專利名稱：液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的多個(gè)方面在于一種液晶顯示面板，更具體地講，一種能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率的液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)由于尺寸小、重量輕和功耗低而廣泛地用于諸如蜂窩電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和便攜式多媒體播放器(PMP)的小型產(chǎn)品。液晶顯示器包括液晶顯示面板，利用液晶層的光學(xué)特性根據(jù)像素?cái)?shù)據(jù)顯示圖像； 印刷電路板，具有用于驅(qū)動(dòng)液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路；背光組件，包括用于使屏幕顯示的光源；?？?，容納背光組件。在這些組件中，液晶顯示面板包括具有薄膜晶體管(TFT)的陣列基底、具有濾色器(CF)的濾色器基底及置于陣列基底和濾色器基底之間的液晶層，并且基于陣列基底和濾色器基底之間的電場(chǎng)差異通過驅(qū)動(dòng)并控制液晶層來顯示圖像。這里，為了制造具有高分辨率的液晶顯示器，一個(gè)像素的尺寸是小的。通常，在陣列基底中的薄膜晶體管上的層中形成孔，并且薄膜晶體管通過該孔與像素電極結(jié)合而形成像素，但是像素中的孔的尺寸減小受到限制。即，不能在減小像素尺寸的同時(shí)將該孔的尺寸減小到同一程度而實(shí)現(xiàn)高分辨率。因此，像素中的孔的占有率增大。結(jié)果，像素的開口率可以減小，并且當(dāng)像素的尺寸小于特定水平時(shí)，所述孔可能比像素大，從而不能形成像素。在背景部分公開的以上信息僅僅是為了增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此它可能包含沒有形成在該國(guó)已為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例在于一種能夠在不減小開口率的情況下而實(shí)現(xiàn)高分辨率的液晶顯示面板。此外，本發(fā)明的實(shí)施例在于一種在實(shí)現(xiàn)高分辨率的同時(shí)能夠控制處于垂直取向 (VA)模式的液晶分子的制造液晶顯示面板的方法。本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括基底； 維持電極，在基底上位于像素區(qū)域；不透明布線，圍繞像素區(qū)域，具有沿第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向延伸的格子形式，并且與維持電極結(jié)合；柵極布線，與維持電極和不透明布線絕緣并且沿第一方向延伸，第一絕緣層置于維持電極和不透明布線與柵極布線之間；數(shù)據(jù)布線，與柵極布線絕緣并且沿第二方向延伸，第二絕緣層置于柵極布線與數(shù)據(jù)布線之間；薄膜晶體管，與柵極布線和數(shù)據(jù)布線結(jié)合；像素電極，與薄膜晶體管結(jié)合。在該實(shí)施例中，維持電極包含透明導(dǎo)電材料，不透明布線包含電阻低于所述透明導(dǎo)電材料的電阻的導(dǎo)電材料。不透明布線可以具有黑色。不透明布線可以包含鉬，維持電極可以包含氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
維持電極和數(shù)據(jù)布線互不疊置。所述液晶顯示面板可以還包括第一突出圖案，覆蓋薄膜晶體管；第二突出圖案， 在第二絕緣層上位于像素區(qū)域的中心區(qū)域。第一突出圖案可以暴露薄膜晶體管的漏電極的一部分，像素電極可以直接接觸漏電極。像素電極可以覆蓋第二突出圖案。第一突出圖案和第二突出圖案可以由包含有機(jī)層或無機(jī)層的單層制成，或者可以由包括有機(jī)層和無機(jī)層的雙層制成。所述液晶顯示面板還可以包括共電極，面對(duì)像素電極；液晶層，位于像素電極和共電極之間，其中，液晶層包括活性液晶元。本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供了一種制造液晶顯示面板的方法，所述方法包括以下步驟在第一基底上的像素區(qū)域中形成維持電極；形成沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向延伸的不透明布線，不透明布線具有格子形式以在與維持電極相同的層上圍繞像素區(qū)域；形成第一絕緣層以覆蓋維持電極和不透明布線，并且在第一絕緣層上形成沿第一方向延伸的柵極布線；形成第二絕緣層以覆蓋柵極布線，并且在第二絕緣層上形成沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)布線；形成與柵極布線和數(shù)據(jù)布線結(jié)合的薄膜晶體管；在第二絕緣層上形成與薄膜晶體管結(jié)合的像素電極。在該實(shí)施例中，維持電極包含透明導(dǎo)電材料，不透明布線包含電阻低于所述透明導(dǎo)電材料的電阻的不透明導(dǎo)電材料。