al具體為在陣列基板上制作有機(jī)膜，并通過灰階掩膜光刻エ藝形成截面頂端為波浪形、鋸齒波形或三角波形的有機(jī)層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)、液晶顯示面板及制作方法，涉及液晶顯示領(lǐng)域，用以簡(jiǎn)化半透半反式液晶顯示器陣列基板上像素結(jié)構(gòu)的制作工藝。所述像素結(jié)構(gòu)，包括薄膜晶體管、反射區(qū)域及透射區(qū)域，所述反射區(qū)域包括有機(jī)層、反射層和像素電極，所述透射區(qū)域包括像素電極；所述反射區(qū)域的像素電極和所述透射區(qū)域的像素電極呈一體結(jié)構(gòu)，且呈一體結(jié)構(gòu)的像素電極與所述薄膜晶體管的柵極相連接；所述反射區(qū)域的有機(jī)層先于所述薄膜晶體管的柵極制作在陣列基板上；所述反射區(qū)域的反射層與所述薄膜晶體管的柵極利用同種金屬同層制作完成。本發(fā)明提供的方案適用于半透半反式液晶顯示器的生產(chǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102650780SQ20111014376
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月30日
發(fā)明者周偉峰, 崔承鎮(zhèn), 張鋒, 惠官寶 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司