不透明布線可以具有黑色。 不透明布線可以包含鉬，維持電極可以包含ITO或ΙΖ0。所述制造液晶顯示面板的方法還包括在形成像素電極之前，形成第一突出圖案以覆蓋薄膜晶體管，并且在位于像素區(qū)域的中心區(qū)域的第二絕緣層上形成第二突出圖案。第一突出圖案可以暴露薄膜晶體管的漏電極的一部分。可以通過堆疊包括有機(jī)層和無機(jī)層中的至少一種的鈍化層來形成第一突出圖案和第二突出圖案，以覆蓋薄膜晶體管和第二絕緣層，所述方法還可以包括去除鈍化層。第一突出圖案和第二突出圖案可以由包括所述有機(jī)層和所述無機(jī)層的雙層制成。所述方法還可以包括在第二基底上形成共電極并將第二基底附于第一基底；在第一基底的像素電極和第二基底的共電極之間注入液晶分子。液晶分子可以包括活性液晶元。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過減少陣列基底和濾色器基底之間的附著邊緣能夠提高開口率。此外，能夠通過突出圖案控制處于VA模式的液晶。此外，通過使像素的尺寸變小能夠?qū)崿F(xiàn)具有高分辨率的液晶顯示器。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的放大了一個(gè)像素區(qū)域的液晶顯示器的陣列基底的平面布局圖；圖2是沿著圖1中的II-II線截取的液晶顯示面板的陣列基底的剖視圖；圖3是沿著圖1中的III-III線截取的液晶顯示面板的陣列基底的剖視圖；圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例在對(duì)液晶層施加電場(chǎng)前和施加電場(chǎng)后的液晶顯示面板的示意性剖視圖；圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F和圖5G是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的針對(duì)像素區(qū)域的制造液晶顯示面板的陣列基底的方法的圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。附圖和描述本質(zhì)上被認(rèn)為是說明性的而非限制性的。在整個(gè)說明書中相似的標(biāo)號(hào)指示相似的元件。此外，為了理解并易于描述，示例性地示出了附圖中示出的每個(gè)組件的尺寸和厚度，但本發(fā)明不限于此。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。應(yīng)該理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的放大了一個(gè)像素區(qū)域的液晶顯示器的陣列基底的平面布局圖，圖2是沿著圖1中的II-II線截取的液晶顯示面板的陣列基底的剖視圖，圖3是沿著圖1中III-III線的截取的液晶顯示面板的陣列基底的剖視圖。在下文中，將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的陣列基底和包括該陣列基底的液晶顯示面板。參照?qǐng)D1至圖3，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示面板的陣列基底100包括包含維持電極110和不透明布線120的維持電壓線、柵極布線130、與柵極布線130結(jié)合的柵電極131、有源層140、數(shù)據(jù)布線150、與數(shù)據(jù)布線150結(jié)合的源電極151、與源電極151分隔開的漏電極152以及與漏電極152接觸的像素電極170。液晶顯示面板包括用于顯示圖像的紅色(R)像素、綠色(G)像素和藍(lán)色(B)像素， 在本說明書中，陣列基底上與像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域定義為像素區(qū)域。維持電壓線形成在絕緣基底101上。維持電極110形成為與像素區(qū)域?qū)?yīng)，不透明布線120具有沿第一方向和第二方向延伸的格子形式，所述第一方向所述第二方向彼此正交且圍繞每個(gè)像素區(qū)域的外圍。不透明布線120由不透明的低電阻導(dǎo)電材料制成。不透明布線120與維持電極110結(jié)合，以向維持電極110施加維持電壓，從而傳輸信號(hào)。維持電極110由透明導(dǎo)電材料制成。由于透明導(dǎo)電材料的電阻比不透明導(dǎo)電材料相對(duì)要高，所以在利用透明導(dǎo)電材料作為布線直接施加維持電壓的情況下，可能發(fā)生由于高電阻導(dǎo)致的信號(hào)延遲。在示例性實(shí)施例中，通過使包括不透明的低電阻導(dǎo)電材料而非透明導(dǎo)電材料作為施加維持電壓的布線的不透明布線120與施加共電壓的維持電極110直接接觸，可以防止或減少由于高電阻而發(fā)生的信號(hào)延遲。此外，維持電極110與下面將要更詳細(xì)描述的像素電極170形成電容器。通過在像素區(qū)域內(nèi)寬廣地形成維持電極110能夠增大電容器的電容。此外，在示例性實(shí)施例中，維持電極110形成為與像素區(qū)域?qū)?yīng)，而不透明布線120形成在像素區(qū)域的外圍，從而防止開口率因不透明布線120而減小。這樣，在陣列基底100上沿像素區(qū)域的外圍形成的不透明布線120可以由金屬制成，并且可以呈黑色以用作黑矩陣 (BM)。因此，在液晶顯示面板中不需要另外的黑矩陣形成在面向陣列基底100的濾色器基底上。
在示例性實(shí)施例中，不透明布線120和維持電極110分別包括鉬和氧化銦錫(在下文中稱作“ΙΤ0”)，但是本發(fā)明不限于此，它們的材料可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員以多種方式修改。包括維持電極110和不透明布線120的維持電壓線覆蓋有第一絕緣層103，柵極布線130對(duì)應(yīng)于維持電極110和不透明布線120形成在第一絕緣層103上。S卩，參照?qǐng)D1，柵極布線130形成在像素區(qū)域下方，并且沿第一方向(χ軸方向)延伸。朝著像素區(qū)域突出的柵電極131結(jié)合到柵極布線130，通過柵極布線130傳輸柵極信號(hào)。第二絕緣層105形成在柵極布線130和柵電極131上。有源層140對(duì)應(yīng)于柵電極 131形成在第二絕緣層105上。在示例性實(shí)施例中，有源層140由多晶硅制成，但是本發(fā)明不限于此。數(shù)據(jù)布線150對(duì)應(yīng)于不透明布線120形成在第二絕緣層105上。參照?qǐng)D1，數(shù)據(jù)布線150形成在像素區(qū)域的左側(cè)，并且沿第二方向(y軸方向)延伸以與柵極布線130交叉。朝著像素區(qū)域突出的源電極151結(jié)合到數(shù)據(jù)布線150，通過數(shù)據(jù)布線150傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。漏電極152與源電極151分隔開。參照?qǐng)D2，源電極151和漏電極 152形成在有源層140上，并與柵電極131和有源層140 —起形成薄膜晶體管(TFT)。這里，與柵極布線130不同，數(shù)據(jù)布線150不與維持電極110疊置，從而防止在維持電極Iio和數(shù)據(jù)布線150之間形成不必要的電容器。與柵極布線130不同，在傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的同時(shí)在數(shù)據(jù)布線150中持續(xù)地改變微小的電壓。結(jié)果，當(dāng)在數(shù)據(jù)布線150和維持電極110之間形成電容器時(shí)，整個(gè)阻抗增大，從而使數(shù)據(jù)信號(hào)的傳輸延遲。因此，在示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)布線150和維持電極110互不疊置，從而防止數(shù)據(jù)信號(hào)被延遲。根據(jù)示例性實(shí)施例的陣列基底100還包括突出圖案160。突出圖案160包括形成在薄膜晶體管上的第一突出圖案161和形成在像素區(qū)域的中心區(qū)域的第二突出圖案162。 在像素區(qū)域中像素電極170形成在第二絕緣層105和第二突出圖案162上。參照?qǐng)D2，第一突出圖案161形成為覆蓋源電極151和有源層140的全部以及漏電極152的暴露于直接接觸像素電極170的一部分。這樣，第一突出圖案161形成在薄膜晶體管上，以用作保護(hù)有源層140等的鈍化層。此外，參照?qǐng)D3，第二突出圖案162在像素區(qū)域的中心區(qū)域形成在第二絕緣層105上。 通過第二突出圖案162控制液晶層，下面將對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。在示例性實(shí)施例中，第一突出圖案161以無機(jī)層161a和有機(jī)層161b的雙層結(jié)構(gòu)形成，第二突出圖案162以無機(jī)層16 和有機(jī)層162b的雙層結(jié)構(gòu)形成，但是本發(fā)明不限于此。第一突出圖案161和第二突出圖案162可以以無機(jī)層或有機(jī)層的單層結(jié)構(gòu)形成。通常，像素電極以在覆蓋整個(gè)薄膜晶體管的鈍化層上形成通孔的結(jié)構(gòu)形成，并且像素電極通過通孔與薄膜晶體管的漏電極結(jié)合。在這種結(jié)構(gòu)中，在像素的尺寸減小以實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示的情況下，被通孔占據(jù)的區(qū)域相對(duì)增大，結(jié)果，使開口率劣化。此外，如果通孔比期望的像素大，則可能形成不了像素本身。然而，在示例性實(shí)施例中，由于突出圖案160形成在薄膜晶體管上并且僅形成在像素區(qū)域的中心區(qū)域處而沒有在鈍化層上形成通孔，所以可以解決小尺寸通孔的問題。此外，由于不是在整個(gè)像素區(qū)域形成鈍化層，所以通過鈍化層防止開口率被劣化是可以的。此外，薄膜晶體管的漏電極152可以直接接觸像素電極170，以施加用于驅(qū)動(dòng)液晶層的電場(chǎng)。
如參照上面的示例性實(shí)施例所描述的，不透明布線120在液晶顯示面板的陣列基底100上以格子形式形成在像素區(qū)域的外圍上，以防止維持電壓的信號(hào)被延遲。另外，不透明布線120用作黑矩陣，使得不需要在濾色器基底上形成另外的黑矩陣。結(jié)果，陣列基底 100和濾色器基底之間的附著邊緣可以減小，從而增大了開口率。此外，突出圖案160形成在薄膜晶體管上以及像素區(qū)域的中心區(qū)域處，而不是在液晶顯示面板的陣列基底100上的整個(gè)像素區(qū)域形成鈍化層，從而像素的尺寸可以是小的。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率。圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例在對(duì)液晶層施加電場(chǎng)前和施加電場(chǎng)后的液晶顯示面板的示意性剖視圖。在下文中，將參照?qǐng)D4A和圖4B詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)液晶層以顯示圖像的方法。參照?qǐng)D4A和圖4B，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示面板包括陣列基底100、 面對(duì)陣列基底100的濾色器基底200以及置于陣列基底100和濾色器基底200之間的液晶層300。如上所述，薄膜晶體管形成在陣列基底100上，第二突出圖案162形成在像素區(qū)域的中心區(qū)域。濾色器和共電極形成在濾色器基底200上。在陣列基底100和濾色器基底200之間施加電場(chǎng)之前的液晶層300處于垂直取向模式(VA)，在該垂直取向模式中，液晶分子垂直排列在陣列基底100和濾色器基底200之間，如圖4A所示。當(dāng)通過對(duì)陣列基底100的像素電極施加電壓來對(duì)液晶層300施加電場(chǎng)時(shí)， 在第二突出圖案162周圍形成奇點(diǎn)(singular point)，并且液晶分子以該奇點(diǎn)為中心水平取向，如圖4B所示。這樣，在圖4A和圖4B的示例性實(shí)施例中，第二突出圖案162形成在陣列基底100上，從而控制液晶分子。這里，在示例性實(shí)施例中，為了更有效地控制液晶分子，液晶分子包括活性液晶元。具體地講，當(dāng)在不施加電場(chǎng)的情況下包括活性液晶元的液晶分子曝光于紫外線時(shí)，活性液晶元以小的突起形式附于電極，從而允許液晶分子保持垂直態(tài)。如上所述，第二突出圖案162形成在陣列基底100上，使得在第二突出圖案162周圍形成奇點(diǎn)來控制液晶。而且，在液晶分子中包括活性液晶元，以使液晶分子以VA模式取向。圖5A至圖5G是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的針對(duì)像素區(qū)域的制造液晶顯示面板的陣列基底的方法的圖。在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造液晶顯示面板和陣列基底的方法。參照?qǐng)D5A，首先，在絕緣基底上形成維持電極110。如上所述，為了防止在數(shù)據(jù)布線150和維持電極110之間形成不必要的電容器，以“I”形在像素區(qū)域中形成維持電極 110。此外，在示例性實(shí)施例中，維持電極110包括ΙΤ0。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以以多種的方式修改維持電極110的形狀和材料。在實(shí)施例中，維持電極110可以形成為覆蓋整個(gè)像素區(qū)域，并且可以由諸如氧化銦鋅(在下文中稱作“ΙΖ0”)的透明導(dǎo)電材料制成。這里， 圖5A示出了一個(gè)像素區(qū)域，維持電極110與另一相鄰的像素區(qū)域結(jié)合。參照?qǐng)D5B，在形成維持電極110后，沿著像素區(qū)域的外圍形成不透明布線120。以一個(gè)像素為基準(zhǔn)不透明布線120形成在像素區(qū)域的外圍上，但不透明布線120以格子形式形成在整個(gè)陣列基底上，以向維持電極110施加維持電壓。具體地講，參照?qǐng)D5B，在不透明布線120的與維持電極110接觸的上部和下部施加維持電壓，不透明布線120由電阻相對(duì)低的材料制成以抑制或減小信號(hào)延遲。在實(shí)施例中，不透明布線120包含鉬，但如上所述， 不透明布線120可以包含除了鉬之外的各種適合的不透明低電阻導(dǎo)電材料。如上所述，不透明布線120可以通過金屬性電極形成，并且可以呈黑色以用作黑矩陣，從而通過這種構(gòu)造，不需要在液晶顯示面板的濾色器基底上形成另外的黑矩陣。 參照?qǐng)D5C，在維持電極110和不透明布線120上形成第一絕緣層之后，形成柵極布線130和與柵極布線130結(jié)合并突出到像素區(qū)域的柵電極131，以與上面的和下面的不透明布線120對(duì)應(yīng)。然后，在柵極布線130和柵電極131上形成第二絕緣層，并且如圖5D所示，在與柵電極131對(duì)應(yīng)的位置處形成有源層140。在示例性實(shí)施例中，有源層140由多晶硅制成，但是本發(fā)明不限于此。參照?qǐng)D5E，形成數(shù)據(jù)布線150以與左側(cè)的不透明布線120和右側(cè)的不透明布線 120對(duì)應(yīng)，此外，將源電極151與數(shù)據(jù)布線150結(jié)合并且源電極151延伸到有源層140的一部分，將漏電極152與源電極151分隔開并且漏電極152延伸到有源層140的另一部分。柵電極131、有源層140、源電極151和漏電極152形成薄膜晶體管，以向像素電極170施加驅(qū)動(dòng)電壓。參照?qǐng)D5F，分別在薄膜晶體管上和像素區(qū)域的中心區(qū)域形成包括第一突出圖案 161和第二突出圖案162的突出圖案160。在示例性實(shí)施例中，在以無機(jī)層和有機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)在整個(gè)像素區(qū)域中堆疊鈍化層之后，通過去除鈍化層的除突出圖案160之外的剩余部分以僅留下突出圖案的方法來形成突出圖案160。即，在像素區(qū)域的上部和下部這兩側(cè)或者在像素區(qū)域的左部和右部這兩側(cè)逐漸去除鈍化層，重復(fù)去除工藝，直到在薄膜晶體管上和像素區(qū)域的中心區(qū)域處留下期望的圖案。在這種情況下，當(dāng)形成第一突出圖案161時(shí)，漏電極152被部分地暴露，以直接接觸像素電極170。這里，可以以無機(jī)層或有機(jī)層的單層結(jié)構(gòu)堆疊用于形成突出圖案160的鈍化層。參照?qǐng)D5G，在第二絕緣層和第二突出圖案162上形成像素電極170。如上所述，像素電極170直接接觸漏電極152，以被施加驅(qū)動(dòng)電壓。在示例性實(shí)施例中，像素電極170包含ΙΤ0，但是像素電極170的材料不限于此，并且可以由諸如氧化銦鋅等各種適合的透明導(dǎo)電材料制成。通過這樣的工藝，能夠制造包括用作黑矩陣的不透明布線120和用于控制液晶分子的第二突出圖案162的陣列基底。面對(duì)如上所述制造的陣列基底且包括濾色器和共電極的濾色器基底附于陣列基底，在陣列基底和濾色器基底之間注入液晶層，從而制造液晶顯示面板。在示例性實(shí)施例中，在液晶分子中包括活性液晶元，以有效地控制處于VA模式的液晶分子。如上所述，在陣列基底上形成用作黑矩陣的不透明布線120，因此不需要在濾色器基底上形成另外的黑矩陣。結(jié)果，可以減小陣列基底和濾色器基底之間的附著邊緣，從而提高了開口率。此外，通過在像素區(qū)域周圍形成不透明布線120能夠在抑制信號(hào)延遲的同時(shí)確保開口率。此外，通過在像素區(qū)域的中心區(qū)域形成第二突出圖案162能夠控制液晶分子。雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是可實(shí)現(xiàn)的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例。相反，意在覆蓋包括在權(quán)利要求書及其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。標(biāo)號(hào)描述
100:陣列基底101:絕緣基底103:第一絕緣層105:第二絕緣層110:維持電極120:不透明布線130:柵極布線131:柵電極140:有源層150:數(shù)據(jù)布線151:源電極152:漏電極160:突出圖案161:第一突出圖162:第二突出圖案170:像素電極200:濾色器基底300:液晶層
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括 基底；維持電極，在基底上位于像素區(qū)域；不透明布線，圍繞像素區(qū)域，具有沿第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向延伸的格子形式，并且與維持電極結(jié)合；柵極布線，與維持電極和不透明布線絕緣并且沿第一方向延伸，第一絕緣層置于維持電極和不透明布線與柵極布線之間；數(shù)據(jù)布線，與柵極布線絕緣并且沿第二方向延伸，第二絕緣層置于柵極布線與數(shù)據(jù)布線之間；薄膜晶體管，與柵極布線和數(shù)據(jù)布線結(jié)合； 像素電極，與薄膜晶體管結(jié)合，其中，維持電極包含透明導(dǎo)電材料，不透明布線包含電阻低于所述透明導(dǎo)電材料的電阻的導(dǎo)電材料。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中，不透明布線具有黑色。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中，不透明布線包含鉬。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中，維持電極包含氧化銦錫或氧化銦鋅。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中，維持電極和數(shù)據(jù)布線互不疊置。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，所述液晶顯示面板還包括 第一突出圖案，覆蓋薄膜晶體管；第二突出圖案，在第二絕緣層上位于像素區(qū)域的中心區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其中，第一突出圖案暴露薄膜晶體管的漏電極的一部分，像素電極直接接觸漏電極。
8.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其中，像素電極覆蓋第二突出圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，所述液晶顯示面板還包括 共電極，面對(duì)像素電極；液晶層，位于像素電極和共電極之間， 其中，液晶層包括活性液晶元。
10.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其中，第一突出圖案和第二突出圖案由包含有機(jī)層或無機(jī)層的單層制成。
11.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其中，第一突出圖案和第二突出圖案由包括有機(jī)層和無機(jī)層的雙層制成。
12.一種制造液晶顯示面板的方法，所述方法包括以下步驟 在第一基底上的像素區(qū)域中形成維持電極；形成沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向延伸的不透明布線，不透明布線具有格子形式以在與維持電極相同的層上圍繞像素區(qū)域；形成第一絕緣層以覆蓋維持電極和不透明布線，并且在第一絕緣層上形成沿第一方向延伸的柵極布線；形成第二絕緣層以覆蓋柵極布線，并且在第二絕緣層上形成沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)布線. ，形成與柵極布線和數(shù)據(jù)布線結(jié)合的薄膜晶體管； 在第二絕緣層上形成與薄膜晶體管結(jié)合的像素電極，其中，維持電極包含透明導(dǎo)電材料，不透明布線包含電阻低于所述透明導(dǎo)電材料的電阻的不透明導(dǎo)電材料。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，不透明布線具有黑色。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，不透明布線包含鉬。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，維持電極包含氧化銦錫或氧化銦鋅。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括在形成像素電極之前，形成第一突出圖案以覆蓋薄膜晶體管，并且在位于像素區(qū)域的中心區(qū)域的第二絕緣層上形成第二突出圖案。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一突出圖案暴露薄膜晶體管的漏電極的一部分。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，通過堆疊包括有機(jī)層和無機(jī)層中的至少一種的鈍化層來形成第一突出圖案和第二突出圖案，以覆蓋薄膜晶體管和第二絕緣層，所述方法還包括去除鈍化層。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，第一突出圖案和第二突出圖案由包括所述有機(jī)層和所述無機(jī)層的雙層制成。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括 在第二基底上形成共電極并將第二基底附于第一基底；在第一基底的像素電極和第二基底的共電極之間注入液晶分子。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，液晶分子包括活性液晶元。
全文摘要
一種液晶顯示面板能夠在不減小開口率的情況下實(shí)現(xiàn)高分辨率。一種液晶顯示面板包括基底；維持電極，在基底上位于像素區(qū)域；不透明布線，圍繞像素區(qū)域，具有沿第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向延伸的格子形式，并且與維持電極結(jié)合；柵極布線，與維持電極和不透明布線絕緣并且沿第一方向延伸，第一絕緣層置于維持電極和不透明布線與柵極布線之間；數(shù)據(jù)布線，與柵極布線絕緣并且沿第二方向延伸，第二絕緣層置于柵極布線與數(shù)據(jù)布線之間；薄膜晶體管，與柵極布線和數(shù)據(jù)布線結(jié)合；像素電極，與薄膜晶體管結(jié)合。維持電極包含透明導(dǎo)電材料，不透明布線包含電阻低于所述透明導(dǎo)電材料的電阻的導(dǎo)電材料。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102314029SQ20111019394
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月6日
發(fā)明者任董壎, 樸源祥, 金一南, 金在經(jīng), 金敏佑 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社